CN103713475B - 用于光刻掩模版的快速交换装置 - Google Patents

用于光刻掩模版的快速交换装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103713475B
CN103713475B CN201410009171.0A CN201410009171A CN103713475B CN 103713475 B CN103713475 B CN 103713475B CN 201410009171 A CN201410009171 A CN 201410009171A CN 103713475 B CN103713475 B CN 103713475B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
mask
arm
rotatable switch
vacuum chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410009171.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103713475A (zh
Inventor
R·G·M·兰斯博根
G·H·哈罗德
R·J·约翰森
H·J·G·范德维登
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Holding NV
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Holding NV
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Holding NV, ASML Netherlands BV filed Critical ASML Holding NV
Publication of CN103713475A publication Critical patent/CN103713475A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103713475B publication Critical patent/CN103713475B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment

Abstract

本发明提供了一种用于在真空光刻系统中移动和更换掩模版的方法和设备，且具有最小的颗粒产生和脱气。在本发明的例子中，可旋转交换装置(RED)的第一臂接收用于保持第一掩模版的第一基板。RED的第二臂支撑和缓冲第二基板。第一和第二基板被设置在距离RED的旋转轴线基本上等距的位置上。

Description

用于光刻掩模版的快速交换装置
本申请是申请日为2009年04月14日、申请号为200980113525.3、发明名称为“用于光刻掩模板的快速交换装置”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种光刻设备和一种用于制造器件的方法。
背景技术
光刻术被广泛地公认为制造集成电路(IC)以及其它器件和／或结构中的关键工艺。光刻设备是在光刻过程中一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。在用光刻设备制造集成电路(IC)期间，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(例如抗蚀剂)层上。通常，单个衬底包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。制造IC的不同层通常需要用不同的掩模版使不同的图案在不同的层上成像。因此，必须在光刻工艺期间更换掩模版。
市场要求光刻设备尽可能快速地执行光刻工艺，以最大化制造能力且保持每一器件的成本低。因此，优选地，在光刻工艺期间改变掩模版，花费至少可能的时间。不幸的是，传统的掩模版交换装置未被设计以在真空环境中起作用，其被设计成在真空环境中起作用的这些不足够快速。它们也易于出现真空密封问题且具有大量的轴承，上述两者导致了脱气和颗粒污染物的进一步的问题。颗粒污染物导致浪费生产能力、时间和材料的制造缺陷。脱气可能污染透镜，其降低了有效的曝光功率和降低了生产率或完全地破坏了透镜。这种浪费降低了铸造效率，且增加了制造费用。
发明内容
期望提供一种掩模版交换装置和器件制造方法，其解决在真空光刻术系统中以最小的颗粒产生和脱气来实现掩模版快速交换的问题。
根据本发明的一个方面，提供了一种用于快速地交换光刻掩模版的方法。可旋转交换装置(RED)的第一臂接收用于保持第一掩模版的第一基板。RED的第二臂支撑和缓冲第二基板。第一和第二基板被设置成距离RED的旋转轴线具有基本上相等的距离。
附图说明
现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：
图1示出了根据本发明的实施例的光刻设备。
图2A示出了根据本发明的实施例的双臂型可旋转的交换装置的俯视图。
图2B示出了根据本发明的实施例的可旋转的交换装置的侧视图。
图2C示出了根据本发明的实施例的具有支撑件的可旋转交换装置的侧视图。
图2D-E示出了根据本发明的实施例的双臂型可旋转交换装置的俯视图。
图3A-D示出了根据本发明的实施例的三臂型可旋转交换装置的俯视图。
图4示出了根据本发明的实施例的方法。
图5示出了根据本发明的实施例的另一方法。
图6A-G示出了根据本发明的实施例的可旋转交换装置的示例性动态操作。
现在将参考附图对本发明的一个或更多的实施例进行描述。在附图中，相同的参考标记可以表示一致的或功能上类似的元件。另外，参考数字最左边的数字可以表明参考标记首次出现的附图。
具体实施方式
本发明的说明书公开了包括这一发明的特征的一个或更多的实施例。公开的实施例仅举例说明本发明。本发明的范围不限于公开的实施例。本发明由随附的权利要求来限定。
描述的实施例和在说明书中对“一个实施例”、“一种实施例”、“一个示例性实施例”等的参考，表示描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每一实施例不必包括特定的特征、结构或特性。此外，这样的措辞不必表示同一实施例。另外，当特定的特征、结构或特性结合实施例进行描述时，可以理解，不论是否结合其它实施例详细描述实现这样的特征、结构或特性，它们都在本领域技术人员的知识范围内。
本发明的实施例可以在硬件、固件、软件或它们的任何组合中实现。本发明的实施例也可以实现为存储在机器可读介质上的指令，其可以通过一个或更多的处理器来读取和执行。机器可读介质可以包括用于存储或发送作为机器(例如计算装置)可读形式的信息的任何机构。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、磁盘存储介质、光学存储介质、闪存装置、电学、光学、声学或其它形式的传送信号(例如载波、红外信号、数字信号等)以及其它。另外，固件、软件、程序、指令可以在此处被描述成执行特定动作。然而，应当理解，这样的描述仅是为了方便，且这样的动作实际上由计算装置、处理器、控制器或用于执行固件、软件、程序、指令等的其它装置来产生。
图1示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备100。所述光刻设备100包括：照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，配置用于支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA并与配置用于精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；和衬底台(例如晶片台)WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连。光刻设备100还具有投影系统(例如反射式投影透镜系统)PS，所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
所述照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射B。
支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备100的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。
术语“图案形成装置MA”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束B、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予辐射束B的图案将与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束B。
术语“投影系统”PS可以包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。因为其它气体可能吸收过多的辐射或电子，所以真空环境可以用于EUV或电子束辐射。因此真空环境可以在真空壁和真空泵的帮助下被提供给整个束路径。
如这里所示的，所述光刻设备100是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述光刻设备100可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。
所述光刻设备100可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和／或两个或更多的掩模台)WT的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的衬底台WT，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它衬底台WT用于曝光。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备100可以是分立的实体(例如当该源SO为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO考虑成形成光刻设备100的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和／或扩束器的束传递系统BD(未示出)的帮助，将所述辐射束B从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备100的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD(未示出)。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和／或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件(未示出)，例如积分器和聚光器。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经被图案形成装置(例如掩模)MA反射之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。
可以将所述光刻设备100用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和／或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。
2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上。可以采用脉冲辐射源SO，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如在此处所表示的类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和／或变体，或也可以采用完全不同的使用模式。
在本发明的实施例中，提供了一种在光刻工具100，诸如极紫外(EUV)光刻工具，的真空环境中交换掩模版MA的方法，所述方法使用了可旋转快速交换装置(RED)以最小化掩模版交换时间、颗粒的产生和脱气。所述方法要求在交换掩模版MA期间直接用RED运输保持掩模版MA的基板，而不是夹持掩模版MA。为了最小化掩模版交换时间，RED具有至少两个机器人夹具，每个机器人夹具保持各自的基板。每一基板可以保持各自的掩模版MA。通过使用多个机器人夹具，可以基本上同时地进行以下步骤：将第一掩模版装载至RED、预先对准第二掩模版(如果需要的话)、将第三掩模版转移至掩模版台以及缓冲第三掩模版的基板。通过使用多个夹具，因为至少基本上同时地执行在各个位置处的多个掩模版的至少一部分装载和卸载步骤，而不是顺续地执行这些步骤，因此减少了用于储存掩模版、获取第二掩模版以及将第二掩模版转移至掩模版台的时间。RED还通过基本上同时地将多个掩模版从一位置移动至另一位置而不是顺续地移动，以节省时间。
RED还保护掩模版以及未最终完成的光刻产品。RED的可旋转部件具有保持电机系统的至少一个密封腔，所述电机系统旋转RED。密封腔最小化电机系统部件(诸如电机、电机轴承、位置编码器等)产生的颗粒污染和脱气。还被称为差分密封(differential seal)或差分泵密封(differential pump seal)的扫气密封(scavenging seal)，被在旋转部件和密封腔之间使用以保持RED外面的清洁真空环境中的真空，同时降低进入清洁真空环境的颗粒污染物和脱气。RED还可以具有保持平移机构的至少一个额外的密封腔，所述平移机构沿着RED的旋转轴线平移RED。所述第二腔具有波纹管(bellows)以将真空与在平移机构中的脏部件(诸如致动器、轴承等)分离。RED波纹管降低了进入真空的颗粒污染物和脱气。
图2A-2E示出具有双臂型可旋转交换装置(RED)200的本发明的一种实施例。下述是图3A-3D，其显示出具有三臂型可旋转交换装置(RED)300的本发明的实施例。虽然示出了双臂型RED200和三臂型RED300，但是这些例子是非限制性的。各种实施例可以具有两个或更多个臂，并且因此同时运送两个或更多个掩模版。另外，在不同实施例中，RED的第一臂可以被以相对于RED的第二臂的任何角度固定。
图2A示出了所述双臂型可旋转交换装置200的俯视图。所述双臂型RED200具有第一臂205和第二臂210，所述第一臂205和第二臂210围绕与纸面垂直的中心轴线215旋转。第一机器人夹具220位于第一臂205的端部，被配置以夹持第一基板222，该第一基板222被配置以保持第一掩模版225。类似地，第二机器人夹具230位于第二臂210的端部，被配置以夹持第二基板232，该第二基板232能够保持第二掩模版235。因此，第一臂205和第二臂210是基板支撑件。
第一和第二基板222、232与第一和第二臂205、210被配置以一致地旋转。在一种实施例中，第一和第二基板222、232位于与中心轴线215基本上等距的位置上。在一种实施例中，第一臂205被设置成与第二臂210成基本上90度的角度。
根据本发明的一种实施例，双臂型RED200旋转至三个位置。第一位置是掩模版装载和卸载位置240。在掩模版装载和卸载位置240，保持第一掩模版225的第一基板222通过第一机器人装置(未显示)在第一机器人夹具220和掩模版储存装置之间进行运送。第二位置是掩模版台装载和卸载位置245。在掩模版台装载和卸载位置245处，第一掩模版225在第一基板222和掩模版台(未显示，诸如图1的光刻设备100中的支撑结构MT)之间进行运送。第一掩模版225可以通过RED200被直接运送至掩模版台(未显示)。第三位置是基板缓冲位置250。当第一掩模版225位于掩模版台上时，双臂型RED200旋转且移动第一机器人夹具220和第一基板222至基板缓冲位置250，以避免双臂型RED200与第一掩模版225的使用相互干扰。应当理解，在各个位置处，可以以类似于第一掩模版225的方式处理和交换第二掩模版235。将在本文的其它部分擦更详细地描述双臂型RED200的动态操作。
图2B显示出根据本发明的实施例的双臂型和三臂型可旋转交换装置200、300的部分侧视图。为了简便起见，在图2B中仅显示出一个示例性的臂，第一臂205。所述双臂型和三臂型可旋转交换装置200、300的其它臂可以具有类似的布置。
图2B显示在第一臂205的远端处建立用于保持第一基板222的第一机器人夹具220，该第一基板222又保持第一掩模版225。第一臂205通过被连接至轴255而围绕中心轴线215旋转。轴255机械地连接至被配置以旋转轴255的电机系统256。可选的位置编码器258可以被连接至轴255，以提供位置反馈。在图2B显示的例子中，轴255不仅旋转，而且是可沿着旋转轴线215平移的，如由箭头259显示的，使得RED200、300是可沿着旋转轴线215平移的。RED200、300的平移允许在沿着中心轴线215的不同高度处平移基板和掩模版。致动器262机械地连接至轴255，以沿着旋转轴线215平移轴255。
电机系统256和致动器262被密封在腔260中，使得在与传统的掩模版交换装置相比时从清洁真空基本上消除了来自电机系统的颗粒污染物和脱气。腔260被用密封265(诸如扫气密封)围绕轴255进行密封，所述密封进一步地消除将在传统的O形环密封中出现的颗粒的产生和传统的O形环密封所需要的脱气滑脂。在轴255沿着旋转轴线215平移时，柔性的波纹管270保持腔260是密封的。
图2C示出了根据本发明的一个实施例的双臂型和三臂型可旋转交换装置200、300的侧视图，其是图2B中显示的装置的可替代的布置。如图2B所示，为了简便起见，在图2C中仅示出了一个示例性臂、第一臂205。双臂型和三臂型可旋转交换装置200、300的其它臂可以具有类似的布置。
图2C中的腔260包括使轴255旋转的电机系统256。腔260安装在支撑件285上，该支撑件285被连接至致动器286、287，所述致动器286、287沿着旋转轴线215平移轴255、腔260和框架285。致动器286、287具有各自的柔性的波纹管288、289，以在轴255沿着旋转轴线215平移时将致动器286、287与周围气体环境(诸如真空)密封。当与传统的掩模版交换装置比较时，波纹管288、289的使用基本上消除了来自致动器286、287的脱气和颗粒污染。
图2A、2D和2E的组合显示出双臂型RED200的示例性动态操作。图2A显示出在第一掩模版225和基板222被装载在第一臂220的情况下在掩模版装载和卸载位置240上的第一臂205。之后，双臂型可旋转交换装置200旋转第一臂205至如图2D显示的掩模版台装载和卸载位置245。在第一掩模版225被从第一基板222装载至掩模版台之后，仍然保持第一基板222的第一臂205被旋转至在图2E中示出的基板缓冲位置250。
在第一臂205位于基板缓冲位置250时，在位置245处的第一掩模版225用于在其横截面中将图案赋予辐射束，诸如在衬底的目标部分中产生图案。在第一掩模版225对于形成图案不再需要时，仍然保持第一基板222的第一臂205返回至掩模版台装载和卸载位置245，在此处，第一掩模版225被从掩模版台卸载回至第一基板222。之后，双臂型可旋转交换装置200旋转第一臂205返回至图2A中显示的掩模版装载和卸载位置240，在此处，第一掩模板225和基板222被从双臂型RED200卸载下来。
在第一基板222被在基板缓冲位置250处缓冲时，第二掩模版235被基本上同时转移到在RED和掩模版存储装置之间的掩模版装载和卸载位置240处。当与传统的掩模版交换装置相比，基本上同时缓冲第一基板222和转移第二掩模版235，节省了时间，且增加了RED200的生产量。
图6A-6G显示出根据本发明的实施例的诸如双臂型RED200的可旋转交换装置的示例性动态操作。在图6A-6G中，掩模版由识别标识“N”表示。掩模版台位置被标记为“RS”。掩模版运输器的位置被表示为“RH”。在一个实施例中，本领域技术人员将明白，除了图6A-G中示出的任何区别之外，如图6A-G中显示的可旋转交换装置的操作类似于关于如在上文所描述的双臂型RED200的操作。
图3A示出了三臂型可旋转交换装置(RED)300的俯视图。三臂型RED300具有第一臂305、第二臂310和第三臂312，它们围绕与纸面垂直的中心轴线315旋转。第一机器人夹具320位于第一臂305的端部处，被配置以夹持第一基板322，该第一基板322被配置以保持第一掩模版325。类似地，第二机器人夹具330位于第二臂310的端部处，被配置以夹持第二基板332，该第二基板332被配置以保持第二掩模版335。第三机器人夹具332位于第三臂312的端部处，被配置以夹持第三基板334，该第三基板334被配置以保持第三掩模版337。第一、第二和第三基板322、332、334以及第一、第二和第三臂305、310、312被配置以一致地旋转。在一种实施例中，第一、第二和第三基板322、332、334被设置在距离中心轴线315基本上等距的位置上。
根据本发明的一种实施例，三臂型RED300旋转通过四个位置。第一位置是掩模版装载和卸载位置340，在此处，掩模版和基板被从掩模版存储装置(未显示)装载到RED臂上。在掩模版装载和卸载位置340处，第一掩模版325和第一基板222被转移至机器人夹具320或从第一机器人夹具320转移至掩模版储存装置。第二位置是掩模版预先对准位置342。在掩模版预先对准位置342处，第一掩模版325在转移至掩模版台(未示出)之前被预先对准，诸如图1中显示的光刻设备100中的支撑结构MT。第三位置是掩模版台装载和卸载位置345。在掩模版台装载和卸载位置345处，第一掩模版325在第一基板322和掩模版台(未显示)之间进行转移。第四位置是基板缓冲位置350。当第一掩模版325被设置在掩模版台上时，三臂型RED300旋转第一机器人夹具320和第一基板322至基板缓冲位置350，以避免三臂型RED300与第一掩模版325的使用相互干扰，例如在用于曝光操作的辐射束的图案形成期间。在各个位置处，可以以类似于第一掩模版325的方式处理和交换第二掩模版335。类似地，在各个位置处可以以类似于第一掩模版325的方式处理和交换第三掩模版337。现在将更详细地描述三臂型RED300的动态操作。
图3A-D的组合示出了三臂型RED300的示例性动态操作。图3A显示在掩模版装载和卸载位置340处的第一臂305，在此处，第一掩模版325和基板322被通过第一机器人装置(未示出)从掩模版存储装置装载到第一RED臂305上。之后，三臂型RED300如图3B所示将第一臂305旋转至掩模版预先对准位置342，在此处，第一掩模版325被预先对准。在掩模版预先对准之后，如图3C所示，三臂型RED300之后将第一臂305旋转至掩模版台装载和卸载位置345。在第一掩模版325被从第一基板322装载至掩模版台上之后，仍然保持第一基板322的第一臂305被旋转至图3D所示的基板缓冲位置350。
在第一臂305位于基板缓冲位置350时，第一掩模版325被用于在辐射束的横截面中将图案赋予辐射束，以便在衬底的目标部分中产生图案。在第一掩模版325对于形成图案不再需要时，仍然保持第一基板322的第一臂305返回至如图3C显示的掩模版台装载和卸载位置345，在此处，第一掩模版325被从掩模版台卸载返回至第一基板322。之后，三臂型RED300旋转第一臂305返回至如图3A显示的掩模版装载和卸载位置340，在此处，第一掩模版325和第一基板322通过第一机器人装置被从三臂型RED300卸载。
在第一掩模版325被在掩模版预先对准位置342处预先对准，但是第二臂310被设置在基板缓冲位置350处，在此处，第二基板322可以被缓冲。另外，在第一掩模版325被在掩模版预先对准位置342处预先对准时，第三臂312设置在掩模版装载和卸载位置340处，在此处，第三掩模版337和第三基板334可以被装载到三臂型RED300上或从三臂型RED300卸载。当与传统的真空掩模版交换装置(诸如单个臂的真空机器人)相比，基本上同时执行第一掩模版325的预先对准、第二基板332的缓冲以及第三掩模版337的转移，以节省三臂型RED300的处理时间和增加三臂型RED300的生产量。当三臂型RED300被旋转时，第一、第二和第三基板322、332、334也基本上同时旋转，使得基本上同时将多个掩模版在处理位置之间移动，从而与传统的掩模版交换装置相比，节省三臂型RED300的处理时间和增加三臂型RED300的生产量。
图4是显示出示例性的方法400的流程图。例如，方法400可以通过使用图1、2A-2E以及3A-D的装置来执行。在步骤405中，在可旋转交换装置(RED)的第一臂上接收保持第一掩模版的第一基板。在步骤410中，第二掩模版被从第二基板转移至掩模版台。在步骤415中，被RED的第二臂支撑的第二基板被缓冲。在一个例子中，第一和第二基板被设置在距离RED的旋转轴线基本上等距的位置上。所述缓冲步骤可以可选择地与所述接收步骤同时执行。在步骤420中，第二掩模版被从掩模版台转移至第二基板。在步骤425中，被由RED的第三臂支撑的第三基板所保持的第三掩模版被预先对准。
在步骤430中，RED与电机系统一起旋转。电机系统被密封在真空腔中，使得来自电机系统的颗粒污染物和脱气基本上被消除。可以旋转RED，以移动任何基板至任何位置。例如，可以旋转RED以移动第一基板至允许第一掩模版的预先对准的位置，或可以旋转RED以移动第一基板至允许将第一掩模版转移至掩模版台的位置。另外，RED可以被旋转以移动第一基板至允许将第一掩模版从掩模版台转移至第一基板的位置，或被旋转以移动第一基板至允许缓冲第一基板的位置。在另一例子中，RED被旋转以移动第一基板至允许转移第一基板离开RED的位置。在步骤435中，第一基板被从RED卸载下来。
方法400中的所有步骤，除了步骤405和步骤415之外，都是可选的。在一种实施例中，可以通过光刻设备100、双臂型RED200和／或三臂型RED300中的至少一部分来执行所述方法400的至少一部分。
图5是示出示例性方法500的流程图。在一个例子中，所述方法500的至少一部分可以通过光刻设备100、双臂型RED200和／或三臂型RED300的至少一部分来执行。在步骤505中，第一掩模版和第一基板被装载至第一位置上。在步骤510中，由第二基板支撑的第二掩模版被在第二位置处预先对准。在步骤515中，第三基板被在第三位置处缓冲。可以基本上同时执行所述装载、预先对准、以及缓冲步骤。在步骤520中，旋转支撑装置被旋转以移动第一掩模版至第二位置。在步骤525中，第一掩模版和第一基板被从第一臂上卸载下来。
尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备100用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备100可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。
虽然在光学光刻术的情形下对本发明的实施例的使用做出了具体参考，但是应当理解本发明可以用于在其它应用中，例如压印光刻术，且在上下文允许的情况下，不限于光学光刻术。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如在约5-20nm的范围内的波长)以及粒子束(诸如离子束或电子束)。
尽管已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明的至少一部分可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。
结论
虽然在上文描述了本发明的各种实施例，但是应当理解仅通过举例的方式示出了它们且不是限制性的。相关领域技术人员应当明白，在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种变化。因此，本发明的广度和范围不应当受上文描述的示例性实施例中的任一实施例的限制，而是应当仅根据所附的权利要求和它们的等同物来限定。
应当理解，具体实施方式部分，而不是发明内容和摘要部分，将用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述如由发明人设想的本发明的全部示例性实施例中的一个或更多个，但是不是全部的示例性实施例，因此不是要以任何方式限制本发明和随附的权利要求。

Claims (13)

1.一种交换光刻掩模版的方法，所述方法包括以下步骤：
(a)在可旋转交换装置的第一臂上接收用于保持第一掩模版的第一基板；和
(b)缓冲由所述可旋转交换装置的第二臂支撑的第二基板，
其中，所述第一和第二基板被设置在距离所述可旋转交换装置的旋转轴线基本上等距的位置上，
其中所述方法还进一步包括步骤：
以电机系统来旋转所述可旋转交换装置，其中所述电机系统被密封在真空腔中，使得基本上消除了来自所述电机系统的颗粒污染物和脱气，所述真空腔还包括配置成保持所述真空腔是密封的波纹管。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：
(c)对准被由所述可旋转交换装置的第三臂支撑的第三基板所保持的第三掩模版。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：
(c)从所述可旋转交换装置卸载所述第一基板。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：
(c)将第二掩模版从所述第二基板转移至掩模版台。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：
(c)将第二掩模版从掩模版台转移至所述第二基板。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：
(c)旋转所述可旋转交换装置以移动所述第一基板至允许所述第一掩模版的预先对准的位置。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：
(c)旋转所述可旋转交换装置用以移动所述第一基板至允许将所述第一掩模版转移至掩模版台的位置。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：
(c)旋转所述可旋转交换装置用以移动所述第一基板至允许缓冲所述第一基板的位置。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：
(c)旋转所述可旋转交换装置用以移动所述第一基板至允许将所述第一基板转移离开所述可旋转交换装置的位置。
10.一种交换光刻掩模版的系统，所述系统包括：
旋转支撑装置，所述旋转支撑装置具有旋转轴线；
第一基板支撑件，所述第一基板支撑件被连接至所述旋转支撑装置且被配置以在允许接收由第一基板保持的第一掩模版的第一位置处支撑所述第一基板；和
第二基板支撑件，所述第二基板支撑件被连接至所述旋转支撑装置且被配置以在允许缓冲由第二基板保持的第二掩模版的第二位置处支撑所述第二基板，
其中所述第一和第二基板支撑件被设置在距离所述旋转轴线基本上等距的位置上且被配置以一致地旋转，
其中所述系统还包括真空腔，所述真空腔被配置以密封电机系统，使得来自所述电机系统的颗粒污染物和脱气基本上被消除，其中所述真空腔还包括被配置成保持所述真空腔是密封的波纹管。
11.根据权利要求10所述的系统，还包括：
第三基板支撑件，所述第三基板支撑件被连接至所述旋转支撑装置且被配置以在允许缓冲第三基板的第三位置处支撑所述第三基板。
12.根据权利要求10所述的系统，还包括致动器，所述致动器被配置以沿着所述旋转轴线平移所述旋转支撑装置。
13.一种交换光刻掩模版的方法，所述方法包括步骤：
(a)将第一掩模版和第一基板装载到第一位置上；
(b)在第二位置处预先对准由第二基板支撑的第二掩模版；和
(c)在第三位置处缓冲第三基板，
其中所述步骤(a)、(b)和(c)基本上同时被执行，
其中所述方法还进一步包括步骤：
以电机系统来旋转可旋转交换装置用于将第一掩模版移动至第二位置，其中所述电机系统被密封在真空腔中，使得基本上消除了来自所述电机系统的颗粒污染物和脱气，所述真空腔还包括配置成保持所述真空腔是密封的波纹管。
CN201410009171.0A 2008-04-18 2009-04-14 用于光刻掩模版的快速交换装置 Active CN103713475B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US7126808P 2008-04-18 2008-04-18
US61/071,268 2008-04-18
CN200980113525.3A CN102007455B (zh) 2008-04-18 2009-04-14 用于光刻掩模版的快速交换装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980113525.3A Division CN102007455B (zh) 2008-04-18 2009-04-14 用于光刻掩模版的快速交换装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103713475A CN103713475A (zh) 2014-04-09
CN103713475B true CN103713475B (zh) 2015-09-30

Family

ID=40846172

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980113525.3A Active CN102007455B (zh) 2008-04-18 2009-04-14 用于光刻掩模版的快速交换装置
CN201410009171.0A Active CN103713475B (zh) 2008-04-18 2009-04-14 用于光刻掩模版的快速交换装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980113525.3A Active CN102007455B (zh) 2008-04-18 2009-04-14 用于光刻掩模版的快速交换装置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9268241B2 (zh)
JP (1) JP5669723B2 (zh)
KR (2) KR101738515B1 (zh)
CN (2) CN102007455B (zh)
NL (1) NL1036785A1 (zh)
TW (1) TWI488007B (zh)
WO (1) WO2009127391A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1036785A1 (nl) 2008-04-18 2009-10-20 Asml Netherlands Bv Rapid exchange device for lithography reticles.
JP5827827B2 (ja) * 2010-06-29 2015-12-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． アクチュエータ
WO2012123144A1 (en) 2011-03-11 2012-09-20 Asml Netherlands B.V. Electrostatic clamp apparatus and lithographic apparatus
CN103975416B (zh) * 2011-12-06 2016-05-18 独立行政法人产业技术综合研究所 黄光室系统
CN105093836B (zh) * 2014-05-06 2017-08-29 上海微电子装备（集团）股份有限公司 Euv光刻装置及其曝光方法
US10283456B2 (en) 2015-10-26 2019-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography engraving machine for forming water identification marks and aligment marks
JP7097872B2 (ja) 2016-07-29 2022-07-08 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． ステージ装置
NL2020502A (en) * 2017-03-30 2018-10-03 Asml Netherlands Bv Apparatus, substrate handler, patterning device handler, damping system and method of manufacturing
KR20190087996A (ko) * 2017-09-05 2019-07-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 마스크 디바이스를 핸들링하는 방법들, 마스크 디바이스를 교환하기 위한 장치, 마스크 교환 챔버, 및 진공 시스템
US10976674B2 (en) 2018-08-17 2021-04-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for detecting EUV pellicle rupture
CN113260923A (zh) 2018-12-28 2021-08-13 Asml控股股份有限公司 用于清洁光刻系统中的支撑结构的设备和方法
US11156926B2 (en) * 2019-08-12 2021-10-26 Kla Corporation Vacuum actuator containment for molecular contaminant and particle mitigation
CN112255888A (zh) * 2020-10-22 2021-01-22 无锡中微掩模电子有限公司 一种电子束曝光机的上下料方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101006554A (zh) * 2004-10-29 2007-07-25 株式会社尼康 标线保护构件、标线运送装置、曝光装置及标线运送方法

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3968885A (en) * 1973-06-29 1976-07-13 International Business Machines Corporation Method and apparatus for handling workpieces
US4758127A (en) * 1983-06-24 1988-07-19 Canon Kabushiki Kaisha Original feeding apparatus and a cassette for containing the original
US4984953A (en) * 1987-02-20 1991-01-15 Canon Kabushiki Kaisha Plate-like article conveying system
JPS63258341A (ja) * 1987-04-17 1988-10-25 Hitachi Ltd レテイクル自動交換装置
US5080549A (en) * 1987-05-11 1992-01-14 Epsilon Technology, Inc. Wafer handling system with Bernoulli pick-up
US5135349A (en) * 1990-05-17 1992-08-04 Cybeq Systems, Inc. Robotic handling system
US6473157B2 (en) * 1992-02-07 2002-10-29 Nikon Corporation Method of manufacturing exposure apparatus and method for exposing a pattern on a mask onto a substrate
US6712577B2 (en) * 1994-04-28 2004-03-30 Semitool, Inc. Automated semiconductor processing system
JPH098103A (ja) * 1995-06-19 1997-01-10 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
DE19549045C1 (de) 1995-12-28 1997-06-05 Jenoptik Jena Gmbh Einrichtung zur Handhabung von scheibenförmigen Objekten
JPH09186072A (ja) * 1996-01-04 1997-07-15 Canon Inc 原板搬送装置および方法
US6054029A (en) 1996-02-23 2000-04-25 Singulus Technologies Gmbh Device for gripping, holdings and/or transporting substrates
US6064029A (en) 1997-06-04 2000-05-16 Institute For Advanced Engineering Apparatus for controlling the quality of a resistance spot weld and method therefor
US6589789B1 (en) * 1997-07-21 2003-07-08 Quest Diagnostics Incorporated Automated centrifuge loading device
US6158951A (en) * 1998-07-10 2000-12-12 Asm America, Inc. Wafer carrier and method for handling of wafers with minimal contact
JP3863671B2 (ja) * 1998-07-25 2006-12-27 株式会社ダイヘン 搬送用ロボット装置
TW446858B (en) 1999-04-21 2001-07-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using such a lithographic projection apparatus, and device made by such a method of manufacturing
JP2001024045A (ja) * 1999-07-08 2001-01-26 Nikon Corp 搬送装置およびそれを用いた露光装置
US6379095B1 (en) * 2000-04-14 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Robot for handling semiconductor wafers
TW559855B (en) * 2000-09-06 2003-11-01 Olympus Optical Co Wafer transfer apparatus
TW512478B (en) * 2000-09-14 2002-12-01 Olympus Optical Co Alignment apparatus
EP1211562B1 (en) 2000-11-30 2005-05-11 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4201564B2 (ja) * 2001-12-03 2008-12-24 日東電工株式会社 半導体ウエハ搬送方法およびこれを用いた半導体ウエハ搬送装置
US7004715B2 (en) * 2002-01-09 2006-02-28 Asml Holding N.V. Apparatus for transferring and loading a reticle with a robotic reticle end-effector
US6906783B2 (en) 2002-02-22 2005-06-14 Asml Holding N.V. System for using a two part cover for protecting a reticle
US7053393B2 (en) * 2002-06-04 2006-05-30 Olympus Corporation Alignment apparatus for object on stage
US6826451B2 (en) 2002-07-29 2004-11-30 Asml Holding N.V. Lithography tool having a vacuum reticle library coupled to a vacuum chamber
JP2004158643A (ja) 2002-11-06 2004-06-03 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4450664B2 (ja) * 2003-06-02 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
US7123344B2 (en) 2003-09-29 2006-10-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7236233B2 (en) 2003-10-27 2007-06-26 Asml Netherlands B.V. Assembly of a reticle holder and a reticle
JP4564742B2 (ja) 2003-12-03 2010-10-20 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7078708B2 (en) * 2003-12-24 2006-07-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method of manufacturing a device and method of performing maintenance
JP2005353988A (ja) 2004-06-14 2005-12-22 Canon Inc 板状体搬送方法、搬送装置及び露光装置
DE502004006497D1 (de) * 2004-07-15 2008-04-24 Hermle Berthold Maschf Ag Bearbeitungsmaschine mit Werkstückwechsler
US7167233B2 (en) 2004-09-20 2007-01-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for processing an exchangeable object
US7477358B2 (en) 2004-09-28 2009-01-13 Nikon Corporation EUV reticle handling system and method
US7394525B2 (en) * 2004-10-21 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Exchangeable object handling apparatus, lithographic apparatus including such exchangeable object handling apparatus, and device manufacturing method
JP2006128188A (ja) 2004-10-26 2006-05-18 Nikon Corp 基板搬送装置、基板搬送方法および露光装置
JP4710308B2 (ja) 2004-10-29 2011-06-29 株式会社ニコン レチクル搬送装置、露光装置、及びレチクルの搬送方法
US7428958B2 (en) 2004-11-15 2008-09-30 Nikon Corporation Substrate conveyor apparatus, substrate conveyance method and exposure apparatus
US7136147B2 (en) * 2004-12-20 2006-11-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060138681A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Substrate and lithography process using the same
WO2006088757A1 (en) * 2005-02-12 2006-08-24 Applied Materials, Inc. Multi-axis vacuum motor assembly
JP2006351863A (ja) * 2005-06-16 2006-12-28 Nikon Corp 物体搬送装置及び露光装置
JP4667140B2 (ja) 2005-06-30 2011-04-06 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2007134575A (ja) 2005-11-11 2007-05-31 Canon Inc レチクルカセットおよびそれを用いた露光装置
JP2007141925A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Nikon Corp マスク収容容器、露光装置
US7808616B2 (en) 2005-12-28 2010-10-05 Nikon Corporation Reticle transport apparatus, exposure apparatus, reticle transport method, and reticle processing method
JP4848845B2 (ja) * 2006-06-01 2011-12-28 株式会社安川電機 真空ロボット、処理装置、モータの製造方法、およびモータ
US20080025821A1 (en) 2006-07-25 2008-01-31 Applied Materials, Inc. Octagon transfer chamber
KR100847888B1 (ko) * 2006-12-12 2008-07-23 세메스 주식회사 반도체 소자 제조 장치
NL1036785A1 (nl) 2008-04-18 2009-10-20 Asml Netherlands Bv Rapid exchange device for lithography reticles.

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101006554A (zh) * 2004-10-29 2007-07-25 株式会社尼康 标线保护构件、标线运送装置、曝光装置及标线运送方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102007455A (zh) 2011-04-06
TW201001090A (en) 2010-01-01
KR101738515B1 (ko) 2017-05-22
US20110020104A1 (en) 2011-01-27
JP5669723B2 (ja) 2015-02-12
KR20160052804A (ko) 2016-05-12
CN102007455B (zh) 2014-02-12
US9983487B2 (en) 2018-05-29
KR20110004876A (ko) 2011-01-14
US9268241B2 (en) 2016-02-23
NL1036785A1 (nl) 2009-10-20
WO2009127391A1 (en) 2009-10-22
TWI488007B (zh) 2015-06-11
US20160077443A1 (en) 2016-03-17
CN103713475A (zh) 2014-04-09
JP2011517128A (ja) 2011-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103713475B (zh) 用于光刻掩模版的快速交换装置
JP4976483B2 (ja) リソグラフィ装置及び基板ステージ補償を利用したデバイス製造方法
KR100901476B1 (ko) 변위 측정 시스템, 리소그래피 장치, 변위 측정 방법 및디바이스 제조 방법
CN101369102B (zh) 光刻设备和器件制造方法
JP3973411B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
CN101644901A (zh) 利用步进扫描系统进行的整个晶片宽度扫描
JP3971701B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
KR100849982B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
CN102365590B (zh) 用于掩模板的快速交换装置中的共享的顺应性和掩模板平台
US8947640B2 (en) Positioning device, lithographic apparatus, positioning method and device manufacturing method
US9182683B2 (en) Lithographic apparatus and lithographic projection method
JP4332146B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US7136147B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4740970B2 (ja) 振動絶縁サポートデバイスを含むリソグラフィ装置
US8947636B2 (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method, and substrate exchanging method
US8264670B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method for clamping a patterning device
JP2005311378A (ja) デバイス製造方法
JP4669833B2 (ja) リソグラフィ装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant