CN111937492A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示装置。密封部(28)包括：第一无机绝缘膜(25)，其设置在多个有机EL元件(30a)上；有机膜(26)，其设置在第一无机绝缘膜(25)的上侧；第二无机绝缘膜(27)，其设置在有机膜(26)的上侧；以及透光性导电膜(70)，其设置在第一无机绝缘膜(25)、有机膜(26)以及第二无机绝缘膜(27)中的、两个密封膜之间，在边框区域(F)，第一无机绝缘膜(25)的边缘和第二无机绝缘膜(27)的边缘位于比有机膜(26)的边缘靠外侧的位置，透光性导电膜(70)与第一电极(21)或第二电极(24)电连接。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
作为取代液晶显示装置的显示装置，使用有机EL(electroluminescence)元件(发光元件)的自发光型的有机EL显示装置受到关注。此处，在有机EL显示装置中，例如下述专利文献1所记载的，多个有机EL元件配置成矩阵状，显示图像的显示区域由多个有机EL元件规定。此外，在有机EL显示装置的各有机EL元件上设置有：阳极、阴极、以及夹在该阳极与阴极之间并且具有由有机材料构成的有机EL层(发光层)的功能层。此外，在有机EL显示装置中，为了抑制水分和氧气等侵入引起的有机EL元件的劣化，设置有利用密封部覆盖有机EL元件的密封结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-54144号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
但是，在如上所述的以往的有机EL显示装置中，由于设置在其内部的内部的内部布线和电极等的电阻，有时无法抑制显示区域的亮度降低。
具体而言，在以往的有机EL显示装置中，针对多个有机EL元件的每一个设置有高电源电压线(ELVDD)，多个高电源电压线分别与多个阳极(第一电极)连接。此外，在以往的有机EL显示装置中，低电源电压电极(ELVSS)作为多个有机EL元件通用的阴极(第二电极)设置。因此，在以往的有机EL显示装置中，难以实现多个高电源电压线的电阻的低电阻化和低电源电压电极的电阻的低电阻化，或者难以减小这些个电阻的偏差。其结果为，在以往的有机EL显示装置中，有时会发生难以抑制显示区域的亮度降低的问题。
鉴于上述课题，本发明的目的在于提供一种能够抑制由于内部布线和电极等的电阻引起的亮度降低的显示装置。
解决问题的手段
为了达到上述目的，本发明所涉及的显示装置具备：基底基板；TFT层，其设置在所述基底基板上；多个发光元件，其设置在所述TFT层上；密封部，其以覆盖所述多个发光元件的方式设置；显示区域，其由所述多个发光元件限定；以及边框区域，其包围所述显示区域，其中，所述多个发光元件包括：多个第一电极、多个发光元件通用的第二电极、以及夹在所述第一电极与所述第二电极之间的功能层，所述密封部包括：第一密封膜，其设置在所述多个发光元件上；第二密封膜，其设置在所述第一密封膜的上侧；第三密封膜，其设置在所述第二密封膜的上侧；以及透光性导电膜，其设置在所述第一密封膜、所述第二密封膜以及所述第三密封膜中的、两个密封膜之间，在所述边框区域，所述第一密封膜的边缘和所述第三密封膜的边缘位于比所述第二密封膜的边缘靠外侧的位置，所述透光性导电膜与所述第一电极或所述第二电极电连接。
发明效果
由于透光性导电膜与第一电极或第二电极电连接，因此，能够抑制由内部布线和电极等的电阻而引起的显示区域的亮度降低。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的主要部分构成的平面图。
图2是对图1所示的有机EL显示装置中的显示区域的概略内部构成进行说明的图。
图3是示出图1所示的有机EL显示装置中的显示区域的主要部分构成的剖视图。
图4是示出图3所示的TFT层的等效电路图。
图5是示出图3所示的有机EL层的剖视图。
图6是示出图1所示的有机EL显示装置的主要部分构成的剖视图，是沿图1的VI-VI线剖视图。
图7是示出第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的变形例1的主要部分构成的剖视图，是与沿图1的VI-VI线剖视图相当的剖视图。
图8是示出第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的变形例2的主要部分构成的剖视图，是与沿图1的VI-VI线剖视图相当的剖视图。
图9是示出第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的变形例3的主要部分构成的平面图。
图10是示出本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的主要部分构成的平面图。
图11是示出图11所示的有机EL显示装置中的显示区域的主要部分构成的剖视图，是沿图10的XI-XI线剖视图。
图12是示出图11所示的有机EL显示装置中的显示区域的主要部分构成的剖视图，是沿图10的XII-XII线剖视图。
图13是示出第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的变形例的主要部分构成的平面图。
具体实施方式
以下，根据附图详细说明本发明的实施方式。另外，本发明不限定于以下的各实施方式。此外，在以下的说明中，举例说明将本发明应用于有机EL显示装置的情况。此外，各图中的构成部件的尺寸并不忠实地表示实际的构成部件的尺寸以及各构成部件的尺寸比例等。
《第一实施方式》
图1是示出本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的主要部分构成的平面图。图2是对图1所示的有机EL显示装置中的显示区域的概略内部构成进行说明的图。图3是示出图1所示的有机EL显示装置中的显示区域的主要部分构成的剖视图。图4是示出图3所示的TFT层的等效电路图。图5是示出图3所示的有机EL层的剖视图。图6是示出图1所示的有机EL显示装置的主要部分构成的剖视图，是沿图1的VI-VI线剖视图。
如图1所示，有机EL显示装置50a例如具备设置成矩形形状的进行图像显示的显示区域D和设置在显示区域D的周围的边框区域F。此外，在边框区域F，端子部E设置在该边框区域F的端部，设置在规定显示区域D的后述的多个发光元件上的布线(未图示)与端子部E连接。此外，在该端子部E上，例如连接有省略图示的柔性印刷电路基板，经由该柔性印刷电路基板向像素提供信号和电源电压等。
此外，在显示区域D中，如图2所示，多个子像素P排列成矩阵状。具体而言，在显示区域D中，具有用于进行红色显示的红色发光区域Lr的子像素P、具有用于进行绿色显示的绿色发光区域Lg的子像素P、以及具有用于进行蓝色显示的蓝色发光区域Lb的子像素P彼此相邻地设置。此处，在显示区域D中，由具有红色发光区域Lr、绿色发光区域Lg以及蓝色发光区域Lb的相邻的3个子像素P构成一个像素。
如图3所示，有机EL显示装置50a具备：基底基板10、设置在基底基板10上的TFT(Thin Film Transistor)层20a、以及设置在TFT层20a上的作为发光元件的有机EL元件30a。
基底基板10例如是聚酰亚胺树脂制的塑料基板。
如图3所示，TFT层20a具备：设置在基底基板10上的基底涂层膜11、设置在基底涂层膜11上的多个第一薄膜晶体管9a、多个第二薄膜晶体管9b以及多个电容器9c、以及设置在各个第一薄膜晶体管9a、各个第二薄膜晶体管9b、以及各个电容器9c上的平坦化膜19。此处，在TFT层20a中，如图2和图4所示，以在图中沿横向彼此平行地延伸的方式设置有多个栅极线12。此外，在TFT层20a中，如图2和图4所示，以在图中沿纵向彼此平行地延伸的方式设置有多个源极线Sa。此外，在TFT层20a中，如图2和图4所示，以与各源极线Sa相邻并且在图中沿纵向彼此平行地延伸的方式设置有多个电源线Sb。此外，如图4所示，各电源线Sb是构成高电源电压线(ELVDD)的内部布线，将后述的有机EL层的阳极与省略图示的高电源电压源之间导通。此外，在TFT层20a中，如图4所示，在各子像素P上分别设置有第一薄膜晶体管9a、第二薄膜晶体管9b以及电容器9c。
基底涂层膜11由例如氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图4所示，第一薄膜晶体管9a在各子像素P中与对应的栅极线12和源极线Sa连接。此外，如图3所示，第一薄膜晶体管9a具备依次设置在基底涂层膜11上的栅极电极12a、栅极绝缘膜13、半导体层14a、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及源极电极18a和漏极电极18b。
此处，如图3所示，栅极电极12a在基底涂层膜11上设置成岛状。此外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖栅极电极12a的方式设置。此外，如图3所示，半导体层14a以与栅极电极12a重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上，其具有与栅极电极12a重叠的沟道区域和夹着该沟道区域配置的源极区域和漏极区域。
此外，如图3所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖半导体层14a的沟道区域的方式依次设置。此外，如图3所示，源极电极18a和漏极电极18b以在第二层间绝缘膜17上彼此分离的方式设置。此外，如图3所示，源极电极18a和漏极电极18b经由形成在第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜上的各接触孔，分别与半导体层14a的源极区域和漏极区域连接。
此外，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17例如由氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图4所示，第二薄膜晶体管9b在各子像素P中与对应的第一薄膜晶体管9a和电源线Sb连接。此外，如图3所示，第一薄膜晶体管9b具备依次设置在基底涂层膜11上的栅极电极12b、栅极绝缘膜13、半导体层14b、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及源极电极18c和漏极电极18d。
此处，如图3所示，栅极电极12b在基底涂层膜11上设置成岛状。此外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖栅极电极12b的方式设置。此外，如图3所示，半导体层14b以与栅极电极12b重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上，其具有与栅极电极12b重叠的沟道区域和夹着该沟道区域配置的源极区域和漏极区域。
此外，如图3所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖半导体层14b的沟道区域的方式依次设置。此外，如图3所示，源极电极18c和漏极电极18d以在第二层间绝缘膜17上彼此分离的方式设置。此外，如图3所示，源极电极18c和漏极电极18d经由形成在第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜上的各接触孔，分别与半导体层14b的源极区域和漏极区域连接。
另外，虽然在本实施方式中，例示了底栅极型的第一薄膜晶体管9a和第二薄膜晶体管9b，但是第一薄膜晶体管9a和第二薄膜晶体管9b也可以是顶栅极型的TFT。
如图4所示，电容器9c在各子像素P中与对应的第一薄膜晶体管9a和电源线Sb连接。此处，如图3所示，电容器9c具备：与栅极电极12a在同一层且由同一材料形成的下部导电层12c、以覆盖下部导电层12c的方式依次设置的栅极绝缘膜13和第一层间绝缘膜15、以及在第一层间绝缘膜15上以与下部导电层12c重叠地方式设置的上部导电层16。另外，上部导电层16也被称为电容布线。
平坦化膜19由例如亚克力树脂、聚酰亚胺树脂或环氧树脂等无色透明的有机树脂材料构成。
如图3所示，有机EL元件30a具备依次设置在平坦化膜19上的多个第一电极21、边缘罩22、多个有机EL层23、第二电极24以及密封部28。
如图3所示，多个第一电极21以与多个子像素P对应的方式在平坦化膜19上设置成矩阵状。此外，第一电极21是有机EL元件30a的阳极，如图3所示，经由形成在平坦化膜19上的接触孔Ca，与各第二薄膜晶体管9b的漏极电极18d连接。此外，第一电极21经由作为有机EL元件30a的驱动用晶体管的第二薄膜晶体管9b与电源线Sb电连接(参照图4)。此外，第一电极21具有在有机EL层23上注入空穴(hole)的功能。此外，为了提高针对有机EL层23的空穴注入效率，第一电极21更优选由功函数较大的材料形成。
具体而言，作为构成第一电极21的材料，例如能够举出：银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等金属材料。此外，构成第一电极21的材料也可以是例如砹(At)/氧化砹(AtO2)等合金。此外，构成第一电极21的材料也可以是例如氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)，铟锡氧化物(ITO)，铟锌氧化物(IZO)这样的导电性氧化物等。此外，第一电极21也可以形成为层叠多层由上述材料构成的层。另外，作为功函数较大的化合物材料，例如能够举出：铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)等。
如图3所示，边缘罩22以覆盖各第一电极21的周缘部的方式设置成格子状。此处，作为构成边缘罩22的材料，例如能够举出：聚酰亚胺树脂、亚克力树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛树脂树脂等有机膜。
如图3所示，多个有机EL层23配置在各第一电极21上，以与多个子像素对应的方式设置成矩阵状。此外，如图5所示，各有机EL层23具备依次设置在第一电极21上的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4以及电子注入层5。
空穴注入层1也被称为阳极缓冲层，具有使第一电极21和有机EL层23的能级接近，改善从第一电极21向有机EL层23的空穴注入效率的功能。
空穴输送层2具有提高从第一电极21向有机EL层23的空穴的输送效率的功能。
发光层3是在被第一电极21和第二电极24施加电压时，从第一电极21和第二电极24分别注入空穴和电子，并且空穴和电子再结合的区域。
电子输送层4具有使电子高效地移动到发光层3的功能。
电子注入层5具有使第二电极24和有机EL层23的能级接近，提高从第二电极24向有机EL层23注入电子的效率的功能，利用该功能，能够降低有机EL元件30的驱动电压。另外，电子注入层5也被称为阴极缓冲层。
此外，上述空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4以及电子注入层5构成权利要求书中的功能层。另外，除该说明以外，功能层例如也可以是空穴注入层兼空穴输送层、发光层以及电子输送层兼电子注入层的三层层叠结构。
第二电极24是有机EL元件30a的阴极，如图3所示，以覆盖各有机EL层23和边缘罩22的方式设置。此外，该第二电极24为多个有机EL元件30a共用，构成为低电源电压电极(ELVSS)。此外，第二电极24经由端子部E与低电源电压源(未图示)连接。此外，第二电极24具有向有机EL层23注入电子的功能。此外，为了提高向有机EL层23的电子注入效率，优选第二电极24由功函数较小的材料构成。
具体而言，作为构成第二电极24的材料，例如能够举出：银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。此外，第二电极24也可以由例如镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金形成。
此外，第二电极24也可以由例如氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。此外，第二电极24也可以层叠多层由上述材料构成的层而形成。
另外，作为功函数较小的材料，例如能够举出：镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
密封部28在有机EL显示装置50a中以覆盖多个有机EL元件(发光元件)30a的方式设置。此外，如图3所示，该密封部28具备：以覆盖第二电极24的方式设置的第一无机绝缘膜25、设置在第一无机绝缘膜25上的有机膜26、以及以覆盖有机膜26的方式设置的第二无机绝缘膜27，该密封部28具有在水分和氧气等环境下保护有机EL层23的功能。
第一无机绝缘膜25是设置在多个有机EL元件30a上的第一密封膜。此外，第二无机绝缘膜27是设置在作为第二密封膜的有机膜26上侧的第三密封膜。此外，第一无机绝缘膜25和第二无机绝缘膜27由例如氧化硅(SiO2)和氧化铝(Al2O3)、四氮化三硅(Si3N4)这种氮化硅(SiNx(x为正数))、碳氮化硅(SiCN)等无机材料构成。
有机膜26是设置在上述第一密封膜的上侧的第二密封膜。此外，有机膜26由例如亚克力树脂、多脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等能够通过喷墨方式涂布的感光性有机材料构成。另外，如图3所例示的，有机膜26的膜厚构成为比第一无机绝缘膜25的膜厚和第二无机绝缘膜27的膜厚厚的膜厚。具体而言，第一无机绝缘膜25和第二无机绝缘膜27例如各自以1μm的膜厚形成。另一方面，有机膜26例如以10μm的膜厚形成。
此外，如图1所示，有机EL显示装置50a在边框区域F具备包围显示区域D的框状的第一堤45和包围该第一堤45的框状的第二堤46，通过该第一堤45和第二堤46来限制通过喷墨方式等涂布的上述感光性有机材料的湿润扩散。
第一堤45例如与平坦化膜19在同一层且由同一材料形成。此外，如图6所例示，该第一堤45以与有机膜26的边缘26e重叠的方式构成。此外，如图1中双点划线所示，第二电极24以俯视时覆盖显示区域D的方式，并且设置在第一堤45与显示区域D之间。
此外，如图6所示，第二堤46例如具备：与平坦化膜19在同一层且由同一材料形成的下层堤46a和与边缘罩22(图3)在同一层且由同一材料形成并且层叠在下层堤46a上的上层堤46b。此外，如图1所示，第一无机膜25、后述的透光性导电膜70以及第二无机绝缘膜27设置成在俯视观察时，覆盖第二堤46，并且，框状的各边缘依次位于第二堤46的外侧的位置。
也就是说，在本实施方式的有机EL显示装置50a中，如图6所例示，第一无机绝缘膜25的边缘25e和第二无机绝缘膜27的边缘27e在边框区域F(图1)中，位于有机膜26的边缘26e的外侧的位置。此外，如同一图6所示，由于第二无机绝缘膜27的边缘27e位于第一无机绝缘膜25的边缘25e的外侧的位置，因此，在密封部28(图3)中，最外层的第二无机绝缘膜27覆盖多个有机EL元件30a，能够可靠地提高针对各有机EL元件30a的密封性能。
此外，在本实施方式的有机EL显示装置50a中，在第一无机绝缘膜25、有机膜26以及第二无机绝缘膜27中的、两个密封膜之间，设置有上述的透光性导电膜70。该透光性导电膜70如后文所述，与第二电极24电连接。此外，如图1中点划线所示，俯视观察时，在该透光性导电膜70构成为其边缘70e位于第一堤45和第二堤46的外侧的位置。
此外，透光性导电膜70除了例如ITO(Indium Tin Oxide)、ITO(Indium ZincOxide)等金属化合物膜以外，还通过柔性优异的石墨烯膜、金属纳米线膜(例如、包括银纳米线或者铜纳米线的膜)、金属纳米粒子膜(例如、包括银纳米线或者铜纳米线的膜)形成。此外，该透光性导电膜70的膜厚例如为100nm。
此外，如图6所示，本实施方式的透光性导电膜70具有：第一导电部分70a，其设置在有机膜26的边缘26e的内侧的第一无机绝缘膜25与有机膜26之间；第二导电部分70b，其与该第一导电部分70a连续地形成，并且设置在有机膜26的边缘26e的外侧的第一无机绝缘膜25与第二无机绝缘膜27之间；以及第三导电部分70c，其与该第二导电部分70b连续地形成，并且在第一无机绝缘膜25的边缘25e的外侧被第二无机绝缘膜27覆盖。
也就是说，第一导电部分70a以覆盖显示区域D的方式设置在第一无机绝缘膜25上一直到有机膜26的边缘26e为止。第二导电部分70b在有机膜26的边缘26e与第一无机绝缘膜25的边缘25e之间设置在第一无机绝缘膜25上。第三导电部分70c在第一无机绝缘膜25的边缘25e与第二无机绝缘膜27的边缘27e之间以被第二无机绝缘膜27覆盖的状态设置成与电极导通部A1和第二层间绝缘膜17相接。另外，在图6中，例示了电极导通部A1形成在比布线导通部S1更靠显示区域D的外侧，但是，在电极导通部A1形成在比布线导通部S1靠内侧的情况下(例如，电极导通部A1在第二堤46中，形成到下层堤46a的上层的情况下)，第三导电部分70c在第一无机绝缘膜25的边缘25e与透光性导电膜70的边缘70sg(图1)之间以被第二无机膜27覆盖的状态设置成与布线导通部S1和第二层间绝缘膜17相接。
电极导通部A1与第一电极21在同一层且由同一材料形成。此外，如图6所示，该电极导通部A1在设置于平坦化膜19的由狭缝构成的沟槽T中，与第二电极24彼此接触。由此，第三导电部分70c与电极导通部A1或布线导通部S1相接从而与第二电极24电连接。这样，透光性导电膜70经由电极导通部A1或布线导通部S1与第二电极24电连接。
此外，电极导通部A1与布线导通部S1在边框区域F彼此接触，所述布线导通部S1与TFT层20a(图3)的布线层、例如、源极线Sa在同一层且由同一材料形成(参照图6)。具体而言，电极导通部A1与布线导通部S1的接触(接触)区域设置为与例如平坦化膜19开口并露出布线导通部S1的部分(图1中朝向右上的阴影部和交叉阴影部所示的部分)对应，与显示区域D的四边中的、除了与端子部E相对的一边的中央部的部分对应。这与以包围显示区域D的方式形成在平坦化膜19与第二堤46之间的平坦化膜19的开口的部分或者第二堤的显示区域D的靠外侧的平坦化膜19的开口的部分对应。
此外，布线导通部S1形成在例如图1中朝向右上的阴影部和交叉阴影部所示的区域，经由省略图示的引绕布线和端子部E与上述的低电源电压源电连接，该低电源电压源与第二电极24彼此导通。交叉阴影部所示的部分如前所述，可以如图6那样形成布线导通部S1和电极导通部A1双方，也可以形成布线导通部S1或电极导通部A1中的任意一方。至少第三导电部分70c与布线导通部S1或电极导通部A1相接而电连接，从而与第二电极24导通即可。
另外，如图1中朝向右下的阴影部所例示的，高电源电压干线部(高电源电压电极部)H1例如与源极线Sa在同一层且由同一材料形成在与上述端子部E相对的一边的中央部的第一堤45和第二堤46的下层。从该高电源电压干线部H1分支出多个电源线Sb(图2)，延伸到显示区域D。此外，该高电源电压干线部H1经由省略图示的引绕布线和端子部E与上述的高电源电压源电连接。
上述有机EL显示装置50a构成为，在各子像素P中，通过经由栅极线12向第一薄膜晶体管9a输入栅极信号，从而使第一薄膜晶体管9a成为打开状态，经由源极线Sa向第二薄膜晶体管9b的栅极电极12b以及电容器9c写入与源极信号对应的规定的电压，根据第二薄膜晶体管9b的栅极电压，规定的来自电源线Sb的电流被提供到有机EL层23，从而有机EL层23的发光层3发光，进行图像显示。
此外，在有机EL显示装置50a中，即使第一薄膜晶体管9a变成关闭状态，第二薄膜晶体管9b的栅极电压也由电容器9c保持，因此，维持发光层3的发光直到输入下一帧的栅极信号。
在以上的构成的本实施方式的有机EL显示装置50a中，透光性导电膜70与第二电极24电连接。由此，在本实施方式的有机EL显示装置50a中，能够容易地实现第二电极24的电阻的低电阻化，并且能够大幅抑制在该电阻中产生偏差。其结果为，在本实施方式中，能够容易地构成抑制了显示区域D的亮度降低的高性能的有机EL显示装置50a。
此外，在本实施方式的有机EL显示装置50a中，透光性导电膜70设置有：设置在第一无机绝缘膜25与有机膜26之间的第一导电部分70a、设置在第一无机绝缘膜25与第二无机绝缘膜27之间的第二导电部分70b以及被第二无机绝缘膜27覆盖的第三导电部分70c。由此，在本实施方式的有机EL显示装置50a中，能够提高针对有机EL元件30a的密封性能，能够容易地实现该有机EL元件30a的长寿命化。
《第一实施方式的变形例1》
图7是示出第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的变形例1的主要部分构成的剖视图，是与沿图1的VI-VI线的剖视图相当的剖视图。
在图中，本实施方式与上述第一实施方式的不同点在于，除了形成在有机膜26的下层的透光性导电膜70(第一导电部分70a、第二导电部分70b以及第三导电部分70c)之外，还设置了形成在有机膜26的上层的透光性导电膜70(第四导电部分70d、第五导电部分70e以及第六导电部分70f)。另外，对于与上述第一实施方式共通的要素标注相同的符号，省略其重复的说明。
在本实施方式的有机EL显示装置50b中，如图7所示，上层的透光性导电膜70具有：第四导电部分70d，其设置在有机膜26的边缘26e的内侧的有机膜26与第二无机绝缘膜27之间；第五导电部分70e，其与第四导电部分70d连续地形成，并且设置在有机膜26的边缘26e的外侧的第二导电部分70b与第二无机绝缘膜27之间；以及第六导电部分70f，其与第五导电部分70e连续地形成，并且在第一无机绝缘膜25的边缘25e的外侧被第二无机绝缘膜27覆盖。
具体而言，第四导电部分70d与第一导电部分70a相同地，以覆盖显示区域D的方式设置在该有机膜26上一直到有机膜26的边缘26e为止。第五导电部分70e在有机膜26的边缘26e与第一无机绝缘膜25的边缘25e之间设置成与第二导电部分70b相接。第六导电部分70f在第一无机绝缘膜25的边缘25e与第二无机绝缘膜27的边缘27e之间以被第二无机绝缘膜27覆盖的状态设置成与第三导电部分70c和第二层间绝缘膜17相接。
此外，如图7所示，上层的透光性导电膜70与上述第一实施方式的下层的透光性导电膜70相同地，经由布线导通部S1和电极导通部A1与第二电极24电连接。另外，如果第六导电部分70f是第五导电部分70e的一部分，并且与第二导电部分70b相接并与下层的透光性导电膜70电连接，则也可以不具有第六导电部分70f。
通过以上的构成，在本实施方式中，能够起到与上述第一实施方式相同的作用和效果。此外，在本实施方式中，与上述第一实施方式相比，还设置有上层的透光性导电膜70(第四导电部分70d、第五导电部分70e以及第六导电部分70f)，因此能够更容易地实现第二电极24的电阻的低电阻化，并且，能够更加大幅抑制在该电阻上产生偏差。因此，在本实施方式的有机EL显示装置50b中，能够进一步抑制显示区域D的亮度降低。
此外，在本实施方式的有机EL显示装置50b中，在上述第一实施方式的基础上，还补充具备分别设置在第一无机绝缘膜25、有机膜26、以及第二无机绝缘膜27中的、两个密封膜之间的第四导电部分70d、第五导电部分70e以及第六导电部分70f，因此，与上述第一实施方式相比，能够提高针对有机EL元件30a的密封性能，能够更容易地实现该有机EL元件30a的长寿命化。
《第一实施方式的变形例2》
图8是示出第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的变形例2的主要部分构成的剖视图，是与沿图1的VI-VI线剖视图相当的剖视图。
在图中，本实施方式与上述第一实施方式的不同点在于，取代下层的透光性导电膜70(第一导电部分70a、第二导电部分70b以及第三导电部分70c)，设置上层的透光性导电膜70(第四导电部分70d、第五导电部分70e以及第六导电部分70f)。另外，对于与上述第一实施方式共通的要素标注相同的符号，省略其重复的说明。
在本实施方式的有机EL显示装置50c中，如图8所示，透光性导电膜70具有：第四导电部分70d，其设置在有机膜26的边缘26e的内侧的有机膜26与第二无机绝缘膜27之间；第五导电部分70e，其与第四导电部分70d连续地形成，并且设置在有机膜26的边缘26e的外侧的第一无机绝缘膜25与第二无机绝缘膜27之间；以及第六导电部分70f，其与第五导电部分70e连续地形成，并且在第一无机绝缘膜25的边缘25e的外侧被第二无机绝缘膜27覆盖。
具体而言，第四导电部分70d与第一导电部分70a相同地，以覆盖显示区域D的方式设置在该有机膜26上一直到有机膜26的边缘26e为止。第五导电部分70e在有机膜26的边缘26e与第一无机绝缘膜25的边缘25e之间设置成与第一无机绝缘膜25相接。第六导电部分70f在第一无机绝缘膜25的边缘25e与第二无机绝缘膜27的边缘27e之间以被第二无机绝缘膜27覆盖的状态设置成与电极导通部A1(或布线导通部S1)和第二层间绝缘膜17相接。
此外，在透光性导电膜70中，第六导电部分70f与电极导通部A1(或布线导通部S1)彼此相接，透光性导电膜70与上述第一实施方式相同地，经由电极导通部A1或布线导通部S1与第二电极24电连接。
根据以上的构成，在本实施方式中，能够起到与上述第一实施方式相同的作用和效果。
《第一实施方式的变形例3》
图9是示出第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的变形例3的主要部分构成的平面图。
在图中，本实施方式与上述第一实施方式的不同点在于，第一无机绝缘膜25的边缘25e比透光性导电膜70的边缘70eg靠外侧。另外，对于与上述第一实施方式共通的要素标注相同的符号，省略其重复的说明。
在本实施方式的有机EL显示装置50e中，如图10所示，在边框区域F中，在与端子部E相对的显示区域D侧的一部分，第一无机绝缘膜25的边缘25e(图6)位于比透光性导电膜70的边缘70eg靠外侧的位置。由此，第一无机绝缘膜25设置在透光性导电膜70与设置在该透光性导电膜70的基底基板10侧的省略图示的布线之间，在该区域也能够形成布线。具体而言，在端子部E与高电源电压干线部H1之间，设置有多个引绕布线(未图示)作为上述布线，所述多个引绕布线与源极线Sa在同一层且由同一材料形成，这些引绕布线通过电阻率比栅极线12低的材料(例如、铝和铜)形成。在本实施方式中，在第一实施方式的效果之上，通过在端子部E侧的边，将第一无机绝缘膜25的边缘25e形成在透光性导电膜70的边缘70eg的外侧，从而能够在该区域设置引绕布线，与将该区域的布线设为与栅极线12在且同一层由同一材料形成的引绕布线相比，能够减小布线电阻。这也适用于透光性导电膜70形成在有机膜26的下层或上层的任意一方的上述的各实施方式。
《第二实施方式》
图10是示出本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的主要部分构成的平面图。图11是示出图11所示的有机EL显示装置中的显示区域的主要部分构成的剖视图，是沿图10的XI-XI线剖视图。图12是示出图11所示的有机EL显示装置中的显示区域的主要部分构成的剖视图，是沿图10的XII-XII线剖视图。
在图中，本实施方式与上述第一实施方式的主要不同点在于，透光性导电膜70与第一电极21电连接。另外，对于与上述第一实施方式共通的要素标注相同的符号，省略其重复的说明。
在本实施方式的有机EL显示装置50f中，如图12所示，透光性导电膜70具有：第四导电部分70d，其设置在有机膜26的边缘26e的内侧的有机膜26与第二无机绝缘膜27之间；第五导电部分70e，其与第四导电部分70d连续地形成，并且设置在有机膜26的边缘26e的外侧的第一无机绝缘膜25与第二无机绝缘膜27之间；以及第六导电部分70f，其与第五导电部分70e连续地形成，并且在第一无机绝缘膜25的边缘25e的外侧被第二无机绝缘膜27覆盖。
具体而言，第四导电部分70d与第一导电部分70a相同地，以覆盖显示区域D的方式设置在该有机膜26上一直到有机膜26的边缘26e为止。第五导电部分70e在有机膜26的边缘26e与第一无机绝缘膜25的边缘25e之间设置成与第一无机绝缘膜25相接。第六导电部分70f在第一无机绝缘膜25的边缘25e与第二无机绝缘膜27的边缘27e之间以被第二无机绝缘膜27覆盖的状态设置成与后述的电极导通部A3(或布线导通部S2)和第二层间绝缘膜17相接。
此外，在本实施方式的有机EL显示装置50f中，如图10中交叉阴影部所示，设置有多个、例如为四个高电源电压电极部EU、ED、EL以及ER。不过，也可以如第一实施方式所示，连续地设置有高电源电压电极部。这些各高电源电压电极部EU、ED、EL以及ER经由作为与第一电极21在同一层且由同一材料形成的上述电极导通部A3和与源极线Sa在同一层且由同一材料形成的布线导通部S2的接触区域，即省略图示的引绕布线和端子部E与上述的高电源电压源电连接。
此外，在高电源电压电极部ED中，如图10中朝向右下的阴影部所例示的，与和电极导通部A3接触的接触区域连续地，具有与源极线Sa在同一层且由同一材料形成的高电源电压干线部H2，电连接有电源线Sb的一端。此外，该电源线Sb的另一端与高电源电压电极部EU电连接。此外，电源线Sb在图10中朝向右上的阴影部所示的、与布线导通部S1(与第二电极24电导通)的交差部中，通过替换连接到与栅极线12(或电容布线16)在同一层且由同一材料形成的布线部，从而防止与该布线导通部S1的导通。由此，透光性导电膜70经由包含在上述高电源电压线中的电源线Sb与第一电极21电连接。
此外，在本实施方式的有机EL显示装置50f中，如图11所示，上述布线导通部S1和与第一电极21在同一层且由同一材料形成的电极导通部A2彼此接触。该电极导通部A2通过沟槽T与第二电极24电连接。由此，在本实施方式的有机EL显示装置50f中，第二电极24与上述低电源电压源彼此导通。
此外，在本实施方式的有机EL显示装置50f中，如图11所示，上述布线导通部S2经由形成在第二层间绝缘膜17上的接触孔与高电源电压分岐线Sc电连接，所述高电源电压分岐线Sc与上部导电层(电容布线)16在同一层且由同一材料形成。高电源电压分岐线Sc包含在上述的高电源电压线中，如图11所示，沿同一图的左右方向排列多个，以与多个电源线Sb成为矩阵状的方式配设在显示区域D上。在电源线Sb与电源线Sc交叉的位置处，经由形成在第二层间绝缘膜17上的接触孔，电源线Sb与电源线Sc电连接。此外，多个高电源电压分岐线Sc的一端和另一端分别与高电源电压电极部EL和ER电连接。而且，各高电源电压分岐线Sc在各个高电源电压电极部EL和ER中，经由电极导通部A3与透光性导电膜70电连接。
另外，除了上述的说明以外，也可以使用与栅极线12在同一层且由同一材料形成的高电源电压分岐线Sc的构成。
在以上构成的本实施方式的有机EL显示装置50f中，透光性导电膜70与第一电极21电连接。由此，在本实施方式的有机EL显示装置50f中，能够容易地实现第一电极21的电阻的低电阻化，并且能够大幅抑制在该电阻上产生偏差。其结果为，在本实施方式中，能够容易地构成抑制了显示区域D的亮度降低的高性能的有机EL显示装置50f。
此外，在本实施方式的有机EL显示装置50f中，透光性导电膜70与包含在高电源电压线中的电源线Sb和高电源电压分岐线Sc连接，因此，能够容易地实现高电源电压线的电阻的低电阻化，并且能够大幅抑制在该电阻上产生偏差。其结果为，在本实施方式中，能够容易地构成抑制了显示区域D的亮度降低的高性能的有机EL显示装置50f。
《第二实施方式的变形例》
图13是示出第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的变形例的主要部分构成的平面图。
在图中，本实施方式与上述第二实施方式的不同点在于，第一无机绝缘膜25的边缘比透光性导电膜70的边缘70eg靠外侧，没有形成高电源电压电极部ED。另外，对于与上述第一实施方式共通的要素标注相同的符号，省略其重复的说明。
在本实施方式的有机EL显示装置50g中，如图13所示，在边框区域F中，在与端子部E相对的显示区域D侧的一部分，第一无机绝缘膜25的边缘25e位于比透光性导电膜70的边缘70eg靠外侧的位置。由此，第一无机绝缘膜25设置在透光性导电膜70与设置在该透光性导电膜70的基底基板10侧的省略图示的布线之间，也能够在该区域形成布线。
具体而言，在本实施方式中，如图13中向右下方倾斜的阴影部所示，设置有与源极线Sa在同一层且由同一材料形成的高电源电压干线部H3，以取代高电源电压电极部ED。而且，在本实施方式中，在端子部E与高电源电压干线部H3之间，设置有与源极线Sa在同一层且由同一材料形成的引绕布线(未图示)作为上述布线，在本实施方式中，在第二实施方式的效果之上，通过在端子部E侧的边，将第1无机绝缘E膜25的边缘25e形成在透光性导电膜70的边缘70eg的外侧，从而能够在该区域设置引绕布线，与将该区域的布线设为与栅极线12在同一层且由同一材料形成的引绕布线相比，能够减小布线电阻。
另外，在上述第一实施方式中也可以是，如第二实施方式所示，设置多个、例如为四个高电源电压电极部EU、ED、EL以及ER的构成。
此外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极作为阳极，将第二电极作为阴极的有机EL显示装置，但是，本发明也能够适用于使有机EL层的层叠结构翻转，将第一电极作为阴极，将第二电极作为阳极的有机EL显示装置中。
此外，在上述各实施方式中，例示了具备将与第一电极连接的TFT的电极作为漏极电极的元件基板的有机EL显示装置，但是本发明也能够适用于具备将与第一电极连接的TFT的电极称为源极电极的元件基板的有机EL显示装置中。
此外，在上述各实施方式中，作为显示装置举例说明了有机EL显示装置，但是本发明能够适用于具备由电流驱动的多个发光元件的显示装置中。例如，能够适用于具备使用了量子点含有层的发光元件即QLED(Quantum-dot light emitting diode)的显示装置中。
产业上的可利用性
本发明对能够抑制由于内部布线和电极等的电阻引起的亮度降低的有机EL显示装置是有用的。
附图标记说明
D 显示区域
F 边框区域
E 端子部
10 基底基板
20a TFT层
21 第一电极(阳极)
23 有机EL层(功能层)
24 第二电极(阴极)
25 第一无机绝缘膜(第一密封膜)
25e 边缘
26 有机膜(第二密封膜)
26e 边缘
27 第二无机绝缘膜(第三密封膜)
27e 边缘
28 密封部
30a 有机EL元件(发光元件)
70 透光性导电膜
70eg 边缘
70a 第一导电部分
70b 第二导电部分
70c 第三导电部分
70d 第四导电部分
70e 第五导电部分
70f 第六导电部分
Claims (19)
1.一种显示装置，其具备：
基底基板；
TFT层，其设置在所述基底基板上；
多个发光元件，其设置在所述TFT层上；
密封部，其以覆盖所述多个发光元件的方式设置；
显示区域，其由所述多个发光元件限定；以及
边框区域，其包围所述显示区域，
其特征在于，
所述多个发光元件包括：多个第一电极、多个发光元件通用的第二电极、以及夹在所述第一电极与所述第二电极之间的功能层，
所述密封部包括：
第一密封膜，其设置在所述多个发光元件上；
第二密封膜，其设置在所述第一密封膜的上侧；
第三密封膜，其设置在所述第二密封膜的上侧；以及
透光性导电膜，其设置在所述第一密封膜、所述第二密封膜以及所述第三密封膜中的、两个密封膜之间，
在所述边框区域中，所述第一密封膜的边缘和所述第三密封膜的边缘位于比所述第二密封膜的边缘靠外侧的位置，
所述透光性导电膜与所述第一电极或所述第二电极电连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一密封膜和所述第三密封膜是无机绝缘膜，
所述第二密封膜是有机膜，
所述第二密封膜的膜厚比所述第一密封膜的膜厚和所述第三密封膜的膜厚厚。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
所述第一电极是阳极，
所述第二电极是阴极。
4.根据权利要求
中任意一项所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置具备与所述第二密封膜的边缘重叠的堤，
俯视观察时，所述透光性导电膜的边缘位于比所述堤靠外侧的位置。
5.根据权利要求
中任意一项所述的显示装置，其特征在于，
透光性导电膜具有：
第一导电部分，其设置在所述第二密封膜的边缘的内侧的所述第一密封膜与所述第二密封膜之间；
第二导电部分，其与所述第一导电部分连续地形成，并且设置在所述第二密封膜的边缘的外侧的所述第一密封膜与所述第三密封膜之间，以及
第三导电部分，其与所述第二导电部分连续地形成，并且在所述第一密封膜的边缘的外侧被所述第三密封膜覆盖。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还具备与所述第一电极在同一层且由同一材料形成的电极导通部，
所述第三导电部分与所述电极导通部相接并与所述第二电极电连接。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还具备与所述TFT层的布线层在同一层且由同一材料形成的布线导通部，
所述第三导电部分与所述布线导通部相接并经由所述电极导通部与所述第二电极电连接。
8.根据权利要求
中任意一项所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还具备设置在所述边框区域的端部的端子部，
在所述边框区域中，在与所述端子部相对的所述显示区域侧的一部分，所述第一密封膜的边缘比所述透光性导电膜的边缘靠外侧。
9.根据权利要求
中任意一项所述的显示装置，其特征在于，
所述透光性导电膜具有：
第四导电部分，其设置在所述第二密封膜的边缘的内侧的所述第二密封膜与所述第三密封膜之间；
第五导电部分，其与所述第四导电部分连续地形成，并且设置在所述第二密封膜的边缘的外侧的所述第一密封膜与所述第三密封膜之间；以及
第六导电部分，其与所述第五导电部分连续地形成，并且在所述第一密封膜的边缘的外侧被所述第三密封膜覆盖。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还具备与所述第一电极在同一层且由同一材料构成的电极导通部，
所述第六导电部分与所述电极导通部相接并与所述第一电极或所述第二电极电连接。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，
设置有多个所述电极导通部。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还具备与所述TFT层的布线层在同一层且由同一材料形成的布线导通部，
所述第六导电部分与所述布线导通部相接并与所述第一电极或所述第二电极电连接。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
设置有多个所述布线导通部。
14.根据权利要求
中任意一项所述的显示装置，其特征在于，
所述透光性导电膜具有：
第一导电部分，其设置在所述第二密封膜的边缘的内侧的所述第一密封膜与所述第二密封膜之间；
第二导电部分，其与所述第一导电部分连续地形成，并且设置在所述第二密封膜的边缘的外侧的所述第一密封膜与所述第三密封膜之间；
第三导电部分，其与所述第二导电部分连续地形成，并且在所述第一密封膜的边缘的外侧被所述第三密封膜覆盖；
第四导电部分，其设置在所述第二密封膜的边缘的内侧的所述第二密封膜与所述第三密封膜之间；
第五导电部分，其与所述第四导电部分连续地形成，并且设置在所述第二密封膜的边缘的外侧的所述第二导电部分与所述第三密封膜之间；以及
第六导电部分，其与所述第五导电部分连续地形成，并且设置在所述第一密封膜的边缘的外侧的所述第三导电部分与所述第三密封膜之间。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还具备与所述第一电极在同一层且由同一材料构成的电极导通部，
所述第三导电部分与所述电极导通部相接并与所述第二电极电连接。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还具备与所述TFT层的布线层在同一层且由同一材料形成的布线导通部，
所述第三导电部分与所述布线导通部相接并经由所述电极导通部与所述第二电极电连接。
17.根据权利要求
中任意一项所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还具备设置在所述边框区域的端部的端子部，
在所述边框区域中，在与所述端子部相对的所述显示区域侧的一部分，所述第一密封膜的边缘比所述透光性导电膜的边缘靠外侧。
18.根据权利要求
中任意一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第二密封膜包括能够通过喷墨方式涂布的感光性有机材料。
19.根据权利要求
中任意一项所述的显示装置，其特征在于，
所述透光性导电膜包括石墨烯、金属纳米线以及金属纳米粒子中的至少一个。
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