JP2013156281A - 表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、薄膜トランジスタを形成し、画素電極を形成し、画素電極の上に有機発光層を形成し、有機発光層の上に対向電極を形成し、封止部を形成する表示装置の製造方法が提供される。薄膜トランジスタの形成は、基板の主面上に、ゲート電極を形成し、ゲート電極の上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜の上に半導体膜を形成し、半導体膜と電気的に接続された第1導電部と、半導体膜と電気的に接続された第2導電部と、を形成することを含む。封止部は、第1封止膜と第2封止膜とを含む。第1、第2封止膜の水素の濃度は、1020atoms/cm3以下である。第1封止膜は、圧縮応力及び引張応力のいずれかを有し、第2封止膜は、圧縮応力及び引張応力のいずれか他方を有する。
【選択図】図1
Description
以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1に表したように、本実施形態に係る表示装置110は、基板10と、薄膜トランジスタ12と、画素電極16と、有機発光層18と、対向電極20と、封止部22と、を備える。
画素電極16と、有機発光層18と、対向電極20と、により、有機EL型の発光素子部24が形成される。発光素子部24が、薄膜トランジスタ12によって制御され、駆動される。表示装置110において、複数の薄膜トランジスタ12と複数の発光素子部24との組み合わせが、マトリクス状に並べて配置される。複数の薄膜トランジスタ12の駆動、及び、それにともなう複数の発光素子部24の発光を制御することにより、画像の表示を行う。表示装置110は、有機ELを用いたアクティブマトリクス型の表示装置である。
薄膜トランジスタ12は、第1導電部31と、第2導電部32と、ゲート電極33と、ゲート絶縁膜34と、半導体膜35と、チャネル保護膜36と、を含む。
ゲート電極33は、基板10の主面10aの上に設けられる。ゲート電極33には、例えば、モリブデンタングステン(MoW)、モリブデンタンタル(MoTa)及びタングステン(W)などの高融点金属が用いられる。
画素電極16は、カラーフィルタ44の上に設けられる。画素電極16は、Z軸方向において薄膜トランジスタ12と対向する対向領域16aと、対向しない非対向領域16bとを有する。画素電極16には、例えば、導電性と光透過性とを有する材料が用いられる。画素電極16には、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)などが用いられる。
図2(a)及び図2(b)は、対向電極20の上に、水素の濃度が1020atoms/cm3よりも高い封止膜を設けた参考例の表示装置の特性を例示する。この表示装置の構成は、封止膜に含まれる水素の濃度を除いて、表示装置110と同様である。
図3(a)及び図3(b)の横軸は、ゲート電圧Vgであり、縦軸は、電流Idである。図3(a)及び図3(b)は、封止部22を形成する前、及び、後の電圧−電流特性をそれぞれ表す。
図4の横軸は、封止部22の水素の濃度Hcである。図4の縦軸は、封止部22の形成前と形成後とにおける薄膜トランジスタ12の閾値電圧の変動量Vs(ボルト:V)である。
図5(a)に表したように、表示装置110の製造においては、基板10の主面10aの上に、薄膜トランジスタ12を形成する。薄膜トランジスタ12の形成においては、主面10aの上にゲート電極33を形成する。主面10a及びゲート電極33の上にゲート絶縁膜34を形成する。ゲート絶縁膜34の上に半導体膜35を形成する。半導体膜35の上にチャネル保護膜36を形成する。ゲート絶縁膜34と半導体膜35とチャネル保護膜36との上に、第1導電部31及び第2導電部32を形成する。
図7に表したように、表示装置112の封止部22は、複数の第1封止膜51と複数の第2封止膜52とを交互に積層させた積層膜54を含む。
封止部22に積層膜54を含む表示装置112においても、第1封止膜51及び第2封止膜52の水素の濃度を1020atoms/cm3以下とすることで、薄膜トランジスタ12の閾値電圧の変動が抑制され、表示装置112の画質を高めることができる。
図8は、第2の実施形態に係る表示装置の構成を例示する模式的模式図である。
図8に表したように、表示装置210は、対向電極20と封止部22との間に、有機バリア層46を備える。有機バリア層46は、例えば、少なくともポリパラキシレンを含む有機膜である。表示装置210の構成は、有機バリア層46の有無を除いて、表示装置110の構成と同様である。
図9(a)及び図9(b)の横軸は、ゲート電圧Vgであり、縦軸は、電流Idである。図9(a)及び図9(b)は、封止部22及び有機バリア層46を形成する前、及び、後の電圧−電流特性をそれぞれ表す。
表示装置210の製造方法において、対向電極20を形成するまでの手順は、表示装置110の手順と実質的に同じであるから、説明を省略する。
図10(a)に表したように、対向電極20の上に、有機バリア層46を形成する。有機バリア層46は、例えば、熱CVD法によって形成する。
しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、表示装置に含まれる、基板、薄膜トランジスタ、画素電極、有機発光層、対向電極、封止部、第1封止膜、第2封止膜、有機バリア層及び積層膜などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
Claims (6)
- 基板の主面上に、ゲート電極を形成し、前記ゲート電極の上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜の上に半導体膜を形成し、前記半導体膜と電気的に接続された第1導電部と、前記半導体膜と電気的に接続された第2導電部と、を形成し、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜、前記第1導電部及び前記第2導電部を含み、前記半導体膜の膜面に対して垂直な方向にみたときに、前記ゲート電極は、前記第1導電部と前記第2導電部との間の部分を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記第1導電部及び前記第2導電部のいずれか一方に電気的に接続された画素電極を形成する工程と、
前記画素電極の上に有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層の上に対向電極を形成する工程と、
水素の濃度が1020atoms/cm3以下であり圧縮応力及び引張応力のいずれか一方を有する第1封止膜と、前記第1封止膜に積層され水素の濃度が1020atoms/cm3以下であり、圧縮応力と引張応力のいずれか他方を有する第2封止膜と、を含み、前記対向電極を覆う封止部を形成する工程と、
を備えた表示装置の製造方法。 - 前記第2封止膜の屈折率は、前記第1封止膜の屈折率とは異なる請求項1記載の表示装置の製造方法。
- 前記封止部を形成する工程は、
前記対向電極と前記封止部との間に、少なくともポリパラキシレンを含む有機バリア層を形成することをさらに含む請求項1または2記載の表示装置の製造方法。 - 前記封止部を形成する工程は、複数の前記第1封止膜と複数の前記第2封止膜とを交互に積層することを含む請求項1〜3のいずれか1つに記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1封止膜及び前記第2封止膜は、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、シリコン窒化膜、アルミナ及びタンタル酸化膜の少なくともいずれかを含む請求項1〜4のいずれか1つに記載の表示装置の製造方法。
- 前記半導体膜は、In、Ga及びZnの少なくともいずれかの酸化物半導体を含む請求項1〜5のいずれか1つに記載の表示装置の製造方法。
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