CN114641126B - 电磁屏蔽膜及线路板 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括屏蔽层及胶膜层；所述胶膜层设于所述屏蔽层的一面上；所述胶膜层的膜面电阻与所述屏蔽层的膜面电阻两者的比例范围为2.5:1～150:1，所述屏蔽层的膜面电阻为2‑260欧姆/平方厘米；所述胶膜层的膜面电阻不大于300欧姆/平方厘米；所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Rz为0.5‑20微米。本发明能够避免电磁屏蔽膜在压合的过程中出现断裂破损，并能有效降低线路板的插入损耗而提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术领域，尤其是涉及一种电磁屏蔽膜及线路板。
背景技术
随着电子工业的迅速发展，电子产品进一步向小型化，轻量化，组装高密度化发展，极大地推动挠性电路板的发展，从而实现元件装置和导线连接一体化。挠性电路板可广泛应用于手机、液晶显示、通信和航天等行业。
在国际市场的推动下，功能挠性电路板在挠性电路板市场中占主导地位，而评价功能挠性电路板性能的一项重要指标是电磁屏蔽(Electromagnetic InterferenceShielding，简称EMI Shielding)。随着手机等通讯设备功能的整合，其内部组件急剧高频高速化。例如：手机功能除了原有的音频传播功能外，照相功能已成为必要功能，且WLAN(Wireless Local Area Networks，无线局域网)、GPS(Global Positioning System，全球定位系统)以及上网功能已普及，再加上未来的感测组件的整合，组件急剧高频高速化的趋势更加不可避免。在高频及高速化的驱动下所引发的组件内部及外部的电磁干扰、信号在传输中衰减以及插入损耗和抖动问题逐渐严重。
目前，现有线路板常用的电磁屏蔽膜包括屏蔽层和胶膜层，通过在胶膜层中掺杂大量的导电粒子来将屏蔽层与线路板的地层连接，进而将干扰电荷导入线路板的地层，从而实现屏蔽。
现有线路板常用的电磁屏蔽膜包括屏蔽层和胶膜层，屏蔽层的靠近胶膜层的一面为粗糙面。线路板的表面上开设有多个开窗，开窗的底部裸露出线路板的地层。在将电磁屏蔽膜压合到线路板的所述表面上时，利用屏蔽层的粗糙面刺穿胶膜层并延伸入所述开窗的底部与线路板的地层接触连接，从而将干扰电荷导入线路板的地层，进而实现电磁屏蔽。
然而，本发明人在实施本发明的过程中发现，现有技术中存在以下技术问题：现有技术为了让电磁屏蔽膜压合到线路板上后避免电磁屏蔽膜与线路板之间分层而出现爆板现象，胶膜层的胶量都会比较多而使得其厚度比较大，这样屏蔽层的靠近胶膜层的一面相对于开窗的底部具有较大的高度落差。在将上述结构的电磁屏蔽膜压合到线路板的过程中，往往需要施加较大的压合力给电磁屏蔽膜才能使得屏蔽层的粗糙面刺穿较厚的胶膜层并与线路板的地层接触连接，这样屏蔽层的在开窗位置边缘的部分会由于较大的高度落差而容易出现断裂破损的现象，从而导致电磁屏蔽膜的电磁屏蔽效能降低。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的在于提供一种电磁屏蔽膜及线路板，其能够避免电磁屏蔽膜在压合的过程中出现断裂破损，并能有效降低线路板的插入损耗而提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。
为了实现上述目的，本发明一实施例提供了一种电磁屏蔽膜，包括屏蔽层及胶膜层；
所述胶膜层设于所述屏蔽层的一面上；
所述胶膜层的膜面电阻与所述屏蔽层的膜面电阻两者的比例范围为2.5:1～150:1，所述屏蔽层的膜面电阻为2-260欧姆/平方厘米；所述胶膜层的膜面电阻不大于300欧姆/平方厘米；
所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Rz为0.5-20微米。
作为上述方案的改进，所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Rz为0.6-16.89微米。
作为上述方案的改进，所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Sdr为0.1％-8000％微米，所述胶膜层的胶克重为0.01-1克每平方分米。
作为上述方案的改进，所述电磁屏蔽膜还包括绝缘层；所述绝缘层设于所述屏蔽层的远离所述胶膜层的一面上。
作为上述方案的改进，所述屏蔽层形成于所述绝缘层的一面上；所述绝缘层的形成有所述屏蔽层的一面的粗糙度Rz与所述屏蔽层的厚度的比例为1.25-65。
作为上述方案的改进，所述绝缘层的形成有所述屏蔽层的一面的粗糙度Rz为0.5-14.68微米。
作为上述方案的改进，所述电磁屏蔽膜还包括载体层；所述载体层设于所述绝缘层的远离所述屏蔽层的一面上；所述载体层的形成有所述绝缘层的一面的粗糙度Rz与所述绝缘层的厚度的比例为0.3-3。
作为上述方案的改进，所述绝缘层形成于所述载体层的一面上。
作为上述方案的改进，所述载体层的形成有所述绝缘层的一面的粗糙度Rz为1-10微米。
作为上述方案的改进，所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面上设有导电凸起。
作为上述方案的改进，所述屏蔽层的所述一面上平均每平方厘米设有的在屏蔽膜上的纵向高度大于5um的导电凸起的数量为1-1000个。
作为上述方案的改进，所述导电凸起包括导电基体部及至少一与所述导电基体部一体形成的导电尖刺部；所述导电基体部由所述屏蔽层的所述一面向外延伸出来，至少一所述导电尖刺部由所述导电基体部的表面向外延伸出来。
作为上述方案的改进，所述导电尖刺部的凸起高度为0.1-8微米。
为了解决相同的技术问题，本发明另一实施例还提供了一种线路板，其包括线路板本体及上述任一方案所述的电磁屏蔽膜；所述电磁屏蔽膜通过所述胶膜层与所述线路板本体相压合；所述屏蔽层的所述粗糙面刺穿所述胶膜层并与所述线路板本体的地层电连接。
相比于现有技术，本发明实施例提供的所述电磁屏蔽膜及线路板，具有以下的有益效果中的至少一个方面：
在将电磁屏蔽膜压合到线路板上时，所述胶膜层的膜面电阻与所述屏蔽层的膜面电阻两者的比例范围为2.5:1～150:1，所述屏蔽层的膜面电阻为2-260欧姆/平方厘米，且所述胶膜层的膜面电阻不大于300欧姆/平方厘米，那么在将电磁屏蔽膜压合到线路板上时，所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的粗糙度Rz为0.5-20微米的一面能够有效地穿透所述胶膜层；且所述所述胶膜层的胶量能够保证电磁屏蔽膜与线路板具有良好的粘合强度，其胶厚也并不会让屏蔽层在压合时出现断裂破损的问题，从而能够有效地将屏蔽层的干扰电荷导入到线路板的地层，进而有效提高电磁屏蔽膜的电磁屏蔽效能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例提供的第一种电磁屏蔽膜的结构示意图；
图2是本发明一实施例提供的第二种电磁屏蔽膜的结构示意图；
图3是本发明一实施例提供的第三种电磁屏蔽膜的结构示意图；
图4是本发明一实施例提供的一种线路板的结构示意图。
附图标注说明：1、载体层；2、绝缘层；3、屏蔽层；4、胶膜层；6、导电凸起；8、线路板本体。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在说明书和权利要求书的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明实施例，而不是指示或暗示所指的装置或部件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明实施例的限制。
此外，在说明书和权利要求书中的术语第一、第二等仅用于区别相同技术特征的描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，也不一定描述次序或时间顺序。在合适的情况下术语是可以互换的。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
参见图1，本发明一实施例提供了一种电磁屏蔽膜，其包括屏蔽层3及胶膜层4；所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的一面上；所述胶膜层4的膜面电阻与所述屏蔽层3的膜面电阻两者的比例范围为2.5:1～150:1，所述屏蔽层3的膜面电阻为2-260欧姆/平方厘米，所述胶膜层的膜面电阻不大于300欧姆/平方厘米；所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面的粗糙度Rz为0.5-20微米。
具体地，所述胶膜层的膜面电阻为5-300欧姆/平方厘米。
其中，所述屏蔽层3起到电磁屏蔽的作用。此外，通过所述胶膜层4能够让电磁屏蔽膜贴合到线路板上。
在本发明实施例中，在将电磁屏蔽膜压合到线路板上时，所述胶膜层4的膜面电阻与所述屏蔽层3的膜面电阻两者的比例范围为1:10～15:1，所述屏蔽层4的膜面电阻为2-260欧姆/平方厘米，且所述胶膜层的膜面电阻不大于300欧姆/平方厘米，那么在将电磁屏蔽膜压合到线路板上时，所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的粗糙度Rz为0.5-20微米的一面能够有效地穿透所述胶膜层4；且所述胶膜层4的胶量能够保证电磁屏蔽膜与线路板具有良好的粘合强度，其胶厚也并不会让屏蔽层在压合时出现断裂破损的问题，从而能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层，进而有效提高电磁屏蔽膜的电磁屏蔽效能。
示例性地，所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面的粗糙度Rz为0.6-16.89微米，这样能够让屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面更加有效地刺穿胶膜层，从而能够使得所述屏蔽层3与线路板的地层进行接触连接。
示例性地，所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面的粗糙度Sdr为0.1％-8000％，所述胶膜层4的胶克重为0.01-1克每平方分米。优选地，所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面的粗糙度Sdr为1％-560％。
在本实施例中，在将所述电磁屏蔽膜压合到线路板上时，所述屏蔽层3的粗糙度Sdr为0.1％-8000％的所述粗糙面，能够有效刺穿胶克重为0.01-1克每平方分米的胶膜层4的粗糙面，从而让所述屏蔽层3与所述线路板的地层电连接，这样能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层，从而有效提高电磁屏蔽层3的屏蔽效能。因此能够无需在胶膜层4中掺杂大量的导电粒子来让屏蔽层3与线路板的地层电连接，有效降低了线路板的插入损耗。此外，胶克重为0.01-1克每平方分米的胶膜层4能够有效地保持电磁屏蔽膜与线路板之间的粘合强度，使得电磁屏蔽膜与线路板之间不容易出现爆板现象。并且相比于现有的为平整结构的屏蔽层3，通过让屏蔽层3的远离所述绝缘层2的一面也为粗糙面，这样在将电磁屏蔽膜压合到线路板上时，能够让胶克重为0.01-1克每平方分米的胶膜层4中的胶类物质被挤压到屏蔽层3的粗糙面的凹陷位置中，不容易出现胶类物质大量移动向线路板的边缘而导致在线路板的边缘出现明显的胶溢出问题，从而能够使得压合屏蔽膜后的线路板具有良好的外观。
可以理解的是，粗糙度Sdr表示的是：区域的扩展面积(表面积)相对于定义区域的面积增大了多少。其中，完全平坦表面的Sdr为0。例如，绝缘层2的一面的粗糙度Sdr为20％，可以表示的是绝缘层2的所述一面的测试区域当扩展成平坦之后其面积相比于扩展之前增加了20％。粗糙度的测试标准为ISO25178。
其中，所述胶膜层4所用材料选自以下几种：改性环氧树脂类、丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类。可以理解的，为了保证所述屏蔽层3具有良好的导电性，所述屏蔽层3包括金属屏蔽层3、碳纳米管屏蔽层3、铁氧体屏蔽层3和石墨烯屏蔽层3中的一种或多种。其中，所述金属屏蔽层3包括单金属屏蔽层3和/或合金屏蔽层3；其中，所述单金属屏蔽层3由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成，所述合金屏蔽层3由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。
在上述实施例中，进一步地，参见图2，所述电磁屏蔽膜还包括绝缘层2；所述绝缘层2设于所述屏蔽层3的远离所述胶膜层4的一面上。其中，所述绝缘层2可以将所述屏蔽层3与外界进行有效地电隔离，从而能够保证所述屏蔽层3的电磁屏蔽效果。
具体地，所述屏蔽层3形成于所述绝缘层2的一面上；所述绝缘层2的形成有所述屏蔽层3的一面的粗糙度Rz与所述屏蔽层3的厚度的比例为1.25-65。在所述绝缘层2的所述一面上去形成所述屏蔽层3的过程中，由于所述绝缘层2的所述一面的粗糙度Sdr与所述屏蔽层3的厚度的比例为1.25-65，这样能够让屏蔽层3跟着绝缘层2的一面的粗糙度起伏，可以很容易也让所述屏蔽层3的远离所述绝缘层2的一面形成有能够刺穿胶膜层4的粗糙度。
示例性地，所述绝缘层2的形成有所述屏蔽层3的一面的粗糙度Rz为0.5-14.68微米，这样能够让所述屏蔽层3也有效形成能够刺穿胶膜层4的粗糙面，从而使得所述屏蔽层3能够有效与所述线路板的地层电连接。
其中，Rz为在取样长度内5个最大的轮廓峰高的平均值与5个最大的轮廓谷深的平均值之和。
参见图3，在上述实施例中，进一步地，所述电磁屏蔽膜还包括载体层1；所述载体层1设于所述绝缘层2的远离所述屏蔽层3的一面上。所述载体层1可以是用于保护所述绝缘层2，使得所述绝缘层2不受到外界的接触或碰撞等而受到损坏。此外，所述载体层1可以作为形成所述绝缘层2的基膜，即：可以在所述载体层1的一面上去形成绝缘层2。
具体地，所述绝缘层2形成于所述载体层1的一面上；所述载体层1的所述一面的粗糙度Rz与所述绝缘层2的厚度的比例为0.3-3。其中，在所述载体层1的所述一面上去形成所述绝缘层2的过程中，所述载体层1的所述一面的粗糙度Sdr与所述屏蔽层3的厚度的比例为0.3-3，这样能够让所述绝缘层2跟着所述载体层1的一面的粗糙度起伏，可以很容易也让所述绝缘层2的远离所述载体层1的一面形成有上述所需要的粗糙度。
示例性地，所述载体层1的所述一面的粗糙度Rz为1-10微米，这样能够让所述绝缘层2的远离所述载体层1的一面形成有上述所需要的粗糙度，从而最终能够让所述屏蔽层3的靠近胶膜层4的一面也有效形成能够刺穿胶膜层4的粗糙度，使得所述屏蔽层3能够有效与所述线路板的地层电连接。
参见图3，在上述实施例中，进一步地，所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面上设有导电凸起6，这样可以更有效刺穿所述胶膜层4，从而进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层电连接。
具体地，所述屏蔽层3的所述一面上平均每平方厘米设有的在屏蔽膜上的纵向高度大于3um的导电凸起6的数量为1-1000个。这样可以更有效刺穿所述胶膜层4，从而进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层电连接。
在本发明实施例中，所述导电凸起6可以规则或不规则地分布在所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上。在本实施例中，多个所述导电凸起6的形状相同也可以不同，多个所述导电凸起6相互之间的间距相同也可以不同。优选地，多个所述导电凸起6的形状相同，多个所述导电凸起6均匀分布在所述导电基体部的所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上。此外，所述屏蔽层3至少一面为起伏结构，例如所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面为起伏结构，这样可以改善所述屏蔽层3的弯折性能，并能够增强所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面对胶膜层4的刺穿能力，而且还能够提高所述屏蔽层3的该面的容胶能力。在具体实施当中，可以先形成屏蔽层3，然后再通过其他工艺在所述屏蔽层3上形成导电凸起6。当然，所述屏蔽层3和所述导电凸起6还可以是通过一次成型工艺形成的整体结构。
示例性地，参见图4，所述导电凸起6包括导电基体部(图未标示)及至少一导电尖刺部(图未标示)；所述导电基体部由所述屏蔽层3的所述一面向外延伸出来，至少一所述导电尖刺部由所述导电基体部的表面向外延伸出来。其中，由所述导电基体部的表面上延伸出来的所述导电尖刺部能够更有效刺穿胶膜层4，从而能够让所述屏蔽层3更好地与线路板的地层电连接。
具体地，所述导电尖刺部的凸起高度为0.1-8微米，这样能够让所述导电尖刺部有效刺穿所述胶膜层4，从而进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层电连接。
优选地，所述导电凸起6可与所述胶膜层4的外表面存在一定的距离，也可与所述胶膜层4的外表面相接触或延伸出所述胶膜层4的外表面。此外，所述胶膜层4的外表面可以为无起伏的平整表面，也可以是平缓起伏的不平整表面。
需要说明的是，图4中的所述导电凸起6的形状仅仅是示例性的，由于工艺手段及参数上的差异，所述导电凸起6还可以为团簇状、挂冰状、钟乳石状、树枝状等其他形状。此外，本发明实施例中的导电凸起6并不受图示及上述形状的限制，只要是具有刺穿及导电功能的导电凸起6，均在本发明的保护范围之内。
作为另一种示例的，所述导电凸起6可以是一个或多个导电颗粒组成。所述导电颗粒包括金属颗粒、碳纳米管颗粒和铁氧体颗粒中的一种或多种。此外，所述金属颗粒包括单金属颗粒和/或合金颗粒；其中，所述单金属颗粒由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成，所述合金颗粒由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。需要说明的是，所述导电凸起6可以与所述屏蔽层3的材料相同，也可以不相同。
需要说明的是，本实施例的所述屏蔽层3可为单层结构或多层结构。当所述屏蔽层3为单层时，该层所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上可以设有导电凸起；当所述屏蔽层3为多层时，每一层所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上还可以设有导电凸起6。另外，根据实际生产和应用的需要，本实施例的所述屏蔽层3可设置为网格状、发泡状等。
在本发明实施例中，为了进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层连接，本实施例中的所述胶膜层4包括含有导电粒子的黏着层。通过所述胶膜层4包括含有导电粒子的黏着层，以提高所述胶膜层4的导电能力，从而进一步确保了所述电磁屏蔽膜与线路板的地层连接。当然，所述胶膜层4可以包括不含导电粒子的黏着层，以降低带有所述电磁屏蔽膜的线路板的插入损耗，从而在提高屏蔽效能的同时改善线路板的抗弯折性。
需要说明的是，所述导电粒子可以为相互分离的导电粒子，也可以为团聚而成的大颗粒导电粒子；当所述导电粒子为相互分离的导电粒子时，可进一步提高所述胶膜层4的接地导通性；而当所述导电粒子为团聚而成的大颗粒导电粒子时，可增加刺穿强度。
本实施例中的所述电磁屏蔽膜还包括保护膜层(图未示)，所述保护膜层设于所述胶膜层4远离所述屏蔽层3的一面上。由于所述保护膜层具有保护作用，以保证所述绝缘层2在使用过程中不被划伤破损，从而维持所述屏蔽层3的高屏蔽效能。其中，所述保护膜层包括PPS薄膜层、PEN薄膜层、聚酯薄膜层、聚酰亚胺薄膜层、环氧树脂油墨固化后形成的膜层、聚氨酯油墨固化后形成的膜层、改性丙烯酸树脂固化后形成的膜层或聚酰亚胺树脂固化后形成的膜层。
具体地，当所述电磁屏蔽膜包括载体层1、绝缘层2、屏蔽层3、胶膜层4及保护膜层时，所述电磁屏蔽膜的制备方法包括：
1)准备载体层1；
2)在载体层1的一面上形成绝缘层2；
3)在绝缘层2的远离载体层1的一面上形成屏蔽层3；
4)在屏蔽层3的远离绝缘层2的一面上涂覆胶而形成胶膜层4；
5)在胶膜层4的远离屏蔽层3的一面上贴合保护膜层。
为便于对上述发明方案的理解，在此，提供以下五个具体实施方式并对这些具体实施方式进行测试：
实施例一：
一种电磁屏蔽膜，包括屏蔽层3及胶膜层4；所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的一面上；所述胶膜层4的膜面电阻为5欧姆/平方厘米，所述屏蔽层3的膜面电阻为2欧姆/平方厘米；所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面的粗糙度Rz为0.5微米。
测试结果：本实施例的电磁屏蔽膜在压合到线路板后，所述屏蔽层3与线路板的地层两者之间的接地电阻小于265mΩ，且所述电磁屏蔽膜与线路板的粘合强度大于11.36N/cm。其中，接地电阻小于1Ω，可以表明屏蔽层3能够有效将干扰电荷导入到线路板的地层，并能够间接表明屏蔽层3不会出现影响到电磁屏蔽效能的断裂破损现象。此外，电磁屏蔽膜与线路板的粘合强度大于7N/cm时，能够避免电磁屏蔽膜与线路板之间出现分层爆板的问题。
由此可见，通过应用本实施例的所述电磁屏蔽膜，能够避免电磁屏蔽膜在压合的过程中出现断裂破损，并能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层而有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。
实施例二：
一种电磁屏蔽膜，包括屏蔽层3及胶膜层4；所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的一面上；所述胶膜层4的膜面电阻为5欧姆/平方厘米，所述屏蔽层3的膜面电阻为2欧姆/平方厘米；所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面的粗糙度Rz为1微米。
测试结果：本实施例的电磁屏蔽膜在压合到线路板后，所述屏蔽层3与线路板的地层两者之间的接地电阻小于213mΩ，且所述电磁屏蔽膜与线路板的粘合强度大于12.56N/cm。
由此可见，通过应用本实施例的所述电磁屏蔽膜，能够避免电磁屏蔽膜在压合的过程中出现断裂破损，并能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层而有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。
实施例三：
一种电磁屏蔽膜，包括屏蔽层3及胶膜层4；所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的一面上；所述胶膜层4的膜面电阻为5欧姆/平方厘米，所述屏蔽层3的膜面电阻为2欧姆/平方厘米；所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面的粗糙度Rz为20微米。
测试结果：本实施例的电磁屏蔽膜在压合到线路板后，所述屏蔽层3与线路板的地层两者之间的接地电阻小于65mΩ，且所述电磁屏蔽膜与线路板的粘合强度大于17.83N/cm。
由此可见，通过应用本实施例的所述电磁屏蔽膜，能够避免电磁屏蔽膜在压合的过程中出现断裂破损，并能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层而有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。
实施例四：
一种电磁屏蔽膜，包括屏蔽层3及胶膜层4；所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的一面上；所述胶膜层4的膜面电阻为150欧姆/平方厘米，所述屏蔽层3的膜面电阻为2欧姆/平方厘米；所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面的粗糙度Rz为20微米。
测试结果：本实施例的电磁屏蔽膜在压合到线路板后，所述屏蔽层3与线路板的地层两者之间的接地电阻小于115mΩ，且所述电磁屏蔽膜与线路板的粘合强度大于13.26N/cm。
由此可见，通过应用本实施例的所述电磁屏蔽膜，能够避免电磁屏蔽膜在压合的过程中出现断裂破损，并能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层而有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。
实施例五：
一种电磁屏蔽膜，包括屏蔽层3及胶膜层4；所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的一面上；所述胶膜层4的膜面电阻为300欧姆/平方厘米，所述屏蔽层3的膜面电阻为2欧姆/平方厘米；所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面的粗糙度Rz为20微米。
测试结果：本实施例的电磁屏蔽膜在压合到线路板后，所述屏蔽层3与线路板的地层两者之间的接地电阻小于168mΩ，且所述电磁屏蔽膜与线路板的粘合强度大于11.65N/cm。
由此可见，通过应用本实施例的所述电磁屏蔽膜，能够避免电磁屏蔽膜在压合的过程中出现断裂破损，并能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层而有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。
总而言之，在所述胶膜层4的膜面电阻为5-300欧姆/平方厘米(例如5、10、20、50、70、100、120、150、170、200、220、250、270、300欧姆/平方厘米)，所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面的粗糙度Rz为0.5-20微米(例如0.5、1、2、5、7、10、12、15、17、20微米)，所述屏蔽层3的膜面电阻为2-260欧姆/平方厘米(例如2、10、20、50、70、100、120、150、170、200、220、260欧姆/平方厘米)，通过应用本实施例的所述电磁屏蔽膜，都能够避免电磁屏蔽膜在压合的过程中出现断裂破损，并能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层而有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。
参见图4，本发明另一实施例还提供了一种线路板，其包括线路板本体8及上述任一实施例所述的电磁屏蔽膜；所述电磁屏蔽膜通过所述胶膜层4与所述线路板本体8相压合；所述屏蔽层3的所述粗糙面刺穿所述胶膜层4并与所述线路板本体8的地层电连接。
优选地，所述线路板本体8为挠性单面、挠性双面、挠性多层板、刚挠结合板中的一种。
在本发明实施例中，所述屏蔽层3粗糙面在所述电磁屏蔽膜与所述线路板本体8压合时能够刺穿所述胶膜层4并与线路板本体8的地层连接，从而确保了所述屏蔽层3与线路板本体8的地层连接，从而实现将所述屏蔽层3和所述屏蔽层3中的干扰电荷导入地中，避免了干扰电荷的积聚而形成干扰源影响线路板的正常工作。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域技术的技术人员在本发明公开的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，包括屏蔽层及胶膜层；
所述胶膜层设于所述屏蔽层的一面上；
所述胶膜层的膜面电阻与所述屏蔽层的膜面电阻两者的比例范围为2.5:1～150:1，所述屏蔽层的膜面电阻为2-260欧姆/平方厘米；所述胶膜层的膜面电阻不大于300欧姆/平方厘米；
所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Rz为0.5-20微米。
2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Rz为0.6-16.89微米。
3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Sdr为0.1％-8000％，所述胶膜层的胶克重为0.01-1克每平方分米。
4.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述电磁屏蔽膜还包括绝缘层；所述绝缘层设于所述屏蔽层的远离所述胶膜层的一面上。
5.根据权利要求4所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽层形成于所述绝缘层的一面上；所述绝缘层的形成有所述屏蔽层的一面的粗糙度Rz与所述屏蔽层的厚度的比例为1.25-65。
6.根据权利要求5所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述绝缘层的形成有所述屏蔽层的一面的粗糙度Rz为0.5-14.68微米。
7.根据权利要求4所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述电磁屏蔽膜还包括载体层，所述载体层设于所述绝缘层远离所述屏蔽层的一面上；所述载体层靠近所述绝缘层的一面的粗糙度Rz与所述绝缘层的厚度的比例为0.3-3。
8.根据权利要求7所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述载体层的形成有所述绝缘层的一面的粗糙度Rz为1-10微米。
9.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面上设有导电凸起。
10.一种线路板，其特征在于，包括线路板本体及如权利要求1-9任一项所述的电磁屏蔽膜；所述电磁屏蔽膜通过所述胶膜层与所述线路板本体相压合；所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面刺穿所述胶膜层并与所述线路板本体的地层电连接。
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