JP2016011379A - 研磨液、研磨液用貯蔵液及び研磨方法 - Google Patents

Abstract

【課題】サファイア基板表面を速い研磨速度で平滑に研磨できる研磨液、その貯蔵液及びこれらを用いたサファイアの研磨方法を提供する。
【解決手段】平均一次粒径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であるシリカと、隣り合う窒素原子を複素環上に有する芳香族複素環化合物を０．０１質量％以上１．０質量％未満と、水と、を含み、ｐＨが７．０以上１０．５以下である、サファイアを含む基体を研磨するための研磨液。
【選択図】なし

Description

本発明は、サファイアを含む基体を研磨するために使用される研磨液、当該研磨液を得るための貯蔵液及びこれらを使用したサファイアの研磨方法に関する。

サファイアは従来からＬＥＤの基板用途に主に用いられてきたが、近年サファイアは透明で、高い硬度も有し、傷がつきにくいことからスマートフォンに代表される電子機器筐体等のフロントカバーガラスやカメラカバーガラス等にも用いられるようになり、年々その需要が増している。

サファイア基板の製造方法としては、まずベルヌーイ法やチョクラルスキー法、ＥＦＧ（Ｅｄｇｅ−ｄｅｆｉｎｅｄ Ｆｉｌｍ−ｆｅｄ Ｇｒｏｗｔｈ Ｍｅｔｈｏｄ）法等でサファイアの塊を作り、次に基板状にくりぬき、薄くスライスして製造する。スライスするときにはダイヤモンド粒が付着した細いワイヤー等（マルチワイヤーソー）を使用して切り出すため、切り出した表面には細かい傷が存在する。

ＬＥＤ基板はサファイア上にＧａＮを結晶成長させて製造されるため、その用途上、サファイア表面には非常に平滑であることが求められる。またサファイアを電子機器筐体のカバーガラス等に用いる場合でも、サファイア表面に傷等があると意匠性が低下し、見た目にも美しくないことから、傷等が無く平滑であることが求められる。

このようなサファイア表面の傷等を除去し、平滑にするためにはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学的機械的研磨）工程が必要不可欠である。ＣＭＰとは研磨液によって化学的に被加工物の表面を研磨し易く変質させながら、研磨液に含まれる砥粒と研磨パッドにより機械的に研磨する技術である。しかし、サファイアは化学的、熱的に非常に安定であり、硬度も高いため、ＣＭＰが難しく、加工時間が長くかかり、生産コストが高いという問題がある。

その生産コストを下げるため、研磨工程でのサファイアの研磨速度を向上させ、研磨時間を短縮することが望まれている。研磨速度は研磨時の研磨定盤の回転数や圧力を上げることで、高めることができる。しかし、年々必要とされるサファイア基板が薄膜化していく傾向にあり、研磨定盤の回転数や圧力を一定以上に上げるとサファイア基板が割れたり欠けたりする原因となる。そのため、研磨に用いられる研磨液を改善することで研磨速度を向上することが望まれている。

そのサファイア用の研磨液はいくつか知られているが、その種類は豊富とは言えない。例えば特許文献１には、高濃度のコロイダルシリカを含んだ研磨液によってサファイアを研磨することが公開されている。また特許文献２には、アルカノールアミン化合物とパーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物の少なくとも一方と、シリカ粒子、及び水を含有してなるサファイア基板用研磨液が公開されている。しかし、これらに記載された研磨液でサファイアを研磨した結果、比較的研磨速度が遅く、研磨速度は充分とはいえない。

特開２００８−４４０７８号公報 特開２０１４−３９０５６号公報

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、サファイア基板表面を速い研磨速度で平滑に研磨できる研磨液、その貯蔵液及びこれらを用いたサファイアの研磨方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様は、平均一次粒径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であるシリカと、隣り合う窒素原子を複素環上に有する芳香族複素環化合物を０．０１質量％以上１．０質量％未満と、水と、を含み、ｐＨが７．０以上１０．５以下である、サファイアを含む基体を研磨するための研磨液に関する。このような研磨液を用いることにより、サファイアの表面を、優れた研磨速度で研磨できる。

また、前記芳香族複素環化合物は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることが好ましい。

（式（Ｉ）中、点線で囲まれたＡｒは芳香環を示し、Ｒ^１は、水素原子、ヒドロキシル基又はアルキル基である。）

本発明の一態様は、更に前記シリカの含有量が、研磨液全質量基準で１〜３０質量％であることが好ましい。これによりサファイアの表面を、優れた研磨速度で研磨することができる。

本発明の一態様は、２倍以上に希釈して上記研磨液を得るための貯蔵液に関する。このような貯蔵液によれば、ＣＭＰ用研磨液の貯蔵・運搬等に係るコストを低減できる。

本発明の一態様は、前記研磨液を用いて、少なくともサファイアを含む基体を研磨する工程を備える研磨方法に関する。このような研磨方法によれば、サファイアを含む基体を、優れた研磨速度で研磨することができる。

本発明の一態様は、前記貯蔵液を水で２倍以上に希釈して研磨液を得て、該研磨液を用いて、少なくともサファイアを含む基体を研磨する工程を備える研磨方法に関する。これにより、ＣＭＰ用研磨液の貯蔵・運搬・保管等に係るコストを抑制できるため、総合的な製造コストを低減できる。

本発明によれば、サファイア表面を優れた研磨速度で平滑に研磨することができる研磨液、その貯蔵液及びこれらを用いたサファイアの研磨方法を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について説明する。ただし、本発明は下記実施形態に何ら限定されるものではない。

［研磨液］
本実施形態に係る研磨液は、平均一次粒径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であるシリカと、隣り合う窒素原子を複素環上に有する芳香族複素環化合物を０．０１質量％以上１．０質量％未満と、水と、を含み、ｐＨが７．０以上１０．５以下である、サファイアを含む基体を研磨するための研磨液である。

（シリカ）
本実施形態に係る研磨液は、シリカを含有する。シリカは砥粒として作用する。砥粒としては、従来から、シリカ、アルミナがよく知られているが、シリカは、サファイア表面の平滑化に優れている。

サファイアに対する研磨速度が向上する観点から、シリカの平均一次粒径は、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である。下限としては、２２ｎｍ以上が好ましく、２４ｎｍ以上がより好ましい。上限としては、５５ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以下がより好ましく、４８ｎｍ以下が更に好ましい。

本発明において平均一次粒径とは、ＢＥＴ比表面積からの等価球換算粒子径であり、凝集したシリカ粒子ではなく、シリカ粒子一つ一つの平均粒径を意味する。

研磨液におけるシリカの含有率は、研磨液の全質量を基準として１〜３０質量％であることが好ましく、３〜２５質量％であることがより好ましい。研磨液が砥粒を含まない場合の研磨速度との有意差がある研磨速度を達成し易い観点において、砥粒の含有率はＣＭＰ用研磨液の全質量を基準として１質量％以上であることが好ましい。また、砥粒の含有率が研磨液の全質量を基準として３０質量％以下である場合、含有率の増加に伴って研磨速度を向上し易い傾向がある。

（芳香族複素環化合物）
本実施形態に係る研磨液は、隣り合う窒素原子を複素環上に有する芳香族複素環化合物を０．０１質量％以上１．０質量％未満含有する。

前記含窒素芳香族複素環化合物の含有量は、優位性のある研磨速度を得る観点から０．０２質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましい。また同様に優位性のある研磨速度を得る観点から、０．７質量％以下が好ましい。

前記芳香族複素環化合物は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることが好ましい。

（式（Ｉ）中、点線で囲まれたＡｒは芳香環を示し、Ｒ^１は、水素原子、ヒドロキシル基又はアルキル基である。）

前記含窒素芳香族複素環化合物を０．０１質量％以上１．０質量％未満の範囲で研磨液に添加することで、サファイアの研磨速度が向上する理由は定かでないが、下記のように考えている。サファイアの研磨は、サファイアに対しシリカが押圧された際に、サファイア上の水酸基とシリカ上の水酸基が水素結合を形成し、続いて反応してアルミノシリケートが生成し、アルミノシリケートが軟質であるためにＣＭＰで機械的に除去され研磨が進行すると考えられる。このとき前記含窒素芳香族複素環化合物が存在することで、水酸基に直結したサファイアのアルミニウム原子、又はシリカのケイ素原子に作用し、水酸基上の電子密度を高め、水素結合が進行しやすくなるために、続くアルミノシリケートの生成反応が速く進み、研磨速度が向上するのではないかと考えている。

一般式（Ｉ）で表される含窒素芳香族複素環化合物としては、ピラゾール、１，２，４−トリアゾール、１，２，３−トリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、ベンゾトリアゾール、シンノリン、これらの誘導体等が上げられる。中でも低コストであり、安全性が高く、水に対して溶解性が高く、サファイアに対する研磨速度が向上する観点から１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、１，２，４−トリアゾール及びピラゾールがより好ましい。これらは一種類単独で又は二種類以上混合して用いることができる。

（ｐＨ）
本実施形態に係る研磨液のｐＨは７．０以上１０．５以下の範囲である。これにより、研磨速度を向上することができる。同様の観点からｐＨは７．０以上が好ましく、７．３以上がより好ましく、７．５以上が更に好ましく、８．０以上が特に好ましい。また、ｐＨは１０．２以下が好ましく、１０．０以下がより好ましく、９．８以下が更に好ましい。

（ｐＨ調整）
ｐＨは、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸等の無機酸、酢酸、シュウ酸、リンゴ酸、マロン酸、ピコリン酸等の有機酸、又はアンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、イミダゾール等のアルカリ成分などの添加によって調整可能である。また、ｐＨを安定化させるため、研磨液に緩衝液を添加してもよい。このような緩衝液としては、例えば、酢酸塩緩衝液、フタル酸塩緩衝液等が挙げられる。

研磨液のｐＨは、ｐＨメーター（例えば、電気化学計器株式会社製、型番：ＰＨＬ−４０）で測定することができる。ｐＨの測定値としては、標準緩衝液（フタル酸塩ｐＨ緩衝液 ｐＨ：４．０１（２５℃）、中性りん酸塩ｐＨ緩衝液 ｐＨ：６．８６（２５℃）、ホウ酸塩ｐＨ緩衝液 ｐＨ：９．１８（２５℃））を用いて、３点校正した後、電極を研磨液に入れて、２分以上経過して安定した後の値を採用する。

［貯蔵液］
本実施形態に係る研磨液は、貯蔵・運搬・保管等に係るコストを抑制できる観点で、使用時に水等の液状媒体で２倍以上に希釈されて使用される貯蔵液として保管することができる。貯蔵液は、研磨の直前に液状媒体で希釈されて研磨液としてもよいし、サファイアの基体を研磨する場合は、研磨定盤上に貯蔵液と液状媒体を供給し、研磨定盤上で研磨液を調製するようにしてもよい。

貯蔵液の希釈倍率としては、倍率が高いほど貯蔵・運搬・保管等に係るコストの抑制効果が高いため、２倍以上が好ましく、３倍以上がより好ましい。また、希釈倍率の上限としては、特に制限はないが、１０倍以下が好ましく、７倍以下がより好ましく、５倍以下が更に好ましい。希釈倍率がこれらの上限値以下である場合、貯蔵液に含まれる砥粒や含窒素化合物の含有率が高くなり過ぎることを抑制し、保管中の貯蔵液の安定性を維持し易い傾向がある。なお、希釈倍率をｄとするとき、貯蔵液中の砥粒及び有機酸の各含有率は、研磨液中の砥粒及び有機酸の各含有率のｄ倍である。

［研磨方法］
本実施形態に係る研磨方法では、公知の研磨装置を広く用いることができる。例えばサファイア基板を研磨する場合、使用できる研磨装置としては、サファイア基板を保持するためのホルダーと、研磨布（研磨パッド）を貼り付けた定盤（プラテン）、又は鋳鉄、銅、錫からなる定盤等とを有する一般的な研磨装置が挙げられる。定盤には、その回転数を変更するためのモータ等が取り付けられている。

研磨パッドとしては、特に限定されないが、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等が挙げられる。基体の研磨条件に制限はないが、基体の飛び出しを防止し易い観点において、常盤の回転数は２００ｒｐｍ（ｍｉｎ^−１）以下であることが好ましい。研磨後の基体表面における傷の発生を抑制し易い観点において、研磨荷重は２０ｐｓｉ（３４．５ｋＰａ）以下であることが好ましい。

本実施形態に係る研磨方法では、定盤に貼り付けられた研磨パッドに、サファイアを含む基体を押圧した状態で、研磨液を基体と研磨パッドとの間にポンプ等により供給しながら、基体と定盤とを相対的に動かす。これらの操作により、基体表面に対する研磨を行う。研磨液を研磨装置に供給する方法は、研磨の間、研磨液を研磨パッドに連続的に供給できるものであれば、特に限定されない。研磨液の供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨液で覆われていることが好ましい。貯蔵液と水等の液状媒体とを基体と研磨布との間に供給し、研磨定盤上で貯蔵液を２倍以上に希釈しながら研磨を行なってもよい。また供給した研磨液を回収して再度研磨パッドに供給し、循環して使用してもよい。

研磨終了後の基体は、水、エタノール、イソプロピルアルコールやその他洗浄剤等で洗浄後、スピンドライヤ等を用いて基体上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。

以下に、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明の技術思想を逸脱しない限り、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。

（実験１：シリカの粒径の影響）
（実施例１）
脱イオン水にシリカＡ（カタロイドＳＩ−５０［「カタロイド」は、登録商標。］、日揮触媒化成株式会社製、平均一次粒径２５ｎｍ）と、１，２，４−トリアゾールを添加し、実施例１のＣＭＰ研磨液１に対応する貯蔵液１を作製した。この貯蔵液１の調製工程では、貯蔵液中のシリカＡの含有率を貯蔵液１の全質量を基準として４０質量％に、１，２，４−トリアゾールの含有率を貯蔵液１の全質量を基準として０．１６質量％添加し調製した。

実施例１の貯蔵液を水で２倍に希釈する（貯蔵液を貯蔵液と同質量の脱イオン水と混合する）ことによって、実施例１のＣＭＰ用研磨液１を調製した。すなわち、実施例１のＣＭＰ用研磨液１中のシリカＡの含有率は研磨液の全質量を基準として２０質量％、１，２，４−トリアゾールのＣＭＰ用研磨液１中の含有率は研磨液の全質量を基準として０．０８質量％であった。また、研磨液１のｐＨは約９．５であった。

（実施例２）
実施例２では、シリカとしてシリカＢ（カタロイドＳＩ−４５Ｐ、日揮触媒化成株式会社製、平均一次粒径４５ｎｍ）を添加したこと以外は実施例１と同様に実験を行い、貯蔵液２、研磨液２を作製した。また、研磨液２にｐＨ調整剤としてリンゴ酸を０．０３質量％加え、ｐＨを約９．５に調整した。

（比較例１）
比較例１では、シリカとしてシリカＣ（カタロイドＳＩ−４０、日揮触媒化成株式会社製、平均一次粒径１７ｎｍ）を添加した以外は実施例１と同様に実験を行い、貯蔵液３、研磨液３を作製した。また、研磨液３にｐＨ調整剤として２５質量％アンモニア水を０．１質量％加え、ｐＨを約９．５に調整した。

（比較例２）
比較例２では、シリカとしてシリカＤ（スノーテックスＹＬ［「スノーテックス」は、登録商標。］、日産化学株式会社製、平均一次粒径６５ｎｍ）を添加した以外は実施例１と同様に実験を行い、貯蔵液４、研磨液４を作製した。また、研磨液４にリンゴ酸を０．００５質量％加え、ｐＨを約９．５に調整した。

（比較例３）
比較例３では、シリカとしてシリカＥ（カタロイドＳＩ−８０Ｐ、日揮触媒化成株式会社製、平均一次粒径８０ｎｍ）を添加した以外は実施例１と同様に実験を行い、貯蔵液５、研磨液５を作製した。また、研磨液５にリンゴ酸を０．００５質量％加え、ｐＨを約９．５に調整した。

［ＣＭＰ方法及び研磨特性評価方法］
以下の手順で、研磨装置を用いてＣＭＰ用研磨液による基体の化学機械研磨を行った。

プラテンに貼り付けられた研磨パッドに、下記の基体を押圧した状態で、ＣＭＰ用研磨液（研磨液）を４０℃に加温した状態で、基体と研磨パッドとの間にポンプにより供給しながら、プラテンを回転させた。このとき研磨液は循環しながら研磨を行った。これらの操作により基体表面のＣＭＰを行った。

研磨する基体としては、研磨面の面方位がＣ面であるサファイアウエハを使用した。基体のサイズは直径２インチ（５０．８ｍｍ）、厚さ０．４３ｍｍであった。

研磨装置として、株式会社ナノファクター製の型式ＦＡＣＴ―２００を用いた。研磨パッドとして、ローム・アンド・ハース社製の同心円状の溝を有するＩＣ１０００を用いた。研磨条件は以下の通りであった。

＜研磨条件＞
研磨圧力：５００ｇ／ｃｍ^２
プラテン直径：２０ｃｍ
プラテンの回転数：９０ｒｐｍ（ｍｉｎ^−１）
ＣＭＰ用研磨液の流量（供給量）：１００ｍＬ／ｍｉｎ
研磨時間：２０ｍｉｎ

＜研磨速度＞
各研磨液を用いたＣＭＰ前後の基体の質量を測定することで研磨された質量を求め、そこから基体研磨面の面積と密度（サファイアの密度３．９７ｇ／ｃｍ^３の値を使用）の値を用いて膜厚に換算し、研磨速度を算出した。研磨速度が２．５μｍ／ｈ以上で良好であるとした。実施例１、２及び比較例１、２、３についての評価結果を表１に示した。

［評価結果］
表１から明らかなように平均一次粒径が２０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下のシリカを用いることで研磨速度は良好となった。

以上の結果より、平均一次粒径が２０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下のシリカを用いることでサファイアの表面を、高速に研磨できる研磨液（ＣＭＰ用研磨液）が得られることが確認された。

（実験２：ｐＨの影響）
（実施例３）
実施例３では、研磨液にｐＨ調整剤としてリンゴ酸を０．１質量％加えた以外は実施例２と同様に貯蔵液６、研磨液６を作製した。また、研磨液６のｐＨは約８．５であった。

（比較例４）
比較例４では、研磨液にｐＨ調整剤としてリンゴ酸を０．１５質量％加えた以外は実施例２と同様に貯蔵液７、研磨液７を作製した。また、研磨液７のｐＨは約６．６であった。

（比較例５）
比較例５では、研磨液にｐＨ調整剤として２５質量％アンモニア水を４．０質量％加えた以外は実施例２と同様に貯蔵液８、研磨液８を作製した。また、研磨液８のｐＨは約１０．７であった。

実施例２、３及び比較例４、５について実施例１と同様に研磨速度を評価した。評価結果を表２に示した。

［評価結果］
表２から明らかなように、研磨液のｐＨを７．０〜１０．５とした研磨液（ＣＭＰ用研磨液）を用いることで研磨速度は良好となった。

以上の結果より、ｐＨを７．０〜１０．５とした研磨液（ＣＭＰ用研磨液）を用いることで、サファイアの表面を、高速に研磨できるＣＭＰ用研磨液が得られることが確認された。

（実験３：含窒素芳香族複素環化合物の影響）
（実施例４）
実施例４では、貯蔵液中の１，２，４−トリアゾール量を０．３２質量％、即ち研磨液中の１，２，４−トリアゾール量を０．１６質量％とし、研磨液にリンゴ酸を０．０１５質量％加えてｐＨを９．５に調整した以外は実施例２と同様に実験を行い、貯蔵液９、研磨液９を作製した。

（実施例５）
実施例５では、貯蔵液中の１，２，４−トリアゾール量を１．０質量％、即ち研磨液中の１，２，４−トリアゾール量を０．５質量％とし、研磨液にｐＨ調整剤として２５質量％アンモニア水を０．１５質量％加えてｐＨを９．５に調整した以外は実施例２と同様に実験を行い、貯蔵液１０、研磨液１０を作製した。

（実施例６）
実施例６では、１，２，４−トリアゾールの代わりにピラゾールを用い、研磨液にｐＨ調整剤としてリンゴ酸を０．０５質量％加えてｐＨを９．５に調整した以外は実施例４と同様に実験を行い、貯蔵液１１、研磨液１１を作製した。

（実施例７）
実施例７では、１，２，４−トリアゾールの代わりに１−ヒドロキシベンゾトリアゾールを用い、研磨液にｐＨ調整剤として２５質量％アンモニア水を０．０５質量％加えてｐＨを９．５に調整した以外は実施例４と同様に実験を行い、貯蔵液１２、研磨液１２を作製した。

（比較例６）
比較例６では、貯蔵液中の１，２，４−トリアゾールの添加量を２質量％、即ち研磨液中の１，２，４−トリアゾール量を１．０質量％とし、研磨液にｐＨ調整剤として２５質量％アンモニア水を０．４質量％加えてｐＨを９．５に調整した以外は実施例２と同様に実験を行い、貯蔵液１３、研磨液１３を作製した。

（比較例７）
比較例７では、貯蔵液中の１，２，４−トリアゾールの代わりに１−ヒドロキシベンゾトリアゾールを用い、研磨液にｐＨ調整剤として２５％アンモニア水を０．１質量％加えてｐＨを９．５に調整した以外は比較例６と同様に実験を行い、貯蔵液１４、研磨液１４を作製した。

（比較例８）
比較例８では、貯蔵液中、研磨液中に含窒素芳香族複素環化合物を用いず、研磨液にｐＨ調整剤としてリンゴ酸を０．０５質量％加えてｐＨを９．５に調整した以外は実施例２と同様に実験を行い、貯蔵液１５、研磨液１５を作製した。

実施例２、４、５、６、７及び比較例６、７、８について実施例１と同様に研磨速度を評価した。評価結果を表３に示した。

［評価結果］
表３から含窒素芳香族複素環化合物を研磨液中に１．０質量％未満含む研磨液（ＣＭＰ用研磨液）を用いることで研磨速度は良好となった。一方、含窒素芳香族複素環化合物を含まないか、含窒素芳香族複素環化合物を研磨液中に１．０質量％超過して含む場合には研磨速度が不良となる結果となった。

以上の結果より、含窒素芳香族複素環化合物を研磨液中に１．０質量％未満含む研磨液（ＣＭＰ用研磨液）を用いることで、サファイアの表面を、高速に研磨できるＣＭＰ用研磨液が得られることが確認された。

本発明に係る研磨液（ＣＭＰ用研磨液）、貯蔵液及びこれらを用いた研磨方法は、ＬＥＤ基板、スマートフォン等の電子機器筐体に用いられるサファイアのＣＭＰに好適である。

Claims (6)

1. 平均一次粒径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であるシリカと、
   隣り合う窒素原子を複素環上に有する芳香族複素環化合物を０．０１質量％以上１．０質量％未満と、
   水と、を含み、
   ｐＨが７．０以上１０．５以下である、
   サファイアを含む基体を研磨するための研磨液。
2. 前記複素環化合物は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物である請求項１に記載の研磨液。
   

   

   （式（Ｉ）中、点線で囲まれたＡｒは芳香環を示し、Ｒ^１は、水素原子、ヒドロキシル基又はアルキル基である。）
3. 前記シリカの含有量が、研磨液全質量基準で１〜３０質量％である請求項１又は２に記載の研磨液。
4. ２倍以上に希釈して請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨液を得るための貯蔵液。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨液を用いて、少なくともサファイアを含む基体を研磨する工程を備える研磨方法。
6. 請求項６に記載の貯蔵液を水で２倍以上に希釈して研磨液を得て、該研磨液を用いて、少なくともサファイアを含む基体を研磨する工程を備える研磨方法。