CN103943610A - 一种电子元件封装结构及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电子元件封装结构及电子设备，电子元件封装结构至少包括：基板，具有用于附着电子元件的设定附着区域；导电罩壳，具有顶部和朝向基板延伸的侧壁，侧壁靠近基板一侧具有粘结端部，粘结端部通过非导电胶将导电罩壳粘结于基板上，粘结于基板上的导电罩壳围住附着区域、并在附着区域上方构成屏蔽空间；非导电胶，位于基板与粘结端部之间，具有不小于7的介电常数，以及不大于0.07mm的涂覆厚度。通过本发明提高了导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面电容密度，进而能够提升导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面电容值，可有效减小非导电胶处缝隙天线效应辐射EMI，提升屏蔽空间的EMI屏蔽效果。

Description

一种电子元件封装结构及电子设备
技术领域
本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种电子元件封装结构及电子设备。
背景技术
随着芯片集成度和速率的逐年提升，芯片产生的高频EMI（ElectromagneticInterference，电磁干扰）很容易引起各种系统干扰和产品RE（RadiationEmission，辐射发射）测试超标问题。
目前对芯片的封装主要采用Lid（平板式金属封装盖板）电子元件封装结构，图1所示为芯片Lid电子元件封装结构的俯视图，图2所示为图1所示的芯片Lid电子元件封装结构沿A-A′方向的剖面结构示意图。由图1和图2可知，通过在阻焊层3开窗，芯片（Die）1的电路接脚2与基板4连接，从而使芯片1附着在基板4上。导电罩壳5通过低DK（Dielectric Constant，介电常数）的非导电胶6粘结在基板4的边缘上，使导电罩壳5与基板之间形成一个屏蔽空间，实现对芯片1的应力保护。图3所示为非导电胶6在基板上的涂覆图形示意图，由图3可知，非导电胶6涂覆于基板的边缘，并且设置有透气孔8，透气孔8用于屏蔽空间的透气。进一步的，导电罩壳（Lid）5的顶部通过导热胶7与芯片1粘结进行导热，实现对芯片1的导热。
上述采用的Lid电子元件封装结构，导电罩壳5与基板之间设置的低DK非导电胶，使得导电罩壳相对于基板呈现高阻抗性，这种高阻抗性使得导电罩壳与基板之间的非导电胶缝隙成为有一个具有较大缝隙天线效应的辐射结构，该缝隙天线效应辐射结构导致导电罩壳与基板之间形成的非直接电气连接的屏蔽空间，虽然能够对其内部的芯片起到较好的导热效果和应力保护，但是其对芯片产生的高频EMI的屏蔽效果不佳。
发明内容
本发明实施例提供一种电子元件封装结构及电子设备，以提高EMI屏蔽效果。
第一方面，提高一种电子元件封装结构，包括基板、导电罩壳和非导电胶，其中：
所述基板，具有用于附着电子元件的设定附着区域；
所述导电罩壳，具有顶部和朝向所述基板延伸的侧壁，所述侧壁靠近所述基板一侧具有粘结端部，所述粘结端部通过所述非导电胶将所述导电罩壳粘结于所述基板上，粘结于所述基板上的导电罩壳围住所述附着区域、并在所述附着区域上方构成屏蔽空间；
所述非导电胶，位于所述基板与所述粘结端部之间，具有不小于7的介电常数，以及不大于0.07mm的涂覆厚度。
结合第一方面，在第一种实现方式中，所述粘结端部占据所述基板面向所述导电罩壳一侧的表面上、除所述附着区域以外的其它全部区域，所述非导电胶涂覆于基板上被所述粘结端部占据的全部区域。
结合第一方面或者第一方面的第一种实现方式，在第二种实现方式中，所述电子元件封装结构还包括设置在所述基板面向所述导电罩壳一侧表面的阻焊层，所述阻焊层在设置有非导电胶的位置处设置有开窗。
结合第一方面，第一方面的第一种实现方式或者第一方面的第二种实现方式，在第三种实现方式中，所述非导电胶具有封闭性的非导电胶图形。
结合第一方面的第三种实现方式，在第四种实现方式中，所述导电罩壳的侧壁上设置有圆形、类圆形或多边形透气孔。
结合第一方面，第一方面的第一种实现方式或者第一方面的第二种实现方式，在第五种实现方式中，所述非导电胶上设置有透气孔，所述透气孔在沿基板所在平面方向上的宽度不大于3mm。
结合第一方面的第五种实现方式，在第六种实现方式中，所述基板面向所述导电罩壳一侧表面上设置有阻焊层，所述阻焊层在所述透气孔设置位置处设置有开窗。
结合第一方面上述提供的各种实现方式中的任一种实现方式，在第七种实现方式中，所述粘结端部和所述基板之间除设置有非导电胶外，还设置有形成滤波结构的介质结构，所述介质结构包括电磁带隙EBG和埋容。
结合第一方面上述提供的各种实现方式中的任一种实现方式，在第八种实现方式中，所述导电罩壳和所述基板之间除设置有非导电胶外，还设置有形成平面电容结构的介质结构，所述介质结构包括电磁带隙EBG和埋容。
结合第一方面，在第九种实现方式中，所述电子元件为芯片或分立元件。
结合第一方面，在第十种实现方式中，所述电子元件为芯片和分立元件。
第二方面，提供一种电子设备，该电子设备包括电路板、电子元件封装结构以及电子元件，其中：
所述电路板，具有电子电路；
所述电子封装结构，为第一方面提供的任一种电子元件封装结构，所述电子元件封装结构通过基板与所述电路板电连接；
所述电子元件，附着在所述电子封装结构的设定附着区域内，通过所述电子封装结构与所述电路板的电子电路电连接；
所述电子封装结构中通过非导电胶粘结在基板上的导电罩壳对所述电子元件进行电磁干扰屏蔽。
本发明实施例提供的电子元件封装结构及电子设备，用于将导电罩壳与基板粘结的非导电胶具有不小于7的介电常数，以及不大于0.07mm的涂覆厚度，提高了导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面电容密度，进而能够提升导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面电容值，可有效减小非导电胶处缝隙天线效应辐射EMI，提升导电罩壳与基板之间形成的屏蔽空间的EMI屏蔽效果。
附图说明
图1为现有技术中电子元件封装结构的俯视图；
图2为现有技术电子元件封装结构的剖面结构示意图；
图3为现有技术中非导电胶的涂覆图形示意图；
图4为本发明第一实施例提供的电子元件封装结构的俯视图；
图5为本发明第一实施例提供的电子元件封装结构的剖面结构示意图；
图6为本发明第一实施例提供的非导电胶涂覆图形示意图；
图7为本发明第二实施例提供的电子元件封装结构的俯视图；
图8为本发明第二实施例提供的电子元件封装结构的剖面结构示意图；
图9为本发明第二实施例提供的非导电胶涂覆图形示意图；
图10为本发明第三实施例提供的电子元件封装结构的俯视图；
图11为本发明第三实施例提供的电子元件封装结构的剖面结构示意图；
图12为本发明第三实施例提供的非导电胶涂覆图形示意图；
图13为本发明第四实施例提供的电子元件封装结构的俯视图；
图14为本发明第四实施例提供的电子元件封装结构的剖面结构示意图；
图15为本发明第四实施例提供的非导电胶涂覆图形示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供一种具有EMI屏蔽效果的电子元件封装结构，通过提高导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面电容密度，并提升导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面电容值的方式，有效减小非导电胶处缝隙天线效应辐射EMI，提升导电罩壳与基板之间形成的屏蔽空间的EMI屏蔽效果。
本发明实施例以下将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
图4所示为本发明实施例提供的具有EMI屏蔽效果的电子元件封装结构的俯视图，图5所示为本发明实施例提供的图4所示电子元件封装结构在A-A′方向上的剖面结构示意图。结合图4和图5可知，本发明实施例提供的电子元件封装结构包括电子元件（芯片或分立元件）1、电路接脚2、阻焊层3、基板4、导电罩壳5、设置在基板4与导电罩壳5之间的非导电胶6，以及导热胶7，其中：
基板4，具有用于附着电子元件的设定附着区域S，该附着区域S的大小以及形状可以根据实际封装的电子元件的大小和形状进行设定，当然为了避免附着的电子元件与非导电胶6接触，可将该附着区域S设置为稍大于电子元件的大小，使电子元件与非导电胶之间有一定的间隙，该间隙尽量的小。
导电罩壳5，具有顶部501和朝向基板延伸的侧壁502，侧壁靠近基板一侧具有粘结端部5020，粘结端部5020通过非导电胶6将导电罩壳5粘结于基板4上，粘结于基板4上的导电罩壳5围住基板4上设定的附着区域S，并在附着区域S上方构成屏蔽空间，以对附着在基板上的电子元件1进行应力保护。
非导电胶6，设置于基板与粘结端部之间，用于粘结导电罩壳5与基板4，并具有不小于7的介电常数，以及不大于0.07mm的涂覆厚度。
本发明实施例中非导电胶6的介电常数不小于7，故本发明实施例中非导电胶6相对于传统的低DK非导电胶而言为一种高DK的非导电胶，本发明实施例中采用高DK的非导电胶取代传统电子元件封装结构中的低DK非导电胶，能够提高导电罩壳5、非导电胶6及基板4形成的平面电容结构的平面电容密度。通过本发明能够提升导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面电容值，有利于提升导电罩壳与基板之间形成的屏蔽空间对EMI的屏蔽效果，本发明实施例中优选非导电胶的介电常数不小于7，例如本发明实施例中非导电胶的介电常数可以是8或10。
需要说明的是，本发明实施例中图4和图5所示的导电罩壳5的形状只是进行示意性说明，并不引以为限，例如还可以是如图7和图8所示的形状。
进一步需要说明的是，本发明实施例中图4和图5中以电子元件为芯片为例进行说明，当然也可以是其它电子元件，例如电容等分立元件。
本发明实施例提供的电子元件封装结构，设置能够提高导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面电容密度的高DK非导电胶将导电罩壳和基板粘结，根据电容计算公式C=εs/4πkd，其中，d代表电极板的距离，s代表电极板的正对面积，ε代表介电常数，可知，本发明实施例中粘结导电罩壳与基板的高DK非导电胶，相当于使ε增大，故能够提升导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面电容值，同时本发明实施例中非导电胶的涂覆厚度不大于0.07，使得导电罩壳相对于基板的寄生电感减小，进而可有效减小非导电胶处缝隙天线效应辐射EMI，提升导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构形成的屏蔽空间的EMI屏蔽效果。
进一步的，本发明实施例中粘结端部占据基板面向导电罩壳一侧的表面上、除附着区域以外的其它全部区域，非导电胶涂覆于基板上被粘结端部占据的全部区域，换言之，本发明实施例中相对传统的电子元件封装结构，增大了导电罩壳5侧壁的粘结端部与基板4之间的重叠面积，且用于粘结导电罩壳5与基板4的高DK非导电胶涂覆于基板4上被粘结端部占据的全部区域，如图6所示，图6所示的高DK非导电胶的涂覆方式，相对传统的非导电胶涂覆方式（图3所示），能够增大高DK非导电胶的涂覆面积，同样根据电容计算公式C=εs/4πkd可知，本发明实施例中高DK非导电胶涂覆于基板4上除设定的附着区域S以外的其它全部区域上，增大了高DK非导电胶涂覆面积，进而能够增加导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面电容值，进一步提升了导电罩壳与基板之间形成的屏蔽空间的屏蔽效果。
更进一步的，本发明实施例中电子元件封装结构中还包括设置在基板面向导电罩壳一侧的表面的阻焊层3，与传统的电子元件封装结构相比，本发明实施例中阻焊层3在非导电胶涂覆区域处设置开窗，即基板上涂覆高DK非导电胶位置处的阻焊层被去除。
阻焊层3一般为低DK的绿油阻焊层，低DK的阻焊层3设置在高DK的非导电胶位置处，会减小导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面电容密度，并且会增大导电罩壳粘结端部与基板之间的间距，根据电容计算公式C=εs/4πkd可知，设置在高DK的非导电胶位置处的阻焊层会减小导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面耦合电容值，故本发明实施例中阻焊层在非导电胶涂覆区域处开窗，能够进一步提升导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面电容值，可有效减小非导电胶处缝隙天线效应辐射EMI，提升导电罩壳与基板之间形成的屏蔽空间的EMI屏蔽效果。
较佳的，本发明实施例中为提升导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面电容值，设置高DK非导电胶的涂覆厚度要求尽量的薄，如不大于0.07mm。高DK非导电胶厚度越薄，导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面电容密度值越大，例如本发明实施例中，若非导电胶6的介电常数为10、涂覆厚度为0.07mm，则导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的电容密度就可以超过75pF/cm^2（75pF每平方厘米）；若非导电胶的介电常数为8、涂覆厚度为0.06mm，导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的电容密度也可以超过75pF/cm^2。
需要说明的是，本发明实施例中将非导电胶6的涂覆厚度设置为不大于0.07mm，能够减小导电罩壳相对于基板的寄生电感，更为有效的减小非导电胶处缝隙天线效应辐射EMI，提升导电罩壳与基板之间形成的屏蔽空间的EMI屏蔽效果。
进一步的，本发明实施例中高DK非导电胶在基板上的涂覆图形优选封闭性导电胶图形，可再次参阅图6所示。本发明实施例图6所示的高DK非导电胶的涂覆图形与传统的低DK非导电胶涂覆图形（图3所示）相比，本发明实施例中在非导电胶上未设置透气孔，进而能够避免缝隙场泄露，进一步提高导电罩壳与基板之间形成的屏蔽空间的EMI屏蔽效果。
较佳的，为了实现屏蔽空间的透气，本发明实施例中在导电罩壳5上设置圆形透气孔8，当然透气孔的形状并不限于圆形，例如还可以是类圆形透气孔（类似圆形的透气孔）或矩形等多边形透气孔。具体的，本发明实施例中在导电罩壳5的侧壁处设置透气孔8，可参阅图4、图5和、图7和图8所示。
本发明实施例中在导电罩壳5朝向基板延伸的侧壁上设置透气孔8，而非设置在导电罩壳的顶部，能够避免设置在导电罩壳顶部的散热器对该透气孔设置造成影响。进一步的，本发明实施例中设置在导电罩壳5侧壁位置处的透气孔优选圆形透气孔或类圆形透气孔，相对传统在非导电胶上设置的长条形透气孔，截面积较大，通风性更好，并且圆形透气孔相比原有在非导电胶上设置的宽度比较大的透气孔而言，缝隙场泄露较小。
实施例二
本发明实施例中基板4上设定的附着区域内可附着芯片，也可以设置其它一些分立元件，例如电容、电阻、晶体管等电子元件。
本发明实施例中提供的电子元件封装结构，在基板4上设定的附着区域上附着芯片、分立元件以及芯片和分立元件时的电子元件封装结构，与上述实施例基本相同，即：非导电胶具有较高的DK值，高DK非导电胶在基板上的涂覆面积尽量大，涂覆在基板面向导电罩壳一侧表面除附着区域以外的其它全部区域，厚度要求薄，并且高DK非导电胶涂覆处的阻焊层去除即阻焊层在高DK非导电胶涂覆处开窗，并采用在导电罩壳上设置较小尺寸的透气孔，具体可参阅图7和图8所示。图7为本发明实施例提供的在基板的附着区域设置芯片和分立元件的电子元件封装结构的俯视图，图8所示为本发明实施例提供的图7所示电子元件封装结构在A-A′方向上的剖面结构示意图。
本发明实施例以下对在基板4上设定的附着区域内附着芯片和分立元件的电子元件封装结构进行简单说明。
图8所示为本发明实施例中在附着区域内除设置了芯片以外，还设置了其它分立元件的电子元件封装结构的剖面示意图，图8中透气孔8设置在导电罩壳5上，标号9表示设置的分立元件。本发明实施例中在附着区域内设置了分立元件9的电子元件封装结构，与未设置分立元件的电子元件封装结构相比，导电罩壳5与基板4之间形成的屏蔽空间变大，并且高DK非导电胶的涂覆图形也由规则的几何图形变成了图9所示的不规则几何图形，具体可参阅图9所示，图9所示为本发明实施例提供的在附着区域内设置了其它分立元件时高DK非导电胶的涂覆图形。
本发明实施例提供的具有EMI屏蔽效果的电子元件封装结构，不仅能够适用于单独芯片的封装，还可适用于包括分立元件和多芯片的混合封装，适用范围较广。
更进一步的，本发明实施例中还可在导电罩壳5的粘结端部与基板4之间设置除非导电胶以外的其它形成滤波结构的介质结构，形成该滤波结构的介质结构可以是EBG（Electromagnetic Band gap，电磁带隙）和埋容等，当然本发明实施例中形成滤波结构的介质结构并不限于EBG和埋容。
当然，本发明实施例中在导电罩壳的粘结端部与基板之间除设置非导电胶以外，还可设置形成平面电容结构的其它介质结构，该介质结构可以是EBG（Electromagnetic Band gap，电磁带隙）和埋容等，当然本发明实施例中形成平面电容结构的介质结构并不限于EBG和埋容。
实施例三
本发明实施例中为保证工艺可靠性，可将透气孔8保留在高DK非导电胶上，即在高DK非导电胶上设置透气孔，可参阅图10和图11所示。图10所示为本发明实施例中透气孔设置在高DK非导电胶上的电子元件封装结构的俯视图，图11所示为图10所示的电子元件封装结构在A-A′方向的剖面结构示意图。
具体的，本发明实施例中涉及的电子元件封装结构与上述实施例的不同之处在于透气孔的设置位置，本发明实施例以下仅就不同之处进行说明，其它相同或相似之处在此不再赘述，可参阅对图4和图5所示的电子元件封装结构的描述。
本发明实施例中设置在高DK非导电胶上的透气孔8在沿基板所在平面方向上的宽度优选不大于3mm，以在保证工艺可靠性的基础上，减小缝隙场泄露。
进一步的，本发明实施例中为了增加透气孔8的透气性，设置在基板上的阻焊层3在透气孔设置位置处开窗，如图12所示，图12为本发明实施例提供的在高DK非导电胶上设置较小的透气孔的非导电胶涂覆图形，非导电胶上设置有较小的透气孔，故非导电胶的涂覆图形为非封闭图形。
本发明实施例提供的电子元件封装结构，在高DK的非导电胶上设置较小的透气孔8，可在原有制作工艺基础上设置较小的透气孔，工艺改造较小，能够提高工艺的可靠性。
实施例四
本发明实施例中基板4上设定的附着区域内可附着芯片，也可以设置一些分立元件，例如电容、电阻、晶体管等电子元件，还可以附着芯片和分立元件。本发明实施例中提供的电子元件封装结构，对于附着芯片、分立元件或者芯片和分立元件的电子元件封装结构，与上述实施例基本相同，即：非导电胶具有较高的DK值，高DK非导电胶涂覆在基板上的涂覆面积尽量大，涂覆在除附着区域以外的其它全部区域，厚度要求薄，并且高DK非导电胶涂覆处的阻焊层去除即阻焊层在高DK非导电胶涂覆处开窗，并采用在非导电胶上设置较小尺寸的透气孔，可参阅图13和图14所示。图13为本发明实施例提供的在基板的附着区域设置芯片和分立元件的电子元件封装结构的俯视图，图14所示为本发明实施例提供的图13所示电子元件封装结构在A-A′方向上的剖面结构示意图。
具体的，本发明实施例以在基板4上设定的附着区域内附着有芯片和分立元件的电子元件封装结构进行简单说明。
图14所示为本发明实施例中在附着区域内除设置了芯片以外，还设置了分立元件的电子元件封装结构的剖面示意图，图14中标号1表示设置的芯片，标号9表示设置的分立元件，并且透气孔8设置在非导电胶6上。本发明实施例中在附着区域内设置了芯片和分立元件9的电子元件封装结构，与只设置一种电子元件的电子元件封装结构相比，高DK非导电胶的涂覆图形由图12所示的规则的几何图形变成了图15所示的不规则几何图形，具体可参阅图15所示，本发明实施例在此不再赘述，图15为本发明实施例提供的在非导电胶上设置过孔并在附着区域附着有分立元件和芯片时非导电胶的涂覆图形。
本发明实施例提供的电子元件封装结构，适用于封装只附着芯片的电子元件封装结构，也可适用于，还可适用于包括分立元件和多芯片的混合封装，适用范围较广。
更进一步的，本发明实施例中还可在导电罩壳5与基板4之间设置除非导电胶以外的其它形成滤波结构的介质结构，形成该滤波结构的介质结构可以是EBG（Electromagnetic Band gap，电磁带隙）和埋容等，当然本发明实施例中形成滤波结构的介质结构并不限于EBG和埋容。
当然，本发明实施例中在导电罩壳的粘结端部与基板之间除设置非导电胶以外，还可设置形成平面电容结构的其它介质结构，该介质结构可以是EBG（Electromagnetic Band gap，电磁带隙）和埋容等，当然本发明实施例中形成平面电容结构的介质结构并不限于EBG和埋容。
本发明实施例中提供的电子元件封装结构采用高DK的非导电胶，相对掺杂导电材料形成的导电胶，成本较低。进一步的，在电子元件封装结构组装过程中，导电胶内部易出现断裂分层，引起屏蔽空间的屏蔽效果急剧下降，最终导致产品不良率增加，但对于本发明采用的非导电胶，即使非导电胶内部出现断裂分层，对屏蔽空间的EMI屏蔽效果也不会出现影响，进而提高了产品良率。
实施例五
基于上述实施例提供的电子元件封装结构，本发明实施例还提供一种电子设备，该电子设备包括具有电子电路的电路板、电子元件封装结构以及电子元件。
本发明实施例中电子封装结构，为实施例涉及的任一种电子元件封装结构，该电子元件封装结构通过基板与电路板电连接。电子元件附着在电子封装结构的设定附着区域内，通过电子封装结构与电路板的电子电路电连接。
具体的，本发明实施例中提供的电子设备中的电子元件封装结构为本发明上述实施例中涉及的任一种电子元件封装结构，通过本发明实施例提供的电子元件封装结构将需要封装的电子元件封装到电路板上，实现电子元件与电子电路的连接，并能够通过电子元件封装结构的导电罩壳对电子元件实现应力保护以及较好的EMI屏蔽。
需要说明的是，本发明实施例中提供的电子设备与现有电子设备的不同之处在于电子元件封装结构的不同，对于其它结构结合具体的应用环境具有其特定的结构，与现有技术中相应电子设备的结构相同，在此不再赘述。
进一步的，本发明实施例中提供的电子元件封装结构可以对多种类型的电子元件进行封装，本发明实施例中该电子元件可以是芯片，当然也可以是电容、电阻、晶体管等其它分立元件，当然也可以是芯片与分立元件的组合封装。
本发明实施例提供的具有EMI屏蔽效果的电子元件封装结构，不仅能够适用于单独芯片的封装，还可适用于包括分立元件和多芯片的混合封装，适用范围较广。
本发明实施例中提供的电子设备的电子元件封装结构中采用高DK的非导电胶，提高了导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面电容密度，进而能够提升导电罩壳、非导电胶及基板形成的平面电容结构的平面电容值，可有效减小非导电胶处缝隙天线效应辐射EMI，提升导电罩壳与基板之间形成的屏蔽空间的EMI屏蔽效果。进一步的，本发明实施例中采用高DK非导电胶相对掺杂导电材料形成的导电胶，成本较低。更进一步的，在电子元件封装结构组装过程中，导电胶内部易出现断裂分层，引起屏蔽空间的屏蔽效果急剧下降，最终导致产品不良率增加，但对于本发明采用的非导电胶，即使非导电胶内部出现断裂分层，对屏蔽空间的EMI屏蔽效果也不会出现影响，进而提高了产品良率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种电子元件封装结构，其特征在于，所述电子元件封装结构至少包括基板、导电罩壳和非导电胶，其中：
所述基板，具有用于附着电子元件的设定附着区域；
所述导电罩壳，具有顶部和朝向所述基板延伸的侧壁，所述侧壁靠近所述基板一侧具有粘结端部，所述粘结端部通过所述非导电胶将所述导电罩壳粘结于所述基板上，粘结于所述基板上的导电罩壳围住所述附着区域、并在所述附着区域上方构成屏蔽空间；
所述非导电胶，位于所述基板与所述粘结端部之间，具有不小于7的介电常数，以及不大于0.07mm的涂覆厚度。
2.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述粘结端部占据所述基板面向所述导电罩壳一侧的表面上、除所述附着区域以外的其它全部区域，所述非导电胶涂覆于基板上被所述粘结端部占据的全部区域。
3.如权利要求1或2所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述电子元件封装结构还包括设置在所述基板面向所述导电罩壳一侧表面的阻焊层；
所述阻焊层在设置有非导电胶的位置处设置有开窗。
4.如权利要求1-3任一项所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述非导电胶具有封闭性的非导电胶图形。
5.如权利要求4所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述导电罩壳的侧壁上设置有圆形、类圆形或多边形透气孔。
6.如权利要求1-3任一项所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述非导电胶上设置有透气孔；
所述透气孔在沿基板所在平面方向上的宽度不大于3mm。
7.如权利要求6所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述基板面向所述导电罩壳一侧表面上设置有阻焊层，所述阻焊层在所述透气孔设置位置处设置有开窗。
8.如权利要求1-7任一项所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述粘结端部和所述基板之间除设置有非导电胶外，还设置有形成滤波结构的介质结构，所述介质结构包括电磁带隙EBG和埋容。
9.如权利要求1-7任一项所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述粘结端部和所述基板之间除设置有非导电胶外，还设置有形成平面电容结构的介质结构，所述介质结构包括电磁带隙EBG和埋容。
10.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述电子元件为芯片或分立元件。
11.如权利要求1所述的电子元件封装结构，其特征在于，所述电子元件为芯片和分立元件。
12.一种电子设备，其特征在于，包括电路板、电子元件封装结构以及电子元件，其中：
所述电路板，具有电子电路；
所述电子封装结构，为权利要求1-11任一项所述的电子元件封装结构，所述电子元件封装结构通过基板与所述电路板电连接；
所述电子元件，附着在所述电子封装结构的设定附着区域内，通过所述电子封装结构的基板与所述电路板的电子电路电连接；
所述电子封装结构中通过非导电胶粘结在基板上的导电罩壳对所述电子元件进行电磁干扰屏蔽。
13.如权利要求12所述的电子设备，其特征在于，所述电子元件为芯片或分立元件。
14.如权利要求12所述的电子设备，其特征在于，所述电子元件为芯片和分立元件。
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