CN103700819B - 表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料的制备方法 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 42
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 13
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 claims description 2
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 32
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 abstract 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 8
- 230000004087 circulation Effects 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 2
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910001290 LiPF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- SIXOAUAWLZKQKX-UHFFFAOYSA-N carbonic acid;prop-1-ene Chemical compound CC=C.OC(O)=O SIXOAUAWLZKQKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006253 efflorescence Methods 0.000 description 1
- 239000006181 electrochemical material Substances 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 206010037844 rash Diseases 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002345 surface coating layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
- H01M4/386—Silicon or alloys based on silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
- H01M4/624—Electric conductive fillers
- H01M4/625—Carbon or graphite
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
- H01M4/628—Inhibitors, e.g. gassing inhibitors, corrosion inhibitors
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料的制备方法。该方法针对硅负极材料现有改性的不足之处,首先制备多孔硅材料,在此基础上利用化学气相沉积的方法在多孔硅材料表面均匀沉积由单质Si向SiC再向C过渡结构的包覆层。实验在具有分段温度和气氛可独立控制多个炉腔的多级气相沉积反应炉中进行。本发明与现有技术相比,其表面的包覆层实现了梯度变化的过程,并没有形成明显的界面结构,包覆层紧密,有效抑制了硅基负极材料在电池充放电过程中的体积效应和导电率,大大提高了材料的循环稳定性。该方法工艺简单,适合大规模工业化生产,在锂离子电池领域具有广泛的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及电化学材料制备和新能源领域,尤其涉及一种表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料的制备方法。
背景技术
全球煤、石油等传统能源材料日益紧缺,人们都在寻找新的可再生资源。锂离子电池因其具有电压高。能力密度大、无记忆效应、寿命长、绿色无污染等优点而备受亲睐。随着绿色能源技术和低碳经济的发展,市场对下一代锂离子电池提出了更高的要求:高能量密度、高安全性、长循环寿命。在负极材料方面,目前商业化的锂离子电池主要采用石墨类碳负极材料,其主要存在以下问题:石墨的理论比容量为372mAh/g;嵌锂电位平台接近金属锂,快速充电或低温充电池易析出“锂枝晶”引发安全隐患;溶剂相容性差,在含碳酸丙烯酯等低温电解液中易发生剥离导致容量衰减。
硅由于具有较高的理论比容量和较低的嵌锂电位而引起人们广泛关注,其理论比容量高达4200mAh/g;硅的电压平台略高于石墨,充电时难引起表面析锂,安全性能更好;硅是地壳中分布最多的元素之一,资源丰富,价格低廉。因此,它是极具嵌锂的下一代锂离子电池负极材料。
硅负极材料也存在一些缺点,主要包括:(1)在脱嵌锂过程中会发生巨大的体积变化,造成硅颗粒的破碎和粉化,使其与硅颗粒的电接触丧失,带来容量的衰减,表现出极差的循环性能;(2)硅是一种半导体材料,其本征电导率仅为6.7*10-4S/cm,其作为电极材料使用时需要加入高导电材料;(3)硅能与传统电解液中LiPF6分解产生的HF进行反应,因此不易形成稳定的SEI膜,电极的库伦效率和容量保持率较低。硅在充放电过程中,因为体积效应不断暴露出新的硅会加剧这一反应。目前科研工作者围绕硅负极存在的上述问题做了一系列的研究,主要的改性方法可归纳为以下几个方面:(1)减小硅材料的尺寸至纳米级,缓解硅的体积膨胀效应;(2)制备多孔硅材料,利用硅颗粒内部的孔道结构来缓解硅在电化学反应中体积效应;(3)向硅材料中引入高导电碳材料,增加材料的导电性同时缓解体积变化过程产生的应力;(4)在硅材料中引入第二金属相,金属一般具有高导电性、良好延展性和较高的机械强度,可以在增加材料整体电导率的同时缓解其体积效应。
关于多孔硅的改性研究较多,但是目前尚未发现利用化学气相沉积的方法在多孔硅的表面沉积由Si向SiC再向C梯度变化的紧密包覆层的研究。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料的制备方法。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)按照摩尔比Mg∶Si=2~4∶1称取镁粉和介孔二氧化硅粉末,进行球磨混合处理,所获得的前驱体于气氛保护下由室温以升温速率为2~8℃/min加热至650~750℃,再保温3~5h得到烧结料;所述气氛条件为含5%~10%体积分数H2的氩氢混合气体;
(2)将步骤(1)中所获得的烧结料加入到1M的盐酸溶液中搅拌均匀,以去离子水和乙醇反复清洗,再于80℃条件下真空干燥10h;
(3)将步骤(2)中所获得粉体材料置于具有分段温度和气氛可独立控制的多个炉腔的多级气相沉积反应炉中进行梯度变化包覆处理;多级气相沉积反应炉的保温段气氛条件满足下列条件:保温段分段炉膛个数为n,3≤n≤12,整个保温段气氛为惰性气体、硅源气体、碳源气体的混合气体,硅源和碳源气体为气相沉积气体,所述气相沉积气体占总气氛的体积百分含量为2%~25%;硅源气体和碳源气体的相对百分含量呈现递变的过程,硅源气体的相对百分含量由第1炉膛区的100%等差递减至第n炉膛区的0,碳源气体的相对百分含量有第一炉膛区的0等差递增至第n炉膛区的100%;气相沉积热处理温度为700℃~1000℃,时间为3~12h;所述粉体材料经过气相沉积包覆后于惰性气体条件下降至室温即可获得表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料。
作为优选,硅源气体为甲硅烷、乙硅烷、四氟化硅或二甲基二氯硅烷中的一种或至少两种的组合;碳源气体为甲烷、乙烷、乙烯、丙烯、乙炔、苯、甲苯中的一种或至少两种的组合。
作为优选,惰性气体为氩气和氦气中的一种或两种。
本发明的有益效果是:
利用多级气相沉积反应,通过调整气相沉积反应炉分段温度和分段气氛条件,控制反应物在不同温度下不同气氛条件下的热处理时间,实现表面具有梯度变化的Si/SiC/C包覆层的多孔硅材料的制备。该表面包覆层没有形成明显的界面结构,包覆紧密,有效抑制了硅基合金材料在电池充放电过程中的体积效应和导电率,大大提高了材料的循环稳定性。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1是本发明实施例的多级气相沉积反应炉结构示意图。
具体实施方式
实施例1
1)按照摩尔比Mg∶Si=2∶1称取镁粉和介孔二氧化硅,于球磨机中进行球磨混合处理,所获得的前驱体置于气氛保护炉中650度条件下保温处理5h,气氛条件为含5%体积分数氢气的氩氢混合气体,升温速率为2℃/min。
2)将所获得的粉体材料加入到1M的盐酸溶液中进行搅拌10h,以去离子水和乙醇反复清洗,再于80度条件下真空干燥10h。
3)将步骤2)中所获得的粉体置于多级气相沉积反应炉中进行气相沉积包覆处理。如图1所示,多级气相沉积反应炉的保温段具有11段可独立控制的炉膛,气氛条件氮气、甲硅烷、甲烷的混合气体。甲硅烷和甲烷为气相沉积气体,它们总体积百分含量为25%。11段炉膛中甲硅烷和甲烷的相对体积百分含量如表1所示。气相沉积处理温度为700度,调整推板走速,使粉料经过保温段的时长为12h。样品经过气相沉积包覆后于惰性气体条件下降至室温即可获得表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料,样品编号为S-1。
表1
实施例2
1)按照摩尔比Mg∶Si=3∶1称取镁粉和介孔二氧化硅,于球磨机中进行球磨混合处理,所获得的前驱体置于气氛保护炉中700度条件下保温处理4h,气氛条件为含5%体积分数氢气的氩氢混合气体,升温速率为6℃/min。
2)将所获得的粉体材料加入到1M的盐酸溶液中进行搅拌10h,以去离子水和乙醇反复清洗,再于80度条件下真空干燥10h。
3)将步骤2)中所获得的粉体置于多级气相沉积反应炉中进行气相沉积包覆处理。多级气相沉积反应炉的保温段具有5段可独立控制的炉膛,气氛条件氩气、乙硅烷、乙烷的混合气体。乙硅烷和乙烷为气相沉积气体,它们总体积百分含量为10%。5段炉膛中乙硅烷和乙烷的相对体积百分含量如表2所示。气相沉积处理温度为850度,调整推板走速,使粉料经过保温段的时长为5h。样品经过气相沉积包覆后于惰性气体条件下降至室温即可获得表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料,样品编号为S-2。
表2
实施例3
1)按照摩尔比Mg∶Si=4∶1称取镁粉和介孔二氧化硅,于球磨机中进行球磨混合处理,所获得的前驱体置于气氛保护炉中750度条件下保温处理3h,气氛条件为含5%体积分数氢气的氩氢混合气体,升温速率为8℃/min。
2)将所获得的粉体材料加入到1M的盐酸溶液中进行搅拌10h,以去离子水和乙醇反复清洗,再于80度条件下真空干燥10h。
3)将步骤2)中所获得的粉体置于多级气相沉积反应炉中进行气相沉积包覆处理。多级气相沉积反应炉的保温段具有3段可独立控制的炉膛,气氛条件氦气、四氟化硅、乙炔的混合气体。四氟化硅和乙炔为气相沉积气体,它们总体积百分含量为25%。三段炉膛中四氟化硅和乙炔的相对体积百分含量如表3所示。气相沉积处理温度为1000度,调整推板走速,使粉料经过保温段的时长为3h。样品经过气相沉积包覆后于惰性气体条件下降至室温即可获得表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料,样品编号为S-3。
表3
对比实施例1
按照实施例2的步骤1)和步骤2)所述的方法制备硅材料,样品为S-4。
对比实施例2
按照实施例2的步骤1)和步骤2)所述的方法制备硅材料,将所获得的硅材料于气相沉积反应炉中,含10%体积分数乙硅烷的乙硅烷、氩气混合气体中,850度条件下气相沉积处理5h,所获得的样品编号为S-5。
对比实施例3
按照实施例2的步骤1)和步骤2)所述的方法制备硅材料,将所获得的硅材料于气相沉积反应炉中,含10%体积分数乙烷的乙烷、氩气混合气体中,850度条件下气相沉积处理5h,所获得的样品编号为S-6。
将上述实施例和对比实施例中所获得的样品以锂片为对电极制作成扣式电池进行充放电循环测试,充放电倍率为0.2C,充放电电压范围为0.01V~1.5V。所获得的测试结果如表4所示。
表4
样品编号 | 0.2C放电比容量(mAh/g) | 100次循环容量保持(%) |
S-1 | 2145 | 1565 73 |
S-2 | 2213 | 1836 83 |
S-3 | 2169 | 1670 77 |
S-4 | 2720 | 1088 40 |
S-5 | 2561 | 1178 46 |
S-6 | 2008 | 1245 62 |
由上述实施例及对比实施例结果可见,纯介孔硅样品放电比容量较高,100次循环后容量保持率只有40%。其表面经气相沉积硅包覆后,比容量稍有降低,100次循环后容量保持率由原来的40提升至46%。介孔硅表面经气相沉积碳包覆后样品比容量最低,其100次循环后容量保持率提升至62%。介孔硅经气氛条件逐渐变化的气氛下气相沉积进行Si/SiC/C的包覆所获得的样品S-1,S-2,S-3的放电比容量较纯硅样品降低,但其100次循环后容量保持率均有明显提升。可见此专利中所述的气相沉积包覆具有梯度变化的包覆层能有效提升硅负极材料的循环性能。
以上所述的本发明实施方式,并不构成对本发明保护范围的限定。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的权利要求保护范围之内。
Claims (3)
1.表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)按照摩尔比Mg∶Si=2~4∶1称取镁粉和介孔二氧化硅粉末,进行球磨混合处理,所获得的前驱体于气氛保护下由室温以升温速率为2~8℃/min加热至650~750℃,再保温3~5h得到烧结料;所述气氛条件为含5%~10%体积分数H2的氩氢混合气体;
(2)将步骤(1)中所获得的烧结料加入到1M的盐酸溶液中搅拌均匀,以去离子水和乙醇反复清洗,再于80℃条件下真空干燥10h;
(3)将步骤(2)中所获得粉体材料置于具有分段温度和气氛可独立控制的多个炉腔的多级气相沉积反应炉中进行梯度变化包覆处理;所述多级气相沉积反应炉的保温段气氛条件满足下列条件:保温段分段炉膛个数为n,3≤n≤12,整个保温段气氛为惰性气体、硅源气体、碳源气体的混合气体,硅源和碳源气体为气相沉积气体,所述气相沉积气体占总气氛的体积百分含量为2%~25%;硅源气体和碳源气体的相对百分含量呈现递变的过程,硅源气体的相对百分含量由第1炉膛区的100%等差递减至第n炉膛区的0,碳源气体的相对百分含量有第一炉膛区的0等差递增至第n炉膛区的100%;气相沉积热处理温度为700℃~1000℃,时间为3~12h;所述粉体材料经过气相沉积包覆后于惰性气体条件下降至室温即可获得表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述硅源气体为甲硅烷、乙硅烷、四氟化硅或二甲基二氯硅烷中的一种或至少两种的组合;所述碳源气体为甲烷、乙烷、乙烯、丙烯、乙炔、苯、甲苯中的一种或至少两种的组合。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述惰性气体为氩气和氦气中的一种或两种。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310743449.2A CN103700819B (zh) | 2013-12-30 | 2013-12-30 | 表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310743449.2A CN103700819B (zh) | 2013-12-30 | 2013-12-30 | 表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103700819A CN103700819A (zh) | 2014-04-02 |
CN103700819B true CN103700819B (zh) | 2016-04-06 |
Family
ID=50362284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310743449.2A Active CN103700819B (zh) | 2013-12-30 | 2013-12-30 | 表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103700819B (zh) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104659333B (zh) * | 2015-01-04 | 2017-09-05 | 合肥国轩高科动力能源有限公司 | 锂离子二次电池Mg2Si/SiOx/C复合负极材料膜电极的制备方法 |
TWI636614B (zh) * | 2015-09-30 | 2018-09-21 | 蕭鎮能 | 碳披覆矽/碳化矽複合活性材料的製備方法 |
DE102016203324A1 (de) * | 2016-03-01 | 2017-09-07 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Kohlenstoff-Komposites |
CN105810908B (zh) * | 2016-03-29 | 2020-04-07 | 宁波大学 | 一种Fe2O3|FeF3-2xOx|Bi3+,La3+掺杂氟化铁层结构锂电正极材料及其制备方法 |
CN107093719B (zh) * | 2017-04-24 | 2019-11-05 | 广东烛光新能源科技有限公司 | 一种硅碳负极材料及其制备方法 |
EP3428999A1 (en) * | 2017-07-12 | 2019-01-16 | Evonik Degussa GmbH | Silicon-carbon composite powder |
DE102019203546A1 (de) * | 2018-04-23 | 2019-10-24 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Partikelförmiges siliciumhaltiges Aktivmaterial, negative Elektrode, Lithium-Ionen-Batteriezelle, Fahrzeug sowie Verfahren zur Herstellung von Aktivmaterial und Elektrode |
CN110571426B (zh) * | 2019-09-10 | 2020-12-22 | 石家庄尚太科技股份有限公司 | 一种掺氮硅碳复合负极材料及其制备方法 |
US11658292B2 (en) | 2019-12-30 | 2023-05-23 | Shanghai Shanshan Tech Co., Ltd. | Silicon-based anode material and preparation method thereof, lithium ion battery |
CN111244410B (zh) * | 2020-01-16 | 2022-05-27 | 兰溪致德新能源材料有限公司 | 锂电池负极材料及其制备方法 |
CN111180712B (zh) * | 2020-01-22 | 2022-08-16 | 佛山科学技术学院 | 一种纳米硅/碳纳米管微球/石墨复合结构负极材料及其制备方法 |
CN111342031B (zh) * | 2020-03-28 | 2022-11-29 | 兰溪致德新能源材料有限公司 | 一种多元梯度复合高首效锂电池负极材料及其制备方法 |
CN111916783A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-11-10 | 浙江海晫新能源科技有限公司 | 一种降低碳硅接触电阻的方法 |
CN112768633B (zh) * | 2021-01-26 | 2022-08-09 | 蒋央芳 | 一种硅碳负极的制备方法 |
CN113896201B (zh) * | 2021-10-29 | 2022-07-19 | 连云港市沃鑫高新材料有限公司 | 一种电子封装用碳化硅粉体的制备方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100784589B1 (ko) * | 2006-01-04 | 2007-12-10 | 엘에스전선 주식회사 | 2차 전지용 탄소질 전극재 및 그 제조방법과, 이를 이용한2차 전지 |
JP5348878B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2013-11-20 | Jfeケミカル株式会社 | リチウムイオン二次電池用負極材料およびその製造方法、リチウムイオン二次電池用負極ならびにリチウムイオン二次電池 |
CN102157731B (zh) * | 2011-03-18 | 2015-03-04 | 上海交通大学 | 一种锂离子电池硅碳复合负极材料及其制备方法 |
-
2013
- 2013-12-30 CN CN201310743449.2A patent/CN103700819B/zh active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN103700819A (zh) | 2014-04-02 |
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C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |