CN103426898A - 显示装置 - Google Patents

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中野慎太郎
坂野龙则
上田知正
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Abstract

根据一个实施例，一种显示装置包括衬底、薄膜晶体管、钝化膜、氢阻挡膜、像素电极、有机发光层、相对电极和密封膜。在所述衬底的主表面上设置所述薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘膜、半导体膜、第一导电部分和第二导电部分。在所述薄膜晶体管上设置所述钝化膜。在所述钝化膜上设置所述氢阻挡膜。所述像素电极电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分之一。所述有机发光层设置在所述像素电极上。所述相对电极设置在所述有机发光层上。在所述氢阻挡膜和所述相对电极上设置所述密封膜。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请基于2012年5月24日提交的在先日本专利申请No.2012-118789并要求其优先权的权益；该申请的全部内容通过引用结合于此。
技术领域
本文描述的实施例总的来说涉及显示装置。
背景技术
有一种有源矩阵显示装置，其中诸如薄膜晶体管之类的开关元件控制通过有机EL（电致发光）器件的电流。期望改进这种显示装置中的图像质量。
发明内容
根据一个实施例，一种显示装置包括衬底、薄膜晶体管、钝化膜、氢阻挡膜、像素电极、有机发光层、相对电极和密封膜。所述衬底具有主表面。所述衬底是透光的。在所述主表面上设置所述薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘膜、半导体膜、第一导电部分和第二导电部分。在所述主表面上设置所述栅电极。在所述栅电极上设置所述栅极绝缘膜。在所述栅极绝缘膜上设置所述半导体膜。所述半导体膜包括第一区域、与所述第一区域分开的第二区域以及设置在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域。所述第一导电部分电连接至所述第一区域。所述第二导电部分电连接至所述第二区域。所述第二导电部分被设置为与所述第一导电部分分隔开。在所述薄膜晶体管上设置所述钝化膜。所述钝化膜是绝缘的。在所述钝化膜上设置所述氢阻挡膜。所述氢阻挡膜当被投影到与所述主表面平行的平面上时与所述半导体膜重叠。所述像素电极电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分之一。所述像素电极是透光的。所述有机发光层设置在所述像素电极上。所述相对电极设置在所述有机发光层上。在所述氢阻挡膜和所述相对电极上设置所述密封膜。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的显示装置的配置的示意性截面图；
图2是示出根据第一实施例的显示装置的配置的等效电路图；
图3是示出根据参考示例的显示装置的特性的曲线图；
图4A至图4D是示出用于制造根据第一实施例的显示装置的方法的示意性截面图；
图5是示出用于制造根据第一实施例的显示装置的方法的流程图；
图6是示出根据第一实施例的另一显示装置的配置的等效电路图；
图7是示出根据第一实施例的又一个显示装置的配置的示意性截面图；
图8A和图8B是示出根据第二实施例的显示装置的配置的示意图；以及
图9是示出根据第二实施例的另一显示装置的配置的示意性截面图。
具体实施方式
在下文中将参考附图来描述各个实施例。
需要注意的是，附图是示意性或概念性的。各部分的厚度和宽度之间的关系以及各部分之间的大小比例等不一定与实际相同。另外，即使在表示相同部分的情况下，所述各部分之间的尺寸和比例有时也根据附图以不同的方式进行表示。
在说明书和附图中，与在上述附图中所描述或示出的组件类似的组件用相同的附图标记来标注，并且酌情省略详细描述。
第一实施例
图1是示出根据第一实施例的显示装置的配置的示意性截面图。
如图1所示，根据本实施例的显示装置110包括衬底10、薄膜晶体管12、钝化膜13、氢阻挡膜14、像素电极16、有机发光层18、阴极20和密封膜22。
像素电极16、有机发光层18和相对电极20形成了有机EL发光元件部分24。在该示例中，像素电极16用作阳极，且相对电极20用作阴极。在实施例中，像素电极16可用作阴极，而相对电极20可用作阳极。发光元件部分24的光发射由薄膜晶体管12驱动。在显示装置110中，以矩阵结构设置薄膜晶体管12和发光元件部分24的组合。控制薄膜晶体管12的驱动和与该驱动相关联的发光元件部分24的光发射，以显示各种画面。显示装置110为使用有机EL器件的有源矩阵显示装置。
衬底10具有主表面10a。例如，透光材料被用于衬底10。例如，玻璃材料或树脂材料被用于衬底10。透光且柔性的材料被用于衬底10。例如，诸如聚酰亚胺之类的树脂材料被用于衬底10。
薄膜晶体管12设置在衬底10的主表面10a上。
薄膜晶体管12包括第一导电部分31、第二导电部分32、栅电极33、栅极绝缘膜34、半导体膜35和沟道保护膜36。
栅电极33设置在衬底10的主表面10a上。例如，诸如钼钨（MoW）、钼钽（MoTa）以及钨（W）之类的高熔点金属被用于栅电极33。
在栅电极33上设置栅极绝缘膜34。在该示例中，在整个主表面10a上设置栅极绝缘膜34以覆盖栅电极33。例如，绝缘且透光的材料被用于栅极绝缘膜34。例如，氧化硅膜、氮化硅膜和氧氮化硅膜之一被用于栅极绝缘膜34。
在所述栅极绝缘膜34上设置所述半导体膜35。栅极绝缘膜34设置在栅电极33和半导体膜35之间，且使栅电极33与半导体膜35绝缘。例如，包含In、Ga和Zn中至少一个的氧化物半导体被用于半导体膜35。即，例如，In-Ga-Zn-O氧化物半导体、In-Ga-O氧化物半导体和In-Zn-O氧化物半导体被用于半导体膜35。半导体膜35为n型或p型。在下文中，在本示例中，将描述半导体膜35为n型的情况。
在栅极绝缘膜34上设置第一导电部分31。第一导电部分31的一部分设置在半导体膜35上，并接触半导体膜35。因此，第一导电部分31电连接至半导体膜35。在栅极绝缘膜34上设置第二导电部分32。第二导电部分32被设置为与第一导电部分31分隔开。第二导电部分32的一部分设置在半导体膜35上，并接触半导体膜35。因此，第二导电部分32电连接至半导体膜35。例如，Ti、Al、Mo等被用于第一导电部分31和第二导电部分32。例如，第一导电部分31和第二导电部分32可以是包含Ti、Al和Mo中至少一个的层叠体。第一导电部分31是薄膜晶体管12的源电极和漏电极中的一个。第二导电部分32是薄膜晶体管12的源电极和漏电极中的另一个。在下文中，在本示例中，将描述第一导电部分31为源电极且第二导电部分32为漏电极的情况。
在半导体膜35上设置沟道保护膜36。沟道保护膜36保护半导体膜35。例如，氧化硅膜被用于沟道保护膜36。
第一导电部分31覆盖沟道保护膜36的第一部分36a。第二导电部分32覆盖沟道保护膜36的第二部分36b。第一导电部分31覆盖半导体膜35的第一区域35a。第二导电部分32覆盖半导体膜35的第二区域35b。第二区域35b在垂直于主表面10a的方向上与所述第一区域分开。半导体膜35具有第三区域35c，该第三区域35c设置在所述第一区域和所述第二区域之间。该第三区域35c不用第一导电部分31和第二导电部分32覆盖。当在垂直于半导体膜35的膜表面35p的方向上（下文中被称为Z轴方向）观察时，栅电极33具有位于第一导电部分31和第二导电部分32之间的部分33a。即，在栅电极33与半导体膜35的第三区域35c之间放置栅极绝缘膜34。在至少第三区域35c上设置沟道保护膜36。当向栅电极33施加电压时，在半导体膜35中产生沟道，且电流在第一导电部分31和第二导电部分32之间流过。
在薄膜晶体管12上设置钝化膜13。在该示例中，钝化膜13设置在整个主表面10a上。钝化膜13覆盖薄膜晶体管12。钝化膜13是绝缘的。钝化膜13也是透光的。例如，氧化硅膜、氮化硅膜和氧氮化硅膜之一被用于钝化膜13。
在钝化膜13上设置氢阻挡膜14。即，在薄膜晶体管12和氢阻挡膜14之间设置钝化膜13。氢阻挡膜14当被投影到与主表面10a平行的平面上时与半导体膜35重叠。氢阻挡膜14经钝化膜13覆盖半导体膜35。氢阻挡膜14覆盖至少半导体膜35中的第三区域35c。具有用于抑制氢渗透的氢阻挡特性的导电材料被用于氢阻挡膜14。包含例如Ti、Ta、TiN和TaN之一的金属材料被用于氢阻挡膜14。包含例如In、Zn、Ga、Ti和Al中至少一个的氧化物被用于氢阻挡膜14。对于氢阻挡膜14的氧化物，使用例如ITO(In-Ti-O)、IZO(In-Zn-O)、AZO(Al-Zn-O)、IGZO(In-Ga-Zn-O)、ZnO等。
钝化膜13设置有第一开口13a和第二开口13b，且第一导电部分31的一部分从第一开口13a和第二开口13b露出。氢阻挡膜14的一部分14a接触第一开口13a中的第一导电部分31。因此，氢阻挡膜14电连接至第一导电部分31。
像素电极16电连接至第一导电部分31和第二导电部分32之一。在该示例中，像素电极16电连接至第一导电部分31。
在钝化膜13上设置像素电极16。像素电极16具有沿Z轴方向与薄膜晶体管12相对的相对区域16a和沿Z轴方向不与薄膜晶体管12相对的非相对区域16b。例如，导电且透光的材料被用于像素电极16。例如，ITO等被用于像素电极16。像素电极16的相对区域16a的一部分16c与第二开口13b中的第一导电部分31接触。因此，像素电极16电连接至第一导电部分31。
因此，氢阻挡膜14经第一导电部分31电连接至像素电极16。如上所述，氢阻挡膜14电连接至第一导电部分31和第二导电部分32之一。
在氢阻挡膜14和像素电极16的相对区域16a上设置平面化膜42。例如，绝缘材料被用于平面化膜42。例如，氧化硅膜、氮化硅膜和氧氮化硅膜之一被用于平面化膜42。
有机发光层18设置在像素电极16的非相对区域16b和平面化膜42上。例如，有机发光层18接触非相对区域16b中的像素电极16。平面化膜42防止氢阻挡膜14接触有机发光层18，并防止相对区域16a接触有机发光层18。例如，一种使空穴传输层、发光层和电子传输层彼此互相堆叠的层叠体被用于有机发光层18。
相对电极20设置在有机发光层18上。相对电极20设置在平面化膜42上，且具有在半导体膜35和氢阻挡膜14上延伸的部分20a。导电材料被用于相对电极20。例如，Al、MgAg等被用于相对电极20。例如，在非相对区域16b中形成发光元件部分24。在发光元件部分24中，横跨像素电极16和相对电极20施加电压，以从有机发光层18中发出光。从有机发光层18中发出的光通过钝化膜13、栅极绝缘膜34和衬底10，并到达外部。显示装置110是下表面发射型显示装置。
密封膜22设置在相对电极20上。密封膜22覆盖有机发光层18和相对电极20。密封膜22覆盖薄膜晶体管12和氢阻挡膜14。密封膜22保护有机发光层18和相对电极20。例如，氧化硅膜、氮化硅膜和氧氮化硅膜之一被用于密封膜22。在使用这些材料的情况下，密封膜22包含1019个原子/cm3或大于1019个原子/cm3的氢。
氢阻挡膜14抑制在密封膜22中所包含的到达半导体膜35的氢，并不利地影响薄膜晶体管12的性能。
图2是示出根据第一实施例的显示装置的配置的等效电路图。
如图2所示，显示装置110包括薄膜晶体管12、氢阻挡膜14、发光元件部分24、开关晶体管50、信号线51、栅极线52和电源线53。
薄膜晶体管12的源极12S（第一导电部分31）电连接至发光元件部分24的阳极24A（像素电极16）。薄膜晶体管12的漏极12D（第二导电部分32）电连接至提供供电电压的电源线53。薄膜晶体管12的栅极12G（栅电极33）电连接至开关晶体管50的源极50S。
发光元件部分24的相对电极24C（相对电极20）连接至公共电源25（例如，接地）。开关晶体管50的漏极50D电连接至信号线51。开关晶体管50的栅极50G电连接至栅极线52。
氢阻挡膜14经上述部分14a接触第一导电部分31，并如上所述地电连接至薄膜晶体管12的源极12S。氢阻挡膜14经源极12S电连接至发光元件部分24的阳极24A。
在显示装置110中，经栅极线52向开关晶体管50的栅极50G施加电压，以使开关晶体管50转为导通状态。同时向信号线51施加电压，且经信号线51和处于导通状态的开关晶体管50向薄膜晶体管12的栅极12G施加电压。因此，根据栅极12G的电压的电流通过发光元件部分24，且以根据栅极12G的电压的亮度从发光元件部分24中发出光。
在下文中，将描述薄膜晶体管12在性能上的典型劣化。
图3是示出根据参考示例的显示装置的特性的曲线图。
图3中的水平轴表示施加给薄膜晶体管12的栅极12G的栅极电压Vg。图3中的垂直轴表示通过薄膜晶体管12的漏极12D和源极12S的电流Id。
图3中所示的样本L1是在衬底10上形成薄膜晶体管12且在其上形成钝化膜13的样本。样本L2是通过PE-CVD（等离子体增强化学气相沉积）在样本L1上进一步形成SiN作为密封膜22的样本。在样本L2中，不提供氢阻挡膜14。样本L3是以100°C的温度对样本L2退火一小时的样本。
如图3所示，在样本L1中，在薄膜晶体管12中获得适当的阈值特性。在样本L2中，薄膜晶体管12的阈值电压向负的一侧大大地偏移。当如在样本L3中那样进行退火时，阈值电压减小了，从而转变至正常导通状态。
从样本L1和样本L2之间的比较可知，阈值电压的偏移由密封膜22引起。由于半导体膜35的电阻通过在大约100℃的低温退火而进一步减小，可考虑到某些杂质发生扩散的故障模式发生了。更具体地，可考虑到，密封膜22中所包含的氢扩散到下侧，以使沟道中的IGZO膜还原从而使电阻减小，并且薄膜晶体管12的阈值电压发生波动。
在薄膜晶体管12和有机发光层18被组合的实际显示装置中，包括金属材料（例如，Al）的相对电极20设置在薄膜晶体管12和密封膜22之间。经常考虑到的是，包含在密封膜22中的氢在相对电极20处被阻挡并且不会到达薄膜晶体管12的半导体膜35。
然而，即使在半导体膜35和密封膜22之间设置相对电极20的情况下，阈值电压的偏移也没有被充分地抑制。即，由诸如Al之类的金属材料制成的相对电极20没有起到足够的作用以阻挡密封膜22中的氢。
相反，在具有低氢渗透性的氢阻挡膜14形成在薄膜晶体管12上而非诸如Al之类的相对电极20上的配置中，在形成密封膜22之后阈值电压的波动就减小了。
在根据设置有氢阻挡膜14的实施例的显示装置110中，退火后阈值电压的偏移可在形成密封膜22之后被抑制。从而，可在显示装置110中获得高图像质量。
如上所述，设置具有低氢渗透性（即，氢阻挡特性很高）的氢阻挡膜14，以抑制阈值电压的波动。
Ti、Ta、TiN、TaN等具有低氢渗透性。包含In、Zn、Ga、Ti和Al中至少一个的氧化物具有低氢渗透性。这些材料用于氢阻挡膜14，以有效地抑制阈值电压的波动。
在将包含Ti、Ta、TiN和TaN之一的金属材料用于氢阻挡膜14的情况下，薄膜晶体管12可被遮住而不受光照。从而，由入射到薄膜晶体管12的光线所引起的薄膜晶体管12的特性变化（光泄漏）可得到抑制。
在实施例中，氢阻挡膜14电连接至薄膜晶体管12的源极12S。从而，比如，设置在薄膜晶体管12上的氢阻挡膜14被充电且薄膜晶体管12无意地转变为导通状态这种情况可得到抑制。薄膜晶体管12特性上的变化也可得到抑制，该变化由来自发光元件部分24的相对电极24C的电位的不必要背栅效应引起。
图4A至图4D是示出用于制造根据第一实施例的显示装置的方法的示意性截面图。
如图4A所示，在显示装置110的制造中，在衬底10的主表面10a上形成薄膜晶体管12。在形成薄膜晶体管12的过程中，在主表面10a上形成栅电极33。在主表面10a和栅电极33上形成栅极绝缘膜34。在栅极绝缘膜34上形成半导体膜35。在半导体膜35上形成沟道保护膜36。第一导电部分31和第二导电部分32形成在栅极绝缘膜34、半导体膜35和沟道保护膜36上。
如图4B所示，在薄膜晶体管12上形成钝化膜13。例如，要成为钝化膜13的SiO2膜通过PE-CVD形成。在SiO2膜上形成第一开口13a和第二开口13b。钝化膜13的厚度为例如200nm（大于等于100nm且小于等于300nm）。在钝化膜13上形成氢阻挡膜14和像素电极16。例如，将成为氢阻挡膜14的Ti膜通过溅射形成，并以预定的形状进行加工以获得氢阻挡膜14。氢阻挡膜14的厚度为例如50nm（大于等于20nm且小于等于150nm）。将成为像素电极16的ITO膜通过溅射等形成，并以预定的形状进行加工以获得像素电极16。像素电极16的厚度为例如200nm（大于等于100nm且小于等于200nm）。形成氢阻挡膜14和形成像素电极16的顺序是可选择的。在用于像素电极16的材料被用于氢阻挡膜14的情况下，这些工艺步骤同时进行。
附图4C所示，在氢阻挡膜14和像素电极16的相对区域16a上形成平面化膜42。例如，施加将成为平面化膜42的有机树脂并对其图案化，以获得平面化膜42。在平面化膜42和像素电极16的非相对区域16b上形成有机发光层18。例如，有机发光层18通过气相沉积形成。
如图4D所示，在有机发光层18上形成相对电极20。例如，要成为相对电极20的LiF膜和Al膜的层叠膜通过气相沉积形成，并以预定的形状进行加工。在相对电极20上形成密封膜22。如上所述，制造了显示装置110。
图5是示出用于制造根据第一实施例的显示装置的方法的流程图。
如图5所示，用于制造显示装置110的方法包括：形成薄膜晶体管12的步骤S110、形成钝化膜13的步骤S115、形成氢阻挡膜14和像素电极16的步骤S120、形成有机发光层18的步骤S130、形成相对电极20的步骤S140和形成密封膜22的步骤S150。
在步骤S110中，例如，执行参考图4A所描述的工艺。在步骤S115和S120中，例如，执行参考图4B所描述的工艺。在步骤S130中，例如，执行参考图4C所描述的工艺。在步骤S140和S150中，例如，执行参考图4D所描述的工艺。
用于形成薄膜晶体管12的工艺步骤（步骤S110）可包括形成沟道保护膜36以覆盖半导体膜35的顶表面。
在所述制造方法中，氢阻挡膜14可包括Ti、Ta、TiN和TaN之一。氢阻挡膜14可包括包含In、Zn、Ga、Ti和Al中至少一个的氧化物。
用于形成氢阻挡膜14和像素电极16的工艺步骤（步骤S120）可包括将氢阻挡膜14电连接至第一导电部分31和第二导电部分32之一（例如，源极12S）。在半导体膜35为n型的情况下，用于形成氢阻挡膜14和像素电极16的工艺步骤（步骤S120）可包括将氢阻挡膜14电连接至像素电极16。
在所述制造方法中，半导体膜35可包括包含In、Ga和Zn中至少一种的氧化物半导体。密封膜22包含1019个原子/cm3或大于1019个原子/cm3的氢。在该情况下，提供氢阻挡膜14，以有效地抑制阈值电压的波动。
图6是示出根据第一实施例的另一显示装置的配置的等效电路图。
如图6所示，在显示装置112中，薄膜晶体管12的半导体膜35是p型的。像素电极16电连接至第一导电部分31和第二导电部分32之一。在该示例中，像素电极16电连接至第一导电部分31（漏极12D）。氢阻挡膜14连接至第二导电部分32（源极12S），这是第一导电部分31和第二导电部分32中的另一个。氢阻挡膜14经源极12S电连接至电源线53。
例如，如该示例中那样，在半导体膜35为p型的情况下，用于形成氢阻挡膜14和像素电极16的工艺步骤（步骤S120）可包括将氢阻挡膜14电连接至第一导电部分31和第二导电部分32中的另一个（源极12S是第二导电部分32）。
同样在显示装置112中，由于设置了氢阻挡膜14，可抑制薄膜晶体管12特性上的波动，且可提供具有高图像质量的显示装置。
图7是示出根据第一实施例的又一个显示装置的配置的示意性截面图。
如图7所示，显示装置114还包括滤色片44。滤色片44设置在氢阻挡膜14和平面化膜42之间以及像素电极16和钝化膜13之间。对于每个像素，滤色片44具有不同的颜色。例如，形成滤色片44，其中红色、绿色和蓝色树脂膜（例如，彩色抗蚀剂）之一被涂敷，且对所述彩色树脂膜进行图案化。滤色片44的膜厚为例如2μm（例如，大于等于1μm且小于等于3μm）。
如上所述，同样在氢阻挡膜14上设置有滤色片44的显示装置114中，可抑制薄膜晶体管12特性上的变化，且可获得高图像质量。
显示装置114可例如如下所述地进行制造。
在形成薄膜晶体管12之后，形成钝化膜13。其厚度为大于等于100nm且小于等于300nm的SiO2膜例如通过PE-CVD被形成为钝化膜13。SiN膜或SiONx膜可用于钝化膜13。要成为氢阻挡膜14的Ti膜（其厚度大于等于20nm且小于等于100nm）进一步通过比如溅射形成。加工该Ti膜以获得氢阻挡膜14。涂敷红色、绿色和蓝色抗蚀剂并对其进行加工以形成滤色片44。在滤色片44上形成像素电极16。在滤色片44和像素电极16上形成平面化膜42。在像素电极16上顺序地形成有机发光层18和相对电极20，以形成密封膜22。如上所述，制造了显示装置114。
第二实施例
图8A和图8B是示出根据第二实施例的显示装置的配置的示意图。
图8A是示出显示装置210的示意性截面图。图8B是示出显示装置210的示意性平面图。
如图8A和图8B所示，在显示装置210中，将变成像素电极16的材料被用于氢阻挡膜14的材料。即，氢阻挡膜14的材料基本与像素电极16的材料相同。在这种情况下，例如，诸如ITO、IZO、AZO、IGZO和ZnO之类的金属氧化物被用于氢阻挡膜14和像素电极16。氢阻挡膜14延伸到像素电极16。
同样在显示装置210中，设置氢阻挡膜14以抑制包含在密封膜22中的氢向半导体膜35的移动，用于改进图像质量。另外，在显示装置210中，可同时形成氢阻挡膜14和像素电极16。从而，可消除额外的工艺，并提供高生产率。
在该示例中，氢阻挡膜14可包括包含In、Zn、Ga、Ti和Al中至少一个的氧化物。这些材料是用于像素电极16的材料。
用于形成氢阻挡膜14和像素电极16的工艺步骤（步骤S120）可包括使用要成为像素电极16的材料来形成氢阻挡膜14。氢阻挡膜14延伸到像素电极16。从而，可获得高生产率。
图9是示出根据第二实施例的另一显示装置的配置的示意性截面图。
如图9所示，在显示装置212中，在滤色片44上设置像素电极16和延伸到像素电极16的氢阻挡膜14。同样在显示装置212中，氢阻挡膜14抑制包含在密封膜22中的氢向半导体膜35的移动，用于改进图像质量。额外的工艺同样是不必要的，且生产率也很高。
根据实施例，可提供具有高图像质量的显示装置。
在本申请的说明书中，“垂直”和“平行”不仅指严格垂直和严格平行，还包括例如由于制造工艺等引起的波动。基本上垂直和基本上平行就足够了。
在本申请的说明书中，“一个组件设置在另一个组件上”的状态包括一个组件直接设置在另一个组件上的状态以及一个组件隔着不同元件设置在另一个组件上的状态。“一个组件堆叠在另一个组件上”的状态包括一个组件堆叠在另一个组件上以互相接触的状态以及一个组件隔着不同的元件而堆叠在另一个组件上的状态。“一个组件与另一个组件相对”的状态包括一个组件直接面对另一个组件的状态以及一个组件隔着不同的元件而面对另一个组件的状态。
如上所述，参考特定示例描述本发明的实施例。
然而，本发明的实施例并不限于这些具体示例。例如，只要本领域技术人员从公知的范围适当地选择组件以类似地实现本发明用以获得类似的效果，诸如包括在显示装置中的衬底、薄膜晶体管、钝化膜、氢阻挡膜、像素电极、有机发光层、阴极、密封膜、栅电极、栅极绝缘膜、半导体膜、第一导电部分和第二导电部分之类的组件的特定配置被包含在本发明的范围内。
此外，具体示例的任何两个或更多个组件可在技术可行性的程度内组合在一起，并且被包括在本发明的范围内达包含本发明主旨的程度。
另外，可由本领域技术人员基于前述作为本发明实施例的显示装置通过适当设计调整而实践的所有显示装置也落在本发明的范围内达到包含本发明主旨的程度。
在本发明精神范围内，本领域技术人员可构想各种其他变化和修改，并且应当理解，这些变化和修改也涵盖在本发明的范围内。
尽管已描述了特定实施例，但这些实施例仅作为示例而呈现，并且不旨在限制本发明的范围。实际上，本文中所描述的新颖实施例可以各种其他形式来体现；此外，可作出以本文中所描述的实施例为形式的各种省略、替代和改变，而不背离本发明的精神。所附权利要求书及其等效方案旨在覆盖落入本发明的范围和精神的这些形式或修改。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
具有主表面的衬底，所述衬底是透光的；
设置在所述主表面上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
设置在所述主表面上的栅电极；
设置在所述栅电极上的栅极绝缘膜；
设置在所述栅极绝缘膜上的半导体膜，所述半导体膜包括第一区域、与所述第一区域分开的第二区域以及设置在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域；
电连接至所述第一区域的第一导电部分；和
电连接至所述第二区域且被设置为与所述第一导电部分分隔开的第二导电部分；
设置在所述薄膜晶体管上的钝化膜，所述钝化膜是绝缘的；
设置在所述钝化膜上的氢阻挡膜，且该氢阻挡膜当被投影到与所述主表面平行的平面上时与所述半导体膜重叠；
电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分之一的像素电极，所述像素电极是透光的；
设置在所述像素电极上的有机发光层；
设置在所述有机发光层上的相对电极；以及
设置在所述氢阻挡膜和所述相对电极上的密封膜。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述氢阻挡膜包含Ti、Ta、TiN和TaN之一。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述氢阻挡膜包含含有In、Zn、Ga、Ti和Al中的至少一种的氧化物。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述氢阻挡膜电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分之一。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述半导体膜是n型的，且
所述氢阻挡膜电连接至所述像素电极。
6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述半导体膜是p型的，且
所述氢阻挡膜电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分中的另一个。
7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述氢阻挡膜包括与所述像素电极的材料相同的材料。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述氢阻挡膜延伸到所述像素电极。
9.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述像素电极包括ITO、IZO、AZO、IGZO和ZnO中的至少一种。
10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述半导体膜包括包含In、Ga和Zn中至少之一的氧化物半导体。
11.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述密封膜包含1019个原子/cm3或大于1019个原子/cm3的氢。
12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述密封膜包括氧化硅膜、氮化硅膜和氧氮化硅膜中的至少一个。
13.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述相对电极在所述半导体膜和所述氢阻挡膜上延伸。
14.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述衬底包括树脂材料且为柔性的。
15.如权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述栅极绝缘膜被放置在所述栅电极与所述第三区域之间。
16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设置在至少所述第三区域上的沟道保护膜。
17.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述相对电极包括金属材料。
18.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述氢阻挡膜的厚度为大于等于20nm且小于等于150nm。
19.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括滤色片，
所述钝化膜在所述像素电极和所述主表面之间延伸，且
所述滤色片设置在所述像素电极和所述钝化膜之间并在所述氢阻挡膜之上。
20.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括滤色片，
所述钝化膜在所述像素电极和所述主表面之间延伸，且
所述滤色片设置在所述像素电极和所述钝化膜之间并在所述钝化膜和所述氢阻挡膜之间延伸。
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