JP5434857B2 - 半導体モジュール - Google Patents
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Description
金属板からなり、少なくとも一部の上記半導体素子に電気的に接続されたパワー端子と、
少なくとも一部の上記半導体素子に電気的に接続した制御端子と、
上記半導体素子を封止すると共に、上記パワー端子及び上記制御端子の一部を封止する封止部材とを備え、
上記パワー端子の主面には絶縁膜が設けられており、該絶縁膜におけるパワー端子と反対側の表面に上記制御端子が形成され、
上記絶縁膜は感光性樹脂であることを特徴とする半導体モジュールにある(請求項1)。
また、本発明の第2の態様は、複数の半導体素子と、
金属板からなり、少なくとも一部の上記半導体素子に電気的に接続されたパワー端子と、
少なくとも一部の上記半導体素子に電気的に接続した制御端子と、
上記半導体素子を封止すると共に、上記パワー端子及び上記制御端子の一部を封止する封止部材とを備え、
上記パワー端子の主面には絶縁膜が設けられており、該絶縁膜におけるパワー端子と反対側の表面に上記制御端子が形成され、
上記半導体素子と上記制御端子とは、ワイヤボンディングにより接続されていることを特徴とする半導体モジュールにある(請求項2)。
また、本発明の第3の態様は、複数の半導体素子と、
金属板からなり、少なくとも一部の上記半導体素子に電気的に接続されたパワー端子と、
少なくとも一部の上記半導体素子に電気的に接続した制御端子と、
上記半導体素子を封止すると共に、上記パワー端子及び上記制御端子の一部を封止する封止部材とを備え、
上記パワー端子の主面には絶縁膜が設けられており、該絶縁膜におけるパワー端子と反対側の表面に上記制御端子が形成され、
上記制御端子は、一部が上記封止部材から露出した露出部となっており、上記パワー端子のうち上記露出部を設けた箇所は、該露出部を設けた側とは反対側の主面が上記封止部材によって支持されていることを特徴とする半導体モジュールにある(請求項3)。
また、本発明の第4の態様は、複数の半導体素子と、
金属板からなり、少なくとも一部の上記半導体素子に電気的に接続されたパワー端子と、
少なくとも一部の上記半導体素子に電気的に接続した制御端子と、
上記半導体素子を封止すると共に、上記パワー端子及び上記制御端子の一部を封止する封止部材とを備え、
上記パワー端子の主面には絶縁膜が設けられており、該絶縁膜におけるパワー端子と反対側の表面に上記制御端子が形成され、
スイッチング素子と、該スイッチング素子に逆並列接続したフリーホイールダイオードと、温度センス用ダイオードとを上記半導体素子として備え、これら3種類の上記半導体素子からなる半導体素子群を少なくとも6個備えていることを特徴とする半導体モジュールにある(請求項4)。
本発明の第1の態様において、上記絶縁膜は感光性樹脂である(請求項1)。
そのため、プリント配線基板等を製造する際の露光技術を使うことにより、パワー端子の必要な箇所にのみ絶縁膜を形成することが容易になる。例えば、パワー端子のうち、他の部品に接続する部分は絶縁膜を形成せず、制御端子を設ける部分にのみ絶縁膜を形成することを、容易に行うことができる。
そのため、半導体素子と制御端子とを容易に、かつ僅かな金属材料で接続することができる。すなわち、制御端子と半導体素子とをワイヤボンディングした場合、ワイヤに電流が流れることになるが、制御端子に流れる電流は少ないので、ワイヤが抵抗熱で切断する不具合は生じにくい。そのため、半導体素子と制御端子とは、バスバー等の大電流を流せる金属部材で接続する必要はなく、細いワイヤで充分に接続可能である。これにより、半導体モジュールの製造コストを低減することができる。
そのため、制御端子と制御回路基板とを接続する作業を容易に行うことができる。すなわち、これらの接続作業を行う際には、例えば、制御回路基板とパワー端子とをパワー端子の板厚方向に接近させ、制御回路基板の端子を上記露出部に接触させる。この際、パワー端子のうち露出部を設けた側とは反対側の主面を封止部材で支持しておけば、パワー端子がぐらつきにくくなり、接続作業を安定して行うことができる。
このように、6個の上記半導体素子群を1個の半導体モジュール内に設けることにより、直流電力と3相交流電力との間で電力変換を行う電力変換回路を、1個の半導体モジュールのみを使って構成することができる。そのため、複数の半導体モジュールを使用する場合と比較して、半導体モジュール同士をバスバー等で接続する工程を行う必要がなくなり、電力変換装置の製造工程を簡素化することができる。また、バスバーの使用量が減るので、電力変換装置を小型化することができる。
制御端子とコレクタ端子との間の電位差は大きく、例えば電力変換回路を構成する場合は数百Vにもなる。これに対して、制御端子とエミッタ端子との間の電位差は、十数V程度である。そのため、エミッタ端子として使用するパワー端子の表面に制御端子を形成すれば、電位差が小さいので、薄い絶縁膜を使っても、パワー端子と制御端子とを充分に絶縁することができる。
本発明の実施例にかかる半導体モジュールにつき、図1〜図10を用いて説明する。
図1、図2に示すごとく、本例の半導体モジュール1は、複数の半導体素子2(2a,2b,2c)と、パワー端子4と、制御端子5と、封止部材3とを備える。
パワー端子4は、金属板からなり、半導体素子2a,2bに電気的に接続されている。また、制御端子5は、半導体素子2a,2cに電気的に接続されている。封止部材3は、半導体素子2を封止すると共に、パワー端子4及び制御端子5の一部を封止している。
図3に示すごとく、パワー端子4の主面には絶縁膜6が設けられている。そして、絶縁膜6におけるパワー端子4と反対側の表面60に制御端子5が形成されている。
以下、詳説する。
本例では上述したように、6個の半導体素子群20a〜20fによって電力変換回路を構成している。図4に示すごとく、半導体素子群20a,20b,20cに属するIGBT素子2aのコレクタ端子は、正極端子4pに接続されている。また、半導体素子群20d,20e,20fに属するIGBT素子2aのエミッタ端子は、負極端子4nに接続されている。
なお、図10に示すごとく、成形型14a,14bを分離すると、半導体モジュール1から突部140が抜けて、封止部材3に凹部35が形成される。
このようにすると、プリント配線基板等を製造する際の露光技術を使うことにより、パワー端子4の必要な箇所にのみ絶縁膜6を形成することが容易になる。例えば図1に示すごとく、パワー端子4n,4u,4v,4wのうち、他の部品に接続する部分は絶縁膜6を形成せず、制御端子5を設ける部分にのみ絶縁膜6を形成することを、容易に行うことができる。
このようにすると、半導体素子2と制御端子5とを容易に、かつ僅かな金属材料で接続することができる。すなわち、制御端子5と半導体素子2とをワイヤボンディングした場合、ワイヤに電流が流れることになるが、制御端子5に流れる電流は少ないので、ワイヤが抵抗熱で切断する不具合は生じにくい。そのため、半導体素子2と制御端子5とは、バスバー等の大電流を流せる金属部材で接続する必要はなく、細いワイヤで充分に接続可能である。これにより、半導体モジュール1の製造コストを低減することができる。
このようにすると、制御端子5と制御回路基板7とを接続する作業を容易に行うことができる。すなわち、これらの接続作業を行う際には、図5に示すごとく、制御回路基板7とパワー端子4とを該パワー端子4の板厚方向に接近させ、制御回路基板7の端子(ばね部材13)を露出部50に接触させる。この際、パワー端子4のうち露出部50を設けた側とは反対側の主面40を封止部材3で支持しておけば、パワー端子4がぐらつきにくくなり、接続作業を安定して行うことができる。
このようにすると、1個の半導体モジュール1のみを使って電力変換回路を構成することができる。そのため、複数の半導体モジュール1を使用する場合と比較して、半導体モジュール1同士をバスバー等で接続する工程を行う必要がなくなり、電力変換装置の製造工程を簡素化することができる。また、バスバーの使用量が減るので、電力変換装置を小型化することができる。
制御端子5とコレクタ端子との間の電位差は大きく、例えば電力変換回路を構成する場合は数百Vにもなる。これに対して、制御端子5とエミッタ端子との間の電位差は、十数V程度である。そのため、エミッタ端子として使用するパワー端子4の表面に制御端子5を形成すれば、電位差が小さいので、薄い絶縁膜6を使っても、パワー端子4と制御端子5とを充分に絶縁することができる。
2 半導体素子
3 封止部材
4 パワー端子
5 制御端子
6 絶縁膜
7 制御回路基板
Claims (5)
- 複数の半導体素子と、
金属板からなり、少なくとも一部の上記半導体素子に電気的に接続されたパワー端子と、
少なくとも一部の上記半導体素子に電気的に接続した制御端子と、
上記半導体素子を封止すると共に、上記パワー端子及び上記制御端子の一部を封止する封止部材とを備え、
上記パワー端子の主面には絶縁膜が設けられており、該絶縁膜におけるパワー端子と反対側の表面に上記制御端子が形成され、
上記絶縁膜は感光性樹脂であることを特徴とする半導体モジュール。 - 複数の半導体素子と、
金属板からなり、少なくとも一部の上記半導体素子に電気的に接続されたパワー端子と、
少なくとも一部の上記半導体素子に電気的に接続した制御端子と、
上記半導体素子を封止すると共に、上記パワー端子及び上記制御端子の一部を封止する封止部材とを備え、
上記パワー端子の主面には絶縁膜が設けられており、該絶縁膜におけるパワー端子と反対側の表面に上記制御端子が形成され、
上記半導体素子と上記制御端子とは、ワイヤボンディングにより接続されていることを特徴とする半導体モジュール。 - 複数の半導体素子と、
金属板からなり、少なくとも一部の上記半導体素子に電気的に接続されたパワー端子と、
少なくとも一部の上記半導体素子に電気的に接続した制御端子と、
上記半導体素子を封止すると共に、上記パワー端子及び上記制御端子の一部を封止する封止部材とを備え、
上記パワー端子の主面には絶縁膜が設けられており、該絶縁膜におけるパワー端子と反対側の表面に上記制御端子が形成され、
上記制御端子は、一部が上記封止部材から露出した露出部となっており、上記パワー端子のうち上記露出部を設けた箇所は、該露出部を設けた側とは反対側の主面が上記封止部材によって支持されていることを特徴とする半導体モジュール。 - 複数の半導体素子と、
金属板からなり、少なくとも一部の上記半導体素子に電気的に接続されたパワー端子と、
少なくとも一部の上記半導体素子に電気的に接続した制御端子と、
上記半導体素子を封止すると共に、上記パワー端子及び上記制御端子の一部を封止する封止部材とを備え、
上記パワー端子の主面には絶縁膜が設けられており、該絶縁膜におけるパワー端子と反対側の表面に上記制御端子が形成され、
スイッチング素子と、該スイッチング素子に逆並列接続したフリーホイールダイオードと、温度センス用ダイオードとを上記半導体素子として備え、これら3種類の上記半導体素子からなる半導体素子群を少なくとも6個備えていることを特徴とする半導体モジュール。 - 請求項1〜請求項4のいずれか1項において、上記半導体素子の一部はIGBT素子であり、上記制御端子は、上記IGBT素子のエミッタをなす上記パワー端子の主面に上記絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする半導体モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010206219A JP5434857B2 (ja) | 2010-09-15 | 2010-09-15 | 半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010206219A JP5434857B2 (ja) | 2010-09-15 | 2010-09-15 | 半導体モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012064677A JP2012064677A (ja) | 2012-03-29 |
JP5434857B2 true JP5434857B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=46060107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010206219A Active JP5434857B2 (ja) | 2010-09-15 | 2010-09-15 | 半導体モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5434857B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014033060A (ja) | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置モジュール |
JP5879238B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2016-03-08 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワー半導体モジュール |
JP5930980B2 (ja) * | 2013-02-06 | 2016-06-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN107004648B (zh) * | 2014-11-20 | 2019-04-23 | 日本精工株式会社 | 电子部件搭载用散热基板 |
WO2017163583A1 (ja) | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP7448481B2 (ja) | 2018-11-02 | 2024-03-12 | ローム株式会社 | 半導体装置、半導体モジュール、リレーユニット、バッテリユニット、及び車両 |
CN112930632B (zh) * | 2018-11-02 | 2023-08-04 | 罗姆股份有限公司 | 半导体单元、半导体装置、电池单元以及车辆 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001110984A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | 半導体モジュールおよびそれを用いた電気装置 |
DE102009024385B4 (de) * | 2009-06-09 | 2011-03-17 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung |
-
2010
- 2010-09-15 JP JP2010206219A patent/JP5434857B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012064677A (ja) | 2012-03-29 |
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|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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