CN103999193A - 在衬底处理室中寄生等离子体的机械抑制 - Google Patents

在衬底处理室中寄生等离子体的机械抑制 Download PDF

Info

Publication number
CN103999193A
CN103999193A CN201280062473.3A CN201280062473A CN103999193A CN 103999193 A CN103999193 A CN 103999193A CN 201280062473 A CN201280062473 A CN 201280062473A CN 103999193 A CN103999193 A CN 103999193A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dielectric layer
gap
systems according
electrode
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201280062473.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103999193B (zh
Inventor
道格拉斯·凯尔
爱德华·奥古斯提尼亚克
卡尔·利泽
穆罕默德·萨布里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Novellus Systems Inc
Original Assignee
Novellus Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Novellus Systems Inc filed Critical Novellus Systems Inc
Publication of CN103999193A publication Critical patent/CN103999193A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103999193B publication Critical patent/CN103999193B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/3255—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

用于减少在半导体处理中寄生等离子体的减少等离子体的系统包括第一表面和被设置在电极和该第一表面之间的多个介电层。该第一表面与该电极具有显著不同的电势。该多个介电层限定了该电极与该多个介电层中的一个之间的第一间隙、该多个介电层中的相邻介电层之间的第二间隙、以及该多个介电层中的最后一个与该第一表面之间的第三间隙。选择该多个介电层的数目和该第一间隙、该第二间隙以及该第三间隙的尺寸以防止在该半导体处理期间该第一表面与该电极之间的寄生等离子体。

Description

在衬底处理室中寄生等离子体的机械抑制
相关申请的交叉引用
本申请要求于2011年11月23日提交的申请号为13/303,386美国发明申请的优先权和于2011年10月17日提交的申请号为61/547,962的美国临时申请的权益。上述申请的公开内容通过引用将其全部并入本文。
技术领域
本发明涉及处理室，并且更具体地涉及用于减少在等离子体增强半导体处理室中的寄生等离子体的系统和方法。
背景技术
本文提供的背景技术描述是为了总体上呈现本发明的上下文的目的。在本背景技术部分以及本说明书的各方面中所描述的范围内的目前署名的发明人的工作，在提交申请时不能作为现有技术的描述的方面，既没有明示也没有暗示地承认其作为相对于本发明的现有技术。
当在处理室中沉积薄膜于衬底上时，一些半导体处理系统可以使用等离子体。通常，衬底被设置在处理室中的基座上。为了使用化学气相沉积产生薄膜，通过喷头供应一种或多种前体到处理室中。
在处理过程中，可以供给射频(RF)功率至喷头或电极来产生等离子体。例如，可以供给RF功率至嵌入在基座台板中的电极，其可以由诸如陶瓷的非导电材料制成。基座的另一导电部分可以被连接到RF接地或另一显著不同的电势。
当电极由RF功率激发时，在衬底和喷头之间产生RF场以在晶片和喷头之间产生等离子体。当基座台板是由陶瓷制成时，该RF场也将出现在基座台板的下面和旁边并且引起寄生等离子体。如果可以降低穿透这些区域的电场，则在某些区域可以减少或消除寄生等离子体。一种减少或消除电场的方法是使用接地的RF屏蔽。然而，如果没有合理设计该RF屏蔽，它可产生低的接地RF阻抗路径。
一种防止过度的RF耦合至接地的方法是在接地与该电极之间使用固体介电层。然而，实现低耦合电容至接地所要求的该固体介电层的厚度一般是不实际的。
发明内容
用于减少在半导体处理中的寄生等离子体的减少等离子体的系统包括第一表面和被设置在电极和该第一表面之间的多个介电层。该第一表面与该电极具有显著不同的电势。该多个介电层限定了该电极与该多个介电层中的一个之间的第一间隙、该多个介电层中的相邻介电层之间的第二间隙、以及该多个介电层中的最后一个与该第一表面之间的第三间隙。选择该多个介电层的数目和该第一间隙、该第二间隙以及该第三间隙的尺寸以防止在半导体处理期间该第一表面和该电极之间的寄生等离子体。
在其它特征中，该第一表面包括接地导电结构。该多个介电层的径向外端之间设置多个屏障，以防止沉积前体物质侵入该多个介电层之间。该多个介电层中的每个的直径随着该电极与该多个介电层中相应的一个之间的距离的增加而减小。该多个介电层中的每个包括：具有在轴向方向上的第一厚度的径向内部和径向向外延伸并具有在轴向方向上的第二厚度的突起部。该第一厚度与该第二厚度之间的差等于所述第二间隙。半导体处理包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
在其它特征中，基座包括：该减少等离子体的系统、含有支撑衬底并且由非导电材料制成的基座台板的基座，和电极。该电极嵌入在基座台板中。在半导体处理过程中，连接接地导电结构至RF接地并且连接电极至RF偏置。
在其它特征中，套环被连接到第一表面和以及适配器被连接到该套环。第一表面、套环和适配器由铝制成。基座台板包含陶瓷，第一表面包含导电盘状物，电极包含线材网格以及多个介电层包含盘状物。
在其它特征中，喷头系统包括减少等离子体的系统。电极包括含有第一杆部和头部的喷头。该多个介电层包括与该头部相邻设置的M介电层和围绕该第一杆部设置的P介电部，其中M和P是大于1的整数。
在其它特征中，该接地导电结构包括围绕该第一杆部和该P介电部设置的第二杆部和从该第二杆部径向向外突出的盘状物部。在半导体处理过程中，连接该喷头至RF偏置以及连接接地导电结构至RF接地。
用于半导体处理的基座系统包括支撑衬底、由非导电材料制成并且含有嵌入其中的电极的基座台板。第一表面具有与该电极显著不同的电势。在该基座台板与第一表面之间设置N介电层，其中N是大于1的整数。该N介电层限定了该基座台板与该N介电层之间的第一间隙、该N介电层中相邻的介电层之间的第二间隙以及该N介电层与该第一表面之间的第三间隙。选择N和该第一间隙、该第二间隙和该第三间隙的尺寸以防止在半导体处理过程中在该第一表面与该电极之间的寄生等离子体。
用于半导体处理的喷头系统包括喷头。第一表面具有与该喷头显著不同的电势。介电结构包括多个间隔开的介电层并且被设置在该第一表面与该喷头之间。选择该多个间隔开的介电层的数目和该多个间隔开的介电层之间的间距以防止在半导体处理过程中该第一表面与该喷头之间的寄生等离子体。
下文中提供的详细描述将使本发明的进一步适用领域变得显而易见。应当理解的是，该详细描述和具体实施例旨在仅说明的目的而并非旨在限制本发明的范围。
附图说明
本发明将从该详细描述和该附图中得到更充分地理解，其中：
图1是半导体处理室的原理框图；
图2A是根据本发明的用于减少邻近基座的寄生等离子体的系统的侧剖视图；
图2B是根据本发明的介电层的平面图；
图3示出了根据本发明的用于减少PECVD处理中寄生等离子体的方法的实施例；
图4示出了根据本发明的用于减少邻近喷头的寄生等离子体的系统；以及
图5示出了根据本发明的用于减少邻近喷头的寄生等离子体的另一种系统。
具体实施方式
现在参考图1，半导体处理装置100包括处理室102。虽然所示的是等离子体增强化学气相沉积处理(PECVD)，但是可以使用其它的半导体处理。半导体处理装置100还包括喷头系统110以输送处理气体至处理室102。高频(HF)RF发生器120和低频(LF)RF发生器124通过匹配网络126连接到设置在基座系统134(图2中更详细地示出)的非导电部分130的内部的电极128。
基座系统134的另一部分135具有与电极128显著不同的电势。例如，该部分135可被连接到接地参考电位。交替地，该高频RF发生器120、该低频RF发生器124和该匹配网络126可连接至该喷头系统110。
通过匹配网络126供应的RF信号具有足以从处理气体产生等离子体的功率和频率。在典型的处理中，尽管也可以使用其它频率，该高频RF发生器120可以在2-60MHz的频率范围内工作。尽管也可以使用其它频率，该低频射频发生器124可以在100kHz-2MHz的频率范围内工作。尽管也可以使用其它功率电平，合适的功率电平可以包括：在约200-600W的低频功率以及在约100-1500W的高频功率。该处理室可以在约500毫乇-12乇的情况下进行操作。
基座系统134典型地包括卡盘、插销头(fork)或升降销(全部未示出)，以在沉积和/或等离子体处理反应期间容纳衬底136以及在沉积和/或等离子体处理反应之间传送衬底136。该卡盘可以是静电卡盘、机械卡盘或各种其它类型的卡盘。
处理气体经由入口142引入。多个处理气体线路132-1、132-2、132-3，连接到歧管150。处理气体可被预混合或没有预混合。采用适当的阀和质量流量控制机构(通常标识为144-1、144-2、144-3......)来确保在该处理的沉积阶段和等离子体处理阶段期间传送合适的气体。在一些实施例中，化学前体(s)最初以液体形式传送。仅作为示例，该液体可以在被加热到气化温度以上的歧管中被气化并与其它处理气体混合。处理气体经由出口160离开处理室102。真空泵164通过诸如阀166的限流装置通常将处理气体抽出处理室102并且保持该反应器内合适的低压。
根据本发明的用于减少寄生等离子体的系统可以是对现有系统的改造和/或在该半导体处理系统最初安装时实现。该系统抑制邻近RF供电表面(例如，在基座或喷头中的电极)不需要的(寄生)等离子体，同时提供从这些表面至接地的高阻抗路径。使用多个间隔开的介电层来产生高阻抗路径，该多个间隔开的介电层具有比使用固体介电层能实现的介电常数更低的介电常数。交替的间隙和介电层可以由诸如接地导电结构的具有显著不同的电势的表面而终止。
现在参考图2A，其进一步详细示出了图1中的基座系统134。基座系统134包括适配器220。套环230连接到适配器220。导电结构240连接到套环230并且被设置成大致平行于基座台板252。导电结构240可以是盘状的或另外的合适的形状。N介电层250-1、......和250-N(统称N介电层250)被设置在该导电结构240和该基座台板252之间，其中N是大于1的整数。该N介电层250被设置成平行于基座台板252。该N介电层250可以是盘状的或另外的合适的形状。在一些实施例中，该N介电层中的的每个的直径可随着离该电极的距离的增加而减小。
在一些实施例中，在该导电结构240与该N介电层250中的第一个之间、在该N介电层250中的相邻介电层之间以及在该N介电层250中的最后一个与该基座台板252之间提供间隙“g”。基座台板252可以由诸如陶瓷或其它合适的材料的非导电材料制成。在一些实施例中，N＝2，但也可以使用附加的或更少的介电盘。
可以在该基座台板252的顶表面上提供额外的表面254或“台面”。衬底136可以被设置在该基座台板252的上表面上或被设置在额外的表面254或台面上。基座台板252可以包括向下延伸穿过套环230的内圆柱部258的内圆柱部256。基座台板252可以包括从该内圆柱部258的底端径向向外延伸的凸缘部260。该凸缘部260可以与形成在该适配器220中的凹部262配合。在凹部262与凸缘部260之间可以设置诸如“O”形环的密封部266。
电极128可嵌入在基座台板252中。在一些实施例中，该电极128可以包括线材网格或间隔开的导体。在其它实施例中，导电结构240可以具有大于适配器220、大于衬底136和/或小于基座台板252的直径的直径。在一些实施例中，适配器220、套环230和导电结构240可以由诸如铝或另外的合适的导电材料的金属制成。
在一些实施例中，金属适配器220、套环230和导电结构240被连接到RF接地或被连接到与电极128显著不同的另一电势。N介电层250、适配器220、套环230和导电结构240的组合提供RF屏蔽，其减弱基座台板252下面的RF场。这反过来又显著减弱形成在基座台板252下面的等离子体密度。这种设计已被证明能将寄生等离子体密度减少到约1/5。
如果该RF“热”表面至接地的电容耦合太高，则邻近RF“热”表面(如导电结构280)的导电接地表面(如适配器220、套环230和/或导电结构240)的存在呈现问题。在一些实施例中，可以将至接地的耦合电容的值限制到小于100皮法(PF)。插入足够厚以提供低电容耦合(即，值小于100pF的)的电介质通常会导致非常厚的层(大小为若干厘米)，或者是不实际的或者实施起来非常昂贵。在一些实施例中，本发明使用在其之间具有间隙的该N介电层或者盘状物解决了这一问题，其中N是大于1的整数。
对应于该间隔开的N介电层的等效电路包括串联连接的多个电容器。等效电容器的串联连接的净电容比最低的电容值更低。对于图2A中所示的电介质堆叠，等效电容器的串联连接中最低电容将通常对应于与该N介电层250之间的间隙相关联的电容。
由于电介质堆叠中的RF场仍然非常高，导致等离子体形成(等离子体发光)可以发生在该N介电层250之间。在一些实施例中，选择间隙g使得其足够小以防止“大体积(bulk)”等离子体的形成。仅作为示例，当N＝2以及在通常使用的压强和功率电平时，该间隙g小于或等于3mm往往防止等离子体形成。然而，当N＝2时、当N＞2时或者当使用不同的压强或RF功率电平时，间隙g的尺寸可以被设定为其它值。对选定的物质和选定的处理条件(如温度、压强和RF功率和频率)，可以选择该间隙的尺寸以及介电层的数目以防止在半导体处理期间在介电层之间的等离子体的形成。
在一些实施例中，该N介电层250包括具有在轴向方向上的第一厚度的径向内部300和径向向外延伸并具有在轴向方向上的第二厚度的突起部302。该第一厚度和该第二厚度之间的差等于间隙g。
在一些实施例中，一个或多个屏障320可以设置在N介电层250的径向外端之间，以防止沉积前体物质侵入该N介电层250之间。虽然仅仅示出一个屏障，但额外的屏障可以设置在其它位置，以防止沉积前体侵入到该间隙中。仅作为示例，该屏障320可以由任何合适的不脱落颗粒的介电材料制成。屏障320往往降低用于产生难以清洁的位置的风险，其能导致在该N介电层250之间的膜的积累，能辐射颗粒进入该处理室102。
现在参考图2B，在一些实施例中，该N介电层250可以包括通常标识在340处的对准结构，例如一个或多个凹口、孔、突起或用于确保N介电层250的角度取向或时针方向不是任意的其它结构。此外，可以在N介电层250和/或导电结构240中提供一个或多个升降销孔350，以提供足够的间隙，从而使得升降销升降该衬底136。
现在参考图3，示出了用于减少寄生等离子体的形成的方法400。在404中，将电极128嵌入在基座台板252中。在408中，连接电极128到RF偏置。在412中，与基座台板252相邻设置N介电层250。在414中，与N介电层250相邻设置导电结构240或者具有显著不同的电势的另外的表面。在416中，连接导电结构240到具有另一电势的RF接地。在420中，在处理期间，例如在PECVD处理中的薄膜的沉积过程中，施加RF偏置到电极128。
现在参考图4，根据本发明的系统是用来减少可能发生在喷头500附近的寄生等离子体的。喷头500包括头部504和杆部506。与该头部504相邻水平设置M介电层510-1、......和510-M(统称为M介电层510)。该M介电层510可以是盘状的。
与该杆部506相邻垂直设置P介电部520-1、......520-P(统称为P介电部520)。与该M介电层510和该P介电层520相邻设置导电部530。该导电部530可以包括圆柱形杆部534和从该圆柱形杆部534的一端径向向外突出的盘状物部538。
在一些实施例中，该P介电层520可以具有圆柱形的横截面以及该M介电层510具有类似于在图2B中所示的盘状形状。该喷头500连接到RF源，如在图1中所示的RF发生器120和124以及匹配网络126或任何其它合适的RF源。导电部530可以被连接至接地或被连接到另一个显著不同的电势。图4中的RF屏蔽系统往往降低邻近该喷头500上表面的寄生等离子体的形成。在如上所述的该M介电层510与P介电层520之间限定间隙。对选定的物质和选定的处理条件(如温度、压强和RF功率和频率)，可以选择该间隙的尺寸以及介电层的数目以防止在半导体处理期间在介电层之间的等离子体的形成。
现在参考图6，根据本发明的另一个系统是用来减少可能发生在喷头500附近的寄生等离子体的。喷头600包括头部604和杆部606。基座620设置在喷头600下方。通常标识在632处的卡盘、插销头或升降销，在沉积和/或等离子体处理反应期间容纳衬底628以及在沉积和/或等离子体处理反应之间传送衬底628。
第一支撑部644被连接到处理室的顶部646。该第一支撑部644被设置邻近该喷头600的杆部606。该处理室的顶部646或处于不同电势的其它表面被设置邻近该喷头600的头部604。多个介电层或盘状物650被设置在头部604和顶部646之间。第一间隙652被限定在该头部604与该多个介电层650中的第一个之间。第二间隙654被限定在该多个介电层650中的相邻介电层之间。第三间隙656被限定在该多个介电层650中的最后一个与该支撑部648之间。
在一些实施例中，喷头600的头部604和杆部606可以由导电材料制成，并且可以被连接到RF偏置源。第一支撑部分644可以由绝缘材料制成。基座620可以由导电材料制成，并且可以被连接到接地参考电势。如可以理解的，处理室的顶部646具有与该喷头600显著不同的电势。因此，寄生等离子体可以形成在该喷头与处理室的顶部之间的间隙中。
根据本发明，该多个介电层由间隙隔开，并被设置在喷头与处理室的顶部之间，以消除否则将产生的寄生等离子体。如同前面的实施例中，对选定的物质和选定的处理条件(如温度、压强和RF功率和频率)，选择该间隙652、654和656的尺寸以及介电层的数目以防止在半导体处理期间在喷头600与处理室的顶部646之间的等离子体的形成。
前面的描述在本质上仅仅是说明性的，并且决不旨在限制本发明、其应用或用途。本发明的广泛教导可以以各种形式来实现。因此，尽管本发明包括具体的实施例，但是本发明的真实范围不应当受此限制，因为其它的变化方案根据附图、说明书和下面的权利要求的研究将变得显而易见。为清楚起见，在附图中将使用相同的附图标记以标识类似的元件。如本文所用，短语A、B和C中的至少一个应该被解释为表示使用非排他性的逻辑或(OR)的逻辑(A或B或C)。应当理解的是，可以以不同的顺序(或同时)执行在方法中的一个或多个步骤而不改变本发明的原理。

Claims (34)

1.一种用于减少半导体处理中寄生等离子体的系统，其包括：
第一表面；以及
被设置在电极与所述第一表面之间的多个介电层，
其中所述第一表面与所述电极具有显著不同的电势，
其中所述多个介电层限定了：
所述电极与所述多个介电层中的一个之间的第一间隙，
所述多个介电层中的相邻介电层之间的第二间隙，以及
所述多个介电层中的最后一个与所述第一表面之间的第三间隙，以及
其中选择所述多个介电层的数目以及所述第一间隙、所述第二间隙与所述第三间隙的尺寸以防止在所述半导体处理期间在所述第一表面与所述电极之间的寄生等离子体。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一表面包括接地导电结构。
3.根据权利要求1所述的系统，其还包括设置在所述多个介电层的径向外端之间的屏障，以防止沉积前体物质侵入所述多个介电层之间。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个介电层中的每个的直径随着所述电极与所述多个介电层中的相应的一个之间的距离的增加而减小。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个介电层中的每个包括具有在轴向方向上的第一厚度的径向内部和径向向外延伸并具有在所述轴向方向上的第二厚度的突起部。
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述第一厚度与所述第二厚度之间的差等于所述第二间隙。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述半导体处理包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
8.一种基座系统，其包括：
根据权利要求2所述的系统；以及
含有支撑衬底的并且由非导电材料制成的基座台板的基座，
所述电极，其中所述电极被嵌入在所述基座台板中。
9.根据权利要求8所述的基座系统，其中在所述半导体处理期间，所述接地导电结构被连接至RF接地并且所述电极被连接到RF偏置。
10.根据权利要求8所述的基座系统，其还包括：
连接到所述第一表面的套环；以及
连接到所述套环的适配器。
11.根据权利要求10所述的基座系统，其中所述第一表面、所述套环和所述适配器由铝制成。
12.根据权利要求8所述的基座系统，其中所述基座台板包括陶瓷，所述第一表面包括导电盘状物，所述电极包括线材网格以及所述多个介电层中的每个包括盘状物。
13.一种喷头系统，其包括：
根据权利要求2所述的系统，
其中所述电极包括含有第一杆部和头部的喷头，以及
其中所述多个介电层包括：
与所述头部相邻设置的M介电层；以及
围绕所述第一杆部设置的P介电部，其中M和P是大于1的整数。
14.根据权利要求13所述的喷头系统，其中所述接地导电结构包括：
围绕所述第一杆部以及所述P介质部设置的第二杆部；以及
从所述第二杆部径向向外突出的盘状物部。
15.根据权利要求13所述的喷头系统，其中在所述半导体处理期间，所述喷头被连接到RF偏置并且所述接地导电结构被连接至RF接地。
16.一种用于半导体处理的基座系统，其包括：
支撑衬底的、由非导电材料制成的并且包括嵌入其中的电极的基座台板；
具有与所述电极显著不同的电势的第一表面；
设置在所述基座台板与所述第一表面之间的N介电层，其中N是大于1的整数；以及
其中所述N介电层限定了：
所述基座台板与所述N介电层之间的第一间隙，
所述N介电层中的相邻介电层之间的第二间隙，以及
所述N介电层与所述第一表面之间的第三间隙，以及
其中选择N以及所述第一间隙、所述第二间隙与所述第三间隙的尺寸，以防止在所述半导体处理期间在所述第一表面与所述电极之间的寄生等离子体。
17.根据权利要求16所述的基座系统，其中在所述半导体处理期间，所述电极被连接到RF偏置并且所述第一表面被连接至RF接地。
18.根据权利要求16所述的基座系统，其还包括：
连接到所述第一表面的套环；以及
连接到所述套环的适配器。
19.根据权利要求18所述的基座系统，其中所述第一表面、所述套环和所述适配器由铝制成。
20.根据权利要求16所述的基座系统，其中所述基座台板包括陶瓷并且其中所述电极包括线材网格。
21.根据权利要求16所述的基座系统，其中选择N和所述第二间隙的宽度以防止所述N介电层之间的等离子体的形成。
22.根据权利要求16所述的基座系统，其中所述N介电层包括具有在轴向方向上的第一厚度的径向内部和径向向外延伸并具有在轴向方向上的第二厚度的突起部，并且其中所述第一厚度与所述第二厚度之间的差等于所述第二间隙。
23.根据权利要求16所述的基座系统，其中所述基座台板具有比所述Ｎ介电层的直径大的直径，并且其中所述Ｎ介电层具有比所述第一表面大的直径。
24.根据权利要求16所述的基座系统，其还包括设置在所述Ｎ介电层的径向外端之间的屏障。
25.一种用于半导体处理的喷头，其包括：
喷头；
具有与所述喷头显著不同的电势的第一表面；以及
含有多个间隔开的介电层并且被设置在所述第一表面与所述喷头之间的介电结构，
其中选择所述多个间隔开的介电层的数目以及所述多个间隔开的介电层之间的间距以防止在所述半导体处理期间在所述第一表面与所述喷头之间的寄生等离子体。
26.根据权利要求25所述的喷头系统，其中所述喷头包括第一杆部和头部。
27.根据权利要求26所述的喷头系统，其中所述多个间隔开的介电层包括被设置成与所述头部相邻并围绕所述第一杆部的Ｍ介电层。
28.根据权利要求25所述的喷头系统，其中所述第一表面包括处理室的表面。
29.根据权利要求27所述的喷头系统，其中所述多个间隔开的介电层还包括围绕所述喷头的所述第一杆部的Ｐ介电层。
30.根据权利要求29所述的喷头系统，其中所述第一表面包括：
围绕所述P介电层与所述喷头的所述第一杆部的第二杆部；以及
从所述第二杆部的一端径向向外突出并且与所述M介电层相邻设置的盘状物部。
31.根据权利要求30所述的喷头系统，其中
所述M介电层提供了所述喷头与所述M介电层之间的第一间隙、所述M介电层中的相邻介电层之间的第二间隙以及所述M介电层与所述第一表面之间的第三间隙；以及
所述P介电层提供了所述喷头与所述P介电层之间的第四间隙、所述P介电层中的相邻介电层之间的第五间隙以及所述P介电层与所述第一表面之间的第六间隙。
32.根据权利要求25所述的喷头系统，其中在所述半导体处理期间，所述喷头被连接到RF偏置。
33.根据权利要求25所述的喷头系统，其中所述半导体处理包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
34.根据权利要求27所述的喷头系统，其还包括设置在所述M介电层的径向外端之间的屏障，以防止沉积前体物质侵入所述M介电层之间。
CN201280062473.3A 2011-10-17 2012-08-29 在衬底处理室中寄生等离子体的机械抑制 Active CN103999193B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161547962P 2011-10-17 2011-10-17
US61/547,962 2011-10-17
US13/303,386 2011-11-23
US13/303,386 US10224182B2 (en) 2011-10-17 2011-11-23 Mechanical suppression of parasitic plasma in substrate processing chamber
PCT/US2012/052789 WO2013058872A1 (en) 2011-10-17 2012-08-29 Mechanical suppression of parasitic plasma in substrate processing chamber

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103999193A true CN103999193A (zh) 2014-08-20
CN103999193B CN103999193B (zh) 2016-08-17

Family

ID=48085102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280062473.3A Active CN103999193B (zh) 2011-10-17 2012-08-29 在衬底处理室中寄生等离子体的机械抑制

Country Status (6)

Country Link
US (4) US10224182B2 (zh)
JP (1) JP6271436B2 (zh)
KR (2) KR102137922B1 (zh)
CN (1) CN103999193B (zh)
TW (1) TWI575633B (zh)
WO (1) WO2013058872A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105428194A (zh) * 2014-09-12 2016-03-23 朗姆研究公司 抑制寄生等离子体和减少晶片内非均匀性的系统和方法
CN107210180A (zh) * 2015-02-13 2017-09-26 应用材料公司 具有改善的rf返回的基板支撑件
CN107479272A (zh) * 2016-06-08 2017-12-15 三星显示有限公司 显示装置

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10224182B2 (en) 2011-10-17 2019-03-05 Novellus Systems, Inc. Mechanical suppression of parasitic plasma in substrate processing chamber
US9484233B2 (en) 2012-04-13 2016-11-01 Novellus Systems, Inc. Carousel reactor for multi-station, sequential processing systems
US9388494B2 (en) 2012-06-25 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region
US9399228B2 (en) * 2013-02-06 2016-07-26 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for purging and plasma suppression in a process chamber
US9449795B2 (en) * 2013-02-28 2016-09-20 Novellus Systems, Inc. Ceramic showerhead with embedded RF electrode for capacitively coupled plasma reactor
US10808317B2 (en) 2013-07-03 2020-10-20 Lam Research Corporation Deposition apparatus including an isothermal processing zone
KR102376429B1 (ko) 2013-12-18 2022-03-17 램 리써치 코포레이션 균일성 베플들을 포함하는 반도체 기판 프로세싱 장치
US9738975B2 (en) 2015-05-12 2017-08-22 Lam Research Corporation Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making
US10177024B2 (en) * 2015-05-12 2019-01-08 Lam Research Corporation High temperature substrate pedestal module and components thereof
US9758868B1 (en) 2016-03-10 2017-09-12 Lam Research Corporation Plasma suppression behind a showerhead through the use of increased pressure
KR102158668B1 (ko) * 2016-04-22 2020-09-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 한정 피쳐들을 갖는 기판 지지 페디스털
US10147610B1 (en) 2017-05-30 2018-12-04 Lam Research Corporation Substrate pedestal module including metallized ceramic tubes for RF and gas delivery
JP7333346B2 (ja) * 2018-06-08 2023-08-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プラズマ化学気相堆積チャンバ内の寄生プラズマを抑制する装置
SG11202103597SA (en) * 2018-11-21 2021-06-29 Applied Materials Inc Device and method for tuning plasma distribution using phase control
JP2022540607A (ja) 2019-07-12 2022-09-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 同時基板移送用ロボット
US11117265B2 (en) 2019-07-12 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Robot for simultaneous substrate transfer
US11574826B2 (en) * 2019-07-12 2023-02-07 Applied Materials, Inc. High-density substrate processing systems and methods
WO2021011950A1 (en) 2019-07-17 2021-01-21 Lam Research Corporation Modulation of oxidation profile for substrate processing
US12003223B2 (en) 2020-06-22 2024-06-04 Epirus, Inc. Systems and methods for modular power amplifiers
US11635338B2 (en) * 2020-10-23 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Rapid chamber vacuum leak check hardware and maintenance routine
KR20220059640A (ko) 2020-11-03 2022-05-10 삼성전자주식회사 플라즈마 공정 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
KR102467657B1 (ko) 2021-06-07 2022-11-16 구대현 컴퓨터 마우스용 높이조절 손목받침대
KR20230116436A (ko) * 2022-01-28 2023-08-04 주식회사 유진테크 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2024006342A1 (en) * 2022-06-29 2024-01-04 Lam Research Corporation Parasitic plasma suppressor

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999043018A1 (en) * 1998-02-19 1999-08-26 Micron Technology, Inc. Rf powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition
US6051100A (en) * 1997-10-24 2000-04-18 International Business Machines Corporation High conductance plasma containment structure
US6494958B1 (en) * 2000-06-29 2002-12-17 Applied Materials Inc. Plasma chamber support with coupled electrode
KR20080001336A (ko) * 2006-06-29 2008-01-03 주식회사 뉴파워 프라즈마 정전척과 피처리 기판 사이의 아킹을 방지하기 위한플라즈마 처리 시스템 및 방법
CN101620989A (zh) * 2008-07-03 2010-01-06 周星工程股份有限公司 干蚀刻装置

Family Cites Families (105)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60178616A (ja) 1984-02-27 1985-09-12 Hitachi Ltd 分子線エピタキシ装置の試料回転ホルダ
JPH0392771U (zh) * 1989-12-29 1991-09-20
JP3238925B2 (ja) * 1990-11-17 2001-12-17 株式会社東芝 静電チャック
JPH04196528A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Toshiba Corp マグネトロンエッチング装置
US5800618A (en) * 1992-11-12 1998-09-01 Ngk Insulators, Ltd. Plasma-generating electrode device, an electrode-embedded article, and a method of manufacturing thereof
KR100238629B1 (ko) * 1992-12-17 2000-01-15 히가시 데쓰로 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 이용한 플라즈마 처리장치
DE4301189C2 (de) * 1993-01-19 2000-12-14 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Substraten
US5366585A (en) 1993-01-28 1994-11-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for protection of conductive surfaces in a plasma processing reactor
JPH06232053A (ja) * 1993-02-04 1994-08-19 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置
JP3190165B2 (ja) * 1993-04-13 2001-07-23 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び熱処理方法
US5680013A (en) 1994-03-15 1997-10-21 Applied Materials, Inc. Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous environment therein and method of protecting such heated metal surfaces
US5628829A (en) 1994-06-03 1997-05-13 Materials Research Corporation Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films
US5665640A (en) 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
JPH0892746A (ja) * 1994-09-21 1996-04-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ化学蒸着方法及び装置
US5772770A (en) 1995-01-27 1998-06-30 Kokusai Electric Co, Ltd. Substrate processing apparatus
JPH08241797A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US5637146A (en) 1995-03-30 1997-06-10 Saturn Cosmos Co., Ltd. Method for the growth of nitride based semiconductors and its apparatus
US5965034A (en) * 1995-12-04 1999-10-12 Mc Electronics Co., Ltd. High frequency plasma process wherein the plasma is executed by an inductive structure in which the phase and anti-phase portion of the capacitive currents between the inductive structure and the plasma are balanced
US5772773A (en) * 1996-05-20 1998-06-30 Applied Materials, Inc. Co-axial motorized wafer lift
US6001183A (en) * 1996-06-10 1999-12-14 Emcore Corporation Wafer carriers for epitaxial growth processes
US5996528A (en) 1996-07-02 1999-12-07 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for flowing gases into a manifold at high potential
US5846883A (en) 1996-07-10 1998-12-08 Cvc, Inc. Method for multi-zone high-density inductively-coupled plasma generation
US6120640A (en) 1996-12-19 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Boron carbide parts and coatings in a plasma reactor
JPH10237657A (ja) * 1997-02-26 1998-09-08 Furontetsuku:Kk プラズマ処理装置
US6286451B1 (en) * 1997-05-29 2001-09-11 Applied Materials, Inc. Dome: shape and temperature controlled surfaces
JP3480271B2 (ja) 1997-10-07 2003-12-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置のシャワーヘッド構造
JP3314151B2 (ja) 1998-01-05 2002-08-12 株式会社日立国際電気 プラズマｃｖｄ装置及び半導体装置の製造方法
JP3676569B2 (ja) * 1998-05-18 2005-07-27 日本碍子株式会社 プラズマ発生電極装置およびプラズマ発生装置
JP3530021B2 (ja) * 1998-05-25 2004-05-24 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその処理台
JPH11354504A (ja) 1998-06-08 1999-12-24 Sony Corp ガラス基板処理装置
US6497801B1 (en) * 1998-07-10 2002-12-24 Semitool Inc Electroplating apparatus with segmented anode array
US6095085A (en) 1998-08-20 2000-08-01 Micron Technology, Inc. Photo-assisted remote plasma apparatus and method
WO2000026939A1 (en) * 1998-10-29 2000-05-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for coupling power through a workpiece in a semiconductor wafer processing system
US6349670B1 (en) * 1998-11-30 2002-02-26 Alps Electric Co., Ltd. Plasma treatment equipment
EP1193751B1 (en) 1999-04-06 2006-05-17 Tokyo Electron Limited Electrode and method of manufacturing an electrode
KR100302609B1 (ko) 1999-05-10 2001-09-13 김영환 온도가변 가스 분사 장치
US6415736B1 (en) 1999-06-30 2002-07-09 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6238987B1 (en) * 1999-09-13 2001-05-29 United Microelectronics Corp. Method to reduce parasitic capacitance
US6783627B1 (en) 2000-01-20 2004-08-31 Kokusai Semiconductor Equipment Corporation Reactor with remote plasma system and method of processing a semiconductor substrate
US6534751B2 (en) * 2000-02-28 2003-03-18 Kyocera Corporation Wafer heating apparatus and ceramic heater, and method for producing the same
JP4334723B2 (ja) * 2000-03-21 2009-09-30 新明和工業株式会社 イオンプレーティング成膜装置、及びイオンプレーティング成膜方法。
US6353210B1 (en) * 2000-04-11 2002-03-05 Applied Materials Inc. Correction of wafer temperature drift in a plasma reactor based upon continuous wafer temperature measurements using and in-situ wafer temperature optical probe
KR100406174B1 (ko) 2000-06-15 2003-11-19 주식회사 하이닉스반도체 화학적 강화 화학 기상 증착 장비에 사용되는 샤워 헤드
US6890861B1 (en) 2000-06-30 2005-05-10 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved particle performance
US6506254B1 (en) 2000-06-30 2003-01-14 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved particle performance
KR100458982B1 (ko) 2000-08-09 2004-12-03 주성엔지니어링(주) 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법
US6533867B2 (en) * 2000-11-20 2003-03-18 Applied Epi Inc Surface sealing showerhead for vapor deposition reactor having integrated flow diverters
KR100676979B1 (ko) 2001-02-09 2007-02-01 동경 엘렉트론 주식회사 성막 장치
JP4672169B2 (ja) * 2001-04-05 2011-04-20 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
US6902620B1 (en) 2001-12-19 2005-06-07 Novellus Systems, Inc. Atomic layer deposition systems and methods
US6989265B2 (en) 2002-01-23 2006-01-24 Wisconsin Alumni Research Foundation Bacteria with reduced genome
US7013834B2 (en) 2002-04-19 2006-03-21 Nordson Corporation Plasma treatment system
EP1512164B1 (en) 2002-05-23 2016-01-06 Lam Research Corporation Multi-part electrode for a semiconductor processing plasma reactor and method of replacing a portion of a mutli-part electrode
US6841943B2 (en) * 2002-06-27 2005-01-11 Lam Research Corp. Plasma processor with electrode simultaneously responsive to plural frequencies
US6827789B2 (en) 2002-07-01 2004-12-07 Semigear, Inc. Isolation chamber arrangement for serial processing of semiconductor wafers for the electronic industry
JP3714924B2 (ja) 2002-07-11 2005-11-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
DE10232731A1 (de) 2002-07-19 2004-02-05 Aixtron Ag Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung
US7153542B2 (en) 2002-08-06 2006-12-26 Tegal Corporation Assembly line processing method
US20040065255A1 (en) 2002-10-02 2004-04-08 Applied Materials, Inc. Cyclical layer deposition system
KR100509231B1 (ko) 2003-01-03 2005-08-22 주식회사 아이피에스 박막증착용 반응용기
JP2004296553A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Ngk Insulators Ltd 半導体製造装置用部材
KR100505367B1 (ko) 2003-03-27 2005-08-04 주식회사 아이피에스 박막증착용 반응용기
US7144521B2 (en) 2003-08-22 2006-12-05 Lam Research Corporation High aspect ratio etch using modulation of RF powers of various frequencies
US6983892B2 (en) 2004-02-05 2006-01-10 Applied Materials, Inc. Gas distribution showerhead for semiconductor processing
JP4180637B2 (ja) * 2004-03-26 2008-11-12 株式会社日立国際電気 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US7712434B2 (en) 2004-04-30 2010-05-11 Lam Research Corporation Apparatus including showerhead electrode and heater for plasma processing
KR100532354B1 (ko) * 2004-05-31 2005-11-30 삼성전자주식회사 식각 영역 조절 장치 및 웨이퍼 에지 식각 장치 그리고웨이퍼 에지 식각 방법
JP2006060073A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US7982195B2 (en) 2004-09-14 2011-07-19 Axcelis Technologies, Inc. Controlled dose ion implantation
CN100358097C (zh) 2005-08-05 2007-12-26 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体工艺处理系统及其处理方法
US7743730B2 (en) 2005-12-21 2010-06-29 Lam Research Corporation Apparatus for an optimized plasma chamber grounded electrode assembly
JP2007258585A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Tokyo Electron Ltd 基板載置機構および基板処理装置
US8475625B2 (en) 2006-05-03 2013-07-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching high aspect ratio features
US20070266945A1 (en) 2006-05-16 2007-11-22 Asm Japan K.K. Plasma cvd apparatus equipped with plasma blocking insulation plate
KR100831198B1 (ko) 2006-05-19 2008-05-21 주식회사 아이피에스 웰딩형 샤워헤드
GB0616131D0 (en) * 2006-08-14 2006-09-20 Oxford Instr Plasma Technology Surface processing apparatus
KR20080027009A (ko) 2006-09-22 2008-03-26 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 원자층 증착 장치 및 그를 이용한 다층막 증착 방법
JP2008205219A (ja) 2007-02-20 2008-09-04 Masato Toshima シャワーヘッドおよびこれを用いたｃｖｄ装置
US8733279B2 (en) 2007-02-27 2014-05-27 Applied Materials, Inc. PECVD process chamber backing plate reinforcement
US8128750B2 (en) 2007-03-29 2012-03-06 Lam Research Corporation Aluminum-plated components of semiconductor material processing apparatuses and methods of manufacturing the components
US8069817B2 (en) 2007-03-30 2011-12-06 Lam Research Corporation Showerhead electrodes and showerhead electrode assemblies having low-particle performance for semiconductor material processing apparatuses
JP5008478B2 (ja) 2007-06-27 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびシャワーヘッド
JP4288309B2 (ja) * 2007-09-03 2009-07-01 キヤノンアネルバ株式会社 基板熱処理装置及び基板の熱処理方法
JP4913695B2 (ja) * 2007-09-20 2012-04-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びそれに用いる基板載置台
US8137467B2 (en) 2007-10-16 2012-03-20 Novellus Systems, Inc. Temperature controlled showerhead
JP5165993B2 (ja) * 2007-10-18 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TWI508129B (zh) 2007-10-31 2015-11-11 Lam Res Corp 利用氣體壓力來控制液體冷卻劑與構件體間之熱傳導的溫度控制模組
JP5014080B2 (ja) * 2007-11-19 2012-08-29 コバレントマテリアル株式会社 面状ヒータ
US20100000684A1 (en) 2008-07-03 2010-01-07 Jong Yong Choi Dry etching apparatus
US20100059182A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate processing apparatus
KR20100037765A (ko) * 2008-10-02 2010-04-12 삼성전자주식회사 플라즈마 발생장치
KR20100046909A (ko) * 2008-10-28 2010-05-07 주성엔지니어링(주) 정전 흡착 장치와 그의 제조방법
JP5651317B2 (ja) * 2009-03-31 2015-01-07 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び温調方法
WO2011052463A1 (ja) 2009-11-02 2011-05-05 東レ株式会社 プラズマｃｖｄ装置、および、シリコン薄膜の製造方法
TWI539517B (zh) 2010-02-12 2016-06-21 應用材料股份有限公司 使用於處理腔室之套件及使用用於氣流改良之套件之處理腔室
US20120097330A1 (en) 2010-10-20 2012-04-26 Applied Materials, Inc. Dual delivery chamber design
US20120222620A1 (en) 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Atomic Layer Deposition Carousel with Continuous Rotation and Methods of Use
US20120225207A1 (en) 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
SG192967A1 (en) 2011-03-04 2013-09-30 Novellus Systems Inc Hybrid ceramic showerhead
US10224182B2 (en) 2011-10-17 2019-03-05 Novellus Systems, Inc. Mechanical suppression of parasitic plasma in substrate processing chamber
US9484233B2 (en) 2012-04-13 2016-11-01 Novellus Systems, Inc. Carousel reactor for multi-station, sequential processing systems
US9388494B2 (en) 2012-06-25 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region
CN103794460B (zh) 2012-10-29 2016-12-21 中微半导体设备(上海)有限公司 用于半导体装置性能改善的涂层
US20140165911A1 (en) 2012-12-14 2014-06-19 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing plasma to a process chamber
US9449795B2 (en) 2013-02-28 2016-09-20 Novellus Systems, Inc. Ceramic showerhead with embedded RF electrode for capacitively coupled plasma reactor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6051100A (en) * 1997-10-24 2000-04-18 International Business Machines Corporation High conductance plasma containment structure
WO1999043018A1 (en) * 1998-02-19 1999-08-26 Micron Technology, Inc. Rf powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition
US6494958B1 (en) * 2000-06-29 2002-12-17 Applied Materials Inc. Plasma chamber support with coupled electrode
KR20080001336A (ko) * 2006-06-29 2008-01-03 주식회사 뉴파워 프라즈마 정전척과 피처리 기판 사이의 아킹을 방지하기 위한플라즈마 처리 시스템 및 방법
CN101620989A (zh) * 2008-07-03 2010-01-06 周星工程股份有限公司 干蚀刻装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105428194A (zh) * 2014-09-12 2016-03-23 朗姆研究公司 抑制寄生等离子体和减少晶片内非均匀性的系统和方法
US9793096B2 (en) 2014-09-12 2017-10-17 Lam Research Corporation Systems and methods for suppressing parasitic plasma and reducing within-wafer non-uniformity
CN105428194B (zh) * 2014-09-12 2018-06-01 朗姆研究公司 抑制寄生等离子体和减少晶片内非均匀性的系统和方法
US10665429B2 (en) 2014-09-12 2020-05-26 Lam Research Corporation Systems and methods for suppressing parasitic plasma and reducing within-wafer non-uniformity
US11127567B2 (en) 2014-09-12 2021-09-21 Lam Research Corporation Systems and methods for suppressing parasitic plasma and reducing within-wafer non-uniformity
CN107210180A (zh) * 2015-02-13 2017-09-26 应用材料公司 具有改善的rf返回的基板支撑件
CN107210180B (zh) * 2015-02-13 2019-12-13 应用材料公司 具有改善的rf返回的基板支撑件
CN107479272A (zh) * 2016-06-08 2017-12-15 三星显示有限公司 显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11862435B2 (en) 2024-01-02
US20190172684A1 (en) 2019-06-06
KR20140094542A (ko) 2014-07-30
KR102137922B1 (ko) 2020-07-27
US20130092086A1 (en) 2013-04-18
CN103999193B (zh) 2016-08-17
US10224182B2 (en) 2019-03-05
JP2014533434A (ja) 2014-12-11
TW201322356A (zh) 2013-06-01
KR102019528B1 (ko) 2019-09-06
KR20190105125A (ko) 2019-09-11
US20230238220A1 (en) 2023-07-27
US20240162013A1 (en) 2024-05-16
TWI575633B (zh) 2017-03-21
US11621150B2 (en) 2023-04-04
WO2013058872A1 (en) 2013-04-25
JP6271436B2 (ja) 2018-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103999193A (zh) 在衬底处理室中寄生等离子体的机械抑制
KR102409331B1 (ko) 용량성 커플링된 플라즈마 반응기를 위한 무선주파수 전극이 임베디드된 세라믹 샤워헤드
US11728139B2 (en) Process chamber for cyclic and selective material removal and etching
KR102594473B1 (ko) 내장형 rf 차폐부를 갖는 반도체 기판 지지부들
CN110998783B (zh) 具有双嵌入式电极的基板支撑件
CN110337714B (zh) 一种衬底支撑件和衬底处理系统
KR101155837B1 (ko) 기판 프로세싱용 에지 링 배열
US10984993B2 (en) Plasma processing apparatus
US20200335378A1 (en) Matched tcr joule heater designs for electrostatic chucks
CN103594340A (zh) 等离子体室中的可调式接地平面
CN107435139A (zh) 气体分配器及基板处理装置
JP2023527988A (ja) 分散型プラズマ源アレイ
CN108428661A (zh) 一种用于真空处理装置的基片承载台及其制造方法
US20190311886A1 (en) Microwave Plasma Source With Split Window
US20220415625A1 (en) Substrate supports with integrated rf filters
CN117577501A (zh) 用于射频环境中的加热元件的高功率电缆
WO2024043185A1 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理システム

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant