JP2007134575A - レチクルカセットおよびそれを用いた露光装置 - Google Patents

レチクルカセットおよびそれを用いた露光装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 レチクルと他の物質が接触することによるパーティクルの発生を抑えたレチクル搬送を行うことを目的とする。
【解決手段】 レチクルを搭載するための搭載部とその蓋部間の空間にレチクルを収容し支持するためのレチクルカセットであって、前記搭載部に前記レチクルのパターン面側を静電力によって吸着して支持する電極を備える。
【選択図】 図2

Description

本発明は、露光光源として極紫外(EUV:Extreme Ultra Violet)光を用いた露光装置においてレチクル(フォトマスク)を搬送するためのレチクルカセットに関するものである。
露光装置において、レチクルは、ウェハ上に所望のパターンを転写するために用いられる。このレチクルのパターン面にパーティクルが存在すると、高精度な露光を妨げてしまい、結果としてデバイスに欠陥をもたらし得る。
この課題を解決するために、従来の露光装置では、レチクルのパターン面に透明な保護膜を取り付けて搬送し、保護膜を付けたままで露光を行っていた。
しかしながら、近年では転写パターンの微細化のため、露光光の波長が短波長化してきている。従来のi線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)に変わる露光光として、F2(157nm)や極紫外光(5nm〜20nm)が開発されている。このような短波長の露光光は、上述の保護膜によって吸収されやすいため、従来の方法をそのまま適用することはできない。
そこで、レチクルをレチクルカセット(収納装置)に入れた状態で搬送をし、露光前にレチクルカセットから取り出す方法が提案されている。図9および図10は特許文献1に記載されているレチクルカセットを示す図である。レチクルカセットが搭載部110と蓋部120を備え、レチクルを搭載部110と蓋部120に挟み込んで支持することが開示されている(図9)。また変形例として、蓋部120に静電吸着部を備え、静電吸着部によってレチクルを蓋部120に支持することが開示されている(図10)。また、露光チャンバー内に搬送された後に搭載部から蓋部が取り外され、レチクルカセットからレチクルが取り出されて、レチクルステージに装着することが開示されている。
特開2005−123292号公報
特許文献1は、レチクルカセットからレチクルが取り出された後の搬送について開示するものではない。しかしながら、レチクルカセットからレチクルが取り出された後にパーティクルが発生する可能性は高い。
たとえば、レチクルカセットから搬送ハンドを用いてレチクルを取り出す際に、まず互いに接触したレチクルカセットとレチクルが離れる。つぎに、搬送ハンドからレチクルの位置合わせを行うためのアライメントステージにレチクルを受け渡す際に、互いに接触したレチクルと搬送ハンドが離れる。さらに、位置合わせを終えたレチクルをアライメントステージから搬送ハンドにレチクルを受け渡す際に、互いに接触したレチクルとアライメントステージが離れる。さらに、搬送ハンドからレチクルステージにレチクルを受け渡す際に、互いに接触したレチクルと搬送ハンドが離れる。
レチクルと他の物質との接触が離れると、剥離などによってパーティクルが発生してしまうため、接触の回数が増えることは好ましくない。
本発明は、上記の点を考慮してなされたものであり、パーティクルの発生を低減させたレチクル搬送システムを提供することを目的としている。
本発明では、レチクルを搭載するための搭載部とその蓋部間の空間にレチクルを収容し支持するためのレチクルカセットであって、前記搭載部に前記レチクルのパターン面側を静電力によって吸着して支持する電極を備える。
本発明によれば、搬送中にレチクルと他の物体との接触が離れる回数を減らし、パーティクルの発生を低減させたレチクル搬送システムを提供することができる。
(実施例1)
図1を参照しつつ露光装置の概要を説明する。露光装置は露光光を生成するためのレーザー生成装置1と発光装置2と、露光光を用いて露光を行うための本体100等を備える。
レーザー生成装置1で生成されたレーザーは、発光装置2に向けて照射される。発光装置2は、その内部が真空に維持されており、内部に光源2Aと光源ミラー2B等を備える。光源2Aは、光源材料をガス化、液化または噴霧ガス化させたものである。光源材料としては例えばXeが用いられる。レーザーは光源材料原子をプラズマ励起するために用いられ、例えばYAG固体レーザー等が用いられる。光源ミラー2Bは、光源2Aを中心とした半球面状のミラーであり、光源2Aがプラズマ励起した結果発光する光の方向を揃えて集光反射するために用いられる。このような構成で、不図示のノズルによって光源材料を噴出させるとともに、レーザーを照射させて露光光を生成する。生成された露光光は本体100に導光される。
本体100は真空チャンバー3と、その内部に設けられた露光ユニット101と、レチクル搬送ユニット102と、ウエハ搬送ユニット103等を備える。
まず、露光ユニット101について説明する。真空チャンバー3は真空ポンプ4を用いることによって内部の真空状態を維持できる。露光ユニット101は照明光学系5と、レチクルステージ6と、投影光学系7と、ウエハステージ8等を備える。
照明光学系5は複数のミラー5A〜5D等の光学素子を備える。照明光学系5は、これらの光学素子を用いることによって、発光装置2から導光された露光光を整形および均質化する。整形および均質化された露光光は、レチクルステージ6に搭載されたレチクル6Aまで導光される。
レチクルステージ6はたとえばリニアモータによって図中の矢印方向に沿って移動可能である。また、レチクルステージ6はレチクルステージ支持体9によって床に対して支持される。レチクル6Aには露光パターンが形成されており、露光光はレチクル6Aによって反射される。
投影光学系7は複数のミラー7A〜7E等の光学素子を備える。投影光学系7は、これらの光学素子を用いることによって、レチクル6Aによって反射された露光パターンをウエハステージ8に搭載されたウエハ8Aに縮小投影する。投影光学系7は、投影光学系支持体10によって床に対して支持される。
ウエハステージ8はX方向、Y方向、Z方向と、ωx方向(X軸回りの回転方向)、ωy方向(Y軸回りの回転方向)、ωz方向(Z軸回りの回転方向)に移動可能である。ウエハステージ8は例えばリニアモータを用いて駆動される。ウエハステージ8は、ウエハステージ支持体11によって床に対して支持される。
レチクルステージ6およびウエハステージ8は、それぞれレーザー干渉計(不図示)によって、投影光学系10に対する相対位置が計測される。計測結果に基づいて各ステージの駆動手段を制御することによって、投影光学系10と各ステージとの間の相対位置を維持することができる。またレチクルステージ支持体9、投影光学系支持体10、ウエハステージ支持体11には、それぞれ支持機構(不図示)が設けられ、床からの振動を絶縁するようにしている。
つぎに、レチクル搬送ユニット102について説明する。レチクル搬送ユニット102はレチクルストッカー12とレチクル搬送ロボット14と蓋開閉装置13等を備える。レチクルストッカー12は、レチクルを内部に入れたレチクルカセット31を複数保管できるように構成されている。これにより、異なるパターンのレチクルや、異なる露光条件で用いられるレチクルが露光装置内に保管される。
レチクル搬送ロボット14は、露光に使用するレチクルが入ったレチクルカセットをレチクルストッカー12から蓋開閉装置13へ搬送する。蓋開閉装置13は、レチクルカセットの蓋部を開ける。レチクル搬送ロボット14は、蓋部が開けられた状態のレチクルカセットを蓋開閉装置13からレチクルアライメントスコープ15下方のアライメントステージへ搬送する。
図2A,Bはレチクルカセット31の模式図である。図中のレチクル6A下面はレチクルパターンが形成される面であり、上面にはクロムメッキが施されている。レチクルカセット31は蓋部31Aと搭載部31Bと、搭載部に設けられ、レチクル6を吸着して保持するための静電チャックを備える。蓋部31Aと搭載部31Bはロック機構33A,33Bを備え、蓋部31Aが着脱可能となっている。ロック機構33A,33Bはメカニカルなクランプであってもよいが、電磁力を用いたロック機構が好ましい。固体同士の擦れをなくしてパーティクルの発生を抑えるためである。
なお、本実施例では蓋部は凸形状になっており、搭載部は板状になっているが、これにかぎるものではない。蓋部が開閉可能な窓のようなものであってもよく、蓋部と搭載部によってレチクルを収納する空間を形成するものであればよい。
搭載部31Bに設けられた静電チャックは、吸着部34と電極37A,37B等を備える。吸着部34は誘電体からなり、たとえばセラミック等により形成される。また、搭載部31Bには電極37A,37Bに電荷を供給するための受電端子36が設けられている。また、電極37A,37Bに供給する電荷を蓄積するための電荷蓄積装置を設けられている。電荷蓄積装置としてはコンデンサ41が好適に用いられるが、同様の機能を備えるものであればよい。コンデンサ41を設けることによって、送電端子35と受電端子36の接触が切断されたときであっても安定して電荷を供給することができる。また、レチクルストッカー12やインデクサ26等に送電端子を設けておけば、レチクル搬送ロボットに送電端子を設ける必要がなくなる。これにより、移動するレチクル搬送ロボットに電線を引き回さなくてもよいため、電線の曲げによる抵抗の影響や、電線の表面からの発塵の発生を抑えることができる。搬送ハンドの製造コストの面でも有利である。
搭載部31Bは、搬送中にレチクル搬送ロボット14に保持される。固体同士の擦れによってパーティクルが発生しないように、電磁石によって非接触に保持することが好ましい。装置が許容するパーティクル量によっては、メカニカルなクランプで保持してもよい。
図3に、レチクル搬送ロボット14に送電端子35が設けられる例を示す。送電端子35は電源38と電気的に接続される。送電端子35と受電端子36は、テーパ38によって位置決めされ、お互いに接触することにより電極37A,37Bが帯電される。送電端子と受電端子が設けられる位置は図示する位置に限られない。
本実施例では、電極37Aを陽極に帯電させ、電極37Bを陰極に帯電させ、それぞれに対向するレチクル表面(下面でも上面でもよい)の導電膜を帯電させることで吸着力を得ている。このような双極型の静電チャックを用いることで、レチクルを接地する必要がなくなる。
吸着部34は、レチクルのパターン面を避けるように複数配置している(図2B)。レチクルの変形を抑え、位置ずれを防ぐのに十分な吸着力が得られるように配置すればよい。
レチクルアライメントスコープ下方のアライメントステージへ搬送された搭載部31B上のレチクルは、アライメントスコープによって位置合わせされる。具体的には、レチクルに形成されたマークとアライメントスコープの基準マークが所定範囲内になるように位置合わせされる。
アライメントを終えたレチクルを搭載した搭載部31Bは、アライメントステージからレチクルステージへと搬送される。このとき、レチクル搬送ロボット14で搬送してもよいが、位置合わせしたレチクルを搭載した搭載部を高精度に搬送するために、より搬送精度の高いレチクル搬送ロボット(不図示)で搬送することが好ましい。搭載部31Bは、搬送中にレチクル搬送ロボット(不図示)に保持される。固体同士の擦れによってパーティクルが発生しないように、電磁石によって非接触に保持することが好ましい。装置が許容するパーティクル量によっては、メカニカルなクランプで保持してもよい。
図4はレチクルステージ6まで搬送された状態の搭載部31Bを示す図である。レチクルステージ6は、レチクル6Aを吸着するための静電チャック6Bを備える。搭載部31Bは、吸着部34の吸着力を瞬時に除去するための、コンデンサの放電スイッチ42を備える。また、レチクルステージ6は放電スイッチ42をONにするためのプッシュピン43を備える。搭載部31Bがレチクルステージ6に近づくと、プッシュピン43によりスイッチが閉じられて瞬時に残留吸着力が除去される。そのとき、レチクルステージに設けられた静電チャックを帯電させることにより、レチクルを受け渡すことができる。吸着力を除去するための手段はこれに限るものでなく、発塵を抑えるために非接触で行ってもよい。
また、搭載部31Bまたはレチクルステージまたはその近傍に集塵装置を設けてもよい。集塵装置により、レチクルと搭載部31Bとの間に存在するパーティクルを収集することができる。集塵装置としてたとえば静電気を利用した集塵装置が用いられうる。
このように、レチクルを搭載部31Bに静電チャックで保持することにより、レチクルステージへレチクルを受け渡す際にレチクルと他の物質との擦れの可能性が大幅に低減される。擦れがなくなると、パーティクルの発生およびレチクルへのパーティクルの付着が抑えられるため、デバイスパターンの欠陥を低減することができる。
本実施例では、静電チャックによりレチクル下面を保持し、レチクル上面をレチクルステージのチャックに受け渡す。これにより、レチクルを搬送ハンドなどによって持ち換える必要がないため、パーティクルが発生しにくい。また、静電チャックは保持面に対して垂直に力を発生するため、保持を解除する際に擦れが生じにくく、パーティクルが発生しにくい。ここで、レチクルのみをレチクルステージのチャックに受け渡すことができるため、ステージを含めた移動体の重量は必要以上に大きくならない。
また、搭載部とレチクルを一体化して搭載部を保持して搬送することによりレチクルはレチクルステージ6へ搬送されるまで、一度もレチクル搬送ロボットと接触することなく搬送される。これによりパーティクルが発生しにくい。さらに搬送中は静電吸着によりレチクルは搭載部に固定されているので、搭載部とレチクルとの横ズレ時の擦れによるパーティクルの発生を低減できる。
また、レチクルカセットはレチクルの上面に接触することなく保管、搬送を行うことができる。レチクル上面はレチクルステージの静電チャックに保持される面であり、異物が付着するとレチクル平坦度が悪化して露光精度に影響を与える。本発明の構成によれば、上述のようにレチクルの上面に他の物体を接触させることがないため、異物が付着する可能性が低減される。
搭載部31Bは、レチクルステージ6にレチクルを受け渡した後に、搬送ロボットによって蓋開閉装置13まで搬送される。蓋開閉装置13は蓋部31Aを閉じる。レチクル搬送ロボット14は、蓋部がされたレチクルカセットを蓋開閉装置13からレチクルストッカー12へ搬送する。搬送された空のレチクルカセットはレチクルストッカー12に保管される。
本実施例では、多重露光プロセスに対応し、さらにレチクル交換時間を短縮するために蓋開閉装置13が2つ以上設けられることが好ましい。また、レチクル交換を高速で行うために搬送ロボット14をダブルアームロボットにすることが好ましい。ダブルアームロボットとは搬送ハンドを2つ備えた機構である。蓋開閉装置13を2つ設けて、かつ、搬送ロボット14をダブルアームロボットにした場合について以下で説明する。
露光が行われている間、レチクルストッカー12は露光中のレチクルが入っていた空のレチクルカセットを保管している。ここで、搬送ロボット14の第1ハンドはレチクルストッカー12からこのレチクルカセットを取り出し、第1の蓋開閉装置まで搬送する。第1の蓋開閉装置で蓋を開けられたレチクルカセット搭載部(以下、搭載部Pとする)は、第1ハンドによってアライメントステージまで搬送される。このときレチクル搬送ロボット14の第2ハンドは次に露光すべきレチクルが入ったレチクルカセットをレチクルストッカー12から取り出し、第2の蓋開閉装置まで搬送する。第2の蓋開閉装置で蓋を開けられたレチクルカセット搭載部(以下、搭載部Qとする)は、第2ハンドによってアライメントステージまで搬送される。
露光が終了すると、露光に用いていたレチクルは搭載部Pに受け渡され、第2ハンドによって搭載部Qはレチクル受渡し位置まで搬送される。そして搭載部Pは第1ハンドによって第1の蓋開閉装置まで搬送される。第1の蓋開閉装置で蓋を閉められた搭載部Pは、レチクルカセットとしてレチクルストッカー12まで搬送されて保管される。搭載部Qはレチクルステージにレチクルを受け渡した後に、第2ハンドによって第2の蓋開閉装置まで搬送される。第2の蓋開閉装置で蓋を閉められた搭載部Q、レチクルカセットとしてレチクルストッカー12まで搬送されて保管される。
ここで、レチクルストッカー12やレチクル搬送ロボット14が配置される空間(以下、レチクル保管空間とする)と、露光が行われる空間(以下、露光空間とする)とは隔壁によって隔たれている。隔壁にはゲートバルブ23が設けられ、レチクルカセット搭載部をレチクルステージに受渡しにいくときにゲートバルブ23は開閉される。レチクル保管空間は真空ポンプ29によって真空状態が維持できる。
露光空間及びロードロック空間とは異なる空間にレチクルカセットの蓋開閉装置を配置し、その空間を排気する排気手段が、露光空間及びロードロック空間で用いた排気手段とは異なるものとしている。これにより、蓋開閉装置やウエハ/レチクル搬送手段から出るアウトガスやパーティクルの影響を露光空間に及ばないようにしている。
なお、レチクル保管空間を露光空間とを一体とした例を図5に示す。パーティクルの許容量によっては、このような構成であってもよい。
以下、レチクルカセットを本体100の外部から露光装置内へ搬送するための機構について説明する。レチクルカセットを露光装置の外部から搬送するためにSMIF(Standard Mechanical Interface)ポッドとよばれる密封容器27が用いられる。SMIFポッド27にはレチクルカセットが保持できるようになっている。さらに、SMIFポッド27を開閉して、ポッド内に収納されたレチクルカセットを露光装置内に引き込むために、昇降装置26(以下、インデクサという)が用いられる。インデクサ26によって露光装置内に引き込まれたレチクルカセットは、レチクル搬送ロボット28によってロードロック室24へ搬送される。
ロードロック室24は大気側(インデクサ26がある側)と真空側(レチクルストッカー12がある側)にそれぞれゲートバルブ25、30が配置されている。ロードロック室を大気開放する際にはゲートバルブ20を閉じた状態でゲートバルブ25を開く。ロードロック室を真空状態にする際にはゲートバルブ25を閉じた状態でゲートバルブ20を開く。このとき、ゲートバルブ23は閉じられているため、露光を行う空間の真空度を低下させないようにすることができる。レチクル搬送ロボット14は、ロードロック室24からレチクルストッカー12へレチクルカセットを搬送する。
以上のような露光装置を用いたレチクル搬送方法をまとめると図6のフローチャートのようになる。レチクルの搬入を開始する。まず、レチクルをレチクルカセットに収納する(ステップS101)。レチクルカセット内では、レチクルのパターン面が吸着部34に保持されるようにレチクルが配置されているため、レチクルはパターンが形成される面が静電吸着される(ステップS102)。インデクサ26を介して露光装置内にレチクルカセットを搬入する(ステップS103)。ロードロック室24を介して真空チャンバー内3にレチクルカセットを搬入する(ステップS104)。レチクルストッカーにレチクルカセットを搬入して保管する(ステップS105)。レチクルストッカーに設けられた送電端子によって、レチクルカセットの搭載部に設けられたコンデンサに電荷が蓄積されてもよい。なお、電荷の蓄積はレチクルストッカー以外の場所で行ってもよい。レチクルカセットから蓋開閉装置へレチクルカセットを搬送する(ステップS106)。蓋開閉装置でレチクルカセットの搭載部から蓋部を取り除く(ステップS107)。
蓋開閉装置からアライメントステージへ搭載部を搬送する(ステップS108)。ここで、レチクルの静電吸着はステップS101〜ステップS108の間のいずれかで行うようにしてもよい。レチクルのアライメントを行う(ステップS109)。アライメントステージからレチクルステージへ搭載部を搬送する(ステップS110)。搭載部によるレチクルの静電吸着を解除する(ステップS111)。集塵装置によってレチクルまわりのパーティクルを集塵する(ステップS112)。レチクルのパターンが形成されていない面をレチクルステージのレチクルチャックに受け渡して、レチクルチャックにレチクルを保持させる(ステップS113)。レチクルの搬送を終了する。露光を終えたレチクルはレチクルカセットに保持されて、レチクルカセットまで搬送される。
つぎに、ウエハ搬送ユニット103について説明する。ウエハ搬送ユニット103は、ウエハストッカー16とウエハ搬送ロボット17とプリアライメント部18とウエハ送り込みハンド19等を供える。ウエハストッカー16は、本体の外部から搬送されたウエハを複数保管できるように構成されている。ウエハを本体の外部からウエハストッカー16へウエハを搬送するときにはゲートバルブ21が開閉される。また、不図示のロードロック機構を経由して搬送させてもよい。
ウエハ搬送ロボット17は、これから露光処理するウエハをウエハストッカー16からプリアライメント部18まで搬送する。プリアライメント部18は、ウエハの回転方向における位置を粗調整する手段と、ウエハの温度を調整する手段とを備える。位置調整にはウエハに形成されてノッチやオリフラが用いられる。ウエハの温度は、露光空間の温度に合わせるように調整される。位置調整と温度調整を終えたウエハはウエハ送り込みハンド19によって、ウエハステージに受け渡される。
ここで、ウエハストッカー16やプリアライメント部18が配置される空間(以下、ウエハ保管空間とする)と、露光空間とは隔壁によって隔てられている。隔壁にはゲートバルブ22が設けられており、ウエハを露光空間に搬出または搬入するときにゲートバルブ22は開閉される。ウエハ保管空間は真空ポンプ30によって真空状態が維持できる。
以上により、レチクルと他の物質との接触が離れる回数を抑えて、パーティクル発生を低減させたレチクル搬送方法を提供することができる。
なお、レチクルと他の物質との接触回数を減らすために、レチクルにフレームを常に装着した状態で搬送および露光を方法は好ましくない。なぜなら、すべてのレチクルにフレームを嵌め合わせた場合、フレームから受ける力によってレチクルが変形をしてしまう可能性があるためである。逆に嵌め合わせの精度を緩和すると搬送時にレチクルがずれてしまう。レチクルがずれると、レチクルとフレームとの擦れによってパーティクルが発生してしまう。
次に、図7及び図8を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図7は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップS1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップS2(マスク製作)では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。ステップS3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップS4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。ステップS5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップS4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップS6(検査)では、ステップS5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷(ステップS7)される。
図8は、ステップ4の上はプロセスの詳細なフローチャートである。ステップS11(酸化)では、ウエハの表面を酸化させる。ステップS12(CVD)では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップS14(イオン打ち込み)では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップS15(レジスト処理)では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップS16(露光)では、露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップS17(現像)では、露光したウエハを現像する。ステップS18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップS19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
露光装置を示す図である。 露光装置の変形例を示す図である。 レチクルカセットを示す図である。 送電端子を搬送ハンドに設けた場合のレチクルカセットを示すである。 レチクルステージ6まで搬送した状態の搭載部31Bを示す図である。 レチクル搬送方法を説明するためのフローチャートである。 露光装置を使用したデバイスの製造を説明するためのフローチャートである。 図7に示すフローチャートのステップ4のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。 レチクルカセットの搭載部と蓋部で挟み込むことによってレチクルを支持した従来例を示す図である。 レチクルカセットの蓋部に設けた静電チャックによってレチクルを支持した従来例を示す図である。
符号の説明
1 励起レーザー
2 発光装置
2A 光源
3 真空チャンバー
4 真空ポンプ
5 照明光学系
5A,5B,5C,5D ミラー
6 レチクルステージ
6A レチクル
7 投影光学系
7A,7B,7C,7D,7E ミラー
8 ウエハステージ
8A ウエハ
9 レチクルステージ支持体
10 投影系支持体
11 ウエハステージ支持体
12 レチクルストッカー
13 蓋開閉装置
14 レチクル搬送ロボット
15 レチクルアライメントスコープ
15A アライメントステージ
16 ウエハストッカー
17 ウエハ搬送ロボット
18 ウエハメカプリアライメント温調器
19 ウエハ送り込みハンド
20,21,22,23 ゲートバルブ
24 ロードロック
25 ゲートバルブ
26 インデクサ
27 SMIFポッド
28 レチクル搬送ロボット
29,30 真空ポンプ
31 レチクルカセット
31A 蓋部
31B 搭載部
33A,33B ロック機構
34 吸着部
35A,35B 送電端子
36A,36B 受電端子
37A,37B 電極
38A,38B 電源
39 位置決めピン
40 テーパ
41 コンデンサ
42 スイッチ
43 プッシュピン
44 電磁石
45 磁性体
46 集塵装置

Claims (10)

  1. レチクルを搭載するための搭載部とその蓋部間の空間にレチクルを収容し支持するための極紫外光露光装置用レチクルカセットであって、前記搭載部に、
    前記レチクルのパターン面側を静電力によって吸着して支持する電極を備えることを特徴とするレチクルカセット。
  2. 前記搭載部に、前記電極に電荷を供給するための受電端子を備えることを特徴とする請求項1に記載のレチクルカセット。
  3. 前記搭載部に、前記電極に供給する電荷を蓄積するための蓄積手段を備えることを特徴とする請求項1または2に記載のレチクルカセット。
  4. 前記搭載部は、支持されたレチクルと前記搭載部との間に存在するパーティクルを収集するための集塵手段を備えることを特徴とする請求項1〜3の少なくともいずれかに記載のレチクルカセット。
  5. 請求項1〜4の少なくともいずれかに記載のレチクルカセットを搬送するための搬送手段を有し、
    前記搬送手段は、前記受電端子に電荷を供給するための送電端子を備えることを特徴とする露光装置。
  6. 請求項1〜4の少なくともいずれかに記載のレチクルカセットを保管するための保管手段を有し、
    前記保管手段は、前記受電端子に電荷を供給するための送電端子を備えることを特徴とする露光装置。
  7. 請求項1〜4の少なくともいずれかに記載のレチクルカセットを用いてレチクルを搬送することを特徴とする露光装置。
  8. 請求項5〜7の少なくともいずれかに記載の露光装置を用いて露光を行う工程と、
    露光されたウェハを現像する工程と、
    を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
  9. 搭載部と蓋部によって形成される空間に収納されたレチクルを搬送する搬送方法であって、
    前記蓋部が前記搭載部に取り付けられた状態で収納された前記レチクルを露光装置内部に搬入する工程と、
    前記搭載部から前記蓋部を取り外す工程と、
    前記レチクルのパターン面側を静電力によって前記搭載部に固定した状態で、露光を行うための保持位置まで前記レチクルを搬送する工程と、
    前記レチクルの固定を解除する工程と、
    前記レチクルを前記搭載部に搭載した状態で、前記レチクルのパターンが形成されていない面側を前記レチクル保持位置に受け渡す工程と、
    を備えることを特徴とするレチクル搬送方法。
  10. 搭載部と蓋部によって形成される空間にレチクルを収納する工程と、
    前記蓋部が前記搭載部に取り付けられた状態で収納された前記レチクルを露光装置内部に搬入する工程と、
    前記搭載部から前記蓋部を取り外す工程と、
    前記レチクルのパターン面側を静電力によって前記搭載部に固定した状態で、露光を行うための保持位置まで前記レチクルを搬送する工程と、
    前記レチクルの固定を解除する工程と、
    前記レチクルを前記搭載部に搭載した状態で、前記レチクルのパターンが形成されていない面側を前記レチクル保持位置に受け渡す工程と、
    前記レチクルのパターンを基板に露光する工程と、
    露光された前記基板を現像する工程と、
    を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015093696A (ja) * 2013-11-12 2015-05-18 ヒューグルエレクトロニクス株式会社 基板ケース分離合体装置及び基板ケース洗浄装置
US11538706B2 (en) * 2019-05-24 2022-12-27 Applied Materials, Inc. System and method for aligning a mask with a substrate

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4746003B2 (ja) * 2007-05-07 2011-08-10 リンテック株式会社 移載装置及び移載方法
NL1036785A1 (nl) 2008-04-18 2009-10-20 Asml Netherlands Bv Rapid exchange device for lithography reticles.
TW201334213A (zh) * 2011-11-01 2013-08-16 Intevac Inc 處理太陽能電池晶圓的靜電吸盤
CN109116677A (zh) * 2018-09-07 2019-01-01 无锡中微掩模电子有限公司 一种通用掩模版盒
EP4356196A1 (en) * 2021-06-18 2024-04-24 Entegris, Inc. Bonded layer on extreme ultraviolet plate

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5636098A (en) * 1994-01-06 1997-06-03 Applied Materials, Inc. Barrier seal for electrostatic chuck
US6169652B1 (en) * 1999-03-12 2001-01-02 Euv, L.L.C. Electrostatically screened, voltage-controlled electrostatic chuck
DE60118669T2 (de) * 2000-08-25 2007-01-11 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Projektionsapparat
JP2005123292A (ja) 2003-10-15 2005-05-12 Canon Inc 収納装置、当該収納装置を用いた露光方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015093696A (ja) * 2013-11-12 2015-05-18 ヒューグルエレクトロニクス株式会社 基板ケース分離合体装置及び基板ケース洗浄装置
US11538706B2 (en) * 2019-05-24 2022-12-27 Applied Materials, Inc. System and method for aligning a mask with a substrate

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