JPH10323041A - パワー半導体スイッチ用の母線を有するコンバータモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の電力半導体スイッチ、または、好まし
くはＩＧＢＴ電力半導体モジュール（ＩＰＭ）のための
母線システムを有するコンバータモジュールを提供す
る。 【解決手段】 電力半導体スイッチ（１）を対にし、互
いに同一の側を、または反対側を極めて接近させ、平行
に配列することによって、極めて小型で、空間を節約す
るコンバータモジュールを得ることができる。これら
は、極めて低いインダクタンス、ブリッジ辺間の、即ち
整流回路内の、及び並列接続された電力半導体モジュー
ル間の堅固な結合をも特徴としている。２つまたは４つ
の電力半導体スイッチ（１）からなるブリッジ回路を介
して交流電流を１つまたは２つの相に供給する例示実施
例が示される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電力エレクトロニ
クスの分野に関する。本発明は、コンバータモジュール
及び特許請求の範囲の請求項１及び１０のプリアンブル
に記載のコンバータに基づく。

【０００２】

【従来の技術】本発明は、大容量コンバータ用コンバー
タモジュールに関する。コンバータモジュールは、複数
のパワー半導体スイッチから、母線（バスバー）システ
ムによって構成する。これらの母線システムに関して
は、例えば、ABB Technology 4/1995 の 4-13 頁に記載
の論文 " GTO-Hochleistungsstromrichter fur Triebfa
hrzeuge mit Drehstromantrieb " ( GTO high-capacity
converters for tractionvehicles using three-phase
drives )に記述されている。電力は、入力側が直流回
路網に、または電源コンバータを介して交流回路網に結
合され、出力側が可変振幅及び周波数の電力を一般的に
多相ドライブコンバータを介して３相非同期牽引モータ
に供給するようになっている直流中間回路を介して、電
気機関車に供給される。母線システムは、電源コンバー
タの出力、または直流回路網のための架線と、パワー半
導体スイッチまたはドライブコンバータのモジュールと
の間の電気接続を構成している。これは極めて複雑とな
る可能性があり、電気スイッチングシステムの性能を制
限する恐れがあり、そしてかなりの費用になり得る。

【０００３】パワー半導体スイッチの開発が進んで、普
通のサイリスタまたはゲートターンオフサイリスタ（Ｇ
ＴＯ）からＩＧＢＴ（絶縁ゲートを有するバイポーラト
ランジスタ）へ変化してきた。ＩＧＢＴは、一般にモジ
ュール内に統合されている。比較的大電流及び定格の場
合には、複数のモジュールを並列に接続する。種々の定
格のコンバータファミリーについて、モジュラーである
ように設計することができ、容易にスケーリングするこ
とができ、そして低インダクタンスを有する母線システ
ムに対する要望が存在している。優先権を有していない
２つの先行ドイツ特許出願（ファイル参照 196 00 367.
9 及び 196 12 839.0 ）は、平坦な直流板及び平行相母
線上にパワー半導体モジュールを二次元に配列すること
によって、この問題を解消することを提唱している。こ
の平坦なモジュールは、狭くて長い長手方向の縁に沿っ
て伸びるプラグイン接点を有し、相母線と平行な係合用
接続として作動する母線当たり２つのラグの列の中に押
し込まれる。直近のパワー半導体スイッチをそれぞれ 1
80°回転させ、互いにブリッジ回路に接続する。従って
これらは半ブリッジまたはブリッジの辺の対を形成す
る。換言すれば、これらは対向する直流板に接触し、逆
極性の電流半サイクルを共通の相母線に供給する。これ
に対して、１つおきのパワー半導体スイッチは同一方向
に配向され、電力スケーリングのための並列接続モジュ
ールを形成する。

【０００４】この構成でも未だ、満足できない対称性、
理想的ではないインダクタンス、そして構造の複雑さと
いう欠点を有している。モジュールへの、及びモジュー
ル間の長くて異なる電流通路が、電流の非対称性及びモ
ジュールに不均等な負荷をもたらす。電力レベル、また
は相当たりのモジュール数が増加するにつれて、結果的
な最適とは言えない利用( suboptimum utilization )が
増加し、電力の定格を引下げる必要がある。この配列に
伴う他の問題は、設計の面に関している。ある範囲の型
のために多数の異なる部品が必要であり、組立てが複雑
である。正及び負の接続が互いに極めて接近して突入し
合っているので、最小絶縁分離及びクリーページ( cree
page )距離に対する順応性には特に注意が必要である。
更に、各応用及び定格レベルに合わせて作られた金属シ
ートサイズ及び個々に整合させた構成要素が必要であ
る。

【０００５】更に DE 44 02 425 A1によれば、従来の技
術には、複数のブリッジの辺対の半導体スイッチング素
子を１つの相母線に沿って並列に接続するインバータ配
列が存在している。各ブリッジ辺内の素子は、互いに離
れて前側と後側とが向かい合うように、または同一側が
向かい合うように配向され、長手方向の成分のプロフィ
ールを介して互いに接触され、ねじ止めされている。特
定的な特色の１つは、インダクタンスを減少させるため
に相母線の端を上に折り曲げて、平行にしていることで
ある。

【０００６】

【発明の概要】従って、本発明の１つの目的は、コンバ
ータのための新しい母線システムを提供することであ
り、本母線システムは、簡易化され、空間を節約する設
計と、組立ての複雑さとを減少させたこと、及び低イン
ダクタンスと大電流容量を有する改善された対称性が特
徴である。この目的は、本発明による請求項１の特色に
よって達成される。詳しく述べると、本発明の本質は、
好ましくはプラグイン型パワー半導体スイッチを対にし
て、それらの前側または後側が互いに向かい合うよう
に、そして互いを極めて接近させて配向し、直流中間回
路の正接続及び負接続と、位相母線とに結合することで
ある。その結果として、電流経路は負荷及び整流( comm
utation ) 電流の両方に対して対称になり、インダクタ
ンスが低くなる。同時に、組立てが容易であり、そして
それらのモジュラー設計の故に、どのような所望定格要
求にも容易に適合させることができる種々のコンバータ
モジュールバージョンが提供される。

【０００７】第１の実施例は、２つのパワー半導体スイ
ッチを備えた第１の単相コンバータモジュールであっ
て、これらのパワー半導体スイッチの前または後側は互
いに隣り合ってブリッジ回路内に接続される。別の実施
例は、４つのパワー半導体スイッチを備えた第２の単相
コンバータモジュールであって、それぞれ２つずつのス
イッチング素子は互いに逆向きにされ、１つのブリッジ
辺内で並列に接続され、両辺は横方向に近接している
（即ち、相母線の方向にずらしてある）。最終的な実施
例は、４つのパワー半導体スイッチを備えた２相コンバ
ータモジュールであって、それぞれ２つずつのスイッチ
ング素子は横方向に平行の位置でブリッジ辺対を形成
し、両対は中心面に対して鏡像形状に配列され、そして
異なる相を供給する。

【０００８】本発明による母線システムの１つの長所
は、パワー半導体スイッチング素子の配列の対称性が高
レベルであり、それによって素子の電流負荷が均一にな
り、従って合計電流レベルを大きくすることを可能にし
たことである。並列接続されたパワー半導体スイッチン
グ素子が共通ゲート駆動エレクトロニクスデバイスから
短距離であるために、何等の妨害も受けることなく大規
模に制御できることが特に有利である。さらなる長所
は、少数の標準構成要素及びプラグインパワー半導体ス
イッチング素子を使用して、極めて簡単な、小型のモジ
ュラー設計のコンバータモジュールを達成できることで
ある。以下に添付図面を参照して本発明を詳細に説明す
るが、この説明から本発明がより完全に理解され、その
付随する長所の多くが容易に理解されよう。

【０００９】

【実施の形態】添付図面においては、同一の、または対
応する部品には同一の参照番号を付してある。図１に示
されているパワー半導体スイッチまたはパワー半導体モ
ジュール１は、特定的にはコンバータ、電圧コンバー
タ、またはインバータにおいて使用される「知的電力モ
ジュール」、即ちＩＰＭである。パワー半導体スイッチ
は、典型的には回路構成要素と共にモジュールハウジン
グ２内に収容されている。これはＤＣ極を有する図に見
えている細長いプラグ接点３（直流入力）を介して、及
び絶縁板４で隠れて見えないプラグ接点３（位相出力）
を介して相に接触する。モジュールの上及び下を、それ
ぞれ前側及び後側、または正面側等のように呼ぶ。パワ
ー半導体は、図示してないゲートエレクトロニクスデバ
イス、即ちゲートドライブを介して駆動される。モジュ
ールは異なる技術のパワー半導体、好ましくはＩＧＢＴ
を備えることができる。牽引の目的の場合には、大電流
及び大電力レベルをスイッチさせるために、母線システ
ムを介して複数のモジュールを相互接続しなければなら
ない。スイッチング容量を更に増加させるＩＧＢＴが引
き続き開発されているので、近い将来には並列に接続し
なければならないモジュールを減少させることができよ
う。

【００１０】図２は、本発明による母線システムの第１
の実施例であり、このシステムは相当たり最小数である
２つのパワー半導体モジュールのために設計されてお
り、スイッチング特性、空間の節約、及び設計の簡易さ
に関して最適化されている。図の左側には、直流中間回
路に接続するための母線の形状の正接続６及び負接続７
が示されている。中央及び長手方向の両側には、正接続
のための第１のラグ９及び負接続のための第１のラグ１
０、並びに相接続８のための第２のラグ１１が示されて
いる。そして右側には、更に右方の外部へ向かう相接
続、即ち相出力母線８が示されている。第１及び第２の
ラグはそれぞれ、パワー半導体スイッチを保持し、それ
に接触するように共働する。好ましくは、ラグ９、１
０、１１を直角に上に曲げて長手方向の側と平行に配向
し、スイッチを互いに逆向きにして互いに接近させ、そ
れらの前側または後側が互いに隣り合うようにする。

【００１１】Ａ−Ａ矢視断面図（図３）は、本発明によ
る配列を示している。図には、本質的に“Ｌ”字形断面
形状の正接続６及び負接続７、本質的に“Ｗ”字形断面
形状の相母線８、並びに２つのパワー半導体モジュール
１との協同が示されている。相母線８については、中央
の隆起部分は多少大きくしてもよいし、または取り除い
て“Ｕ”字形の形状にすることさえできる。全ての構成
要素は、図示してない絶縁要素を介してホールダ１２と
共に基礎板５に取付けられ、小型の構成要素を形成して
いる。ホールダ及び絶縁要素は基礎板５と一体化するこ
ともできる。活部品６、７、及び８の間の絶縁媒体とし
て空気、ガス、固体絶縁体、またはそれらの組合せを使
用することができ、最小離間距離は適切な絶縁距離及び
クリーページ距離状態に依存する。必ずしもそのように
する必要はないが、これらの表面は被膜して絶縁する。
最後に、上方から２つのパワー半導体モジュール１を挿
入すると、極めて小型で、機械的に頑丈なコンバータモ
ジュールが得られる。

【００１２】この配列は、多くの観点から極めて有利で
ある。電流経路が極めて幅広で、短く、そして両パワー
半導体スイッチング素子に対して事実上同一寸法であ
る。これらは、インダクタンスを発生するような領域を
何等含んでおらず、また逆電流方向が互いに近接してい
る。この配列は極めて大電流容量であるのに加えて、整
流回路において約 25 ｎＨの極めて低いインダクタンス
しか有していない。この場合の整流をスイッチングプロ
セスと称し、若干の場合、それはマイクロ秒程度である
ので、パワー半導体は相互交替のために高周波電流を交
換する。図４に第２の実施例を示し、図５に図４のＢ−
Ｂ矢視断面図を示す。この実施例では正接続６及び負接
続７の断面形状は本質的に“Ｕ”字形であり、第１のラ
グ９、１０が両長手方向の側を構成し、相接続８はこの
場合も“Ｗ”字形または“Ｕ”字形断面形状であって２
つのラグ１１が両長手方向の側を構成している。このコ
ンバータモジュールは、パワー半導体スイッチのための
４つの取付け空間を有している。パワー半導体スイッチ
は２つずつが互いに逆向きに位置決めされ、それらの前
側または後側が互いに対面し、そして並列に接続されて
いる。これらは、その側において半ブリッジ回路の隣接
対に接続される。

【００１３】この配列では、正接続６は、後側に離れて
位置しているパワー半導体スイッチ対にラグ９を介して
電力を供給しなければならないので、対称性は低下す
る。従って、平坦なフィード板を介して下側から接触す
るようになっている。しかしながら、結果として得られ
る整流回路のインダクタンスは典型的には約 50 ｎＨで
あり、従って常に極めて低い値が達成されている。さら
なる長所は、危険な誘起電圧スパイクの問題が極めて短
いケーブルラン１３によって大きく抑圧されるために、
並列接続されたパワー半導体スイッチング素子をそれぞ
れ共通ゲートドライブによって駆動できることである。
図６に、２相を供給する極めて小型の配列を示す。この
配列は、図４及び５を基にして、相母線８をその中心線
及びゲートフィードライン１３に沿って分離したもので
ある。得られた相母線１４及び１５は、ラグ１６及び１
７の領域において半分の幅と、半分の“Ｗ”字形または
“Ｕ”字形の外形を有している。２つの相母線は長手方
向に平行に走っており、互いに近接して位置している。
長手方向に同一の側で横方向にずらして配列されるパワ
ー半導体スイッチは、異なる“Ｕ”字形６、７に接触
し、各々が半ブリッジを形成し、そして相母線１４、１
５に接触している。第２の実施例と同様に、しかし各半
ブリッジ毎に別々に、整流電流は母線を長手方向に通っ
て流れる。

【００１４】上述した全ての例における本発明による母
線システムは、経済的に重要な設計上の長所を特徴とし
ている。例えばアルミニウム押出材、または折曲げた真
鍮部品から、最小の生産努力で作ることができる少数の
構成要素が使用されている。どの構成要素も機械的公差
に対して極めて良好に順応させることができ、母線シス
テムはｋＡ程度の大電流にも適している。電力スケーリ
ングのためには、これらの小型コンバータモジュールを
互いに極めて接近させ、横に並べてパックすればよく
（図２−６）、また構成要素を変更することなくより大
きいユニットとして相互接続することができる。本発明
によるコンバータモジュールは、インダクタンスが極め
て低いことを特徴としている。その結果、極めて鋭いス
イッチング側面、及び極めて高い周波数を達成すること
ができ、またパワー半導体の負荷、並びに回路網の反応
を低く保つことができる。更に全ての実施例は、パワー
半導体スイッチの定格の引下げ量を極めて低くすること
ができる。これは、ブリッジ辺の対称性が高レベルであ
ることによって達成されるのである。更に、もしパワー
半導体モジュールを並列に接続すれば、並列接続された
モジュール間の母線システムのインダクタンスは極めて
低くなり、ゲート駆動接続ラインが極めて短く設計され
ていることから、並列モジュールのゲート間の電位差が
最小になるため、定格の引下げが回避される。

【００１５】全ての実施例の特に有利な特色は、プラグ
インパワー半導体スイッチ、またはパワー半導体モジュ
ールを使用していることである。第１及び第２のラグ
が、パワー半導体スイッチのためのプラグイン空間とし
て動作する。実施例の正接続６と負接続７の役割は反転
させることができる。また直流接続６、７と、相接続８
の配列を交換することもできる（例えば、図３を参照さ
れたい）。この場合、第１及び第２のラグの場所を変化
させ、パワー半導体モジュールを 180°回転させて取付
け、広くなった相接続８を直流接続の下に配置する。本
発明のさらなるバージョンは、例えば、１つではなく、
複数のパワー半導体スイッチを長手方向に並列に接続す
ることによって得られる。これは、より長いラグまたは
複数のラグを使用し、同じ手法で互いに横に並べて接触
させることによって容易に達成することができる。これ
により、３つの実施例（図２−６）は全て電力スケーリ
ングすることができる。同じようにして、異なるモジュ
ールを含む複数のコンバータモジュールを、それらの相
接続８、１４、１５を介して相互接続し、電力をスケー
リングすることができる。

【００１６】以上を総合して、本発明は、最適スイッチ
ング特性を有するコンバータモジュール、及び空間を節
約するモジュラー設計を達成することを可能にする母線
システムを提供している。明らかに、以上の説明から本
発明の多くの変更及び変形が可能である。従って、本発
明は特許請求の範囲内で以上の説明以外に実施すること
が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】細長いプラグイン接点を有する従来の技術のパ
ワー半導体スイッチまたはパワー半導体モジュールの斜
視図である。

【図２】本発明による第１のコンバータモジュールの平
面図である。

【図３】図２の第１のコンバータモジュールのＡ−Ａ矢
視断面図であって、パワー半導体モジュールがプラグイ
ンされている様を示す図である。

【図４】本発明による第２のコンバータモジュールの平
面図である。

【図５】図４の第２のコンバータモジュールのＢ−Ｂ矢
視断面図であって、パワー半導体モジュールがプラグイ
ンされている様を示す図である。

【図６】本発明による第３のコンバータモジュールの平
面図である。

【符号の説明】

１ パワー半導体スイッチまたはパワー半導体モジュー
ル ２ モジュールハウジング ３ プラグイン接点 ４ 絶縁板 ５ 基礎板 ６ 正接続 ７ 負接続 ８ 相接続 ９ 第１のラグ（正極） １０ 第１のラグ（負極） １１ 第２のラグ（相） １２ ホールダ １３ ゲートフィードライン １４ 相接続１ １５ 相接続２ １６ 第２のラグ（相１） １７ 第２のラグ（相２）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 インゴー ヘルプシュト スイス ツェーハー8606 グライフェンゼ ー アム プフィシュターヘルツリー 16 (72)発明者 ウルス マイアー スイス ツェーハー5400 バーデン シェ ーレナッカーシュトラーセ 29ベー

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 パワー半導体スイッチ（１）と母線シス
   テムとを有し、上記母線システムは、正接続（６）、負
   接続（７）、及び母線の形状の相接続（８、１４、１
   ５）からなり、上記接続が絶縁要素を間に挟んで１つが
   他方の上に重ねられて基礎板（５）上に取付けられてい
   るコンバータモジュールにおいて、 ａ）上記正接続（６）及び負接続（７）は母線の形状で
   あり、一方の長手方向の側上に少なくとも１つの第１の
   突起したラグ（９、１０）を有し、 ｂ）上記各相接続（８、１４、１５）は、その長手方向
   の側上に少なくとも１つの第２の突起したラグ（１１、
   １７、１８）を有し、 ｃ）上記第１及び第２のラグとが共働して上記パワー半
   導体スイッチとの電気的接触を行い、 ｄ）上記パワー半導体スイッチの２つずつは、上記正／
   負／相接続の対向する長手方向の側上に対をなして配列
   され、それらの前側または後側が互いに隣り合っている
   ことを特徴とするコンバータモジュール。
2. 【請求項２】 ａ）上記母線は、正／負／相接続、また
   は負／正／相接続の順番で１つが他方の上に重ねられ、 ｂ）上記第１のラグ（９、１０）及び上記第２のラグ
   （１１、１６、１７）は１記母線の方向に伸び、実質的
   に直角に上方に突き出ており、 ｃ）上記パワー半導体スイッチの対は、それらの相出力
   が互いに隣り合って配向され、 ｄ）上記パワー半導体スイッチをプラグインできるよう
   にした請求項１に記載のコンバータモジュール。
3. 【請求項３】 ａ）上記正接続（６）及び上記負接続
   （７）は本質的に“Ｌ”字形の断面形状を有し、 ｂ）上記２つの“Ｌ”字形の形状（６、７）は、それら
   の第１のラグ（９、１０）が対向する長手方向の側上に
   あるように互いに交互配置され、 ｃ）上記相接続（８）は“Ｗ”または“Ｕ”字形の断面
   形状を有し、これらの長手方向の側が上記２つのラグ
   （１１）になっており、 ｄ）上記“Ｗ”または“Ｕ”字形の形状（８）は、上記
   第２のラグ（１１）が長手方向において上記第１のラグ
   （９、１０）の次に配列されるように上記“Ｌ”字形の
   形状（６、７）の間に取付けられ、 ｅ）上記パワー半導体スイッチの対は、半ブリッジ回路
   に接続されている請求項２に記載のコンバータモジュー
   ル。
4. 【請求項４】 ａ）上記正接続（６）及び上記負接続
   （７）は各々１つの、そして１つだけの第１のラグ
   （９、１０）を有し、 ｂ）上記相接続（８）は２つの、そして２つだけの第２
   のラグ（１１）を有し、 ｃ）２つの、そして２つだけのパワー半導体スイッチが
   接触されるようになっている請求項３に記載のコンバー
   タモジュール。
5. 【請求項５】 ａ）上記正接続（６）及び上記負接続
   （７）は、長手方向の両側に第１のラグ（９、１０）を
   有する第１の本質的に“Ｕ”字形の断面形状を有し、 ｂ）上記２つの第１の“Ｕ”字形の形状（６、７）は、
   一方が他方の後に配列され、上記長手方向において後方
   に離れて配列される形状は、上記直流中間回路に接触す
   るための平坦なフィード板からなり、 ｃ）上記相接続（８）は、長手方向の両側に第２のラグ
   （１１）を有する“Ｗ”または第２の“Ｕ”字形の断面
   形状を有し、 ｄ）上記“Ｗ”または第２の“Ｕ”字形の形状（８）
   は、そのラグ（１１）が長手方向において上記“Ｕ”字
   形の形状（６、７）の上記第１のラグ（９、１０）の次
   に配列されるように上記２つの第１の“Ｕ”字形の形状
   （６、７）の間に取付けられ、 ｅ）偶数番号の上記第１の“Ｕ”字形の形状を介して接
   触する上記パワー半導体スイッチの対は並列回路に接続
   され、奇数番号の上記第１の“Ｕ”字形の形状を介して
   接触する対は半ブリッジ回路に接続されている請求項２
   に記載のコンバータモジュール。
6. 【請求項６】 ａ）上記正接続（６）及び上記負接続
   （７）は各々、長手方向の両側に２つの、そして２つだ
   けの相互に隣り合うラグ（９、１０）を有し、 ｂ）上記相接続（８）は４つの、そして４つだけのラグ
   （１１）を有し、 ｃ）２つの、そして２つだけのパワー半導体スイッチが
   接触されるようになっている請求項５に記載のコンバー
   タモジュール。
7. 【請求項７】 ａ）上記正接続（６）及び上記負接続
   （７）は、長手方向の両側に第１のラグ（９、１０）を
   有する第１の本質的に“Ｕ”字形の断面形状を有し、 ｂ）上記２つの第１の“Ｕ”字形の形状（６、７）は、
   一方が他方の後に配列され、上記長手方向において後方
   に離れて配列される形状は、上記直流中間回路に接触す
   るための平坦なフィード板からなり、 ｃ）上記長手方向に平行に走る２つの相接続（１４、１
   ５）は横並びで近接して配置され、各々は半“Ｗ”字形
   の形状の断面形状を有し、 ｄ）上記各半“Ｗ”字形の形状（１４、１５）は、他方
   の相接続から離れて対向する長手方向の側上に第２のラ
   グ（１６、１７）を有し、 ｅ）上記各半“Ｗ”字形の形状（１４、１５）は、上記
   第２のラグ（１６、１７）が長手方向において上記
   “Ｕ”字形の形状（６、７）の上記第１のラグ（９、１
   ０）の次に配列されるように上記“Ｕ”字形の形状
   （６、７）の間に取付けられ、 ｆ）同一の長手方向の側上に配列されてはいるが異なる
   “Ｕ”字形の形状（６、７）と接触する上記パワー半導
   体スイッチは半ブリッジを形成し、１つの、そして１つ
   だけの相接続（１４、１５）と接触するようになってい
   る請求項２に記載のコンバータモジュール。
8. 【請求項８】 ａ）上記正接続（６）及び上記負接続
   （７）は各々、２つの、そして２つだけのラグ（１６、
   １７）を有し、 ｂ）上記相接続（１４、１５）は２つの、そして２つだ
   けのラグ（９、１０）を有し、 ｃ）４つの、そして４つだけのパワー半導体スイッチが
   接触されるようになっている請求項７に記載のコンバー
   タモジュール。
9. 【請求項９】 ａ）上記正接続（６）、上記負接続
   （７）、及び上記相接続（８、１４、１５）は、最小イ
   ンダクタンスを呈するように極めて近接して１つの上に
   他が重ねられ、 ｂ）空気、ガス、または固体絶縁体、またはこれらの媒
   体の組合せが絶縁媒体として設けられている請求項１乃
   至８の１つに記載のコンバータモジュール。
10. 【請求項１０】 ａ）中間回路、それに接続されている
    ブリッジ辺、及び出力側への相接続を有するコンバータ
    において、 ａ）上記中間回路と上記相接続との間の電気接続は、先
    行請求項の１つに記載のコンバータモジュールを備え、 ｂ）先行請求項の１つに記載の母線を有し、上記相接続
    の数及び上記コンバータの所要定格に対応する、または
    並列に接続されるパワー半導体スイッチまたはパワー半
    導体モジュールの数に対応する複数のコンバータモジュ
    ールを備えていることを特徴とするコンバータ。