CN103730317A - 气体导入装置和电感耦合等离子体处理装置 - Google Patents
气体导入装置和电感耦合等离子体处理装置 Download PDFInfo
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- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 title description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 75
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 75
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 54
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 54
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 54
- 230000008676 import Effects 0.000 claims description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 21
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 180
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 20
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 15
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 11
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 4
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000013536 elastomeric material Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供一种能够极力避免处理装置所使用的陶瓷制部件的因热而产生的不良情况的安装结构。气体导入转接器（10A）具备中空状的转接器主体（121）和将该转接器主体（121）固定于第一部分壁（6A）的固定机构（122）。固定机构（122）具备保持转接器主体（121）的上部凸缘（121a）的保持件（123）、作为第一紧固件的环状阳螺纹（124）、作为第二紧固件的螺母（125）和在第一部分壁（6A）的上表面上固定于转接器主体（121）的周围的衬垫（126）。在加热时螺母（125）和衬垫（126）在相反方向上热膨胀，保持件（123）作为用来缓和转接器主体（121）的应力的应力缓和机构发挥功能。
Description
技术领域
本发明涉及用于向电感耦合等离子体处理装置等处理装置的处理室内导入处理气体的气体导入装置和具备其的电感耦合等离子体处理装置。
背景技术
在FPD（平板显示器）的制造工序中，对FPD用的玻璃基板进行等离子体蚀刻、等离子体灰化、等离子体成膜等各种的等离子体处理。作为这种进行等离子体处理的装置，已知有能够产生高密度等离子体的电感耦合等离子体（ICP）处理装置。
电感耦合等离子体处理装置具有被气密地保持并对作为被处理体的基板进行等离子体处理的处理室和配置在处理室的外部的高频天线。处理室具有由构成其顶面部分的电介质等材质形成的板状部件，高频天线配置在板状部件的上方。该电感耦合等离子体处理装置中，通过对高频天线施加高频电力，隔着板状部件在处理室内形成感应电场。利用该感应电场将被导入处理室内的处理气体转化为等离子体，使用该等离子体对基板进行规定的等离子体处理。
在电感耦合等离子体处理装置中，用能够容易装卸的电介质罩覆盖板状部件的下表面。由此，能够保护板状部件的下表面，且能够容易更换或清洗受到损伤的电介质罩。在专利文献1中，提案有经由固定上述电介质罩的固定件导入处理气体的气体导入装置。在该提案中，通过兼用上述固定件和气体导入装置，电感耦合等离子体处理装置中的向处理室内导入处理气体的导入位置的自由度提高，例如也能够从板状部件的中央附近导入处理气体。在以大型的基板为处理对象的电感耦合等离子体处理装置中，需要向基板面内均匀地供给处理气体，因此专利文献1的技术是有用的。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011－171153号公报（图11等）
发明内容
发明想要解决的问题
在电感耦合等离子体处理装置中，经由板状部件向处理室内导入处理气体的气体导入装置的材质使用金属时，在金属和由电介质等材质形成的板状部件中，热膨胀系数的差较大，因此有时板状部件发生破裂。为了防止该情况，利用陶瓷形成气体导入装置的大部分即可。但是，陶瓷与金属制的螺钉等固定用的部件的热膨胀系数的差较大，所以在等离子体生成时陶瓷制的部件被施加热应力，有时产生裂缝、破损等不良情况。特别是，在以大型的基板为处理对象的电感耦合等离子体处理装置中，需要对高频天线施加较大的高频电力，因此等离子体产生的热量变大，存在对上述陶瓷制部件施加的热应力也增加的倾向。
本发明是鉴于上述的问题点而完成的，其目的在于提供能够极力避免处理装置所使用的陶瓷制部件的因热而产生不良情况的安装构造。
用于解决课题的技术方案
本发明的气体导入装置是将气体导入处理装置的处理室内的装置，该处理装置包括：主体容器；处理室，其设置在上述主体容器的内部，收纳被处理体；板状部件，其构成上述处理室的顶面部分；气体供给装置，其对上述处理室供给气体；和配管，其将来自上述气体供给装置的气体导入上述处理室内。
本发明的气体导入装置包括：中空状的陶瓷制部件，其包括具有能够插入到上述贯通开口的大小的第一凸缘部和比上述贯通开口大的第二凸缘部，该陶瓷制部件在被插入到上述贯通开口的状态下与上述配管连结；保持部件，其与被插入到上述贯通开口的状态下的上述陶瓷制部件的第一凸缘部抵接并对其进行保持；第一紧固件，其与上述保持部件连结并且在外周部具有第一螺纹构造；和第二紧固件，其在呈筒状的内周面具有与上述第一螺纹构造旋合的第二螺纹构造，用于与上述第一紧固件紧固连结。
而且，本发明的气体导入装置的特征在于，以上述保持部件因热膨胀而伸长的方向和上述第二紧固件因热膨胀而伸长的方向相互相反的方式连结上述保持部件和上述第一紧固件。
本发明的气体导入装置中，使上述第一紧固件和上述第二紧固件旋合，由此使上述保持部件与上述陶瓷制部件的第一凸缘部卡合而使上述第二凸缘部贴紧在上述板状部件，将上述陶瓷制部件固定于上述板状部件。
本发明的气体导入装置中，上述保持部件包括多个部件，该多个部件在组合状态下形成为具有圆筒部分和从该圆筒部分向内侧突出的缩径部分的筒状体。
本发明的气体导入装置中，上述第一紧固件呈环状，其内径比上述陶瓷制部件的第一凸缘部的外径大。
本发明的气体导入装置，构成上述保持部件的材料的线热膨胀系数比构成上述第二紧固件的材料的线热膨胀系数大。
本发明的气体导入装置，上述保持部件和上述第一紧固件之间经由第三部件连结。
本发明的气体导入装置，还具有固定在上述板状部件的上述贯通开口的周围的衬垫部件。在该情况下，上述第二紧固件与上述第一紧固件旋合，由此与上述衬垫部件抵接，从该抵接的状态进一步紧固上述第二紧固件，由此使上述第一紧固件在离开上述板状部件的方向上移动，将固定于该第一紧固件的上述保持部件按压于上述第一凸缘部。
本发明的气体导入装置中，上述第二紧固件以从外侧覆盖上述第一紧固件和上述保持部件的方式被紧固连结。
本发明的气体导入装置中，上述处理装置可以为电感耦合等离子体处理装置。
本发明的电感耦合等离子体处理装置，具有：主体容器；处理室，其设置在上述主体容器的内部，收纳被处理体；板状部件，其构成上述处理室的顶面部分；气体供给装置，其对上述处理室供给气体；配管，其将来自上述气体供给装置的气体导入上述处理室内；气体导入装置，其安装于上述板状部件的贯通开口，由此将气体导入上述处理室内；和高频天线，其配置在上述板状部件的上方，在上述处理室内形成感应电场。
本发明的电感耦合等离子体处理装置中，上述气体导入装置具备：中空状的陶瓷制部件，其包括具有插入到上述贯通开口的大小的第一凸缘部和比上述贯通开口大的第二凸缘部，该陶瓷制部件在被插入到上述贯通开口的状态下与上述配管连结；保持部件，其与被插入到上述贯通开口的状态下的上述陶瓷制部件的第一凸缘部抵接并对其进行保持；第一紧固件，其固定上述保持部件并且在外周部具有第一螺纹构造；和第二紧固件，其在呈筒状的内周面具有与上述第一螺纹构造旋合的第二螺纹构造，用于与上述第一紧固件紧固连结。
而且，本发明的电感耦合等离子体处理装置的特征在于，以上述保持部件因热膨胀而伸长的方向和上述第二紧固件因热膨胀而伸长的方向相互相反的方式连结上述保持部件和上述第一紧固件
本发明的电感耦合等离子体处理装置，使上述第一紧固件和上述第二紧固件旋合，由此使上述保持部件与上述陶瓷制部件的第一凸缘部卡合而使上述第二凸缘部贴紧在上述板状部件，将上述陶瓷制部件固定于上述板状部件。
本发明的电感耦合等离子体处理装置中，上述保持部件包括多个部件，该多个部件在组合状态下形成为具有圆筒部分和从该圆筒部分向内侧突出的缩径部分的筒状体。
本发明的电感耦合等离子体处理装置中，上述第一紧固件呈环状，其内径比上述陶瓷制部件的第一凸缘部的外径大。
本发明的电感耦合等离子体处理装置，构成上述保持部件的材料的线热膨胀系数比构成上述第二紧固件的材料的线热膨胀系数大。
本发明的电感耦合等离子体处理装置，上述保持部件和上述第一紧固件之间经由第三部件连结。
本发明的电感耦合等离子体处理装置，还具有固定在上述板状部件的上述贯通开口的周围的衬垫部件。在该情况下，上述第二紧固件与上述第一紧固件旋合，由此与上述衬垫部件抵接，从该抵接的状态进一步紧固上述第二紧固件，由此使上述第一紧固件在离开上述板状部件的方向上移动，而将固定于该第一紧固件的上述保持部件按压于上述第一凸缘部。
本发明的电感耦合等离子体处理装置中，上述第二紧固件以从外侧覆盖上述第一紧固件和上述保持部件的方式被紧固连结。
发明效果
根据本发明的气体导入装置和电感耦合等离子体处理装置，以保持部件因热膨胀而伸长的方向和第二紧固件因热膨胀而伸长的方向相互相反的方式连结保持部件和第一紧固件，由此能够缓和在加热时施加于陶瓷制部件的应力。因而，能够防止陶瓷制部件的破损，能够提高气体导入装置的可靠性和耐久性。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的电感耦合等离子体处理装置的截面图。
图2是表示图1中的电介质壁、吊杆（suspender）和气体导入转接器的立体图。
图3是表示图1中的电介质壁和高频天线的立体图。
图4是表示图1中的电介质罩和喷头的仰视图。
图5是表示图4中的V－V线所示的位置的截面的截面图。
图6是表示转接器主体的外观构成的立体图。
图7是用于说明构成保持件的部件的立体图。
图8是气体导入转接器的安装顺序的说明图，表示在第一部分壁嵌合有转接器主体的状态。
图9是接着图8表示安装保持件的准备阶段的说明图。
图10是接着图9表示使环状阳螺纹与保持件连结而安装于转接器主体上的状态的说明图。
图11是接着图10表示在环状阳螺纹上紧固螺母的状态的说明图。
图12是用于本发明的第一实施方式的作用的说明的图。
图13是表示本发明的第二实施方式的电感耦合等离子体处理装置中的气体导入转接器的构成的截面图。
附图标记说明
1…电感耦合等离子体处理装置、2…主体容器、2a…上壁部、4…天线室、5…处理室、6…电介质壁、6A…第一部分壁、6a…贯通开口、6b…圆形槽、7…支承架、9A…吊杆、10A…气体导入转接器、12…电介质罩、12A…第一部分罩、13…天线、16…支承梁、18…电介质罩固定件、111…按压板、121…转接器主体、121a…上部凸缘、121b…下部凸缘、121c…基部、121c1…槽部分、122…固定机构、123…保持件、123A、123B…保持件构成部件、124…环状阳螺纹、124a…外周面、125…螺母、125a…内周面、126…衬垫、127…固定机构、130…喷头、131…上部板、132…下部板、133…气体孔、134…气体扩散部、211A…气体导入路径、221…气体流路。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。
［第一实施方式］
＜电感耦合等离子体处理装置的构成＞
首先，参照图1至图4，说明本发明的第一实施方式的电感耦合等离子体处理装置的构成。图1是表示电感耦合等离子体处理装置的截面图。图2是表示图1中的作为“板状部件”的电介质壁、作为“配管”发挥功能的吊杆和作为“气体导入装置”的气体导入转接器的立体图。图3是表示图1中的电介质壁和高频天线的立体图。图4是表示安装有电介质罩的电介质壁的仰视图。
图1所示的电感耦合等离子体处理装置1是对例如FPD用的玻璃基板（以下简称为“基板”）S进行等离子体处理的装置。作为FPD举例有液晶显示器（LCD）、电致发光（Electro Luminescence；EL）显示器、等离子体显示器面板（PDP）等。
电感耦合等离子体处理装置1具备主体容器2和配置在该主体容器2内、作为将主体容器2内的空间划分为上下两个空间的“板状部件”的电介质壁6。主体容器2的内部被电介质壁6划分为天线室4和处理室5。主体容器2内的电介质壁6的上侧的空间为天线室4，主体容器2内的电介质壁6的下侧的空间为处理室5。因而，电介质壁6构成天线室4的底部，并且构成处理室5的顶面部分。处理室5被保持为气密，在此对基板进行等离子体处理。
主体容器2是具有上壁部2a、底部2b和4个侧部2c的方筒形状的容器。此外，主体容器2也可以为圆筒形状的容器。作为主体容器2的材料能够使用铝、铝合金等导电性材料。在使用铝作为主体容器2的材料的情况下，对主体容器2的内壁面实施铝阳极化处理，以使得不从主体容器2的内壁面产生污染物。另外，主体容器2接地。
电介质壁6形成为具有大致正方形形状或矩形形状的上表面、底面和4个侧面的大致长方体形状。电介质壁6由电介质材料形成。作为电介质壁6的材料能够使用例如Al2O3等陶瓷、石英。作为一个例子，电介质壁6被分割为4个部分。即，电介质壁6具有第一部分壁6A、第二部分壁6B、第3部分壁6C和第4部分壁6D。此外，电介质壁6也可以不被分割为4个部分。
电感耦合等离子体处理装置1还具备支承架7和支承梁16作为支承电介质壁6的支承部件。支承架7安装于主体容器2的侧壁2c。如图2所示，支承梁16呈十字形状。电介质壁6的4个部分壁6A、6B、6C、6D被支承架7和支承梁16支承。此外，也可以一体地形成支承架7和支承梁16。
如图2所示，电感耦合等离子体处理装置1还具备具有分别与主体容器2的上壁部2a连接的上端部的圆筒形状的吊杆8A和圆柱形状的吊杆8B、8C、8D、8E。支承梁16其上表面的中央部分（十字的交叉部分）与吊杆8A的下端部连接。本实施方式中，吊杆8A～8E和支承梁16均为支承部件。支承梁16在其上表面的中央部分与十字的4个前端部分的中间的4个部位与吊杆8B，8C，8D、8E的下端部连接。这样，支承梁16配置为，通过5个吊杆8A～8E从主体容器2的上壁部2a吊挂，在主体容器2的内部中的上下方向的大致中央的位置维持水平状态。在吊杆8A的内部形成有将气体导入处理室5内的气体导入路径201。
作为支承梁16的材料优选使用例如铝等金属材料。在使用铝作为支承梁16的材料的情况下，对支承梁16的内外的表面实施铝阳极化处理，以使得不从表面产生污染物。在支承梁16的内部形成气体导入路径202。
另外，如图2所示，电感耦合等离子体处理装置1还具备具有分别与主体容器2的上壁部2a连接的上端部的圆筒形状的吊杆9A、9B、9C、9D、9E、9F、9G、9H。在吊杆9A、9B、9C、9D、9E、9F、9G、9H的中空部分别形成有气体导入路径211A、211B、211C、211D、211E、211F、211G、211H。本实施方式中，具有中空部的吊杆8A和吊杆9A、9B、9C、9D、9E、9F、9G、9H分别构成“配管”。
吊杆9A经由作为“气体导入装置”的气体导入转接器10A与设置在第一部分壁6A的开口（未图示）连接，另外，吊杆9B经由气体导入转接器10B与设置在第一部分壁6A的开口（未图示）连接。同样，吊杆9C、9D经由作为“气体导入装置”的气体导入转接器10C、10D与设置在第二部分壁6B的开口（未图示）连接。另外，同样，吊杆9E、9F经由作为“气体导入装置”的气体导入转接器10E、10F与设置在第三部分壁6C的开口（未图示）连接。另外，同样，吊杆9G、9H经由作为“气体导入装置”的气体导入转接器10G、10H与设置在第四部分壁6D的开口（未图示）连接。
电感耦合等离子体处理装置1还具备位于天线室4的内部、即处理室5的外部而配置在电介质壁6的上方的高频天线（以下简称为“天线”。）13。如图3所示，天线13呈大致正方形或矩形的平面方形漩涡形状。天线13配置在电介质壁6的上表面之上。在主体容器2的外部设置有匹配器14和高频电源15。天线13的一端经由匹配器14与高频电源15连接。天线13的另一端与主体容器2的内壁连接，经由主体容器2接地。
电感耦合等离子体处理装置1还具有覆盖电介质壁6的下表面的电介质罩12。电介质罩12是具有大致正方形形状或矩形状的上表面、底面和4个侧面的板状。电介质罩12由电介质材料形成。作为电介质罩12的材料能够使用例如Al2O3等陶瓷、石英。
作为一个例子，电介质罩12与电介质壁6同样被分割为4个部分。即，如图4所示，电介质罩12具有第一部分罩12A、第二部分罩12B、第三部分罩12C和第四部分罩12D。第一至第四部分罩12A、12B、12C、12D分别覆盖电介质壁6的第一至第四部分壁6A、6B、6C、6D的下表面。此外，电介质罩12也可以不被分割为4个部分，或者也可以被分割为5个以上的部分。
如图4所示，电感耦合等离子体处理装置1具备固定电介质罩12的电介质罩固定件18。在电介质罩固定件18的内部设置有气体导入路径203和与该气体导入路径203连通的多个气体孔204。电感耦合等离子体处理装置1除了电介质罩固定件18之外还具备电介质罩固定件19A、19B、19C、19D。电介质罩12被电介质罩固定件18、19A、19B、19C、19D固定。此外，电介质罩12的周边部的固定不限于由19A、19B、19C、19D进行固定的4处。
在对基板S进行等离子体处理时，从高频电源15对天线13供给感应电场形成用的高频电力（例如，13.56MHz的高频电力）。由此，通过天线13在处理室5内形成感应电场。该感应电场使后述的处理气体转化为等离子体。
在主体容器2的外部还设置有气体供给装置20。气体供给装置20经由气体流路向处理室5内供给用于等离子体处理的处理气体。气体供给装置20与气体供给管21连接。气体供给管21分支为9根，（仅图示5根），其中1根与形成在吊杆8A的中空部的气体导入路径201连接。该气体导入路径201与形成在支承梁16的气体导入路径202连接。气体供给管21的分支的剩余8根与分别形成在吊杆9A、9B、9C、9D、9E、9F、9G、9H的中空部的气体导入路径211A、211B、211C、211D、211E、211F、211G、211H分别连接。
在进行等离子体处理时，处理气体从气体供给装置20经由气体供给管21和其分支管、吊杆8A的气体导入路径201、形成在支承梁16内的气体导入路径202、电介质罩固定件18的气体导入路径203被供给至处理室5内。
另外，处理气体从气体供给装置20经由气体供给管21和其分支管、分别形成在吊杆9A、9B、9C、9D、9E、9F、9G、9H内的气体导入路径211A、211B、211C、211D、211E、211F、211G、211H、气体导入转接器10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、10H被供给至处理室5内。
作为处理气体能够使用例如SF6气体、Cl2气体等。此外，在气体流路还可以设置有未图示的阀、流量控制装置，但在此省略说明。
电感耦合等离子体处理装置1还具备基座（susceptor）22、绝缘体框24、支柱25、波纹管26和闸阀27。支柱25与设置在主体容器2的下方的未图示的昇降装置连接，通过形成在主体容器2的底部的开口部，向处理室5内突出。另外，支柱25具有中空部。绝缘体框24设置在支柱25之上。该绝缘体框24形成为上部开口的箱状。在绝缘体框24的底部形成有与支柱25的中空部连接的开口部。波纹管26包围支柱25，与绝缘体框24和主体容器2的底部内壁气密地连接。由此，来维持处理室5的气密性。
基座22收纳在绝缘体框24内。基座22具有用于载置基板S的載置面22A。載置面22A与电介质罩12相对。作为基座22的材料能够使用例如铝等导电性材料。在使用铝作为基座22的材料的情况下，对基座22的表面实施铝阳极化处理，以使得不从表面产生污染物。
在主体容器2的外部还设置有匹配器28和高频电源29。基座22经由插通到绝缘体框24的开口部和支柱25的中空部的通电棒与匹配器28连接，还经由该匹配器28与高频电源29连接。在对基板S进行等离子体处理时，从高频电源29对基座22供给偏压用的高频电力（例如，3.2MHz的高频电力）。该高频电力是为了将等离子体中的离子有效地引入至载置于基座22上的基板S而使用的。
闸阀27设置在主体容器2的侧壁。闸阀27具有开闭功能，在闭状态下维持处理室5的气密性，并且在开状态下能够在处理室5和外部之间搬送基板S。
在主体容器2的外部还设置有例如具有真空泵等的排气装置30。排气装置30经由与主体容器2的底部连接的排气管31与处理室5连接。在对基板S进行等离子体处理时，排气装置30对处理室5内的空气进行排气，将处理室5内维持为真空气氛。
＜气体导入机构的概要＞
接着，参照图4至图7详细说明本实施方式的包括气体导入转接器的气体导入机构。图5是表示图4中的V－V线向视的截面的截面图。此外，在图5中，代表性地表示从第一部分罩12A（第一部分壁6A）的面内导入气体的气体导入转接器10A，但是对于安装于气体导入转接器10B、第二～第四部分罩12B～12D（第二～第四部分壁6B～6D）的气体导入转接器10C～10H而言也具有相同的构成。
如图4所示，在本实施方式的电感耦合等离子体处理装置1中，第一至第四部分罩12A、12B、12C、12D交叉的部分中，经由电介质罩固定件18的气体孔204进行气体导入。并且，在电感耦合等离子体处理装置1中，在第一至第四部分罩12A、12B、12C、12D各自的面内也具有气体导入部位。即，在第一至第四部分罩12A、12B、12C、12D的各面内，如图4所示，设置有4个将气体导入处理室5内的喷头130。喷头130通过将上部板131和下部板132两个板状部件重合而形成。上部板131和下部板132分别由陶瓷材料构成。上部板131和下部板132通过未图示的螺钉等固定机构固定于气体导入转接器10A的转接器主体121。
在形成为水平方向上长的形状的各喷头130设置有多个气体孔133。各气体孔133与形成在上部板131和下部板132之间的空洞部分即气体扩散部134连通。在本实施方式中，气体扩散部134与2个气体导入转接器连接。例如，设置在第一部分罩12A的面内的喷头130与气体导入转接器10A和气体导入转接器10B连接，从气体导入转接器10A和气体导入转接器10B独立地供给气体。对于分别在第二至第四部分罩12B、12C、12D的各面内设置的喷头130而言也具有相同的构成。
在第一至第四部分壁6A、6B、6C、6D的各中央部分不存在作为支承部件的支承梁16。因此，如图5所示，作为支承部件的吊杆9A与气体导入转接器10A连结，由此能够从第一部分罩12A和第一部分壁6A的中央部分导入气体。对于第二至第四部分罩12B，12C，12D和第二至第四部分壁6B、6C、6D而言也相同。
吊杆9A也是支承第一部分壁6A的支承部件。在吊杆9A的内部形成有与气体供给管21连接的气体导入路径211A。另外，吊杆9A的下端经由连结件110与将来自气体供给装置20的气体导入处理室5内的气体导入转接器10A连结。
吊杆9A具有机械性的游隙地被支承在主体容器2的上壁部2a。更具体而言，在吊杆9A的上部安装有按压板111，吊杆9A在该按压板111的部分通过未图示的螺钉等固定机构与上壁部2a连结。在按压板111和上壁部2a之间设置有缓冲部件112。缓冲部件112例如由氟橡胶，硅橡胶等弹性材料、螺旋弹簧垫片等能够弹性变形的部件构成。在按压板111和上壁部2a之间设置缓冲部件112，由此吊杆9A成为相对于主体容器2的上壁部2a能够稍微变位的连结状态，以具有稍微的机械性的游隙的状态被支承于主体容器2的上壁部2a。由此，电介质壁6因热等而膨胀、变形的情况下，不对电介质壁6、电介质罩12施加不必要的应力即可完成，能够防止电介质壁6、电介质罩12的破损。此外，图示省略，但是吊杆9A的上端与气体供给管21的分支管连接。
气体导入转接器10A具有作为“陶瓷制部件”的中空状的转接器主体121和将该转接器主体121固定于第一部分壁6A的固定机构122。
图6是表示转接器主体121的外观构成的立体图。转接器主体121具有：上部凸缘121a，其作为“第一凸缘部”，具有能够从下表面侧插入设置在第一部分壁6A的贯通开口6a的大小；下部凸缘121b，其作为“第二凸缘部”，具有比贯通开口6a大的外径而不能插通到贯通开口6a；和在这些上部凸缘121a和下部凸缘121b之间的筒状的基部121c。另外，在转接器主体121的基部121c形成有外径比其它的部分的外径小的槽部分121c1。转接器主体121在被插入到贯通开口6a的状态下，上部凸缘121a的端部与吊杆9A连结。
转接器主体121的上部凸缘121a和基部121c被插入到设置在第一部分壁6A的贯通开口6a中。转接器主体121的下部凸缘121b嵌入到设置在第一部分壁6A的圆形槽6b中。转接器主体121的材质例如是Al2O3、SiC等陶瓷。
转接器主体121的内部是从其上端至下端连续的空洞，构成气体流路221。该气体流路221在气体的流动方向的上流侧与吊杆9A的内部的气体导入路径211A连接。另外，气体流路221在气体的流动方向的下游侧与喷头130的气体扩散部134连接。
固定机构122具备：保持件123，其保持转接器主体121的上部凸缘121a；作为第一紧固件的环状阳螺纹124；作为第二紧固件的螺母125；和在第一部分壁6A的上表面固定于转接器主体121的周围的衬垫126。
保持件123是在第一部分壁6A的上侧与从下侧插入到第一部分壁6A的贯通开口6a的转接器主体121的上部凸缘121a卡合并对其进行保持的部件。保持件123由多个截面视图呈L字状的部件构成，该多个截面视图呈L字状的部件在组合的状态下形成为具有圆筒部分123a和与该圆筒部分123a相比向内侧突出的缩径部分123b的筒状体。在加热时螺母125和衬垫126向相反方向热膨胀，保持件123作为用于缓和转接器主体121的应力的应力缓和机构发挥功能。为了达到该目的，保持件123由至少与螺母125相比线热膨胀系数相对大的材质的金属，例如不锈钢等构成。
在本实施方式中，如图7所示，保持件123包括相同形状的两个保持件构成部件123A、123B。保持件构成部件123A和保持件构成部件123B均呈弧状，在内周面形成有台阶部123c。该台阶部123c具有与转接器主体121的上部凸缘121a和基部121c的槽部分121c1之间的台阶大致对应的形状，以能够与转接器主体121的上部凸缘121a和基部121c的槽部分121c1之间的台阶嵌合。通过将保持件构成部件123A和保持件构成部件123B相互相对地组合，构成作为整体呈环状的保持件123。在保持件123的上端设置有当固定于环状阳螺纹124时使用的多个固定用的螺钉孔部123d。
环状阳螺纹124是作为整体呈环状的部件，图示省略，但是在其外周面124a具有作为“第一螺纹构造”的阳螺纹构造。环状阳螺纹124从保持件123的上方利用例如螺栓等固定机构127连结。环状阳螺纹124的内径比转接器主体121的上部凸缘121a的外径大。因而，能够将转接器主体121的上部凸缘121a容易地插入环状阳螺纹124的内侧，因此不需要利用多个部件构成在外周面124a形成有阳螺纹构造的环状阳螺纹124，能够降低颗粒的产生。作为环状阳螺纹124，优选使用与保持件123相比线热膨胀系数相对小的材质，例如Ti等金属。
螺母125是作为整体呈环状的部件，图示省略，但是在其内周面125a具有与环状阳螺纹124的外周面124a的“第一螺纹构造”旋合的作为“第二螺纹构造”的阴螺纹构造。螺母125通过与环状阳螺纹124紧固连结而间接地将保持件123向上方向（离开第一部分壁6A的方向）拉起。螺母125以从外侧覆盖环状阳螺纹124和保持件123的方式安装。螺母125与环状阳螺纹124相同，优选使用与保持件123相比线热膨胀系数相对小的材质例如Ti等。
在将环状阳螺纹124和螺母125紧固连结了的状态下，与环状阳螺纹124连结的保持件123不与螺母125直接卡合。如图5所示，保持件123的外周面和螺母125的内周面125a不接触，在两部件之间形成有空隙S1。即，保持件123与环状阳螺纹124连结，因此在将螺母125紧固连结在环状阳螺纹124上时，保持件123相对于螺母125的相对位置与环状阳螺纹124同步地发生变化，但是保持件123不直接与螺母125卡合。
衬垫126例如呈环状，以包围第一部分壁6A的贯通开口6a的方式配置在第一部分壁6A的上表面。衬垫126例如由PPS（聚苯硫醚）等弹性材料形成，作为承接螺母125的下端的阻挡件发挥功能。衬垫126例如可以使用粘结剂固定于第一部分壁6A上的规定的位置。
＜气体导入转接器的安装顺序＞
接着，参照图8～图11说明气体导入转接器10A的安装顺序。图8是表示将转接器主体121嵌合至第一部分壁6A上的状态。转接器主体121的上部凸缘121a插入到第一部分壁6A的贯通开口6a中，并且下部凸缘121b嵌入到第一部分壁6A的圆形槽6b中。此外，在第一部分壁6A的上表面在包围贯通开口6a的位置配置有衬垫126。
接着，图9表示安装保持件123的准备阶段。如上所述，保持件123包括保持件构成部件123A和保持件构成部件123B，保持件123是在将它们组合了的状态下成为环状的部件。保持件123通过使保持件构成部件123A和保持件构成部件123B相对、在将转接器主体121夹于之间的状态下合体，由此组合在转接器主体121上。在图9的状态下，转接器主体121的基部121c的槽部分121c1与保持件123的缩径部分123b相对，上部凸缘121a与保持件123的圆筒部分123a相对。
接着，如图10所示，从图9的状态使环状阳螺纹124与保持件123连结并固定，由此将它们安装于转接器主体121。环状的环状阳螺纹124的内径比转接器主体121的上部凸缘121a的外径大，因此能够将转接器主体121的上部凸缘121a插入环状阳螺纹124的开口124b。保持件构成部件123A、保持件构成部件123B与环状阳螺纹124的连结能够利用例如多个螺栓等固定机构127进行。在安装于转接器主体121的状态下，保持件123的缩径部分123b嵌入到转接器主体121的基部121c的槽部分121c1中。
图11是表示使设置于环状阳螺纹124的外周面124a的阳螺纹构造和形成于螺母125的内周面125a的阴螺纹构造啮合，将螺母125紧固在环状阳螺纹124的状态。当将两部件紧固连结时，螺母125向图中下方（白色箭头所示的方向）行进，差不多螺母125的下端与衬垫126抵接。衬垫126起到阻挡件的作用，并且通过紧固螺母125，将环状阳螺纹124向上方向（离开第一部分壁6A的方向）推压。由此，固定于环状阳螺纹124的保持件123也被上方向（离开第一部分壁6A的方向）拉起。于是，如图5所示，保持件123的缩径部分123b的上表面与转接器主体121的上部凸缘121a的下端抵接，由此以将转接器主体121整体拉起的方式对其进行保持。在该保持状态下，转接器主体121整体被向上方向拉起，由此以下部凸缘121b嵌入设置在第一部分壁6A的圆形槽6b的状态被固定。这样，气体导入转接器10A向第一部分壁6A的安装结束。
＜作用＞
在气体导入转接器10A中，构成为保持件123因热膨胀而伸长的方向和至少螺母125因热膨胀而伸长的方向相互相反。关于这点，参照图12进行说明。图12与图5同样表示在第一部分壁6A安装有气体导入转接器10A的状态。在该状态下，在处理室内产生等离子体时，构成电感耦合等离子体处理装置1的部件因等离子体的热而产生热膨胀。
首先，由石英等电介质材料构成的第一部分壁6A，在图12中，在白箭头D0所示的方向上热膨胀。成为第一部分壁6A的热膨胀的基准位置的是嵌入至第一部分壁6A的圆形槽6b中的下部凸缘121b的上表面。另外，构成气体导入转接器10A的陶瓷制的转接器主体121，在图12中，在白箭头D1所示的方向上热膨胀。成为转接器主体121的热膨胀的基准位置的是嵌入至第一部分壁6A的圆形槽6b中的下部凸缘121b的上表面。另外，构成气体导入转接器10A的衬垫126和螺母125也因等离子体的热在图12中白箭头D2所示的方向上热膨胀。成为衬垫126和螺母125的热膨胀的基准位置的是第一部分壁6A的上表面（衬垫126的设置面）。
在此，设第一部分壁6A的热膨胀量为L0，设转接器主体121的热膨胀量为L1，设衬垫126和螺母125的合计热膨胀量为L2。白箭头D1、D2的长度相对地表示热膨胀量。即，白箭头D0、D1、D2的长度越长，表示热膨胀量L0、L1、L2越大。
从热膨胀量L1、L2的比较可以理解，陶瓷制的转接器主体121的热膨胀量L1比第一部分壁6A的热膨胀量L0与衬垫126和螺母125的合计热膨胀量L2的和小（L1＜L0＋L2）。因而，假定在保持件123的外周面设置阳螺纹构造使其与螺母125直接紧固连结的情况下，转接器主体121被施加与热膨胀量L0＋L2和L1的差量（L0＋L2）－L1相当的应力，成为转接器主体121引起龟裂、破裂等破损的原因。
在本实施方式的电感耦合等离子体处理装置1中，构成为使保持转接器主体121的保持件123在相对于衬垫126和螺母125发生热膨胀的方向相反的方向上发生热膨胀，由此缓和施加于转接器主体121的应力。具体而言，在与螺母125紧固连结的环状阳螺纹124的下端固定保持件123。由此，以环状阳螺纹124和保持件123的边界（抵接面）为基准位置，在图12中白箭头D3所示的方向上以热膨胀量L3产生热膨胀。在此，白箭头D3的长度也相对地表示热膨胀量。
构成保持件123的材料，在加热时按照该材料固有的线热膨胀系数进行膨胀，因此例如在保持件123的外周面设置阳螺纹构造而与螺母125直接紧固连结的情况下，保持件123的热膨胀的方向变为与衬垫126和螺母125相同的方向。但是，如本实施方式那样，不使保持件123与螺母125直接卡合，将环状阳螺纹124设置于其间，并且将保持件123和环状阳螺纹124的上下的位置关系连结为保持件123的热膨胀的方向D3相对于衬垫126和螺母125的热膨胀的方向D2相反，由此能够使上述的热膨胀量L2和热膨胀量L1的差量（L0＋L2）－L1被保持件123的热膨胀量L3抵消。即，本实施方式的气体导入转接器10A中，加热时施加于转接器主体121的应力为相当于由（（L0＋L2）－L1）－L3表示的热膨胀量的差的值。因而，施加于转接器主体121的应力被缓和，能够可靠地防止加热时施加于转接器主体121的应力，防止龟裂、破裂等破损的产生。
为了最大限度地发挥本实施方式的气体导入转接器10A中的应力缓和作用，保持件123的构成材料的线热膨胀系数至少比螺母125的构成材料大。具体而言，在作为保持件123和螺母125的构成材料均使用金属的情况下，螺母125采用线热膨胀系数相对小的金属材料例如使用钛、钨等，保持件123采用线热膨胀系数相对大的金属材料例如优选使用不锈钢、铝等的组合。
以上，代表性地列举说明了从第一部分罩12A（第一部分壁6A）的面内导入气体的气体导入转接器10A，但气体导入转接器10B、安装于第二～第四部分罩12B～12D（第二～第四部分壁6B～6D）的气体导入转接器10C～10H的构成和作用也相同。
＜处理动作的概要＞
接着，对如以上方式构成的电感耦合等离子体处理装置1中的处理动作进行说明。此处，举例表示对基板S进行等离子体蚀刻处理的情况。首先，在将闸阀27开放的状态下，作为被处理体的基板S被外部的搬送装置搬入处理室5内。基板S被载置于基座22。然后，将闸阀27关闭，利用排气装置30将处理室5内抽真空至规定的真空度。
接着，开放未图示的阀，从气体供给装置20经由气体供给管21及其分支管、形成于吊杆8A的中空部的气体导入路径201、形成于支承梁16内的气体导入路径202、电介质罩固定件18的气体导入路径203和气体孔204将处理气体导入处理室5内。另外，从气体供给装置20经由气体供给管21及其分支管、分别形成于吊杆9A～9H的中空部的气体导入路径211A～211H，还经由气体导入转接器10A～10H的气体流路221和喷头130的气体扩散部134、多个气体孔133将处理气体导入处理室5内。处理气体被未图示的质量流控制器控制流量，将处理室5内的压力维持在规定的值。本实施方式的电感耦合等离子体处理装置1中，具有多个气体导入路径，由此对处理室5内的基板S均匀地排出。
在该状态下，从高频电源15经由匹配器14对天线13供给感应电场形成用的高频电力（例如，13.56MHz的高频电力），在处理室5内形成感应电场。利用该感应电场使处理气体转化为等离子体。这样，对基板S进行等离子体蚀刻处理。在等离子体蚀刻处理期间，从高频电源29对基座22供给偏压用的高频电力（例如，3.2MHz的高频电力）。利用该高频电力能够有效地将等离子体中的离子引入载置在基座22上的基板S。
在实施了规定时间的等离子体蚀刻处理后，停止来自高频电源15的高频电力的施加，停止来自气体供给装置20的气体导入。然后，将处理室5内减压至规定的压力。接着，开放闸阀27，将基板S从基座22交接至外部的搬送装置，并从处理室5搬出。利用以上的操作，对基板S的等离子体蚀刻处理结束。
这样，本实施方式的电感耦合等离子体处理装置1中，采用除了电介质壁6的中央的位置之外，还能够从第一～第四部分罩12A、12B、12C、12D的各面内的中央附近对处理室5内导入气体的构成，所以利用处理室5内中的气体的均匀的扩散能够稳定地生成均匀的等离子体。此外，作为供给气体的配管发挥功能的吊杆8A、9A～9H的配设位置和配设数量、喷头130的形状、配置不限于上述例示的方式，能够在任意的位置以任意的数量配设。
另外，来自利用吊杆8A、9A～9H作为配管的气体供给装置20的气体流量能够通过阀、质量流控制器而独立地控制，因此也能够根据处理室5内的等离子体的生成状况分别单独地调节经由各吊杆8A、9A～9H供给的气体流量。另外，可以为从多个气体供给装置20对各吊杆8A、9A～9H分别连接气体供给管的构成。
如上所述，本实施方式的电感耦合等离子体处理装置1和气体导入转接器10A～10H，构成为气体导入转接器中的保持转接器主体121的保持件123在与衬垫126和螺母125热膨胀的方向相反方向上热膨胀。由此，能够缓和施加于转接器主体121的应力。因而，能够防止陶瓷制的转接器主体121的破损，能够提高气体导入转接器的信頼性和耐久性。
［第二实施方式］
接着，参照图13说明本发明的第二实施方式的电感耦合等离子体处理装置。第二实施方式的电感耦合等离子体处理装置，除了气体导入转接器的构造不同这点以外，其它与第一实施方式的电感耦合等离子体处理装置1相同，因此省略说明。图13是表示本实施方式中的气体导入转接器100的构成的截面图。气体导入转接器100的构成，除了作为保持部件的保持件和作为第一紧固件的环状阳螺纹124的连结构造不同这点之外，其它与第一实施方式中的气体导入转接器10A～10H相同，因此对相同的构成标注相同附图标记，并省略说明。
气体导入转接器100具有作为“陶瓷制部件”的中空状的转接器主体121和将该转接器主体121固定于第一部分壁6A的固定机构122A。固定机构122A具有作为第一紧固件的环状阳螺纹124、作为第二紧固件的螺母125、在第一部分壁6A的上表面固定在转接器主体121的周围的衬垫126、保持转接器主体121的上部凸缘121a的保持件128、和设置在环状阳螺纹124和保持件128之间将它们连结的连结隔板部件129。
本实施方式中，保持件128与第一实施方式的保持件123相同，包括两个部件128A、128B。部件128A、128B均呈弧状。与第一实施方式的保持件123的不同点在于，部件128A、128B不形成台阶部。部件128A、128B通过相互相对地组合，构成整体呈环状的保持件128。在保持件128的上端设置有固定于连结隔板部件129时使用的多个固定用的孔部（未图示）。在组合了部件128A、128B的状态下，保持件128具有能够嵌合至转接器主体121的基部121c的槽部分121c1的形状。
连结隔板部件129作为整体呈环状，其内径比转接器主体121的上部凸缘121a的外径大。从而，能够将转接器主体121的上部凸缘121a容易地插入到环状的连结隔板部件129的内侧。
环状阳螺纹124通过例如螺栓等固定机构127A从连结隔板部件129的上方与连结隔板部件129连结。另外，连结隔板部件129通过例如螺栓等固定机构127B从保持件128的上方与保持件128连结。
在加热时螺母125和衬垫126在相反方向上热膨胀，连结隔板部件129和保持件128作为用于缓和转接器主体121的应力的应力缓和机构发挥功能。为实现该目的，连结隔板部件129和保持件128优选由至少与螺母125相比线热膨胀系数相对大的材质的金属例如不锈钢等构成。
本实施方式中，使用连结隔板部件129的第一理由是，在加热时使螺母125和衬垫126在相反方向上热膨胀，缓和转接器主体121的应力。这样，作为应力缓和机构发挥功能的部件的高度（合计厚度）越大，热膨胀量变得越大，应力缓和作用越增强。从而，在本实施方式中，除了保持件128之外，通过使用连结隔板部件129，能够可变地调节作为应力缓和机构发挥功能的部件的高度，能够增大加热时的应力缓和作用。另外，作为连结隔板部件129的材质，如果使用线热膨胀系数比保持件128的线热膨胀系数大的材质时，则能够进一步提高上述应力缓和作用。并且，通过作为连结隔板部件129使用线热膨胀系数大的材质，而保持件128能够使用线热膨胀系数小的材料。从而，即使是能够既获得需要的应力缓和效果又支承转接器主体121的部件，也能够提高需要一定强度的保持件128的材质的选择的自由度。
本实施方式中，使用连结隔板部件129的第二理由是，作为多个部件的组合部件的保持件128的加工容易。第一实施方式的保持件123使用在内周面具有台阶部123c的保持件构成部件123A和保持件构成部件123B，但通过设置连结隔板部件129，能够组合使用加工容易的弧状的部件128A和部件128B。
本实施方式中的其它的构成和效果与第一实施方式相同。此外，本实施方式中，连结隔板部件129不限于一个，也可以为两个以上。
此外，本发明不限于上述各实施方式，能够进行各种的变更。例如，在上述实施方式中，举例说明了电感耦合等离子体处理装置，但是只要为具有陶瓷制部件、安装于板状部件的气体导入装置，也能够应用于其它方式的等离子体处理装置、热处理装置。
Claims (17)
1.一种气体导入装置，其特征在于：
所述气体导入装置将气体导入处理装置的处理室内，所述处理装置具备：
主体容器；
处理室，其设置在所述主体容器的内部，收纳被处理体；
板状部件，其构成所述处理室的顶面部分；
气体供给装置，其对所述处理室供给气体；和
配管，其将来自所述气体供给装置的气体导入所述处理室内，
所述气体导入装置具有：
中空状的陶瓷制部件，其包括具有能够插入到贯通开口的大小的第一凸缘部和比所述贯通开口大的第二凸缘部，该陶瓷制部件在被插入到所述贯通开口的状态下与所述配管连结；
保持部件，其与被插入到所述贯通开口的状态下的所述陶瓷制部件的第一凸缘部抵接并对其进行保持；
第一紧固件，其与所述保持部件连结并且在外周部具有第一螺纹构造；和
第二紧固件，其在呈筒状的内周面具有与所述第一螺纹构造旋合的第二螺纹构造，用于与所述第一紧固件紧固连结，
其中，以所述保持部件因热膨胀而伸长的方向和所述第二紧固件因热膨胀而伸长的方向相互相反的方式连结所述保持部件和所述第一紧固件。
2.如权利要求1所述的气体导入装置，其特征在于：
使所述第一紧固件和所述第二紧固件旋合，由此使所述保持部件与所述陶瓷制部件的第一凸缘部卡合而使所述第二凸缘部贴紧在所述板状部件，将所述陶瓷制部件固定于所述板状部件。
3.如权利要求1或2所述的气体导入装置，其特征在于：
所述保持部件包括多个部件，该多个部件在组合状态下形成为具有圆筒部分和从该圆筒部分向内侧突出的缩径部分的筒状体。
4.如权利要求1～3任一项所述的气体导入装置，其特征在于：
所述第一紧固件呈环状，其内径比所述陶瓷制部件的第一凸缘部的外径大。
5.如权利要求1～3任一项所述的气体导入装置，其特征在于：
构成所述保持部件的材料的线热膨胀系数比构成所述第二紧固件的材料的线热膨胀系数大。
6.如权利要求1～5任一项所述的气体导入装置，其特征在于：
所述保持部件和所述第一紧固件之间经由第三部件连结。
7.如权利要求1～6任一项所述的气体导入装置，其特征在于：
还具有固定在所述板状部件的所述贯通开口的周围的衬垫部件，
所述第二紧固件与所述第一紧固件旋合，由此与所述衬垫部件抵接，从该抵接的状态进一步紧固所述第二紧固件，由此使所述第一紧固件在离开所述板状部件的方向上移动，而将固定于该第一紧固件的所述保持部件按压于所述第一凸缘部。
8.如权利要求1～7任一项所述的气体导入装置，其特征在于：
所述第二紧固件以从外侧覆盖所述第一紧固件和所述保持部件的方式紧固连结。
9.如权利要求1～8任一项所述的气体导入装置，其特征在于：
所述处理装置为电感耦合等离子体处理装置。
10.一种电感耦合等离子体处理装置，其特征在于，具有：
主体容器；
处理室，其设置在所述主体容器的内部，收纳被处理体；
板状部件，其构成所述处理室的顶面部分；
气体供给装置，其对所述处理室供给气体；
配管，其将来自所述气体供给装置的气体导入所述处理室内；
气体导入装置，其安装于所述板状部件的贯通开口，由此将气体导入所述处理室内；和
高频天线，其配置在所述板状部件的上方，在所述处理室内形成感应电场，
所述气体导入装置具有：
中空状的陶瓷制部件，其包括具有插入到所述贯通开口的大小的第一凸缘部和比所述贯通开口大的第二凸缘部，该陶瓷制部件在被插入到所述贯通开口的状态下与所述配管连结；
保持部件，其与被插入到所述贯通开口的状态下的所述陶瓷制部件的第一凸缘部抵接并对其进行保持；
第一紧固件，其固定所述保持部件并且在外周部具有第一螺纹构造；和
第二紧固件，其在呈筒状的内周面具有与所述第一螺纹构造旋合的第二螺纹构造，用于与所述第一紧固件紧固连结，
其中，以所述保持部件因热膨胀而伸长的方向和所述第二紧固件因热膨胀而伸长的方向相互相反的方式连结所述保持部件和所述第一紧固件。
11.如权利要求10所述的电感耦合等离子体处理装置，其特征在于：
使所述第一紧固件和所述第二紧固件旋合，由此使所述保持部件与所述陶瓷制部件的第一凸缘部卡合而使所述第二凸缘部贴紧在所述板状部件，将所述陶瓷制部件固定于所述板状部件。
12.如权利要求10或11所述的电感耦合等离子体处理装置，其特征在于：
所述保持部件包括多个部件，该多个部件在组合状态下形成为具有圆筒部分和从该圆筒部分向内侧突出的缩径部分的筒状体。
13.如权利要求10～12任一项所述的气体导入装置，其特征在于：
所述第一紧固件呈环状，其内径比所述陶瓷制部件的第一凸缘部的外径大。
14.如权利要求10～13任一项所述的气体导入装置，其特征在于：
构成所述保持部件的材料的线热膨胀系数比构成所述第二紧固件的材料的线热膨胀系数大。
15.如权利要求10～14任一项所述的气体导入装置，其特征在于：
所述保持部件和所述第一紧固件之间经由第三部件连结。
16.如权利要求10～15任一项所述的气体导入装置，其特征在于：
还具有固定在所述板状部件的所述贯通开口的周围的衬垫部件，
所述第二紧固件与所述第一紧固件旋合，由此与所述衬垫部件抵接，从该抵接的状态进一步紧固所述第二紧固件，由此使所述第一紧固件在离开所述板状部件的方向上移动，而将固定于该第一紧固件的所述保持部件按压于所述第一凸缘部。
17.如权利要求10～16任一项所述的气体导入装置，其特征在于：
所述第二紧固件以从外侧覆盖所述第一紧固件和所述保持部件的方式被紧固连结。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012-227736 | 2012-10-15 | ||
| JP2012227736A JP5992288B2 (ja) | 2012-10-15 | 2012-10-15 | ガス導入装置及び誘導結合プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103730317A true CN103730317A (zh) | 2014-04-16 |
| CN103730317B CN103730317B (zh) | 2017-04-12 |
Family
ID=50454343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310481558.1A Expired - Fee Related CN103730317B (zh) | 2012-10-15 | 2013-10-15 | 气体导入装置和电感耦合等离子体处理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5992288B2 (zh) |
| KR (1) | KR101778334B1 (zh) |
| CN (1) | CN103730317B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106468707A (zh) * | 2015-08-17 | 2017-03-01 | 哈尔滨市宏昌石油助剂有限公司 | 一种方便汇总数据的汽油辛烷值测定机 |
| TWI677591B (zh) * | 2017-11-22 | 2019-11-21 | 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 | 固體材料容器及於該固體材料容器填充有固體材料之固體材料製品 |
| CN111048390A (zh) * | 2018-10-15 | 2020-04-21 | 东京毅力科创株式会社 | 安装状态提示装置和安装状态提示方法 |
| CN114373666A (zh) * | 2020-10-15 | 2022-04-19 | 东京毅力科创株式会社 | 紧固构造、等离子体处理装置以及紧固方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6615069B2 (ja) * | 2016-08-29 | 2019-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 懸垂型インジェクタの支持構造及びこれを用いた基板処理装置 |
| JP7121446B2 (ja) * | 2018-08-22 | 2022-08-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高密度プラズマ化学気相堆積チャンバ |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1520606A (zh) * | 2001-08-09 | 2004-08-11 | Ӧ�ò��Ϲ�˾ | 具有整体屏蔽罩的基座 |
| CN1643666A (zh) * | 2002-03-29 | 2005-07-20 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置用电极及等离子体处理装置 |
| US20070044714A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for maintaining a cross sectional shape of a diffuser during processing |
| CN101325169A (zh) * | 2007-06-12 | 2008-12-17 | 东京毅力科创株式会社 | 载置台和使用该载置台的等离子体处理装置 |
| CN102191502A (zh) * | 2010-02-04 | 2011-09-21 | 东京毅力科创株式会社 | 气体簇射用构造体和基板处理装置 |
| CN102196654A (zh) * | 2010-02-19 | 2011-09-21 | 东京毅力科创株式会社 | 罩固定工具及电感耦合等离子处理装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0417507Y2 (zh) * | 1986-06-28 | 1992-04-20 | ||
| US6350317B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-02-26 | Lam Research Corporation | Linear drive system for use in a plasma processing system |
| JP5082229B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2012-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP2009238951A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 載置台、ｃｖｄ装置並びにレーザ加工装置 |
-
2012
- 2012-10-15 JP JP2012227736A patent/JP5992288B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-10-14 KR KR1020130122149A patent/KR101778334B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-15 CN CN201310481558.1A patent/CN103730317B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1520606A (zh) * | 2001-08-09 | 2004-08-11 | Ӧ�ò��Ϲ�˾ | 具有整体屏蔽罩的基座 |
| CN1643666A (zh) * | 2002-03-29 | 2005-07-20 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置用电极及等离子体处理装置 |
| US20070044714A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for maintaining a cross sectional shape of a diffuser during processing |
| CN101325169A (zh) * | 2007-06-12 | 2008-12-17 | 东京毅力科创株式会社 | 载置台和使用该载置台的等离子体处理装置 |
| CN102191502A (zh) * | 2010-02-04 | 2011-09-21 | 东京毅力科创株式会社 | 气体簇射用构造体和基板处理装置 |
| CN102196654A (zh) * | 2010-02-19 | 2011-09-21 | 东京毅力科创株式会社 | 罩固定工具及电感耦合等离子处理装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106468707A (zh) * | 2015-08-17 | 2017-03-01 | 哈尔滨市宏昌石油助剂有限公司 | 一种方便汇总数据的汽油辛烷值测定机 |
| TWI677591B (zh) * | 2017-11-22 | 2019-11-21 | 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 | 固體材料容器及於該固體材料容器填充有固體材料之固體材料製品 |
| CN111048390A (zh) * | 2018-10-15 | 2020-04-21 | 东京毅力科创株式会社 | 安装状态提示装置和安装状态提示方法 |
| CN111048390B (zh) * | 2018-10-15 | 2024-04-19 | 东京毅力科创株式会社 | 安装状态提示装置和安装状态提示方法 |
| CN114373666A (zh) * | 2020-10-15 | 2022-04-19 | 东京毅力科创株式会社 | 紧固构造、等离子体处理装置以及紧固方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103730317B (zh) | 2017-04-12 |
| JP5992288B2 (ja) | 2016-09-14 |
| KR101778334B1 (ko) | 2017-09-13 |
| KR20140048054A (ko) | 2014-04-23 |
| JP2014082250A (ja) | 2014-05-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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