CN114650649B - 电磁屏蔽膜及线路板 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电子技术领域,公开了一种电磁屏蔽膜及线路板,其中,所述电磁屏蔽膜包括屏蔽层及胶膜层;所述胶膜层设于所述屏蔽层的一面上;所述屏蔽层具有延伸入所述胶膜层内的导电刺穿结构;所述胶膜层的远离所述屏蔽层的一面的膜面电阻为3‑300欧姆/平方厘米。本发明能够避免电磁屏蔽膜在压合的过程中出现断裂破损,并能够降低线路板的插入损耗并有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术领域,尤其是涉及一种电磁屏蔽膜及线路板。
背景技术
随着电子工业的迅速发展,电子产品进一步向小型化,轻量化,组装高密度化发展,极大地推动挠性电路板的发展,从而实现元件装置和导线连接一体化。挠性电路板可广泛应用于手机、液晶显示、通信和航天等行业。
在国际市场的推动下,功能挠性电路板在挠性电路板市场中占主导地位,而评价功能挠性电路板性能的一项重要指标是电磁屏蔽(Electromagnetic InterferenceShielding,简称EMI Shielding)。随着手机等通讯设备功能的整合,其内部组件急剧高频高速化。例如:手机功能除了原有的音频传播功能外,照相功能已成为必要功能,且WLAN(Wireless Local Area Networks,无线局域网)、GPS(Global Positioning System,全球定位系统)以及上网功能已普及,再加上未来的感测组件的整合,组件急剧高频高速化的趋势更加不可避免。在高频及高速化的驱动下所引发的组件内部及外部的电磁干扰、信号在传输中衰减以及插入损耗和抖动问题逐渐严重。
目前,现有线路板常用的电磁屏蔽膜包括屏蔽层和胶膜层,屏蔽层的靠近胶膜层的一面为粗糙面。线路板的表面上开设有多个开窗,开窗的底部裸露出线路板的地层。使用时,将电磁屏蔽膜压合到线路板的所述表面上,使电磁屏蔽膜的屏蔽层与开窗底部的线路板地层接触连接,从而将干扰电荷导入线路板的地层,进而实现电磁屏蔽。
然而,本发明人在实施本发明的过程中发现,现有技术中存在以下技术问题:现有技术为了让电磁屏蔽膜压合到线路板上后避免电磁屏蔽膜与线路板之间分层而出现爆板现象,胶膜层的胶量都会比较多而使得其厚度比较大,这样屏蔽层的靠近胶膜层的一面相对于开窗的底部(即地层)具有较大的高度落差。在将上述结构的电磁屏蔽膜压合到线路板的过程中,往往需要施加较大的压合力给电磁屏蔽膜才能使得屏蔽层的粗糙面刺穿较厚的胶膜层并与线路板的地层接触连接,这样屏蔽层在开窗位置边缘的部分会由于较大的高度落差而容易出现断裂破损的现象,从而导致电磁屏蔽膜的电磁屏蔽效能降低。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的在于提供一种电磁屏蔽膜及线路板,其能够避免电磁屏蔽膜在压合的过程中出现断裂破损,并能够有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。
为了实现上述目的,本发明一实施例提供了一种电磁屏蔽膜,包括屏蔽层及胶膜层;
所述胶膜层设于所述屏蔽层的一面上;所述屏蔽层具有延伸入所述胶膜层内的导电刺穿结构;
所述胶膜层的远离所述屏蔽层的一面的膜面电阻为3-300欧姆/平方厘米。
作为上述方案的改进,所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的膜面电阻为2-260欧姆/平方厘米。
作为上述方案的改进,所述导电刺穿结构包括设于所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面上设有导电凸起。
作为上述方案的改进,所述屏蔽层的粗糙面的粗糙度Sdr为0.1%-3000%;所述胶膜层的胶克重为0.01-1克每平方分米。
作为上述方案的改进,所述屏蔽层的远离所述胶膜层的一面为起伏结构。
作为上述方案的改进,所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Rz为0.5-20微米。
作为上述方案的改进,所述胶膜层的算术平均厚度与所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Rz的比例大于或等于1/4。
作为上述方案的改进,所述电磁屏蔽膜还包括绝缘层;所述绝缘层设于所述屏蔽层的另一面上。
作为上述方案的改进,所述绝缘层的靠近所述屏蔽层的一面为粗糙面,所述屏蔽层形成于所述绝缘层的所述粗糙面上,所述屏蔽层各处的厚度的差异程度在30%以内。
作为上述方案的改进,所述绝缘层的靠近所述屏蔽层的一面的粗糙度Sdr为0.1%-2000%;所述胶膜层的胶克重为0.01-1克每平方分米。
作为上述方案的改进,所述绝缘层的靠近所述屏蔽层的一面的粗糙度Rz为0.09-14.68微米。
作为上述方案的改进,所述电磁屏蔽膜还包括载体层;所述载体层设于所述绝缘层的远离所述屏蔽层的一面上。
为了解决相同的技术问题,本发明另一实施例还提供了一种线路板,其包括线路板本体及上述任一方案所述的电磁屏蔽膜;所述电磁屏蔽膜通过所述胶膜层与所述线路板本体相压合;所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面刺穿所述胶膜层并与所述线路板本体的地层电连接。
相比于现有技术,本发明实施例提供的所述电磁屏蔽膜及线路板,具有以下至少一种有益效果:
在将电磁屏蔽膜压合到线路板上时,所述胶膜层的远离所述屏蔽层的一面的膜面电阻为3-300欧姆/平方厘米,能够让所述屏蔽层具有的延伸入所述胶膜层内的导电刺穿结构有效穿透所述胶膜层并与线路板的地层接触连接;且远离所述屏蔽层的一面的膜面电阻为3-300欧姆/平方厘米的胶膜层,其胶量能够保证电磁屏蔽膜与线路板具有良好的粘合强度,其胶厚也并不会让屏蔽层在压合时出现断裂破损的问题,从而能够有效地将屏蔽层的干扰电荷导入到线路板的地层,进而有效提高电磁屏蔽膜的电磁屏蔽效能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例提供的第一种电磁屏蔽膜的结构示意图;
图2是本发明一实施例提供的第二种电磁屏蔽膜的结构示意图;
图3是本发明一实施例提供的第三种电磁屏蔽膜的结构示意图;
图4是本发明一实施例提供的第三种电磁屏蔽膜的结构示意图;
图5是本发明一实施例提供的线路板的结构示意图。
附图标注说明:1、载体层;2、绝缘层;3、屏蔽层;4、胶膜层;6、导电凸起;8、线路板本体;7.导电刺穿结构。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在说明书和权利要求书的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明实施例,而不是指示或暗示所指的装置或部件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明实施例的限制。
此外,在说明书和权利要求书中的术语第一、第二等仅用于区别相同技术特征的描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量,也不一定描述次序或时间顺序。在合适的情况下术语是可以互换的。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
参见图1,本发明一实施例提供了一种电磁屏蔽膜,其包括屏蔽层3及胶膜层4;所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的一面上;所述屏蔽层3具有延伸入所述胶膜层4内的导电刺穿结构7,所述胶膜层4的远离所述屏蔽层3的一面的膜面电阻为3-300欧姆/平方厘米。
可以理解的是,膜面电阻是单位膜面积具有的膜电阻,数值等于膜电阻与测定时膜的有效面积的乘积。
需要说明的是,所述胶膜层4的所述一面的膜面电阻是胶膜层4设置在屏蔽层上后所测出来的。且由于屏蔽层3的导电刺穿结构7延伸入所述胶膜层4,因此所述胶膜层测出的膜面电阻会与所述屏蔽层的导电刺穿结构7的延伸入所述胶膜层4的延伸深度有关。
其中,Rz为在取样长度内5个最大的轮廓峰高的平均值与5个最大的轮廓谷深的平均值之和。
在本发明实施例中,在将电磁屏蔽膜压合到线路板上时,所述胶膜层4的远离所述屏蔽层的一面的膜面电阻为3-300欧姆/平方厘米,能够让所述屏蔽层3具有的延伸入所述胶膜层4内的导电刺穿结构7有效穿透所述胶膜层4并与线路板的地层接触连接;且远离所述屏蔽层3的一面的膜面电阻为3-300欧姆/平方厘米的胶膜层4,其胶量能够保证电磁屏蔽膜与线路板具有良好的粘合强度,其胶厚也并不会让屏蔽层3在压合时出现断裂破损的问题,从而能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层,进而有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。
示例性地,所述导电刺穿结构7可以为所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面上具有的粗糙度所形成的微小突起,也可以为所述屏蔽层3整体为弯曲起伏结构而使得屏蔽层3具有伸入到所述胶膜层4内的突起部分,在此不做具体限定。
进一步地,所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面的膜面电阻为2-260欧姆/平方厘米欧姆/平方厘米。本发明人发现,膜面电阻为2-260欧姆/平方厘米的屏蔽层3,其对应的厚度能够让屏蔽层3具有良好的抗弯折性能。
在上述实施例中,进一步地,所述屏蔽层3的粗糙面的粗糙度Sdr为0.1%-3000%;所述胶膜层4的胶克重为0.01-1克每平方分米。
在本发明实施例中,由于所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面的粗糙度Sdr为0.1%-3000%,这样所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面能够刺穿胶克重为0.01-1克每平方分米的所述胶膜层4,从而使得屏蔽层3能够与所述线路板的地层接触连接,这样能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层,从而有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。并且在将电磁屏蔽膜压合到线路板上时,能够让胶克重为0.01-1克每平方分米的胶膜层4中的胶类物质被挤压到屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面的凹陷位置中,不容易出现胶类物质大量移动向线路板的边缘而导致在电磁屏蔽膜与线路板之间的边缘出现明显的胶溢出问题,从而能够使得压合屏蔽膜后的线路板具有良好的外观。
可以理解的是,粗糙度Sdr表示的是:区域的扩展面积(表面积)表示相对于定义区域的面积增大了多少。其中,完全平坦表面的Sdr为0。例如,屏蔽层3的一面的粗糙度Sdr为20%,可以表示的是屏蔽层所述一面的测试区域当扩展成平坦之后其面积相比于扩展之前增加了20%。粗糙度的测试标准为ISO25178。
作为示例的,所述屏蔽层3的远离所述胶膜层4的一面为起伏结构。这样能够提高所述屏蔽层3的抗弯折性能。
其中,所述胶膜层4所用材料选自以下几种:改性环氧树脂类、丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类。可以理解的,为了保证所述屏蔽层3具有良好的导电性,所述屏蔽层3包括金属屏蔽层、碳纳米管屏蔽层、铁氧体屏蔽层和石墨烯屏蔽层中的一种或多种。其中,所述金属屏蔽层包括单金属屏蔽层和/或合金屏蔽层;其中,所述单金属屏蔽层由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成,所述合金屏蔽层由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。
进一步地,本发明人经过研究发现:所述胶膜层4的算术平均厚度与所述屏蔽层3的靠近胶膜层4的一面的粗糙度Rz的比例大于或等于1/4,这样所述屏蔽层3的所述粗糙面能够有效刺穿所述胶膜层4而与所述线路板的地层连接。
可以理解的是,所述胶膜层4的算术平均厚度的测量方式可以是:在胶膜层4的一定数量的不同地方(例如10个不同测试点)去测胶膜层4的厚度,然后再取平均值,从而得到胶膜层4的算术平均厚度。在取测试点时,可以是等间距地取,也可以是不等间距地取,在此不做具体限定。
参见图2,在上述实施例中,进一步地,所述电磁屏蔽膜还包括绝缘层2;所述绝缘层2设于所述屏蔽层3的远离所述胶膜层4的一面上。其中,所述绝缘层2可以将所述屏蔽层3与外界进行有效地电隔离,从而能够保证所述屏蔽层3的电磁屏蔽效果。
示例性地,所述绝缘层2的靠近所述屏蔽层3的一面为粗糙面,这样可以提高所述绝缘层2的抗弯折性能。此外,当在所述绝缘层2的该粗糙面上去形成所述屏蔽层3时,因所述屏蔽层3的各处的厚度的差异程度在30%以内,所以所述屏蔽层3会跟着所述绝缘层2的粗糙面的粗糙度起伏,能够让所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面也为具有对应粗糙度的粗糙面。
在上述实施例中,示例性地,所述绝缘层2的靠近所述屏蔽层3的一面的粗糙度Sdr为0.1%-2000%,所述胶膜层的胶克重为0.01-1克每平方分米。
在本发明实施例中,由于所述屏蔽层3是形成于所述绝缘层2的一面上的,且所述绝缘层2的靠近所述屏蔽层3的一面的粗糙度Sdr为0.1%-2000%,这样所述屏蔽层3的远离所述绝缘层2的一面也具有对应的粗糙度并能够刺穿胶克重为0.01-1克每平方分米的所述胶膜层,从而使得屏蔽层3能够与所述线路板的地层接触连接,这样能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层,从而有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。并且在将电磁屏蔽膜压合到线路板上时,能够让胶克重为0.01-1克每平方分米的胶膜层4中的胶类物质被挤压到屏蔽层3的远离所述绝缘层的一面的凹陷位置中,不容易出现胶类物质大量移动向线路板的边缘而导致在电磁屏蔽膜与线路板之间的边缘出现明显的胶溢出问题,从而能够使得压合屏蔽膜后的线路板具有良好的外观。
在上述实施例中,示例性地,所述绝缘层2的靠近所述屏蔽层3的一面的粗糙度Rz为0.09-14.68微米,这样能够提高所述绝缘层2与所述屏蔽层3的结合强度,避免所述绝缘层2与所述屏蔽层3两者容易出现脱落的现象。而且,当所述屏蔽层3在所述绝缘层2的该粗糙面上去制作形成时,很容易让所述屏蔽层3也具有上述的粗糙面,从而能够让所述屏蔽层3的粗糙面更好地去刺穿所述胶膜层4。
参见图3,进一步地,所述电磁屏蔽膜还包括载体层1;所述载体层1设于所述绝缘层2的远离所述屏蔽层3的一面上。所述载体层1可以是用于保护所述绝缘层2,使得所述绝缘层2不受到外界的接触或碰撞等而受到损坏。此外,所述载体层1可以作为形成所述绝缘层2的基膜,即:可以在所述载体层1的一面上去形成绝缘层2。
参见图4,作为举例的,所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面上设有导电凸起6,这样可以更有效刺穿所述胶膜层4,从而进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层电连接。
示例性地,所述导电凸起6与所述屏蔽层3的材质可以是相同的,也可以是不同的,在此不做具体限定。
具体地,所述屏蔽层3的所述一面上平均每平方厘米设有的凸起高度大于3um的导电凸起6的数量为1-1000个。这样可以更有效刺穿所述胶膜层4,从而进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层电连接。
具体地,所述胶膜层4的算术平均厚度与所述导体颗粒的在屏蔽膜上的纵向的高度的比例为大于或等于4/5,这样能够让所述导体颗粒有效刺穿所述胶膜层4,从而进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层电连接。
在本发明实施例中,多个所述导电凸起6可以规则或不规则地分布在所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上;其中,多个所述导电凸起6规则地分布在所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上,是指多个所述导电凸起6的形状相同且均匀地分布在所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上;多个所述导电凸起6不规则地分布在所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上是指多个所述导电凸起6的形状各异且无序地分布在所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上。在本实施例中,所述导电凸起6的形状相同,和/或,所述导电凸起6的间距相同。优选地,多个所述导电凸起6的形状相同,多个所述导电凸起6均匀分布在所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上。此外,所述屏蔽层3远离所述胶膜层4的一面可以是任何形状的表面,例如,可以是平整表面,也可以是起伏状的非平整表面,或者其他粗糙面。本发明附图仅以所述屏蔽层3远离所述胶膜层4的一面为平整表面进行举例说明,但其他任何形状都在本发明的保护范围之内。
优选地,所述导电凸起6可以是由一个或多个导电颗粒(图未示)团簇组成的。由于工艺手段及参数上的差异,所述导体颗粒还可以为团簇状、挂冰状、钟乳石状、树枝状等其他形状。此外,本发明实施例中的导体颗粒并不受图示及上述形状的限制,只要是具有刺穿及导电功能的导体颗粒,均在本发明的保护范围之内。
在本发明实施例中,所述导体颗粒包括金属颗粒、碳纳米管颗粒和铁氧体颗粒中的一种或多种。此外,所述金属颗粒包括单金属颗粒和/或合金颗粒;其中,所述单金属颗粒由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成,所述合金颗粒由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。需要说明的是,所述导体颗粒可以与所述屏蔽层3的材料相同,也可以不相同。
需要说明的是,本实施例的所述屏蔽层3可为单层结构或多层结构。当所述屏蔽层3为单层时,该层所述屏蔽层靠近所述胶膜层4的一面上可以设有导体颗粒;当所述屏蔽层3为多层时,每一层所述屏蔽层靠近所述胶膜层4的一面上还可以设有导体颗粒。另外,根据实际生产和应用的需要,本实施例的所述屏蔽层3可设置为网格状、发泡状等。
在本发明实施例中,为了进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层连接,本实施例中的所述胶膜层4包括含有导电粒子的黏着层。通过所述胶膜层4包括含有导电粒子的黏着层,以提高所述胶膜层4的导电能力,从而进一步确保了所述电磁屏蔽膜与线路板的地层连接。当然,所述胶膜层4可以包括不含导电粒子的黏着层,以降低带有所述电磁屏蔽膜的线路板的插入损耗,从而在提高屏蔽效能的同时改善线路板的抗弯折性。
需要说明的是,所述导电粒子可以为相互分离的导电粒子,也可以为团聚而成的大颗粒导电粒子;当所述导电粒子为相互分离的导电粒子时,可进一步提高所述胶膜层4的接地导通性;而当所述导电粒子为团聚而成的大颗粒导电粒子时,可增加刺穿强度。
请参阅图4所示,本实施例中的所述电磁屏蔽膜还包括保护膜层,所述保护膜层设于所述胶膜层4远离所述屏蔽层3的一面上。由于所述保护膜层具有保护作用,以保证所述绝缘层2在使用过程中不被划伤破损,从而维持所述屏蔽层3的高屏蔽效能。其中,所述保护膜层包括PPS薄膜层、PEN薄膜层、聚酯薄膜层、聚酰亚胺薄膜层、环氧树脂油墨固化后形成的膜层、聚氨酯油墨固化后形成的膜层、改性丙烯酸树脂固化后形成的膜层或聚酰亚胺树脂固化后形成的膜层。
具体地,当所述电磁屏蔽膜包括载体层1、绝缘层2、屏蔽层3、胶膜层4及保护膜层时,所述电磁屏蔽膜的制备方法包括:
1)准备载体层1;
2)在载体层1的一面上形成绝缘层2;
3)在绝缘层2的远离载体层1的一面上形成屏蔽层3;
4)在屏蔽层3的远离绝缘层2的一面上涂覆胶而形成胶膜层4;
5)在胶膜层4的远离屏蔽层3的一面上贴合保护膜层。
为便于对上述发明方案的理解,在此,提供以下五个具体实施方式并对这些具体实施方式进行测试:
实施例一:
一种电磁屏蔽膜,包括屏蔽层3及胶膜层4;所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的一面上;所述屏蔽层3具有延伸入所述胶膜层4内的导电刺穿结构7;所述胶膜层的远离所述屏蔽层的一面的膜面电阻为3欧姆/平方厘米。
测试结果:经过测试,本实施例的电磁屏蔽膜在压合到线路板后,所述屏蔽层3与线路板的地层两者之间的接地电阻小于50mΩ,且所述电磁屏蔽膜与线路板的粘合强度为15.73N/cm。其中,接地电阻小于1Ω,可以表明屏蔽层3能够有效将干扰电荷导入到线路板的地层,并能够间接表明屏蔽层3不会出现影响到电磁屏蔽效能的断裂破损现象。此外,电磁电磁屏蔽膜与线路板的粘合强度大于7.8N/cm时,能够避免电磁屏蔽膜与线路板之间出现分层爆板的问题。
由此可见,通过应用本实施例的所述电磁屏蔽膜,能够避免电磁屏蔽膜在压合的过程中出现断裂破损,并能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层而有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。
实施例二:
一种电磁屏蔽膜,包括屏蔽层3及胶膜层4;所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的一面上;所述屏蔽层3具有延伸入所述胶膜层4内的导电刺穿结构7;所述胶膜层的远离所述屏蔽层的一面的膜面电阻为150欧姆/平方厘米。
测试结果:经过测试,本实施例的电磁屏蔽膜在压合到线路板后,所述屏蔽层3与线路板的地层两者之间的接地电阻小于213mΩ,且所述电磁屏蔽膜与线路板的粘合强度为18.92N/cm。
由此可见,通过应用本实施例的所述电磁屏蔽膜,能够避免电磁屏蔽膜在压合的过程中出现断裂破损,并能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层而有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。
实施例三:
一种电磁屏蔽膜,包括屏蔽层3及胶膜层4;所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的一面上;所述屏蔽层3具有延伸入所述胶膜层4内的导电刺穿结构7;所述胶膜层的远离所述屏蔽层的一面的膜面电阻为300欧姆/平方厘米。
测试结果:经过测试,本实施例的电磁屏蔽膜在压合到线路板后,所述屏蔽层3与线路板的地层两者之间的接地电阻小于468mΩ,且所述电磁屏蔽膜与线路板的粘合强度为23.31N/cm。
由此可见,通过应用本实施例的所述电磁屏蔽膜,能够避免电磁屏蔽膜在压合的过程中出现断裂破损,并能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层而有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。
总体而言,所述胶膜层的远离所述屏蔽层的一面的膜面电阻为3-300欧姆/平方厘米,均可以达到以上效果,例如,所述膜面电阻为3、5、10、15、25、35、45、55、65、75、85、95、100、150、200、250、300欧姆/平方厘米。
参见图5,本发明另一实施例还提供了一种线路板,其包括线路板本体8及上述任一实施例所述的电磁屏蔽膜;所述电磁屏蔽膜通过所述胶膜层4与所述线路板本体8相压合;所述屏蔽层3的所述粗糙面刺穿所述胶膜层4并与所述线路板本体8的地层电连接。
优选地,所述线路板本体8为挠性单面、挠性双面、挠性多层板、刚挠结合板中的一种。
在本发明实施例中,在将电磁屏蔽膜压合到线路板上时,所述胶膜层4的远离所述屏蔽层的一面的膜面电阻为3-300欧姆/平方厘米,能够让所述屏蔽层3具有的延伸入所述胶膜层4内的导电刺穿结构7有效穿透所述胶膜层4并与线路板的地层接触连接;且远离所述屏蔽层3的一面的膜面电阻为3-300欧姆/平方厘米的胶膜层4,其胶量能够保证电磁屏蔽膜与线路板具有良好的粘合强度,其胶厚也并不会让屏蔽层3在压合时出现断裂破损的问题,从而能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层,进而有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。由此可见,本发明实施例能够实现不需过多的胶膜层胶量也能够保证电磁屏蔽膜的电磁屏蔽效能,并保证电磁屏蔽膜与线路板之间不会出现分层爆板的问题。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本领域技术的技术人员在本发明公开的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种电磁屏蔽膜,其特征在于,包括屏蔽层及胶膜层;
所述胶膜层设于所述屏蔽层的一面上;所述屏蔽层具有延伸入所述胶膜层内的导电刺穿结构;
所述胶膜层的远离所述屏蔽层的一面的膜面电阻为3-300欧姆/平方厘米;
所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的膜面电阻为2-260欧姆/平方厘米;
所述屏蔽层的粗糙面的粗糙度Sdr为0.1%-3000%;所述胶膜层的胶克重为0.01-1克每平方分米。
2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述导电刺穿结构包括设于所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面上的导电凸起。
3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述胶膜层的算术平均厚度与所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Rz的比例大于或等于1/4。
4.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述电磁屏蔽膜还包括绝缘层;所述绝缘层设于所述屏蔽层的另一面上。
5.根据权利要求4所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述绝缘层的靠近所述屏蔽层的一面为粗糙面,所述屏蔽层形成于所述绝缘层的所述粗糙面上,所述屏蔽层各处的厚度的差异程度在30%以内。
6.根据权利要求4所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述绝缘层的靠近所述屏蔽层的一面的粗糙度Sdr为0.1%-2000%。
7.根据权利要求4所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述绝缘层的靠近所述屏蔽层的一面的粗糙度Rz为0.09-14.68微米。
8.一种线路板,其特征在于,包括线路板本体及如权利要求1-7任一项所述的电磁屏蔽膜;所述电磁屏蔽膜通过所述胶膜层与所述线路板本体相压合;
所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面刺穿所述胶膜层并与所述线路板本体的地层电连接。
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