CN104030275B - 一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法，先称取氧化石墨，将氧化石墨加入到去离子水中，经超声、低速离心去杂质、干燥研磨后，得到氧化石墨烯；氧化石墨烯溶于溶剂经超声制成氧化石墨烯的分散液；将上述氧化石墨烯分散液采用微孔滤膜真空抽滤，得到的滤饼连同滤膜一起干燥后，将滤饼从滤膜上剥离得到氧化石墨烯薄膜；采用在受限空间内高温热处理或氢碘酸还原的方法得到还原氧化石墨烯导热薄膜。本发明有效地克服了由氧化石墨烯薄膜制备还原氧化石墨烯导热薄膜易破碎、难以保持大面积完整的技术问题，制备方法简单且薄膜热导率较高，所制备的薄膜在微电子器件散热领域具有潜在的实际应用价值。
Description
技术领域
本发明属于材料学领域，尤其涉及一种碳材料，具体来说是一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法。
背景技术
随着技术的不断发展和进步，微电子器件的尺寸越来越小，单位体积的发热量却越来越大，解决器件的散热问题已经成为确保器件的高性能和可靠性的瓶颈。为满足散热设备的需求，促进现代科技的发展，新型散热材料需要具有三个特点：质量轻、机械强度高和高热导率。传统的散热材料主要是金属材料(如：银、铜、铝)，这些材料的密度较大、热膨胀系数高、热导率不够高(其中热导率较高的三种金属银、铜、铝的热导率分别为：430 W/m·K、400 W/m·K、238 W/m·K)，所以需要发展新的高导热材料来满足现代工业、国防和现代科学技术发展的需要。炭材料具有高的热导率(石墨单晶面向热导率达2200 W/m·K)、优良的机械性能、低密度（炭材料的真密度＜2.266 g/cm3）和热膨胀系数小（一般为1~4×10-6/℃）等优点，因此，被认为是一种很有发展潜力的新型高导热材料。
石墨烯作为一种新型的二维碳纳米材料，自从被发现以来，其特殊的结构和优异的性能引起了材料学界和物理学界的广泛关注。近年来的研究表明，石墨烯具有超高的热导率，在改善高功率、集成化的微/纳米器件的散热问题方面，具有良好的应用前景。2008年，Balandin等[A.
A. Balandin, S. Ghosh, W. Z. Bao, et al. Superior thermal conductivity of
single-layer graphene.Nano Lett.,
2008, 8: 902-907]首先报道了单层石墨烯的热导率，其值高达5200 W/m·K，远高于碳纳米管和金刚石的热导率。CVD法制备的石墨烯的热导率在室温和500 K时，分别为2500和1400 W/m·K。多层石墨烯的热导率则表现出了随层数变化的规律，在室温时，当其层数在2~4层时，其热导率在2800~1300 W/m·K之间。基于石墨烯片层定向组装的二维薄膜能充分发挥其结构优势，在片层面内散热的同时也能在厚度方向提供隔热，非常有利于其在热管理方面的应用。
如何制备出散热性能良好的石墨烯薄膜材料，将其成功应用于功率器件散热领域中来是一个亟待解决的技术难题。制备石墨烯薄膜有两种方案。一种方法是通过直接抽滤石墨烯的方法制备石墨烯薄膜，这种方法制备石墨烯薄膜时较难形成薄膜，主要因为通过氧化石墨烯直接还原石墨烯的过程中会产生团聚，得不到稳定的石墨烯悬浮液。另一种方法是通过氧化石墨烯悬浮液制备成氧化石墨烯薄膜，再经过还原处理制备石墨烯薄膜。通过氧化石墨烯制备氧化石墨烯薄膜较为容易，且制备出的薄膜较为规整，但在还原为石墨烯薄膜时易破碎，很难保持大面积完整的结构。
发明内容
针对上述现有技术中存在的缺陷，本发明所要解决的技术问题是提供一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法，所述的这种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法要解决现有技术中由氧化石墨烯薄膜制备还原氧化石墨烯导热薄膜易破碎、难以保持大面积完整的技术问题。
本发明的一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法，其包括如下步骤：
（1）一个称取氧化石墨的步骤；
（2）将氧化石墨加入到去离子水中，超声10min-1h，对超声后悬浮液再低速离心，离心的速度在2000~3200rpm之间，离心5~14分钟，取其上清液，干燥、研磨后，得到氧化石墨烯；
（3）称取上述获得的氧化石墨烯，加入到溶剂中，超声处理0.5~1.5小时，得到氧化石墨烯的分散液，所述的氧化石墨烯分散液的浓度为1-5mg/mL；
（4）将上述氧化石墨烯的分散液采用微孔滤膜真空抽滤，得到的滤饼连同滤膜一起干燥后，将滤饼从滤膜上剥离得到氧化石墨烯薄膜；
（5）采用高温热还原或HI还原的方法得到还原氧化石墨烯薄膜。
进一步的，步骤（3）中所述的溶剂为去离子水、乙醇中的一种或二者的混合溶液。
进一步的，步骤（4）中所述的氧化石墨烯薄膜厚度为10-60μm。
具体的，步骤（4）中所述的氧化石墨烯薄膜的厚度通过抽滤时倒入分散液的浓度与体积控制。
进一步的，步骤（5）中所述高温热还原是为避免氧化石墨烯薄膜在还原过程中的粉化，将氧化石墨烯薄膜夹于两片硅片之间，在真空环境或在氮气、氩气、氦气和氢气中的任意一种气氛中，置于管式炉中，以1-5℃/min的升温速率，升温至600-1000℃，处理4-10h，冷却至室温，即得热处理还原的氧化石墨烯导热薄膜。
进一步的，所述的HI（氢碘酸）化学还原，将薄膜浸泡于HI（55wt%）中，于100℃反应30-60min，即得HI还原的氧化石墨烯导热薄膜。
进一步的，所述的氧化石墨通过改进的Hummers法制备。
本发明和已有技术相比，其技术进步是显著的。本发明是将氧化石墨烯薄膜在受限空间内热处理还原或采用HI还原的方法可保持薄膜的完整结构，有效地克服了由氧化石墨烯薄膜制备还原氧化石墨烯导热薄膜易破碎、难以保持大面积完整的技术问题，制备方法简单且薄膜热导率较高，所制备的薄膜在微电子器件散热领域具有潜在的实际应用价值。
附图说明
图1是实施例1所得的氧化石墨烯薄膜(a)与还原氧化石墨烯薄膜(b)的光学照片。
图2是实施例1所得的氧化石墨烯薄膜(a)与还原氧化石墨烯薄膜(b)的XRD图谱。
图3是实施例1所得的氧化石墨烯薄膜(a)与还原氧化石墨烯薄膜(b)的X射线光电子能谱图。
具体实施方式
下面通过实施例及附图对本发明作进一步阐述，但并不限制本发明。
薄膜的XRD图谱采用Rigaku
D/max 2550型X射线衍射仪（CuKα，λ=0.15406 nm）进行测定。
采用PHI 5000 VersaProbe型X射线光电子能谱仪对薄膜的表面电子结构分析进行分析，X射线激发源为Al Kα (1486.6 eV)，真空度2×10-9 Pa，采用样品表面碳C1s的电子结合能284.6 eV作为内标。
薄膜平面内的热导率(W/m·K)采用德国耐弛公司的LFA447闪光法导热分析仪测试。
实施例1
量取96mL浓硫酸置于干燥容器中，向其中加入2g硝酸钠，搅拌使硝酸钠溶解后，再加入2g鳞片石墨，待鳞片石墨分散均匀后，缓慢加入12g高锰酸钾，反应1.5h，整个过程采用冰浴使体系保持在0-5℃。之后温度升至35℃反应2.5h。向体系中缓慢滴加80mL去离子水，反应10min，之后再向体系中慢慢加入200mL去离子水，随后再加入10mL H2O2，继续反应10min，抽滤上述产物，同时用800mL
5wt%HCl洗涤抽滤产物，除去溶液中的金属离子, 用去离子水反复洗涤上述产物，直至溶液变至中性。洗涤后的产物置于120℃烘箱中干燥制得到氧化石墨。
将氧化石墨加入到去离子水中，超声10min（80W，40KHz），对超声后悬浮液进行，转速为3000rpm，离心时间10min，去掉沉淀，取其上清液放置于真空干燥箱中80℃干燥24h，研磨后得到氧化石墨烯。
称取600mg的氧化石墨烯，加入到200mL溶剂中，超声处理1h(100W，40KHz），得到氧化石墨烯分散液。量取20mL上述氧化石墨烯分散液，利用孔径为0.45μm的混合纤维素微孔滤膜进行真空抽滤，将滤饼连同滤膜于80℃干燥24h后，将滤饼从滤膜上剥离得到氧化石墨烯薄膜，经高温处理得到还原的氧化石墨烯薄膜。
所述的溶剂为由100mL去离子水与100mL乙醇配成的混合溶液；
所述的氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯的浓度为5mg/mL；
所述的氧化石墨烯薄膜厚度为60μm；
所述高温还原，将氧化石墨烯薄膜夹于两片硅片之间，置于管式炉中，在氮气保护下，以4℃/min的升温速率，升温至1000℃，保温2h，冷却至室温，得到还原的氧化石墨烯薄膜。
上述所得的氧化石墨烯薄膜与还原氧化石墨烯薄膜的光学照片见图1，从图1中可以看到还原后氧化石墨烯薄膜由黑色变成有金属光泽的灰色，并且完整性得以保存。
上述所得的氧化石墨烯薄膜与还原氧化石墨烯薄膜的XRD图谱见图2，由图2可以看到氧化石墨烯薄膜在10.6o出现衍射峰，还原后衍射峰移到26.4o，说明还原后氧化石墨烯薄膜的层间距减小，类似于石墨的结构。
上述所得的氧化石墨烯薄膜与还原氧化石墨烯薄膜的X射线光电子能谱图见图3，还原前氧化石墨烯薄膜表面的碳氧原子比（C/O）为2.5，还原后提高到15.4。
经测试，该还原氧化石墨烯薄膜的热导率为355W/m·K。
实施例2
按照实施例1的方法制得氧化石墨烯，称取200mg的氧化石墨烯，加入到200mL溶剂中，超声处理1h(100W，40KHz），得到氧化石墨烯分散液。量取20mL上述氧化石墨烯分散液，利用孔径为0.45μm的混合纤维素微孔滤膜进行真空抽滤，将滤饼连同滤膜于80℃干燥24h后，将滤饼从滤膜上剥离得到氧化石墨烯薄膜，经高温处理得到还原的氧化石墨烯薄膜。
所述的溶剂为由100mL去离子水与100mL乙醇配成的混合溶液；
所述的氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯的浓度为1mg/mL；
所述的氧化石墨烯薄膜厚度为10μm；
所述高温还原，将氧化石墨烯薄膜夹于两片硅片之间，置于管式炉中，在氮气保护下，以4℃/min的升温速率，升温至800℃，保温2h，冷却至室温，得到还原的氧化石墨烯薄膜。
经测试，该还原氧化石墨烯薄膜的热导率为414W/m·K。
实施例3
按照实施例1的方法制得氧化石墨烯，称取1000mg的氧化石墨烯，加入到200mL溶剂中，超声处理1h(100W，40KHz），得到氧化石墨烯分散液。量取20mL上述氧化石墨烯分散液，利用孔径为0.45μm的混合纤维素微孔滤膜进行真空抽滤，将滤饼连同滤膜于80℃干燥24h后，将滤饼从滤膜上剥离得到氧化石墨烯薄膜，经高温处理得到还原的氧化石墨烯薄膜。
所述的溶剂为由100mL去离子水与100mL乙醇配成的混合溶液；
所述的氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯的浓度为3mg/mL；
所述的氧化石墨烯薄膜厚度为35μm；
所述高温还原，将氧化石墨烯薄膜夹于两片硅片之间，置于管式炉中，在氮气保护下，以4℃/min的升温速率，升温至600℃，保温2h，冷却至室温，得到还原的氧化石墨烯薄膜。
经测试，该还原氧化石墨烯薄膜的热导率为421W/m·K。
实施例4
按照实施例1的方法制得氧化石墨烯，称取600mg的氧化石墨烯，加入到200mL溶剂中，超声处理1h(100W，40KHz），得到氧化石墨烯分散液。量取30mL上述氧化石墨烯分散液，利用孔径为0.45μm的混合纤维素微孔滤膜进行真空抽滤，将滤饼连同滤膜于80℃干燥24h后，将滤饼从滤膜上剥离得到氧化石墨烯薄膜，经HI还原得到还原的氧化石墨烯薄膜。
所述的溶剂为由100mL去离子水与100mL乙醇配成的混合溶液；
所述的氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯的浓度为2mg/mL；
所述的氧化石墨烯薄膜厚度为37μm；
所述HI还原，将氧化石墨烯薄膜置于100℃下的HI（55wt%）中反应60min，即得HI还原的氧化石墨烯薄膜。
经测试，该还原氧化石墨烯薄膜的热导率为372W/m·K。
实施例5
按照实施例1的方法制得氧化石墨烯，称取200mg的氧化石墨烯，加入到200mL溶剂中，超声处理1h(100W，40KHz），得到氧化石墨烯分散液。量取20mL上述氧化石墨烯分散液，利用孔径为0.45μm的混合纤维素微孔滤膜进行真空抽滤，将滤饼连同滤膜于80℃干燥24h后，将滤饼从滤膜上剥离得到氧化石墨烯薄膜，经HI还原得到还原的氧化石墨烯薄膜。
所述的溶剂为由100mL去离子水与100mL乙醇配成的混合溶液；
所述的氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯的浓度为2mg/mL；
所述的氧化石墨烯薄膜厚度为25μm；
所述HI还原，将氧化石墨烯薄膜置于100℃下的HI（55wt%）中反应40min，即得HI还原的氧化石墨烯薄膜。
经测试，该还原氧化石墨烯薄膜的热导率为401W/m·K。
实施例6
按照实施例1的方法制得氧化石墨烯，称取200mg的氧化石墨烯，加入到200mL溶剂中，超声处理1h(100W，40KHz），得到氧化石墨烯分散液。量取20mL上述氧化石墨烯分散液，利用孔径为0.45μm的混合纤维素微孔滤膜进行真空抽滤，将滤饼连同滤膜于80℃干燥24h后，将滤饼从滤膜上剥离得到氧化石墨烯薄膜，经HI还原得到还原的氧化石墨烯薄膜。
所述的溶剂为由100mL去离子水与100mL乙醇配成的混合溶液；
所述的氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯的浓度为1mg/mL；
所述的氧化石墨烯薄膜厚度为10μm；
所述HI还原，将氧化石墨烯薄膜置于100℃下的HI（55wt%）中反应30min，即得HI还原的氧化石墨烯薄膜。
经测试，该还原氧化石墨烯薄膜的热导率为394W/m·K。
以上所述仅是本发明的实施方式的举例，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）一个称取氧化石墨的步骤；
（2）将氧化石墨加入到去离子水中，超声10min-1h，对超声后悬浮液再低速离心，离心的速度在2000~3200rpm之间，离心5~14分钟，取其上清液，干燥、研磨后，得到氧化石墨烯；
（3）称取获得的氧化石墨烯，加入到溶剂中，超声处理0.5~1.5小时，得到氧化石墨烯的分散液，所述的氧化石墨烯分散液的浓度为1-5mg/mL；
（4）将上述氧化石墨烯的分散液采用微孔滤膜真空抽滤，得到的滤饼连同滤膜一起干燥后，将滤饼从滤膜上剥离得到氧化石墨烯薄膜；
（5）采用高温热还原的方法得到还原氧化石墨烯薄膜，所述高温热还原是将氧化石墨烯薄膜夹于两片硅片之间，在真空环境或在氮气、氩气、氦气和氢气中的任意一种气氛中，置于管式炉中，以1-5℃/min的升温速率，升温至600-1000℃，处理4-10h，冷却至室温，即得还原氧化石墨烯导热薄膜。
2.如权利要求1所述的一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法，其特征在于：步骤（3）中所述的溶剂为去离子水、乙醇中的一种或二者的混合溶液。
3.如权利要求1所述的一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法，其特征在于：步骤（4）中所述的氧化石墨烯薄膜厚度为10-60μm。
4.如权利要求1所述的一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法，其特征在于：所述的氧化石墨通过改进的Hummers法制备。
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Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104445162A (zh) * | 2014-11-12 | 2015-03-25 | 东莞市青麦田数码科技有限公司 | 氧化石墨烯水溶液及其薄膜、石墨烯薄膜的制备方法 |
| CN104401987B (zh) * | 2014-11-26 | 2016-10-12 | 东华大学 | 一种多孔石墨烯弹性泡沫的制备方法 |
| CN104556013A (zh) * | 2015-01-08 | 2015-04-29 | 浙江伟星新型建材股份有限公司 | 一种大尺寸自支撑石墨烯薄膜的制备方法 |
| CN104528707A (zh) * | 2015-01-23 | 2015-04-22 | 青岛科技大学 | 一种高导电率石墨烯膜的制备方法 |
| CN104743551B (zh) * | 2015-03-27 | 2017-03-01 | 上海应用技术学院 | 一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法 |
| CN104867618B (zh) * | 2015-04-08 | 2017-01-18 | 济宁利特纳米技术有限责任公司 | 一种石墨烯与金属纳米线复合导电薄膜的制备方法 |
| CN104986754A (zh) * | 2015-06-11 | 2015-10-21 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 一种制备石墨烯基导热薄膜的方法 |
| CN105038222B (zh) * | 2015-08-11 | 2017-09-01 | 河南科技大学 | 一种石墨烯/聚乙烯亚胺阻气复合膜及其制备方法 |
| CN105254302B (zh) * | 2015-10-12 | 2017-05-03 | 上海应用技术学院 | 一种石墨烯导热薄片的制备方法 |
| CN105712345A (zh) * | 2016-03-23 | 2016-06-29 | 中南大学 | 一种制备石墨烯粉末的方法 |
| CN105860939B (zh) * | 2016-03-30 | 2019-04-30 | 深圳市深瑞墨烯科技有限公司 | 高导热石墨烯薄膜的制备方法及基于该薄膜的散热方法 |
| CN106064023B (zh) * | 2016-04-13 | 2019-01-15 | 天津大学 | 一种功能化氧化石墨烯复合膜的制备及应用 |
| CN105727758A (zh) * | 2016-04-13 | 2016-07-06 | 天津大学 | 一种氧化石墨烯复合膜的制备方法及应用 |
| CN108329030B (zh) * | 2017-01-20 | 2020-12-15 | 株洲晨昕中高频设备有限公司 | 一种导热石墨片及其制备方法 |
| US11834336B2 (en) * | 2017-10-13 | 2023-12-05 | Zhejiang University | Independent free-standing graphene film and method of preparing the same |
| CN108249424B (zh) * | 2018-01-23 | 2020-01-10 | 长兴德烯科技有限公司 | 一种溴掺杂的高导电超薄石墨烯膜的制备方法 |
| CN108682738B (zh) * | 2018-04-16 | 2022-03-08 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种全碳忆阻器及其制备方法 |
| CN109607518A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-12 | 陕西科技大学 | 一种对乙醇气体高选择性的敏感薄膜的制备方法 |
| CN109455708A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-03-12 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种超疏水三维石墨烯膜的制备方法 |
| CN109768164A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-05-17 | 杭州电子科技大学 | 一种柔性光探测器的制备方法 |
| CN110104632B (zh) * | 2019-04-08 | 2020-09-04 | 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 | 一种常温制备高导热石墨烯薄膜的方法 |
| CN115571873A (zh) * | 2019-05-30 | 2023-01-06 | 常州第六元素材料科技股份有限公司 | 卤化氢还原氧化石墨烯膜的除杂方法 |
| CN110511029A (zh) * | 2019-09-10 | 2019-11-29 | 北京中石伟业科技无锡有限公司 | 一种无粘结剂氧化石墨烯制备高取向性石墨块体的方法 |
| CN110718516B (zh) * | 2019-10-09 | 2022-03-22 | Oppo广东移动通信有限公司 | 散热膜及其制备方法、芯片组件和电子设备 |
| CN110950326B (zh) * | 2019-12-12 | 2021-08-31 | 天新福（北京）医疗器材股份有限公司 | 一种石墨烯薄膜的加工方法 |
| CN111822308B (zh) * | 2020-07-27 | 2021-02-26 | 南京工程学院 | 一种CeO2改性纳米Ag晶须掺杂石墨烯薄膜及其制备方法 |
| CN111948151A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-11-17 | 东华理工大学 | 一种基于热增强光学对比度判定氧化石墨烯层数的方法 |
| CN112063967A (zh) * | 2020-09-03 | 2020-12-11 | 中国电子科技集团公司第三十三研究所 | 一种镀银石墨烯薄膜的制备方法 |
| CN114252399B (zh) * | 2020-09-25 | 2023-10-20 | 中国人民解放军国防科技大学 | 超高温温场平台及其使用方法 |
| CN114212782B (zh) * | 2022-01-17 | 2022-12-13 | 西南交通大学 | 一种兼具抗菌耐候性的高强韧电磁屏蔽石墨烯薄膜 |
| CN115784706A (zh) * | 2022-11-21 | 2023-03-14 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 一种自支撑还原氧化石墨烯薄膜、无锂负极集流体及其应用 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103236324A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-08-07 | 南京邮电大学 | 一种基于还原氧化石墨烯的柔性透明导电薄膜的制备方法 |
| CN103449423A (zh) * | 2013-08-27 | 2013-12-18 | 常州第六元素材料科技股份有限公司 | 一种石墨烯导热膜及其制备方法 |
-
2014
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| CN103236324A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-08-07 | 南京邮电大学 | 一种基于还原氧化石墨烯的柔性透明导电薄膜的制备方法 |
| CN103449423A (zh) * | 2013-08-27 | 2013-12-18 | 常州第六元素材料科技股份有限公司 | 一种石墨烯导热膜及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
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|---|
| 大面积石墨烯及其透明导电膜的制备与性能研究;张旭;《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅱ辑》;20140215(第02期);21页第1行至第9行，23页倒数第8行至24页第12行 * |
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