CN110677980A - 采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法，所述电磁波屏蔽膜包括：合金屏蔽层，所述合金屏蔽层的一侧是绝缘粗糙层，另一侧是纯胶膜层；所述合金屏蔽层的至少一面是粗糙的，所述合金屏蔽层的粗糙面刺穿所述纯胶膜层使得所述粗糙面的至少一部分与所述线路板的地层接触电连接，本申请提供的技术方案制备的电磁屏蔽膜整体屏蔽效果，接地电阻稳定性强、保存时间长。

Description

采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制 备方法

技术领域

本申请涉及电子领域，具体涉及一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法

背景技术

挠性电路板和刚挠结合电路板都是以聚酰亚胺或聚酯薄膜为主要挠性基材制成的一种具有高可靠性和较高曲挠性的印制电路板。这种电路板可弯曲、折叠、卷挠，又可在三维空间随意移动和伸缩。可利用挠性电路板的特性缩小电子产品体积，实现产品轻、薄、短或小的功能，从而实现元件装置和导线连接一体化。广泛应用于手机、相机、计算机、通信或航天等行业。

用于挠性电路板和刚挠结合电路板的电磁屏蔽膜实现电磁屏蔽功能，是近十年市场需求发展起来的技术要求。在通讯系统的高频化及高速的驱动下所引发的组件内部及外部的电磁干扰问题将逐渐严重，电磁屏蔽成为必然。

现在电子通信产品轻、薄的极致需求，使得电磁波防护、屏蔽信号干扰、要求越来越高，传统的电镀金属层电阻较大，已无法达高5G通信要求等。而且传统电镀工艺含有一定的有毒有害物质，其处理过程复杂、处理成本高，且对环境仍有一定的污染，能耗大、工艺复杂、生产效率低、成本高，也不够环保。

公开号为CN201810335980.9，名称为《一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜》的中国发明专利公开了一种电磁屏蔽膜结构，该电磁屏蔽膜结构包括半固化树脂绝缘层上填入导电粒子填料刺穿层与金属层及包含导电性粒子的导电性接着层，接地是依靠刺穿层导电性粒子刺穿与之连接的屏蔽膜的接地层，最终与地层连接。这种方法虽然可以实现屏蔽膜自由接地，但是刺穿层对导电粒子的尺寸要求比较高、成本较高。需要特殊形状以及直径较大的粒子刺穿屏蔽膜的接地层，同时要求导电粒子的粒径分布比较均匀，而且导电粒子非常容易团聚，如果存在低于平均粒径的导电粒子或者整体导电粒子分布不均匀，就会出现局部无法刺穿屏蔽膜接地层，进而影响接地，接地性能无法保证，而且刺穿层填入导电粒子向下刺穿接地层的同时也同时向上刺穿了绝缘层，导致绝缘性能无法保证，容易造成安全隐患。

在上述CN201810335980.9专利中，接地层使用的粘合胶是采用热固性胶黏剂为环氧树脂体系，环氧树脂在固化后形成分子骨架结构，提供了力学性能和粘接性能保障，但是由于环氧树脂可以在室温缓慢固化，环氧树脂粘合剂在使用过程中，环氧树脂粘合剂因生产时已经混合固化剂，所以从生产的那一刻起，已经开始化学反应，树脂存放的环境对树脂的寿命具有直接的影响,缓慢固化后树脂会硬化，导致刺穿层无法刺穿接地层，进而影响接地，接地性能无法保证。

因此,市场极需一种环保、存储期限长、超低接地电阻、绝缘性能良好的高性能电磁屏蔽膜及制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法。

本发明屏蔽膜金属层极薄，厚度为0.1-6微米，可改善线路板的弯折性的同时实现高屏蔽效能、低插入损耗。由于传统电磁屏蔽膜导电胶中含有导电粒子，会增大插入损耗，本发明纯胶膜层无导电粒子，绝缘层填入氧化物绝缘粉体形成绝缘刺穿层，由于填入氧化物绝缘粉体，采用该工艺形成的电磁屏蔽膜的绝缘性能得到保证，利用绝缘层的粗糙面将纯胶膜层刺穿，金属层直接与线路板的地层连通，从而实现接地，而且本发明纯胶层采用聚氨酯体系树脂，采用封闭式固化剂，该配方制得的树脂能够常温存储，常温不发生反应，解决环氧树脂可以在室温缓慢固化，缓慢固化后树脂会硬化，导致刺穿层无法刺穿纯胶层，进而影响接地，接地性能无法保证的弊端。金属层采用自主研发的磁控溅射设备能有效减少对环境的污染，降低能耗，降低成本，简化工艺，提高了生产效率和产品质量。制备的电磁屏蔽膜整体屏蔽效果，接地电阻稳定性强、保存时间长。

本发明所采取的技术方案是：

一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法，至少包括一层合金屏蔽层。

所述合金屏蔽层的一侧是绝缘粗糙层，另一侧是纯胶膜层。

所述的合金屏蔽层厚度为0.1-6微米；所述的合金屏蔽层的材料为金属材料、铁氧体、碳纳米管中的一种；其中，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金，或者所述的金属材料为这些金属单质中的至少两种形成的合金；所述的绝缘粗糙层厚度为1-25微米；

进一步的，所述的绝缘粗糙层由树脂及填料搅拌固化后形成的绝缘粗糙层。

进一步的，所述绝缘粗糙层填料为氢氧化铝、二氧化硅、钛白粉等绝缘粉体中一种或以上组合。

进一步的，所述绝缘粉体填料优选为氢氧化铝，粒径优选为5-8微米。

进一步的，所述绝缘粗糙层厚度优选为1-25微米，绝缘粗糙层所用树脂体系柔性环氧树脂类。

进一步的，所述绝缘粗糙厚度为1-25微米，绝缘粗糙层树脂所用固化剂为双氢氨固化剂。

进一步的，所述的合金屏蔽层，厚度为0.1-1微米。

进一步的，所述的合金屏蔽层的表面是粗糙的，粗糙度为0.3-5微米。

进一步的，所述纯胶膜层厚度为1-25微米，纯胶膜层所用树脂体系为聚氨酯树脂。

进一步的，所述纯胶膜层厚度为1-25微米，纯胶膜层树脂所用固化剂为封闭式固化剂。

利用绝缘粉体形成的合金屏蔽层为粗糙的，使用该粗糙面将纯胶膜层刺穿，使得该粗糙面的金属与线路板的地层连接，从而实现接地，即得到产品。

所述的磁控溅射设备操作步骤为：

(1)对磁控溅射镀膜机的真空室抽真空后通入氩气500-1000sccm，开启偏压电源700-1000v，腔室内辉光放电，通过辉光清洗粗糙绝缘层表面，活化待镀基体表面；

(2)随后开启磁控溅射金属靶，调节金属靶电流10-20A，调节金属靶偏压从300v降至150v，溅射0.1um厚度的镍金属基底层，待镍金属基底层工艺结束后；

(3)通入氮气，其中氮气的通入流量通过梯度递增方式逐渐从0sccm增加至100-300sccm，后稳定开始溅射，并调节真空度0.1-1.8Pa，沉积0.1-1um厚度的金属形成屏蔽层；

进一步，所述磁控溅射镀的屏蔽层可以是铜、银的一种以上的的金属合金或者其他金属合金。厚度为0.1μm到0.1μm，最终达到电流导通、电磁波防护、屏蔽信号干扰作用。

所述的纯胶膜层为聚氨酯树脂，固化剂为封闭式固化剂，涂布厚度为5～8微米

所述的聚氨酯树脂采用二苯基甲烷二异氰酸酯为硬段，聚己内酯多元醇、聚四氢呋喃二醇为软段，4,4`-二氨基二苯基甲烷、1,4-环己烷二甲醇为扩链剂反应聚合制得且为-OH封端，还包括低聚合聚氨酯多元醇、异氰酸酯固化剂、催化剂，润湿剂、抗氧剂、溶剂为DMC、ETAC及MEK中的一种或几种的混合

进一步，所述异氰酸酯固化剂为IPDI丁酮肟封闭式固化剂，解封温度≥130℃。

进一步，所述异氰酸酯固化剂为德国拜耳IPDI丁酮肟BL-426

进一步，所述润湿剂为上海博军实业9565

进一步，所述抗氧剂为新秀化学Sunovin-205

进一步，所述消泡剂为荷兰拓纳化学WT-400

进一步，所述催化剂为上海曼海高施米特化工TMG612

本发明的有益效果是：屏蔽膜金属层极薄，厚度为0.1-6微米，可改善线路板的弯折性的同时实现高屏蔽效能、低插入损耗。由于传统电磁屏蔽膜导电胶中含有导电粒子，会增大插入损耗，本发明纯胶膜层无导电粒子，绝缘层填入氧化物绝缘粉体形成绝缘刺穿层，由于填入氧化物绝缘粉体(氢氧化铝)，采用该工艺形成的电磁屏蔽膜的绝缘性能得到保证，利用绝缘层的粗糙面将纯胶膜层刺穿，金属层直接与线路板的地层连通，从而实现接地，而且本发明纯胶层采用聚氨酯体系树脂，采用封闭式固化剂，该配方制得的树脂能够常温存储，常温不发生反应，解决环氧树脂可以在室温缓慢固化，缓慢固化后树脂会硬化，导致刺穿层无法刺穿纯胶层，进而影响接地，接地性能无法保证的弊端。金属层采用特殊的磁控溅射设备能有效减少对环境的污染，降低能耗，降低成本，简化工艺，提高了生产效率和产品质量。制备的电磁屏蔽膜整体屏蔽效果，接地电阻稳定性强、保存时间长。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法结构示意图。

图2为本发明一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法结构示意图。

图3为本发明一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法结构示意图。

图4为本发明一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法结构示意图。

图5为本发明一种使用上述屏蔽膜的线路板结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

实施例1：

1)在载体膜4上形成绝缘粗糙层1：选取厚度25-150微米，宽度100mm至1000mm的PET离型膜，在其离型面一侧涂布油墨，完全固化后形成绝缘粗糙层1，所述的油墨为改性环氧树脂类树脂及填料搅拌而成，所述的填料为粒径5～8um的氢氧化铝、二氧化硅、钛白粉等绝缘粉体，优先氢氧化铝，厚度1-25微米，优先选择3-10微米；

2)在绝缘粗糙层1上形成合金屏蔽层2：合金屏蔽层材料为下列金属单质中的一种：镍、铬、铜、银、金；或者合金屏蔽层材料为镍铬合金或铜镍合金。在绝缘粗糙层1上采用磁控溅射镀；

该磁控溅射设备操作步骤为：

A、对磁控溅射镀膜机的真空室抽真空后通入氩气500-1000sccm，开启偏压电源700-1000v，腔室内辉光放电，通过辉光清洗粗糙绝缘层表面，活化待镀基体表面；

B、随后开启磁控溅射金属靶，调节金属靶电流10-20A，调节金属靶偏压从300v降至150v，溅射0.1um厚度的镍金属基底层，待镍金属基底层工艺结束后；

C、通入氮气，其中氮气的通入流量通过梯度递增方式逐渐从0sccm增加至100-300sccm，在氮气的通入流量稳定后开始溅射，并调节真空度至0.1-1.8Pa，溅射沉积0.1-1um厚度的金属形成屏蔽层。

3)在合金屏蔽层2上涂布聚氨酯树脂，干燥使溶剂挥发后，固化条件为：温度为80℃至130℃，时间为20至60分钟。根据材料不同，优先选择80℃/30分钟；100℃/20分钟；120℃/10分钟，形成纯胶膜层

4)在纯胶层上覆盖保护膜。所述的保护膜选用成本低廉且能耐受一定温度的聚酯薄膜，也可以是硅胶保护膜。厚度25微米到125微米。

现有的磁控溅射卷绕镀膜设备在卷状基材上单面溅镀所需的金属层，存在以下缺点：

由于绝缘层表面与Cu在晶格失配、热膨胀系数等方面的差异较大，因此两者不能形成较强结合的化学键，若直接将Cu膜沉积到未进行任何表面处理的绝缘层，Cu膜剥离强度较低。

磁控溅射卷绕镀膜设备可以在导电基材与非导电基材获得一层或多层均匀的沉积层，是多种功能薄膜的获得的重要设备，可以应用于EMI、柔性线路板，光学镀膜等行业。目前，普遍应用的磁控溅射卷绕镀膜设备大至由真空室、真空获得系统、卷绕系统、溅射靶系统以及自动控制系统组成。其操作程序如下：上料-关真空室门-开机械泵抽粗真空-开扩散泵抽本地真空-充Ar气开靶电源-工艺生产-停机械泵(扩散泵继续加热)-下一个工作循环。

(一)、镀膜机真空腔体通常选用方形腔体，真空获得系统选用油扩散泵系统，分布在真空室的两侧，这种布局形式造成真空室内真空度不均匀，从而导致溅镀成膜厚度也不均匀；油扩散泵常有返油现象，会在真空室内的工件基材上形成油膜，造成溅镀膜层与基材之间结合力差；另外油扩散泵耗电功率较大，由于其控制方式为开关量控制，所以即使在作工艺抽速变小时也只能全功率输出，能耗非常大。

(二)、通常只配置一套收放卷系统，故只能溅镀一卷，工作效率低。

(三)、通常只配套溅射靶，不配套离子源处理，在镀某些基材时会造成膜层与基材之间剥离强度不够。

本申请提供的磁控溅射卷绕镀膜设备可以双卷溅射，溅射膜层与基材直接结合紧密，提高产品质量、节能降耗、提高剥离强度、导电性强。

利用Ar+轰击薄膜表面，一方面清除了表面的杂质，减少对导电自由通道的阻碍，使导电性增强；另一方面，将大量的动能淀积在薄膜表面，使表面温度升高，有助于晶粒生长时原子在基片表面的水平迁移，促进晶粒长大和结晶，使晶粒间界散射减弱，Cu膜导电性能增强。随着Ar+轰击时间的延长，Cu膜的剥离合强度由28.3MPa增强到33.5MPa，Ar+轰击可以对材料表面进行刻蚀，使表面粗化，粗化使基体表面形成了粗糙不平的凹凸面，使有效的附着面积增大，有利于形成有效的界面机械啮合和化学键合，有利于Cu原子的表面迁移，因而使晶面取向生长优势更明显地体现出来。Ar+使基体表面形成了很多划痕、位错和晶界等缺陷，这些缺陷为铜形核提供了形核功，从而促进Cu的形核。Ar+轰击材料表面时，将大量的动能淀积在薄膜的表面，使表面温度升高，有助于晶粒生长时原子在基片表面的水平迁移，促进晶粒长大和结晶，从而提高了薄膜的附着力。

在真空腔体，真空获得系统、靶极和收放卷系统，真空腔体上设置有真空获得系统，真空获得系统使真空腔体内部在工作时呈真空状态，真空腔体内的磁控溅射区设置有磁控溅射的靶极，磁控溅射的靶极设置有两排，磁控溅射区两侧分别设置有收放卷系统。收放卷系统由放卷轴、收卷轴、导向辊、张力辊、上主动辊和下主动辊组成，放卷轴中的基材通过导向辊、张力辊和下主动辊进入磁控溅射区，磁控溅射区出来的基材经上主动辊、张力辊和导向辊收卷于收卷轴。真空获得系统可以为分子泵，确保了真空室内无返油的现象。真空腔体内设置有深冷水汽捕集器，以提高对连续镀膜过程中基材放气的抽速，从而提高了工作效率。深冷水汽捕集器可以深冷泵。下主动辊与磁控溅射区入口之间设置有离子源处理装置，以对基材表面进行离子轰击，提高基材表面粗糙度，确保膜层与基材之间的剥离强度。真空腔体内具有为圆形真空室。

空腔体为圆形，不会形成抽气死角，真空度均匀；真空获得系统为分子泵无油系统，确保了真空室内无返油；配置的深冷泵提高对连续镀膜过程中基材放气的抽速，从而提高了工作效率。

采用了双收放卷系统，可以满足磁控溅射区全幅宽的一卷双面镀及两卷单面镀；也可以满足镀区半幅宽的两卷镀单面及双面镀，功能全面。

在进入磁控溅射区处设离子源处理装置，对基材表面进行离子轰击，提高基材表面粗糙度，确保膜层与基材之间的剥离强度。

本发明有益处为：无导电粒子可避免纯胶膜层中因导电粒子的存在而积聚大量电荷无法释放，增大线路板的插入损耗。本发明纯胶膜层无导电粒子，绝缘层填入氧化物绝缘粉体形成绝缘刺穿层，由于填入氧化物绝缘粉体，采用该工艺形成的电磁屏蔽膜的绝缘性能得到保证，利用绝缘层的粗糙面将纯胶膜层刺穿，金属层直接与线路板的地层连通，从而实现，实现极高屏蔽效能，经测试，在频率超过1GHz时，屏蔽效能能够达到80dB以上，而且本发明纯胶层采用聚氨酯体系树脂，采用封闭式固化剂，该配方制得的树脂能够常温存储，常温不发生反应，解决环氧树脂可以在室温缓慢固化，缓慢固化后树脂会硬化，导致刺穿层无法刺穿纯胶层，进而影响接地，接地性能无法保证的弊端。金属层采用自主研发的磁控溅射设备能有效减少对环境的污染，降低能耗，降低成本，简化工艺，提高了生产效率和产品质量。制备的电磁屏蔽膜整体屏蔽效果，接地电阻稳定性强、保存时间长。

本申请提供一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法，所述电磁波屏蔽膜包括：合金屏蔽层，所述合金屏蔽层的一侧是绝缘粗糙层，另一侧是纯胶膜层；所述合金屏蔽层的至少一面是粗糙的，所述合金屏蔽层的粗糙面刺穿所述纯胶膜层实现接地，所述粗糙面的至少一部分与所述线路板的地层电连接；所述方法包括如下步骤：

在载体膜上形成所述绝缘粗糙层：选取厚度25-150微米，宽度100mm至1000mm的PET离型膜，在其离型面一侧涂布油墨，完全固化后形成所述绝缘粗糙层，所述油墨由改性环氧树脂类树脂及填料搅拌而成；

在所述绝缘粗糙层上采用磁控溅射镀形成合金屏蔽层；在所述合金屏蔽层上涂布聚氨酯树脂，干燥固化后得到纯胶膜层；在纯胶层上覆盖保护膜得的所述电磁波屏蔽膜；

所述干燥固化条件为，温度为80℃至130℃，时间为20至60分钟。

可选的，所述的合金屏蔽层厚度为0.1-6微米；所述的合金屏蔽层的材料为金属材料、铁氧体、碳纳米管中的一种；其中，所述的金属材料为：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金中的一种或任意组合。

可选的，所述的合金屏蔽采用磁控溅射法得到；

所述的磁控溅射设备操作步骤为：

A、对磁控溅射镀膜机的真空室抽真空后通入氩气500-1000sccm，开启偏压电源700-1000v，腔室内辉光放电，通过辉光清洗粗糙绝缘层表面，活化待镀基体表面；

B、随后开启磁控溅射金属靶，调节金属靶电流10-20A，调节金属靶偏压从300v降至150v，溅射0.1um厚度的镍金属基底层，待镍金属基底层工艺结束后；

C、通入氮气，其中氮气的通入流量通过梯度递增方式逐渐从0sccm增加至100-300sccm，在氮气的通入流量稳定后开始溅射，并调节真空度至0.1-1.8Pa，溅射沉积0.1-1um厚度的金属形成屏蔽层。

可选的，所述绝缘粗糙层厚度为1-25um；所述绝缘粗糙层由改性环氧树脂类树脂及填料搅拌固化后形成的膜层；所述的填料为粒径5～8um的氢氧化铝绝缘粉体。

可选的，所述的合金屏蔽层的粗糙面的粗糙度为1-5RA。

可选的，所述的纯胶膜层为聚氨酯粘合剂，涂布厚度为1～10微米。

可选的，所述的纯胶膜层为聚氨酯树脂，固化剂为封闭式固化剂，涂布厚度为5～8微米。

可选的，所述的聚氨酯树脂采用二苯基甲烷二异氰酸酯为硬段，聚己内酯多元醇、聚四氢呋喃二醇为软段，4,4`-二氨基二苯基甲烷、1,4-环己烷二甲醇为扩链剂反应聚合制得且为-OH封端，还包括低聚合聚氨酯多元醇、异氰酸酯固化剂、催化剂，润湿剂、抗氧剂和溶剂；所述溶剂为DMC、ETAC及MEK中的一种或几种的混合。

可选的，所述异氰酸酯固化剂为IPDI丁酮肟封闭式固化剂，解封温度≥130℃。

以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (9)

1.一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法，其特征在于，所述电磁波屏蔽膜包括：合金屏蔽层，所述合金屏蔽层的一侧是绝缘粗糙层，另一侧是纯胶膜层；所述合金屏蔽层的至少一面是粗糙的，所述合金屏蔽层的粗糙面刺穿所述纯胶膜层实现接地，所述粗糙面的至少一部分与所述线路板的地层电连接；所述方法包括如下步骤：

在载体膜上形成所述绝缘粗糙层：选取厚度25-150微米，宽度100mm至1000mm的PET离型膜，在其离型面一侧涂布油墨，完全固化后形成所述绝缘粗糙层，所述油墨由改性环氧树脂类树脂及填料搅拌而成；

在所述绝缘粗糙层上采用磁控溅射镀形成合金屏蔽层；在所述合金屏蔽层上涂布聚氨酯树脂，干燥固化后得到纯胶膜层；在纯胶层上覆盖保护膜得的所述电磁波屏蔽膜；

所述干燥固化条件为，温度为80℃至130℃，时间为20至60分钟。

2.根据权利要求1所述一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法，其特征在于：所述的合金屏蔽层厚度为0.1-6微米；所述的合金屏蔽层的材料为金属材料、铁氧体、碳纳米管中的一种；其中，所述的金属材料为：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金中的一种或任意组合。

3.根据权利要求1所述一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法，其特征在于：所述的合金屏蔽采用磁控溅射法得到；

所述的磁控溅射设备操作步骤为：

A、对磁控溅射镀膜机的真空室抽真空后通入氩气500-1000sccm，开启偏压电源700-1000v，腔室内辉光放电，通过辉光清洗粗糙绝缘层表面，活化待镀基体表面；

B、随后开启磁控溅射金属靶，调节金属靶电流10-20A，调节金属靶偏压从300v降至150v，溅射0.1um厚度的镍金属基底层，待镍金属基底层工艺结束后；

C、通入氮气，其中氮气的通入流量通过梯度递增方式逐渐从0sccm增加至100-300sccm，在氮气的通入流量稳定后开始溅射，并调节真空度至0.1-1.8Pa，溅射沉积0.1-1um厚度的金属形成屏蔽层。

4.根据权利要求1所述一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法，其特征在于：所述绝缘粗糙层厚度为1-25um；所述绝缘粗糙层由改性环氧树脂类树脂及填料搅拌固化后形成的膜层；所述的填料为粒径5～8um的氢氧化铝绝缘粉体。

5.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法，其特征在于：所述的合金屏蔽层的粗糙面的粗糙度为1-5RA。

6.根据权利要求1所述一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法，其特征在于：所述的纯胶膜层为聚氨酯粘合剂，涂布厚度为1～10微米。

7.根据权利要求1所述一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法，其特征在于：所述的纯胶膜层为聚氨酯树脂，固化剂为封闭式固化剂，涂布厚度为5～8微米。

8.根据权利要求1所述一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法，其特征在于：所述的聚氨酯树脂采用二苯基甲烷二异氰酸酯为硬段，聚己内酯多元醇、聚四氢呋喃二醇为软段，4,4`-二氨基二苯基甲烷、1,4-环己烷二甲醇为扩链剂反应聚合制得且为-OH封端，还包括低聚合聚氨酯多元醇、异氰酸酯固化剂、催化剂，润湿剂、抗氧剂和溶剂；所述溶剂为DMC、ETAC及MEK中的一种或几种的混合。

9.根据权利要求1所述一种采用磁控溅射法及无导电粒子的微针刺穿型电磁波屏蔽膜制备方法，其特征在于：所述异氰酸酯固化剂为IPDI丁酮肟封闭式固化剂，解封温度≥130℃。

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