JP4107310B2 - 半導体モジュール - Google Patents
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- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
Description
2 インバータ
3U−1〜3U−3、4U−1〜4U−3 スイッチング素子
5U−1〜5U−3、6U−1〜6U−3 整流素子
7U、7V、7W 半導体モジュール
11 基板
12 ボンディングワイヤ
13、14、31、32、51、52 高熱伝導部材
21 導電性ペースト
33 V溝部
34 ゲル層
41、61、62 ボンディングリボン
71 整流素子モジュール
81 柱部材
91、92 配線パターン
93、94 電極面
95、96 電極プレート
Claims (6)
- 複数並列接続されたスイッチング素子と複数並列接続された整流素子とを備える半導体モジュールにおいて、複数並列接続された整流素子の一方の端子を含む表面上に高熱伝導部材を設けて連結し、整流素子同士を電気的にも熱的にも結合するとともに、前記複数並列接続された整流素子の周囲に、前記高熱伝導部材の位置決めに用いる柱部材を設けたことを特徴とする半導体モジュール。
- 前記整流素子と前記高熱伝導部材との間に熱伝導率の高いペーストを配置して、整流素子と高熱伝導部材とを結合したことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。
- 前記複数並列接続されたスイッチング素子の一方の端子を含む表面上に高熱伝導部材を設けて連結し、スイッチング素子同士を電気的にも熱的にも結合したことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体モジュール。
- 前記高熱伝導部材が金属部材であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
- 前記複数並列接続された整流素子と高熱伝導部材とを1チップで構成することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
- 絶縁性の基板上に、スイッチング素子の配線パターン及び整流素子の電極面を設け、それらの上に、スイッチング素子及び整流素子を配置し、さらにその上の基板とは反対側の素子電極面に、両素子一体型の高熱伝導部材を設けたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
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