CN215453800U - 电磁屏蔽膜及线路板 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜及线路板，其中，所述电磁屏蔽膜包括绝缘层、屏蔽层及胶膜层；所述屏蔽层形成于所述绝缘层的一面上，所述胶膜层设于所述屏蔽层的远离所述绝缘层的一面上；所述绝缘层的形成有所述屏蔽层的一面为粗糙面，所述粗糙面的粗糙度Sdr大于0.1％；所述胶膜层的胶克重为0.01‑1克每平方分米。本实用新型能够避免出现电磁屏蔽膜在压合到线路板的过程中边缘出现胶溢出的问题，并能够有效地提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。

Description

电磁屏蔽膜及线路板

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，尤其是涉及一种电磁屏蔽膜及线路板。

背景技术

随着电子工业的迅速发展，电子产品进一步向小型化，轻量化，组装高密度化发展，极大地推动挠性电路板的发展，从而实现元件装置和导线连接一体化。挠性电路板可广泛应用于手机、液晶显示、通信和航天等行业。

在国际市场的推动下，功能挠性电路板在挠性电路板市场中占主导地位，而评价功能挠性电路板性能的一项重要指标是电磁屏蔽(Electromagnetic InterferenceShielding，简称EMI Shielding)。随着手机等通讯设备功能的整合，其内部组件急剧高频高速化。例如：手机功能除了原有的音频传播功能外，照相功能已成为必要功能，且WLAN(Wireless Local Area Networks，无线局域网)、GPS(Global Positioning System，全球定位系统)以及上网功能已普及，再加上未来的感测组件的整合，组件急剧高频高速化的趋势更加不可避免。在高频及高速化的驱动下所引发的组件内部及外部的电磁干扰、信号在传输中衰减以及插入损耗和抖动问题逐渐严重。

目前，现有线路板常用的电磁屏蔽膜包括屏蔽层和胶膜层，屏蔽层的靠近胶膜层的一面为粗糙面，并利用粗糙面刺穿胶膜层与线路板的地层接触连接，从而将干扰电荷导入线路板的地层，进而实现屏蔽。然而，本发明人在实施本实用新型的过程中发现，现有技术中存在以下技术问题：在将上述结构的电磁屏蔽膜压合到线路板的过程中，存在粗糙面不能很好地刺穿胶膜层，使得屏蔽层与线路板地层有效连接性差的同时，还存在胶膜层中的胶容易从电磁屏蔽膜与线路板之间的边缘溢出的问题。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型的目的在于提供一种电磁屏蔽膜及线路板，能够避免出现电磁屏蔽膜在压合到线路板的过程中边缘出现胶溢出的问题，并能够有效地提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。

为了实现上述目的，本实用新型一实施例提供了一种电磁屏蔽膜，其包括绝缘层、屏蔽层及胶膜层；

所述屏蔽层形成于所述绝缘层的一面上，所述胶膜层设于所述屏蔽层的远离所述绝缘层的一面上；

所述绝缘层的靠近所述屏蔽层的一面的粗糙度Sdr大于0.1％；所述胶膜层的胶克重为0.01-1克每平方分米。

作为上述方案的改进，所述绝缘层的靠近所述屏蔽层的一面的粗糙度Sdr为0.1％-7800％。

作为上述方案的改进，所述绝缘层的靠近所述屏蔽层的一面的粗糙度Sdr为2％-1800％。

作为上述方案的改进，所述绝缘层的靠近所述屏蔽层的一面的粗糙度Sdr为30％-100％。

作为上述方案的改进，所述绝缘层的所述粗糙面的粗糙度Rz为0.09-14.68微米。

作为上述方案的改进，所述胶膜层的算术平均厚度与所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Rz的比例大于或等于1/4。

作为上述方案的改进，所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Sdr为0.1％-560％。

作为上述方案的改进，所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Rz为0.5-15微米。

作为上述方案的改进，所述电磁屏蔽膜还包括载体层；所述载体层设于所述绝缘层的远离所述屏蔽层的一面上。

作为上述方案的改进，所述胶膜层包括含有导电粒子的黏着层；或，所述胶膜层包括不含导电粒子的黏着层。

作为上述方案的改进，所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面上设有导电凸起。

作为上述方案的改进，所述屏蔽层的所述一面上平均每平方厘米设有的凸起高度大于3um的导电凸起的数量为1-1000个。

作为上述方案的改进，所述导电凸起包括导电基体部及至少一与所述导电基体部一体形成的导电尖刺部；所述导电基体部由所述屏蔽层的所述一面向外延伸出来，至少一所述导电尖刺部由所述导电基体部的表面向外延伸出来。

作为上述方案的改进，所述绝缘层的所述粗糙面的粗糙度Sdr与所述屏蔽层的厚度的比例为0.125-2。

作为上述方案的改进，所述绝缘层的所述粗糙面的粗糙度Rz与所述屏蔽层的厚度的比例为0.125-2。

为了解决相同的技术问题，本实用新型另一实施例还提供了一种线路板，其包括线路板本体及上述任一方案所述的电磁屏蔽膜；所述电磁屏蔽膜通过所述胶膜层与所述线路板本体相压合；所述屏蔽层的所述粗糙面刺穿所述胶膜层并与所述线路板本体的地层电连接。

相比于现有技术，本实用新型实施例提供的所述电磁屏蔽膜及线路板，具有以下的有益效果中的至少一个方面：

由于所述屏蔽层是形成于所述绝缘层的一面上的，且所述绝缘层的靠近所述屏蔽层的一面的粗糙度Sdr大于0.1％，这样所述屏蔽层的远离所述绝缘层的一面也具有对应的粗糙度并在将电磁屏蔽膜压合到线路板上时能够刺穿胶克重为0.01-1克每平方分米的所述胶膜层，从而能够使得屏蔽层能够与所述线路板的地层接触连接，这样能够有效地将屏蔽层的干扰电荷导入到线路板的地层，从而有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。并且在将电磁屏蔽膜压合到线路板上时，能够让胶克重为0.01-1克每平方分米的胶膜层中的胶类物质被挤压到屏蔽层的远离所述绝缘层的一面的凹陷位置中，不容易出现胶类物质大量移动向线路板的边缘而导致在电磁屏蔽膜与线路板之间的边缘出现明显的胶溢出问题，从而能够使得压合屏蔽膜后的线路板具有良好的外观。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型一实施例提供的第一种电磁屏蔽膜的结构示意图；

图2是本实用新型一实施例提供的第二种电磁屏蔽膜的结构示意图；

图3是本实用新型一实施例提供的第三种电磁屏蔽膜的结构示意图；

图4是图3中的a部的放大示意图；

图5是本实用新型一实施例提供的线路板的结构示意图；

附图标注说明：1、载体层；2、绝缘层；3、屏蔽层；4、胶膜层；6、导电凸起；60、导电基体部；61、导电尖刺部；8、线路板本体。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在说明书和权利要求书的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型实施例，而不是指示或暗示所指的装置或部件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型实施例的限制。

此外，在说明书和权利要求书中的术语第一、第二等仅用于区别相同技术特征的描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，也不一定描述次序或时间顺序。在合适的情况下术语是可以互换的。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。

参见图1，本实用新型一实施例提供了一种电磁屏蔽膜，其包括绝缘层2、屏蔽层3及胶膜层4；所述屏蔽层3形成于所述绝缘层2的一面上，所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的远离所述绝缘层2的一面上；所述绝缘层2的形成有所述屏蔽层3的一面的粗糙度Sdr大于0.1％；所述胶膜层4的胶克重为0.01-1克每平方分米。

其中，所述绝缘层2可以将所述屏蔽层3与外界进行有效地电隔离，从而能够保证所述屏蔽层3的电磁屏蔽效果。而所述屏蔽层3起到电磁屏蔽的作用。此外，通过所述胶膜层4能够让电磁屏蔽膜贴合到线路板上。

可以理解的是，所述绝缘层2的形成有所述屏蔽层3的一面为具有一定粗糙度的粗糙面，这样可以改善所述绝缘层2的抗弯折性，从而能够提高所述电磁屏蔽膜的抗弯折性能。此外，当在所述绝缘层2的一面上去形成所述屏蔽层3时，因所述屏蔽层3的厚度一定，所以所述屏蔽层3会跟着所述绝缘层2的粗糙面起伏，这样可以让所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面为具有一定粗糙度的粗糙面。

在本实用新型实施例中，由于所述屏蔽层3是形成于所述绝缘层2的一面上的，且所述绝缘层2的靠近所述屏蔽层3的一面的粗糙度Sdr大于0.1％，这样所述屏蔽层3的远离所述绝缘层2的一面也具有对应的粗糙度并在将电磁屏蔽膜压合到线路板上时能够刺穿胶克重为0.01-1克每平方分米的所述胶膜层，从而能够使得屏蔽层3能够与所述线路板的地层接触连接，这样能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层，从而有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。并且在将电磁屏蔽膜压合到线路板上时，能够让胶克重为0.01-1克每平方分米的胶膜层4中的胶类物质被挤压到屏蔽层3的远离所述绝缘层的一面的凹陷位置中，不容易出现胶类物质大量移动向线路板的边缘而导致在电磁屏蔽膜与线路板之间的边缘出现明显的胶溢出问题，从而能够使得压合屏蔽膜后的线路板具有良好的外观。

进一步地，为使屏蔽层3与线路板的地层具有更良好的有效电连接以及压合屏蔽膜后的线路板具有更优异的外观，所述绝缘层2的靠近所述屏蔽层3的一面的粗糙度Sdr可为0.1％-7800％。优选地，所述绝缘层2的靠近所述屏蔽层3的一面的粗糙度Sdr可为2％-1800％。更优选地，所述绝缘层2的靠近所述屏蔽层3的一面的粗糙度Sdr可为30％-100％。

示例性地，所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面的粗糙度Sdr为0.1％-560％，这样能够提高所述屏蔽层3与所述胶膜层4的结合强度，并能够更好地达到上述的技术效果。

可以理解的是，粗糙度Sdr表示的是：区域的扩展面积(表面积)相对于定义区域的面积增大了多少。其中，完全平坦表面的Sdr为0。例如，绝缘层2的一面的粗糙度Sdr为20％，可以表示的是屏蔽膜的测试区域当扩展成平坦之后其面积相比于扩展之前增加了20％。粗糙度Sdr的测试标准为ISO25178。

其中，所述胶膜层4所用材料选自以下几种：改性环氧树脂类、丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类。可以理解的，为了保证所述屏蔽层3具有良好的导电性，所述屏蔽层3包括金属屏蔽层、碳纳米管屏蔽层、铁氧体屏蔽层和石墨烯屏蔽层中的一种或多种。其中，所述金属屏蔽层包括单金属屏蔽层和/或合金屏蔽层；其中，所述单金属屏蔽层由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成，所述合金屏蔽层由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。

优选地，所述胶膜层4的外表面可以为无起伏的平整表面，也可以是平缓起伏的不平整表面。

在本实施例中，所述绝缘层2的靠近所述屏蔽层3的一面的粗糙度Rz为0.09-20微米，这样能够让所述屏蔽层3也有效形成粗糙面。例如所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面的粗糙度Rz为0.5-15微米，这样能够有效刺穿胶克重0.01-1克每平方分米的所述胶膜层4而使得所述屏蔽层3与所述线路板的地层接触连接。

具体地，所述绝缘层2的所述粗糙面的粗糙度Rz为0.09-14.68微米，这样能够让所述屏蔽层3也有效形成粗糙面。其中，作为举例地，所述屏蔽层3的所述粗糙面的粗糙度Rz也可以对应为0.09-14.68微米。其中，粗糙度Rz为0.09-14.68微米的所述屏蔽层3的所述粗糙面，能够有效刺穿胶克重0.01-1克每平方分米的所述胶膜层4而使得所述屏蔽层3与所述线路板的地层电连接。

其中，Rz为在取样长度内5个最大的轮廓峰高的平均值与5个最大的轮廓谷深的平均值之和。粗糙度的测试标准为ISO25178。

进一步地，所述胶膜层4的算术平均厚度与所述绝缘层2的靠近所述屏蔽层3的粗糙度Rz的比例大于或等于1/4。这样所述绝缘层2的上述粗糙面，能够让所述屏蔽层3的远离所述绝缘层的一面也对应形成为能够有效刺穿所述胶膜层4的粗糙面，从而可以有效保证屏蔽层与所述线路板的地层电连接。相对应地，所述胶膜层4的最大厚度与所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面的粗糙度Rz的比例也为大于或等于1/4。

可以理解的是，所述胶膜层4的算术平均厚度的测量方式可以是：在胶膜层4的一定数量的不同地方(例如10个不同测试点)去测胶膜层4的厚度，然后再取平均值，从而得到胶膜层4的算术平均厚度。在取测试点时，可以是等间距地取，也可以是不等间距地取，在此不做具体限定。

在上述实施例中，具体地，所述绝缘层2的所述粗糙面的粗糙度Sdr与所述屏蔽层3的厚度的比例为0.125-2。在所述绝缘层2的所述粗糙面上去形成所述屏蔽层3的过程中，所述绝缘层2的所述粗糙面的粗糙度Sdr与所述屏蔽层3的厚度的比例为0.125-2，可以很容易也让所述屏蔽层3的远离所述绝缘层2的一面形成为能够刺穿胶膜层的粗糙面。

在上述实施例中，具体地，所述绝缘层2的所述粗糙面的粗糙度Rz与所述屏蔽层3的厚度的比例为0.125-2。在所述绝缘层2的所述粗糙面上去形成所述屏蔽层3的过程中，所述绝缘层2的所述粗糙面的粗糙度Sdr与所述屏蔽层3的厚度的比例为0.125-2，可以很容易也让所述屏蔽层3的远离所述绝缘层2的一面形成为能够刺穿胶膜层4的粗糙面。

参见图2，进一步地，所述电磁屏蔽膜还包括载体层1；所述载体层1设于所述绝缘层2的远离所述屏蔽层3的一面上。所述载体层1可以是用于保护所述绝缘层2，使得所述绝缘层2不受到外界的接触或碰撞等而受到损坏。此外，所述载体层1可以作为形成所述绝缘层2的基膜，即：可以在所述载体层1的一面上去形成绝缘层2。

参见图3，作为举例的，所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面上设有导电凸起6，这样可以更有效刺穿所述胶膜层4，从而进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层电连接。

示例性地，所述导电凸起6与所述屏蔽层3的材质可以是相同的，也可以是不同的，在此不做具体限定。

具体地，所述屏蔽层3的所述一面上平均每平方厘米设有的凸起高度大于3um的导电凸起6的数量为1-1000个。这样可以更有效刺穿所述胶膜层4，从而进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层电连接。

其中，导电凸起6的凸起高度的测量方式为：如图4所示，所述导电凸起6的根部与所述导电凸起6的顶部之间的垂直距离h，即为所述导电凸起6的凸起高度。

参见图4，在上述实施例中，进一步地，所述导电凸起6包括导电基体部60及至少一导电尖刺部61；所述导电基体部60由所述屏蔽层3的所述一面向外延伸出来，至少一所述导电尖刺部61由所述导电基体部60的表面向外延伸出来。其中，由所述导电基体部60的表面上延伸出来的所述导电尖刺部61能够更有效刺穿胶膜层4，从而能够让所述屏蔽层3更好地与线路板的地层电连接。

具体地，所述导电尖刺部61的延伸长度为1-5微米，这样能够让所述导电尖刺部有效刺穿所述胶膜层4，从而进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层电连接。其中，所述导电尖刺部61的延伸长度的测量方式可以为：导电尖刺部61的靠近所述导电基体部60的一端到导电尖刺部61的远离所述导电基体部60的一端两端之间的距离，即为所述导电尖刺部61的延伸长度。

在本实用新型实施例中，多个所述导电凸起6可以规则或不规则地分布在所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上。其中，多个所述导电凸起6规则地分布在所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上，可以是指多个所述导电凸起6的形状相同且均匀地分布在所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上；多个所述导电凸起6不规则地分布在所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上，可以是指多个所述导电凸起6的形状各异且无序地分布在所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上。在本实施例中，所述导电凸起6的形状相同，和/或，所述导电凸起6的间距相同。优选地，多个所述导电凸起6的形状不相同，多个所述导电凸起6不是均匀分布在屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上。此外，所述屏蔽层3至少一面为起伏结构，例如所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面为起伏结构，这样可以改善所述屏蔽层3的弯折性能，并能够增强所述屏蔽层3的靠近所述胶膜层4的一面对胶膜层4的刺穿能力，而且还能够提高所述屏蔽层3的该面的容胶能力。在具体实施当中，可以先形成屏蔽层3，然后再通过其他工艺在所述屏蔽层3上形成导电凸起6。当然，所述屏蔽层3和所述导电凸起6还可以是通过一次成型工艺形成的整体结构。

优选地，所述导电凸起6可以是由多个导电颗粒(图未示)团簇组成的。所述导体颗粒的形状可以为团簇状、挂冰状、钟乳石状、树枝状等其他形状。此外，本实用新型实施例中的导体颗粒并不受图示及上述形状的限制，只要是具有刺穿及导电功能的导体颗粒，均在本实用新型的保护范围之内。

在本实用新型实施例中，所述导体颗粒包括金属颗粒、碳纳米管颗粒和铁氧体颗粒中的一种或多种。此外，所述金属颗粒包括单金属颗粒和/或合金颗粒；其中，所述单金属颗粒由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成，所述合金颗粒由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。需要说明的是，所述导体颗粒可以与所述屏蔽层3的材料相同，也可以不相同。

需要说明的是，本实施例的所述屏蔽层3可为单层结构或多层结构。当所述屏蔽层3为单层时，该层所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上可以设有导体颗粒；当所述屏蔽层3为多层时，每一层所述屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上还可以设有导体颗粒。另外，根据实际生产和应用的需要，本实施例的所述屏蔽层3可设置为网格状、发泡状等。

在本实用新型实施例中，为了进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层连接，本实施例中的所述胶膜层4包括含有导电粒子的黏着层。通过所述胶膜层4包括含有导电粒子的黏着层，以提高所述胶膜层4的导电能力，从而进一步确保了所述电磁屏蔽膜与线路板的地层连接。当然，所述胶膜层4可以包括不含导电粒子的黏着层，以降低带有所述电磁屏蔽膜的线路板的插入损耗，从而在提高屏蔽效能的同时改善线路板的抗弯折性。

需要说明的是，所述导电粒子可以为相互分离的导电粒子，也可以为团聚而成的大颗粒导电粒子；当所述导电粒子为相互分离的导电粒子时，可进一步提高所述胶膜层4的接地导通性；而当所述导电粒子为团聚而成的大颗粒导电粒子时，可增加刺穿强度。

本实施例中的所述电磁屏蔽膜还包括保护膜层(图未示)，所述保护膜层设于所述胶膜层4远离所述屏蔽层3的一面上。由于所述保护膜层具有保护作用，以保证所述绝缘层2在使用过程中不被划伤破损，从而维持所述屏蔽层3的高屏蔽效能。当需要将电磁屏蔽膜贴合到线路板上时，可以将保护膜层撕掉。其中，所述保护膜层包括PPS薄膜层、PEN薄膜层、聚酯薄膜层、聚酰亚胺薄膜层、环氧树脂油墨固化后形成的膜层、聚氨酯油墨固化后形成的膜层、改性丙烯酸树脂固化后形成的膜层或聚酰亚胺树脂固化后形成的膜层。

此外，需要说明的是，所述绝缘层2的靠近所述屏蔽层3的一面的粗糙度Sdr大于0.1％，这样在将电磁屏蔽膜压合到线路板上前，还能够保证所述屏蔽层3的远离所述绝缘层2的一面具有的对应的粗糙度不会刺穿保护膜层，从而避免电磁屏蔽膜的产品外观受损。

具体地，当所述电磁屏蔽膜包括载体层1、绝缘层2、屏蔽层3、胶膜层4及保护膜层时，所述电磁屏蔽膜的制备方法包括：

1)准备载体层1；

2)在载体层1的一面上形成绝缘层2；

3)在绝缘层2的远离载体层1的一面上形成屏蔽层3；

4)在屏蔽层3的远离绝缘层2的一面上涂覆胶而形成胶膜层4；

5)在胶膜层4的远离屏蔽层3的一面上贴合保护膜层。

为便于对上述实用新型方案的理解，在此，提供以下五个具体实施方式并对这些具体实施方式进行测试：

实施例一：

一种电磁屏蔽膜，包括绝缘层2、屏蔽层3及胶膜层4；所述屏蔽层3形成于所述绝缘层2的一面上，所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的远离所述绝缘层2的一面上；所述绝缘层2的形成有所述屏蔽层3的一面的粗糙度Sdr为0.1％；所述胶膜层4的胶克重为0.01克每平方分米。

测试结果：经过测试，本实施例的电磁屏蔽膜在压合到线路板的过程中起边缘的胶溢出的长度小于78微米，且电阻测试说明：选取测试板(模拟测试设计的线路板)，其中测试板上的开窗(开窗为圆形的)大小为1mm，两个开窗之间的距离为1.5mm，将屏蔽膜贴合在测试板上，然后采用TH2512型智能直流低电阻测试仪进行测试，测得电阻小于70mΩ。

由此可见，通过应用本实施例的所述电磁屏蔽膜，能够有效避免出现电磁屏蔽膜在压合到线路板的过程中边缘出现胶溢出的问题，屏蔽层与线路板的地层能够有效电连接，能够有效地提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。

实施例二：

一种电磁屏蔽膜，包括绝缘层2、屏蔽层3及胶膜层4；所述屏蔽层3形成于所述绝缘层2的一面上，所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的远离所述绝缘层2的一面上；所述绝缘层2的形成有所述屏蔽层3的一面的粗糙度Sdr为0.1％，所述胶膜层4的胶克重参数为1克每平方分米。

测试结果：经过测试，本实施例的电磁屏蔽膜在压合到线路板的过程中起边缘的胶溢出的长度小于234微米，且所述屏蔽层3与线路板的地层两者之间的接地电阻小于345mΩ，测试方法同实施例一。

由此可见，通过应用本实施例的所述电磁屏蔽膜，能够有效避免出现电磁屏蔽膜在压合到线路板的过程中边缘出现胶溢出的问题，屏蔽层与线路板的地层能够有效电连接，能够有效地提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。

实施例三：

一种电磁屏蔽膜，包括绝缘层2、屏蔽层3及胶膜层4；所述屏蔽层3形成于所述绝缘层2的一面上，所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的远离所述绝缘层2的一面上；所述绝缘层2的形成有所述屏蔽层3的一面的粗糙度Sdr为96％，所述胶膜层4的胶克重参数为0.01克每平方分米。

测试结果：经过测试，本实施例的电磁屏蔽膜在压合到线路板的过程中起边缘的胶溢出的长度小于36微米，且所述屏蔽层3与线路板的地层两者之间的接地电阻小于45mΩ，测试方法同实施例一。

由此可见，通过应用本实施例的所述电磁屏蔽膜，能够有效避免出现电磁屏蔽膜在压合到线路板的过程中边缘出现胶溢出的问题，屏蔽层与线路板的地层能够有效电连接，能够有效地提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。

实施例四：

一种电磁屏蔽膜，包括绝缘层2、屏蔽层3及胶膜层4；所述屏蔽层3形成于所述绝缘层2的一面上，所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的远离所述绝缘层2的一面上；所述绝缘层2的形成有所述屏蔽层3的一面的粗糙度Sdr为96％，所述胶膜层4的胶克重参数为1克每平方分米。

测试结果：经过测试，本实施例的电磁屏蔽膜在压合到线路板的过程中起边缘的胶溢出的长度小于146微米，且所述屏蔽层3与线路板的地层两者之间的接地电阻小于213mΩ，测试方法同实施例一。

由此可见，通过应用本实施例的所述电磁屏蔽膜，能够有效避免出现电磁屏蔽膜在压合到线路板的过程中边缘出现胶溢出的问题，屏蔽层与线路板的地层能够有效电连接，能够有效地提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。

实施例五：

一种电磁屏蔽膜，包括绝缘层2、屏蔽层3及胶膜层4；所述屏蔽层3形成于所述绝缘层2的一面上，所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的远离所述绝缘层2的一面上；所述绝缘层2的形成有所述屏蔽层3的一面的粗糙度Sdr为48％，所述胶膜层4的胶克重参数为0.1克每平方分米。

测试结果：经过测试，本实施例的电磁屏蔽膜在压合到线路板的过程中起边缘的胶溢出的长度小于90微米，且所述屏蔽层3与线路板的地层两者之间的接地电阻小于197mΩ，测试方法同实施例一。

由此可见，通过应用本实施例的所述电磁屏蔽膜，能够有效避免出现电磁屏蔽膜在压合到线路板的过程中边缘出现胶溢出的问题，屏蔽层与线路板的地层能够有效电连接，能够有效地提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。

实施例六：

一种电磁屏蔽膜，包括绝缘层2、屏蔽层3及胶膜层4；所述屏蔽层3形成于所述绝缘层2的一面上，所述胶膜层4设于所述屏蔽层3的远离所述绝缘层2的一面上；所述绝缘层2的形成有所述屏蔽层3的一面的粗糙度Sdr为2366％，所述胶膜层4的胶克重参数为0.202克每平方分米。

测试结果：经过测试，本实施例的电磁屏蔽膜在压合到线路板的过程中起边缘的胶溢出的长度小于63微米，且所述屏蔽层3与线路板的地层两者之间的接地电阻小于75mΩ，测试方法同实施例一。

由此可见，通过应用本实施例的所述电磁屏蔽膜，能够有效避免出现电磁屏蔽膜在压合到线路板的过程中边缘出现胶溢出的问题，屏蔽层与线路板的地层能够有效电连接，能够有效地提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。应当得知的是，本方案中的绝缘层2靠近屏蔽层3一面的粗糙度Sdr仅是一个示例，实际的数值还可以更大，在此不一一举例说明。

总体而言，所述绝缘层的靠近所述屏蔽层的一面的粗糙度Sdr大于0.1％；且所述胶膜层的胶克重为0.01-1克每平方分米，均可以达到以上效果，例如，所述胶膜层的胶克重为0.01、0.02、0.05、0.07、0.1、0.2、0.5、0.7、1克每平方分米。

参见图5，本实用新型另一实施例还提供了一种线路板，其包括线路板本体8及上述任一实施例所述的电磁屏蔽膜；所述电磁屏蔽膜通过所述胶膜层4与所述线路板本体8相压合；所述屏蔽层3的所述粗糙面刺穿所述胶膜层4并与所述线路板本体8的地层电连接。

优选地，所述线路板本体8为挠性单面、挠性双面、挠性多层板、刚挠结合板中的一种。

在本实用新型实施例中，所述屏蔽层3粗糙面在所述电磁屏蔽膜与所述线路板本体8压合时能够刺穿所述胶膜层4并与线路板本体8的地层连接，从而确保了所述屏蔽层3与线路板本体8的地层连接，从而实现将所述屏蔽层3和所述屏蔽层3中的干扰电荷导入地中，避免了干扰电荷的积聚而形成干扰源影响线路板的正常工作。

具体而言，本实用新型实施例的线路板应用有的所述电磁屏蔽膜具有以下有益效果：由于所述屏蔽层3是形成于所述绝缘层2的一面上的，且所述绝缘层2的靠近所述屏蔽层3的一面的粗糙度Sdr大于0.1％，这样所述屏蔽层3的远离所述绝缘层2的一面也具有对应的粗糙度并在将电磁屏蔽膜压合到线路板上时能够刺穿胶克重为0.01-1克每平方分米的所述胶膜层，从而能够使得屏蔽层3能够与所述线路板的地层接触连接，这样能够有效地将屏蔽层3的干扰电荷导入到线路板的地层，从而有效提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。并且在将电磁屏蔽膜压合到线路板上时，能够让胶克重为0.01-1克每平方分米的胶膜层4中的胶类物质被挤压到屏蔽层3的远离所述绝缘层的一面的凹陷位置中，不容易出现胶类物质大量移动向线路板的边缘而导致在电磁屏蔽膜与线路板之间的边缘出现明显的胶溢出问题，从而能够使得压合屏蔽膜后的线路板具有良好的外观。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域技术的技术人员在本实用新型公开的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，包括绝缘层、屏蔽层及胶膜层；

所述屏蔽层形成于所述绝缘层的一面上，所述胶膜层设于所述屏蔽层的远离所述绝缘层的一面上；

所述绝缘层的靠近所述屏蔽层的一面的粗糙度Sdr大于0.1％；所述胶膜层的胶克重为0.01-1克每平方分米。

2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述绝缘层的靠近所述屏蔽层的一面的粗糙度Sdr为0.1％-7800％。

3.根据权利要求2所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述绝缘层的靠近所述屏蔽层的一面的粗糙度Sdr为2％-1800％。

4.根据权利要求2所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽层的一面的粗糙度Sdr为30％-100％。

5.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述绝缘层的靠近所述屏蔽层的一面的粗糙度Sdr与所述屏蔽层的厚度的比例为0.125-2。

6.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Sdr为0.1％-560％。

7.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Rz为0.5-15微米。

8.根据权利要求7所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述胶膜层的算术平均厚度与所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面的粗糙度Rz的比例大于或等于1/4。

9.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽层的靠近所述胶膜层的一面上设有导电凸起，所述屏蔽层的所述一面上平均每平方厘米设有的凸起高度大于3um的导电凸起的数量为1-1000个。

10.一种线路板，其特征在于，包括线路板本体及如权利要求1-9任一项所述的电磁屏蔽膜；所述电磁屏蔽膜通过所述胶膜层与所述线路板本体相压合；所述屏蔽层的远离所述绝缘层的一面刺穿所述胶膜层并与所述线路板本体的地层电连接。

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