CN105860939B - 高导热石墨烯薄膜的制备方法及基于该薄膜的散热方法 - Google Patents

高导热石墨烯薄膜的制备方法及基于该薄膜的散热方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种高导热石墨烯薄膜的制备方法，包括以下步骤：将氧化石墨烯制备成氧化石墨烯溶液，并将制得的氧化石墨烯溶液涂布到辅助基板表面；蒸干所述辅助基板表面的氧化石墨烯溶液，以获得氧化石墨烯薄膜；将带有氧化石墨烯薄膜的辅助基板置入含有还原剂的水溶液中以还原所述氧化石墨烯薄膜的表面，使其从辅助基板上脱离；对脱离的氧化石墨烯薄膜进行热处理，以使其完全还原成石墨烯薄膜；对完全还原的石墨烯薄膜进行碾压处理以提高其密度，从而得到高导热石墨烯薄膜。本发明的制备方法能够获得具备良好的柔性和机械强度以及极高的横向热导率的石墨烯薄膜。

Description

高导热石墨烯薄膜的制备方法及基于该薄膜的散热方法
技术领域
本发明涉及大功率器件表面散热领域，尤其涉及一种高导热石墨烯薄膜的制备方法及基于该薄膜的散热方法。
背景技术
随着微电子系统的不断集成化和高功率化，集成芯片和设备的散热也变成了一个急需解决的问题。为了寻找高导热的、经济的、环境友好的解决方案，工业领域和科研界投入了大量的努力去研究各种新型的散热材料。在所有散热材料当中，石墨烯因其独特的二维结构变得尤其令人瞩目，其蜂窝状碳结构组成的单层或者多层石墨结构使得石墨烯具备极高的横向热导率。同时大量文献报道了关于使用石墨烯在散热方面的研究及应用，例如，将通过化学气相沉积法制备的单层石墨烯薄膜应用到热点的表面用作散热片可以表现出一定的降温效应。然而，由于此过程的低效率、复杂性以及相对较高的成本，使得这种应用具有一定的局限性。此外，石墨烯和聚合物的复合材料同样也被制备出来并且已应用在散热领域，然而此种复合材料的热导率往往不高，这是因为石墨烯颗粒之间存在较为严重的声子散射的原因。
发明内容
针对上述现有技术的不足，本发明一方面提供一种具有高导热率的石墨烯薄膜的制备方法，
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种高导热石墨烯薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)将氧化石墨烯制备成氧化石墨烯溶液，并将制得的氧化石墨烯溶液涂布到辅助基板表面；
(2)蒸干所述辅助基板表面的氧化石墨烯溶液，以获得氧化石墨烯薄膜；
(3)将带有氧化石墨烯薄膜的辅助基板置入含有还原剂的水溶液中以还原所述氧化石墨烯薄膜的表面，使其从辅助基板上脱离；
(4)对脱离的氧化石墨烯薄膜进行热处理，以使其完全还原成石墨烯薄膜；
(5)对完全还原的石墨烯薄膜进行碾压处理以提高其密度，从而得到高导热石墨烯薄膜。
优选地，所述步骤(1)中制得的氧化石墨烯溶液的浓度为2～10mg/mL。
优选地，所述步骤(2)在50～100℃的温度下蒸干所述辅助基板表面的氧化石墨烯溶液。
优选地，所述步骤(3)中的还原剂包括以下还原剂中的任何一种或多种：氢碘酸、水合肼、维生素c以及硼氢化钠。
优选地，所述步骤(3)中还原所述氧化石墨烯薄膜表面的还原时间为2～24小时，还原温度为10～100℃。
优选地，所述步骤(4)中的热处理步骤包括将所述氧化石墨烯薄膜置于电弧炉中，并使其在氩气环境下以每小时500～1000℃的加热速率加热到1000～3000℃后保持0.5～3小时。
优选地，所述步骤(5)将石墨烯薄膜的密度提高至2～2.3g/cm3。
本发明另一方面提供一种基于前述高导热石墨烯薄膜的散热方法，用于实现应用基板的快速散热，包括以下步骤：
(A)制备包含第一部分和第二部分的氨基化硅烷分子功能层，其中所述第一部分是由活化剂和氧化石墨烯混合而成的活化氧化石墨烯溶液，所述第二部分是体积浓度为10～60％的氨基化硅烷分子乙醇溶液；
(B)将所述第一部分涂布在所述高导热石墨烯薄膜的表面，将所述第二部分涂布在应用基板的表面；
(C)当所述高导热石墨烯薄膜表面的第一部分和所述应用基板表面的第二部分中的溶剂挥发后，将涂布有第一部分的所述高导热石墨烯薄膜表面倒置在涂布有第二部分的应用基板表面，并进行固化处理，然后通过所述高导热石墨烯薄膜实现应用基板的散热。
优选地，所述步骤(A)中的所述活化剂为N,N-二环己基碳二亚胺，其中，所述活化剂和氧化石墨烯的质量比为1:5。
优选地，所述步骤(C)中固化处理的固化温度范围在50～100℃之间，固化时间为5～60分钟。
本发明的有益效果在于：相比于现有技术中的单层石墨烯或者石墨烯聚合物复合材料，采用本发明的制备方法制得的高导热石墨烯薄膜是由石墨烯纳米薄片构成的具有微米级别厚度的薄膜结构，在这种结构中，石墨烯呈现出横向排列从而形成层状结构，这使得石墨烯薄膜具备良好的柔性和机械强度以及极高的横向热导率(大于2000W/mK)。这些优秀的性能使得石墨烯薄膜可以作为一种散热材料用于水平方向快速分散热点的热量。此外，在采用石墨烯薄膜对应用基板进行散热时，为了降低应用基板和石墨烯薄膜之间的界面热阻，本发明提出了利用氨基化硅烷分子功能层作为连接层来连接石墨烯薄膜与应用基板，该分子功能层可以在石墨烯薄膜和应用基板之间建立共价键，从而使得石墨烯薄膜的散热效率提高50％。这些性能展示了本发明的高导热石墨烯薄膜的制备方法及基于该薄膜的散热方法在大功率器件散热领域中的巨大潜力。
附图说明
图1为本发明的高导热石墨烯薄膜的制备方法的流程图；
图2为本发明的基于高导热石墨烯薄膜的散热方法的流程图；
图3为四种样品的芯片温度和热流密度关系曲线对比图；
图4为采用功能化氧化石墨烯和纯氧化石墨烯作为连接层的界面热阻测量结果对比图：(a)连接层位于Au-Cr与GBF之间，(b)连接层位于Au-Cr与SiO2之间；
图5为采用不同氨基化硅烷分子作为连接层时的热点温度降低曲线图。
具体实施方式
下面结合附图，给出本发明的较佳实施例，并予以详细描述。
在如图1所述的实施例中，本发明的高导热石墨烯薄膜的制备方法包括以下步骤：
(1)采用超声将氧化石墨烯均匀分散在水溶液中形成浓度为2～10mg/mL的氧化石墨烯溶液，将此氧化石墨烯溶液均匀地涂布到玻璃基板(也可以是其它合适材料的辅助基板)表面。
(2)将玻璃基板转移到烘箱当中，并在50～100℃的温度下完全蒸干玻璃基板表面的氧化石墨烯溶液以获得氧化石墨烯薄膜结构。
(3)将带有氧化石墨烯薄膜的玻璃基板转移到含有还原剂的水溶液中，以化学还原氧化石墨烯表面，从而使其从玻璃基板脱离而获得独立的、局部还原的氧化石墨烯薄膜，在本实施例中，还原时间为2～24小时，还原温度为10～100℃，用于还原氧化石墨烯的还原剂可以是氢碘酸、维生素c、硼氢化钠及水合肼等还原剂中的任何一种或多种。
(4)将局部还原的氧化石墨烯薄膜固定在两块表面抛光的石墨板中间，然后置于电弧炉中在氩气环境下以每小时500～1000℃的加热速率加热到1000～3000℃后保持0.5～3h，以使其彻底还原成石墨烯薄膜。
(5)将经过步骤(4)热处理后的石墨烯薄膜取出，并置于双辊机中进行碾压处理，使其密度提高到2～2.3g/cm3，，从而得到高导热石墨烯薄膜。
当采用上述高导热石墨烯薄膜对应用基板进行散热时，本发明提出了一种利用氨基化硅烷分子功能层作为连接层来连接石墨烯薄膜与应用基板从而降低两者之间的界面热阻的散热方法，如图2所示的实施例中，具体包括以下步骤：
(A)制备氨基化硅烷分子功能层，该功能层包含第一部分和第二部分且两部分溶液的体积优选一致。其中，第一部分是由活化剂和氧化石墨烯混合而成的活化氧化石墨烯溶液，第二部分是体积浓度为10～60％的氨基化硅烷分子乙醇溶液。在本实施例中，活化剂为N,N-二环己基碳二亚胺，活化剂和氧化石墨烯的质量比为1:5，氨基化硅烷分子包括3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-(叠氮丙基)三乙氧基硅烷、11-氨基十一烷基三甲氧基硅烷等。
(B)将前述制得的高导热石墨烯薄膜切割成适合于应用基板的大小尺寸，并且在其表面涂布氨基化硅烷分子功能层的第一部分，同时在应用基板的表面涂布氨基化硅烷分子功能层的第二部分。
(C)当石墨烯薄膜表面的第一部分和应用基板表面的第二部分中的溶剂在室温下挥发后，将涂布有第一部分的石墨烯基散热薄膜表面倒置在涂布有第二部分的应用基板表面，并在50～100℃下固化5～60分钟，最后便可以在应用基板表面获得由氨基化硅烷分子功能层作为连接层连接的高导热石墨烯薄膜，通过该高导热石墨烯薄膜即可实现应用基板的快速散热。
图3示出了以下四种样品的芯片温度和热流密度关系曲线：裸芯片、芯片表面只覆盖石墨烯薄膜(GBF)、芯片表面覆盖涂有氧化石墨烯的石墨烯薄膜(GBF+GO)、以及芯片表面覆盖有氨基化硅烷分子功能层连接的石墨烯薄膜(GBF+FGO)。从图中可以看出，芯片表面覆盖有氨基化硅烷分子功能层连接的石墨烯薄膜的样品表现出最低的芯片温度。
图4示出了采用氨基化硅烷分子功能层(FGO)和纯氧化石墨烯(GO)作为连接层的界面热阻测量对比结果，其中，(a)图中位于上方的曲线示出了FGO作为Au-Cr与GBF之间的连接层时的热阻测量结果，(a)图中位于下方的曲线示出了GO作为Au-Cr与GBF之间的连接层时的热阻测量结果；(b)图中位于上方的曲线示出了FGO作为Au-Cr与SiO2之间的连接层时的热阻测量结果，(b)图中位于下方的曲线示出了GO作为Au-Cr与SiO2之间的连接层时的热阻测量结果。从图中可以看出，作为连接层时，氨基化硅烷分子功能层相对于纯氧化石墨烯层表现出了较低的界面热阻。
图5示出了采用不同氨基化硅烷分子(即3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-(叠氮丙基)三乙氧基硅烷、11-氨基十一烷基三甲氧基硅烷)作为连接层来连接石墨烯薄膜与应用基板时的热点温度降低情况，其中如图所示，3-氨基丙基三乙氧基硅烷表现出了最佳的降温效果。
以上所述的，仅为本发明的较佳实施例，并非用以限定本发明的范围，本发明的上述实施例还可以做出各种变化。即凡是依据本发明申请的权利要求书及说明书内容所作的简单、等效变化与修饰，皆落入本发明专利的权利要求保护范围。本发明未详尽描述的均为常规技术内容。

Claims (8)

1.一种高导热石墨烯薄膜的散热方法，用于实现应用基板的快速散热，其特征在于，包括以下步骤：
(A)制备包含第一部分和第二部分的氨基化硅烷分子功能层，其中所述第一部分是由活化剂和氧化石墨烯混合而成的活化氧化石墨烯溶液，所述第二部分是体积浓度为10～60％的氨基化硅烷分子乙醇溶液；
(B)将所述第一部分涂布在所述高导热石墨烯薄膜的表面，将所述第二部分涂布在应用基板的表面；
(C)当所述高导热石墨烯薄膜表面的第一部分和所述应用基板表面的第二部分中的溶剂挥发后，将涂布有第一部分的所述高导热石墨烯薄膜表面倒置在涂布有第二部分的应用基板表面，并进行固化处理，然后通过所述高导热石墨烯薄膜实现应用基板的散热；
步骤(B)所述高导热石墨烯薄膜的制备方法包括如下步骤：
(1)将氧化石墨烯制备成氧化石墨烯溶液，并将制得的氧化石墨烯溶液涂布到辅助基板表面；
(2)蒸干所述辅助基板表面的氧化石墨烯溶液，以获得氧化石墨烯薄膜；
(3)将带有氧化石墨烯薄膜的辅助基板置入含有还原剂的水溶液中以还原所述氧化石墨烯薄膜的表面，使其从辅助基板上脱离；
(4)对脱离的氧化石墨烯薄膜进行热处理，以使其完全还原成石墨烯薄膜；
(5)对完全还原的石墨烯薄膜进行碾压处理以提高其密度，从而得到高导热石墨烯薄膜；
步骤(A)中的所述活化剂为N,N-二环己基碳二亚胺，其中，所述活化剂和氧化石墨烯的质量比为1:5；
所述步骤(A)中的所述氨基化硅烷分子包括3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-(叠氮丙基)三乙氧基硅烷或11-氨基十一烷基三甲氧基硅烷。
2.根据权利要求1所述的高导热石墨烯薄膜的散热方法，其特征在于，所述步骤(1)中制得的氧化石墨烯溶液的浓度为2～10mg/mL。
3.根据权利要求1所述的高导热石墨烯薄膜的散热方法，其特征在于，所述步骤(2)在50～100℃的温度下蒸干所述辅助基板表面的氧化石墨烯溶液。
4.根据权利要求1所述的高导热石墨烯薄膜的散热方法，其特征在于，所述步骤(3)中的还原剂包括以下还原剂中的任何一种或多种：氢碘酸、水合肼、维生素c以及硼氢化钠。
5.根据权利要求1所述的高导热石墨烯薄膜的散热方法，其特征在于，所述步骤(3)中还原所述氧化石墨烯薄膜表面的还原时间为2～24小时，还原温度为10～100℃。
6.根据权利要求1所述的高导热石墨烯薄膜的散热方法，其特征在于，所述步骤(4)中的热处理步骤包括将所述氧化石墨烯薄膜置于电弧炉中，并使其在氩气环境下以每小时500～1000℃的加热速率加热到1000～3000℃后保持0.5～3小时。
7.根据权利要求1所述的高导热石墨烯薄膜的散热方法，其特征在于，所述步骤(5)将石墨烯薄膜的密度提高至2～2.3g/cm3。
8.根据权利要求1所述的高导热石墨烯薄膜的散热方法，其特征在于，所述步骤(C)中固化处理的固化温度范围在50～100℃之间，固化时间为5～60分钟。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106550585A (zh) * 2016-09-13 2017-03-29 华为机器有限公司 一种散热片及其制备方法和通信设备
CN106629675A (zh) * 2016-09-28 2017-05-10 上海理工大学 一种高导热柔性石墨烯薄膜的制备方法
CN106597737B (zh) * 2016-11-25 2019-11-29 华为机器有限公司 一种背光模组、显示装置和导热薄膜的制备方法
CN108203091B (zh) 2017-01-23 2019-01-18 常州富烯科技股份有限公司 一种连续制备石墨烯导热膜的方法
CN106986332B (zh) * 2017-05-04 2019-04-09 哈尔滨赫兹新材料科技有限公司 一种柔性高导电石墨烯薄膜的制备方法
CN107915220B (zh) * 2017-11-17 2021-02-09 合肥国轩高科动力能源有限公司 一种气液界面分离法转移石墨烯图案化薄膜的方法
CN108276615B (zh) * 2017-12-29 2020-05-19 华中科技大学 一种高导热层状石墨烯复合材料及制备方法
CN112236389A (zh) * 2018-04-03 2021-01-15 斯马特高科技有限公司 基于导热石墨烯的材料和用于制造其的方法
CN110145728B (zh) * 2019-03-08 2020-08-11 南京理工大学 一种强化散热复合结构及其制备方法
CN110077048B (zh) * 2019-05-16 2021-08-24 重庆云天化瀚恩新材料开发有限公司 一种石墨烯导热件及其制备方法
CN110718516B (zh) * 2019-10-09 2022-03-22 Oppo广东移动通信有限公司 散热膜及其制备方法、芯片组件和电子设备
CN111003706A (zh) * 2019-11-25 2020-04-14 苏州盈顺绝缘材料有限公司 一种石墨烯导热散热材料的制备方法
WO2022141180A1 (zh) * 2020-12-30 2022-07-07 杭州高烯科技有限公司 一种从基底上剥离氧化石墨烯纳米膜的方法
CN116553533B (zh) * 2023-05-09 2024-08-27 浙江道明超导科技有限公司 一种石墨烯密封材料的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103449423A (zh) * 2013-08-27 2013-12-18 常州第六元素材料科技股份有限公司 一种石墨烯导热膜及其制备方法
KR101424089B1 (ko) * 2014-03-14 2014-07-28 주식회사 에코인프라홀딩스 졸겔법과 산화 그래핀을 이용한 전도성 방열 그래핀 코팅재의 제조방법 및 동 방법으로 제조된 전도성 방열 그래핀 코팅재
CN104030275A (zh) * 2014-05-30 2014-09-10 上海应用技术学院 一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法
CN104609405A (zh) * 2015-01-09 2015-05-13 上海大学 一种竖直阵列石墨烯薄膜的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103449423A (zh) * 2013-08-27 2013-12-18 常州第六元素材料科技股份有限公司 一种石墨烯导热膜及其制备方法
KR101424089B1 (ko) * 2014-03-14 2014-07-28 주식회사 에코인프라홀딩스 졸겔법과 산화 그래핀을 이용한 전도성 방열 그래핀 코팅재의 제조방법 및 동 방법으로 제조된 전도성 방열 그래핀 코팅재
CN104030275A (zh) * 2014-05-30 2014-09-10 上海应用技术学院 一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法
CN104609405A (zh) * 2015-01-09 2015-05-13 上海大学 一种竖直阵列石墨烯薄膜的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Improved Heat Spreading Performance of Functionalized Graphene in Microelectronic Device Application";Yong Zhang 等;《Advanced Materials》;20150605;第25卷;第4430-4435页
"Large‐Area Freestanding Graphene Paper for Superior Thermal;Guoqing Xin等;《Advanced Materials》;20140311;第26卷;第4521-4526页

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TA01 Transfer of patent application right
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Effective date of registration: 20171127

Address after: 518108 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Shiyan street aucan Industrial Park 1 building room 703

Applicant after: Shenzhen city deep ruimo Technology Co. Ltd. Xi

Address before: 200072 new building, No. 149, science and technology building, No. 149, Yanchang Road, Shanghai

Applicant before: Shanghai Shang Da Rui Hu Microsystem Integration Technology Co., Ltd. (SMIT Ltd)

GR01 Patent grant
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Denomination of invention: Preparation method of high thermal conductivity graphene film and heat dissipation method based on the film

Effective date of registration: 20211117

Granted publication date: 20190430

Pledgee: Shenzhen hi tech investment small loan Co.,Ltd.

Pledgor: Shenzhen Shen Rui Graphene Technology Co.,Ltd.

Registration number: Y2021980012680