CN103842530B

CN103842530B - 固体银铜合金

Info

Publication number: CN103842530B
Application number: CN201280048346.8A
Authority: CN
Inventors: 前川昌辉; 本田大介; 榎村真; 榎村真一
Original assignee: M Technique Co Ltd
Current assignee: M Technique Co Ltd
Priority date: 2011-11-16
Filing date: 2012-08-16
Publication date: 2017-11-17
Anticipated expiration: 2032-08-16
Also published as: CN103842530A; EP2781610A4; KR20140092801A; WO2013073241A1; KR101980561B1; JPWO2013073241A1; JP2014058743A; US10006105B2; WO2013073068A1; US20140301892A1; EP2781610A1

Abstract

本发明提供新型的固体银铜合金。所述固体银铜合金为所述银铜合金中所含的铜的浓度为0.1wt%～99.94wt%的固体银铜合金，上述固体银铜合金以室温下不含共晶体的非共晶结构作为主体。该银铜合金可以通过混合含有银离子及铜离子的流体和含有还原剂的流体并使银铜合金粒子析来制造。优选将含有银离子及铜离子的流体和含有还原剂的流体在对向配设的可接近·分离的至少一方相对于另一方相对进行旋转的处理用面间形成的薄膜流体中混合。该银铜合金优选其粒径为50nm以下。另外，也可以为由银铜和其它的至少一种金属构成的固体合金。

Description

固体银铜合金

技术领域

本发明涉及银铜合金、以及包含银和铜和银铜以外的其它的金属的至少3种金属的固体合金。

背景技术

近年来，作为用于导电性糊、导电性墨、导电性微细配线等的材料、或用于一氧化碳、氮氧化物(NO_X)的还原催化剂、无铅焊锡等的材料，银和铜的合金粒子受到关注。具有可通过银铜合金粒子中的银和铜的比例来控制特性的可能性，例如使比电阻、抗氧化性优异的银和用于抑制银的迁移的铜合金化了的、主要包含银的银铜合金粒子、作为磁线等的配线用材料，对于主要包含铜的银铜合金粒子也受到关注。进而，银，铜各自的抗菌性也受到关注，另外，期待在饰品用途等许多应用，因此，银铜合金为一种业界广泛需求的材料。迁移在许多金属中产生，但已知银迅速产生迁移，认为通过与铜等其它的金属进行合金化，可以延缓迁移的产生。但是，一般而言，由于银和铜的合金为共晶体，因此，多无法充分发挥抑制铜所具有的易氧化性质及银的迁移等作为银铜合金所期待的特性。

作为银和铜的合金粒子的制造方法，有如专利文献1或专利文献2、专利文献3之类的液相还原法、原子化法等，但上述任一方法中制作的银铜合金均为核壳型、或包含共晶体，迄今为止尚未公开实质上不含共晶体的银铜合金粒子及其制造方法。在专利文献1中，公开有一种银核银铜壳纳米微粒，关于构成壳的银铜合金，虽然根据组合电子显微镜观察及能量色散型X射线荧光测定而得到的元素组成分析进行了描述，但未公开壳部分中的银和铜各自的映射等，在银和铜的固溶体化方面存在疑问。另外，在专利文献4中记载有通过将铜粒子表面被覆银而得到的银被覆铜粉在非氧化性气氛中、150～600℃的温度下进行热处理使银扩散在铜粒子中而得到的银扩散铜粉。但是，由于通过金属银的自铜粒子表面的扩散来制造银扩散铜粉，因此，难以使银扩散至铜粒子的中心部，在该粒子全整体中，难以形成不含共晶体的状态，而且在用作糊时粒径过大。进而，关于银扩散铜粉的分析方法，只不过是无法通过表面观察(SEM观察)确认到通过热处理以单质的形式存在于铜粒子表面的金属银，也有可能在粒子的中心部存在单质铜。由此，宏观上来看，上述银铜合金为合金，但若极微观地来看，则不能称为合金。

另外，也有通过从在高温下使金属银和金属铜相溶的状态进行急冷来得到银铜合金粒子的部分固溶体的方法，但迄今为止尚未公开以固溶体等非共晶结构为主体的银铜合金，另外，由于在制造时需要较高的能量，因此自然存在成本容易变高等问题。

在本申请申请人所申请的专利文献5中，提供了一种银铜合金粒子的制造方法，但若对通过实施例中所示的制造方法得到的粒子进行分析，则其为共晶体或单独的银或铜混合存在的银铜合金粒子，对于实质上不含共晶体的银铜合金粒子、特别是固溶体银铜合金粒子，迄今为止尚未公开。

另外，对于锡银铜合金，仅公开有如专利文献6中记载那样的共晶合金，对于以实质上不含共晶体的非共晶结构为主体的合金至今为止尚未公开。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2011-068936号公报

专利文献2：特开2006-183110号公报

专利文献3：特开2000-144203号公报

专利文献4：特开2008-057044号公报

专利文献5：国际公开WO2009/008390号小册子

专利文献6：特开2007-132654号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明是鉴于上述情况而完成的，其课题在于，提供实质上不含共晶体的银铜合金。另外，本发明的课题在于，提供合金，其为包含银和铜和银铜以外的其它的金属等的至少三种金属的固体合金，其实质上不含共晶体。

用于解决课题的手段

本发明，通过提供实质上不含共晶体的固体银铜合金来解决上述课题。

即，本发明，通过提供银铜合金来解决上述课题，所述银铜合金为银铜合金中所含的铜的浓度为0.1wt%～99.94wt%的固体银铜合金，上述固体银铜合金以室温下不含共晶体的非共晶结构为主体。

另外，本发明可以如下实施：为银铜合金中所含的铜的浓度为0.1wt%～99.94wt%的固体银铜合金，对于上述固体银铜合金而言，进行使用了TEM-EDS分析的直径5nm的光束直径所引起的微小范围中的银和铜的摩尔比的分析，结果，在分析点的50%以上，银和铜的摩尔比在通过上述固体银铜合金的ICP分析结果而得到的银和铜的摩尔比的±30%以内被检出。

另外，本发明可如下实施：其为银铜合金中含有的铜的浓度为0.1wt%～99.94wt%的固体银铜合金，对于上述固体银铜合金而言，进行使用了STEM-EDS分析的直径0.2nm的光束直径所引起的微小范围中的银和铜的摩尔比的分析，结果，在分析点的50%以上，银和铜的摩尔比在通过上述固体银铜合金的ICP分析结果得到的银和铜的摩尔比的±30%以内被检出。

另外，本发明可以如下实施：上述银铜合金，通过在对向配设了的、可接近·分离的至少一方相对于另一方相对地进行旋转的至少2个处理用面间形成的薄膜流体中混合银离子、铜离子及还原剂、使银铜合金粒子析出而得到。

另外，本发明可以如下实施：上述银铜合金为固溶体。

另外，本发明可以如下实施：对于上述银铜合金而言，进行使用了TEM-EDS分析的直径5nm的光束直径所引起的微小范围分析，结果，在全部的分析点中都检出银和铜。

另外，本发明可以如下实施：对于上述银铜合金而言，进行使用了STEM-EDS分析的直径0.2nm的光束直径所引起的微小范围分析，结果，在全部的分析点中都检出银和铜。

另外，本发明可以如下实施：上述银铜合金为银铜合金中所含的铜的浓度为0.1wt%～99.94wt%的银铜合金粒子。

另外，本发明可以如下实施：上述银铜合金由粒径为50nm以下的粒子构成。

另外，本发明可以如下实施：上述银铜合金中没有晶界。

另外，本发明可以如下实施：上述银铜合金为未进行干式的热处理的银铜合金粒子。

另外，本发明可以如下实施：上述银铜合金是混合含有银离子及铜离子的流体和含有还原剂的流体、使银铜合金的粒子析出而制造的。

另外，本发明可以如下实施：上述还原剂为至少2种的还原剂，上述至少2种的还原剂为选自肼类或胺类的至少2种的还原剂。

另外，本发明可以如下实施：上述至少2种的还原剂为一水合肼及二甲基氨基乙醇。

另外，本发明可以如下实施：上述银铜合金除银和铜以外，还含有锡。

发明的效果

在本发明中，可以提供实质上不含共晶体的银铜合金、特别是固溶体的银铜合金，期待表现出抑制铜所具有的易氧化性质、抑制银的迁移等的特性。

另外，在本发明中，可以提供以下合金：其为包含银、铜及作为银铜以外的其它金属的锡的3种金属的固体合金、且实质上不含共晶体，期待表现出抑制铜具有的易氧化性质、抑制银的迁移等的特性。

附图说明

图1为本发明的实施方式涉及的流体处理装置的略剖面图。

图2中，(A)为图1所示的流体处理装置的第1处理用面的略平面图，(B)为相同装置的处理用面的主要部分放大图。

图3中，(A)为相同装置的第2导入部的剖面图，(B)为用于对相同第2导入部进行说明的处理用面的主要部分放大图。

图4为实施例2中制作了银铜合金粒子的(A)STEM-HAADF图像、(B)EDS映射结果(Ag)、(C)EDS映射结果(Cu)。

图5为实施例4中制作了银铜合金粒子的(A)STEM-HAADF图像、(B)EDS映射结果(Ag)、(C)EDS映射结果(Cu)。

图6为实施例8中制作了银铜合金粒子的(A)STEM-HAADF图像、(B)EDS映射结果(Ag)、(C)EDS映射结果(Cu)。

图7为一般的Ag-Cu系合金平衡状态图。

图8为实施例8中制作了银铜合金粒子的HRTEM图像及其HRTEM图像的银铜合金粒子中的STEM-EDS分析点(4点)。

图9为实施例8中制作的银铜合金粒子的图8所示的STEM-EDS各分析点测得的STEM-EDS分析结果。

图10为实施例10中制作了的铜合金粒子的TEM图像。

图11为实施例6中制作了的铜合金粒子的TEM图像。

图12表示实施例10中制作了的银铜合金粒子的HRTEM图像及其HRTEM图像的银铜合金粒子中的TEM-EDS分析点(5点)。

图13为实施例10中制作了的银铜合金粒子的图12所示的TEM-EDS各分析点测得的TEM-EDS分析结果。

图14为使用实施例2、4、10中制作了的银铜合金粒子的干燥粉体进行了的XRD测定结果以及使用将上述银铜合金粒子的干燥粉体在300℃下热处理了30分钟的热处理粉体而进行了的XRD测定结果。

图15为实施例7中制作了的银铜合金粒子的TEM图像。

图16为实施例3中制作了的银铜合金粒子的TEM图像。

图17为实施例4中制作了的银铜合金粒子在低倍率下的TEM图像。

图18为表示实施例2、4、10中制作了的银铜合金粒子的晶格常数，由Vegard定律求得的AgCu固溶体的晶格常数、以及通过急冷凝固制作了的AgCu固溶体中的晶格常数相对于Cu比率的变化的图。

图19为将实施例10中制作了的银铜合金粒子的干燥粉体在300℃下热处理了30分钟的热处理后的银铜合金粒子的TEM图像。

图20为实施例2中制作了的银铜合金粒子在氮气氛下的TG-DTA测定结果。

图21为使用将实施例2、4、10中制作了的银铜合金粒子的干燥粉体以及实施例10的银铜合金粒子的干燥粉体在300℃下热处理了30分钟的热处理后的银铜合金粒子而进行了的DSC测定结果。

图22为实施例13中制作了的银铜合金粒子的(A)STEM-HAADF图像、(B)STEM-BF(明场)图像((A)(B)的倍率都为1000万倍)。

图23为实施例13中制作了的银铜合金粒子的(A)STEM-HAADF图像、(B)STEM-BF(明场)图像((A)(B)的倍率都为2000万倍)。

图24为在与图23(A)(B)的各图像相同的视场下实施了Radialdifference filter处理的(A)STEM-HAADF图像、(B)STEM-BF(明场)图像((A)(B)的倍率都为2000万倍)。

图25为使用实施例13中制作了的银铜合金粒子的干燥粉体而进行了的XRD测定结果。

图26为实施例16中制作了的锡银铜合金粒子的TEM图像。

具体实施方式

以下，对于本发明的实施方式的一个例子，具体进行说明。

(实质上不含共晶体的银铜合金及其粒子)

本发明涉及的银铜合金，为实质上不含共晶体的银铜合金(AgCu合金)。特别是Ag-Cu系合金平衡状态图(作为一个例子，将一般的Ag-Cu系合金平衡状态图示于图7。)中的固相α+β的区域的银和铜的比例(重量比及摩尔比)下的固体银铜合金。一般而言在该区域(银铜合金中所含的铜的浓度为0.1wt%～99.94wt%的区域)中银和铜形成共晶体，但在本发明中，即使在该区域中，也为以不含共晶体的非共晶结构为主体的银铜合金。因此，本发明中的固体银铜合金，为银铜合金中所含的铜的浓度为0.1wt%～99.94wt%、优选为0.5wt%～99.50wt%、进一步优选为1.0wt%～99.00wt%的固体银铜合金，上述固体银铜合金为以室温下不含共晶体的非共晶结构为主体的固体银铜合金。由此推测银的迁移、特别是因银的离子化而产生的离子迁移的抑制是可能的。本发明涉及的银铜合金，为以不含共晶体的非共晶结构为主体的银铜合金，但在本发明中，“以非共晶结构为主体的银铜合金”，是指本发明的银铜合金的65容量%、进一步优选80容量%以上为非共晶结构的银铜合金。另外，作为本发明中的非共晶结构，可以举出固溶体、非晶质等。

如以上所述，本发明人者在室温下通过各种装置对本发明的银铜合金进行观察，认为本发明的银铜合金为以不含共晶体的非共晶结构为主体的固体银铜合金。

更详细而言，将处与室温下的银铜合金粒子置于在后述的实施例中使用的显微分析(TEM-EDS分析或STEM-EDS分析)的环境下，在照射了加速电压200kV的电子束的状态下，确认为以不含共晶体的非共晶结构为主体的银铜合金。此时，未进行照射了电子束的试样自身的温度控制。另外，对于进行了这些观测的银铜合金粒子，在后述实施例(2、4、10)中进行DSC测定，确认在室温～180℃的温度区域中它们的状态没有变化。

关于银铜合金中的共晶体的存在的分析方法没有特别限定，优选显微分析，特别对于微小区域，优选能够对银和铜的分布状态、银和铜的重量比或摩尔比进行分析的分析方法。例如可以举出：透射型电子显微镜观察下的能量分散型X射线分光分析(TEM-EDS)或扫描型电子显微镜观察下的能量分散型X射线分光分析(SEM-EDS)、高分辨率TEM(HRTEM)、高角度散射环形暗场扫描透射显微镜法(HAADF-STEM)、使用扫描透射型电子显微镜(STEM)的元素映射、扫描透射型电子显微镜观察下的能量分散型X射线分光分析(STEM-EDS)、电子能量损失谱(EELS)等。也可以为其它的分析方法，但为了证明银铜合金为不含有共晶体的非共晶结构，优选显微分析。作为本发明中以不含有共晶体的非共晶结构为主体的银铜合金，可以举出如图4、图5及图6中所示的STEM-HAADF图像(图4(A)、图5(A)及图6(A))、及与其相对的EDS映射结果(图4(B)(C)、图5(B)(C)及图6(B)(C)。(B)为Ag的映射结果，(C)为Cu的映射结果。)这样的银铜合金粒子。

对于图4中所示的银铜合金粒子，在该银铜合金粒子粉体的ICP分析结果中，Ag：Cu＝85.5：14.5(摩尔比)，换言之，银铜合金中所含的铜的浓度为9.1wt%。另外，对于图5中所示银铜合金粒子，在该银铜合金粒子粉体的ICP分析结果中，Ag：Cu＝69.9：30.1(摩尔比)，换言之，银铜合金中所含的铜的浓度为20.2wt%。对于图6中所示银铜合金粒子，在该银铜合金粒子粉体的ICP分析结果中，Ag：Cu＝95.0：5.0(摩尔比)，换言之，银铜合金中所含的铜的浓度为3.0wt%。上述银铜合金全部为Ag-Cu系合金平衡状态图中为固相α+β的区域的银和铜的比例，但如各自的EDS映射结果中所见的那样，未确认到银和铜在一个粒子中明确偏析的情况，未确认仅银的区域或仅铜的区域、仅银的粒子或仅铜的粒子。

本发明涉及的银铜合金，优选的是：进行使用了TEM-EDS分析的直径5nm的光束直径所引起的微小范围中的银和铜的摩尔比的分析，结果，在分析点的50%以上，银和铜的摩尔比在通过ICP分析结果所得到的银和铜的摩尔比的±30%以内被检出。

图12中示出银铜合金粒子(Ag：Cu＝50.3：49.7(摩尔比))的HRTEM图像、以及其粒子中的直径5nm的光束直径所引起的TEM-EDS分析点(5点)、以及在图13中示出以图12中所示的各分析点所测定了的TEM-EDS分析结果。根据图13所示的分析结果，在分析点的50%以上，TEM-EDS分析中的银和铜的摩尔比在通过ICP分析结果得到的银和铜的摩尔比的±30%以内被检出，满足其。

如果在银铜合金粒子中含有共晶体的情况下，则应检出许多Ag为100%或者Cu为100%的分析点、作为α相、β相的银和铜的比例的分析点。即，可知上述的银铜合金粒子为不含共晶体的银铜合金。

本发明涉及的银铜合金，优选的是：进行使用了STEM-EDS分析的直径0.2nm的光束直径所引起的微小范围中的银和铜的摩尔比的分析，结果，在分析点的50%以上，银和铜的摩尔比在通过ICP分析结果得到的银和铜的摩尔比的±30%以内被检出。0.2nm直径的光束接近于银及铜的原子半径的大小，但在实际的观察中，由于也包含来自深度方向、周边的信息，因此，可包含实质上大于银或铜的原子尺寸的区域的信息。图8中示出图6中所示的银铜合金粒子(Ag：Cu＝95.0：5.0(摩尔比))的HRTEM图像、以及其粒子中的直径0.2nm的光束直径所引起的STEM-EDS分析点(4点)，以及图9中示出图8中所示的各分析点分析了的STEM-EDS分析结果。由图9中所示分析结果，在分析点的50%以上，STEM-EDS分析中的银和铜的摩尔比在通过ICP分析结果得到的银和铜的摩尔比的±30%以内被检出，满足其。如果在银铜合金粒子中含有共晶体的情况下，则应检出许多Ag为100%或者Cu为100%的分析点、作为α相、β相的银和铜的比例的分析点。即，可知上述的银铜合金粒子为不含共晶体的银铜合金。

另外，可知在图10中所示的银铜合金粒子(Ag：Cu＝50.3：49.7(摩尔比)、银铜合金中所含的铜的浓度为36.8wt%)中，沿一个方向观测晶格条纹(结晶中的原子排列)，在图10中所示的银铜合金粒子中没有晶界。

在本发明中，使用上述EDS分析(能量分散型X射线分光分析)的情况下的光束直径，根据使用的装置的能力等而不同，例如优选为25nm，更优选为10nm，进一步优选为5nm。另外根据分析装置而更优选为0.5nm，进一步优选为0.2nm。在本发明中的实施例中，在TEM-EDS分析的情况下使光束直径为5nm来实施，在STEM-EDS分析的情况下使光束直径为0.2nm来实施。另外，作为本发明中的TEM或STEM的观察条件，优选25万倍以上，更优选50万倍以上。

对于EDS的分析方法，对于其分析位置的确定不论单数复数，没有特别限定，优选在多处进行，在分析的对象为粒子的情况下，对于多个粒子可以分别进行EDS分析，也可以对单独的粒子中的多个位置进行EDS分析。例如在粒径为5nm、且EDS的光束直径为5nm的情况下，可以使用对多个粒子进行EDS分析的方法，也可以通过若干改变EDS分析中的光束的照射位置来对单独的粒子中的多个位置进行EDS分析。另外，在粒径为5nm、EDS的光束直径为0.2nm的情况下，可以对单独的粒子中的多个位置进行EDS分析。

对于EDS分析位置的数量没有特别限定，优选3个以上，更优选10个以上，进一步优选25个以上。

在本发明涉及的银铜合金中，优选的是：进行使用了TEM-EDS分析或STEM-EDS分析的在上述的光束直径所引起的微小范围中的银和铜的摩尔比的分析，结果，在分析点的50%以上、优选65%以上、更优选80%以上中，银和铜的摩尔比，在通过ICP分析结果而得到的银和铜的摩尔比的±30%以内、优选20%以内、更优选10%以内被检出。

但是，在分析点的50%以上，超过通过ICP分析结果而得到的银和铜的摩尔比的±30%的情况下，相对于通过ICP分析而得到的银和铜的摩尔比，通过TEM-EDS分析或STEM-EDS分析而得到的微小范围分析结果中的银和铜的摩尔比大大不同，因此恐怕不能制作均匀的银铜合金。

作为可进行这样的分析的装置，没有特别限定，例如，作为可进行透射型电子显微镜观察下的能量分散型X射线分光分析(TEM-EDS)的装置，可以举出：能量分散型X射线分析装置、具备JED-2300(JEOL制)的透射型电子显微镜、JEM-2100(JEOL制)、作为可进行扫描透射型电子显微镜观察下的能量分散型X射线分光分析(STEM-EDS)的装置，可以举出具备r-TEM EDS检测器(アメテック公司制)的高分辨率分析电子显微镜、Titan80-300(FEI公司制)或、能量分散型X射线分析装置、具备Centurio(JEOL制)的原子分辨率分析电子显微镜、JEM-ARM200F(JEOL制)等。

(银和铜的比率)

对于本发明中的银铜合金中所含的银和铜的比率(摩尔比)，没有特别限定。可以为银的摩尔比较高的银铜合金，也可以为铜的摩尔比较高的银铜合金。另外，在本申请中，上述银铜合金中所含的银和铜的摩尔比不存在关系，将包含银和铜的合金记载为银铜合金。

(银铜合金粒子的粒径)

本发明中的银铜合金，优选其粒径为50nm以下的银铜合金粒子。更优选粒径为25nm以下的银铜合金，进一步优选粒径为10nm以下的银铜合金粒子。其理由，是因为纳米级尺寸的粒子因量子尺寸效应而显示低熔点化·低温烧结性这样的特异物性。例如可以举出以下等：作为随着近年来的纳米技术的发展也能够通过涂布烧成的工艺而在塑料基板上进行电路形成的材料，需要使用了纳米粒子的电子电路形成用的导电糊等，可以通过上述特异物性来满足其要求。在本发明中，包含有各图中所示的银铜合金，在得到的银铜合金中，也有其粒径为50nm以下、25nm以下以及10nm以下的银铜合金粒子。

另外，本发明涉及的银铜合金，为不需要干式的热处理的银铜合金粒子。

需要说明的是，与大多数合金相同，本发明的银铜合金有时也含有微量的杂质，因此本发明允许有意或无意地在该银铜合金中含有银或铜以外的元素。作为有意含有的元素，可以例示锡元素。这些元素的比率没有特别限制，例如在以焊锡为目的的情况下，优选锡：银：铜＝95.0～93.0：5.0～3.0：2.0～0.5(摩尔比)的范围。作为锡以外的元素，没有特别限定，可以举出全部元素，若示出一个例子，则可以举出金、钯、镍、铬、锰、钒、铁、钼等。认为无意地含有其它的金属作为杂质的比例没有特别限定，低于银铜合金全体的0.05wt%，更优选低于0.02wt%，进一步优选低于0.01wt%。

(银铜合金粒子的制造方法1：概要)

作为上述银铜合金的制造方法，没有特别限定。可以为将银及铜的化合物进行热分解的方法，也可以为将银及铜离子进行还原的方法，优选为将含有银离子及铜离子的流体和含有还原剂的流体进行混合、使银铜合金粒子析出的银铜合金粒子的制造方法。另外，也可以为将含有银离子的流体、含有铜离子的流体及含有还原剂的流体进行混合、使银铜合金的粒子析出的银铜合金粒子的制造方法。作为上述的含有还原剂的流体，可以含有1种还原剂，也可以含有至少2种还原剂。通过含有至少2种还原剂作为上述的含有还原剂的流体，可以控制银及铜的析出时间，可以实质上同时使银和铜析出，因此具有以银铜合金的形式析出的优点。认为在仅使用1种还原剂的情况下，难以控制银及铜的析出时间，银和铜容易分别单独析出，但在本发明中，作为上述的含有还原剂的流体，也可以使用含有1种还原剂的流体。

另外，作为上述的含有还原剂的流体，可以使用含有至少1种还原剂的第1还原剂流体和含有至少一种与在第1还原剂流体中使用的还原剂不同的还原剂的第2还原剂流体的2种流体。

(银铜合金粒子的制造方法2：含有银离子及铜离子的流体、含有银离子的流体和含有铜离子的流体)

作为上述含有银离子及铜离子的流体、或含有银离子的流体和含有铜离子的流体，没有特别限定，优选含有银离子及铜离子的溶液、或含有银离子的溶液和含有铜离子的溶液。作为制作方法，可以举出将银或铜的金属单质溶解于盐酸、硝酸或王水等中的方法；将银或铜的化合物溶解于溶剂中的方法等。另外，可以将银单质及/或银化合物和铜单质及/或铜化合物一次溶解于溶剂中而制作含有银离子及铜离子的流体，也可以将银单质及/或银化合物溶解于溶剂中了的银溶液和将铜单质及/或铜化合物溶解于溶剂中了的铜溶液进行混合来制作含有银离子及铜离子的流体。

(化合物)

作为上述银或铜的化合物，没有特别限定，作为一个例子，可以举出银或铜的盐、氧化物、氮化物、碳化物、络合物、有机盐、有机络合物、有机化合物等。作为银或铜的盐，没有特别限定，可以举出硝酸盐或亚硝酸盐、硫酸盐或亚硫酸盐、甲酸盐或乙酸盐、磷酸盐或亚磷酸盐、次磷酸盐或氯化物、含氧盐或乙酰丙酮盐等。作为其它的化合物，可以举出银或铜的醇盐。

(溶剂)

可以将上述的银单质及/或银化合物及/或铜单质及/或铜化合物在溶剂中混合、优选溶解或分子分散而制作含有银离子及铜离子的流体、或含有银离子的流体和含有铜离子的流体。另外，上述银单质及/或银化合物、及/或、铜单质及/或铜化合物，可以根据目的而任意选择来使用。作为用于使上述银单质及/或银化合物、及/或、铜单质及/或铜化合物溶解的溶剂，例如，可以举出水或有机溶剂、或混合了它们的混合溶剂。作为上述水，可以举出自来水或离子交换水、纯水或超纯水、RO水等，作为有机溶剂，可以举出：醇化合物溶剂、酰胺化合物溶剂、酮化合物溶剂、醚化合物溶剂、芳香族化合物溶剂、二硫化碳、脂肪族化合物溶剂、腈化合物溶剂、亚砜化合物溶剂、卤素化合物溶剂、酯化合物溶剂、离子性液体、羧酸化合物、磺酸化合物等。上述溶剂可以分别单独使用，或混合多种使用。

（酸性物质及碱性物质）

此外，也可在上述溶剂中溶解碱性物质或酸性物质来实施。作为碱性物质，可以举出氢氧化钠或氢氧化钾等金属氢氧化物、如甲醇钠或异丙醇钠之类的金属醇盐，以及三乙胺或2-二乙氨基乙醇、二乙胺等胺系化合物等。作为酸性物质，可以举出王水、盐酸、硝酸、发烟硝酸、硫酸、发烟硫酸等无机酸，或甲酸、醋酸、氯醋酸、二氯醋酸、草酸、三氟醋酸、三氯醋酸等的有机酸。这些碱性物质或酸性物质也可以如上所述与各种溶剂混合来实施，还可以分别单独使用。

（溶剂的详细说明）

如果对上述的溶剂进一步详细地进行说明，则作为醇化合物溶剂，可以举出例如甲醇、乙醇、异丙醇、正丙醇、1-甲氧基-2-丙醇等，进而可举出正丁醇等的直链醇，2-丁醇、叔丁醇等的分支状醇，乙二醇、二乙二醇等的多元醇，丙二醇单甲基醚等。作为酮化合物溶剂，例如可以举出丙酮、甲基乙基酮、环己酮等。作为醚化合物溶剂，例如可以举出二甲醚、乙醚、四氢呋喃等。作为芳香族化合物溶剂，例如可以举出苯、甲苯、二甲苯、硝基苯、氯苯、二氯苯。作为脂肪族化合物溶剂，例如可以举出己烷等。作为腈化合物溶剂，例如可以举出乙腈等。作为亚砜化合物溶剂，例如可以举出二甲基亚砜、二乙基亚砜、六亚甲基亚砜、环丁砜等。作为卤化合物溶剂，例如可以举出氯仿、二氯甲烷、三氯乙烯、碘仿等。作为酯化合物溶剂，例如可以举出醋酸乙酯、醋酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸2-(1-甲氧基)丙酯等。作为离子性液体，例如可以举出1-丁基-3-甲基咪唑鎓和PF₆-(六氟磷酸离子)的盐等。作为酰胺化合物溶剂，例如可以举出N,N-二甲基甲酰胺、1-甲基-2-吡咯烷酮、2-吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、ε-己内酰胺、甲酰胺、N-甲基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基丙酰胺、六甲基磷酸三酰胺等。作为羧酸化合物，例如可以举出2,2-二氯丙酸、方酸等。作为磺酸化合物，例如可以举出甲磺酸、对甲苯磺酸、氯磺酸、三氟甲磺酸等。

(还原剂)

作为上述还原剂，没有特别限定，可以使用能够将银及/或铜的离子还原的全部还原剂。若举出一个例子，则可以举出硼氢化钠、硼氢化锂等的氢化物类还原剂，甲醛或乙醛等的醛类，亚硫酸盐类，甲酸、草酸、琥珀酸、抗坏血酸等的羧酸类或者内酯类，乙醇、丁醇、辛醇等的脂肪族一元醇类，松油醇等的脂环族一元醇类等的一元醇类，乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等的脂肪族二元醇类，甘油、三羟甲基丙烷等的多元醇类，聚乙二醇、聚丙二醇等的聚醚类，二乙醇胺或单乙醇胺等的烷醇胺类，对苯二酚，间苯二酚，氨基苯酚，葡萄糖，或者柠檬酸钠，次氯酸或其盐，过渡金属的离子(钛或铁的离子等)，肼类，胺类等。

(还原剂：肼类或胺类)

在本发明中，使用上述还原剂中的至少1种。另外，优选使用至少2种上述还原剂、控制银和铜的还原速度或银和铜的析出时间，更优选选自肼类或胺类的至少2种来使用，进一步优选使用选自肼类的至少1种及选自胺类的至少1种。作为上述肼类，没有特别限定，可以举出肼、一水合肼、碳酸肼、硫酸肼、苯肼、1-甲基-1-苯肼、1,1-二苯肼盐酸盐等。作为胺类，没有特别限定，可以举出式：RaNH₂；R^aR^bNH；或R^aR^bR^cN；[式中，R^a、R^b及R^c表示相同或各自不同的取代基，R^a及R^b可以互相键合而与相邻的氮原子形成环状氨基。]所示的化合物或其盐等。若举出一个例子，则可以举出三乙基胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇等。

通过使用至少2种还原剂，如上所述，可以控制银和铜的还原速度、或银和铜的析出时间。作为其机理，没有特别限定，本发明人认为是由于：在尝试使用一种还原剂还原不同特性的银和铜、特别是标准电极电位不同的银和铜(Cu²⁺+2e^-□Cu：+0.337V、Ag⁺+e^-□Ag：+0.799V)的情况下，更容易被还原的贵金属即银容易比铜先还原、析出，银和铜容易单独或以含有共晶体的合金的形式析出，但通过使用至少2种还原剂，可以加快铜的还原、析出或延缓银的还原、析出，或可以通过其两者的效果使银和铜同时析出。因此，本发明中的银铜合金粒子,容易成为不含共晶体的非共晶结构，可以使用后述的本申请申请人所申请的专利文献5中记载的流体处理装置来将含有银离子及铜离子的流体和含有还原剂的流体混合、使银铜合金粒子析出，由此制作后述的实施例中得到确认了的均匀且均质的银铜合金粒子。

(含有还原剂的流体)

上述含有还原剂的流体，含有至少1种上述还原剂，上述的还原剂优选为液体的状态、或在溶剂中混合、溶解或分子分散了的状态。对于上述溶剂没有特别限定。可以根据目的使用上述溶剂。可以在上述的含有还原剂的流体中含有分散液或浆液等的状态的物质来实施。

另外，作为上述含有还原剂的流体，如上所述，可以使用含有至少2种还原剂的流体，也可以使用含有至少1种还原剂的第1还原剂流体和含有至少1种与在第1还原剂流体中使用的还原剂不同的还原剂的第2还原剂流体的2种流体。

(pH：含有银及铜离子的流体或含有银离子的流体和含有铜离子的流体、含有还原剂的流体、混合后的流体)

对于本发明中的各流体的pH没有特别限定。可以根据目标银铜合金粒子中的银和铜的摩尔比及粒径、或结晶性等来适宜变更。对于含有银及铜的离子的流体或含有银离子的流体和含有铜离子的流体、及含有还原剂的流体的pH调整，可以在各流体中含有上述酸性物质或碱性物质来实施，也可以根据使用的银或铜的化合物的种类、还原剂的种类、以及浓度来进行变更。

进而，对于将上述含有银离子及铜离子的流体或含有银离子的流体及含有铜离子的流体和含有还原剂的流体混合后的pH也没有特别限定，优选为7～14，更优选为8～13，进一步优选为11～13。更详细而言，在将上述含有银离子及铜离子的流体或含有银离子的流体和含有铜离子的流体及含有还原剂的流体混合后的流体的pH为7以下的情况下，银离子或铜离子的还原容易变得不充分，另外难以控制银和铜的还原速度。另外，在混合后的流体的pH大于14的情况下，容易产生银或铜的含有氧的化合物，例如氢氧化物、氧化物。特别是在混合后的流体的pH在11～13的范围的情况下，制作的银铜合金粒子中的银和铜的均匀性容易变高，即使对于多个粒子的每一个，各粒子内银和铜的均匀性也容易变高，因此优选。另外，对于混合后的流体的pH调整方法没有特别限定。可以以混合后的流体pH为上述pH范围的方式调整各流体的pH、或通过变更各流体的流量来实施。

需要说明的是，在实施例中，刚混合了含有银离子及铜离子的流体及含有还原剂的流体后的流体的pH难以测定，因此，测定从后述的流体处理装置的处理用面1、2间排出的排出液的pH。

(温度)

本发明中的各流体中的温度没有特别限定。与_pH相同，可以根据目标银铜合金粒子中银和铜的摩尔比、粒径、或结晶性等来适宜变更。

(分散剂等)

另外，在本发明中，可以根据目的或需要使用各种分散剂或表面活性剂。作为表面活性剂及分散剂，没有特别限定，可以使用一般使用的各种市售品、产品或新型合成品等。作为一个例子，可以举出阴离子性表面活性剂、阳离子性表面活性剂、非离子性表面活性剂及各种聚合物等分散剂等。这些可以单独使用，也可以并用两种以上。分散剂中有显示还原性的物质，作为其一个例子，可以举出：聚乙烯基吡咯烷酮、辛基胺等。

上述得到表面活性剂及分散剂，可以包含在上述的含有银离子及铜离子的流体、含有银离子的流体和含有铜离子的流体、或含有还原剂的流体内、在银铜合金粒子的制作中使用的流体的任一种、或使用的多种流体中。另外，上述表面活性剂及分散剂也可以包含在与含有银离子及铜离子的流体、含有银离子的流体和含有铜离子的流体、含有还原剂的流体均不同的第3流体中。特别是为了分散性的提高，上述分散剂等，优选预先导入上述的含有还原剂的流体、或含有银和铜离子的流体或者含有银离子的流体和含有铜离子的流体中的至少任一种流体中。

(流体处理装置)

在本发明中，优选在可接近·分离的彼此对向配设、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中将上述的含有银离子及铜离子的流体和含有还原剂的流体进行混合、使银铜合金粒子析出，优选使用本申请的申请人所申请的专利文献5中记载的流体处理装置来进行混合、使银铜合金粒子析出。以下，使用附图对上述流体处理装置的实施方式进行说明。

图1～图3中所示的流体处理装置，为与专利文献5中所记载的装置同样，为如下装置：在可以接近·分离的至少一方相对于另一方相对地旋转的处理用部中的处理用面之间处理被处理物，即，将被处理流动体中的作为第1被处理流动体的第1流体导入处理用面间，从与导入了上述第1流体的流路独立、具备与处理用面间的开口部连通的其它流路将被处理流动体中的第2被处理流动体即第2流体导入处理用面间，在处理用面间将上述第1流体和第2流体进行混合·搅拌来进行处理。需要说明的是，在图1中，U表示上方，S表示下方，在本发明中，上下前后左右仅限于表示相对的位置关系，并不特定绝对的位置。在图2(A)、图3(B)中，R表示旋转方向。在图3(B)中，C表示离心力方向(半径方向)。

该装置为如下装置：作为被处理流动体使用至少2种流体，对于其中至少1种流体，包含至少1种被处理物，具备可以接近·分离地相互对向配设的至少一方相对于另一方旋转的处理用面，在这些处理用面之间使上述各流体合流而形成薄膜流体，在该薄膜流体中处理上述被处理物。该装置如上所述，可以处理多个被处理流动体，但也可以处理单一的被处理流动体。

该流体处理装置具备对向的第1及第2的2个处理用部10、20，至少一方处理用部进行旋转。两处理用部10、20的对向的面分别成为处理用面。第1处理用部10具备第1处理用面1，第2处理用部20具备第2处理用面2。

两处理用面1、2与被处理流动体的流路连接，构成被处理流动体的流路的一部分。该两处理用面1、2间的间隔可以适宜改变进行实施，通常调整为1mm以下、例如0.1μm至50μm左右的微小间隔。由此，通过该两处理用面1、2间的被处理流动体，成为由两处理用面1、2所强制的强制薄膜流体。

在使用该装置处理多个被处理流动体的情况下，该装置与第1被处理流动体的流路连接，形成该第1被处理流动体的流路的一部分，同时，形成与第1被处理流动体不同的第2被处理流动体的流路的一部分。而且，该装置进行如下流体的处理：使两流路合流，在处理用面1、2间，混合两被处理流动体，使其反应等。需要说明的是，在此，“处理”并不限于被处理物反应的方式，也包含不伴随反应而仅进行混合·分散的方式。

具体地进行说明时，具备：保持上述第1处理用部10的第1托架11、保持第2处理用部20的第2托架21、接面压力赋予机构、旋转驱动机构、第1导入部d1、第2导入部d2和流体压力赋予机构p。

如图2(A)所示，在该实施方式中，第1处理用部10为环状体，更详细而言，其为圈状的圆盘。另外，第2处理用部20也为圈状的圆盘。第1、第2处理用部10、20的材质除金属之外，可以采用对碳、陶瓷或烧结金属、耐磨耗钢、蓝宝石、其它金属实施有固化处理的材料或将硬质材料实施有加衬或涂层、镀敷等的材料。在该实施方式中，两处理用部10、20的相互对向的第1、第2处理用面1、2的至少一部分被镜面研磨。

该镜面研磨的面粗糙度没有特别限定，优选设为Ra0.01～1.0μm，更优选为Ra0.03～0.3μm。

至少一方的托架可以用电动机等旋转驱动机构(无图示)相对于另一方的托架相对进行旋转。图1的50表示旋转驱动机构的旋转轴，在该例中，该旋转轴50上所安装的第1托架11进行旋转，该第1托架11上所支承的第1处理用部10相对于第2处理用部20进行旋转。当然，可以使第2处理用部20旋转，也可以使两者旋转。另外，在该例中，将第1、第2托架11、21固定，使第1、第2处理用部10、20相对于该第1、第2托架11、21旋转也是可以的。

第1处理用部10和第2处理用部20至少任一方可与至少任意另一方接近·分离，两处理用面1、2可以接近·分离。

在该实施方式中，第2处理用部20相对于第1处理用部10接近·分离，在设置于第2托架21的收容部41中可以可出没地收容第2处理用部20。但是也可以与其相反地、第1处理用部10相对于第2处理用部20接近·分离，也可以两处理用部10、20相互接近·分离。

该收容部41为第2处理用部20的主要收容与处理用面2侧相反侧的部位的凹部，从平面看，其为呈现圆的即形成为环状的槽。该收容部41具有可以使第2处理用部20旋转的充分的间隙，收容第2处理用部20。需要说明的是，第2处理用部20以在轴方向可以仅进行平行移动的方式配置，通过增大上述间隙，第2处理用部20也可以以消除与上述收容部41的轴方向平行的关系的方式使处理用部20的中心线相对于收容部41倾斜而位移，进而，可以以第2处理用部20的中心线和收容部41的中心线在半径方向偏离的方式进行位移。

这样，希望通过3维且可以位移地保持的浮动机构来保持第2处理用部20。

上述被处理流动体，在通过由各种泵、位置能量等构成的流体压力赋予机构p赋予压力的状态下，从第1导入部d1和第2导入部d2导入两处理用面1、2间。在该实施方式中，第1导入部d1为设置在环状的第2托架21的中央的流体的通路，其一端从环状的两处理用部10、20的内侧被导入两处理用面1、2间。第2导入部d2向处理用面1、2供给和第1被处理流动体进行反应的第2被处理流动体。在该实施方式中，第2导入部d2为设置于第2处理用部20的内部的通路，其一端在第2处理用面2上开口。通过流体压力赋予机构p所加压的第1被处理流动体从第1导入部d1被导入两处理用部10、20的内侧的空间，通过第1处理用面1和第2处理用面2之间，在两处理用部10、20的外侧穿过。在这些处理用面1、2间，从第2导入部d2供给通过流体压力赋予机构p所加压的第2被处理流动体，与第1被处理流动体合流，进行混合、搅拌、乳化、分散、反应、晶出、晶析、析出等各种流体处理，从两处理用面1、2排出至两处理用部10、20的外侧。需要说明的是，也可以通过减压泵使两处理用部10、20的外侧的环境为负压。

上述接面压力赋予机构将作用于使第1处理用面1和第2处理用面2接近的方向的力赋予处理用部。在该实施方式中，接面压力赋予机构设置在第2托架21上，将第2处理用部20向第1处理用部10赋能。

上述接面压力赋予机构，为用于产生第1处理用部10的第1处理用面1和第2处理用部20的第2处理用面2压在进行接近的方向的力（以下称为接面压力）的机构，通过该接面压力和使流体压力等的两处理用面1、2间分离的力的均衡，产生具有nm单位至μm单位的微小的膜厚的薄膜流体。换言之，通过上述力的均衡，将两处理用面1、2间的间隔保持在规定的微小间隔。

在图1所示的实施方式中，接面压力赋予机构配位于上述收容部41和第2处理用部20之间。具体而言，由向将第2处理用部20靠近于第1处理用部10的方向赋能的弹簧43和导入空气、油等赋能用流体的赋能用流体的导入部44构成，通过弹簧43和上述赋能用流体的流体压力赋予上述接面压力。该弹簧43和上述赋能用流体的流体压力赋予任一方即可，可以为磁力或重力等其它的力。抵抗该接面压力赋予机构的赋能，由于通过流体压力赋予机构p所加压的被处理流动体的压力、粘性等产生的分离力，第2处理用部20远离第1处理用部10，在两处理用面间打开微小的间隔。这样，利用该接面压力和分离力的平衡，以μm单位的精度设定第1处理用面1和第2处理用面2，进行两处理用面1、2间的微小间隔的设定。作为上述分离力，可以举出被处理流动体的流体压或粘性和处理用部的旋转形成的离心力、对赋能用流体导入部44施加负压时的该负压、将弹簧43制成抗张弹簧时的弹簧的力等。该接面压力赋予机构不是第2处理用部20，可以设置于第1处理用部10，也可以设置于两者。

对上述分离力进行具体说明时，第2处理用部20与上述第2处理用面2同时具备位于第2处理用面2的内侧(即，被处理流动体向第1处理用面1和第2处理用面2之间的进入口侧)而与该第2处理用面2邻接的分离用调整面23。在该例中，分离用调整面23作为倾斜面被实施，但也可以为水平面。被处理流动体的压力作用于分离用调整面23，产生使第2处理用部20从第1处理用部10分离的方向的力。因此，用于产生分离力的受压面成为第2处理用面2和分离用调整面23。

进而，在该图1的例中，在第2处理用部20中形成有近接用调整面24。该近接用调整面24，为与分离用调整面23在轴方向上相反侧的面(在图1中为上方的面)，被处理流动体的压力发生作用，产生使第2处理用部20向第1处理用部10接近的方向的力。

需要说明的是，作用于第2处理用面2及分离用调整面23的被处理流动体的压力、即流体压，可理解为构成机械密封中的开启力的力。投影于与处理用面1、2的接近·分离的方向、即第2处理用部20的出没方向(在图1中为轴方向)正交的假想平面上的近接用调整面24的投影面积A1和投影于该假想平面上的第2处理用部20的第2处理用面2及分离用调整面23的投影面积的合计面积A2的面积比A1/A2被称为平衡比K，在上述开启力的调整上是重要的。对于该开启力，可以通过改变上述平衡线、即近接用调整面24的面积A1，通过被处理流动体的压力、即流体压进行调整。

滑动面的实面压P、即接面压力中的流体压产生的压力用下式进行计算。

P＝P1×(K-k)＋Ps

在此，P1表示被处理流动体的压力即流体压，K表示上述平衡比，k表示开启力系数，Ps表示弹簧及背压力。

通过利用该平衡线的调整调整滑动面的实面压P而使处理用面1、2间为所期望的微小间隙量，形成被处理流动体产生的流动体膜，将生成物等被处理了的被处理物制成微细，另外，进行均匀的反应处理。

需要说明的是，省略图示，也可以将近接用调整面24形成具有比分离用调整面23还大的面积的面进行实施。

被处理流动体成为通过保持上述微小的间隙的两处理用面1、2而被强制的薄膜流体，移动至环状的两处理用面1、2的外侧。但是，由于第1处理用部10旋转，因此，所混合的被处理流动体不会从环状的两处理用面1、2的内侧向外侧直线地移动，向环状的半径方向的移动向量和向周方向的移动向量的合成向量作用于被处理流动体，从内侧向外侧大致漩涡状地移动。

需要说明的是，旋转轴50并不限定于垂直配置的旋转轴，可以为在水平方向配位的旋转轴，也可以为倾斜配位的旋转轴。这是因为被处理流动体以两处理用面1、2间的微细的间隔进行处理，实质上可以排除重力的影响。另外，该接面压力赋予机构通过与可位移地保持上述第2处理用部20的浮动机构并用，也作为微振动、旋转对准的缓冲机构起作用。

第1、第2处理用部10、20可以将其至少任一方进行冷却或加热而调整其温度，在图1中，图示有在第1、第2处理用部10、20上设有温调机构(温度调整机构)J1,J2的例子。另外，可以将所导入的被处理流动体进行冷却或加热而调整其温度。这些温度也可以用于所处理的被处理物的析出，另外，也可以为了在第1、第2处理用面1、2间的被处理流动体上产生贝纳尔对流或马朗格尼对流而设定。

如图2所示，可以在第1处理用部10的第1处理用面1上形成从第1处理用部10的中心侧向外侧、即在径方向伸长的槽状的凹部13而实施。该凹部13的平面形状，如图2(B)所示，可以为将第1处理用面1上弯曲或漩涡状地伸长而成的形状或没有图示，也可以为笔直地向外方向伸长的形状、L字状等地屈曲或弯曲而成的形状、连续而成形状、断续而成的形状、分支而成的形状。另外，该凹部13也可作为形成于第2处理用面2而实施，也可作为形成于第1及第2处理用面1、2的两者而实施。通过形成这样的凹部13可得到微泵效果，具有可在第1及第2处理用面1、2间抽吸被处理流动体的效果。

希望该凹部13的基端达到第1处理用部10的内周。该凹部13的前端由于向第1处理用部面1的外周面侧伸长，其深度(横截面积)采用伴随从基端向前端逐渐减少的深度。

在该凹部13的前端和第1处理用面1的外周面之间设有没有凹部13的平坦面16。

在第2处理用面2上设有上述第2导入部d2的开口部d20的情况下，优选设置于与对向的上述第1处理用面1的平坦面16对向的位置。

该开口部d20希望设置于比第1处理用面1的凹部13相比的下游侧(在该例中为外侧)。特别希望设置于以下位置：即与在通过微泵效果而导入时的流动方向以在处理用面间形成的螺旋状变换为层流的流动方向的点相比的外径侧的平坦面16对向的位置。具体而言，在图2(B)中，优选将从设置于第1处理用面1的凹部13的最外侧的位置向直径方向的距离n设为约0.5mm以上。特别是在从流体中析出微粒的情况下，希望在层流条件下进行多个被处理流动体的混合和微粒的析出。开口部d20的形状，如在图2（B）、图3（B）中以实线所示地为圆形状，也可以如在图2（B）中以虚线所示地为将作为环状圆盘的处理用面2的中央的开口进行卷绕的同心圆状的圆环形状。

在将圆环形状的开口部d20设为将处理用面2的中央的开口进行卷绕的同心圆状的情况下，可以将导入处理用面1、2间的第2流体以相同条件在圆周方向广范围地导入，因此可进行更均匀的扩散·反应·析出等的流体处理。为了量产微粒，优选使开口部d20为圆环形状。另外，也可以不将圆环形状的开口部d20设为将处理用面2的中央的开口进行卷绕的同心圆状。进而，在使开口部为圆环形状的情况下，其圆环形状的开口部可以连续，也可以不连续。

该第2导入部d2可以具有方向性。例如，如图3(A)所示，来自上述第2处理用面2的开口部d20的导入方向相对于第2处理用面2以规定的仰角(θ1)倾斜。该仰角(θ1)设为超过0度且小于90度，进而，在反应速度快的反应的情况下，优选以1度以上且45度以下设置。

另外，如图3(B)所示，来自上述第2处理用面2的开口部d20的导入方向在沿上述第2处理用面2的平面上具有方向性。该第2流体的导入方向在处理用面的半径方向的成分中为远离中心的外方向，且在相对于进行旋转的处理用面间中的流体的旋转方向的成分中为正向。换言之，以通过开口部d20的半径方向即外方向的线段为基准线g，具有从该基准线g向旋转方向R的规定的角度(θ2)。关于该角度(θ2)，也优选设为超过0度且低于90度。

该角度(θ2)可以根据流体的种类、反应速度、粘度、处理用面的旋转速度等各种的条件进行改变而实施。另外，也可以使第2导入部d2完全不具有方向性。

上述被处理流体的种类和其流路的数在图1的例中设为2个，但可以为1个，也可以为3个以上。在图1的例中，从第2导入部d2在处理用面1、2间导入第2流体，该导入部可以设置于第1处理用部10，也可以设置于两者。另外，可以对一种被处理流体准备多个导入部。另外，对设置于各处理用部的导入用的开口部而言，其形状或大小或数量没有特别限制，可以适宜改变而实施。另外，可以就在上述第1及第2处理用面间1、2之前或更上游侧设置导入用的开口部。

需要说明的是，由于只要在处理用面1、2间进行上述反应即可，因此也可以与上述相反地，从第1导入部d1导入第2流体，从第2导入部d2导入第1流体。即，各溶剂中所谓第1、第2的表述，只不过是具有存在有多种溶剂的第n种这样的、用于识别的意思而已，也可以存在第3以上的流体。

在上述装置中，析出·沉淀或结晶化那样的处理，如图1中所示，一边在可接近·分离地相互对向配设、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2之间强制性地均匀混合一边发生。被处理了的被处理物的粒径、单分散度可以通过适当调整处理用部10、20的转速、流速、处理用面1、2间的距离、被处理流动体的原料浓度、或被处理流动体的溶剂种类等进行控制。

以下，对于使用上述装置而进行的银铜合金粒子的制造方法的具体实施方式，说明一个例子。

上述的银铜合金粒子的析出反应，是在本申请的图1中所示的装置的、可接近·分离地彼此对向配设、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2间一边强制均匀地进行混合一边进行。

首先，自作为一个流路的第1导入部d1，将作为第1流体的含有至少1种碱性物质的碱性流体导入可接近·分离地相互对向配设、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2间，在该处理用面间制作由第1流体构成的薄膜流体即第1流体膜。

接着从作为其它流路的第2导入部d2，将作为第2流体的含有金属或金属化合物的至少1种的流体直接导入在上述处理用面1、2间制作了的第1流体膜。

如上所述，可以在通过被处理流动体的供给压和作用在进行旋转的处理用面之间的压力的压力平衡而固定了距离的处理用面1、2间，混合第1流体和第2流体，进行银铜合金粒子的析出反应。

需要说明的是，由于只要能够在处理用面1、2间进行上述反应即可，因此，也可以与上述相反，从第1导入部d1导入第2流体，从第2导入部d2导入第1流体。即，各流体中的称为第1、第2的表现只不过是具有存在多个流体的第n的这样的、用于识别的意思，也可以存在第3以上的流体。

银的迁移，可以说为如下现象：银发生离子化，该银离子一边重复与水中中所含的氢氧基(OH-)离子进行反应而形成氢氧化银的可逆反应、一边在固体中移动，以银的形式析出、偏析，但通过使用上述所示的装置，可以制作银铜合金中的晶格缺陷少的致密的结晶粒子，因此，还具有能够制作较以往能够进一步抑制迁移的银铜合金粒子的优点。

需要说明的是，在本申请的各实施例的电子显微镜(TEM)观察中，未确认到明显的晶格缺陷。

如上所述，除第1导入部d1、第2导入部d2以外，也可以在处理装置中设置第3导入部，在该情况下，例如可以从各导入部将作为第1流体的含有银离子的流体、作为第2流体的含有铜离子的流体、作为第3流体的含有还原剂的流体分别各自导入处理装置。这样，可以分别管理各流体的浓度及压力，能够更精密地控制银铜合金粒子的析出反应。同样，除第1导入部d1、第2导入部d2以外，也可以在处理装置中设置第3导入部和第4导入部，在该情况下，例如可以从各导入部将作为第1流体的含有银离子的流体、作为第2流体的含有铜离子的流体、作为第3流体的含有至少1种还原剂的第1还原剂流体、作为第4流体的含有至少1种与在第1还原剂流体中使用的还原剂不同的还原剂的第2还原剂流体分别各自导入处理装置。需要说明的是，导入各导入部的被处理流动体(第1流体～第4流体)的组合，可以任意设定。在设置第5以上的导入部的情况下，也可同样地如上将导入处理装置的流体细分。在该情况下，优选在与含有还原剂的流体进行合流之前将含有银离子的流体和含有铜离子的流体进行合流，另外，优选在与含有银离子及铜离子的流体进行合流之前，第1还原剂流体和第2还原剂流体进行合流。

进而，也可以控制第1、第2流体等的被处理流动体的温度，或者控制第1流体和第2流体等的温度差(即，供给的各被处理流动体的温度差)。为了控制供给的各被处理流动体的温度、温度差，也可以测定各被处理流动体的温度(就要导入处理装置、更详细而言处理用面1、2间前的温度)、附加进行在处理用面1、2间导入的各被处理流动体的加热或冷却的机构来实施。

实施例

以下，举出实施例进一步对本发明具体地进行说明。但是，本发明并不限定于下述实施例。

需要说明的是，在以下的实施例中，“从中央”是指图1中所示的处理装置的“从第1导入部d1”，第1流体是指从第1导入部d1导入的上述的第1被处理流动体，第2流体是指从图1中所示的处理装置的第2导入部d2导入的上述的第2被处理流动体。另外，作为第2导入部d2的开口部d20，如图2(B)中虚线所示，使用卷绕处理用面2的中央的开口的同心圆状的圆环形状的开口部。

(TEM-EDS分析)

利用TEM-EDS分析的银铜合金粒子中的银及铜的元素映射及定量中，使用能量分散型X射线分析装置、具备JED-2300(JEOL制)的透射型电子显微镜、JEM-2100(JEOL制)。使用直径5nm的光束直径来进行分析，算出银铜合金粒子中银和铜的摩尔比。具体而言，在10个得到的银铜合金粒子的每个中设置如图12中所示的5个分析点，在各分析点算出银和铜的摩尔比，使用其平均值。

作为TEM观察、TEM-EDS分析的具体条件，在室温的环境下将银铜合金粒子的试样搭载于透射型电子显微镜，以加速电压200kV对银铜合金粒子的试样进行电子束照射。此时，未进行上述试样的温度控制。另外，通过使用了低加速电压的观察、在加速电压200KV下的观察，确认了银铜合金粒子未因上述电子束照射而变化。

需要说明的是，用使用了的透射型电子显微镜向银铜合金粒子进行照射的电子束的加速电压可以在直到数百kV左右的任意的设定。

(STEM-EDS分析)

在利用STEM-EDS分析的、银铜合金粒子中的银及铜的元素映射及定量中，使用具备r-TEM EDS检测器(アメテック公司制)的高分辨率分析电子显微镜、Titan80-300(FEI社制)、或能量分散型X射线分析装置、具备Centurio(JEOL制)的原子分辨分析电子显微镜、JEM-ARM200F(JEOL制)。使用直径0.2nm的光束直径进行分析，算出银铜合金粒子中的银和铜的摩尔比。具体而言，在得到的10个银铜合金粒子的各个中设置如图8所示的4个分析点，在各分析点算出银和铜的摩尔比，使用其平均值。

作为STEM观察、HRTEM观察、STEM-EDS分析的具体条件，在室温环境下将银铜合金粒子试样搭载于扫描透射型电子显微镜，在加速电压200kV下向银铜合金粒子试样进行电子束照射。此时，未进行上述试样的温度控制。另外，通过使用了低加速电压的观察、在加速电压200kV、下的观察，确认了银铜合金粒子未因上述电子束照射而变化。

(ICP分析)

在利用电感耦合等离子体发光分光分析(ICP)的、银铜合金粒子的干燥粉体中所含的银和铜的定量中，使用岛津制作所制的ICPS-8100。

(XRD测定)

在X射线衍射测定中，使用粉末X射线衍射测定装置X‘Pert PROMPD(XRDスペクトリスPANalｙtical事业部制)。测定条件为：Cu对阴极、管电压45kV、管电流40mA、扫描速度1.6°/min.。另外，在解析中使用High Score Plus软件。在Rietvelt解析及Williamson-Hall法中使用Pseudo Voigt函数，加入非对称性而进行计算。

(pH测定)

pH测定中，使用pH试纸或pH计(HORIBA制、型号D-51)。

(DSC测定)

差示扫描热量仪(DSC)测定中，使用差示扫描热量仪(岛津制作所制、DSC-60)。样品试样池使用铝制样品池(アルミクリンプセル)(φ5.8mm×t1.5mm)，参比试样使用α氧化铝，测定试样中使用银铜合金粒子5mg。测定条件为：N₂气流(30ml/min.)、室温～400℃的温度范围、升温速度20℃/min.。

(TG-DTA同时测定)

差示热-热重量(TG-DTA)同时测定中，使用高温型差示热热重量同时测定装置、TG/DTA6300(SII制)。测定条件为：参比试样中使用α氧化铝粉末5.5mg、氮气氛下、30～500℃的温度范围、升温速度30℃/min.。

作为实施例1～15，一边以供给压力=0.50MPaG从中央将作为第1流体的含有银离子及铜离子的流体或含有还原剂的流体进行送液一边向处理用面1、2间导入作为第2流体的含有银离子及铜离子的流体或含有还原剂的流体中与第1流体不同的流体，在薄膜流体中混合第1流体和第2流体。对第1流体以及第2流体的送液温度而言，在就要导入处理装置之前(更详细而言，就要导入处理用面1、2间之前)测定第1流体和第2流体各自的温度。银铜合金粒子分散液从处理用面1、2间排出。对排出了的银铜合金粒子分散液进行离心分离处理(20000G)，使银铜合金粒子沉降，除去上清液之后，进行三次用甲醇清洗的作业，在25℃、大气压下将得到的湿饼干燥，制作银铜合金粒子的干燥粉体。另外，银铜合金粒子的粒径的确认，通过TEM观察来进行，以其一次粒径进行判断。作为TEM观察的观察条件，将观察倍率设为25万倍以上，使用3处的最小值和最大值。表1中示出第1流体的处理条件，表2中示出第2流体的处理条件，及表3中示出处理用面1的转速、从处理用面1、2间排出了的银铜合金粒子分散液(排出液)的pH、通过STEM-EDS和TEM-EDS分析结果得到的银铜合金粒子中的银和铜的比例(摩尔比)、STEM-EDS和TEM-EDS分析中有无仅检出银(银100%)或仅检出铜(铜100%)的分析点(表3中，记作测定点)、利用使用银铜合金粒子的干燥粉体而进行的ICP分析结果得到的银铜合金粒子中的银和铜的比例(摩尔比)、银铜合金粒子中所含的铜的浓度(wt%)。表1、2中的缩写如下：EG：乙二醇、Toluene：甲苯、AgNO₃：硝酸银、CH₃COOAg：乙酸银、Cu(NO₃)₂·3H₂O：硝酸铜三水合物、Cu(COOCH₃)₂·H₂O：乙酸铜一水合物、Cu(COOCH₃)₂：无水乙酸铜、HMH：一水合肼、DMAE：二甲基氨基乙醇、PH：苯基肼、PVP：聚乙烯基吡咯烷酮、OA：正辛基胺、KOH：氢氧化钾、NaBH₄：硼氢化钠、MeOH：甲醇、EtOH：乙醇、SK08：Thiokalcol08(花王制表面活性剂)、PW：纯水。需要说明的是，表3中所示的“可以检出100%Ag或Cu的测定点”中，除仅检出银(银100%)或仅检出铜的(铜100%)的分析点以外，也包含作为固相α或固相β的银和铜的比例(摩尔比)的分析点。另外，实施例13及实施例15的银铜合金粒子分散液(排出液)的pH，在用水将从处理用面1、2间排出了的银铜合金粒子分散液稀释至10倍之后进行测定。

对于比较例1～3，也通过与实施例1～15同样的方法来实施。

需要说明的是，在实施例1～12、16及比较例1～4中，将要求优先权的原本的申请中记载的实施例的数据全部进行修改，记载了修改后的实施例的数据。

在全部的分析点中进行TEM-EDS分析及STEM-EDS分析，结果，确认了实施例中得到的银铜合金粒子为银铜合金中所含的铜的浓度在0.1wt%～99.94wt%的范围、即、Ag-Cu系合金平衡状态图中的固相α+β的区域的范围的银铜合金粒子。另外，对于实施例中得到的银铜合金粒子中的银和铜的比例(摩尔比)为Ag-Cu系合金平衡状态图中的固相α或固相β下的银和铜的比例(摩尔比)的分析点、银为100%或者铜为100%的分析点未检出。

图4中示出实施例2中得到的银铜合金粒子的STEM-HAADF图像(A)及EDS映射结果((B)：Ag、(C)：Cu)、及图5中示出实施例4中得到的银铜合金粒子的STEM-HAADF图像(A)及EDS映射结果((B)：Ag、(C)：Cu)、图6中示出实施例8中得到的银铜合金粒子的STEM-HAADF图像(A)及EDS映射结果((B)：Ag、(C)：Cu)。图8中示出实施例8中得到的银铜合金粒子的HRTEM图像及STEM-EDS分析点(4点)，将图8中所示的各分析点的STEM-EDS分析结果示于图9。图12中示出实施例10中得到的银铜合金粒子的HRTEM图像及TEM-EDS分析点(5点)，将图12中所示的各分析点的TEM-EDS分析结果示于图13。图10中示出实施例10中得到的银铜合金粒子的TEM图像，图11中示出实施例6中得到的银铜合金粒子的TEM图像，及图15中示出实施例7中得到的银铜合金粒子的TEM图像，图16中示出实施例3中得到的银铜合金粒子的TEM图像，图17中示出实施例4中得到的银铜合金粒子在低倍率下的TEM图像。

图9的STEM-EDS分析结果，为实施例8中制作了的银铜合金粒子的一个例子，在进行了EDS分析的10个银铜合金粒子各个中，在4个分析点的50%以上，STEM-EDS分析中的银和铜的摩尔比，在通过ICP分析得到的银和铜的摩尔比的±30%以内被检出。另外，在表3中所示的其它的实施例中进行了同样的STEM-EDS分析，结果，存在在若干的分析点的STEM-EDS分析中的银和铜的摩尔比的值相对于各实施例的通过ICP分析得到的银和铜的摩尔比的值最大为±30%的分析点。进而，在使用了EDS映射的分析中，在这些分析点的观察下未发现银和铜明显偏析的情况等。

图13的EDS分析结果，为实施例10中制作了的银铜合金粒子的一个例子，在进行了TEM-EDS分析的10个银铜合金粒子的各个中，在5个分析点的50%以上，TEM-EDS分析中的银和铜的摩尔比在通过ICP分析得到的银和铜的摩尔比的±30%以内被检出。另外，在表3中所示的其它的实施例中进行同样的TEM-EDS分析，结果，在若干分析点中存在TEM-EDS中的银和铜的摩尔比的值相对于各实施例的通过ICP分析得到的银和铜的摩尔比最大为±30%的点。

另外，将实施例2、4、10中得到的各银铜合金粒子的干燥粉体以及它们的银铜合金粒子在300℃下热处理了30分钟的热处理粉体的XRD测定结果示于图14。将实施例2、4、10中得到的各银铜合金粒子的干燥粉体在300℃下加热了30分钟的粉体作为热处理粉体。以下，将实施例中得到的银铜合金粒子的干燥粉体作为“热处理前(或未处理)的银铜合金粒子”，将实施例中得到的银铜合金粒子的干燥粉体在上述的条件下进行了热处理的粉体作为“热处理后的银铜合金粒子”。为了进行比较，作为参比试样，一并示出试剂Ag和Cu的衍射图案。显示热处理前的银铜合金粒子的衍射线增宽。另外可知热处理前的银铜合金粒子均接近用作参比试样的Ag的衍射位置。根据该衍射图案，认为热处理前的银铜合金粒子的FCC结构的Ag为母结构。对于FCC结构的Ag在[111]即38.2°附近所发现的峰，确认了热处理前的银铜合金粒子的峰伴随银铜合金粒子中的Cu比率增加向高角度侧微微移动。进而，热处理后的银铜合金粒子各自的衍射峰变锐，包含与FCC结构的Cu的衍射峰一致的峰，发现如Cu和Ag的混合体那样各衍射图案发生分离。与Cu的衍射峰一致的热处理后的银铜合金粒子的峰伴随银铜合金中Cu比率的增加(以实施例2、4、10的顺序)，其相对强度增强。

将基于图14中所示的XRD测定结果、使用Rietvelt解析及Williamson-Hall法而求得的晶格常数、晶粒尺寸以及变形示于表4。对于热处理后的银铜合金粒子，以Ag和Cu的二相的形式进行解析。对于热处理前的银铜合金粒子，与Ag的晶格常数[]](文献1：R.K.Linde：In Partial Fulfillment of the Requirements For the Degree ofDoctor of Philosophy,California Institute of Technology,1964)相比，晶格常数均增大。另外，可知用上述的方法求得的热处理前的银铜合金粒子的晶粒尺寸为约5-6nm左右，另外产生变形。作为晶格常数扩大的一个可能性，认为除晶粒尺寸以及变形的影响之外，还受到粒子内部中的Ag和Cu的随机分布所产生的复合影响。

另外，对于晶格常数的变化，图18中示出由文献1中所示的Vegard定律求得的AgCu固溶体的晶格常数和通过急冷凝固而制作的了AgCu固溶体的晶格常数的图中应用了实施例2、4、10中的各热处理前的银铜合金粒子的晶格常数的情况。对于热处理前的银铜合金粒子，也发现伴随银铜合金粒子中Cu比率的增加，其晶格常数变小的倾向。

热处理后的银铜合金粒子的晶格常数，如表4中所示，与Ag和Cu(文献1)的晶格常数基本一致。

另外，根据上述的XRD测定结果，将热处理后的银铜合金粒子中所含的银和铜的定量结果示于表5。可以得到表3中所示了的、与热处理前的银铜合金粒子中的Ag：Cu摩尔比率基本一致的值。图19中示出作为代表例的实施例10的热处理后的银铜合金粒子的TEM图像。由该图像可以明确，即使热处理后粒径仍为10-20nm左右，未发现热处理前后的银铜合金粒子的粒径变化。另外，与热处理前的银铜合金粒子同样地使用TEM-EDS分析而进行热处理后的银铜合金粒子的定量分析，确认热处理前后的银铜合金粒子的Ag：Cu比率没有变化。进而，图20中示出实施例2中得到的银铜合金粒子的在氮气氛下的TG-DTA测定结果。由图20确认了在直到300℃的热处理中，银铜合金粒子的重量没有变化。对于相同图的从450℃附近至500℃间的重量减少及放热，起因于PVP。因此认为热处理后的银铜合金粒子在相同粒子中Ag和Cu产生相分离、即明显产生共晶体或单独的银及铜。换言之，可知热处理前的银铜合金粒子为不含共晶体的固溶体。

图21中示出实施例2、4、10中制作的银铜合金粒子的干燥粉体、以及在300℃下热处理了30分钟的实施例10的银铜合金粒子的干燥粉体的DSC测定结果。认为由第1流体或第2流体中所含的PVP引起保护膜的形成，因此在DSC测定结果中一并示出PVP的DSC测定结果。在测定范围中，对于PVP，未特别确认到峰。对于实施例中制作了的银铜合金粒子，在180-350℃附近确认到非常宽范围的放热峰。认为这取决于固溶了的Ag-Cu末端的分解及生长(文献2：H.W.Sheng，G.Wilde，E.Ma：Acta.Materialia，50,475(2002)、文献3：KlassenT，Herr U,Averback RS.：Acta.Mater.，49,453(1997))。在实施例10的热处理后的银铜合金粒子的DSC测定结果中，未特别发现峰，可知产生了不可逆变化。另外，如表4中所示，对于由XRD测定求得的热处理后的银铜合金粒子的微晶尺寸而言，银、铜的任一者或两者均变大，变形变小。因此，认为：通过在300℃下30分钟的热处理，构成热处理前的银铜合金粒子的固溶体相分解、Ag和Cu分别生长、同时产生共晶体或单独的银及铜。

接着，将实施例13中得到的银铜合金粒子的STEM图像示于图22((A)HAADF图像、(B)BF(明场)图像)(倍率为1000万倍)。如图22(A)(B)所示，银铜合金粒子中观察到晶格条纹。进而，将实施例13的银铜合金粒子在2000倍下观察得到的STEM图像示于图23((A)HAADF图像、(B)BF(明场)图像)。另外，将在与图23(A)(B)的各图像相同的视场下，通过Radialdifference filter处理，排除负载有银铜合金粒子的火棉胶膜的影响等而得到的STEM图像示于图24((A)HAADF图像、(B)BF(明场)图像)(倍率为2000万倍)。在图23(A)(B)、图24(A)(B)中所示全部图像中，确认到晶格条纹起伏的情况。

在银和铜分别单独构成微晶的情况下，在这些微晶的粒界处，有时不一致，发现起伏，实施例13的银铜合金粒子中所观测到的起伏，是在微晶内观测到的，认为：因银和铜发生固溶体化，由于它们的原子半径的差异，晶格变形所引起的起伏。另外，在图25中所示的实施例13的银铜合金粒子的粉末X射线衍射测定结果中，仅确认到与FCC型银接近的衍射图案，未发现来自铜的结晶性衍射，因此认为图23、24的STEM图像中发现的起伏证明铜在FCC型的银结构中发生固溶。另外，在将实施例13的银铜合金粒子的干燥粉体在300℃下热处理了30分钟的粉体的XRD测定及将实施例13的银铜合金粒子的干燥粉体及相同干燥粉体在300℃下加热了30分钟的热处理粉体的DSC测定中，可以得到与实施例2、4、10相同的结果，在实施例13的银铜合金粒子的TG-DTA同时测定中，可得到与实施例2相同的结果。

由以上的结果可知：通过实施例1～15得到的银铜合金粒子为实质上不含共晶体的固溶体银铜合金粒子。

[表1]

[表2]

[表3]

[表4]

[表5]

如上可知:本发明涉及的银铜合金为实质上不含共晶体的银铜合金，该银铜合金为固溶体。

另外可知：本发明涉及的银铜合金，可以通过在可接近·分离的至少一方相对于另一方相对进行旋转的至少2个处理用面间形成的薄膜流体中将含有银离子及铜离子的流体和还原剂流体进行混合、使实质上不含共晶体的银铜合金的粒子析出来制造。

此时，作为含有还原剂的流体，可以使用含有1种还原剂的流体，也可以使用含有2种还原剂的流体，同样，可确认：可以制作实质上不含共晶体的银铜合金的粒子。可制作这样的实质上不含共晶体的银铜合金的粒子的机理尚未明确，但认为是因为：根据还原剂、显示还原性的分散剂的种类、量，它们对银铜合金粒子的制作所造成的影响不同。

另外可知：在制作实质上不含共晶体的银铜合金的粒子方面，优选使含有银离子及铜离子的流体和还原剂流体在薄膜流体中混合后的流体的pH为7以上、更优选为8以上。

(锡银铜合金的制造)

在实施例16中，一边以供给压力=0.30MPaG从中央将作为第1流体的含有银离子、铜离子及锡(Sn)离子的流体进行送液一边向处理用面1、2间导入作为第2流体的含有还原剂的流体，在薄膜流体中混合第1流体和第2流体。对第1流体以及第2流体的送液温度而言，在第1流体和第2流体分别就要导入处理装置之前(更详细而言，就要导入处理用面1、2间之前)测定。对从处理用面1、2间排出的锡银铜合金粒子分散液进行离心分离处理(21000G)，使锡银铜合金粒子沉降，除去上清液之后，进行三次用甲醇清洗的作业，在25℃、-0.095MPaG的条件下干燥得到的湿饼，制作锡银铜合金粒子的干燥粉体。另外，锡银铜合金粒子的粒径通过TEM观察来确认，由其一次粒径进行判断。作为TEM观察的观察条件，将观察倍率设为25万倍以上、优选50万倍以上，使用3处的最小值和最大值。表6中示出第1流体的处理条件，表7中使出第2流体的处理条件，及表8中示出处理用面1的转速、锡银铜合金粒子分散液(排出液)的pH、通过TEM-EDS分析结果得到的锡银铜合金粒子中锡、银及铜的比率(摩尔比)、TEM-EDS分析中仅检出锡、仅检出银(银100%)或仅检出铜的(铜100%)分析点(表8中记作测定点)的有无、由使用锡银铜合金粒子的干燥粉体而进行的ICP分析结果所得到的锡、银及铜的摩尔比。表6、7中的缩写如下：EG：乙二醇、AgNO₃：硝酸银、Cu(NO₃)₂·3H₂O：硝酸铜三水合物、PVP：聚乙烯基吡咯烷酮、KOH：氢氧化钾、NaBH₄：硼氢化钠、PW：纯水、SnCl₄：氯化锡、T.A.：酒石酸、NH₃：氨。需要说明的是，对于TEM-EDS分析，使用与实施例1～15相同的方法，进行锡银铜合金粒子中的锡、银及铜的定量，对于ICP分析，也使用与实施例1～15相同的方法，进行锡银铜合金粒子的干燥粉体中的银和铜的定量。

对于比较例4，也通过与实施例16相同的方法来实施。

[表6]

[表7]

[表8]

在实施例16的全部的分析点进行TEM-EDS分析，结果未检出实施例16的锡银铜合金粒子中的锡、银及铜的比例(摩尔比)为锡100%、银100%或者铜100%的分析点。另外，在进行了EDS分析的实施例16的10个锡银铜合金粒子各个中，在5个分析点的50%以上，TEM-EDS分析中锡、银及铜的摩尔比在通过ICP分析得到的锡、银及铜的摩尔比的±30%以内被检出。

需要说明的是，即使在STEM-EDS分析中，在分析点的50%以上，锡、银及铜的摩尔比，在由ICP分析得到的锡、银及铜的摩尔比的±30%以内被检出。另外，在XRD测定中，确认到来自锡的峰，对于单独的银或铜，未确认到。

由如上，可以确认至今为止所公开的锡银铜合金为共晶合金，但实施例16为实质上不含共晶体的锡银铜合金粒子。

由以上可知在实施例16中，将含有锡离子、银离子及铜离子的流体、含有至少2种还原剂的流体(硼氢化钠、以及在本案中使PVP及乙二醇作为还原剂来发挥作用)在可接近·分离的至少一方相对于另一方相对进行旋转的至少2个处理用面间形成的薄膜流体中混合，优选使上述混合后的流体的pH为8以上，由此可以制作不含共晶体的锡银铜合金粒子。另外实施例16的组成比(在ICP分析结果中，锡：银：铜＝96.6：2.9：0.5(摩尔比)、97.0：2.7：0.3(重量比))为一般可用于焊锡的合金。一般的焊锡的熔点为217℃，但实施例16中制作的合金在DSC测定中(装置：差示扫描热量：DSC-60(岛津制作所))，在升温速度：10℃/min.(40℃-230℃)、气氛：氮，测定试样量：5.4mg的条件下进行测定，结果吸热峰的开始温度为195.68℃，确认熔点下降。将实施例16中得到的粒子的TEM照片示于图26。

符号的说明

1 第1处理用面

2 第2处理用面

10 第1处理用部

11 第1托架

20 第2处理用部

21 第2托架

d1 第1导入部

d2 第2导入部

d20 开口部

Claims

1.一种银铜合金粒子，其特征在于，其为银铜合金中所含的铜的浓度为0.1wt％～99.94wt％的固体银铜合金粒子，

所述固体银铜合金粒子含有65容量％以上的室温下不含共晶体的非共晶结构，

所述固体银铜合金粒子为固溶体。

2.根据权利要求1所述的银铜合金粒子，其特征在于，所述固体银铜合金粒子，进行使用了TEM-EDS分析的直径5nm的光束直径所引起的微小范围中的银和铜的摩尔比的分析，结果，在分析点的50％以上，银和铜的摩尔比，在通过所述固体银铜合金粒子的ICP分析结果而得到的银和铜的摩尔比的±30％以内被检出。

3.根据权利要求1所述的银铜合金粒子，其特征在于，所述固体银铜合金粒子，进行使用了STEM-EDS分析的直径0.2nm的光束直径所引起的微小范围中的银和铜的摩尔比的分析，结果，在分析点的50％以上，银和铜的摩尔比，在通过所述固体银铜合金粒子的ICP分析结果而得到的银和铜的摩尔比的±30％以内被检出。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的银铜合金粒子，其特征在于，所述银铜合金粒子，通过在对向配设了的、可接近及/或分离的、至少一方相对于另一方相对地进行旋转的至少2个处理用面之间形成的薄膜流体中将银离子、铜离子及还原剂混合、使银铜合金粒子析出而得到。

5.根据权利要求1～3的任一项所述的银铜合金粒子，其特征在于，所述银铜合金粒子进行使用了TEM-EDS分析的直径5nm的光束直径所引起的微小范围分析，结果，在全部的分析点中都检出银和铜。

6.根据权利要求1～3的任一项所述的银铜合金粒子，其特征在于，所述银铜合金粒子进行使用了STEM-EDS分析的直径0.2nm的光束直径所引起的微小范围分析，结果，在全部的分析点都检出银和铜。

7.根据权利要求1～3的任一项所述的银铜合金粒子，其特征在于，所述银铜合金粒子的粒径为50nm以下。

8.根据权利要求1～3的任一项所述的银铜合金粒子，其特征在于，所述银铜合金粒子中没有晶界。

9.根据权利要求1～3的任一项所述的银铜合金粒子，其特征在于，所述银铜合金粒子为未进行干式的热处理的银铜合金粒子。

10.根据权利要求1～3的任一项所述的银铜合金粒子，其特征在于，所述银铜合金粒子是将含有银离子及铜离子的流体和含有还原剂的流体混合、使银铜合金粒子析出而制造的。

11.根据权利要求4所述的银铜合金粒子，其特征在于，所述还原剂为至少2种还原剂，所述至少2种还原剂为选自肼类或胺类的至少2种还原剂。

12.根据权利要求10所述的银铜合金粒子，其特征在于，所述还原剂为至少2种还原剂，所述至少2种还原剂为选自肼类或胺类的至少2种还原剂。

13.根据权利要求11所述的银铜合金粒子，其特征在于，所述至少2种还原剂为一水合肼及二甲基氨基乙醇。

14.根据权利要求12所述的银铜合金粒子，其特征在于，所述至少2种还原剂为一水合肼及二甲基氨基乙醇。

15.根据权利要求1～3的任一项所述的银铜合金粒子，其特征在于，所述银铜合金粒子除银和铜以外，还含有锡。

16.一种银铜合金粒子的制造方法，其特征在于，

其为生成权利要求1～15的任一项所述的银铜合金粒子的方法，

将作为第1流体的含有银离子及铜离子的流体和作为第2流体的含有还原剂的流体在可接近及/或分离的相互对向配设、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中进行混合，使所述银铜合金粒子析出，

所述还原剂为至少2种还原剂，

通过使用至少2种还原剂，同时使银和铜析出。

17.根据权利要求16所述的银铜合金粒子的制造方法，其特征在于，

所述至少2种还原剂为选自肼类或胺类的至少2种还原剂，所述混合后的流体的pH为8～13。

18.根据权利要求16所述的银铜合金粒子的制造方法，其特征在于，

所述第1流体和第2流体中至少任一者的流体中含有显示还原性的分散剂，

并用所述还原剂和所述显示还原性的分散剂。