CN103430331A - 具超晶格电流扩展层的横向接触蓝光发光二极管 - Google Patents

具超晶格电流扩展层的横向接触蓝光发光二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN103430331A
CN103430331A CN2012800121838A CN201280012183A CN103430331A CN 103430331 A CN103430331 A CN 103430331A CN 2012800121838 A CN2012800121838 A CN 2012800121838A CN 201280012183 A CN201280012183 A CN 201280012183A CN 103430331 A CN103430331 A CN 103430331A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
gallium nitride
shaped
sublayer
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012800121838A
Other languages
English (en)
Inventor
陈振
W·芬威克
S·莱斯特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Bridgelux Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bridgelux Inc filed Critical Bridgelux Inc
Publication of CN103430331A publication Critical patent/CN103430331A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen

Abstract

一种横向接触蓝光LED器件包含设置在绝缘衬底之上的PAN结构。衬底可为蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上生长GaN模板层。PAN结构包括n型GaN层、包含铟的发光有源层以及p型GaN层。n型GaN层具有至少500nm的厚度。低电阻层(LRL)设置在衬底与PAN结构之间，使得LRL与n型层的底部接触。在一个范例中，LRL为AlGaN/GaN超晶格结构，其方块电阻小于n型GnA层的方块电阻。LRL利用在n型GaN层底下横向传导电流来减小电流拥挤。LRL通过防止底下GaN模板中的位错纹路向上延伸进入PAN结构，来减小缺陷密度。

Description

具超晶格电流扩展层的横向接触蓝光发光二极管
技术领域
本发明总体涉及横向接触的GaN基蓝光发光二极管。
背景技术
发光二极管(LED)是将电能转换成光的固态器件。当对相对的掺杂层施加电压时，从夹置在掺杂层之间的半导体材料的有源层发出光。许多不同的LED器件结构是由不同材料制成，并具有不同的结构并且以不同方式执行。某些发出激光，某些产生非单色光。某些性能优化以适合特定应用。某些为高功率器件，其它则不是。某些发出的光为红外辐射，而某些发出各种颜色的可见光，另外某些发出紫外光。某些制造成本昂贵，而某些则较便宜。针对一般商业照明应用，所谓的“横向接触”蓝光LED结构常用于高电流密度。这种蓝光LED具有包含铟镓氮的多量子阱(MQW)有源层，发出例如波长范围440纳米到500纳米并且具有大于或等于每平方厘米38安培的平均电流密度的非单色光。可以提供荧光粉涂层，以吸收发出的部分蓝光。荧光粉接着发荧光以发出其它波长的光，使得整体LED器件所发出的光具有较广的波长范围。因此寻求这种蓝光LED器件的改进。
发明内容
一种横向接触蓝光LED器件包含设置在绝缘衬底之上的PAN结构。PAN结构并非用于产生激光的腔，而是包括n型层、发光有源层以及p型层，用以产生非单色光。这种有源层夹置在两个相对掺杂层之间的结构称为“PAN结构”。在一个范例中，绝缘衬底为蓝宝石衬底，n型层为厚度至少五百纳米的n掺杂氮化镓层，有源层为包括一定量的铟的多量子阱(MQW)结构，并且p型层为p掺杂氮化镓层。
在绝缘衬底与上方的PAN结构之间设置低电阻层(LRL)，使得LRL的顶部边界部分与PAN结构的n型层的底部边界部分接触。在一个范例中，LRL为具有多个周期的超晶格结构，其中至少一个周期包括氮化铝镓子层以及氮化镓子层。相较于上方的PAN结构的n型层，LRL相对更加导电。从LRL的上表面边界来考虑时，LRL具有方块电阻。而从n型层的底部表面边界来考虑时，n型层具有方块电阻。LRL的方块电阻小于n型层的方块电阻。
蓝光LED器件为横向接触器件。第一电极设置在n型层的一部分上，并与n型层的该部分电接触。而所接触的n型层位于LRL超晶格层上方。第二电极布置在p型层的一部分上，并与p型层的该部分电接触。这两个电极都可从蓝光LED器件的顶部触及。形成反射层，以覆盖衬底的底部表面。蓝光LED器件操作时，电流从第二电极，通过p型层、有源层、向下并横向通过n型层而到达第一电极，但并不通过绝缘衬底。
LRL层的第一功能在于有利于横向电流流过n型层底下。在操作时，特定电流从n型层的一部分向下流入LRL层、横向通过LRL层，并且往回向上流入n型层的另一部分，并到达第一电极。如此流过LRL层的电流有利于电流扩展并且减少LED器件中的电流拥挤。
LRL层的第二功能在于减小n型层中以及PAN结构中其它覆盖层中晶格位错缺陷的密度。在一个范例中，绝缘衬底为蓝宝石衬底，并且在蓝宝石衬底上生长氮化镓模板层。接着在模板层上形成LRL层。由于蓝宝石材料与氮化镓材料之间不同的晶格常数，生长于蓝宝石上的氮化镓具有晶格位错缺陷。随着一层又一层的氮化镓层形成，这些缺陷重复出现在每个后续层中，从而形成所谓的晶格缺陷的“纹路（thread）”。这些纹路从蓝宝石向上延伸至氮化镓界面。这些纹路中的一部分会延伸直到通过氮化镓模板层。而设置在氮化镓模板层上的LRL层中断这些位错纹路，使得纹路不会延伸超过LRL层并且进入上方的n型氮化镓层。因此，PAN结构的n型氮化镓层不会表现出底下的氮化镓模板层的较高位错缺陷密度。n型氮化镓层中减小的位错缺陷密度改善了LED器件的性能。
进一步的细节以及实施例和技术将在以下详细说明中描述。本发明内容并不旨在限定本发明。本发明由权利要求限定。
附图说明
附图例示本发明的实施例，其中同样的标记代表同样的组件。
图1是蓝光LED器件的俯视图。
图2是图1的蓝光LED器件的简化截面图。
图3是记载图1和图2的蓝光LED器件的每一层的成分、结构以及厚度的表。
图4是例示图1和图2的蓝光LED器件的操作的图示。
图5是根据一个创新方面的方法的流程图。
具体实施方式
在此将详细参考本发明的某些实施例，附图例示其范例。在以下描述以及权利要求中，当第一层被称为设置于第二层“之上”时，应理解第一层可直接在第二层上，或者第一和第二层之间可以存在一个或多个介入层。在此使用术语，例如“之上”、“之下”、“上方”、“下方”、“顶部”、“底部”、“向上”、“向下”、“竖直”以及“横向”来描述所描述的蓝光LED的不同部分之间的相对取向，应理解，所描述的整体蓝光LED结构实际上可以任何方式在三维空间中取向。
图1为根据一个创新方面的蓝光发光二极管(LED)器件1的俯视图。蓝光LED器件1包括第一电极2以及第二电极3。第一电极2为金属焊垫。第二电极3包括透明导电层(TCL)4和金属焊垫5。第二电极覆盖LED器件1超过百分之七十的表面。由于两电极的焊垫都设置在LED结构的同一侧，使得它们在图1的视图中看起来相对于彼此横向排列，因此LED器件1被称为“横向接触”LED器件。金属焊垫2和5都可从LED器件的顶部触及。
图2为图1的LED器件1的截面图。LED器件1的底层为对蓝光基本透明的衬底，例如蓝宝石衬底6(Al2O3)。此衬底是电绝缘的。蓝宝石衬底6上设置有n掺杂氮化镓(n-GaN)模板层7。在本范例中，模板层7的厚度为2000nm。氮化镓以每立方厘米1x1018个原子的浓度掺杂n型掺杂剂硅。在其它具体实施例中，模板层7为未掺杂的氮化镓(u-GaN)。
模板层7上设置低电阻层(LRL)8。LRL8被称为“低电阻”是因为其具有比其上方的n型接触层低的方块电阻。本范例中的LRL8为具有五个周期的超晶格结构。五个周期中的每一周期包括相对薄的氮化铝镓(AlGaN)子层以及相对厚的氮化镓(GaN)子层。在一个范例中，氮化铝镓子层的厚度小于氮化镓子层厚度的一半。由Al0.3Ga0.7N给出氮化铝镓子层中铝和镓的相对浓度。LRL8的每一较薄的氮化铝镓子层应变(strained to)至相邻较厚的氮化镓层和/或相邻较厚的氮化镓子层。如此，氮化铝镓子层应变至氮化镓的晶格常数。在本范例中，第一周期的底部子层为氮化铝镓子层，其位于底下的氮化镓模板层7上并与氮化镓模板层7接触。LRL8的材料以每立方厘米1x1018个原子的浓度掺杂硅。超晶格构造为在氮化镓子层中形成称为电子气体(electron gas)的区域。如本领域理解的，这些电子具有高迁移率。这造成整体LRL8具有所需的低电阻率。根据从上表面边界考虑，本范例中LRL8的方块电阻小于上方的n型层的方块电阻。
n型层9设置于LRL8上。此n型层9为厚度2000nm的n掺杂氮化镓层。氮化镓以每立方厘米5x1018个原子的浓度掺杂n型掺杂剂硅。在本范例中，如果从其底部表面边界考虑，n型层9在室温下具有每方块大约十八欧姆的方块电阻(大于每方块十五欧姆)。n型层9不可太薄，否则底下LRL超晶格降低电流拥挤的能力将基本退化，因此n型层9的厚度应该大于500nm。
应变释放层10设置于n型层9上。在本范例中，应变释放层10包括三十个周期，其中每一周期包括氮化铟镓子层以及氮化镓子层。氮化铟镓子层的厚度为2nm，并且具有由In0.05Ga0.95N给出的铟浓度。氮化镓子层的厚度为2nm。整个应变释放层10的厚度为120nm。
有源层11设置于应变释放层10上。有源层11包括十个周期，其中每一周期包括氮化铟镓子层以及氮化镓子层。氮化铟镓子层的厚度为3nm。氮化镓子层的厚度为10nm。有源层11的总厚度为130nm。
p型层12设置于有源层11上。p型层12为均匀掺杂的P型氮化镓单层。在本范例中，p型层12的上表面并不具有诸如在激光二极管中用来聚焦电流的电流聚焦脊部结构。p型层12的厚度为300nm。氮化镓整体以每立方厘米1x1020个原子的浓度均匀掺杂p型掺杂剂镁。n型层9、应变释放层10、有源层11以及p型层12一起称为PAN结构。
如图2所示，在p型层12上设置第二电极3的透明导电层(TCL)4。在本范例中，TCL为80nm厚的氧化铟锡(ITO)层。第一电极2的金属焊垫为厚度340nm的多层金属结构(Ti-Al-Ni-Au)。第二电极3的金属焊垫5为厚度220nm的多层金属结构(Ni-Au)。
图3为记载图1和图2中的蓝光LED器件1的构成层的成分、结构以及厚度的表。
图4是例示图1和图2中的蓝光LED器件1的操作的截面图。当电流从第二电极3流至第一电极2时，电子与空穴在有源层11中复合，从而发出非单色光14。LED器件1之所以称为“蓝光”LED器件在于，所发出的光14具有从大约440nm至大约500nm的波长范围。光14以许多方向发出，并且部分光在其离开LED器件时通过p型层12。
在“横向接触”蓝光LED结构中，电流应以均匀通过有源层的上表面边界区域的电流密度向下通过产生光的有源层。一旦电流垂直向下通过有源层，电流通常在返回时聚集成较高的电流密度，并且横向流过n型层至横向移位的第一电极。尽管如此，n型层中电流密度的局部峰值应该最小化。然而，在实际的LED器件中可能发生电流拥挤，使得有源层的某些部分中的电流密度显著高于其它部分。在大电流被迫通过小LED结构的商业照明应用中使用的蓝光LED中，流过这些局部电流拥挤区域的电流可能会大到使所述LED器件故障。如果未导致故障，非期望的局部电流拥挤仍然会降低能够通过所述LED结构而不会导致故障的最大电流。
根据一个创新发明，LRL8提供的第一功能在于减少覆盖的层中的电流拥挤和/或降低覆盖的层中的最大电流密度。相较于上方的n型层9，LRL8是相对导电的。LRL8直接设置于n型层9下方并与n型层9接触。因此特定电流横向通过LRL8，如图4中概念上以箭头13所示的。
在一个范例中，考虑层9/层8界面的方块电阻时，n型氮化镓层9的方块电阻高于LRL8的方块电阻。可以以各种已知的破坏性、非破坏性、直接以及间接的方法测量此用途的层的方块电阻。在一个直接且破坏性的方法中，感兴趣的层上方的所有LED器件层被磨掉或去除。可利用已知的化学机械抛光和蚀刻技术。然后将感兴趣的层的暴露的上表面附接至绝缘衬底，并且将所述感兴趣的层下方的所有层磨掉或去除。这样留下的是与LED器件的所有其它层隔离的感兴趣的层，并且将其设置于绝缘衬底。然后通过探测所述层的暴露的上表面，测量所隔离的层的方块电阻。在本范例中，当使用此过程时，所测得的厚度大约2000nm的n型氮化镓层9的方块电阻超过每方块十五欧姆，而下方的LRL8的方块电阻小于层9的方块电阻。
LRL8还提供的第二功能在于有利于在生长于蓝宝石衬底上的氮化镓模板上生长低缺陷薄膜。已经证实，生长于蓝宝石衬底上的氮化镓外延层是在其上制造GaN基LED的PAN结构的优良基础。生长于蓝宝石上的氮化镓中的晶格位错密度通常低于每平方厘米5x108个位错。因此，蓝宝石通常被认为是蓝光GaN基LED的优选衬底。尽管如此，蓝宝石与氮化镓之间仍存在晶格常数的差异。因此，在蓝宝石衬底上生长氮化镓模板层时，一些晶格位错会产生于生长中的氮化镓。根据一个创新方面，在LED器件1中提供LRL8导致蓝光LED的覆盖的外延层具有比未提供LRL8低的晶格缺陷密度。LRL8的超晶格并非深UV LED中使用的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格，在所述深UV LED中PAN结构的n型层为n掺杂的AlGaN。这种AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格如果用于蓝光LED，实际上会增加位错密度。图1和图2的蓝光LED器件中，n型层9为基本不含铝的n掺杂氮化镓。因此LRL8为AlGaN/GaN超晶格。所述超晶格的AlGaN子层应变至较厚的氮化镓层的晶格和/或至较厚的氮化镓子层的晶格。因此，LRL8的晶格常数接近匹配下方的氮化镓模板层7的晶格常数，从而减小界面处的应变，且从而避免缺陷纹路（thread）从模板层7向上继续形成。LRL8的超晶格阻止模板层7中的位错纹路向上延伸进入n型层9。图4的参考标记15标示一个这样的位错纹路。这一位错纹路15从衬底至模板的界面16向上延伸，但是由LRL8终止。之后在LRL8上生长LED的外延层时，例如n型层9，则外延层不包含同一纹路15的延续部分。
图5为方法100的流程图。在蓝宝石衬底层上方提供(步骤101)低电阻层(LRL)。在一个范例中，LRL为具有多个周期的超晶格结构。至少一个周期包括氮化铝镓子层以及氮化镓子层。氮化铝镓子层应变至氮化镓晶格。从其上表面边界考虑时，LRL的方块电阻小于上方的n型层的方块电阻。在一个范例中，此LRL为图2的LRL8并且上方的n型层为图2的层9。
在LRL上提供(步骤102)n型氮化镓层并与LRL接触。这一n型氮化镓层至少五百纳米厚。而从其下表面边界考虑，n型氮化镓层具有一大于每方块十五欧姆的方块电阻。在一个范例中，此n型氮化镓层为图2的层9。
在n型氮化镓层上提供有源层(步骤103)。在一个范例中，有源层为图2的层11，其是包含氮化铟镓子层以及氮化镓子层的多量子阱结构。在一个范例中，有源层与下方的n型氮化镓层之间设置应变释放层。在另一范例中，不存在介入的应变释放层。
在有源层上提供p型氮化镓层(步骤104)。在一个范例中，p型氮化镓层为图2的层12。
提供第一电极(步骤105)。第一电极设置在n型氮化镓层的至少一部分上并且与n型氮化镓层的所述至少一部分电接触。在一个范例中，第一电极为图2的电极2。
提供第二电极(步骤106)。第二电极设置在p型氮化镓层的至少一部分上并且与p型氮化镓层的所述至少一部分电接触。在一个范例中，第二电极为图2的电极3。形成反射层，以覆盖衬底的底部表面。在操作上，电流从第二电极，通过p型氮化镓层、有源层、n型氮化镓层并且到达第一电极，使得LED器件发出非单色蓝光。特定电流从n型氮化镓层向下流动，横向通过LRL，并且向上流入n型氮化镓层，并到达第一电极。
通过将LED器件销售给其它实体，或通过提供或运输LED器件给其它实体，可同时完成方法100的步骤101-106。通过在制造LED器件时顺序地执行步骤101-106也可完成方法100。LED器件的范例是图1和图2的LED器件1。
虽然以上出于指导目的描述了特定具体实施例，但是本专利文件的教导具有一般适用性，并且不限于上述的特定具体实施例。LRL可以以许多不同的合适方式来制造。在一个范例中，LRL包含许多周期，其中每一周期包括第一氮化铝镓层以及第二氮化铝镓层，其中两个子层内的铝浓度彼此不同。两个子层的成分由AlxGa1-xN/AlyGa1-yN给出，其中x和y为不同的非零数。虽然上面已经描述其中LRL的氮化铝镓以及氮化镓子层具有不同厚度的特定范例，但是在其它范例中子层具有基本相同的厚度。在AlGaN/GaN或AlGaN/AlGaN超晶格中，含铝的一个子层内的铝浓度可以分级。LRL可以是AlInN/GaN超晶格。LRL可以是每一周期包含三个子层的AlGaN/AlGaN/GaN超晶格。
虽然以上以LRL设置在蓝宝石衬底与上方的n型氮化镓层之间来描述蓝光LED，但是衬底并不必需为蓝宝石，而可以是另一合适的绝缘衬底或另一合适的导电衬底。在所有范例中模板层并不必需为n型氮化镓，而是可以为另一合适的模板材料。例如，氮化铝模板层可用于硅衬底上并与硅衬底接触。因此，在不偏离权利要求限定的本发明范围的情况下，可实施所描述的实施例的各种特征的各种修改、调整以及组合。

Claims (19)

1.一种用于发出非单色光的发光二极管(LED)器件，所述LED器件包括：
衬底层；
低电阻层，设置在所述衬底层之上，其中所述低电阻层包括多个周期，并且其中所述低电阻层的至少一个周期包含氮化铝镓子层以及氮化镓子层；
n型层，设置在所述低电阻层之上并与所述低电阻层接触，并且其中所述n型层具有大于至少五百纳米的厚度；
有源层，设置在所述n型层之上，其中所述有源层包括多个周期，并且其中所述有源层的至少一个周期包括氮化铟镓子层以及氮化镓子层；
p型层，设置在所述有源层之上；
第一电极，设置在所述n型层的至少一部分上并与所述n型层的所述至少一部分电接触；以及
第二电极，设置在所述p型层的至少一部分上并与所述p型层的所述至少一部分电接触，并且其中所述第一电极与所述第二电极之间的电流使所述非单色光发出并且通过所述p层。
2.根据权利要求1所述的LED器件，其中，所述低电阻层具有方块电阻，其中所述n型层具有方块电阻，并且其中所述低电阻层的方块电阻小于所述n型层的方块电阻。
3.根据权利要求1所述的LED器件，其中，所述低电阻层的所述至少一个周期的所述氮化铝镓子层应变至所述低电阻层的氮化镓子层。
4.根据权利要求3所述的LED器件，其中，所述低电阻层的所述至少一个周期的所述氮化铝镓子层的厚度小于所述低电阻层的所述至少一个周期的所述氮化镓子层的厚度的一半。
5.根据权利要求3所述的LED器件，其中，所述至少一个周期的所述氮化铝镓子层具有一厚度，其中所述低电阻层的所述至少一个周期的所述氮化镓子层具有一厚度，并且其中所述至少一个周期的所述氮化镓子层的厚度与所述至少一个周期的所述氮化镓子层的厚度基本相同。
6.根据权利要求1所述的LED器件，还包括：
超晶格层，设置在所述n型层与所述有源层之间，其中所述超晶格层包括多个周期，其中所述超晶格层的至少一个周期包括具有第一铟浓度的第一氮化铟镓子层，并且包括具有第二铟浓度的第二氮化铟镓子层，并且其中所述第一铟浓度不同于所述第二铟浓度。
7.根据权利要求1所述的LED器件，还包括：
超晶格层，设置在所述n型层与所述有源层之间，其中所述超晶格层包括多个周期，其中所述超晶格层的至少一个周期包括氮化铟镓子层以及氮化镓子层。
8.根据权利要求1所述的LED器件，其中，所述衬底层是对于蓝光基本透明的绝缘衬底层。
9.根据权利要求1所述的LED器件，其中，所述衬底层为蓝宝石层，并且其中所述LED器件还包括：
模板层，设置在所述衬底层与所述低电阻层之间，其中所述模板层是一层选自由以下构成的组的材料：未掺杂氮化镓以及n型氮化镓。
10.根据权利要求1所述的LED器件，其中，所述第二电极包括透明导电层以及金属焊垫。
11.一种用于发出非单色光的发光二极管(LED)器件，所述LED器件包括：
蓝宝石衬底层；
低电阻层，设置在所述衬底层之上，其中所述低电阻层具有方块电阻，其中所述低电阻层包括多个周期，并且其中至少一个周期包括氮化镓子层；
n型层，设置在所述低电阻层之上并与所述低电阻层接触，其中所述n型层具有至少五百纳米的厚度，其中所述n型层的方块电阻高于所述低电阻层的方块电阻；
有源层，设置在所述n型层之上，其中所述有源层包括多个周期，并且其中所述有源层的至少一个周期包括氮化铟镓子层以及氮化镓子层；
p型层，设置在所述有源层之上；
第一电极，设置在所述n型层的至少一部分上并与所述n型层的所述至少一部分电接触；以及
第二电极，电设置在所述p型层的至少一部分上并与所述p型层的所述至少一部分电接触，并且其中所述第一电极与所述第二电极之间的电流使所述非单色光发出，使得至少部分所述光通过所述p型层。
12.根据权利要求11所述的LED器件，还包括：
设置在所述n型层与所述有源层之间的应变释放层。
13.一种方法，包括：
在蓝宝石衬底层之上提供低电阻层，其中所述低电阻层包括多个周期，其中至少一个周期包括氮化镓子层以及氮化铝镓子层；
在所述低电阻层上提供n型氮化镓层并且所述n型氮化镓层与所述低电阻层接触，其中所述n型氮化镓层具有至少五百纳米的厚度，并且其中所述n型氮化镓层的方块电阻大于所述低电阻层的方块电阻；
在所述n型氮化镓层之上提供包含铟的有源层；
在所述有源层之上提供p型氮化镓层；
提供第一电极，所述第一电极设置在所述n型氮化镓层的至少一部分上并与所述n型氮化镓层的所述至少一部分电接触；以及
提供第二电极，所述第二电极设置在所述p型氮化镓层的至少一部分上并与所述p型氮化镓层的所述至少一部分电接触，从而在所述第一电极与所述第二电极之间传导电流将使非单色光从所述有源层发出，使得至少部分所述光通过所述p型氮化镓层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述低电阻层的方块电阻在室温下小于每方块十五欧姆，并且其中所述n型氮化镓层的方块电阻在室温下大于每方块十五欧姆。
15.一种用于发出非单色光的发光二极管(LED)器件，所述LED器件包括：
衬底层；
n型氮化镓层，具有至少五百纳米的厚度；
有源层，设置在所述n型氮化镓层之上，其中所述有源层包括多个周期，并且其中所述有源层的至少一个周期包括一定量的铟；
p型氮化镓层，设置在所述有源层之上；
第一电极，设置在所述n型氮化镓层的至少一部分上；
第二电极，设置在所述p型氮化镓层的至少一部分上，使得所述第一电极与所述第二电极之间的电流将使所述非单色光发出并且通过所述p型氮化镓层；以及
用于扩展电流的模块，其中所述模块的方块电阻小于所述n型氮化镓层的方块电阻，并且其中所述模块与所述n型氮化镓层接触并且设置在所述衬底层与所述n型氮化镓层之间。
16.根据权利要求15所述的LED器件，其中，所述衬底层为蓝宝石衬底层，其中用于扩展电流的所述模块设置在氮化镓模板层上并与所述氮化镓模板层接触，并且其中所述氮化镓模板层设置在所述衬底层上并与所述衬底层接触。
17.根据权利要求16所述的LED器件，其中，用于扩展电流的所述模块包括：
氮化镓子层；以及
氮化铝镓子层，其接触并应变至所述氮化镓子层，其中所述氮化铝镓子层的厚度小于所述氮化镓子层的厚度的一半。
18.一种用于发出非单色光的发光二极管(LED)器件，所述LED器件包括：
蓝宝石衬底层；
超晶格层，设置在所述蓝宝石衬底层之上，其中所述超晶格层包括多个周期，并且其中所述低电阻层的至少一个周期包括氮化铝镓子层以及氮化镓子层；
n型氮化镓层，设置在所述超晶格层之上并与所述超晶格层接触，并且其中所述n型氮化镓层具有大于至少五百纳米的厚度；
有源层，设置在所述n型氮化镓层之上，其中所述有源层包括多个周期，并且其中所述有源层的至少一个周期包括氮化铟镓子层以及氮化镓子层；
p型氮化镓层，设置在所述有源层之上；
第一电极，设置在所述n型氮化镓层的至少一部分上并与所述n型氮化镓层的所述至少一部分电接触；以及
第二电极，设置在所述p型氮化镓层的至少一部分上并与所述p型氮化镓层的所述至少一部分电接触，并且其中所述第一电极与所述第二电极之间的电流使所述非单色光从所述LED器件发出。
19.根据权利要求18所述的LED器件，其中，所述超晶格层设置在氮化镓模板层上并与所述氮化镓模板层接触，并且其中所述氮化镓模板层设置在所述蓝宝石衬底层上并与所述蓝宝石衬底层接触。
CN2012800121838A 2011-07-08 2012-05-23 具超晶格电流扩展层的横向接触蓝光发光二极管 Pending CN103430331A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/178,497 US8395165B2 (en) 2011-07-08 2011-07-08 Laterally contacted blue LED with superlattice current spreading layer
US13/178,497 2011-07-08
PCT/US2012/039208 WO2013009394A1 (en) 2011-07-08 2012-05-23 Laterally contacted blue led with superlattice current spreading layer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103430331A true CN103430331A (zh) 2013-12-04

Family

ID=47438087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012800121838A Pending CN103430331A (zh) 2011-07-08 2012-05-23 具超晶格电流扩展层的横向接触蓝光发光二极管

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8395165B2 (zh)
JP (1) JP5795432B2 (zh)
KR (1) KR101543936B1 (zh)
CN (1) CN103430331A (zh)
TW (1) TW201310698A (zh)
WO (1) WO2013009394A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104332537A (zh) * 2014-10-17 2015-02-04 厦门乾照光电股份有限公司 一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构
CN104810448A (zh) * 2015-03-27 2015-07-29 中山大学 一种横向导通GaN基发光器件生长及制备方法
CN104332536B (zh) * 2014-10-17 2017-02-15 厦门乾照光电股份有限公司 一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101159782B1 (ko) * 2010-02-05 2012-06-26 신왕균 투명 엘이디 웨이퍼 모듈 및 그 제조방법
TWI570911B (zh) * 2014-05-19 2017-02-11 新世紀光電股份有限公司 半導體結構
KR102224132B1 (ko) * 2014-08-04 2021-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 조명시스템
KR102164796B1 (ko) 2014-08-28 2020-10-14 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
TWI575748B (zh) 2014-09-01 2017-03-21 聯華電子股份有限公司 Ｐ型場效電晶體及包含該ｐ型場效電晶體的互補式金屬氧化半導體電晶體
CN105576095B (zh) * 2016-03-10 2018-02-06 厦门市三安光电科技有限公司 一种氮化物发光二极管及其制作方法
CN109904287B (zh) * 2019-01-29 2020-07-31 华灿光电（浙江）有限公司 发光二极管外延片及其生长方法
US11688825B2 (en) * 2019-01-31 2023-06-27 Industrial Technology Research Institute Composite substrate and light-emitting diode
JP7429522B2 (ja) * 2019-11-22 2024-02-08 住友化学株式会社 Ｉｉｉ族窒化物積層基板および半導体素子
US11322647B2 (en) 2020-05-01 2022-05-03 Silanna UV Technologies Pte Ltd Buried contact layer for UV emitting device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1431722A (zh) * 2003-02-18 2003-07-23 华南师范大学 Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件
CN101069290A (zh) * 2004-12-23 2007-11-07 Lg伊诺特有限公司 氮化物半导体发光器件及其制造方法
US20080251781A1 (en) * 2007-04-16 2008-10-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Nitride semiconductor light emitting device
WO2011024979A1 (ja) * 2009-08-24 2011-03-03 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 窒化物半導体素子およびその製造方法

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3100644B2 (ja) 1991-02-22 2000-10-16 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
US5306662A (en) 1991-11-08 1994-04-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of manufacturing P-type compound semiconductor
JP2917742B2 (ja) 1992-07-07 1999-07-12 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法
EP1313153A3 (en) 1992-07-23 2005-05-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device of gallium nitride compound semiconductor
JP2681733B2 (ja) 1992-10-29 1997-11-26 豊田合成株式会社 窒素−３族元素化合物半導体発光素子
JP2626431B2 (ja) 1992-10-29 1997-07-02 豊田合成株式会社 窒素−３族元素化合物半導体発光素子
US5578839A (en) 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
JP2827794B2 (ja) 1993-02-05 1998-11-25 日亜化学工業株式会社 ｐ型窒化ガリウムの成長方法
JP2778405B2 (ja) 1993-03-12 1998-07-23 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5432808A (en) 1993-03-15 1995-07-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semicondutor light-emitting device
JP2803741B2 (ja) 1993-03-19 1998-09-24 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法
EP1450415A3 (en) 1993-04-28 2005-05-04 Nichia Corporation Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device
JP2785254B2 (ja) 1993-06-28 1998-08-13 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US6005258A (en) 1994-03-22 1999-12-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III Nitrogen compound having emission layer doped with donor and acceptor impurities
JP2956489B2 (ja) 1994-06-24 1999-10-04 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
JP2666237B2 (ja) 1994-09-20 1997-10-22 豊田合成株式会社 ３族窒化物半導体発光素子
JP3548442B2 (ja) 1994-09-22 2004-07-28 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP3646649B2 (ja) 1994-09-22 2005-05-11 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5777350A (en) 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
JP2735057B2 (ja) 1994-12-22 1998-04-02 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
EP0730044B1 (en) 1995-03-01 2001-06-20 Sumitomo Electric Industries, Limited Boron-aluminum nitride coating and method of producing same
JP3332127B2 (ja) 1995-03-20 2002-10-07 株式会社東芝 半導体素子
JP2890396B2 (ja) 1995-03-27 1999-05-10 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP3250438B2 (ja) 1995-03-29 2002-01-28 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP3890930B2 (ja) 1995-03-29 2007-03-07 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP3511970B2 (ja) 1995-06-15 2004-03-29 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP3135041B2 (ja) 1995-09-29 2001-02-13 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
KR100267839B1 (ko) 1995-11-06 2000-10-16 오가와 에이지 질화물 반도체 장치
JP3209096B2 (ja) 1996-05-21 2001-09-17 豊田合成株式会社 ３族窒化物化合物半導体発光素子
JP3304787B2 (ja) 1996-09-08 2002-07-22 豊田合成株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP3780887B2 (ja) 1996-09-08 2006-05-31 豊田合成株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP3344257B2 (ja) 1997-01-17 2002-11-11 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法
JP3374737B2 (ja) 1997-01-09 2003-02-10 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP3223832B2 (ja) 1997-02-24 2001-10-29 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子及び半導体レーザダイオード
JP3506874B2 (ja) 1997-03-24 2004-03-15 豊田合成株式会社 窒素−３族元素化合物半導体発光素子
JP3795624B2 (ja) 1997-03-31 2006-07-12 豊田合成株式会社 窒素−３族元素化合物半導体発光素子
JP3654738B2 (ja) 1997-04-07 2005-06-02 豊田合成株式会社 ３族窒化物半導体発光素子
JPH114020A (ja) 1997-04-15 1999-01-06 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法、並びに半導体発光装置
JP3314666B2 (ja) 1997-06-09 2002-08-12 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP3505357B2 (ja) 1997-07-16 2004-03-08 株式会社東芝 窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法
JP3822318B2 (ja) 1997-07-17 2006-09-20 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
US6015979A (en) * 1997-08-29 2000-01-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Nitride-based semiconductor element and method for manufacturing the same
EP1928034A3 (en) 1997-12-15 2008-06-18 Philips Lumileds Lighting Company LLC Light emitting device
JP4118371B2 (ja) 1997-12-15 2008-07-16 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 電極に銀を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
JP4118370B2 (ja) 1997-12-15 2008-07-16 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 反射ｐ電極を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
JP3622562B2 (ja) 1998-03-12 2005-02-23 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光ダイオード
KR100611352B1 (ko) 1998-03-12 2006-09-27 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자
JP4629178B2 (ja) 1998-10-06 2011-02-09 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP3063756B1 (ja) 1998-10-06 2000-07-12 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP3063757B1 (ja) 1998-11-17 2000-07-12 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP3427265B2 (ja) 1998-12-08 2003-07-14 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP3424629B2 (ja) 1998-12-08 2003-07-07 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US20010042866A1 (en) 1999-02-05 2001-11-22 Carrie Carter Coman Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal
US6838705B1 (en) 1999-03-29 2005-01-04 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
JP3551101B2 (ja) 1999-03-29 2004-08-04 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP3748011B2 (ja) 1999-06-11 2006-02-22 東芝セラミックス株式会社 ＧａＮ半導体結晶成長用Ｓｉウエーハ、それを用いたＧａＮ発光素子用ウエーハ及びそれらの製造方法
JP2001077412A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
DE19955747A1 (de) 1999-11-19 2001-05-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optische Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Quantentopf-Struktur
CA2393081C (en) 1999-12-03 2011-10-11 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
TWI292227B (en) 2000-05-26 2008-01-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-dioed-chip with a light-emitting-epitaxy-layer-series based on gan
US6586762B2 (en) 2000-07-07 2003-07-01 Nichia Corporation Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power
JP3786114B2 (ja) 2000-11-21 2006-06-14 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US6649287B2 (en) 2000-12-14 2003-11-18 Nitronex Corporation Gallium nitride materials and methods
US6906352B2 (en) 2001-01-16 2005-06-14 Cree, Inc. Group III nitride LED with undoped cladding layer and multiple quantum well
US6630689B2 (en) 2001-05-09 2003-10-07 Lumileds Lighting, U.S. Llc Semiconductor LED flip-chip with high reflectivity dielectric coating on the mesa
US6958497B2 (en) 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
US6488767B1 (en) 2001-06-08 2002-12-03 Advanced Technology Materials, Inc. High surface quality GaN wafer and method of fabricating same
KR100558890B1 (ko) 2001-07-12 2006-03-14 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 반도체 소자
JP2003077835A (ja) * 2001-09-06 2003-03-14 Ngk Insulators Ltd Ｉｉｉ族窒化物素子及びｉｉｉ族窒化物エピタキシャル基板
EP1471583B1 (en) 2002-01-28 2009-10-07 Nichia Corporation Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method
JP4063548B2 (ja) 2002-02-08 2008-03-19 日本碍子株式会社 半導体発光素子
KR101030068B1 (ko) 2002-07-08 2011-04-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자
DE10245628A1 (de) 2002-09-30 2004-04-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2005159299A (ja) 2003-10-30 2005-06-16 Sharp Corp 半導体発光素子
JP4604488B2 (ja) * 2003-12-26 2011-01-05 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US7026653B2 (en) 2004-01-27 2006-04-11 Lumileds Lighting, U.S., Llc Semiconductor light emitting devices including current spreading layers
US7115908B2 (en) 2004-01-30 2006-10-03 Philips Lumileds Lighting Company, Llc III-nitride light emitting device with reduced polarization fields
US7345297B2 (en) 2004-02-09 2008-03-18 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
DE102005016592A1 (de) 2004-04-14 2005-11-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
US7791061B2 (en) 2004-05-18 2010-09-07 Cree, Inc. External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces
US7795623B2 (en) 2004-06-30 2010-09-14 Cree, Inc. Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures
US20060002442A1 (en) 2004-06-30 2006-01-05 Kevin Haberern Light emitting devices having current blocking structures and methods of fabricating light emitting devices having current blocking structures
US7737459B2 (en) 2004-09-22 2010-06-15 Cree, Inc. High output group III nitride light emitting diodes
US7335920B2 (en) 2005-01-24 2008-02-26 Cree, Inc. LED with current confinement structure and surface roughening
US7446345B2 (en) 2005-04-29 2008-11-04 Cree, Inc. Light emitting devices with active layers that extend into opened pits
KR100616686B1 (ko) 2005-06-10 2006-08-28 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 장치의 제조 방법
US7547925B2 (en) 2005-11-14 2009-06-16 Palo Alto Research Center Incorporated Superlattice strain relief layer for semiconductor devices
JP2007273946A (ja) 2006-03-10 2007-10-18 Covalent Materials Corp 窒化物半導体単結晶膜
US7910945B2 (en) 2006-06-30 2011-03-22 Cree, Inc. Nickel tin bonding system with barrier layer for semiconductor wafers and devices
US7754514B2 (en) 2006-08-22 2010-07-13 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method of making a light emitting element
US8304756B2 (en) * 2006-10-18 2012-11-06 Nitek, Inc. Deep ultraviolet light emitting device and method for fabricating same
US7557378B2 (en) 2006-11-08 2009-07-07 Raytheon Company Boron aluminum nitride diamond heterostructure
US7813400B2 (en) 2006-11-15 2010-10-12 Cree, Inc. Group-III nitride based laser diode and method for fabricating same
US7547908B2 (en) 2006-12-22 2009-06-16 Philips Lumilieds Lighting Co, Llc III-nitride light emitting devices grown on templates to reduce strain
US8021904B2 (en) 2007-02-01 2011-09-20 Cree, Inc. Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN
WO2009120990A2 (en) * 2008-03-27 2009-10-01 Nitek, Inc. Ultraviolet light emitting diode/laser diode with nested superlattice
US7791101B2 (en) 2008-03-28 2010-09-07 Cree, Inc. Indium gallium nitride-based ohmic contact layers for gallium nitride-based devices

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1431722A (zh) * 2003-02-18 2003-07-23 华南师范大学 Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件
CN101069290A (zh) * 2004-12-23 2007-11-07 Lg伊诺特有限公司 氮化物半导体发光器件及其制造方法
US20080251781A1 (en) * 2007-04-16 2008-10-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Nitride semiconductor light emitting device
WO2011024979A1 (ja) * 2009-08-24 2011-03-03 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 窒化物半導体素子およびその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104332537A (zh) * 2014-10-17 2015-02-04 厦门乾照光电股份有限公司 一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构
CN104332536B (zh) * 2014-10-17 2017-02-15 厦门乾照光电股份有限公司 一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法
CN104332537B (zh) * 2014-10-17 2017-06-16 厦门乾照光电股份有限公司 一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构
CN104810448A (zh) * 2015-03-27 2015-07-29 中山大学 一种横向导通GaN基发光器件生长及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101543936B1 (ko) 2015-08-11
KR20130143110A (ko) 2013-12-30
US8395165B2 (en) 2013-03-12
JP5795432B2 (ja) 2015-10-14
TW201310698A (zh) 2013-03-01
JP2014515564A (ja) 2014-06-30
US20130009130A1 (en) 2013-01-10
WO2013009394A1 (en) 2013-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103430331A (zh) 具超晶格电流扩展层的横向接触蓝光发光二极管
KR101552413B1 (ko) 다수의 전도성 중간층을 가지는 n-형 질화-갈륨층을 포함하는 발광 소자 및 그 제조방법
JP5802835B2 (ja) 発光装置の製造方法
US20060208264A1 (en) Nitride semiconductor LED improved in lighting efficiency and fabrication method thereof
US8791480B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
US8865565B2 (en) LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate
US20130292645A1 (en) High efficiency light emitting diode
KR101547414B1 (ko) 결합 공정을 위한 비-반응성 배리어 금속
US20130015465A1 (en) Nitride semiconductor light-emitting device
US9570657B2 (en) LED that has bounding silicon-doped regions on either side of a strain release layer
US20140203287A1 (en) Nitride light-emitting device with current-blocking mechanism and method for fabricating the same
CN108550669B (zh) 氮化物半导体结构及半导体发光元件
KR100663016B1 (ko) 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR101073249B1 (ko) 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR101534846B1 (ko) 수직구조의 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자및 제조방법
KR101459770B1 (ko) 그룹 3족 질화물계 반도체 소자
KR20090112854A (ko) 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법
KR101198357B1 (ko) 발광다이오드 및 이의 제조방법
KR101550913B1 (ko) 수직구조의 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자및 제조방법
TWI600181B (zh) 發光裝置及其製造方法
KR102237120B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR20120063185A (ko) 발광소자 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: Kanagawa, Japan

Applicant after: Bridgelux Inc

Address before: Tokyo, Japan

Applicant before: Bridgelux Inc

SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: TOSHIBA K.K.

Free format text: FORMER OWNER: TOSHIBA TECHNOLOGY CENTER CO., LTD.

Effective date: 20140611

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20140611

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: Toshiba Corp

Address before: Kanagawa, Japan

Applicant before: Bridgelux Inc

REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1191740

Country of ref document: HK

AD01 Patent right deemed abandoned

Effective date of abandoning: 20170315

C20 Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: WD

Ref document number: 1191740

Country of ref document: HK