JP3974747B2 - パワー回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、パワー回路に係り、特に、大電流制御に用いるのに好適なパワー回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の一般的なパワー回路では、半導体素子をパッケージに包んだICも使用されているが、特に大電流を制御するシステムでは、パッケージをしないで、平型のシリコンチップをそのまま実装することにより、発熱量対策を施しているものが知られている。例えば、電流のスイッチング素子として多く使われるIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスター)においては、大電流が流れるコレクタ電極は、銅製のベースの配線パターンに直接接続され、さらに、ベースから端子までは銅板配線により接続される。また、大電流が流れるエミッタ電極は、アルミの直径300ミクロン程度の細線によるワイヤーボンディング接続で、銅製ベースの配線パターンに接続され、さらに、ベースから端子までは銅板配線により接続される。
【0003】
また、IGBTとベースの接続などは、例えば、特開平6−160761号公報や、特開平8−212325号公報に記載されているように、はんだ接合や溶接接合が用いられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来のパワー回路では、上述したような配線構造を取っているため、ループ回路となる電流回路には、比較的大きい直列の寄生リアクタンス成分を生じるため、トランジスタ素子がスイッチングする時電流が急変し、リアクタンスエネルギーがトランジスターのコレクター,エミッター間の電圧に重畳し、大きなはね上がり電圧となって発生する。そこで、従来のパワー回路では、トランジスターと並列に大容量の抵抗とコンデンサーよりなるスナバー44を設けるなど、保護回路が必要となるという問題があった。
【0005】
また、はんだ接合や溶接接合では、その接合部が合金接合となっており、使用温度が変動する熱サイクルにより、接合面に応力が繰り返し加わり熱疲労により破断するという問題があった。特に、電気自動車やハイブリッド自動車等の車両に用いられるパワー回路においては、広い温度範囲の熱サイクルがかかるため、接合部の破断は信頼性の低下に繋がるものである。
【0006】
本発明の目的は、回路に寄生するリアクタンス成分を抑制することにより、過電圧保護回路を不要とし、かつ、対熱サイクル性を向上して、信頼性が向上したパワー回路を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
(1)上記目的を達成するために、本発明は、電源と、前記電源からの直流電力が供給される複数のスイッチング半導体素子と、前記直流電力を複数のスイッチング半導体素子に供給するための正極直流母線及び負極直流母線、及び、前記スイッチング半導体素子から出力された交流電力を負荷に供給するための複数の交流出力母線、の全てを積層した平板状積層導体と、前記正極直流母線及び前記負極直流母線に電気的に接続され、前記電源から供給される直流電力を平滑するコンデンサと、平型チップからなる前記スイッチング半導体素子の両面を、金属フィラーと樹脂から成る高伝熱性導電接着剤を介して挟んだ平板導体状の半導体素子接続部と、前記平板状積層導体と前記半導体接続部との間を電気的に接続するための積層配線と、前記スイッチング半導体素子との接合面とは反対側の面において、前記半導体接続部に接合された放熱部材と、有するものである。
かかる構成により、回路に寄生するリアクタンス成分を抑制して、過電圧保護回路を不要とし、かつ、対熱サイクル性を向上して、信頼性を向上し得るものとなる。
【0008】
(2)上記(1)において、好ましくは、前記スイッチング半導体素子と前記半導体接続部との間に、SiCにAlを含浸させた接合電極を介し、前記高伝熱性導電接着剤を用いて接合されているものである。
(3)上記(1)において、好ましくは、孔を設けた外枠が前記半導体素子接続部に接合されており、前記孔の中において、前記高伝導性導電接着剤を介して前記放熱部材が前記半導体素子接続部に接合されており、前記放熱部材は、金属からなる放熱フィンである。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、図1〜図3を用いて、本発明の一実施形態によるパワー回路の構成について説明する。
最初に、図1を用いて、本実施形態によるパワー回路の全体構成について説明する。なお、本実施形態では、パワー回路として、モータ等の負荷を制御する三相のインバーター回路を例にして説明する
図1は、本発明の一実施形態によるパワー回路の全体構成を示す回路図である。
【0010】
本実施形態では、正極直流母線50,負極直流母線51,交流出力母線52,53,54などの配線材として、電気伝導性が良く、また熱伝導性能が優れた材料からなる複数の平板配線材を用い、これらの平板配線材(正極直流母線50,負極直流母線51,交流出力母線52,53,54)を積層構造にしている。平板配線材の材料としては、例えば、銅材を用いている。
【0011】
正極直流母線50には、スイッチング素子であるIGBT14,16,18のコレクタが直接接続される。負極直流母線51には、スイッチング素子であるIGBT15,17,19のエミッタが直接接続される。交流出力母線52には、IGBT14のエミッタ及びIGBT15のコレクタが接続される。交流出力母線53には、IGBT16のエミッタ及びIGBT17のコレクタが接続される。交流出力母線54には、IGBT18のエミッタ及びIGBT19のコレクタが接続される。すなわち、IGBT14,15,16,17,18,19は、正極直流母線50,負極直流母線51,交流出力母線52,53,54の間に挟まれて接続されている。接続構造の詳細については、図2及び図3を用いて後述する。
【0012】
正極直流母線50及び負極直流母線51には、正電圧配線12と負電圧配線13を介して、直流電源10が接続される。直流電源10の両端には、平滑用のコンデンサー11が接続される。また、交流出力母線52,53,54は、モータ等の負荷Lに接続される。
【0013】
直流電源10から供給される直流電力は、コンデンサ11によって平滑された上で、IGBT14,15,16,17,18,19によってスイッチング制御され、三相の交流電力として、負荷Lに供給される。例えば、IGBT14がONの時、正極直流母線50を通して往路電流55が流れ、電流は交流出力母線52に出力する。同時に、IGBT17,18がONとなるため、交流出力母線53,54を通して、復路電流56が流れ、負極直流母線51を経て直流電源10に戻る戻り電流となる。このように、正極直流母線50,負極直流母線51,交流出力母線52,53,54は積層構造であり、全ての電流は往路電流,復路電流としてこの積層配線に流れとなるため、回路に寄生するリアクタンス成分は従来の単線配線構成に比べ、1/10程度に抑制することができる。
【0014】
次に、図2及び図3を用いて、本実施形態によるパワー回路における構成について説明する。
最初に、図2を用いて、本実施形態によるパワー回路の全体構成について説明する。
図2は、本発明の一実施形態によるパワー回路の全体構成を示す平面図である。なお、図1と同一符号は、同一部分を示している。
【0015】
IGBT14,15,…,19は、それぞれ、半導体素子接続部58に接続されている。半導体素子接続部58の詳細構成については、図3を用いて後述する。半導体素子接続部58は、平板状の積層配線57を介して、積層されている正極直流母線50,負極直流母線51,交流出力母線52,53,54などの配線材に接続される。また、電源用コンデンサー11も、正極直流母線50,負極直流母線51間に接続される。
【0016】
次に、図3を用いて、本実施形態によるパワー回路に用いる半導体素子接続部の構成について説明する。
図3は、本発明の一実施形態によるパワー回路に用いる半導体素子接続部の構成を示す正面図である。なお、図1,図2と同一符号は、同一部分を示している。
【0017】
ベース部材63,64は、絶縁特性と高伝熱特性を兼ね備えた素材であり、例えば、窒化アルミや窒化シリコンまたはアルミナなどを用いている。ベース部材63,64の表面には、それぞれ、配線パターン60,62が形成されている。配線パターン60,62は、例えば、金属溶着や金属溶接や金属蒸着またはメッキ加工などによるメタライズ加工によって形成される。IGBT14のコレクタは、導電性高伝熱接着剤67によって、配線パターン60に接続されている。
【0018】
導電性高伝熱接着剤67は、熱伝導および電気伝導性が高い接着剤であり、金属フィラーと樹脂から成る接着剤である。例えば、銀ペースト等を用いることができる。導電性高伝熱接着剤67は、接着継ぎ手として、熱サイクルに耐える接合面を構成する。また、樹脂系の接着加工なため、従来のはんだや蝋付け加工に比べ低温プロセスの加工であり、加工時の熱歪応力の残留が無く加工部の経年的安定性がある。これは、半導体素子の加工に十分許容できる温度範囲であり、特に作業の熱管理が容易となる。
【0019】
IGBT14のエミッタは、導電性高伝熱接着剤67を用いて、接合電極61に接合されている。接合電極61は、IGBT14等の半導体素子と熱膨張率の近い導電材からなる。接合電極61としては、例えば、SiCにアルミ(Al)を含浸させたものや、CuOとCuを混合焼結したものを用いている。接合電極61の他面は、導電性高伝熱接着剤67を用いて、配線パターン62に接合されている。配線パターン60,62は、平板状の積層配線57に接合されている。
【0020】
以上のようにして、本実施形態では、半導体素子であるIGBT14は、配線パターン60,62を用いて積層配線57に電気的に接続され、さらに、図2において説明したように、平板状の正極直流母線50,負極直流母線51,交流出力母線52,53,54などの配線材に接続されている。IGBT14は、配線パターンを介して、ベース63,64に接続されているため、IGBT14からの発熱は、ベース63とベース64の両面から放熱することができるため、放熱効果を向上することができる。
【0021】
また、IGBT14は、表面及び裏面の両面が、導電性高伝熱接着剤67を介して、ベース63とベース64の両方に接合されている。一般に、ベース63,64の線膨張係数は、IGBT14のような半導体素子の線膨張係数よりも多きため、導電性高伝熱接着剤67による接合部には、熱サイクルにより、熱応力が加わるが、IGBT14は両面から接合されているため、片面接合に比べて応力が分配されて、加わる熱応力を緩和することができる。従って、耐熱サイクル性を向上することができる。
【0022】
また、この様な多重構造において、組立作業にて、順次接合加工を行う場合、従来のはんだ作業のような順次温度階層を設ける必要が無く、加工と硬化を順次繰り返すことで、加工ができるので、多重の接合構造の加工が容易に実現できる。
【0023】
さらに、大型の放熱フィンなど熱容量が大きい部品の接合加工もこの低温プロセスにて接合加工できる。このようにして大容量の放熱構造を低熱抵抗で構成できる。
【0024】
したがって、本実施形態によれば、積層構造の平板電極を用いることにより、回路に寄生するリアクタンス成分を抑制でき、過電圧保護回路を不要とすることができる。また、ベースの間に挟み込む構成とし、導電性高伝熱接着剤67により接合することにより、対熱サイクル性を向上して、信頼性を向上することができる。
【0025】
次に、図4を用いて、本発明の他の実施形態によるパワー回路に用いる半導体素子接続部の構成について説明する。
図4は、本発明の他の実施形態によるパワー回路に用いる半導体素子接続部の構成を示す正面図である。なお、図3と同一符号は、同一部分を示している。また、本実施形態によるパワー回路の全体構成は、図1及び図2に示したものと同様である。
【0026】
本実施形態では、絶縁特性と高伝熱特性を兼ね備えたベース材65を設け、配線パターン60,62を、ベース材65にメタライズ加工で生成する。ベース材65としては、例えば、AlNを用いることができる。IGBT14と接合電極61と電気的に接続し、その外部に伝熱特性が良好な金属(銅,アルミ等)またはセラミックによる両面放熱部66を、ベース材65に接合する。このように、IGBT14から両面放熱部66までを、高い伝熱特性で接合することにより、小型高効率の放熱機能を実現できる。
【0027】
したがって、本実施形態によれば、回路に寄生するリアクタンス成分を抑制でき、過電圧保護回路を不要とすることができる。また、対熱サイクル性を向上して、信頼性を向上することができる。
【0028】
次に、図5を用いて、本発明のその他の実施形態によるパワー回路に用いる半導体素子接続部の構成について説明する。
図5は、本発明のその他の実施形態によるパワー回路に用いる半導体素子接続部の構成を示す正面図である。なお、図3,図4と同一符号は、同一部分を示している。また、本実施形態によるパワー回路の全体構成は、図1及び図2に示したものと同様である。
【0029】
本実施形態では、絶縁特性と高伝熱特性を兼ね備えたベース材65の外側に、孔70,72を設けた外枠71,73を接合し、伝熱特性が良好な金属またはセラミック材より成る放熱フィン74を孔70,72の中でベース材65に接合するようにしている。これにより、IGBT14の発熱量を、各接合面を経ても、効率よく、放熱フィン74に伝えることができ、小型,高効率の放熱機構を実現することができる。
【0030】
【発明の効果】
本発明によれば、回路に寄生するリアクタンス成分を抑制することにより、過電圧保護回路を不要とし、かつ、対熱サイクル性を向上して、信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態によるパワー回路の全体構成を示す回路図である。
【図2】本発明の一実施形態によるパワー回路の全体構成を示す平面図である。
【図3】本発明の一実施形態によるパワー回路に用いる半導体素子接続部の構成を示す正面図である。
【図4】本発明の他の実施形態によるパワー回路に用いる半導体素子接続部の構成を示す正面図である。
【図5】本発明のその他の実施形態によるパワー回路に用いる半導体素子接続部の構成を示す正面図である。
【符号の説明】
10…直流電源
11…平滑用コンデンサー
12…正電圧配線
13…負電圧配線
14,15,16,17,18,19…IGBT
50…正極直流母線
51…負極直流母線
52,53,54…交流出力母線
55…往路電流
56…帰路電流
57…積層配線
58…半導体素子接続部
60,62…配線パターン
61…接合電極
63,64,65…ベース材
67…導電性高伝熱接着剤
70,72…穴
71,73…外枠
74…放熱フィン
Claims (3)
- 電源と、
前記電源からの直流電力が供給される複数のスイッチング半導体素子と、
前記直流電力を複数のスイッチング半導体素子に供給するための正極直流母線及び負極直流母線、及び、前記スイッチング半導体素子から出力された交流電力を負荷に供給するための複数の交流出力母線、の全てを積層した平板状積層導体と、
前記正極直流母線及び前記負極直流母線に電気的に接続され、前記電源から供給される直流電力を平滑するコンデンサと、
平型チップからなる前記スイッチング半導体素子の両面を、金属フィラーと樹脂から成る高伝熱性導電接着剤を介して挟んだ平板導体状の半導体素子接続部と、
前記平板状積層導体と前記半導体接続部との間を電気的に接続するための積層配線と、
前記スイッチング半導体素子との接合面とは反対側の面において、前記半導体接続部に接合された放熱部材と、
を有することを特徴とするパワー回路。 - 請求項1記載のパワー回路において、
前記スイッチング半導体素子と前記半導体接続部との間に、SiCにAlを含浸させた接合電極を介し、前記高伝熱性導電接着剤を用いて接合されていることを特徴とするパワー回路。 - 請求項1記載のパワー回路において、
孔を設けた外枠が前記半導体素子接続部に接合されており、
前記孔の中において、前記高伝導性導電接着剤を介して前記放熱部材が前記半導体素子接続部に接合されており、
前記放熱部材は、金属からなる放熱フィンであることを特徴とするパワー回路。
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