CN103579172A - 功率用半导体装置模块 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及功率用半导体装置模块。本发明的功率用半导体装置模块具备具有串联地插入第一电位与第二电位之间、分别互补地动作的第一晶体管以及第二晶体管的多个逆变器，且多个逆变器被模块化，在多个逆变器之中，仅在既定的一个逆变器中具有检测第一以及第二晶体管的温度的结构，用于第一以及第二晶体管的温度检测的控制端子从模块的侧面突出。从而，尽可能削减外部端子，小型化功率用半导体装置模块，并且降低布线电感。

Description

功率用半导体装置模块
技术领域
本发明涉及搭载有IGBT（绝缘栅双极型晶体管：Insulated Gate Bipolar Transistor）等电压驱动型半导体装置的功率用半导体装置模块。
背景技术
在功率用半导体装置模块中，连接于所搭载的半导体装置的电气布线一般而言使用电阻小、廉价的铜等，设计电流密度以使电流通电时的发热不超过构成半导体装置、功率用半导体装置模块的部件的耐热温度。
另一方面，由于所搭载的半导体装置的损耗降低、冷却性能、绝缘性能的提高，功率用半导体装置模块的小型化逐年发展，与此相伴，内置多个半导体装置的集成化、内置保护半导体装置不受过电流、过热影响的功能的智能化也不断发展。
因此，功率用半导体装置模块的外部端子数大幅增加，主电流布线的小型化也达到极限，为推进功率用半导体装置模块的小型化，必须尽可能削减浪费的空间以配置电气布线。特别是与外部布线连接的外部端子，因为暴露于空气中，所以必须确保与用绝缘物覆盖的功率用半导体装置模块内部的电气布线的绝缘距离，为小型化功率用半导体装置模块，需要尽可能削减外部端子，并且充分考虑暴露位置。
作为集成化的功率用半导体装置模块的现有技术，例如专利文献1的图11所公开地，可列举模块化6个半导体装置的6合1（6in1）构造的功率用半导体装置模块。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011－249364号公报。
发明内容
专利文献1所示的功率用半导体装置模块中，采用分别从6个半导体装置经由接合引线将5个控制端子引出到外部的结构。5个控制端子一般而言由以下端子构成：控制半导体装置的通电的栅极端子、发射极读出端子、用于保护半导体装置不受过电流影响的电流读出端子、用于保护半导体装置不受过热影响的温度读出二极管的正极端子以及负极端子。因此，专利文献1所示的功率用半导体装置模块中控制端子数多，难以小型化。
此外，因为直流高电压侧布线与直流低电压侧布线配置于分离的位置，所以存在布线电感大的问题。
本发明为解决如上述的问题点而完成，其目的在于尽可能削减外部端子，小型化功率用半导体装置模块，并且降低布线电感。
本发明的功率用半导体装置模块的方式为一种功率用半导体装置模块，其具备分别具有串联地插入第一电位与第二电位之间、互补地动作的第一晶体管以及第二晶体管的多个逆变器，且多个逆变器被模块化，所述功率用半导体装置模块的特征在于：在所述多个逆变器之中，仅在既定的一个中具有检测所述第一以及第二晶体管的温度的结构，用于所述第一以及第二晶体管的温度检测的控制端子从模块的侧面突出。
根据本发明的功率用半导体装置模块，能够削减用于温度检测的控制端子数，所以能够小型化功率用半导体装置模块。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式1的功率用半导体装置模块的结构的俯视图；
图2是示出本发明的实施方式1的功率用半导体装置模块的结构的侧视图；
图3是示出本发明的实施方式1的功率用半导体装置模块的结构的电路图；
图4是示出本发明的实施方式2的功率用半导体装置模块的结构的俯视图；
图5是示出本发明的实施方式2的功率用半导体装置模块的结构的侧视图；
图6是示出本发明的实施方式2的功率用半导体装置模块的结构的电路图；
图7是示出本发明的实施方式3的功率用半导体装置模块的结构的俯视图；
图8是示出本发明的实施方式3的功率用半导体装置模块的结构的侧视图；
图9是示出本发明的实施方式4的功率用半导体装置模块的结构的俯视图；
图10是示出本发明的实施方式4的功率用半导体装置模块的结构的侧视图。
具体实施方式
<实施方式1>
图1是示出本发明的实施方式1的功率用半导体装置模块100的结构的俯视图，图2是从直流高电压端子2侧观察的侧视图，各图都省略模制树脂8而示出。此外，图3是示出功率用半导体装置模块100的结构的电路图。
如图3所示，功率用半导体装置模块100具备由具有温度检测功能的IGBT芯片9a、9b、9c、9d、9e以及9f和反并联连接于各IGBT芯片9a～9f的二极管芯片10a、10b、10c、10d、10e以及10f构成的6组半导体芯片群11a、11b、11c、11d、11e以及11f。
半导体芯片群11a以及11b、半导体芯片群11c以及11d、半导体芯片群11e以及11f的组成为分别串联连接、在各自的连接节点连接输出端子4、5、6的结构。
此外，半导体芯片群11a、11c以及11e各自的IGBT芯片9a、9c以及9e的集电极侧（二极管芯片10a、10c以及10e的负极侧）成为并联连接、在连接节点连接直流高电压端子2的结构。
此外，半导体芯片群11b、11d以及11f各自的IGBT芯片9b、9d以及9f的发射极侧（二极管芯片10b、10d以及10f的正极侧）成为并联连接、在连接节点连接直流低电压端子3的结构。
在IGBT芯片9a～9f分别连接有控制端子群7a、7b、7c、7d、7e以及7f。
根据上述结构，半导体芯片群11a和11b可以说是由串联地插入直流高电压端子2（供给第一电位）与直流低电压端子3（供给第二电位）之间、互补地动作的晶体管与续流二极管构成的一个逆变器。
此外，半导体芯片群11c和11d可以说是由串联地插入直流高电压端子2与直流低电压端子3之间、互补地动作的晶体管与续流二极管构成的一个逆变器。
此外，半导体芯片群11e和11f可以说是由串联地插入直流高电压端子2与直流低电压端子3之间，互补地动作的晶体管与续流二极管构成的一个逆变器。
控制端子群7a包含：施加用于驱动IGBT芯片9a的栅极电压的栅极端子711、检测发射极的输出的发射极读出端子712以及用于检测IGBT芯片9a的主电流的电流读出端子713。
控制端子群7b包含：施加用于驱动IGBT芯片9b的栅极电压的栅极端子721、检测发射极的输出的发射极读出端子722以及用于检测IGBT芯片9b的主电流的电流读出端子723。
控制端子群7c包含：施加用于驱动IGBT芯片9c的栅极电压的栅极端子731、检测发射极的输出的发射极读出端子732以及用于检测IGBT芯片9c的主电流的电流读出端子733、用于检测IGBT芯片9c的温度的温度读出二极管51的正极端子734以及负极端子735。
控制端子群7d包含：施加用于驱动IGBT芯片9d的栅极电压的栅极端子741、检测发射极的输出的发射极读出端子742以及用于检测IGBT芯片9d的主电流的电流读出端子743、用于检测IGBT芯片9d的温度的温度读出二极管52的正极端子744以及负极端子745。
此外，温度读出二极管51以及52分别设置于IGBT芯片9c以及9d的内部，成为仅正极焊盘、负极焊盘暴露于IGBT芯片的上表面的结构。此外，虽然其他的IGBT芯片中也内置有温度读出二极管，但是如之后所说明地，因为在其他的IGBT芯片中不使用温度读出二极管，所以在图3中未图示。
控制端子群7e包含：施加用于驱动IGBT芯片9e的栅极电压的栅极端子751、检测发射极的输出的发射极读出端子752以及用于检测IGBT芯片9e的主电流的电流读出端子753。
控制端子群7f包含：施加用于驱动IGBT芯片9f的栅极电压的栅极端子761、检测发射极的输出的发射极读出端子762以及用于检测IGBT芯片9f的主电流的电流读出端子763。
如图1以及图2所示，栅极端子711、721、731、741、751以及761分别经由铝等的引线WR电连接于IGBT芯片9a～9f的栅极焊盘（未图示），发射极读出端子712、722、732、742、752以及762分别经由铝等的引线WR电连接于IGBT芯片9a～9f的发射极电极（未图示）。
另外，电流读出端子713、723、733、743、753以及763分别经由铝等的引线WR电连接于IGBT芯片9a～9f的电流读出焊盘（未图示）。
正极端子734以及负极端子735分别经由铝等的引线WR电连接于温度读出二极管51的正极焊盘（未图示）以及负极焊盘（未图示），正极端子744以及负极端子745分别经由铝等的引线WR电连接于温度读出二极管52的正极焊盘（未图示）以及负极焊盘（未图示）。
这样，功率用半导体装置模块100作为三相逆变器电路而构成，并且还具备用于检测电流、温度以保护IGBT芯片不受过电流、过热的影响的控制端子。
如图1所示，成为高电压侧的IGBT芯片9a、9c以及9e和二极管芯片10a、10c以及10e在电极图案12a上以IGBT芯片9a、9c以及9e的顺序配置为一列，另外，与它们并列地，二极管芯片10a、10c以及10e以该顺序配置为一列。此外，IGBT芯片9a、9c以及9e排列于靠近功率用半导体装置模块100外侧的位置，二极管芯片10a、10c以及10e排列于靠近功率用半导体装置模块100中央的位置。
此外，如图2所示，IGBT芯片9e以及二极管芯片10e分别经由焊锡层14a以及14b搭载于电极图案12a上，这对于IGBT芯片9a、9c以及二极管芯片10a以及10c也同样。
另外，成为低电压侧的IGBT芯片9b以及二极管芯片10b并列地配置于电极图案12b上，在电极图案12b上，二极管芯片10b排列于靠近功率用半导体装置模块100中央的位置，IGBT芯片9b排列于靠近外侧的位置。
成为低电压侧的IGBT芯片9d以及二极管芯片10d并列地配置于电极图案12c上，在电极图案12c上，二极管芯片10d排列于靠近功率用半导体装置模块100中央的位置，IGBT芯片9d排列于靠近外侧的位置。
成为低电压侧的IGBT芯片9f以及二极管芯片10f并列地配置于电极图案12d上，在电极图案12d上，二极管芯片10f排列于靠近功率用半导体装置模块100中央的位置，IGBT芯片9f排列于靠近外侧的位置。
此外，如图2所示，IGBT芯片9f以及二极管芯片10f分别经由焊锡层14c以及14d搭载于电极图案12d上，仅搭载的电极图案变化，这对于IGBT芯片9b、9d以及二极管芯片10b以及10d也同样。
此外，电极图案12a～12d由铜等金属构成，排列在由填充有填充物的环氧树脂、陶瓷等构成的绝缘衬垫13上，电极图案12b～12d以与电极图案12a相邻的方式按电极图案12b～12d的顺序配置为一列。
如上所述，IGBT芯片9c夹在IGBT芯片9a与9e之间，冷却性低于IGBT芯片9a以及9e，有由于电流通电所导致的发热而温度上升大于IGBT芯片9a以及9e的可能性。同样地，IGBT芯片9d夹在IGBT芯片9b与9f之间，冷却性低于IGBT芯片9b以及9f，有由于电流通电所导致的发热而温度上升大于IGBT芯片9b以及9f的可能性。
从而，IGBT芯片的作为用于过热保护动作而监视温度的部位仅设为温度上升的可能性最大的IGBT芯片9c以及9d。
输出端子4～6的一端和IGBT芯片9a、9c以及9e的各自的控制端子群7a、7c以及7e的一端从俯视视图形状为矩形的模制树脂8的一个侧面向外部相同方向地突出，输出端子4和控制端子群7a、输出端子5和控制端子群7c以及输出端子6和控制端子群7e分别接近并突出于外部。
另外，成为输出端子4的一端分别连接于IGBT芯片9a以及二极管芯片10a的各自的上表面的发射极焊盘（未图示）以及正极焊盘（未图示），并且另一端连接于电极图案12b的结构。
另外，成为输出端子5的一端连接于IGBT芯片9c以及二极管芯片10c的各自的上表面的发射极焊盘（未图示）以及正极焊盘（未图示），并且另一端连接于电极图案12c的结构。
另外，成为输出端子6的一端连接于IGBT芯片9e以及二极管芯片10e的各自的上表面的发射极焊盘（未图示）以及正极焊盘（未图示），并且另一端连接于电极图案12d的结构。
此外，直流高电压端子2的一端连接于电极图案12a的与二极管芯片10e邻接的部分，另一端从与输出端子4～6以及控制端子群7a、7c以及7e突出的方向为相反侧的模制树脂8的侧面向外部突出。
另一方面，直流低电压端子3的一端共同地连接于IGBT芯片9b、9d、以及9f的各自的上表面的发射极焊盘（未图示）和二极管芯片10b、10d以及10f的各自的上表面的正极焊盘（未图示），该一端和IGBT芯片9b、9d、以及9f的各自的控制端子群7b、7d以及7f的一端从与输出端子4～6以及控制端子群7a、7c以及7e突出的方向为相反侧的侧面向外部相同方向地突出。此外，直流低电压端子3从邻接于控制端子群7f的位置突出，直流高电压端子2的另一端在与控制端子群7f相反侧上与直流低电压端子3相邻地突出。
以上说明的功率用半导体装置模块100中，施加于栅极焊盘、电流读出焊盘、温度读出二极管的正极焊盘、负极焊盘以及发射极电极间的电压非常小，最大也仅为15～20V左右。因此，能够减小连接于它们的控制端子群7a～7f的控制端子间的绝缘距离，以接近地配置。
另外，输出端子4相当于IGBT芯片9a的发射极电极，输出端子5相当于IGBT芯片9c的发射极电极，输出端子6相当于IGBT芯片9e的发射极电极。因此，因为施加于输出端子4与IGBT芯片9a的控制端子群7a之间、输出端子5与IGBT芯片9c的控制端子群7c之间、输出端子6与IGBT芯片9e的控制端子群7e之间的电压非常小，所以能够减小绝缘距离，以接近地配置。
另外，因为直流低电压端子3相当于IGBT芯片9b、9d以及9f的发射极电极，由于施加于直流低电压端子3与IGBT芯片9b、9d以及9f的控制端子群7b、7d以及7f之间的电压非常小，所以能够减小绝缘距离，以接近地配置。另外，因为施加于控制端子群7b、7d以及7f之间的电压非常小，所以能够减小绝缘距离，接近地配置。
如此，通过采用以下结构，即仅在温度上升的可能性最大的IGBT芯片9c以及9d中，分别使用温度读出二极管51以及52，将正极端子734以及负极端子735连接于温度读出二极管51，将正极端子744以及负极端子745连接于温度读出二极管52的结构，能够进行温度控制，并且，能够削减控制端子数以小型化功率用半导体装置模块100。
另外，通过使直流高电压端子2与直流低电压端子3相邻地接近并突出于外部，能够降低直流高电压端子2与直流低电压端子3之间的布线电感。
<实施方式2>
图4是示出本发明的实施方式2的功率用半导体装置模块200的结构的俯视图，图5是从直流高电压端子21侧观察的侧视图，各图都省略模制树脂25而示出。另外，图6是示出功率用半导体装置模块200的结构的电路图。
如图6所示，功率用半导体装置模块200具备由具有温度检测功能的IGBT芯片26a、26b、26c以及26d和分别反并联连接于IGBT芯片26a～26d的二极管芯片27a、27b、27c以及27d构成的4组半导体芯片群28a、28b、28c以及28d。
半导体芯片群28a以及28b、半导体芯片群28c以及28d的组分别并联连接，并且半导体芯片群28a以及28b的组、半导体芯片群28c以及28d的组串联连接。
在该串联连接的连接节点连接输出端子23，在半导体芯片群28a以及28b的IGBT芯片26a以及26b的集电极侧（二极管芯片27a以及27b的负极侧）的连接节点连接直流高电压端子21。
另外，在半导体芯片群28c以及28d的IGBT芯片26c以及26d的发射极侧（二极管芯片27c以及27d的正极侧）的连接节点连接有直流低电压端子22。
根据上述结构，半导体芯片群28a和28c可以说是由串联地插入直流高电压端子21（供给第一电位）与直流低电压端子22（供给第二电位）之间、互补地动作的晶体管与续流二极管构成的一个逆变器，半导体芯片群28b和28d可以说是由串联地插入直流高电压端子21与直流低电压端子22之间、互补地动作的晶体管与续流二极管构成的一个逆变器。
而且两个逆变器的输出端子共同化，半导体芯片群28a以及28b的IGBT芯片26a以及26b的组共同地动作，半导体芯片群28c以及28d的IGBT芯片26c以及26d的组共同地动作，IGBT芯片26a以及26b的组和IGBT芯片26c以及26d的组互补地动作，从而构成半桥(half bridge)电路。
另外，在IGBT芯片26a～26d分别连接控制端子群24a、24b、24c以及24d。
控制端子群24a包含：施加用于驱动IGBT芯片26a的栅极电压的栅极端子2411、检测发射极的输出的发射极读出端子2412以及用于检测IGBT芯片26a的主电流的电流读出端子2413、用于检测IGBT芯片26a的温度的温度读出二极管61的正极端子2414以及负极端子2415。
控制端子群24b包含：施加用于驱动IGBT芯片26b的栅极电压的栅极端子2421、检测发射极的输出的发射极读出端子2422以及用于检测IGBT芯片26b的主电流的电流读出端子2423。
控制端子群24c包含：施加用于驱动IGBT芯片26c的栅极电压的栅极端子2431、检测发射极的输出的发射极读出端子2432以及用于检测IGBT芯片26c的主电流的电流读出端子2433、用于检测IGBT芯片26c的温度的温度读出二极管62的正极端子2434以及负极端子2435。
控制端子群24d包含：施加用于驱动IGBT芯片26d的栅极电压的栅极端子2441、检测发射极的输出的发射极读出端子2442以及用于检测IGBT芯片26d的主电流的电流读出端子2443。
如图4以及图5所示，栅极端子2411、2421、2431以及2441分别经由铝等的引线WR电连接于IGBT芯片26a～26d的栅极焊盘（未图示），发射极读出端子2412、2422、2432以及2442分别经由铝等的引线WR电连接于IGBT芯片26a～26d的发射极电极（未图示）。
另外，电流读出端子2413、2423、2433以及2443分别经由铝等的引线WR电连接于IGBT芯片26a～26d的电流读出焊盘（未图示）。
正极端子2414以及负极端子2415分别经由铝等的引线WR电连接于温度读出二极管61的正极焊盘（未图示）以及负极焊盘（未图示），正极端子2434以及负极端子2435分别经由铝等的引线WR电连接于温度读出二极管62的正极焊盘（未图示）以及负极焊盘（未图示）。
这样，功率用半导体装置模块200构成半导体芯片群双并联连接的半桥电路，具备用于检测电流、温度以保护IGBT芯片不受过电流、过热的影响的控制端子。
如图4所示，成为高电压侧的IGBT芯片26a、26b以及二极管芯片27a、27b在电极图案29a上以IGBT芯片26a以及26b的顺序配置为一列，另外，与它们并列地，二极管芯片27a以及27b以该顺序配置为一列。此外，直流高电压端子21的一端连接于电极图案29a的与二极管芯片27b邻接的部分，通过电极图案29b的IGBT芯片26d以及二极管芯片27d侧的端缘部的上方，另一端从模制树脂25的侧面突出。
此外，如图5所示，IGBT芯片26b以及二极管芯片27b分别经由焊锡层14a以及14b搭载于电极图案29a上，而这对于IGBT芯片26a以及二极管芯片27a也同样。
此外，IGBT芯片26d以及二极管芯片27d分别经由焊锡层14c以及14d搭载于电极图案29b上，而这对于IGBT芯片26c以及二极管芯片27c也同样。
另外，电极图案29a以及29b由铜等金属构成，排列在由填充有填充物的环氧树脂、陶瓷等构成的绝缘衬垫33上。
IGBT芯片26a、26b、二极管芯片27a、27b为确保对直流高电压端子21的电极图案29a的连接场所，连接于从电极图案29a的中心向上方方向偏移的位置。因此连接于距电极图案29a端部更近的位置的IGBT芯片26a的冷却性低于IGBT芯片26b，有由于电流通电导致的发热而IGBT芯片26a温度上升大于IGBT芯片26b的可能性。这是由于因为IGBT芯片26a位于距电极图案29a端部近的位置，所以传热面积变小。
另外，成为低电压侧的IGBT芯片26c、26d以及二极管芯片27c、27d在与电极图案29a并列地配置的电极图案29b上以IGBT芯片26c以及26d的顺序配置为一列，另外，与它们并列地，二极管芯片27c以及27d以该顺序配置为一列。
另外，IGBT芯片26c、26d、二极管芯片27c、27d为确保直流高电压端子21的配置路径，也连接于从电极图案29b的中心向上方方向偏移的位置。因此连接于距电极图案29b端部更近的位置的IGBT芯片26c的冷却性低于IGBT芯片26d，有由于电流通电导致的发热而IGBT芯片26c温度上升大于IGBT芯片26d的可能性。这是由于因为IGBT芯片26c位于距电极图案29b端部近的位置，所以传热面积变小。
从而，IGBT芯片的作为用于过热保护动作而监视温度的部位仅设为温度上升的可能性最大的IGBT芯片26a以及26c。
输出端子23的一端与IGBT芯片26a以及26b的各自的控制端子群24a以及24b的一端从俯视视图形状为矩形的模制树脂25的一个侧面向外部相同方向地突出。此外，输出端子23和控制端子群24a以及24b接近并突出于外部。
此外，成为输出端子23的一端分别共同地连接于IGBT芯片26a、26b以及二极管芯片27a、27b的各自的上表面的发射极焊盘（未图示）以及正极焊盘（未图示），并且另一端连接于电极图案29b的结构。
另一方面，直流低电压端子22的一端分别共同地连接于IGBT芯片26c、26d、以及二极管芯片27c、27d的各自的上表面的发射极焊盘（未图示）以及正极焊盘（未图示），并且另一端与IGBT芯片26c以及26d的控制端子群24c以及24d一同从与输出端子23、控制端子群24a以及24b突出的方向为相反侧的模制树脂25的侧面向外部接近并相同方向地突出。
此外，直流低电压端子22的另一端从邻接于控制端子群24d的位置突出，直流高电压端子21的另一端在与控制端子群24d相反侧上与直流低电压端子22相邻地突出。
在以上说明的功率用半导体装置模块200中，通过采用以下结构，即仅在温度上升的可能性最大的IGBT芯片26a以及26c分别使用温度读出二极管61以及62，将正极端子2414以及负极端子2415连接于温度读出二极管61，将正极端子2434以及负极端子2435连接于温度读出二极管62的结构，能够进行温度控制，并且，能够削减控制端子数以小型化功率用半导体装置模块200。
另外，通过使直流高电压端子21与直流低电压端子22相邻地接近并突出于外部，能够降低直流高电压端子21与直流低电压端子22之间的布线电感。
<实施方式3>
图7是示出本发明的实施方式3的功率用半导体装置模块300的结构的俯视图，图8是从直流高电压端子31以及直流低电压端子32侧观察的侧视图，各图都省略模制树脂8而示出。
此外，功率用半导体装置模块300与实施方式1的功率用半导体装置模块100电路结构相同，作为三相逆变器电路而构成，并且具备用于检测电流、温度以保护IGBT芯片不受过电流、过热的影响的控制端子。此外，对与图1以及图2所示的功率用半导体装置模块100相同的结构附以相同的附图标记，省略重复的说明。
在图7所示的功率用半导体装置模块300中，成为如下结构：代替直流高电压端子2以及直流低电压端子3，设置直流高电压端子31以及直流低电压端子32，直流高电压端子31以及直流低电压端子32从与控制端子群7a～7f从模制树脂8向外部突出的侧面相差90度的方向的侧面突出于外部。
即，直流高电压端子31的一端连接于电极图案12a的与二极管芯片10e邻接的部分，另一端从最近的模制树脂8的侧面向外部突出。另外，直流低电压端子32的一端以与直流高电压端子31接近地相邻的方式，从直流高电压端子31所突出的模制树脂8的侧面突出。
一般而言，在用于三相逆变器的功率用半导体装置模块中，在直流高电压端子与直流低电压端子连接直流电压源，在三相的输出端子连接三相电动机等负载。根据此种结构，通过IGBT芯片9a～9f与二极管芯片10a～10f的开关动作（ON/OFF动作）的重复，对负载供给三相交流电流。
由于该开关动作所导致的电流的时间变化（di/dt），有可能在附近的电气电路中产生电磁感应引起的感应电动势，当此种感应电动势重叠于IGBT芯片的栅极驱动电路、温度传感器等信号电路时，可能对稳定的开关动作、可靠的保护动作造成影响。
在功率用半导体装置模块300中，因为直流高电压端子31以及直流低电压端子32从与控制端子群7a～7f从模制树脂8向外部突出的侧面相差90度的方向的侧面突出于外部，所以在直流高电压端子31与直流低电压端子32之间产生的磁通量不与控制端子群7a～7f交链，能够防止电磁感应。
图7用记号示出在直流高电压端子31与直流低电压端子32的附近产生的磁场的方向。分别流入直流高电压端子31以及直流低电压端子32的电流（用箭头表示）为彼此相反的方向，所以由于各电流而在直流高电压端子31以及直流低电压端子32各自的周围产生的磁场仅存在于直流高电压端子31与直流低电压端子32之间及其附近，在充分远处相互抵消。
因此，感应电动势不产生于IGBT芯片的栅极驱动电路、温度传感器电路等，能够得到稳定的IGBT芯片的动作和保护动作。
<实施方式4>
图9是示出本发明的实施方式4的功率用半导体装置模块400的结构的俯视图，图10是从直流高电压端子41以及直流低电压端子42侧观察的侧视图，各图都省略模制树脂25而示出。此外，功率用半导体装置模块400与实施方式2的功率用半导体装置模块200电路结构相同，构成半导体芯片群双并联连接的半桥电路，并且具备用于检测电流、温度以保护IGBT芯片不受过电流、过热的影响的控制端子。此外，对与图4以及图5所示的功率用半导体装置模块200相同的结构附以相同的附图标记，省略重复的说明。
如图9所示，在功率用半导体装置模块400中，成为如下结构：代替直流高电压端子21以及直流低电压端子22，设置直流高电压端子41以及直流低电压端子42，直流高电压端子41以及直流低电压端子42从与控制端子群24a～24d从模制树脂25向外部突出的侧面相差90度的方向的侧面突出于外部。
直流高电压端子41的一端连接于电极图案29a的与二极管芯片27b邻接的部分，另一端从最近的模制树脂25的侧面突出。另外，直流低电压端子42的一端以与直流高电压端子41接近地相邻的方式，从直流高电压端子41所突出的模制树脂25的侧面突出。
通过如此地构成，与实施方式3同样地，在直流高电压端子41与直流低电压端子42的附近产生的磁通量不与控制端子群24a～24d交链，能够防止电磁感应。因此，感应电动势不产生于IGBT芯片的栅极驱动电路、温度传感器电路等，能够得到稳定的IGBT芯片的动作和保护动作。
此外，本发明在其发明范围内能够自由地组合各实施方式，或者适当地对各实施方式进行变形、省略。
符号说明
2、21、31、41　直流高电压端子；3、22、32、42　直流低电压端子。

Claims (6)

1. 一种功率用半导体装置模块，其具备分别具有串联地插入第一电位与第二电位之间、互补地动作的第一晶体管以及第二晶体管的多个逆变器，且所述多个逆变器被模块化，所述功率用半导体装置模块的特征在于：
在所述多个逆变器之中，仅在既定的一个逆变器中具有检测所述第一以及第二晶体管的温度的结构，用于所述第一以及第二晶体管的温度检测的控制端子从模块的侧面突出。
2. 根据权利要求1所述的功率用半导体装置模块，其中，
所述多个逆变器使它们的输出端子为共同的，
成为所述第一电位侧的所述第一晶体管的组共同地动作，
成为所述第二电位侧的所述第二晶体管的组共同地动作，
所述第一晶体管的组与所述第二晶体管的组互补地动作。
3. 根据权利要求1或2所述的功率用半导体装置模块，其中，供给所述第一电位的第一端子与供给所述第二电位的第二端子接近并从模块侧面突出于外部。
4. 根据权利要求3所述的功率用半导体装置模块，其中，
所述第一以及第二端子从成为所述第二电位侧的所述第二晶体管的控制端子群所突出的模块侧面突出于外部，
所述第二端子在所述模块侧面中，从靠近所述控制端子群的位置突出。
5. 根据权利要求3所述的功率用半导体装置模块，其中，
所述第一以及第二端子从相对于第一模块侧面以及第二模块侧面相差90度的方向的侧面突出于外部，所述第一模块侧面是成为所述第一电位侧的所述第一晶体管的第一控制端子群所突出的侧面，所述第二模块侧面是成为所述第二电位侧的所述第二晶体管的第二控制端子群所突出的侧面。
6. 根据权利要求1所述的功率用半导体装置模块，其中，所述既定的一个逆变器是所述多个逆变器之中，包含动作时温度变高的可能性最大的第一以及第二晶体管的逆变器。
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