CN1520606A - 具有整体屏蔽罩的基座 - Google Patents

具有整体屏蔽罩的基座 Download PDF

Info

Publication number
CN1520606A
CN1520606A CNA028026233A CN02802623A CN1520606A CN 1520606 A CN1520606 A CN 1520606A CN A028026233 A CNA028026233 A CN A028026233A CN 02802623 A CN02802623 A CN 02802623A CN 1520606 A CN1520606 A CN 1520606A
Authority
CN
China
Prior art keywords
radome
main body
chamber
flange
middle body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA028026233A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1310281C (zh
Inventor
卡尔·布朗
÷
维尼特·梅赫塔
仕恩·潘
谢苗·舍尔斯特尼斯凯
艾伦·劳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN1520606A publication Critical patent/CN1520606A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1310281C publication Critical patent/CN1310281C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means

Abstract

本发明一般地提供了用于支撑衬底的衬底支撑构件。在一个实施例中，用于支撑衬底的衬底支撑构件包括连接到下屏蔽罩的主体。所述主体具有适用于支撑衬底的上表面和下表面。所述下屏蔽罩具有中央部分和凸缘。所述凸缘以与所述主体分隔开的关系放置。所述下屏蔽罩适用于与置于处理室中的上屏蔽罩结合来确定迷宫式间隙，该迷宫式间隙基本上可以防止等离子体迁移到低于构件的位置。在另一个实施例中，所述下屏蔽罩向等离子体提供短射频接地返回路径。

Description

具有整体屏蔽罩的基座
技术领域
本发明的实施例一般地涉及具有用于在半导体处理室中支撑衬底的屏蔽罩的基座。
背景技术
在半导体衬底处理中，特征尺寸和线宽日益减小的趋势已经使在半导体工件或衬底上以更高的精密度进行掩模、蚀刻和沉积材料的能力得到重视。等离子蚀刻对于获得小于0.25微米的临界尺寸尤其重要。
一般地，蚀刻是通过对被输送到由支撑构件支撑的衬底上方的低压区域中的工作气体施加射频(RF)功率来完成的。由此得到的电场在处理区域中产生反应带，该反应带将工作气体激发为等离子体。对支撑构件施加偏压以吸引等离子体中的离子到其上支撑的衬底。离子向临近衬底的等离子体的边界处迁移，在离开边界层时进行加速。加速的离子产生了从衬底的表面移除或腐蚀掉材料所需的能量。由于加速的离子能腐蚀在处理室中的其他物品，所以将等离子体约束在衬底上方的处理区域很重要。
图1说明了提供用于等离子体约束的示范性的处理室100。处理室100包括室体102，该室体102包括安置于其中在垂直方向可以移动的衬底支撑构件104。该支撑构件104通常包括一个或多个用于向衬底施加偏压的电极。室体102通常包括盖106，底部108和侧壁110。线圈112邻接盖106放置，并被耦合到电源114。环形屏蔽罩116被连接到侧壁110或盖106，并将支撑构件104环绕于其中。在支撑构件104位于较低的位置时，覆盖环118被悬挂在屏蔽罩116的J部分120上。
在支撑构件104被升高到如图1中所示的处理位置时，支撑构件的周边与覆盖环118接触，并将覆盖环118提高离开屏蔽罩116。由于在覆盖环118和屏蔽罩116的J部分120保持交错产生迷宫式密封或间隙，在支撑构件104和盖106之间确定的处理区域122中形成的等离子体没有迁移到支撑构件104下面的区域124，在该区域离开等离子体的离子可能腐蚀邻接于此的处理室元件。
尽管对被支撑构件提高的覆盖环的利用已经成功地进行了商业化，但是在处理室中使用陶瓷支撑构件通常不为人们所偏好。通常，每次陶瓷支撑构件被升高到处理位置时，覆盖环会撞击陶瓷支撑构件。由于陶瓷易碎的特性，在处理多个衬底期间，覆盖环和陶瓷支撑构件之间反复的撞击是人们所不希望的。在反复撞击后，陶瓷支撑构件经常受到损坏，可能碎裂、断裂或产生颗粒。这会导致提前更换陶瓷支撑构件，并造成处理变差和缺陷率增加。
因此，存在对改进的用于支撑处理室中的陶瓷支撑构件上的衬底的方法和装置的需求。
发明内容
在本发明的一个方面中，提供了适用于连接到支撑构件的下屏蔽罩。一个实施例中，该下屏蔽罩包括中央部分和从周边延伸的凸缘。中央部分包括孔，该孔具有位于孔侧壁上的凹槽。凸缘适用于与置于处理室中的上屏蔽罩相配合以形成可以防止等离子体迁移到下屏蔽罩之下的迷宫式间隙(labyrinth gap)。
在本发明的另一个方面中，提供了用于支撑衬底的支撑构件。在一个实施例中，用于支撑衬底的支撑构件包括连接到下屏蔽罩的主体(body)。该主体具有上表面和下表面。上表面适用于支撑衬底。下屏蔽罩有中央部分和凸缘。凸缘被放射状地安置于主体之外，并向上突出指向由上表面确定的平面。凸缘以与主体分隔开的关系放置。下屏蔽罩防止等离子体迁移到支撑构件之下。在一个实施例中，下屏蔽罩提供了处理室中的射频接地返回路径的一部分。
在本发明的另一个方面中，提供了用于处理衬底的处理室。在一个实施例中，处理室包括室体，该室体具有置于其中的环形上屏蔽罩和支撑构件。室体具有确定内部体积的底部、壁和盖。上屏蔽罩被放置于内部体积中，位于盖的下方。支撑构件被置于内部体积中，具有连接到下屏蔽罩的主体。该主体具有上表面和下表面。上表面适用于支撑衬底。下屏蔽罩有中央部分和凸缘。凸缘被呈放射状地放置于主体之外，并向上突出指向由第一表面确定的平面。凸缘以与主体分隔开的关系放置。凸缘和上屏蔽罩基本上防止了等离子体迁移到支撑构件之下。
附图说明
为了能详细地理解于其中获得上述本发明的特征、优点和目的的方式，上述简要总结的本发明的更具体说明可以通过参照它们在附图中说明的实施例得到。
但是，值得注意的是，附图仅说明了本发明典型的实施例，因此不应该视为对发明范围的限制，因为本发明可以采纳其他效果等同的实施例。
图1是现有技术的说明性的处理室的剖面图；
图2是处理室一个实施例的剖面图，该处理室具有连接到置于处理部分中的支撑构件的下屏蔽罩；
图3是图2中的下屏蔽罩的俯视图；
图4是图2中的下屏蔽罩的仰视图；
图5是图2中的屏蔽罩沿截线5-5的部分剖面图；和
图6是图2中具有在传送位置的支撑构件的室的剖面图。
为了易于理解，在任何可能的地方，使用相同的数字标号来指示图中通用的相同的元件。
实施本发明的最佳模式
本发明一般地提供了用于支撑处理室中的陶瓷基座上的衬底的装置和方法。在本发明的另一个方面中，提供了用于提供直接射频返回路径的装置和方法。尽管本发明参照预清洗室的一个实施例进行说明，但是本发明可以在其他使用陶瓷衬底支撑基座或其中要求直接射频返回的室中找到应用。
图2描述了溅射蚀刻室200的一个实施例的横截面图。室200是双频蚀刻处理室，例如可以从位于加利福尼亚的Santa Clara的应用材料公司得到的预清洗(Pre-Clean)II型。但是其他处理室也可以从本发明获益。通常，室200包括室体202、置于室200的处理区域206中的衬底支撑构件204、连接到被置于室体202外的感应线圈210的射频电源208、通过匹配电路214连接到衬底支撑构件204的电源212。
室体202包括侧壁216、底部218和盖220。存取端口222通常被置于侧壁216上来允许衬底224的进入和从室200中的取出。在处理期间，由缝隙式阀门226对端口222选择性地密封来隔离处理区域206。使用传输机器人(未示出)通过端口222将衬底传送到位，从衬底支撑构件204回收衬底224。于1993年7月13日授权给泰普曼(Tepman)等人的美国专利5,226,623中描述了可以被有效使用的一种缝隙式阀门，因此在这里通过整体引用该专利文献而将其结合在本申请中。
在一个实施例中，盖220是置于侧壁216、处理区域206上方的石英圆拱顶。感应线圈210通常被置于盖220的周围，并通过匹配电路228连接到射频电源208。在处理期间，射频电源208感应地耦合功率到由输入到处理区域206的工作气体形成的等离子体。线圈210可以是如图2所示竖直方向上堆叠在盖220周围，放置于距离圆拱顶相等的位置，或以其他配置方式设置。
气体源230被连接到置于室200上的进气口232，以在处理期间输入处理气体到室200的处理区域206中。在处理之前和期间，与处理区域206流体相通的排气口234排空室200。在处理期间，连接到排气端口234的节流阀236和真空泵238维持室200的处理区域206内的预定压力。
环形的上屏蔽罩240通常被置于室体202内，将处理区域206环绕其中。上屏蔽罩240通常被连接到盖220或侧壁216。该上屏蔽罩240作为在处理完一定数量的衬底后被更换的“成套处理工具”(process kit)的一部分是可以更换的。上屏蔽罩240通常包括或涂敷着导电材料。在一个实施例中，上屏蔽罩240是由铝制造的，在第一端294与侧壁216电气连接，向内延伸到圆柱形部分296，并在第二端298终止。
导电柔性带242电气连接上屏蔽罩240和衬底支撑构件204。导电柔性带242通常包括导电和耐用的材料。在一个实施例中，带242包括铍-铜合金。也可以使用其他柔性的导电材料。带242被配置来允许衬底支撑构件204在室200中竖直地移动。
在一个实施例中，衬底支撑构件204包括主体244、嵌入物246、下屏蔽罩248、夹持板250、波纹管252和轴272。主体244通常是环形的，而且一般由绝缘材料构成，例如陶瓷或石英。主体244通常包括上表面254和下表面256。将上表面254定向为面向盖220。上表面254通常包括在其上形成的凹口258，该凹口258至少夹持嵌入物246的一部分。
嵌入物246包括顶面260，该表面260延伸得略微高于主体244的上表面254，并在其上支撑衬底224。可选的是，顶面260和/或上表面254可以用绝缘材料286涂敷或覆盖。嵌入物246通过穿过轴272的导体274连接到电源212，该电源212在处理期间对嵌入物246施加偏压。嵌入物246的顶面260通常延伸到高于主体244的上表面254，于是衬底224的外围部分延伸到高于上表面254，在衬底的底部和上表面254之间形成间隙。可选的是，衬底支撑构件204可以包括温度控制器件，例如加热器或液体导管(未示出)来在处理期间调节衬底224的温度。
下屏蔽罩248通常置于主体244和波纹管252之间。下屏蔽罩248放射状从主体244向外延伸，它包括或涂敷有如铝的导电材料。下屏蔽罩248与大地通过轴272电气连接。下屏蔽罩248是可更换的。在一个实施例中，下屏蔽罩248是在处理完一定数量的衬底后被更换的“成套处理工具”的一部分。
下屏蔽罩248包括放射状延伸到凸缘264的中央部分262。凸缘264与中央部分262成一角度指向上方，并向由主体244的第一表面254确定的平面270突出。在一个实施例中，凸缘264基本上垂直于(例如，在15度以内)中央部分262。在图2描述的实施例中，凸缘264垂直于中央部分262，并平行于上屏蔽罩240和侧壁216。在一个升高的位置，凸缘264交错于上屏蔽罩240的第二端298和圆柱部分292的外侧以形成迷宫式间隙292，该迷宫式间隙292防止等离子体离开处理区域206。
凸缘264被配置为与主体244成分隔开的关系。凸缘264通常放射状地放置于上屏蔽罩240的外侧。在一个实施例中，凸缘264足够长，以在衬底支撑构件204位于处理位置时与上屏蔽罩240重叠。凸缘264的长度和提升销(未示出)的行程应该被配置以避免防碍在构件204被置于如图6所显示的较低的位置时从衬底支撑构件204上移去衬底224。
如图2所示的实施例中，下屏蔽罩248被置于主体244的下表面256和夹持板250之间，该夹持板250一般是螺纹旋紧或以其他方法紧固于主体244。夹持板250被连接到轴272，该轴272允许位于室200外的提升机构276在如图2所示的较高的处理位置和如图6所示的易于衬底传输的较低位置之间移动衬底支撑构件204。夹持板250通常由例如铝的射频导体材料构成，一般通过焊接连接到轴272，然而也可以使用其他紧固方法。
通常，多个紧固件278将下屏蔽罩248连接到主体244。在一个实施例中，紧固件278穿过下屏蔽罩248并旋入主体244上的螺纹孔280中。或者，下屏蔽罩248可以被紧固到夹持板250。可选的是，下屏蔽罩248和夹持板250可以被合并为一个单一的构件。
下屏蔽罩248通过基座204和轴272电气接地。为了促进下屏蔽罩248和轴272之间好的电接触，可以在它们之间放置导电构件282。该导电构件282可以是导电的油脂、浆状物、粘合剂、箔或其他可以促进下屏蔽罩248和夹持板250之间的导电性的材料，夹持板250电气连接到轴272。或者，导电构件可以被放置在下屏蔽罩248和主体244之间。在如图2所示的实施例中，导电构件282包括由如铍铜合金的导电材料形成的弹簧，该导电材料部分放置于下屏蔽罩248中形成的凹槽284中。或者，保持导电构件282的凹槽284可以被置于夹持板250中，或置于夹持板250和下屏蔽罩248二者中。
图3是下屏蔽罩248的一个实施例的立体图，示出了上表面310。通常，下屏蔽罩248有中心孔306，该中心孔306通过夹持板250将下屏蔽罩248置于中心。多个提升销孔302穿透下屏蔽罩248，这些孔允许提升销290(如图2所示)在此穿过。多个装配孔304通常穿透下屏蔽罩248以使紧固件278与主体244连接。
图4是下屏蔽罩248的一个实施例的透视图，示出了下表面410。该下表面410通常有由凸缘264延伸出的装配环402和由中央部分262延伸出的凸台414。装配环402可以包括槽口406，该槽口406允许在驱动提升销290时移动提升板288(如图2所示)更靠近底面410。装配环402也还包括一个或多个装配面404，该装配面404在装配环402的内部沿切向设置。
如图5所示，装配面404提供了将带242装配到下屏蔽罩248的平面界面。该平面界面提供了良好的导电性并将带242维持在有利于柔性的平面配置中。此外，一个或多个如定位销502的定位元件可以被放置于带242和下屏蔽罩248之间以便于连接带242到下屏蔽罩248。
返回到图4，凸台414包括与孔306同心设置的钻孔412。凹槽284位于孔306或钻孔412的侧壁416上。在如图4所示的实施例中，孔306被用来通过夹持板250定位下屏蔽罩248，而钻孔412被用来容纳保持导电构件282的凹槽284。
返回到图2，波纹管252连接在下屏蔽罩248或夹持板250和室底218之间。在允许构件204的竖直运动时，波纹管252提供衬底支撑构件204和室体202之间的真空密封。
电气连接上屏蔽罩254和下屏蔽罩248的导电柔性带242为电气接触上屏蔽罩254的处理区域206中的等离子体提供短射频返回路径。接触上屏蔽罩254的等离子体通过包括带242、下屏蔽罩248、导电构件282、夹持片250和轴272的路径接地。短射频返回有利地使室壁上的电压累积最小化，并且与大多数传统的处理室相比减少了返回路径的电压降，这些传统处理室依赖于壁和波纹管来提供从等离子体到接地轴272的返回路径。
在一个实施例中，紧固件266穿过下屏蔽罩248与位于带242上的螺纹孔268相匹配，因此电气连接带242和下屏蔽罩248。带242可以通过其他器件电连接到下屏蔽罩248，这些器件如导电胶、铆钉、夹具、定位杆(staking)、配对端子或其他导电连接器件。
在操作中，在如图6所示的较低的位置时，衬底224被放置于衬底支撑构件204上。提升机构276升高支撑构件204和衬底224到如图2所示的处理位置。在处理位置，上屏蔽罩240和下屏蔽罩248交错，在它们之间形成迷宫式间隙292。
如氩气的工作气体通过进气口232引入到处理区域206。工作气体可以选择性地包括氦气、氩气、氮气和其他非活性气体。可选的是，工作气体可以附加地包括活性成份，如氢气、氧气或含氟的气体。
为活化反应，通过感应耦合和/或电容耦合，在处理区域206中由工作气体形成等离子体。最好通过偏置衬底支撑构件204在约1W到约200W之间，约100KHz到约100MHz之间约3秒钟来对初始等离子体进行轰击。或者，通过对感应线圈210施加功率或同气体点燃方法或装置来产生初始等离子体。
在反应周期期间，衬底支撑构件204被偏置在约0W和约200W之间，而感应线圈210被偏置在约1W和约1000W之间、约100KHz和约60MHz之间。或者，在反应周期期间，在处理区域206中的等离子体仅仅由感应线圈210所维持。或者，在处理区域206中的等离子体在处理期间可以仅由感应耦合、电容耦合或感应耦合和电容耦合的组合所激发和维持。
在处理期间，通过控制节流阀236的开/关状态，最好将室压维持在约0.5毫托和约100毫托之间。可选的是，处理期间衬底224的温度通过衬底支撑构件204中的温度控制器件(未示出)来控制。
通过在上屏蔽罩240和下屏蔽罩248之间形成的迷宫式间隙292来防止等离子体从处理区域206迁移。或者，通过下屏蔽罩248的短射频返回路径增强了室200的效率。
虽然前面所述的内容是用于说明本发明的优选实施例的，在不偏离其基本范围的情况下，可以设计本发明其他的或进一步的实施例。例如，天然氧化物和其他杂质可以从除了铜的其它涂层上去除。本发明的范围由后面的权利要求所确定。

Claims (53)

1.一种适用于被紧固到等离子体处理室中的衬底支撑构件的下屏蔽罩，所述等离子体处理室具有连接到室的凸缘或壁的环形上屏蔽罩，该下屏蔽罩包括：
中央部分，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
钻孔，至少部分穿透所述中央部分并具有侧壁；
凹槽，位于所述侧壁上；和
凸缘，从中央部分的一部分的第一表面突出，所述凸缘被配置成保持与衬底支撑构件分隔开的关系。
2.如权利要求1的下屏蔽罩，其中，中央部分还包括从中穿过的多个装配孔和多个提升销孔。
3.如权利要求1的下屏蔽罩，还包括至少一个适用于接收与屏蔽罩电气连接的射频返回带的螺纹孔。
4.如权利要求1的下屏蔽罩，其中，所述凸缘还包括至少一个适用于接收射频返回带的螺纹孔。
5.如权利要求1的下屏蔽罩，还包括：
装配环，置于第二表面并具有内径；和
装配面，形成于所述装配环上，并定向为与所述内径相切。
6.如权利要求5的下屏蔽罩，其中，所述装配面还包括至少一个适用于接收射频返回带的螺纹孔。
7.如权利要求1的下屏蔽罩，其中，所述凸缘和中央部分至少部分由铝构成或至少部分涂敷铝。
8.如权利要求1的下屏蔽罩，其中，所述凸缘具有比由所述屏蔽罩下端确定的直径大的直径。
9.一种在等离子体处理室中使用的射频返回下屏蔽罩，所述等离子体处理室具有置于与所述室壁连接的环形屏蔽罩内部的衬底支撑构件，该射频返回下屏蔽罩包括：
射频导电中心部分，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
钻孔，至少部分穿透所述中央部分并具有侧壁；
凹槽，位于所述侧壁上；和
射频导电凸缘，从中央部分的一部分的第一表面突出，所述凸缘被配置成保持与衬底支撑构件分隔开的关系；
装配环，置于第二表面并具有内径；
装配面，形成于所述装配环上，并定向为与所述内径相切；和
设置在装配面上的至少一个螺纹孔，适用于接收射频返回带。
10.如权利要求9的下屏蔽罩，其中，所述装配部分还包括从中穿过的多个装配孔和提升销孔。
11.如权利要求9的下屏蔽罩，还包括延伸穿透所述中央部分，同心地置于所述钻孔内侧的孔。
12.一种用于支撑衬底的构件，包括：
主体，具有上表面和下表面，所述上表面适用于支撑所述衬底；和
下屏蔽罩，被连接到所述主体，所述下屏蔽罩具有中央部分和凸缘，所述中央部分的第一表面邻近所述下表面放置，所述凸缘放射状地置于主体的外侧，并以与所述主体分隔开的关系向第一表面确定的平面突出。
13.如权利要求12的构件，其中，所述主体还包括在上表面中形成的凹口，该凹口具有置于其中的嵌入物。
14.如权利要求12的构件，其中，所述凸缘基本垂直于所述中央部分突出。
15.如权利要求12的构件，还包括：
夹持板，连接到所述下屏蔽罩的第二表面或所述主体的下表面。
16.如权利要求15的构件，还包括：
波纹管，连接到所述夹持板或所述下屏蔽罩。
17.如权利要求12的构件，还包括：
轴，连接到主体，其中，所述下屏蔽罩与所述轴电气连接。
18.如权利要求12的构件，其中，所述凸缘不延伸超过所述主体的上表面。
19.如权利要求12的构件，其中，所述主体是陶瓷。
20.如权利要求12的构件，其中，所述主体是石英。
21.如权利要求12的构件，其中，所述嵌入物是导电的。
22.如权利要求12的构件，其中，所述下屏蔽罩由导电材料构成或涂敷有导电材料。
23.如权利要求12的构件，还包括：
夹持板，邻接下屏蔽罩放置；和
导电构件，放置于所述下屏蔽罩和所述夹持板或主体之间。
24.如权利要求23的构件，其中，所述导电构件是弹簧。
25.一种用于支撑衬底的构件，包括：
陶瓷主体，具有上表面和下表面，所述上表面适用于支撑所述衬底；和
导电的下屏蔽罩，紧固于所述主体，所述下屏蔽罩具有中央部分和凸缘，所述中央部分的第一表面接近所述下表面放置，所述凸缘放射状地置于主体的外侧并以与主体分隔开的关系向第一表面确定的平面突出。
26.如权利要求25的构件，还包括：
导电的嵌入物，置于形成在所述上表面的凹口中。
27.如权利要求25的构件，还包括：
夹持板，连接到所述下屏蔽罩的第二表面或所述主体的下表面；和
波纹管，连接到所述夹持板或所述下屏蔽罩。
28.如权利要求25的构件，还包括：
轴，连接到主体，其中，所述下屏蔽罩与所述轴电气连接。
29.如权利要求25的构件，其中，所述主体是石英，嵌入物是钛。
30.如权利要求25的构件，其中，所述下屏蔽罩是铝。
31.一种用于支撑衬底的构件，包括：
陶瓷主体，具有上表面和下表面，所述上表面适用于支撑所述衬底；
导电的嵌入物，置于形成在所述上表面的凹口中；
夹持板，邻接所述主体的所述下表面放置；
导电的下屏蔽罩，连接到所述主体，所述下屏蔽罩具有中央部分和凸缘，所述中央部分的第一表面接近所述下表面放置，所述凸缘放射状地置于主体的外侧并以与主体分隔开关系向着第一表面确定的平面基本上垂直于所述中央部分突出；和
导电构件，置于所述下屏蔽罩和所述夹持板或主体之间。
32.如权利要求31的构件，其中，所述导电构件是弹簧。
33.一种用于处理衬底的处理室，包括：
室体，具有确定内部体积的底部、壁和盖；
环形上屏蔽罩，在内部体积中置于盖的下方；
主体，置于内部体积中，具有上表面和下表面，所述上表面适用于支撑所述衬底；
下屏蔽罩，具有中央部分和凸缘，所述中央部分的第一表面接近所述下表面放置，所述凸缘放射状地置于主体的外侧，并从所述第一表面以与主体分隔开的关系基本上垂直地突出；和
柔性带，电气连接所述下屏蔽罩和所述上屏蔽罩。
34.如权利要求33的室，其中，所述凸缘放射状的置于所述主体和所述屏蔽罩之间。
35.如权利要求33的室，其中，所述主体是石英。
36.如权利要求33的室，其中，所述主体还包括形成在所述上表面中的凹口，该凹口具有置于其中的嵌入物。
37.如权利要求33的室，其中，所述嵌入物是钛。
38.如权利要求33的室，其中，所述下屏蔽罩是铝。
39.如权利要求33的室，还包括：
夹持板，连接到所述下屏蔽罩的第二表面或所述主体的下表面。
40.如权利要求39的室，还包括：
导电构件，置于下屏蔽罩和主体或夹持板之间。
41.如权利要求39的室，还包括：
波纹管，连接到所述夹持板或所述下屏蔽罩。
42.如权利要求41的室，还包括：
轴，连接到夹持板，其中，所述下屏蔽罩与所述轴电气连接。
43.如权利要求33的室，其中，所述凸缘不延伸超过主体的上表面。
44.如权利要求33的室，其中，所述凸缘和上屏蔽罩确定迷宫式间隙。
45.如权利要求33的室，还包括至少部分置于在下屏蔽罩上形成的凹槽中的导电构件。
46.如权利要求45的室，其中，所述导电构件是弹簧。
47.如权利要求33的室，其中，对置于室体中的衬底进行预清洗处理。
48.一种用于处理室的可更换的成套处理工具，所述成套工具包括：
导电的环形上屏蔽罩，具有在具有第一直径的端终止的圆柱形部分；和
导电的下屏蔽罩，包括：
中央部分，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
凸缘，从中央部分的一部分的第一表面突出，具有大于所述屏蔽罩圆柱形部分的端部直径的直径，所述凸缘被配置成保持与所述衬底支撑构件分隔开的关系。
49.如权利要求48的成套工具，其中，所述下屏蔽罩还包括：
钻孔，至少部分穿透中央部分并具有侧壁；和
凹槽，位于所述侧壁上。
50.如权利要求48的成套工具，其中，所述中央部分还包括从中穿过的多个装配孔和多个提升销孔。
51.如权利要求48的成套工具，其中，所述下屏蔽罩还包括至少一个适用于接收与屏蔽罩电气连接的射频返回带的螺纹孔。
52.如权利要求48的成套工具，其中所述下屏蔽罩还包括：
装配环，置于第二表面并具有内径；和
装配面，形成于所述装配环上，并定向为与所述内径相切。
53.如权利要求48的成套工具，其中，所述下屏蔽罩和/或上屏蔽罩至少部分包括或至少部分涂敷有铝。
CNB028026233A 2001-08-09 2002-08-09 具有整体屏蔽罩的基座 Expired - Lifetime CN1310281C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/927,747 US6652713B2 (en) 2001-08-09 2001-08-09 Pedestal with integral shield
US09/927,747 2001-08-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1520606A true CN1520606A (zh) 2004-08-11
CN1310281C CN1310281C (zh) 2007-04-11

Family

ID=25455187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB028026233A Expired - Lifetime CN1310281C (zh) 2001-08-09 2002-08-09 具有整体屏蔽罩的基座

Country Status (5)

Country Link
US (4) US6652713B2 (zh)
KR (1) KR100914075B1 (zh)
CN (1) CN1310281C (zh)
TW (1) TW554399B (zh)
WO (1) WO2003015137A2 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102177769A (zh) * 2008-10-09 2011-09-07 应用材料公司 大等离子体处理室所用的射频回流路径
CN102315150A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 朗姆研究公司 用于等离子体处理室的可移动基环
CN103003926A (zh) * 2010-06-25 2013-03-27 应用材料公司 具有减少的离子流的预清洁腔室
CN103730317A (zh) * 2012-10-15 2014-04-16 东京毅力科创株式会社 气体导入装置和电感耦合等离子体处理装置
TWI550125B (zh) * 2012-01-27 2016-09-21 應用材料股份有限公司 藉由使用波紋管之微波源分離之裝置與方法
CN111326382A (zh) * 2018-12-17 2020-06-23 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种电容耦合等离子体刻蚀设备

Families Citing this family (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6635949B2 (en) * 2002-01-04 2003-10-21 Intersil Americas Inc. Symmetric inducting device for an integrated circuit having a ground shield
DE10243022A1 (de) * 2002-09-17 2004-03-25 Degussa Ag Abscheidung eines Feststoffs durch thermische Zersetzung einer gasförmigen Substanz in einem Becherreaktor
US7083702B2 (en) * 2003-06-12 2006-08-01 Applied Materials, Inc. RF current return path for a large area substrate plasma reactor
JP2005063991A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置
US7107125B2 (en) * 2003-10-29 2006-09-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring the position of a semiconductor processing robot
US20050103274A1 (en) * 2003-11-14 2005-05-19 Cheng-Tsung Yu Reliability assessment system and method
US20050133165A1 (en) * 2003-12-23 2005-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Apparatus for the prevention of arcing in a CVD-TiN chamber
US7534301B2 (en) * 2004-09-21 2009-05-19 Applied Materials, Inc. RF grounding of cathode in process chamber
KR20060041497A (ko) * 2004-11-09 2006-05-12 동부일렉트로닉스 주식회사 건식 식각장치
US20060172542A1 (en) 2005-01-28 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to confine plasma and to enhance flow conductance
US7789963B2 (en) * 2005-02-25 2010-09-07 Tokyo Electron Limited Chuck pedestal shield
US8617672B2 (en) 2005-07-13 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Localized surface annealing of components for substrate processing chambers
US20080245770A1 (en) * 2005-10-11 2008-10-09 Aviza Technology Limited Positive Displacement Pumping Chamber
KR100734781B1 (ko) 2005-10-27 2007-07-03 세메스 주식회사 액정 디스플레이 기판용 플라즈마 식각 장치
US20070113783A1 (en) * 2005-11-19 2007-05-24 Applied Materials, Inc. Band shield for substrate processing chamber
US20070227659A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-04 Tokyo Electron Limited Plasma etching apparatus
US8226769B2 (en) 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US7416989B1 (en) 2006-06-30 2008-08-26 Novellus Systems, Inc. Adsorption based material removal process
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
US20080099437A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Richard Lewington Plasma reactor for processing a transparent workpiece with backside process endpoint detection
US8002946B2 (en) * 2006-10-30 2011-08-23 Applied Materials, Inc. Mask etch plasma reactor with cathode providing a uniform distribution of etch rate
US7976671B2 (en) * 2006-10-30 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Mask etch plasma reactor with variable process gas distribution
US7967930B2 (en) * 2006-10-30 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Plasma reactor for processing a workpiece and having a tunable cathode
US8017029B2 (en) * 2006-10-30 2011-09-13 Applied Materials, Inc. Plasma mask etch method of controlling a reactor tunable element in accordance with the output of an array of optical sensors viewing the mask backside
US9218944B2 (en) * 2006-10-30 2015-12-22 Applied Materials, Inc. Mask etch plasma reactor having an array of optical sensors viewing the workpiece backside and a tunable element controlled in response to the optical sensors
US20080099450A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Applied Materials, Inc. Mask etch plasma reactor with backside optical sensors and multiple frequency control of etch distribution
US8012366B2 (en) * 2006-10-30 2011-09-06 Applied Materials, Inc. Process for etching a transparent workpiece including backside endpoint detection steps
US8004293B2 (en) * 2006-11-20 2011-08-23 Applied Materials, Inc. Plasma processing chamber with ground member integrity indicator and method for using the same
WO2008079742A2 (en) * 2006-12-20 2008-07-03 Applied Materials, Inc. Prevention of film deposition on pecvd process chamber wall
US8381677B2 (en) * 2006-12-20 2013-02-26 Applied Materials, Inc. Prevention of film deposition on PECVD process chamber wall
KR100826775B1 (ko) * 2006-12-27 2008-04-30 동부일렉트로닉스 주식회사 Ｒｆ 쉴드를 갖춘 프리클린챔버
US7981262B2 (en) * 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
US8076247B2 (en) * 2007-01-30 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma process uniformity across a wafer by controlling RF phase between opposing electrodes
US7879731B2 (en) * 2007-01-30 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Improving plasma process uniformity across a wafer by apportioning power among plural VHF sources
US20080178803A1 (en) * 2007-01-30 2008-07-31 Collins Kenneth S Plasma reactor with ion distribution uniformity controller employing plural vhf sources
US7968469B2 (en) * 2007-01-30 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor with variable height ground return path to control plasma ion density uniformity
US7977249B1 (en) 2007-03-07 2011-07-12 Novellus Systems, Inc. Methods for removing silicon nitride and other materials during fabrication of contacts
US8435379B2 (en) 2007-05-08 2013-05-07 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and cleaning and conditioning methods
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
US7988815B2 (en) * 2007-07-26 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with reduced electrical skew using electrical bypass elements
US20090025879A1 (en) * 2007-07-26 2009-01-29 Shahid Rauf Plasma reactor with reduced electrical skew using a conductive baffle
US9184072B2 (en) * 2007-07-27 2015-11-10 Mattson Technology, Inc. Advanced multi-workpiece processing chamber
US20090084317A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition chamber and components
JP2009088298A (ja) * 2007-09-29 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8187486B1 (en) 2007-12-13 2012-05-29 Novellus Systems, Inc. Modulating etch selectivity and etch rate of silicon nitride thin films
KR101625516B1 (ko) * 2008-02-08 2016-05-30 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 장치 및 플라즈마 프로세싱 장치에서 반도체 기판을 처리하는 방법
US20090242383A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for rf grounding of ipvd table
US8206552B2 (en) * 2008-06-25 2012-06-26 Applied Materials, Inc. RF power delivery system in a semiconductor apparatus
US20100000684A1 (en) * 2008-07-03 2010-01-07 Jong Yong Choi Dry etching apparatus
US7981763B1 (en) 2008-08-15 2011-07-19 Novellus Systems, Inc. Atomic layer removal for high aspect ratio gapfill
WO2010042410A2 (en) * 2008-10-07 2010-04-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for efficient removal of halogen residues from etched substrates
WO2010065474A2 (en) * 2008-12-03 2010-06-10 Applied Materials, Inc. Modulation of rf returning straps for uniformity control
US20100136261A1 (en) * 2008-12-03 2010-06-03 Applied Materials, Inc. Modulation of rf returning straps for uniformity control
US8066857B2 (en) * 2008-12-12 2011-11-29 Fujifilm Corporation Shaped anode and anode-shield connection for vacuum physical vapor deposition
US8043487B2 (en) * 2008-12-12 2011-10-25 Fujifilm Corporation Chamber shield for vacuum physical vapor deposition
US8540844B2 (en) * 2008-12-19 2013-09-24 Lam Research Corporation Plasma confinement structures in plasma processing systems
US8058179B1 (en) 2008-12-23 2011-11-15 Novellus Systems, Inc. Atomic layer removal process with higher etch amount
WO2010091205A2 (en) * 2009-02-04 2010-08-12 Applied Materials, Inc. Ground return for plasma processes
US20100318371A1 (en) * 2009-06-11 2010-12-16 Halliburton Energy Services, Inc. Comprehensive hazard evaluation system and method for chemicals and products
JP5432686B2 (ja) * 2009-12-03 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9181619B2 (en) * 2010-02-26 2015-11-10 Fujifilm Corporation Physical vapor deposition with heat diffuser
US8133362B2 (en) * 2010-02-26 2012-03-13 Fujifilm Corporation Physical vapor deposition with multi-point clamp
US8597462B2 (en) 2010-05-21 2013-12-03 Lam Research Corporation Movable chamber liner plasma confinement screen combination for plasma processing apparatuses
US20110315319A1 (en) * 2010-06-25 2011-12-29 Applied Materials, Inc. Pre-clean chamber with reduced ion current
KR101904516B1 (ko) 2011-02-09 2018-10-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｒｆ ｐｖｄ 챔버를 위한 균일성 튜닝 가능한 정전척 접지 키트
US8618446B2 (en) * 2011-06-30 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Substrate support with substrate heater and symmetric RF return
USD712852S1 (en) 2012-03-20 2014-09-09 Veeco Instruments Inc. Spindle key
USD726133S1 (en) 2012-03-20 2015-04-07 Veeco Instruments Inc. Keyed spindle
US9816184B2 (en) 2012-03-20 2017-11-14 Veeco Instruments Inc. Keyed wafer carrier
US9340866B2 (en) * 2012-03-30 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate support with radio frequency (RF) return path
US9404176B2 (en) 2012-06-05 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with radio frequency (RF) return path
US10593521B2 (en) * 2013-03-12 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Substrate support for plasma etch operations
US9957615B2 (en) * 2013-09-13 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Apparatus to improve substrate temperature uniformity
US9431268B2 (en) 2015-01-05 2016-08-30 Lam Research Corporation Isotropic atomic layer etch for silicon and germanium oxides
US9425041B2 (en) 2015-01-06 2016-08-23 Lam Research Corporation Isotropic atomic layer etch for silicon oxides using no activation
WO2017207144A1 (en) * 2016-06-03 2017-12-07 Evatec Ag Plasma etch chamber and method of plasma etching
US11049701B2 (en) * 2016-11-26 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Biased cover ring for a substrate processing system
WO2019226341A1 (en) 2018-05-25 2019-11-28 Lam Research Corporation Thermal atomic layer etch with rapid temperature cycling
EP3821457A4 (en) 2018-07-09 2022-04-13 Lam Research Corporation ETCHING ATOMIC LAYER ETCHING USING ELECTRON EXCITATION
US11562890B2 (en) * 2018-12-06 2023-01-24 Applied Materials, Inc. Corrosion resistant ground shield of processing chamber
USD942516S1 (en) 2019-02-08 2022-02-01 Applied Materials, Inc. Process shield for a substrate processing chamber
US11335543B2 (en) * 2020-03-25 2022-05-17 Applied Materials, Inc. RF return path for reduction of parasitic plasma
US20210343508A1 (en) * 2020-04-30 2021-11-04 Applied Materials, Inc. Metal oxide preclean chamber with improved selectivity and flow conductance
US11515195B2 (en) * 2020-10-26 2022-11-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor chamber components with high-performance coating
KR20220059742A (ko) * 2020-11-03 2022-05-10 삼성전자주식회사 온도 조절 부재를 포함하는 반도체 공정 설비
WO2022251867A1 (en) * 2021-05-28 2022-12-01 Lam Research Corporation Apparatuses for thermal management of a pedestal and chamber

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3661758A (en) 1970-06-26 1972-05-09 Hewlett Packard Co Rf sputtering system with the anode enclosing the target
US4439261A (en) * 1983-08-26 1984-03-27 International Business Machines Corporation Composite pallet
KR900007687B1 (ko) * 1986-10-17 1990-10-18 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플라즈마처리방법 및 장치
DE4220588C2 (de) 1992-06-24 2001-02-15 Leybold Ag Lichtbogen-Verdampfungsvorrichtung
KR100290748B1 (ko) * 1993-01-29 2001-06-01 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
JPH0718423A (ja) 1993-07-06 1995-01-20 Japan Energy Corp 薄膜形成装置
US5900103A (en) * 1994-04-20 1999-05-04 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
US5891350A (en) 1994-12-15 1999-04-06 Applied Materials, Inc. Adjusting DC bias voltage in plasma chambers
JPH08330243A (ja) 1995-05-30 1996-12-13 Anelva Corp プラズマクリーニング方法及びこの方法に使用される配置領域保護体
US6283130B1 (en) * 1995-05-30 2001-09-04 Anelva Corporation Plasma cleaning method and placement area protector used in the method
JP3599204B2 (ja) * 1995-06-08 2004-12-08 アネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
US5538758A (en) * 1995-10-27 1996-07-23 Specialty Coating Systems, Inc. Method and apparatus for the deposition of parylene AF4 onto semiconductor wafers
US6264812B1 (en) 1995-11-15 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating a plasma
US5584936A (en) * 1995-12-14 1996-12-17 Cvd, Incorporated Susceptor for semiconductor wafer processing
JP3175835B2 (ja) 1996-05-09 2001-06-11 アプライド マテリアルズ， インコーポレイテッド プラズマ発生用埋込み形コイル
TW403959B (en) * 1996-11-27 2000-09-01 Hitachi Ltd Plasma treatment device
JPH10172792A (ja) 1996-12-05 1998-06-26 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US6004458A (en) 1997-01-29 1999-12-21 H-Tech, Inc. Filter/sanitizer
US6177646B1 (en) * 1997-03-17 2001-01-23 Matsushita Electric Industrial Co, Ltd. Method and device for plasma treatment
US5897752A (en) * 1997-05-20 1999-04-27 Applied Materials, Inc. Wafer bias ring in a sustained self-sputtering reactor
US6167837B1 (en) 1998-01-15 2001-01-02 Torrex Equipment Corp. Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) in a single wafer reactor
US6090212A (en) * 1997-08-15 2000-07-18 Micro C Technologies, Inc. Substrate platform for a semiconductor substrate during rapid high temperature processing and method of supporting a substrate
US6106625A (en) 1997-12-02 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Reactor useful for chemical vapor deposition of titanium nitride
US6039836A (en) * 1997-12-19 2000-03-21 Lam Research Corporation Focus rings
US6107192A (en) 1997-12-30 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Reactive preclean prior to metallization for sub-quarter micron application
US6077353A (en) * 1998-06-02 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Pedestal insulator for a pre-clean chamber
US6221221B1 (en) 1998-11-16 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing RF return current path control in a semiconductor wafer processing system
US6171453B1 (en) 1998-12-02 2001-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Alignment mark shielding ring and method of using
US6494955B1 (en) * 2000-02-15 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Ceramic substrate support
US6296747B1 (en) * 2000-06-22 2001-10-02 Applied Materials, Inc. Baffled perforated shield in a plasma sputtering reactor
US6700397B2 (en) * 2000-07-13 2004-03-02 The Micromanipulator Company, Inc. Triaxial probe assembly
US6544340B2 (en) 2000-12-08 2003-04-08 Applied Materials, Inc. Heater with detachable ceramic top plate
US6841057B2 (en) * 2002-03-13 2005-01-11 Applied Materials Inc. Method and apparatus for substrate polishing
US6932871B2 (en) * 2002-04-16 2005-08-23 Applied Materials, Inc. Multi-station deposition apparatus and method

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102177769A (zh) * 2008-10-09 2011-09-07 应用材料公司 大等离子体处理室所用的射频回流路径
CN102177769B (zh) * 2008-10-09 2016-02-03 应用材料公司 大等离子体处理室所用的射频回流路径
CN103003926A (zh) * 2010-06-25 2013-03-27 应用材料公司 具有减少的离子流的预清洁腔室
CN103003926B (zh) * 2010-06-25 2016-05-25 应用材料公司 具有减少的离子流的预清洁腔室
CN102315150A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 朗姆研究公司 用于等离子体处理室的可移动基环
CN102315150B (zh) * 2010-06-30 2014-03-12 朗姆研究公司 用于等离子体处理室的可移动基环
TWI550125B (zh) * 2012-01-27 2016-09-21 應用材料股份有限公司 藉由使用波紋管之微波源分離之裝置與方法
CN103730317A (zh) * 2012-10-15 2014-04-16 东京毅力科创株式会社 气体导入装置和电感耦合等离子体处理装置
CN103730317B (zh) * 2012-10-15 2017-04-12 东京毅力科创株式会社 气体导入装置和电感耦合等离子体处理装置
CN111326382A (zh) * 2018-12-17 2020-06-23 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种电容耦合等离子体刻蚀设备
CN111326382B (zh) * 2018-12-17 2023-07-18 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种电容耦合等离子体刻蚀设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20040083977A1 (en) 2004-05-06
CN1310281C (zh) 2007-04-11
WO2003015137A2 (en) 2003-02-20
US7252737B2 (en) 2007-08-07
US20030029564A1 (en) 2003-02-13
US6652713B2 (en) 2003-11-25
WO2003015137A3 (en) 2004-03-11
US6837968B2 (en) 2005-01-04
US6726805B2 (en) 2004-04-27
TW554399B (en) 2003-09-21
KR20040025657A (ko) 2004-03-24
US20030029568A1 (en) 2003-02-13
KR100914075B1 (ko) 2009-08-27
US20050056370A1 (en) 2005-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1310281C (zh) 具有整体屏蔽罩的基座
CN1285757C (zh) 等离子加工用的静电夹紧边环
CN1303638C (zh) 在等离子室中包围半导体工件的导电挡圈
US6284093B1 (en) Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
US6095084A (en) High density plasma process chamber
CN101681785B (zh) 用于提高等离子体工艺中的处理均匀性的设备和方法
JP2000331993A (ja) プラズマ処理装置
JP2021068909A (ja) Ｉｃｐプラズマ処理チャンバ内における高収率・基板最端部欠陥低減のための単一リング設計
SG178006A1 (en) Bevel etcher with vacuum chuck
US20030010292A1 (en) Electrostatic chuck with dielectric coating
US8986564B2 (en) Apparatus and methods for handling workpieces in a processing system
KR20070098674A (ko) 기판 이송 장치, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO1999014788A1 (en) Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
TW200901835A (en) Plasma generating apparatus
CN109841476A (zh) 半导体制造装置用的部件以及半导体制造装置
US20050066902A1 (en) Method and apparatus for plasma processing
CN100341120C (zh) 等离子体处理装置以及等离子体处理方法
US20040173469A1 (en) Plasma processing apparatus and method for manufacturing electrostatic chuck
CN1278389C (zh) 等离子体处理装置及静电吸盘的制造方法
US20030037879A1 (en) Top gas feed lid for semiconductor processing chamber
US20140338836A1 (en) Etching apparatus
CN100345274C (zh) 静电吸盘的制造方法
WO2019067240A1 (en) PERFORATED MASK WITH VARIED PROFILE SIDES FOR IMPROVED DEPOSIT UNIFORMITY
CN1845307A (zh) 促进晶片刻蚀均匀的静电卡盘

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20070411