JP2543166Y2 - 電力変換装置 - Google Patents
電力変換装置Info
- Publication number
- JP2543166Y2 JP2543166Y2 JP1991054178U JP5417891U JP2543166Y2 JP 2543166 Y2 JP2543166 Y2 JP 2543166Y2 JP 1991054178 U JP1991054178 U JP 1991054178U JP 5417891 U JP5417891 U JP 5417891U JP 2543166 Y2 JP2543166 Y2 JP 2543166Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- conductors
- semiconductor
- semiconductor switch
- connect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、半導体スイッチを用い
た電力変換装置の改良に関するものである。
た電力変換装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を高周波でスイッチング（オ
ン・オフ）動作させて直流と交流間の 電力変換を行なう
電力変換装置が使用されていることは周知のことであ
る。図７は、この種の電力変換装置の代表的な回路構成
例を示す図であり、１は直流電源、２は直流コンデン
サ、３は必要に応じて設けられる過電流保護用のヒュー
ズ、４ａ〜４ｄは半導体スイッチであり、図示例では
Ｕ，Ｘ，Ｖ，Ｙ相を構成している。この回路は、同図に
示すような極性で直流電源１から所定電圧が直流コンデ
ンサ２に充電される。オンパルス電流は、直流コンデン
サ２に充電された電圧をＵ，Ｙ相の半導体スイッチ４
ａ，４ｄを高速にスイッチングし放電させることによっ
て、Ｒ端子からＴ端子に流れる。また、オフパルス電流
は、Ｖ，Ｘ相の半導体スイッチ４ｃ，４ｂをスイッチン
グさせてＴ端子からＲ端子に流れる。このようにして、
Ｒ端子とＴ端子には直流コンデンサ２を備えた直流電源
１からの直流を交流に変換できる。
ン・オフ）動作させて直流と交流間の 電力変換を行なう
電力変換装置が使用されていることは周知のことであ
る。図７は、この種の電力変換装置の代表的な回路構成
例を示す図であり、１は直流電源、２は直流コンデン
サ、３は必要に応じて設けられる過電流保護用のヒュー
ズ、４ａ〜４ｄは半導体スイッチであり、図示例では
Ｕ，Ｘ，Ｖ，Ｙ相を構成している。この回路は、同図に
示すような極性で直流電源１から所定電圧が直流コンデ
ンサ２に充電される。オンパルス電流は、直流コンデン
サ２に充電された電圧をＵ，Ｙ相の半導体スイッチ４
ａ，４ｄを高速にスイッチングし放電させることによっ
て、Ｒ端子からＴ端子に流れる。また、オフパルス電流
は、Ｖ，Ｘ相の半導体スイッチ４ｃ，４ｂをスイッチン
グさせてＴ端子からＲ端子に流れる。このようにして、
Ｒ端子とＴ端子には直流コンデンサ２を備えた直流電源
１からの直流を交流に変換できる。
【０００３】このような回路においては、半導体スイッ
チ４ａ〜４ｄの高速繰返しのオンオフが要求されるた
め、配線インダクタンスを極めて小さく抑えなければな
らない。また、半導体スイッチの交換保守を簡単に行え
ることが要求される。
チ４ａ〜４ｄの高速繰返しのオンオフが要求されるた
め、配線インダクタンスを極めて小さく抑えなければな
らない。また、半導体スイッチの交換保守を簡単に行え
ることが要求される。
【０００４】図８は、上記した電力変換装置に係る具体
的な構造を示す正面図であり、図９はその側面図を示
す。図８および図９において、２は直流コンデンサ、３
は過電流保護用のヒューズ、５は放熱フィン６に半導体
スイッチ４ａ（Ｕ相）と４ｃ（Ｖ相）および４ｂ（Ｘ
相）と４ｄ（Ｙ相）をそれぞれ近接させて取付けた半導
体スタックで、垂直状に配置されている。また、７ａは
コンデンサ２の正極端子とヒューズ３の一方の端子に接
続されたＰ導体、７ｂはヒューズ３の他方の端子に一端
を接続され半導体スイッチ４ａ，４ｃのコレクタ端子と
それぞれＰ導体７ｃ，７ｄを介して接続されたＰ導体、
８ａは直流コンデンサ２の負極端子に一端を接続され半
導体スイッチ４ｂ，４ｄのエミッタ端子とそれぞれＮ導
体８ｂ，８ｃを介して接続されたＮ導体であり、Ｐ導体
７ａ，７ｂとＮ導体８ａは、配線インダクタンスを小さ
くするために、近接させ平行状に配置して取付けられて
いる。９ａは半導体スイッチ４ａ，４ｂのそれぞれエミ
ッタ端子，コレクタ端子に接続されたＲ導体、９ｂは一
端をこのＲ導体９ａに接続され他端を負荷（図示しな
い）に接続されるＲ導体、10ａは半導体スイッチ４ｃ，
４ｄのそれぞれエミッタ端子，コレクタ端子に接続され
たＴ導体、10ｂは一端をこのＴ導体10ａに接続され他端
を負荷（図示しない）に接続されるＴ導体であり、Ｒ導
体９ｂとＴ導体10ｂは近接させ平行状に配置して取付け
られている。なお、直流コンデンサ２，半導体スタック
５等は、図示しない構造物（例えば閉鎖箱）に支持され
る。
的な構造を示す正面図であり、図９はその側面図を示
す。図８および図９において、２は直流コンデンサ、３
は過電流保護用のヒューズ、５は放熱フィン６に半導体
スイッチ４ａ（Ｕ相）と４ｃ（Ｖ相）および４ｂ（Ｘ
相）と４ｄ（Ｙ相）をそれぞれ近接させて取付けた半導
体スタックで、垂直状に配置されている。また、７ａは
コンデンサ２の正極端子とヒューズ３の一方の端子に接
続されたＰ導体、７ｂはヒューズ３の他方の端子に一端
を接続され半導体スイッチ４ａ，４ｃのコレクタ端子と
それぞれＰ導体７ｃ，７ｄを介して接続されたＰ導体、
８ａは直流コンデンサ２の負極端子に一端を接続され半
導体スイッチ４ｂ，４ｄのエミッタ端子とそれぞれＮ導
体８ｂ，８ｃを介して接続されたＮ導体であり、Ｐ導体
７ａ，７ｂとＮ導体８ａは、配線インダクタンスを小さ
くするために、近接させ平行状に配置して取付けられて
いる。９ａは半導体スイッチ４ａ，４ｂのそれぞれエミ
ッタ端子，コレクタ端子に接続されたＲ導体、９ｂは一
端をこのＲ導体９ａに接続され他端を負荷（図示しな
い）に接続されるＲ導体、10ａは半導体スイッチ４ｃ，
４ｄのそれぞれエミッタ端子，コレクタ端子に接続され
たＴ導体、10ｂは一端をこのＴ導体10ａに接続され他端
を負荷（図示しない）に接続されるＴ導体であり、Ｒ導
体９ｂとＴ導体10ｂは近接させ平行状に配置して取付け
られている。なお、直流コンデンサ２，半導体スタック
５等は、図示しない構造物（例えば閉鎖箱）に支持され
る。
【０００５】以上のように構成された電力変換装置にお
いては、導体がそれぞれ単体で分割構成されているの
で、半導体スイッチ４ａ〜４ｄの交換保守をする際の分
解，再組立作業時における位置決めが面倒になり、作業
性を悪くする。また、Ｐ導体とＮ導体、Ｒ導体とＴ導体
の間隔が大きく、さらに半導体スイッチ４ａ〜４ｄの端
子部分の配線が効果的なリターン配線にならないので、
インダクタンスが大きくなる。
いては、導体がそれぞれ単体で分割構成されているの
で、半導体スイッチ４ａ〜４ｄの交換保守をする際の分
解，再組立作業時における位置決めが面倒になり、作業
性を悪くする。また、Ｐ導体とＮ導体、Ｒ導体とＴ導体
の間隔が大きく、さらに半導体スイッチ４ａ〜４ｄの端
子部分の配線が効果的なリターン配線にならないので、
インダクタンスが大きくなる。
【０００６】
【考案が解決しようとする課題】上述したように、従来
の構成では半導体スイッチ４ａ〜４ｄの交換保守をする
際の分解，再組立時における作業性が悪いために作業所
要時間を長くする欠点があり、また、Ｐ，Ｎ，Ｒ，Ｔ導
体が効果的なリターン配線を形成せずインダクタンスを
大きくする欠点があった。
の構成では半導体スイッチ４ａ〜４ｄの交換保守をする
際の分解，再組立時における作業性が悪いために作業所
要時間を長くする欠点があり、また、Ｐ，Ｎ，Ｒ，Ｔ導
体が効果的なリターン配線を形成せずインダクタンスを
大きくする欠点があった。
【０００７】本考案は、上述した欠点を解消すべくなさ
れたものであり、その目的は、組立，分解等の作業性を
向上させ、かつ配線インダクタンスを低減し得ることが
できる電力変換装置を提供することにある。
れたものであり、その目的は、組立，分解等の作業性を
向上させ、かつ配線インダクタンスを低減し得ることが
できる電力変換装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本考案の請求項１は、複数の半導体スイッチを放熱
フィンに取付け、該半導体スイッチをブリッジ接続し
て、直流端子を直流電源間に設けられる直流コンデンサ
に直接或いは間接的に接続し、交流端子を外部交流導体
に接続して、直流と交流間の電力変換を行なう電力変換
装置において、前記半導体スイッチを前記放熱フィンに
上下方向に一列に且つ左右の上面に位置す る該半導体ス
イッチのエミッタ端子とコレクタ端子が逆になるように
取付けた半導体スタックと、前記半導体スイッチの上面
のほぼ中央に該前記半導体スイッチに対して垂直に配置
される一方の端部が該半導体スタックの下部より突出し
ている帯状の一対の直流導体と、一方の端部が該半導体
スタックの上部より突出している帯状の複数の交流導体
と、これらの帯状導体相互間に設けられる帯状の絶縁物
とを密着して成る積層導体と、前記一対の直流導体の前
記一方の端部に設けられ外部直流導体との接続を行なう
直流回路接続部と、前記複数の交流導体の前記一方の端
部に設けられ外部交流導体との接続を行なう交流回路接
続部を具備し、前記一対の直流導体の一方を前記半導体
スイッチの前記一対の直流導体側に寄った各エミッタ端
子に接続し、前記一対の直流導体の他方を前記半導体ス
イッチの前記一対の直流導体側に寄った各コレクタ端子
に接続し、前記交流導体はそれぞれ２組の前記半導体ス
イッチの前記交流導体寄りのコレクタ端子とエミッタ端
子に各別に接続したことを特徴とする。
に、本考案の請求項１は、複数の半導体スイッチを放熱
フィンに取付け、該半導体スイッチをブリッジ接続し
て、直流端子を直流電源間に設けられる直流コンデンサ
に直接或いは間接的に接続し、交流端子を外部交流導体
に接続して、直流と交流間の電力変換を行なう電力変換
装置において、前記半導体スイッチを前記放熱フィンに
上下方向に一列に且つ左右の上面に位置す る該半導体ス
イッチのエミッタ端子とコレクタ端子が逆になるように
取付けた半導体スタックと、前記半導体スイッチの上面
のほぼ中央に該前記半導体スイッチに対して垂直に配置
される一方の端部が該半導体スタックの下部より突出し
ている帯状の一対の直流導体と、一方の端部が該半導体
スタックの上部より突出している帯状の複数の交流導体
と、これらの帯状導体相互間に設けられる帯状の絶縁物
とを密着して成る積層導体と、前記一対の直流導体の前
記一方の端部に設けられ外部直流導体との接続を行なう
直流回路接続部と、前記複数の交流導体の前記一方の端
部に設けられ外部交流導体との接続を行なう交流回路接
続部を具備し、前記一対の直流導体の一方を前記半導体
スイッチの前記一対の直流導体側に寄った各エミッタ端
子に接続し、前記一対の直流導体の他方を前記半導体ス
イッチの前記一対の直流導体側に寄った各コレクタ端子
に接続し、前記交流導体はそれぞれ２組の前記半導体ス
イッチの前記交流導体寄りのコレクタ端子とエミッタ端
子に各別に接続したことを特徴とする。
【０００９】
【作用】前述のように構成されているため、外部直流回
路と、外部交流回路から半導体スイッチと積層導体の一
体物を取外すことができ、さらに、積層導体と半導体ス
タックとを切離すこともできるため、半導体スイッチの
前面における取外しが容易となり、半導体スイッチの交
換保守作業が容易になる。また、帯状の直流導体と交流
導体を絶縁物を介して密着した積層導体としているの
で、効果的にリターン配線とすることができ、配線イン
ダクタンスを可及的に小さくし得る。
路と、外部交流回路から半導体スイッチと積層導体の一
体物を取外すことができ、さらに、積層導体と半導体ス
タックとを切離すこともできるため、半導体スイッチの
前面における取外しが容易となり、半導体スイッチの交
換保守作業が容易になる。また、帯状の直流導体と交流
導体を絶縁物を介して密着した積層導体としているの
で、効果的にリターン配線とすることができ、配線イン
ダクタンスを可及的に小さくし得る。
【００１０】
【実施例】以下、本考案の一実施例を図面を参照して説
明する。図１は、本考案の一実施例を示す正面図、図２
は図１の側面図である。図１および図２において、11は
半導体スタックで、上下方向に沿って半導体スイッチ４
ｂ（Ｘ相），４ｃ（Ｖ相），４ｄ（Ｙ相），４ａ（Ｕ
相）を隣接させ、かつ図１に示す極性で横向きにエミッ
タ端子とコレクタ端子が交互に逆になるように放熱フィ
ン６に取付けて構成している。この半導体スタック11の
下方には、ヒューズ３，直流コンデンサ２が順に配置さ
れ、半導体スタック11と直流コンデンサ２は図示しない
構造物（例えば閉鎖箱）に支持される。
明する。図１は、本考案の一実施例を示す正面図、図２
は図１の側面図である。図１および図２において、11は
半導体スタックで、上下方向に沿って半導体スイッチ４
ｂ（Ｘ相），４ｃ（Ｖ相），４ｄ（Ｙ相），４ａ（Ｕ
相）を隣接させ、かつ図１に示す極性で横向きにエミッ
タ端子とコレクタ端子が交互に逆になるように放熱フィ
ン６に取付けて構成している。この半導体スタック11の
下方には、ヒューズ３，直流コンデンサ２が順に配置さ
れ、半導体スタック11と直流コンデンサ２は図示しない
構造物（例えば閉鎖箱）に支持される。
【００１１】直流コンデンサ２には、正極端子にＰ導体
12ａ、負極端子にＮ導体13ａが接続され、ヒューズ３に
は一方の端子にＰ導体12ａ、他方の端子にＰ導体12ｂが
接続される。これらのＰ導体12ａ，12ｂとＮ導体13ａの
間には、Ｐ導体12ａ，12ｂ，Ｎ導体13ａの幅より広い幅
を有し、かつ上端がＰ導体12ｂとＮ導体13ａの上端より
若干伸び帯状とした絶縁物14を密着するように挿入す
る。Ｐ導体12ｂの上端にはスタッド15を固着し、Ｎ導体
13ａの上端にはスタッド15と同径のスタッド16を固着す
る。また、半導体スタック11の上方には、図示しない負
荷側と接続されるＲ導体17ａとＴ導体18ａが垂直方向に
沿って配置され、これらの間にはＲ導体17ａやＴ導体18
ａの幅より広い幅を有し、かつ下端がＲ導体17ａとＴ導
体18ａの下端より若干伸び帯状とした絶縁物19を密着す
るように挿入する。Ｒ導体17ａの下端にはスタッド20を
固着し、Ｔ導体18ａの下端にはスタッド20と同径のスタ
ッド21を固着する。
12ａ、負極端子にＮ導体13ａが接続され、ヒューズ３に
は一方の端子にＰ導体12ａ、他方の端子にＰ導体12ｂが
接続される。これらのＰ導体12ａ，12ｂとＮ導体13ａの
間には、Ｐ導体12ａ，12ｂ，Ｎ導体13ａの幅より広い幅
を有し、かつ上端がＰ導体12ｂとＮ導体13ａの上端より
若干伸び帯状とした絶縁物14を密着するように挿入す
る。Ｐ導体12ｂの上端にはスタッド15を固着し、Ｎ導体
13ａの上端にはスタッド15と同径のスタッド16を固着す
る。また、半導体スタック11の上方には、図示しない負
荷側と接続されるＲ導体17ａとＴ導体18ａが垂直方向に
沿って配置され、これらの間にはＲ導体17ａやＴ導体18
ａの幅より広い幅を有し、かつ下端がＲ導体17ａとＴ導
体18ａの下端より若干伸び帯状とした絶縁物19を密着す
るように挿入する。Ｒ導体17ａの下端にはスタッド20を
固着し、Ｔ導体18ａの下端にはスタッド20と同径のスタ
ッド21を固着する。
【００１２】一方、半導体スイッチ４ａ〜４ｄの前側に
は、半導体スイッチ４ａ，４ｃのコレクタ端子に接続す
るＰ導体12ｃ、半導体スイッチ４ｂ，４ｄのエミッタ端
子に接続するＮ導体13ｂ、半導体スイッチ４ａのエミッ
タ端子と半導体スイッチ４ｂのコレクタ端子に接続する
Ｒ導体17ｂ、半導体スイッチ４ｃのエミッタ端子と半導
体スイッチ４ｄのコレクタ端子に接続するＴ導体18ｂを
垂直方向に沿って配置する。ここで、Ｐ導体12ｃには、
半導体スイッチ４ａと４ｃのそれぞれのコレクタ端子に
接続するための接続部12ｄと12ｅが設けられ、Ｎ導体13
ｂには、半導体スイッチ４ｂと４ｄのそれぞれのエミッ
タ端子に接続するための接続部13ｃと13ｄが設けられ、
Ｒ導体17ｂには、半導体スイッチ４ａのエミッタ端子と
半導体スイッチ４ｂのコレクタ端子に接続するための接
続部17ｃと17ｄが設けられ、Ｔ導体18ｂには、半導体ス
イッチ４ｃのエミッタ端子と半導体スイッチ４ｄのコレ
クタ端子に接続するための接続部18ｃと18ｄが設けられ
る。また、Ｐ導体12ｃとＮ導体13ｂの間には、Ｐ導体12
ｃ，Ｎ導体13ｂの幅より広い幅を有し、かつ上端がＰ導
体12ｃの上端より若干上方に伸びると共に下端が上記し
た絶縁物14の上端と当接するようにした帯状の絶縁物22
を密着するように挿入し、Ｒ導体17ｂとＴ導体18ｂの間
には、Ｒ導体17ｂ，Ｔ導体18ｂの幅より広い幅を有し、
かつ上端が上記した絶縁物19の下端に当接し下端がＲ導
体18ｂの下端より若干下方に伸びるようにした帯状の絶
縁物23を密着するように挿入し、Ｒ導体17ｂとＮ導体13
ｂの間には、Ｒ導体17ｂ，Ｎ導体13ｂの幅より広い幅を
有し、かつ上端がＮ導体13ｂの上端より若干伸びると共
に下端がＲ導体17ｂの下端より若干伸びるようにした絶
縁物24を密着するように挿入する。ここで、絶縁物14と
22は同一厚さ、絶縁物19と23は同一厚さとする。また、
Ｐ導体12ｃは、下部をＰ導体12ｂの厚さ分だけ広がるよ
うに折曲げると共に、図４に示すようにスタッド15が挿
入可能の幅を有し、かつ開口部25ａをスタック11側とす
るＵ形状の切欠き部25を設けている。Ｎ導体13ｂも同様
に、下部をＮ導体13ａの厚さ分だけ広がるように折曲げ
ると共に、スタッド16が挿入可能の幅を有する切欠き部
25を設けている。Ｒ導体17ｂは、上部をＲ導体17ａの厚
さ分だけ広がるように折曲げると共に、図５に示すよう
に絶縁スタッド20が挿入可能の幅を有し、かつ開口部26
ａをスタック11側とするＵ形状の切欠き部26を設けてい
る。Ｔ導体18ｂも同様に、上部をＴ導体18ａの厚さ分だ
け広がるように折曲げると共に、スタッド21が挿入可能
の幅を有する切欠き部26を設けている。ここで、Ｐ導体
12ｃ，Ｎ導体13ｂ，Ｒ導体17ｂ，Ｔ導体18ｂ，絶縁物2
2，23，24は接着剤により一体状とし、下部ではスタッ
ド15，16とナット27ａ，27ｂよりなる直流回路接続部
（Ｐ導体12ｃとＮ導体13ｂ）と外部直流導体（Ｐ導体12
ｂとＮ導体13ａ）とを接続し、上部ではスタッド20，21
とナット28ａ，28ｂよりなる交流回路接続部で複数の交
流導体（Ｒ導体17ｂとＴ導体18ｂ）と複数の外部交流導
体（Ｒ導体17ａとＴ導体18ａ）とを接続する。
は、半導体スイッチ４ａ，４ｃのコレクタ端子に接続す
るＰ導体12ｃ、半導体スイッチ４ｂ，４ｄのエミッタ端
子に接続するＮ導体13ｂ、半導体スイッチ４ａのエミッ
タ端子と半導体スイッチ４ｂのコレクタ端子に接続する
Ｒ導体17ｂ、半導体スイッチ４ｃのエミッタ端子と半導
体スイッチ４ｄのコレクタ端子に接続するＴ導体18ｂを
垂直方向に沿って配置する。ここで、Ｐ導体12ｃには、
半導体スイッチ４ａと４ｃのそれぞれのコレクタ端子に
接続するための接続部12ｄと12ｅが設けられ、Ｎ導体13
ｂには、半導体スイッチ４ｂと４ｄのそれぞれのエミッ
タ端子に接続するための接続部13ｃと13ｄが設けられ、
Ｒ導体17ｂには、半導体スイッチ４ａのエミッタ端子と
半導体スイッチ４ｂのコレクタ端子に接続するための接
続部17ｃと17ｄが設けられ、Ｔ導体18ｂには、半導体ス
イッチ４ｃのエミッタ端子と半導体スイッチ４ｄのコレ
クタ端子に接続するための接続部18ｃと18ｄが設けられ
る。また、Ｐ導体12ｃとＮ導体13ｂの間には、Ｐ導体12
ｃ，Ｎ導体13ｂの幅より広い幅を有し、かつ上端がＰ導
体12ｃの上端より若干上方に伸びると共に下端が上記し
た絶縁物14の上端と当接するようにした帯状の絶縁物22
を密着するように挿入し、Ｒ導体17ｂとＴ導体18ｂの間
には、Ｒ導体17ｂ，Ｔ導体18ｂの幅より広い幅を有し、
かつ上端が上記した絶縁物19の下端に当接し下端がＲ導
体18ｂの下端より若干下方に伸びるようにした帯状の絶
縁物23を密着するように挿入し、Ｒ導体17ｂとＮ導体13
ｂの間には、Ｒ導体17ｂ，Ｎ導体13ｂの幅より広い幅を
有し、かつ上端がＮ導体13ｂの上端より若干伸びると共
に下端がＲ導体17ｂの下端より若干伸びるようにした絶
縁物24を密着するように挿入する。ここで、絶縁物14と
22は同一厚さ、絶縁物19と23は同一厚さとする。また、
Ｐ導体12ｃは、下部をＰ導体12ｂの厚さ分だけ広がるよ
うに折曲げると共に、図４に示すようにスタッド15が挿
入可能の幅を有し、かつ開口部25ａをスタック11側とす
るＵ形状の切欠き部25を設けている。Ｎ導体13ｂも同様
に、下部をＮ導体13ａの厚さ分だけ広がるように折曲げ
ると共に、スタッド16が挿入可能の幅を有する切欠き部
25を設けている。Ｒ導体17ｂは、上部をＲ導体17ａの厚
さ分だけ広がるように折曲げると共に、図５に示すよう
に絶縁スタッド20が挿入可能の幅を有し、かつ開口部26
ａをスタック11側とするＵ形状の切欠き部26を設けてい
る。Ｔ導体18ｂも同様に、上部をＴ導体18ａの厚さ分だ
け広がるように折曲げると共に、スタッド21が挿入可能
の幅を有する切欠き部26を設けている。ここで、Ｐ導体
12ｃ，Ｎ導体13ｂ，Ｒ導体17ｂ，Ｔ導体18ｂ，絶縁物2
2，23，24は接着剤により一体状とし、下部ではスタッ
ド15，16とナット27ａ，27ｂよりなる直流回路接続部
（Ｐ導体12ｃとＮ導体13ｂ）と外部直流導体（Ｐ導体12
ｂとＮ導体13ａ）とを接続し、上部ではスタッド20，21
とナット28ａ，28ｂよりなる交流回路接続部で複数の交
流導体（Ｒ導体17ｂとＴ導体18ｂ）と複数の外部交流導
体（Ｒ導体17ａとＴ導体18ａ）とを接続する。
【００１３】なお、半導体スイッチ４ａ〜４ｄには、そ
れぞれ一端がベース端子に接続され、他端を正面側から
リード線（図示しない）が接続可能とした端子導体29を
設けている。
れぞれ一端がベース端子に接続され、他端を正面側から
リード線（図示しない）が接続可能とした端子導体29を
設けている。
【００１４】したがって、以上のように構成することに
より、図６に示すように半導体スイッチ４ａ〜４ｄのコ
レクタ端子，エミッタ端子のねじを外し、ナット27ａ，
27ｂと28ａ，28ｂを緩めるだけで、半導体スイッチ４ａ
〜４ｄの前面側の積層導体（絶縁物を含む）を矢印Ｂで
示すように前面側へ引抜けば取外すことができ、半導体
スイッチ４ａ〜４ｄの交換保守作業が容易となる。ま
た、導体を絶縁物を挿入して密着しているので、インダ
クタンスを大幅に低減することができる。
より、図６に示すように半導体スイッチ４ａ〜４ｄのコ
レクタ端子，エミッタ端子のねじを外し、ナット27ａ，
27ｂと28ａ，28ｂを緩めるだけで、半導体スイッチ４ａ
〜４ｄの前面側の積層導体（絶縁物を含む）を矢印Ｂで
示すように前面側へ引抜けば取外すことができ、半導体
スイッチ４ａ〜４ｄの交換保守作業が容易となる。ま
た、導体を絶縁物を挿入して密着しているので、インダ
クタンスを大幅に低減することができる。
【００１５】
【考案の効果】以上説明したように、本考案の電力変換
装置によると、外部直流回路と外部交流回路から半導体
スイッチと積層導体の一体物を取外すことができ、さら
に、積層導体と半導体スタックとを切離すこともできる
ため、半導体スイッチの前面における取外しが容易とな
り、半導体スイッチの交換保守作業等で導体の組立をす
るための面倒な位置決めが不要となるので、半導体スイ
ッチの交換保守作業が容易になる。また、帯状の直流導
体と交流導体を絶縁物を介して密着した積層導体として
いるので、効果的にリターン配線とすることができ、配
線インダクタンスを可及的に小さくできるという効果を
奏する。
装置によると、外部直流回路と外部交流回路から半導体
スイッチと積層導体の一体物を取外すことができ、さら
に、積層導体と半導体スタックとを切離すこともできる
ため、半導体スイッチの前面における取外しが容易とな
り、半導体スイッチの交換保守作業等で導体の組立をす
るための面倒な位置決めが不要となるので、半導体スイ
ッチの交換保守作業が容易になる。また、帯状の直流導
体と交流導体を絶縁物を介して密着した積層導体として
いるので、効果的にリターン配線とすることができ、配
線インダクタンスを可及的に小さくできるという効果を
奏する。
【図１】本考案の一実施例の構成を示す正面図。
【図２】図１の側面図。
【図３】図１のＡ−Ａ断面図。
【図４】本考案の一実施例におけるＰ，Ｎ導体の下端部
の詳細図。
の詳細図。
【図５】本考案の一実施例におけるＲ，Ｔ導体の上端部
の詳細図。
の詳細図。
【図６】本考案の一実施例の作用を示す説明図。
【図７】本考案に関連する電力変換装置の回路図。
【図８】従来のスイッチング回路の正面図。
【図９】図８の側面図。
１…直流電源、２…直流コンデンサ、３…ヒューズ、４
ａ〜４ｄ…半導体スイッチ、６…放熱フィン、11…半導
体スタック、12ａ，12ｂ，12ｃ…Ｐ導体、13ａ，13ｂ…
Ｎ導体、14，19，22，23，24…絶縁物、15，16，20，21
…スタッド、27ａ，27ｂ，28ａ，28ｂ…ナット、17ａ，
17ｂ…Ｒ導体、18ａ，18ｂ…Ｔ導体。
ａ〜４ｄ…半導体スイッチ、６…放熱フィン、11…半導
体スタック、12ａ，12ｂ，12ｃ…Ｐ導体、13ａ，13ｂ…
Ｎ導体、14，19，22，23，24…絶縁物、15，16，20，21
…スタッド、27ａ，27ｂ，28ａ，28ｂ…ナット、17ａ，
17ｂ…Ｒ導体、18ａ，18ｂ…Ｔ導体。
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の半導体スイッチを放熱フィンに取
付け、該半導体スイッチをブリッジ接続して、直流端子
を直流電源間に設けられる直流コンデンサに直接或いは
間接的に接続し、交流端子を外部交流導体に接続して、
直流と交流間の電力変換を行なう電力変換装置におい
て、前記半導体スイッチを前記放熱フィンに上下方向に
一列に且つ左右の上面に位置する該半導体スイッチのエ
ミッタ端子とコレクタ端子が逆になるように取付けた半
導体スタックと、前記半導体スイッチの上面のほぼ中央
に該半導体スイッチに対して垂直に配置される一方の端
部が該半導体スタックの下部より突出している帯状の一
対の直流導体と、一方の端部が該半導体スタックの上部
より突出している帯状の複数の交流導体と、これらの帯
状導体相互間に設けられる帯状の絶縁物とを密着して成
る積層導体と、前記一対の直流導体の前記一方の端部に
設けられ外部直流導体との接続を行なう直流回路接続部
と、前記複数の交流導体の前記一方の端部に設けられ外
部交流導体との接続を行なう交流回路接続部を具備し、
前記一対の直流導体の一方を前記半導体スイッチの前記
一対の直流導体側に寄った各エミッタ端子に接続し、前
記一対の直流導体の他方を前記半導体スイッチの前記一
対の直流導体側に寄った各コレクタ端子に接続し、前記
交流導体はそれぞれ２組の前記半導体スイッチの前記交
流導体寄りのコレクタ端子とエミッタ端子に各別に接続
したことを特徴とする電力変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991054178U JP2543166Y2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991054178U JP2543166Y2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 電力変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH059191U JPH059191U (ja) | 1993-02-05 |
| JP2543166Y2 true JP2543166Y2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=12963293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991054178U Expired - Fee Related JP2543166Y2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 電力変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2543166Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3974747B2 (ja) * | 2000-11-29 | 2007-09-12 | 株式会社日立製作所 | パワー回路 |
| US9553443B2 (en) | 2011-12-29 | 2017-01-24 | General Electric Company | Inverter and power system with fuse protection |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6240069A (ja) * | 1985-08-16 | 1987-02-21 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 電圧形インバ−タの接続構造 |
| JPH01185172A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-24 | Fuji Electric Co Ltd | トランジスタインバータ装置 |
| JPH073851B2 (ja) * | 1988-01-28 | 1995-01-18 | 富士電機株式会社 | パワートランジスタの並列接続方法 |
| JPH01209951A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Fuji Electric Co Ltd | 電力変換装置 |
| JP3060886U (ja) * | 1999-01-19 | 1999-09-07 | 鍾李杏枝 | サンダ―の回転減速ユニット |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP1991054178U patent/JP2543166Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH059191U (ja) | 1993-02-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4670833A (en) | Semiconductor module for a high-speed switching arrangement | |
| JP2004214452A (ja) | 電力用半導体モジュールおよび外部電極との結線方法 | |
| JP3652934B2 (ja) | 電力変換装置 | |
| JP3046276B2 (ja) | 電力変換装置 | |
| JPH06261556A (ja) | 半導体スイッチ装置 | |
| JP2005216876A (ja) | 電力用半導体モジュール | |
| JPH10323041A (ja) | パワー半導体スイッチ用の母線を有するコンバータモジュール | |
| JPH06225545A (ja) | 半導体電力変換装置 | |
| JP2543166Y2 (ja) | 電力変換装置 | |
| JP3532386B2 (ja) | コンデンサの接続方法及び電力変換装置 | |
| US5617293A (en) | Bridge module | |
| JPH073851B2 (ja) | パワートランジスタの並列接続方法 | |
| JP2751543B2 (ja) | インバータ | |
| JPH10323015A (ja) | 半導体電力変換装置 | |
| JPH0629149A (ja) | コンデンサ及びコンデンサユニット | |
| JPH09274904A (ja) | バッテリアレイの配線方法 | |
| JPH1094256A (ja) | 電力変換素子モジュール | |
| JP2004056984A (ja) | 電力変換装置 | |
| JP3160442B2 (ja) | インバータ装置 | |
| JPH0756629Y2 (ja) | 半導体スイッチ素子のスナバ回路 | |
| JPS63157677A (ja) | ブリツジ形インバ−タ装置 | |
| JP2019134543A (ja) | 電源装置 | |
| JPH0541396U (ja) | インバータ装置 | |
| JP3015663B2 (ja) | 半導体電力変換装置 | |
| JP3247197B2 (ja) | 半導体電力変換装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |