CN112063967A - 一种镀银石墨烯薄膜的制备方法 - Google Patents

一种镀银石墨烯薄膜的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于碳纳米材料制备及应用技术领域，更具体而言，涉及一种镀银石墨烯薄膜的制备方法，通过石墨化、表面改性、磁控溅射镀膜和退火处理，所制备的镀银石墨烯薄膜具有更高的电导率，因而具有更小的趋肤深度，可以保证镀银石墨烯薄膜在较薄厚度的前提下，实现较高的屏蔽效能。本发明通过低温等离子体表面处理技术，可以增加石墨烯表面粗糙度，以利于金属纳米颗粒的形核和生长，实现石墨烯与金属材料间的界面连接，对石墨烯晶体结构破坏程度小，对其导电性及屏蔽效能影响甚小。通过磁控溅射方法在石墨烯薄膜上沉积金属镀层，获得镀银石墨烯薄膜，沉积速度快、厚度均匀可控、成本较低，是一种可以实现规模化生产的镀膜方法。

Description

一种镀银石墨烯薄膜的制备方法
技术领域
本发明属于碳纳米材料制备及应用技术领域，更具体而言，涉及一种镀银石墨烯薄膜的制备方法。
背景技术
柔性线路板（FPC）是一种可以自由弯曲或折叠的印刷电路板（PCB），具有体积小、重量轻、可弯折等特点，已广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴电子产品等高集成度电子设备，主要起导通电流和传输信号的作用。由于信号传输线分布在FPC板的最外层，在信号传输过程中极易受到外界的电磁干扰而引起信号失真，因此，需要在FPC板上压合一层超薄柔性的电磁屏蔽膜，起到屏蔽外界电磁干扰的作用。高导电金属是屏蔽材料的首选，但密度大、难以弯折等缺点使其无法应用于FPC板。目前所使用的柔性电磁屏蔽材料大多是高分子基复合材料，但其电导率较低，屏蔽性能差，同样在FPC中应用受限。因此，为了更好地解决FPC板的电磁干扰问题，亟需研发出一种新型的“轻、薄、柔、强”的电磁屏蔽材料。
石墨烯是一种由碳六元环组成的二维蜂窝状结构的纳米材料，每个碳原子均为sp2杂化，贡献p轨道上剩余的一个电子形成大π键，π电子可以自由移动，赋予了石墨烯良好的导电性。同时，石墨烯具有极高的比表面积和独特的层状结构，电磁波在石墨烯片层之间发生多次反射而损耗。更重要的是，石墨烯薄膜具有轻质、超薄、可自由弯折等优良特性，在解决FPC板的电磁干扰方面拥有得天独厚的优势。石墨烯薄膜成为柔性屏蔽材料的重要研究方向。浙江大学的高超团队采用压铸和热还原相结合的方法制备了凝胶型石墨烯薄膜，该薄膜的屏蔽效能随厚度发生明显变化，厚度为0.3 mm的薄膜在X波段的屏蔽效能接近100dB。
石墨烯薄膜在实现高屏蔽效能的同时，往往很难兼顾其超薄的厚度。这是因为，厚度是影响材料屏蔽性能的关键因素，若厚度大于趋肤深度，材料拥有较高的屏蔽效能；反之，则屏蔽效果不佳。微米级薄膜的厚度小于趋肤深度，屏蔽效能较低；而毫米级薄膜的屏蔽效能较高，但厚度较大，无法应用于小体积、高集成度电子设备。
发明内容
为了克服现有技术中所存在的不足，本发明提供一种镀银石墨烯薄膜的制备方法，通过将石墨烯与高导电金属或磁性材料复合，有效提高其电导率或磁导率，进而减小石墨烯薄膜趋肤深度，同时实现高屏蔽效能和超薄的厚度。
为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：
一种镀银石墨烯薄膜的制备方法，包括以下步骤：
S1、将氧化石墨烯分散于蒸馏水中制得氧化石墨烯分散液；将氧化石墨烯分散液通过抽滤、旋涂、刮涂或直接蒸发等方式获得氧化石墨烯薄膜；
S2、将氧化石墨烯薄膜置于石墨化炉中，惰性气氛，工作压力为100~400MPa，升温至2400~3000℃，保温1~4h，进行石墨化处理，待炉内温度冷却至室温后，获得石墨烯薄膜；
S3、将石墨烯薄膜置于低温等离子体反应装置，以氧气为放电气体，对石墨烯薄膜进行表面改性处理；
S4、将表面改性后的石墨烯薄膜置于磁控溅射系统中，靶材使用高纯度银靶材，溅射前将腔体抽至真空状态，以氩气为工作气体，在石墨烯薄膜表面溅射银膜；
S5、将S4获得的样品在惰性气氛保护下进行退火处理，获得镀银石墨烯薄膜。
进一步地，所述步骤S1中氧化石墨烯浓度为2~10 mg/mL。
进一步地，所述步骤S2中升温速率为2~10℃/min。
进一步地，所述步骤S3中放电功率为4~20W，反应时间为0.5~3h。
进一步地，所述步骤S4中溅射功率为20~350W，溅射时间为10~60min。
进一步地，所述步骤S5中退火温度为150~300℃，退火时间为5~20min。
进一步地，所述步骤S2与步骤S5惰性气体采用氮气、氩气、氦气中的一种或多种。
与现有技术相比，本发明所具有的有益效果为：
本发明提供了一种镀银石墨烯薄膜的制备方法，所制备的镀银石墨烯薄膜具有更高的电导率，因而具有更小的趋肤深度，可以保证镀银石墨烯薄膜在较薄的厚度前提下，实现较高的屏蔽效能。本发明通过低温等离子体表面处理技术，可以增加石墨烯表面粗糙度，以利于金属纳米颗粒的形核和生长，实现石墨烯与金属材料间的界面连接，对石墨烯晶体结构破坏程度小，对其导电性及屏蔽效能影响甚小。通过磁控溅射方法在石墨烯薄膜上沉积金属镀层，获得镀银石墨烯薄膜，沉积速度快、厚度均匀可控、成本较低，是一种可以实现规模化生产的镀膜方法。所制备的镀银石墨烯薄膜具有轻质、超薄、柔韧性好、屏蔽效能高等特点，可用于解决柔性线路板（FPC）的电磁兼容问题。
附图说明
图1为本发明制备的镀银石墨烯薄膜实物图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
S1将氧化石墨烯分散于蒸馏水中，形成2 mg/mL的氧化石墨烯分散液, 将氧化石墨烯分散液通过抽滤方式获得氧化石墨烯薄膜
S2 取炭化后的样品置于石墨化炉中，在氩气气氛下和100MPa压力条件下，以2℃/min的升温速率升温至2400℃，保温4 h进行石墨化处理，待炉内温度冷却至室温后，获得石墨烯薄膜；
S3 将石墨烯薄膜置于低温等离子体反应装置，以氧气为放电气体，在4 W的放电功率下对石墨烯薄膜进行表面改性处理3 h；
S4 将表面改性后的石墨烯薄膜置于磁控溅射系统中，靶材使用高纯度银靶，溅射前将腔体抽至真空状态，以氩气为工作气体，在20 W的溅射功率条件下在石墨烯薄膜表面溅射银膜60 min。
S5 将S4获得的样品在氩气气氛保护下，150℃退火处理20 min，获得镀银石墨烯薄膜。
实施例2
S1将氧化石墨烯分散于蒸馏水中，形成3 mg/mL的氧化石墨烯分散液, 将氧化石墨烯分散液通过旋涂方式获得氧化石墨烯薄膜；
S2 取炭化后的样品置于石墨化炉中，在氮气气氛下和200 MPa压力条件下，以4℃/min的升温速率升温至2600℃，保温3 h进行石墨化处理，待炉内温度冷却至室温后，获得石墨烯薄膜；
S3 将石墨烯薄膜置于低温等离子体反应装置，以氧气为放电气体，在10 W的放电功率下对石墨烯薄膜进行表面改性处理2 h；
S4 将表面改性后的石墨烯薄膜置于磁控溅射系统中，靶材使用高纯度银靶，溅射前将腔体抽至真空状态，以氩气为工作气体，在100 W的溅射功率条件下在石墨烯薄膜表面溅射银膜40 min。
S5 将S4获得的样品在氮气气氛保护下，200℃退火处理15 min，获得镀银石墨烯薄膜。
实施例3
S1将氧化石墨烯分散于蒸馏水中，形成5 mg/mL的氧化石墨烯分散液, 将氧化石墨烯分散液通过刮涂方式获得氧化石墨烯薄膜；
S2 取炭化后的样品置于石墨化炉中，在氦气气氛下和300MPa压力条件下，以6℃/min的升温速率升温至2800℃，保温2 h进行石墨化处理，待炉内温度冷却至室温后，获得石墨烯薄膜；
S3 将石墨烯薄膜置于低温等离子体反应装置，以氧气为放电气体，在15 W的放电功率下对石墨烯薄膜进行表面改性处理1 h；
S4 将表面改性后的石墨烯薄膜置于磁控溅射系统中，靶材使用高纯度银靶，溅射前将腔体抽至真空状态，以氩气为工作气体，在200 W的溅射功率条件下在石墨烯薄膜表面溅射银膜20 min。
S5 将S4获得的样品在氦气气氛保护下，250℃退火处理10 min，获得镀银石墨烯薄膜。
实施例4
S1将氧化石墨烯分散于蒸馏水中，形成10 mg/mL的氧化石墨烯分散液, 将氧化石墨烯分散液通过直接蒸发方式获得氧化石墨烯薄膜；
S2 取炭化后的样品置于石墨化炉中，在氩气和氮气混合气氛下和400MPa压力条件下，以10℃/min的升温速率升温至3000℃，保温1 h进行石墨化处理，待炉内温度冷却至室温后，获得石墨烯薄膜；
S3 将石墨烯薄膜置于低温等离子体反应装置，以氧气为放电气体，在20W的放电功率下对石墨烯薄膜进行表面改性处理0.5 h；
S4 将表面改性后的石墨烯薄膜置于磁控溅射系统中，靶材使用高纯度银靶，溅射前将腔体抽至真空状态，以氩气为工作气体，在350 W的溅射功率条件下在石墨烯薄膜表面溅射银膜10 min。
S5 将S4获得的样品在氩气和氮气混合气氛保护下，300℃退火处理5 min，获得镀银石墨烯薄膜。
上述实施例测试结果如下：
表1 实施例3制备的样品的屏蔽效能测试结果
频率（GHz） 屏蔽效能（dB）
0.03 35
0.10 43
0.45 45
1.00 49
6.00 52
10.00 55
18.00 50
上面仅对本发明的较佳实施例作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化，各种变化均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种镀银石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将氧化石墨烯分散于蒸馏水中制得氧化石墨烯分散液；将氧化石墨烯分散液通过抽滤、旋涂、刮涂或直接蒸发等方式获得氧化石墨烯薄膜；
S2、将氧化石墨烯薄膜置于石墨化炉中，惰性气氛，工作压力为100~400MPa，升温至2400~3000℃，保温1~4h，进行石墨化处理，待炉内温度冷却至室温后，获得石墨烯薄膜；
S3、将石墨烯薄膜置于低温等离子体反应装置，以氧气为放电气体，对石墨烯薄膜进行表面改性处理；
S4、将表面改性后的石墨烯薄膜置于磁控溅射系统中，靶材使用高纯度银靶材，溅射前将腔体抽至真空状态，以氩气为工作气体，在石墨烯薄膜表面溅射银膜；
S5、将S4获得的样品在惰性气氛保护下进行退火处理，获得镀银石墨烯薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种镀银石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中氧化石墨烯浓度为2~10 mg/mL。
3.根据权利要求1所述的一种镀银石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中升温速率为2~10℃/min。
4.根据权利要求1所述的一种镀银石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中放电功率为4~20W，反应时间为0.5~3h。
5.根据权利要求1所述的一种镀银石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S4中溅射功率为20~350W，溅射时间为10~60min。
6.根据权利要求1所述的一种镀银石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S5中退火温度为150~300℃，退火时间为5~20min。
7.根据权利要求1所述的一种镀银石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S2与步骤S5惰性气体采用氮气、氩气、氦气中的一种或多种。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115161590A (zh) * 2022-08-15 2022-10-11 深圳市楠轩光电科技有限公司 一种真空镀膜磁控溅射成膜方法
CN116162910A (zh) * 2022-12-28 2023-05-26 国网智能电网研究院有限公司 一种银-石墨烯复合镀层及其制备方法和应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104030275A (zh) * 2014-05-30 2014-09-10 上海应用技术学院 一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法
CN105110794A (zh) * 2015-08-07 2015-12-02 常州富烯科技股份有限公司 一种石墨烯薄膜的制备方法及石墨烯薄膜
US20180155825A1 (en) * 2015-11-20 2018-06-07 Fourté International, Sdn. Bhd. High conductivity graphene-metal composite
CN108790368A (zh) * 2018-08-30 2018-11-13 兰州交通大学 一种高速列车igbt封装用石墨烯/金属复合材料的制备方法
CN110545654A (zh) * 2019-10-09 2019-12-06 南开大学 高效、稳定的超薄柔性太赫兹屏蔽材料的制备方法
KR20200080964A (ko) * 2018-12-27 2020-07-07 (주)휴켐 금속-탄소 복합 구조체, 이를 포함하는 복합 시트, 및 그 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104030275A (zh) * 2014-05-30 2014-09-10 上海应用技术学院 一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法
CN105110794A (zh) * 2015-08-07 2015-12-02 常州富烯科技股份有限公司 一种石墨烯薄膜的制备方法及石墨烯薄膜
US20180155825A1 (en) * 2015-11-20 2018-06-07 Fourté International, Sdn. Bhd. High conductivity graphene-metal composite
CN108790368A (zh) * 2018-08-30 2018-11-13 兰州交通大学 一种高速列车igbt封装用石墨烯/金属复合材料的制备方法
KR20200080964A (ko) * 2018-12-27 2020-07-07 (주)휴켐 금속-탄소 복합 구조체, 이를 포함하는 복합 시트, 및 그 제조 방법
CN110545654A (zh) * 2019-10-09 2019-12-06 南开大学 高效、稳定的超薄柔性太赫兹屏蔽材料的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
文尚胜等编: "《有机光电子技术》", 31 August 2013 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115161590A (zh) * 2022-08-15 2022-10-11 深圳市楠轩光电科技有限公司 一种真空镀膜磁控溅射成膜方法
CN116162910A (zh) * 2022-12-28 2023-05-26 国网智能电网研究院有限公司 一种银-石墨烯复合镀层及其制备方法和应用

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