CN113715237B - 一种基于5g基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，涉及电磁屏蔽材料加工技术领域。本发明包括以下步骤：SS001、金属基材的准备、预备待加工的金属基材，采用超声波清洗设备对上述金属基材进行超声波清洗，采用超声设备对上述金属基材进行烘干处理；SS002、导热和导电层的附加、将上述SS001步骤中烘干完毕后的金属基材在真空镀膜室中依次进行离子清洗和氮化铝陶瓷导热涂层沉积。本发明通过金属基体上导电和导热涂层的增加，变传统的面式电磁屏蔽为板式电磁屏蔽，且在板式电磁屏蔽的基础上通过高导热和高导电性能的增加，能够有效增加该装置的散热、电磁屏蔽和雨雪等恶劣天气下的防护性能，继而使之能够与基站的使用环境进行高匹配。

Description

一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺
技术领域
本发明属于电磁屏蔽材料加工技术领域，特别是涉及一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺。
背景技术
近些年，随着电子通讯和工业文明的不断发展，5G通讯、电子设备、无线通讯系统的普及化使得电磁干扰日趋严重，对电子设备系统的正常运转产生了较大影响；此外，越来越多的电子电气设备以及通讯系统的快速更迭，在带给人们快捷方便的信息传播的同时也带来了比较严重的电磁污染，产生的电磁波对人类的工作和生活环境的危害日趋严重，严重影响了人类健康和可持续发展所要求的生态环境，也给国家带来了巨大损失；为了减少电磁污染所带来的危害，研究更高性能的新型电磁屏蔽复合材料已成为技术发展的一个重要方向。
当前，常用的电磁屏蔽材料是导电填料与树脂的共混物，如金、银、铜或石墨与聚合物混合提高其导电性，从而改善电磁屏蔽效果，但是聚合物基体具有较好的电绝缘性，对电磁屏蔽性能的提高效果有限；另外，也有研究者将软磁材料与聚合物共混制备成电磁屏蔽材料，但是该复合材料的电磁屏蔽效果不够理想，同时填充量的增加会导致加工困难，影响材料力学性能；还有研究者将颗粒状造孔剂与生物质材料混压成型，通过烧成处理制备成低密度，宽频的多孔复合结构屏蔽材料，但是该方法制备的填充材料屏蔽效果有限，耐化学腐蚀能力弱，力学性能较差。
且对于5G基站而言，由于其布设位置、工作原理和使用环境的特殊性，传统的电磁屏蔽膜已经不能使用于基站的使用和防护需求，由于5G基站工作时会产生大量的热且难免会遇到雨雪等恶劣天气，因而市场亟需一种具有高散热、高防护和高导电性能的5G基站用屏蔽材料。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，通过电磁屏蔽材料生产工艺的优化，解决了现有的基于5G基站用的电磁屏蔽材料使用性差及电磁屏蔽性能效果差的问题。
为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：
本发明为一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，包括以下步骤：
SS001、金属基材的准备、预备待加工的金属基材，采用超声波清洗设备对上述金属基材进行超声波清洗，超声波清洗完成后，采用超声设备对上述金属基材进行烘干处理；
SS002、导热和导电层的附加、将上述SS001步骤中烘干完毕后的金属基材在真空镀膜室中依次进行离子清洗、氮化铝陶瓷导热涂层沉积、类金刚石薄膜涂层沉积和Cu导电涂层沉积，上述步骤加工完毕后的基材即为预处理完毕后的基材；
SS003、基材的再处理、将SS002步骤中预处理完毕后基材以设定规格参数进行冲切，其中冲切时的板材规格应与基站规格适配，冲切完成后，采用冲压和模压工序，将冲切完毕的基材冲压为设定形状或设定规格，从而与基站形状适配；
SS004、电磁屏蔽膜的制备、选取适量非晶态纤维和适量针状铝进行混合，其中非晶态纤维和针状铝的配比量为2：1；将上述两者置入混合机，预混完毕后，向混合机中添加聚苯胺导电粘结剂，混合成浆料，浆料混合完毕后，将上述浆料置入75℃-95℃的真空干燥箱中干燥10h-15h；干燥完毕后，向干燥完毕后的物料中加入聚酰胺-6、聚丙烯和聚碳酸酯，其中聚酰胺-6质量、聚丙烯质量和聚碳酸酯质量与干燥完毕后物料总质量的配比为1：2：1：20；将上述配比后的混合物料置入密炼机中密炼2h-4h，密炼完后，将上述混合物混炼，混炼完成后，混炼完毕后，将混炼完毕后的物料进行压延，压延完成后，即制得非晶态电磁屏蔽膜,非晶态纤维为非晶态钴基纤维或非晶态铁基纤维；
SS005、复合、将SS004步骤中加工完毕后的非晶态电磁屏蔽膜裁切为设定形状并通过粘接剂复合于SS003步骤中再处理完毕后的基材上；
SS006、电解电镀处理、采用电解电镀法将Ni或Cu电镀到复合后的电磁屏蔽膜表面；
SS007、绝缘保护层的建立、SS006步骤完毕后，采用辊式涂布法在电镀后的电磁膜表面涂布一层热塑性树脂，涂布完毕后，再在热塑性树脂表面涂布一层可硬化的绝缘油墨，固化完毕后，即完成绝缘层的建立，其中热塑性树脂层的厚度为2μm-20μm；绝缘油墨层的厚度范围为1μm-10μm，绝缘层建立完毕后，即制得复合电磁屏蔽基板；
SS008、后处理、采用激光切割工艺将复合后的电磁屏蔽基板加工成设定尺寸以便后处理。
优选的，所述SS002步骤中离子清洗时应将SS001步骤中烘干处理完毕后的基材置于真空镀膜室中，基材置入后，将真空镀膜室的气压抽至设定压力值，冲压完毕后，向真空镀膜室内冲入浓度为99.9％的氩气作为保护；氩气冲入完毕后，开启高频脉冲电源，离子清洗时间为20min-30min；其中高频脉冲电源的工艺参数设定如下：电压范围为2kV-4kV，频率为40kHz-60kHz，占空比为50％-99％。
优选的，所述SS002步骤中氮化铝陶瓷导热涂层沉积时，真空镀膜室的参数设定如下：气压抽至设定压力值，沉积时，向真空镀膜室内冲入浓度为99.9％的氩气作为保护，开启高频脉冲电源和中频溅射电源；其中高频脉冲电源的工艺参数设定如下：电压范围为20V-70V，频率为40kHz-60kHz，占空比为50％-99％，沉积时间为4h-5h；所述氮化铝陶瓷导热涂层的厚度范围为20μm-45μm。
优选的，所述SS001步骤的类金刚石薄膜涂层沉积工序中，真空镀膜室的工艺参数设定如下，电源采用高频脉冲偏压电源，电压1kV-4kV，频率为40kHz-60kHz，占空比为50％-99％，类金刚石薄膜涂层的厚度范围为1μm-5μm。
优选的，所述SS001步骤的Cu导电涂层沉积工序中，真空镀膜室的工艺参数设定如下，电源采用高频脉冲偏压电源，电压10KW-20KW，频率为40kHz-60kHz，占空比为50％-99％，Cu导电涂层的厚度范围为20μm-70μm；所述Cu导电涂层沉积时间为0.5h-1.5h；所述Cu涂液制备时涂液中加有还原剂，继而制得带有抗氧化性能的Cu导电涂料。
优选的，所述SS001步骤中金属基材为铜、铝、镁及其合金中的两种或两种以上的复合材料。
优选的，所述SS004步骤中密炼机工作时其参数设定如下：密炼温度为100℃-165℃，密炼频率为25Hz-45Hz；所述SS004步骤中混炼参数设定如下：辊速1.5m/min，温度为150℃-175℃；压延时，其温度参数设定如下：辊温为155℃-175℃；辊速为1m/min。
优选的，所述SS004步骤中非晶态纤维为屑状；所述SS005步骤中所采用的粘结剂为复合导电粘结剂。
优选的，所述复合导电粘结剂包括碳纳米管、超导电炭黑及配比溶剂。
优选的，所述SS006步骤中电镀层的厚度范围为40μm-60μm。
本发明具有以下有益效果：
1、本发明通过金属基体上导电和导热涂层的增加，变传统的面式电磁屏蔽为板式电磁屏蔽，且在板式电磁屏蔽的基础上通过高导热和高导电性能的增加，一方面能够有效增加该装置的散热、电磁屏蔽和雨雪等恶劣天气下的防护性能，继而使之能够与基站的使用环境进行高匹配，从而有利于基站使用效果的提升，另一方面通过导电和导热涂层的增加及还原剂的增加，能够有效增加该装置的抗氧化防护能力及绝缘性能，
2、本发明通过电磁屏蔽膜中非晶态纤维、针状铝和聚苯胺灯导电粘合剂的使用，能够有效提高导电材料的导电性及导电材料的相互接触强度，通过上述导电性及接触强度的提高，继而使电磁屏蔽膜具有较好的导电性能，且通过非晶态纤维和针状铝混合物的使用，一方面能够通过非晶态物质的特殊性质，提高屏蔽体的电磁屏蔽性能，另一方面能够使电磁屏蔽膜表面具有网状组织，且其质量较传统等效屏蔽性能的单一材料小三分之一或二分之一，通过上述性能的提高，能够大幅度降低该装置的使用成本。
3、本发明通过复合材料的制备，一方面，保持了传统高导热金属基板材料高强度、高韧性、高导热性的优点，另一方面，大大提高了基板材料的防电磁辐射性能，有利于5G基站的快速组装。
当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺的流程示意图；
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
请参阅图1，本发明为一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，包括以下步骤：
SS001、金属基材的准备、预备待加工的金属基材，采用超声波清洗设备对上述金属基材进行超声波清洗，超声波清洗完成后，采用超声设备对上述金属基材进行烘干处理，为增强超声清洗效果，可将上述清洗过程重复2-3遍；
SS002、导热和导电层的附加、将上述SS001步骤中烘干完毕后的金属基材在真空镀膜室中依次进行离子清洗、氮化铝陶瓷导热涂层沉积、类金刚石薄膜涂层沉积和Cu导电涂层沉积，上述步骤加工完毕后的基材即为预处理完毕后的基材；
SS003、基材的再处理、将SS002步骤中预处理完毕后基材以设定规格参数进行冲切，其中冲切时的板材规格应与基站规格适配，冲切完成后，采用冲压和模压工序，将冲切完毕的基材冲压为设定形状或设定规格，从而与基站形状适配；
SS004、电磁屏蔽膜的制备、选取适量非晶态纤维和适量针状铝进行混合，其中非晶态纤维和针状铝的配比量为2：1；将上述两者置入混合机，预混完毕后，向混合机中添加聚苯胺导电粘结剂，混合成浆料，浆料混合完毕后，将上述浆料置入75℃的真空干燥箱中干燥10h；干燥完毕后，向干燥完毕后的物料中加入聚酰胺-6、聚丙烯和聚碳酸酯，其中聚酰胺-6质量、聚丙烯质量和聚碳酸酯质量与干燥完毕后物料总质量的配比为1：2：1：20；将上述配比后的混合物料置入密炼机中密炼2h，密炼完后，将上述混合物混炼，混炼完成后，混炼完毕后，将混炼完毕后的物料进行压延，压延完成后，即制得非晶态电磁屏蔽膜；
SS005、复合、将SS004步骤中加工完毕后的非晶态电磁屏蔽膜裁切为设定形状并通过粘接剂复合于SS003步骤中再处理完毕后的基材上；
SS006、电解电镀处理、采用电解电镀法将Ni或Cu电镀到复合后的电磁屏蔽膜表面；
SS007、绝缘保护层的建立、SS006步骤完毕后，采用辊式涂布法在电镀后的电磁膜表面涂布一层热塑性树脂，涂布完毕后，再在热塑性树脂表面涂布一层可硬化的绝缘油墨，固化完毕后，即完成绝缘层的建立，其中热塑性树脂层的厚度为2μm；绝缘油墨层的厚度为3μm，绝缘层建立完毕后，即制得复合电磁屏蔽基板；
SS008、后处理、采用激光切割工艺将复合后的电磁屏蔽基板加工成设定尺寸以便后处理。
进一步的，所述SS002步骤中离子清洗时应将SS001步骤中烘干处理完毕后的基材置于真空镀膜室中，基材置入后，将真空镀膜室的气压抽至设定压力值，冲压完毕后，向真空镀膜室内冲入浓度为99.9％的氩气作为保护；氩气冲入完毕后，开启高频脉冲电源，离子清洗时间为20min；其中高频脉冲电源的工艺参数设定如下：电压为3kV，频率为50kHz，占空比为50％。
进一步的，所述SS002步骤中氮化铝陶瓷导热涂层沉积时，真空镀膜室的参数设定如下：气压抽至设定压力值，沉积时，向真空镀膜室内冲入浓度为99.9％的氩气作为保护，开启高频脉冲电源和中频溅射电源；其中高频脉冲电源的工艺参数设定如下：电压为50V，频率为55kHz，占空比为70％，沉积时间为4.5h；所述氮化铝陶瓷导热涂层的厚度为35μm。
进一步的，所述SS001步骤的类金刚石薄膜涂层沉积工序中，真空镀膜室的工艺参数设定如下，电源采用高频脉冲偏压电源，电压2.5kV，频率为50kHz，占空比为90％，类金刚石薄膜涂层的厚度为3.5μm。
进一步的，所述SS001步骤的Cu导电涂层沉积工序中，真空镀膜室的工艺参数设定如下，电源采用高频脉冲偏压电源，电压10KW，频率为40kHz，占空比为50％，Cu导电涂层的厚度为20μm；所述Cu导电涂层沉积时间为0.5h；所述Cu涂液制备时涂液中加有还原剂，通过还原剂的增加，继而增加该装置的抗氧化能力，继而制得带有抗氧化性能的Cu导电涂料；所述SS001步骤中金属基材为铜。
进一步的，所述非晶态纤维为非晶态钴基纤维；所述SS004步骤中密炼机工作时其参数设定如下：密炼温度为100℃，密炼频率为25Hz；所述SS004步骤中混炼参数设定如下：辊速1.5m/min，温度为150℃；压延时，其温度参数设定如下：辊温为155℃；辊速为1m/min；所述SS004步骤中非晶态纤维为屑状；所述SS005步骤中所采用的粘结剂为复合导电粘结剂；所述复合导电粘结剂包括碳纳米管、超导电炭黑及配比溶剂；所述SS006步骤中电镀层的厚度为40μm。
实施例二
SS004、电磁屏蔽膜的制备、选取适量非晶态纤维和适量针状铝进行混合，其中非晶态纤维和针状铝的配比量为2：1；将上述两者置入混合机，预混完毕后，向混合机中添加聚苯胺导电粘结剂，混合成浆料，浆料混合完毕后，将上述浆料置入85℃的真空干燥箱中干燥14h，与实施例一相比，通过干燥时间的延长，能够有效提高该装置的干燥效果，通过干燥温度的提升，则能有效提高改装置的干燥速率，干燥完毕后，向干燥完毕后的物料中加入聚酰胺-6、聚丙烯和聚碳酸酯，其中聚酰胺-6质量、聚丙烯质量和聚碳酸酯质量与干燥完毕后物料总质量的配比为1：2：1：20；将上述配比后的混合物料置入密炼机中密炼4h，通过密炼时间的延长，继而提高混合物料的密炼效果，密炼完后，将上述混合物混炼，混炼完成后，混炼完毕后，将混炼完毕后的物料进行压延，压延完成后，即制得非晶态电磁屏蔽膜；
SS007、绝缘保护层的建立、SS006步骤完毕后，采用辊式涂布法在电镀后的电磁膜表面涂布一层热塑性树脂，涂布完毕后，再在热塑性树脂表面涂布一层可硬化的绝缘油墨，固化完毕后，即完成绝缘层的建立，其中热塑性树脂层的厚度为20μm；绝缘油墨层的厚度为10μm，与实施例一相比通过热塑性树脂层的厚度和绝缘油墨层后的增加，能够显著提高该装置的绝缘防护性能，具体的绝缘油墨层的材料可为PI树脂、环氧树脂、聚氨酯、酚醛树脂、亚克力树脂油墨的一种，热塑性树脂层可为橡胶、热塑性聚氨酯、热塑性亚克力树脂、聚酯、聚酰胺、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯的热塑性基团；
绝缘层建立完毕后，即制得复合电磁屏蔽基板，与实施例一相比为改善热塑性树脂层和绝缘油墨层的涂布效果，可将辊式涂布法变化为狭缝式涂布方式、唇式涂布方式、逗号涂布方式、刮刀涂布方式、辊式涂布方式、喷洒涂布方式、刮棒涂布方式、旋转涂布方式、浸渍涂布方式等常见涂敷方式；
进一步的，所述非晶态纤维为非晶态铁基纤维；所述SS004步骤中密炼机工作时其参数设定如下：密炼温度为165℃，密炼频率为25Hz；所述SS004步骤中混炼参数设定如下：辊速1.5m/min，温度为150℃；压延时，其温度参数设定如下：辊温为175℃；辊速为1m/min；与实施例一相比，通过辊温和密炼温度的提高，能够有效提升电磁屏蔽膜的制备效果；
所述SS004步骤中非晶态纤维为屑状；所述SS005步骤中所采用的粘结剂为复合导电粘结剂；所述复合导电粘结剂包括碳纳米管、超导电炭黑及配比溶剂；所述SS006步骤中电镀层的厚度为60μm，与实施例一相比通过电镀层厚度的增加，能够有效提高该装置的电磁屏蔽性能；
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (10)

1.一 种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：
SS001、金属基材的准备、预备待加工的金属基材，采用超声波清洗设备对上述金属基材进行超声波清洗，超声波清洗完成后，采用超声设备对上述金属基材进行烘干处理；
SS002、导热和导电层的附加、将上述SS001步骤中烘干完毕后的金属基材在真空镀膜室中依次进行离子清洗、氮化铝陶瓷导热涂层沉积、类金刚石薄膜涂层沉积和Cu导电涂层沉积，上述步骤加工完毕后的基材即为预处理完毕后的基材；
SS003、基材的再处理、将SS002步骤中预处理完毕后基材以设定规格参数进行冲切，其中冲切时的板材规格应与基站规格适配，冲切完成后，采用冲压和模压工序，将冲切完毕的基材冲压为设定形状或设定规格，从而与基站形状适配；
SS004、电磁屏蔽膜的制备、选取适量非晶态纤维和适量针状铝进行混合，其中非晶态纤维和针状铝的配比量为2：1；将上述两者置入混合机，预混完毕后，向混合机中添加聚苯胺导电粘结剂，混合成浆料，浆料混合完毕后，将上述浆料置入75℃-95℃的真空干燥箱中干燥10h-15h；干燥完毕后，向干燥完毕后的物料中加入聚酰胺-6、聚丙烯和聚碳酸酯，其中聚酰胺-6质量、聚丙烯质量和聚碳酸酯质量与干燥完毕后物料总质量的配比为1：2：1：20；将上述配比后的混合物料置入密炼机中密炼2h-4h，密炼完后，将上述混合物混炼，混炼完成后，混炼完毕后，将混炼完毕后的物料进行压延，压延完成后，即制得非晶态电磁屏蔽膜；所述非晶态纤维为非晶态钴基纤维或非晶态铁基纤维；
SS005、复合、将SS004步骤中加工完毕后的非晶态电磁屏蔽膜裁切为设定形状并通过粘接剂复合于SS003步骤中再处理完毕后的基材上；
SS006、电解电镀处理、采用电解电镀法将Ni或Cu电镀到复合后的电磁屏蔽膜表面；
SS007、绝缘保护层的建立、SS006步骤完毕后，采用辊式涂布法在电镀后的电磁膜表面涂布一层热塑性树脂，涂布完毕后，再在热塑性树脂表面涂布一层可硬化的绝缘油墨，固化完毕后，即完成绝缘层的建立，其中热塑性树脂层的厚度为2μm-20μm；绝缘油墨层的厚度范围为1μm-10μm，绝缘层建立完毕后，即制得复合电磁屏蔽基板；
SS008、后处理、采用激光切割工艺将复合后的电磁屏蔽基板加工成设定尺寸以便后处理。
2.根据权利要求1所述的一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，其特征在于，所述SS002步骤中离子清洗时应将SS001步骤中烘干处理完毕后的基材置于真空镀膜室中，基材置入后，将真空镀膜室的气压抽至设定压力值，冲压完毕后，向真空镀膜室内冲入浓度为99.9%的氩气作为保护；氩气冲入完毕后，开启高频脉冲电源，离子清洗时间为20min-30min；其中高频脉冲电源的工艺参数设定如下：电压范围为2kV-4kV，频率为40kHz-60kHz，占空比为50%-99%。
3.根据权利要求1所述的一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，其特征在于，所述SS002步骤中氮化铝陶瓷导热涂层沉积时，真空镀膜室的参数设定如下：气压抽至设定压力值，沉积时，向真空镀膜室内冲入浓度为99.9%的氩气作为保护，开启高频脉冲电源和中频溅射电源；其中高频脉冲电源的工艺参数设定如下：电压范围为20V-70V，频率为40kHz-60kHz，占空比为50%-99%，沉积时间为4h-5h；所述氮化铝陶瓷导热涂层的厚度范围为20μm-45μm。
4.根据权利要求1所述的一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，其特征在于，所述SS002步骤的类金刚石薄膜涂层沉积工序中，真空镀膜室的工艺参数设定如下，电源采用高频脉冲偏压电源，电压1kV-4kV，频率为40kHz-60kHz，占空比为50%-99%，类金刚石薄膜涂层的厚度范围为1μm-5μm。
5.根据权利要求1所述的一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，其特征在于，所述SS002步骤的Cu导电涂层沉积工序中，真空镀膜室的工艺参数设定如下，电源采用高频脉冲偏压电源，电压10kV-20kV，频率为40kHz-60kHz，占空比为50%-99%，Cu导电涂层的厚度范围为20μm-70μm；所述Cu导电涂层沉积时间为0.5h-1.5h； Cu涂液制备时涂液中加有还原剂，继而制得带有抗氧化性能的Cu导电涂料。
6.根据权利要求1所述的一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，其特征在于，所述SS001步骤中金属基材为铜、铝、镁及其合金中的两种或两种以上的复合材料。
7.根据权利要求1所述的一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，其特征在于，所述SS004步骤中密炼机工作时其参数设定如下：密炼温度为100℃-165℃，密炼频率为25Hz-45Hz；所述SS004步骤中混炼参数设定如下：辊速1.5m/min，温度为150℃-175℃；压延时，其温度参数设定如下：辊温为155℃-175℃；辊速为1m/min。
8.根据权利要求1所述的一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，其特征在于，所述SS004步骤中非晶态纤维为屑状；所述SS005步骤中所采用的粘结剂为复合导电粘结剂。
9.根据权利要求8所述的一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，其特征在于，所述复合导电粘结剂包括碳纳米管、超导电炭黑及配比溶剂。
10.根据权利要求8所述的一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，其特征在于，所述SS006步骤中电镀层的厚度范围为40μm-60μm。
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