CN103314135B - 被镀层形成用组成物、具有金属膜的积层体的制造方法以及被镀层 - Google Patents

Abstract

本发明的目的是提供一种可获得无电解镀敷时的镀敷速度提高、并且对基板的密接性进一步提高的金属膜的被镀层形成用组成物、使用此组成物而实施的具有金属膜的积层体的制造方法以及被镀层。本发明的被镀层形成用组成物包含式(1)所示的化合物、及具有聚合性基的聚合物：式(1)。

Description

被镀层形成用组成物、具有金属膜的积层体的制造方法以及被镀层

技术领域

本发明涉及一种被镀层形成用组成物、及使用此组成物的具有金属膜的积层体的制造方法。

背景技术

从前以来，在绝缘性基板的表面形成金属图案的配线的金属配线基板广泛用于电子零件或半导体元件。

此金属图案材料的制作方法主要使用“减成法”。此减成法是在形成于基板表面的金属膜上，设置藉由照射活性光线而感光的感光层，将此感光层进行成像曝光，然后进行显影而形成抗蚀剂像，接着对金属膜进行蚀刻而形成金属图案，最后将抗蚀剂剥离的方法。

在藉由此方法而得的金属图案中，利用藉由在基板表面设置凹凸而产生的增粘效果，而表现出基板与金属图案(金属膜)之间的密接性。因此，在使用所得的金属图案作为金属配线时，存在因金属图案的基板界面部的凹凸而引起高频特性变差的问题。另外存在以下问题，为了对基板表面进行凹凸化处理，而必须藉由铬酸等强酸对基板表面进行处理，因此为了获得与基板的密接性优异的金属图案，而必需烦杂的步骤。

解决此问题的方法已知：在基板上形成与基板具有高密接性的聚合物层，对此聚合物层实施镀敷，并对所得的金属膜进行蚀刻的方法(专利文献1)。根据此方法，可不使基板的表面粗面化而改良基板与金属膜的密接性。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2010-248464号公报

发明内容

另一方面，近年来，就制品成本的削减的观点而言，要求制造制程进一步缩短化。

本发明者等人对专利文献1所揭示的金属图案材料进行研究，结果无电解镀敷的析出时间较长，从而必须进一步提高无电解镀敷膜的析出速度。

而且，近年来，为了应对电子设备的小型化、高功能化的要求，而进行印刷配线板等的微细配线的进一步的高积体化。随之要求进一步提高配线(金属图案)对基板的密接性。

本发明者等人对专利文献1所揭示的金属图案材料进行研究，结果明白，所得的镀敷膜(金属膜)的密接性未必达到近来所要求的水平。

通常，若缩短无电解镀敷处理的时间，则有金属膜的增粘部分的膜厚变薄而密接性差的倾向。并且，若欲确保金属膜的充分的厚度，则镀敷处理的时间变长而生产性差。如此，多数情况是镀敷处理时间的缩短化、与金属膜的密接性的提高存在取舍的关系。

本发明鉴于上述实际情况而成，其目的是提供一种可获得无电解镀敷时的镀敷速度提高、并且对基板的密接性进一步提高的金属膜的被镀层形成用组成物、及使用此组成物而实施的具有金属膜的积层体的制造方法。

本发明者等人对上述课题进行锐意研究，结果发现，藉由使用具有磺酸基的单体，而可解决上述课题。即，本发明者等人发现藉由以下构成可解决上述课题。

(1)一种被镀层形成用组成物，其包含后述式(1)所示的化 合物、及具有聚合性基的聚合物。

(2)如(1)所述的被镀层形成用组成物，其中所述化合物的质量(质量A)、与所述化合物的质量(质量A)及所述聚合物的质量(质量B)的合计值(质量A+质量B)的质量比{质量A/(质量A+质量B)}为0.01～0.25。

(3)如(1)或(2)所述的被镀层形成用组成物，其中所述化合物的质量(质量A)、与所述化合物的质量(质量A)及所述聚合物的质量(质量B)的合计值(质量A+质量B)的质量比{质量A/(质量A+质量B)}为0.05～0.20。

(4)如(1)至(3)中任一项所述的被镀层形成用组成物，其中还包含多官能单体。

(5)如(1)至(4)中任一项所述的被镀层形成用组成物，其中还包含聚合起始剂。

(6)一种具有金属膜的积层体的制造方法，其包括：层形成步骤，使如(1)至(5)中任一项所述的被镀层形成用组成物接触于基板后，对所述被镀层形成用组成物供给能量而于所述基板上形成被镀层；

触媒供给步骤，对所述被镀层供给无电解镀敷触媒或其前驱物；

镀敷步骤，对所述镀敷触媒或其前驱物进行无电解镀敷，而于所述被镀层上形成金属膜。

(7)如(6)所述的具有金属膜的积层体的制造方法，其中所述基板表面的水接触角为80°以下。

(8)一种被镀层，其是使用如(1)至(5)中任一项所述的被镀层形成用组成物而得。

[发明的效果]

根据本发明，可提供一种可获得无电解镀敷时的镀敷速度提高、并且对基板的密接性进一步提高的金属膜的被镀层形成用组 成物、及使用此组成物而实施的具有金属膜的积层体的制造方法。

附图说明

图1(A)～图1(D)是分别依序表示本发明的积层体及具有图案状金属膜的积层体的制造方法中的各制造步骤的自基板至积层体为止的示意性剖面图。

图2(A)～图2(D)是依序表示本发明的积层体的蚀刻步骤的一形态的示意性剖面图。

图3(A)～图3(E)是依序表示本发明的积层体的蚀刻步骤的其他形态的示意性剖面图。

图4(A)～图4(H)是依序表示多层配线基板的制造步骤的示意性剖面图。

主要元件符号说明：

10：基板

12：被镀层

14、14b：金属膜

16：积层体

18：图案状金属膜

20：金属配线 

22：绝缘性树脂层

24：密接辅助层 

26：遮罩

28、30：金属膜

32：图案状金属膜

具体实施方式

以下，对本发明的被镀层形成用组成物、及具有金属膜的积 层体的制造方法进行说明。

首先，对本发明的与先前技术相比较的特征点进行详细阐述。

本发明中，可列举使用式(1)所示的化合物(以下亦适当称为含磺酸基的单体)的方面。使用此含磺酸基的单体制作被镀层(聚合物层)时，无电解镀敷触媒(例如钯触媒)吸附于磺酸基而得的基板表面的电位状态对于进行无电解镀敷而言为良好的状态。因此，与现有技术相比，可达成更优异的镀敷速度，并实现制造制程的缩短化。而且，若于被镀层中含有磺酸基，则会促进镀敷液的侵入，结果会形成密接性更优异的金属膜。

另外，若使用本发明的被镀层，则与现有技术相比，无电解镀敷触媒藉由配线的图案化时的蚀刻而更容易脱离，因此在藉由灰化处理等将被镀层除去时，可更短时间且高精细地除去被镀层，结果可进一步提高配线图案间的绝缘性。

首先，对本发明的被镀层形成用组成物的构成成分(式(1)所示的化合物、具有聚合性基的聚合物等)进行详细阐述，然后对使用此组成物的具有金属膜的积层体的制造方法进行详细阐述。

<式(1)所示的化合物>

本发明的被镀层形成用组成物含有式(1)所示的化合物。藉由含有此化合物，而如上所述般，藉由无电解镀敷触媒或其前驱物吸附于此化合物的磺酸基，而容易使基板电位与无电解镀敷液的混成电位一致，因此可达成镀敷析出性的提高、及金属膜的密接性提高。

[化1]

式(1)

式(1)中，R¹⁰表示氢原子、金属阳离子、或四级铵阳离子。金属阳离子例如可列举：碱性金属阳离子(钠离子、钙离子)、铜离子、钯离子、银离子等。另外，金属阳离子主要使用一价或二价金属阳离子，在使用二价金属阳离子(例如钯离子)时，后述的n表示2。

四级铵阳离子例如可列举：四甲基铵离子、四丁基铵离子等。

其中，就无电解镀敷触媒金属的附着、及图案化后的金属残渣的方面而言，R¹⁰较佳为氢原子。

L¹⁰表示单键、或二价有机基。二价有机基可列举：经取代或未经取代的脂肪族烃基(较佳为碳数1～碳数8)、经取代或未经取代的芳香族烃基(较佳为碳数6～碳数12)、-O-、-S-、-SO₂-、-N(R)-(R：烷基)、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-、或该些基组合而成的基(例如亚烷氧基、亚烷氧羰基、亚烷基羰氧基等)等。

经取代或未经取代的脂肪族烃基较佳为：亚甲基、亚乙基、亚丙基、或亚丁基、或该些基被甲氧基、氯原子、溴原子、或氟原子等取代而成的基。

经取代或未经取代的芳香族烃基较佳为，未经取代的亚苯基、或被甲氧基、氯原子、溴原子、或氟原子等取代的亚苯基。

R¹¹～R¹³分别独立表示氢原子、或经取代或未经取代的烷基。未经取代的烷基可列举：甲基、乙基、丙基、或丁基。并且，经取代烷基可列举：被甲氧基、氯原子、溴原子、或氟原子等取代的甲基、乙基、丙基、丁基。

另外，R¹¹较佳为氢原子、或甲基。

R¹²较佳为氢原子。

R¹³较佳为氢原子。

n表示1或2的整数。其中，就化合物的获得性的观点而言，较佳为n为1。

(较佳形态)

式(1)所示的化合物的较佳形态可列举式(2)所示的化合物。

[化2]

式(2)

式(2)中，R¹⁰、R¹¹及n与所述的定义相同。

L¹¹表示酯基(-COO-)、酰胺基(-CONH-)、或亚苯基。其中，若L¹¹为酰胺基，则所得的被镀层的聚合性、及耐溶剂性(例如耐碱溶剂性)会提高。

L¹²表示单键、二价脂肪族烃基(较佳为碳数1～碳数8、更佳为碳数3～碳数5)、或二价芳香族烃基。脂肪族烃基可为直链状、分支状、环状。

另外，L¹²为单键时，L¹¹表示亚苯基。

式(1)所示的化合物的分子量并无特别限制，就挥发性、在溶剂中的溶解性、成膜性、及操作性等的观点而言，较佳为100～1000，更佳为100～300。

<具有聚合性基的聚合物>

本发明中所使用的聚合物具有聚合性基。

以下，对聚合物所含的官能基、或其特性进行详细阐述。

(聚合性基)

聚合性基是藉由能量供给而在聚合物彼此、或聚合物与基板(或密接辅助层)之间可形成化学键的官能基，例如可列举：自由基聚合性基、阳离子聚合性基等。其中，就反应性的观点而言， 较佳为自由基聚合性基。自由基聚合性基例如可列举：丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、衣康酸酯基、丁烯酸酯基、异丁烯酸酯基、顺丁烯二酸酯基等不饱和羧酸酯基，苯乙烯基、乙烯基、丙烯酰胺基、甲基丙烯酰胺基等。其中，较佳为甲基丙烯酸酯基、丙烯酸酯基、乙烯基、苯乙烯基、丙烯酰胺基、甲基丙烯酰胺基，特佳为甲基丙烯酸酯基、丙烯酸酯基、苯乙烯基。

(相互作用性基)

上述聚合物较佳为具有与后述无电解镀敷触媒或其前驱物进行相互作用的官能基(以下亦适当称为相互作用性基)。藉由具有此基，相对于被镀层，而容易使吸附有无电解镀敷触媒或其前驱物的基板表面的电位与无电解镀敷液的混成电位一致，因此无电解镀敷时的镀敷速度提高、及所得的金属膜的密接性进一步提高。

相互作用性基是与无电解镀敷触媒或其前驱物进行相互作用的官能基(配位性基、金属离子吸附性基)，可使用：可与无电解镀敷触媒或其前驱物形成静电相互作用的官能基、或可与无电解镀敷触媒或其前驱物形成配位的含氮官能基、含硫官能基、含氧官能基等。

相互作用性基例如亦可列举：非解离性官能基(藉由解离而不生成质子的官能基)等。

相互作用性基更具体可列举：胺基、酰胺基、酰亚胺基、脲基、三级胺基、铵基、脒基、三嗪环、三唑环、苯并三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、喹啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、唑啉基、喹恶啉基、嘌呤基、三嗪基、哌啶基、哌嗪基、吡咯啶基、吡唑基、苯胺基、包含烷基胺結構的基、包含異三聚氰酸结构的基、硝基、亚硝基、偶氮基、重氮基、叠氮基、氰基、氰酸酯基(R-O-CN)等含氮官能基；醚基、羟基、酚性羟基、羧基、碳酸酯基、羰基、酯基、包含N-氧化物结构的基、包含S-氧化物结构的基、包含 N-羟基结构的基等含氧官能基；噻吩基、硫醇基、硫脲基、硫代三聚氰酸基、苯并噻唑基、巰基三嗪基、硫醚基、硫酮基、亚砜基、砜基、亚硫酸基、包含磺酰亚胺结构的基、包含磺酸盐结构的基、磺酸基、包含磺酸酯结构的基等含硫官能基；磷酸酯基、磷醯胺基、膦基、包含磷酸酯结构的基等含磷官能基；包含氯、溴等卤素原子的基等，可採用盐结构的官能基中，亦可使用该些官能基的盐。

其中，就极性高、对无电解镀敷触媒或其前驱物等的吸附功能高的方面而言，特佳为羧基、磺酸基、磷酸基、及硼酸基等离子性极性基，或醚基、或氰基，尤佳为羧基或氰基。

作为相互作用性基的该些官能基在聚合物中可包含2种以上。

另外，上述醚基较佳为以下式(X)所示的聚氧亚烷基。

式(X)  ＊-(YO)_n-R^c

式(X)中，Y表示亚烷基，R^c表示烷基。n表示1～30的数。＊表示键合位置。

亚烷基较佳为碳数1～碳数3，具体而言，较佳为可列举亚乙基、亚丙基。

烷基较佳为碳数1～碳数10，具体而言，较佳为可列举甲基、乙基。

n表示1～30的数，较佳为3～23。另外，n表示平均值，此数值可藉由公知的方法(核磁共振(nuclear magnetic resonance，NMR)NMR)等进行测定。

聚合物的重量平均分子量并无特别限制，较佳为1000以上70万以下，更佳为2000以上20万以下。特别是就聚合感光度的观点而言，较佳为20000以上。

并且，聚合物的聚合度并无特别限制，较佳为使用十聚物以 上的聚合物，更佳为使用二十聚物以上的聚合物。并且，较佳为七千聚物以下，更佳为三千聚物以下，尤佳为二千聚物以下，特佳为一千聚物以下。

(较佳形态1)

聚合物的第1较佳形态可列举：包含具有下述式(a)所示的聚合性基的单元(以下亦适当称为聚合性基单元)、及具有下述式(b)所示的相互作用性基的单元(以下亦适当称为相互作用性基单元)的共聚物。另外，单元是指重复单元。

[化3]

上述式(a)及式(b)中，R¹～R⁵分别独立表示氢原子、或经取代或未经取代的烷基。

R¹～R⁵为经取代或未经取代的烷基时，未经取代的烷基可列举：甲基、乙基、丙基、或丁基。并且，经取代烷基可列举：被甲氧基、氯原子、溴原子、或氟原子等取代的甲基、乙基、丙基、丁基。

另外，R¹较佳为氢原子、甲基、或被溴原子取代而成的甲基。

R²较佳为氢原子、甲基、或被溴原子取代而成的甲基。

R³较佳为氢原子。

R⁴较佳为氢原子。

R⁵较佳为氢原子、甲基、或被溴原子取代而成的甲基。

上述式(a)及式(b)中，X、Y、及Z分别独立表示单键、或经取代或未经取代的二价有机基。二价有机基可列举：经取代或未经取代的脂肪族烃基(较佳为碳数1～碳数8)、经取代或未经取代的芳香族烃基(较佳为碳数6～碳数12)、-O-、-S-、-SO₂-、-N(R)-(R：烷基)、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-、或该些基组合而成的基(例如亚烷氧基、亚烷氧羰基、亚烷基羰氧基等)等。

经取代或未经取代的脂肪族烃基较佳为，亚甲基、亚乙基、亚丙基、或亚丁基、或该些基被甲氧基、氯原子、溴原子、或氟原子等取代而成的基。

经取代或未经取代的芳香族烃基较佳为，未经取代的亚苯基、或被甲氧基、氯原子、溴原子、或氟原子等取代而成的亚苯基。

X、Y、及Z较佳为可列举：单键、酯基(-COO-)、酰胺基(-CONH-)、醚基(-O-)、或经取代或未经取代的芳香族烃基等，更佳为单键、酯基(-COO-)、酰胺基(-CONH-)。

上述式(a)及式(b)中，L¹及L²分别独立表示单键、或经取代或未经取代的二价有机基。二价有机基的定义与上述X、Y、及Z中所述的二价有机基同义。

L¹较佳为脂肪族烃基、或具有胺基甲酸酯键或脲键的二价有机基(例如脂肪族烃基)，更佳为具有胺基甲酸酯键的二价有机基，其中，较佳为总碳数1～碳数9者。另外此处，L¹的总碳数是指L¹所示的经取代或未经取代的二价有机基所含的总碳原子数。

L¹的结构更具体而言，较佳为下述式(1-1)、或式(1-2)所示的结构。 

[化4]

式(1-1)    式(1-2)

上述式(1-1)及式(1-2)中，R^a及R^b分别独立为使用选自由碳原子、氢原子、及氧原子所组成的族群中的2种以上原子而形成的二价有机基。较佳为可列举：经取代或未经取代的亚甲基、亚乙基、亚丙基、或亚丁基、或环氧乙烷基、二环氧乙烷基、三环氧乙烷基、四环氧乙烷基、二环氧丙烷基、三环氧丙烷基、四环氧丙烷基。

并且，L²较佳为单键、或者直链、分支、或环状亚烷基、芳香族基、或将该些基组合而成的基。此亚烷基与芳香族基组合而成的基还可介隔醚基、酯基、酰胺基、胺基甲酸酯基、脲基。其中，L²较佳为单键、或总碳数为1～碳数15，特佳为未经取代。另外此处，L²的总碳数是指L²所示的经取代或未经取代的二价有机基所含的总碳原子数。

具体可列举：亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚苯基、及该些基被甲氧基、羟基、氯原子、溴原子、氯原子等取代而成的基，以及该些基组合而成的基。

上述式(b)中，W表示与无电解镀敷触媒或前驱物相互作用的官能基。此官能基的定义与上述的相互作用性基的定义相同。

上述式(a)所示的聚合性基单元的较佳形态可列举下述式(c)所示的单元：

[化5]

式(c)中，R¹、R²、Z及L¹与式(a)所示的单元中的各基 的定义相同。A表示氧原子、或NR(R表示氢原子或烷基，较佳为氢原子或碳数1～碳数5的未经取代的烷基。)。

式(c)所示的单元的较佳形态可列举：式(d)所示的单元。

[化6]

式(d)

式(d)中，R¹、R²、及L¹与式(a)所示的单元中的各基的定义相同。A及T表示氧原子、或NR(R表示氢原子或烷基，较佳为氢原子或碳数1～碳数5的未经取代的烷基。)。

上述式(d)中，T较佳为氧原子。

并且，上述式(c)及式(d)中，L¹较佳为未经取代的亚烷基、或具有胺基甲酸酯键或脲键的二价有机基，更佳为具有胺基甲酸酯键的二价有机基，特佳为总碳数为1～9的二价有机基。

并且，式(b)所示的相互作用性基单元的较佳形态可列举以下述式(e)所示的单元。

[化7]

式(e)

上述式(e)中，R⁵及L²与式(2)所示的单元中的各基的定 义相同。Q表示氧原子、或NR′(R′表示氢原子、或烷基，较佳为氢原子、或碳数1～碳数5的未经取代的烷基。)。

并且，式(e)中的L²较佳为直链、分支、或环状亚烷基、芳香族基、或将该些基组合而成的基。

特别是式(e)中，较佳为L²中的与相互作用性基的连结部位为具有直链、分支、或环状亚烷基的二价有机基，其中，较佳为此二价有机基的总碳数为1～10。

另外，其他的较佳形态较佳为，式(e)中的L²中的与相互作用性基的连结部位为具有芳香族基的二价有机基，其中，此二价有机基的总碳数较佳为6～15。

上述聚合性基单元相对于聚合物中的所有单元，较佳为含有5摩尔％～50摩尔％，更佳为5摩尔％～40摩尔％。若上述聚合性基单元小于5摩尔％，则有反应性(硬化性、聚合性)下降的情况，若上述聚合性基单元超过50摩尔％，则合成时容易凝胶化而难以合成。

并且，上述相互作用性基单元就对无电解镀敷触媒或其前驱物的吸附性的观点而言，相对于聚合物中的所有单元，较佳为含有5摩尔％～95摩尔％，更佳为10摩尔％～95摩尔％。

(较佳形态2)

聚合物的第2较佳形态可列举：包含下述式(A)、式(B)、及式(C)所示的单元的共聚物。

[化8]

式(A)所示的单元与上述式(a)所示的单元相同，各基的说明亦相同。

式(B)所示的单元中的R⁵、X及L²与上述式(b)所示的单元中的R⁵、X及L²相同，各基的说明亦相同。

式(B)中的Wa表示除了后述V所示的亲水性基或其前驱物基外的与无电解镀敷触媒或其前驱物形成相互作用的官能基。

式(C)中，R⁶分别独立表示氢原子、或经取代或未经取代的烷基。烷基的定义与上述R¹～R⁵所示的烷基同义。

式(C)中，U表示单键、或者经取代或未经取代的二价有机基。二价有机基的定义与上述X、Y及Z所示的二价有机基同义。

式(C)中，L³表示单键、或者经取代或未经取代的二价有机基。二价有机基的定义与上述L¹及L²所示的二价有机基同义。

式(C)中，V表示亲水性基或其前驱物基。亲水性基只要是表现亲水性的基，则并无特别限定，例如可列举羟基、羧酸基等。并且，亲水性基的前驱物基是指藉由特定处理(例如藉由酸或碱进行处理)而产生亲水性基的基，例如可列举：被THP(2-四氢吡喃基)保护的羧基等。

亲水性基就被镀层容易与各种水性处理液或镀敷液润湿的方面而言，较佳为离子性极性基。离子性极性基具体可列举：羧酸基、磺酸基、磷酸基、硼酸基。其中，就适度的酸性(不分解其他官能基)的方面而言，较佳为羧酸基。

特别是在式(C)所示的单元中，就在适度酸性(不分解其他官能基)、碱性水溶液中表现亲水性，将水干燥后藉由环状结构而容易表现疏水性的方面而言，较佳为V为羧酸基，且在L³的与V的连结部具有4员～8员环结构。此处，4员～8员环结构可列举：环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、亚苯基，其中较佳为环己基、亚苯基。

并且，式(C)所示的单元中，就在适度酸性(不分解其他官能基)、碱性水溶液中表现亲水性，将水干燥后藉由长链烷基结构而容易表现疏水性的方面而言，较佳为V为羧酸基，且L³的链长为6原子～18原子。此处，L³的链长是表示式(C)中的U与V的距离，较佳为U与V之间以6原子～18原子的范围隔开。L³的链长更佳为6原子～14原子，尤佳为6原子～12原子。

上述聚合物的第2较佳形态中的各单元的较佳含量如以下所述。

式(A)所示的单元就反应性(硬化性、聚合性)及合成时的凝胶化的抑制的方面而言，相对于聚合物中的所有单元，较佳为含有5摩尔％～50摩尔％，更佳为5摩尔％～30摩尔％。

式(B)所示的单元就对无电解镀敷触媒或其前驱物的吸附性的观点而言，相对于聚合物中的所有单元，较佳为含有5摩尔％～75摩尔％，更佳为10摩尔％～70摩尔％。

式(C)所示的单元就水溶液的显影性及耐湿密接性的方面而言，相对于聚合物中的所有单元，较佳为含有10摩尔％～70摩尔％，更佳为20摩尔％～60摩尔％，特佳为30摩尔％～50摩尔％。

另外，聚合物的第2较佳形态中的离子性极性价(离子性极性基为羧酸基时为酸值)，较佳为1.5mmol/g～7.0mmol/g，更佳为1.7mmol/g～5.0mmol/g，特佳为1.9mmol/g～4.0mmol/g。藉由离子性极性价为此范围，而可同时达成水溶液中的显影性赋予及湿热随着时间经过而密接力降低的抑制。

上述聚合物的具体例，可使用日本专利特开2009-007540号公报的段落[0106]～[0112]所记载的聚合物作为具有自由基聚合性基、及可与无电解镀敷触媒或其前驱物形成相互作用的官能基的聚合物。并且，具有自由基聚合性基与离子性极性基的聚合物，可使用日本专利特开2006-135271号公报的段落[0065]～[0070]所记载的聚合物。具有自由基聚合性基、及与无电解镀敷触媒或其 前驱物形成相互作用的官能基、以及离子性极性基的聚合物，可使用US2010-080964号的段落[0030]～[0108]所记载的聚合物。

并且，亦可列举如以下的聚合物。

[化9]

[化10]

(聚合物的合成方法)

上述聚合物的合成方法并无特别限定，所使用的单体亦可为市售品或组合公知的合成方法而合成者。例如可参照专利公开2009-7662号的段落[0120]～[0164]所记载的方法等，而合成上述聚合物。

更具体而言，在聚合性基为自由基聚合性基时，聚合物的合成方法较佳为可列举以下方法。

可列举：i)将具有自由基聚合性基的单体、具有相互作用性基的单体进行共聚合的方法；ii)使具有相互作用性基的单体及具有自由基聚合性基前驱物的单体共聚合，接着藉由碱等的处理而导入自由基聚合性基的方法；iii)使具有相互作用性基的单体及具有用以导入自由基聚合性基的反应性基的单体共聚合，而导入自由基聚合性基的方法。

就合成适宜性的观点而言，较佳方法为上述ii)及上述iii)的方法。合成时的聚合反应的种类并无特别限定，较佳为藉由自由基聚合进行。

另外，在合成包含上述式(A)、式(B)、及式(C)所示的单元的共聚物时，可使用具有亲水性基或其前驱物基的单体、具有除了亲水性基或其前驱物基外的相互作用性基的单体，藉由上述i)～iii)的方法合成所需的共聚物。

<被镀层形成用组成物中的其他任意成分>

(溶剂)

被镀层形成用组成物中根据需要可包含溶剂。

可使用的溶剂并无特别限定，例如可列举：水、甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、丙三醇、丙二醇单甲醚等醇系溶剂，乙酸等酸，丙酮、甲基乙基酮、环己酮等酮系溶剂，甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺系溶剂，乙腈、丙腈等腈系溶剂，乙酸甲酯、乙酸乙酯等酯系溶剂，碳酸二甲酯、碳酸二乙酯等碳酸酯系溶剂，此外可列举：醚系溶剂、二醇系溶剂、胺系溶剂、硫醇系溶剂、卤素系溶剂等。

其中，较佳为酰胺系溶剂、酮系溶剂、腈系溶剂、碳酸酯系溶剂，具体而言较佳为丙酮、二甲基乙酰胺、甲基乙基酮、环己酮、乙腈、丙腈、N-甲基吡咯烷酮、碳酸二甲酯。

(聚合起始剂)

本发明的被镀层形成用组成物可包含聚合起始剂。藉由包含聚合起始剂，会进一步形成聚合物间、聚合物与基板间、及聚合物与式(1)所示的化合物间的键结，结果可获得密接性更优异的金属膜。

所使用的聚合起始剂并无特别限制，例如可使用：热聚合起始剂、光聚合起始剂(自由基聚合起始剂、阴离子聚合起始剂、阳离子聚合起始剂)、或日本专利特开平9-77891号、日本专利特开平10-45927号所记载的侧链具有活性羰基的高分子化合物、并且具有 侧链有聚合起始功能的官能基及交联性基的聚合物(聚合起始聚合物)等。

光聚合起始剂的例子可列举：二苯甲酮类、苯乙酮类、α-胺基烷基苯酮类、安息香类、酮类、硫杂蒽酮类、苯偶酰类、苯偶酰缩酮类、肟酯类、蒽酮(anthrone)类、一硫化四甲基秋兰姆类、双酰基氧化膦类、酰基氧化膦类、蒽醌类、偶氮化合物等及其衍生物。关于该些光聚合起始剂的详细内容，记载于“紫外线硬化系统”(1989年、综合技术中心)第63页～第147页等。并且，开环聚合用聚合起始剂亦可列举阳离子聚合起始剂。阳离子聚合起始剂的例子可列举：芳香族鎓盐、周期表第VIa族元素的锍盐、及其衍生物。

并且，热聚合起始剂的例子可列举：重氮系化合物、或过氧化物系化合物等。

(单体)

本发明的被镀层形成用组成物可包含上述式(1)所示的化合物以外的单体。藉由含有此单体，而可适当控制被镀层中的交联密度等。

所使用的单体并无特别限制，例如，具有加成聚合性的化合物可列举具有乙烯性不饱和键的化合物，具有开环聚合性的化合物可列举具有环氧基的化合物等。

具体可列举：不饱和羧酸(例如丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、丁烯酸、异丁烯酸、顺丁烯二酸等)、或其酯类、酰胺类，可例示：包含丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙基丙烯酰基、丙烯酰胺基、烯丙基、乙烯醚基、乙烯硫醚基等的化合物。

更具体可列举：丙烯酸及其盐、丙烯酸酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酸及其盐、甲基丙烯酸酯类、甲基丙烯酰胺类、顺丁烯二酸酐、顺丁烯二酸酯类、衣康酸酯类、苯乙烯类、乙烯醚类、乙烯酯类、N-乙烯基杂环类、烯丙醚类、烯丙酯类及该些的衍生物。并且，亦可列举：在环氧树脂、酚树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂、氟 树脂等中使用甲基丙烯酸或丙烯酸等，而使树脂的一部分进行(甲基)丙烯酰化反应的树脂。上述化合物可单独使用亦可并用2种以上。并且，可为具有1个或2个以上环氧环的化合物、例如丙烯酸缩水甘油酯等。

而且，该些化合物可为单体或寡聚物、高分子量体。

其中，就提高被镀层中的交联密度、金属膜的密接性进一步提高的方面而言，较佳为使用多官能单体。多官能单体是指具有2个以上聚合性基的单体。具体而言，较佳为使用具有2个～6个聚合性基的单体。

并且，就对反应性造成影响的交联反应中的分子的运动性的观点而言，所用的多官能单体的分子量较佳为150～1000，更佳为200～700。并且，存在多种的聚合性基彼此的间隔(距离)以原子数计较佳为1～15，更佳为6以上10以下。

另外，不仅就反应性的观点而言，而且就与所并用的粘合剂(即主要为上述聚合物)的相溶性的观点而言，加以选择亦较为有用，就此种观点而言，亦可选择使用藉由冲津法确定的多官能单体的SP值与所并用的粘合剂的SP值相近的化合物、具体而言其差值为±5MPa1/2以下的化合物。

(其他添加剂)

本发明的被镀层形成用组成物根据需要可添加其他添加剂(例如增感剂、硬化剂、聚合抑制剂、抗氧化剂、抗静电剂、紫外线吸收剂、填料、粒子、阻燃剂、界面活性剂、润滑剂、塑化剂等)。

<被镀层形成用组成物>

本发明的被镀层形成用组成物包含上述式(1)所示的化合物、及上述具有聚合性基的聚合物。

被镀层形成用组成物中的式(1)所示的化合物的含量并无特别限制，相对于组成物总量，较佳为0.01质量％～10质量％，更佳为0.01质量％～2质量％。若式(1)所示的化合物的含量为上述范围 内，则组成物的操作性优异，并且所得的金属膜的密接性更优异。

被镀层形成用组成物中的聚合物的含量并无特别限制，相对于组成物总量，较佳为2质量％～50质量％，更佳为5质量％～30质量％。若聚合物的含量为上述范围内，则组成物的操作性优异，并且容易控制被镀层的层厚。

被镀层形成用组成物中的式(1)所示的化合物的质量(质量A)、与此化合物的质量A及聚合物的质量(质量B)的合计量的质量比{质量A/(质量A+质量B)}并无特别限制，就成膜性的方面而言，较佳为0.01～0.66，就无电解镀敷时的镀敷速度进一步提高，所得的金属膜的密接性进一步提高的方面而言，较佳为0.01～0.25，更佳为0.05～0.20。

被镀层形成用组成物中含有溶剂时，溶剂的含量相对于组成物总量，较佳为50质量％～98质量％，更佳为70质量％～95质量％。若溶剂的含量为上述范围内，则组成物的操作性优异，并且容易控制被镀层的层厚等。

被镀层形成用组成物中含有聚合起始剂时，聚合起始剂的含量相对于组成物总量，较佳为0.01质量％～1质量％，更佳为0.1质量％～0.5质量％。若聚合起始剂的含量为上述范围内，则组成物的操作性优异，并且所得的金属膜的密接性更优异。

被镀层形成用组成物中含有式(1)所示的化合物以外的单体(特别是多官能单体)时，其含量相对于组成物总量，较佳为0.01质量％～5质量％，更佳为0.1质量％～1质量％。若式(1)所示的化合物以外的单体的含量为上述范围内，则组成物的操作性优异，并且所得的金属膜的密接性更优异。

<具有金属膜的积层体的制造方法>

藉由使用所述被镀层形成用组成物，而可制造具有金属膜的积层体。其制造方法主要包括以下3个步骤。

(层形成步骤)是在基板上使所述被镀层形成用组成物接触 后，对被镀层形成用组成物供给能量，而在基板上形成被镀层的步骤；

(触媒供给步骤)是对被镀层供给无电解镀敷触媒或其前驱物的步骤；

(镀敷步骤)是对镀敷触媒或其前驱物进行无电解镀敷，而在被镀层上形成金属膜的步骤。

以下，对各步骤中所使用的材料、及其操作方法进行详细阐述。

<层形成步骤>

层形成步骤是在基板上使所述被镀层形成用组成物接触后，对基板上的被镀层形成用组成物供给能量，而在基板上形成被镀层的步骤。藉由此步骤而形成的被镀层根据式(1)所示的化合物所具有的磺酸基、及聚合物中任意包含的相互作用性基的功能，在后述触媒供给步骤中吸附(附着)无电解镀敷触媒或其前驱物。即，被镀层发挥出作为无电解镀敷触媒或其前驱物的良好的受容层的功能。并且，聚合性基用于聚合物彼此的键合或与基板(或后述密接辅助层)的化学键合。其结果在形成于被镀层表面的金属膜(镀敷膜)、与基板之间表现出优异的密接性。

更具体而言，在此步骤中，如图1(A)所示般准备基板10，如图1(B)所示般于基板10的上部形成被镀层12。另外，如后述般基板10在其表面可具有密接辅助层，此时，被镀层12形成于密接辅助层上。

首先，对本步骤中所使用的材料(基板、密接辅助层等)进行详细阐述，然后对此步骤的顺序进行详细阐述。

(基板)

本发明所用的基板亦可使用先前已知的任意基板，较佳为可承受后述的处理条件的基板。并且，较佳为基板的表面具有可与后述聚合物进行化学键合的功能。具体而言，基板本身是藉由能 量供给(例如曝光)而可与聚合物形成化学键的基板，或可在基板上设置藉由能量供给而可与被镀层形成化学键的中间层(例如后述的密接辅助层)。

其中，就所述被镀层形成用组成物的成膜性提高、并且金属膜的密接性进一步提高的方面而言，基板表面的水接触角较佳为80°以下，更佳为60°以下。下限并无特别限制，通常为0°以上。

接触角的测定方法是使用所滴加的水的顶点与基板的2点的切点的切线法。

为了使基板的表面达到所述接触角，根据需要可对基板表面实施各种表面处理(例如碱处理、电浆处理、臭氧处理等)。

基板的材料并无特别限制，例如可由以下各种材料形成：高分子材料(例如“塑胶活用注解第4修订版”、及/或“工程塑胶活用注解”记载的塑胶)、金属材料(例如金属合金、含金属的材料、纯金属、或与该些金属类似者)、其他材料(例如纸、层压了塑胶的纸)、该些的材料的组合、或与该些材料类似者等。

塑胶树脂可使用热塑性树脂或热硬化性树脂等，可使用先前公知的通用塑胶或工程塑胶。

热塑性通用塑胶的具体例可列举：聚丙烯、聚乙烯、聚异丁烯、聚丁二烯、聚异戊二烯、环烯烃系树脂、聚苯醚、苯氧树脂、聚醚、玻璃纸、离子聚合物、α-烯烃聚合物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯共聚物、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、氯化聚乙烯、氯化聚丙烯、聚偏二氟乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-乙烯共聚物、氯乙烯-偏二氯乙烯共聚物、氯乙烯-偏二氯乙烯-乙酸乙烯酯三元共聚物、氯乙烯-丙烯酸酯共聚物、氯乙烯-顺丁烯二酸酯共聚物、氯乙烯-环己基顺丁烯二酰亚胺共聚物、石油树脂、煤树脂、松香衍生物、熏草咔-茚树脂、萜烯系树脂、熏草咔树脂、聚苯乙烯、间规聚苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、丙烯酸系树脂、苯乙烯及/或α-甲基苯乙烯与其他单体(例 如顺丁烯二酸酐、苯基顺丁烯二酰亚胺、甲基丙烯酸甲酯、丁二烯、丙烯腈等)的共聚物(例如AS(丙烯腈-苯乙烯)树脂、ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)树脂)、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇树脂、乙烯基树脂、聚对苯二甲酸烷二酯、聚萘二甲酸烷二酯、聚酯树脂、1，2-双(乙烯基亚苯基)乙烷树脂等。其中较佳为：ABS树脂、聚丙烯、聚氯乙烯、丙烯酸系树脂、聚对苯二甲酸烷二酯。

工程塑胶的具体例可列举：聚碳酸酯、聚酰胺、聚己内酰胺、聚缩醛、聚酰亚胺、双顺丁烯二酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺树脂、氟系树脂、硅酮树脂、聚醚砜、聚砜、聚苯砜、聚苯硫醚、聚亚苯醚、聚醚酰亚胺、聚醚酮、聚醚醚酮、液晶聚合物(具体为可乐丽(Kuraray)制造的VECSTAR等)、聚对亚苯基对苯二甲酰胺(PPTA)、聚芳酯树脂、聚甲醛树脂、聚甲基戊烯树脂、纤维素系树脂等热塑性树脂。其中，较佳为聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚醚砜、液晶聚合物。

而且，橡胶状聚合物可使用：硅酮橡胶，异戊二烯橡胶、丁二烯橡胶、丙烯腈-丁二烯共聚合橡胶(NBR)、苯乙烯-丁二烯共聚合橡胶(SBR)等二烯系橡胶，氟橡胶，硅酮橡胶，烯烃系弹性体、苯乙烯系弹性体、聚酯系弹性体、腈系弹性体、尼龙系弹性体、氯化橡胶、氯乙烯系弹性体、聚酰胺系弹性体、聚胺基甲酸酯系弹性体等弹性体，聚丙烯酸丁酯、聚丙烯酸丙酯等丙烯酸系橡胶及乙烯-丙烯-二烯系橡胶(EPDM)、氢化橡胶等。其中较佳为二烯系橡胶、硅酮橡胶。

热硬化性塑胶的具体例可列举：酚树脂、三聚氰胺树脂、脲树脂、聚胺基甲酸酯、环氧树脂、异氰酸酯系树脂等热硬化性树脂。其中较佳为环氧树脂。

金属材料的具体例可自铝、锌、铜等的混合物、合金、及该些的合金等中进行适当选择。

并且亦可使用：原纸(非涂敷纸)、高质纸、铜版纸、涂覆纸、浇铸涂覆纸、钡地纸(baryta paper)、壁纸、衬里用纸、合成树脂、乳液含浸纸、合成橡胶乳胶含浸纸、合成树脂脂内添纸、板纸、纤维素纤维纸、纤维素酯、乙酰基纤维素、二乙酸纤维素、三乙酸纤维素、丙酸纤维素、丁酸纤维素、乙酸纤维素、硝酸纤维素、聚烯烃涂覆纸(特别是由聚乙烯被覆两侧的纸)等涂敷纸。亦可使用合成纸(聚烯烃系、聚苯乙烯系等的合成纸)或布等。

基板中只要不损及本发明的效果，则可含有各种添加剂。例如可列举：无机粒子等填充材料填充物(例如玻璃纤维、二氧化硅粒子、氧化铝、粘土、滑石、氢氧化铝、碳酸钙、云母、硅灰石)、或硅烷系化合物(例如硅烷偶合剂或硅烷接着剂等)、有机填料(例如硬化环氧树脂、交联苯代三聚氰胺树脂、交联丙烯酸系聚合物等)、塑化剂、界面活性剂、粘度调整剂、着色剂、硬化剂、冲击强度改质剂、接着性供给剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂等。

基板若考虑到半导体封装、在各种电气配线基板等中的用途，较佳为藉由JIS B0601(1994年)、10点平均高度法所测定的表面粗糙度Rz为500nm以下，更佳为100nm以下，尤佳为50nm以下，最佳为20nm以下。下限并无特别限定，较佳为5nm左右，更佳为0。

并且，基板在其单面或两面可具有金属配线。金属配线可在基板的表面形成为图案状，亦可形成于整个面。代表性的是可列举：藉由利用蚀刻处理的减成法(subtractive process)而形成者，或藉由利用电解镀敷的半加成法(semi-additive process)而形成者，可使用藉由任一种工法形成者。

构成金属配线的材料例如可列举：铜、银、锡、钯、金、镍、铬、钨、铟、锌、或镓等。

具有此种金属配线的基板例如可使用：两面或单面的铜箔板 (CCL)、或将此铜箔板的铜膜形成为图案状者等，该些基板可为可挠性基板，亦可为硬性基板。

并且，本发明的积层体可应用于半导体封装、各种电气配线基板等。用于此种用途时，较佳为使用表面具有包含绝缘性树脂的层(绝缘性树脂层)的基板。

另外，绝缘性树脂可使用公知的材料。

(密接辅助层)

密接辅助层是可设置于所述基板表面上的任意的层，会发挥出辅助基板与后述被镀层的密接性的作用。密接辅助层较佳为在对所述聚合物供给能量(例如曝光)时，与聚合物发生化学键合者。并且，密接辅助层中可包含聚合起始剂。

密接辅助层的厚度必须根据基板的表面平滑性等进行适当选择，通常较佳为0.01μm～100μm，更佳为0.05μm～20μm，特佳为0.05μm～10μm。

并且，密接辅助层的表面平滑性就提高所形成的金属膜的物性的观点而言，较佳为藉由JIS B0601(1994年)、10点平均高度法所测定的表面粗糙度Rz为3μm以下，更佳为Rz为1μm以下。

密接辅助层的材料并无特别限制，较佳为与基板的密接性良好的树脂。在基板包含电气绝缘性树脂时，较佳为使用玻璃转移温度或弹性模数、线膨胀系数等热物性接近的树脂。具体而言，例如就密接的方面而言，较佳为使用与构成基板的绝缘性树脂相同的种类的绝缘性树脂。

另外，本发明中，密接辅助层所使用的绝缘性树脂是指具有可用于公知的绝缘膜的程度的绝缘性的树脂，即使为并非完全的绝缘体，只要为具有与目标相对应的绝缘性，则可用于本发明。

绝缘性树脂的具体例，例如可为热硬化性树脂亦可为热塑性树脂还可为该些的混合物，例如热硬化性树脂可列举：环氧树脂、 酚树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、双顺丁烯二酰亚胺树脂、聚烯烃系树脂、异氰酸酯系树脂等。热塑性树脂例如可列举：苯氧树脂、聚醚砜、聚砜、聚苯砜、聚苯硫醚、聚苯醚、聚醚酰亚胺、ABS树脂等。

热塑性树脂与热硬化性树脂可分别单独使用，亦可并用2种以上。

并且，可使用含有氰基的树脂，具体可使用ABS树脂、或日本专利特开2010-84196号[0039]～[0063]记载的“包含侧链具有氰基的单元的聚合物”。

并且，若使用环氧树脂或ABS树脂作为基板，使用NBR橡胶或SBR橡胶状聚合物作为密接辅助层，则在加热时密接辅助层可缓和施加于基板或被镀层的应力，而较佳。

密接辅助层的形成方法并无特别限制，可列举：将所使用的树脂积层于基板上的方法；或将必需的成分溶解于可溶解的溶剂中，并藉由涂布等方法涂布于基板表面上并干燥的方法等。

涂布方法中的加热温度与时间只要选择涂布溶剂可充分干燥的条件即可，就制造适宜性的方面而言，较佳为选择加热温度200℃以下、时间60分钟以内的范围的加热条件，更佳为选择加热温度40℃～100℃、时间20分钟以内的范围的加热条件。另外，所使用的溶剂可根据所使用的树脂适当选择最佳的溶剂(例如环己酮、甲基乙基酮)。

(步骤(1)的顺序)

使所述被镀层形成用组成物于基板上(或密接辅助层上)接触的方法并无特别限定，可列举：将被镀层形成用组成物直接积层于基板上的方法；或者被镀层形成用组成物为包含溶剂的液状时，将组成物涂布于基板上的方法等。就容易控制所得的被镀层的厚度的方面而言，较佳为将组成物涂布于基板上的方法。

涂布的方法并无特别限制，具体的方法可使用：使用双辊涂布 机、狭缝涂布机、气刀涂布机、线棒涂布机、坡流涂布机、喷雾涂布、刮刀式涂布机(blade coater)、刮刀涂布机(doctor coater)、挤压式涂布机(squeeze coater)、反向辊涂布机、转换辊涂布机、挤出涂布机(extrusion coater)、帘幕式涂布机、模涂机、凹版辊式涂布机的涂敷法、挤出涂布法、辊涂布法等公知的方法。

就操作性或制造效率的观点而言，较佳为以下形态：使被镀层形成用组成物涂布于基板(或密接辅助层)上并干燥，而将所含的溶剂除去，而形成包含聚合物的组成物层。

使被镀层形成用组成物与基板接触时，其涂布量就与后述无电解镀敷触媒或其前驱物的充分的相互作用形成性的观点而言，以固体成分换算计，较佳为0.1g/m²～10g/m²，特佳为0.5g/m²～5g/m²。

另外，本步骤中在形成被镀层时，在涂布与干燥之间可于20℃～40℃下放置0.5小时～2小时，而将残存的溶剂除去。

(能量的供给)

对基板上的被镀层形成用组成物供给能量的方法并无特别限制，例如可使用：光(紫外线、可见光线、X射线等)、电浆(氧、氮、二氧化碳、氩等)、热、电、湿气硬化、化学硬化(例如藉由氧化性液体(过锰酸钾溶液)等而对表面进行化学分解)等公知的方法。

并且，能量供给的环境气体并无特别限制，可藉由氮气、氦气、二氧化碳等惰性气体进行置换，而将氧气浓度抑制在600ppm以下、较佳为400ppm以下的环境气体中实施。

在曝光时，例如有：低压水银灯、中压水银灯、高压水银灯、金属卤化物灯、深紫外(Deep-UV)光、氙气灯、化学灯、碳弧灯等，藉由可见光线等的光照射等，藉由红外线雷射的扫描曝光、氙放电灯等的高照度闪烁曝光、红外线灯曝光等，亦有臭氧产生较少的无臭氧型。此外，放射线有电子束、X射线、离子束、远 红外线等。并且，亦可使用g线、i线、高密度能量束(雷射束)。其中较佳为藉由250nm～450nm的曝光波长进行曝光。

曝光能量只要为10mJ～8000mJ的程度即可，较佳为100mJ～3000mJ的范围。

藉由热进行硬化时，可使用：通常的加热辊、贴合机、烫金机(hot stamp)、电热板、热能头、雷射、送风干燥机、烘箱、加热板、红外线干燥机、加热转筒等。

雷射光例如可使用：如氩或氪的离子气体雷射，如铜、金、及镉的金属蒸气雷射，如红宝石或钇铝石榴石(YAG)般的固体雷射，或在750nm～870nm的红外区域释放的如镓-砷的半导体雷射等雷射。然而实际上就小型、低成本、稳定性、可靠性、耐久性及调变的容易性的方面而言，较为有效的是半导体雷射。在使用雷射的系统中，可含有强烈吸收雷射光的材料。

该些方法可单独使用亦可并用，可使用利用光产生活性种后藉由加热而促进等的公知方法，并无特别限定。

所得的被镀层的厚度并无特别限制，就金属膜对基板的密接性的方面而言，较佳为0.01μm～10μm，更佳为0.05μm～5μm。

并且，干燥膜厚较佳为0.05g/m²～20g/m²，特佳为0.1g/m²～6g/m²。

而且，被镀层的表面粗糙度(Ra)就配线形状及密接强度的方面而言，较佳为0.01μm～0.3μm，更佳为0.02μm～0.15μm。另外，表面粗糙度(Ra)是藉由非接触式干涉法，依据JIS B0601(20010120修订)所记载的Ra，使用Surfcom3000A(东京精密(股)制造)进行测定。

另外，被镀层中的聚合物的含量相对于被镀层总量，较佳为2质量％～100质量％，更佳为10质量％～100质量％的范围。

并且，进行能量供给时，成图案状进行能量供给，然后藉由公知的显影处理将能量未照射部分除去，而可形成图案状被镀层。

<触媒供给步骤>

在触媒供给步骤中，对所述层形成步骤中所得的被镀层供给无电解镀敷触媒或其前驱物。

本步骤中，被镀层中的源自式(1)所示的化合物的磺酸基、或源自聚合物的相互作用性基根据其功能，附着(吸附)所供给的无电解镀敷触媒或其前驱物。更具体而言，在被镀层中、及被镀层表面上，供给无电解镀敷触媒或其前驱物。

首先，对本步骤中所使用的无电解镀敷触媒及其前驱物进行详细阐述，然后对操作顺序进行说明。

(无电解镀敷触媒)

本步骤中所用的无电解镀敷触媒若为成为无电解镀敷时的活性核者，则可使用任意者，具体可列举：具有自我触媒还原反应的触媒功能的金属(作为离子化倾向低于Ni的可进行无电解镀敷的金属而已知者)等。具体可列举：Pd、Ag、Cu、Ni、Al、Fe、Co等。其中就较高的触媒功能的方面而言，特佳为Ag、Pd。

此无电解镀敷触媒能以金属胶体的形态使用。通常，金属胶体可藉由在具有电荷的界面活性剂或具有电荷的保护剂存在的溶液中，将金属离子还原而制作。金属胶体的电荷可藉由此处所使用的界面活性剂或保护剂来调节。

(无电解镀敷触媒前驱物)

本步骤中所用的无电解镀敷触媒前驱物若为可藉由化学反应而成为无电解镀敷触媒者，则可无特别限制地使用。主要使用作为所述无电解镀敷触媒而列举的金属离子。作为无电解镀敷触媒前驱物的金属离子藉由还原反应而成为作为无电解镀敷触媒的0价金属。作为无电解镀敷触媒前驱物的金属离子供给至被镀层后，在浸渍于无电解镀敷浴中之前，藉由另外还原反应而变为0价金属而可形成无电解镀敷触媒，亦能以无电解镀敷触媒前驱物的状态浸渍于无电解镀敷浴中，藉由无电解镀敷浴中的还原剂而变为 金属(无电解镀敷触媒)。

作为无电解镀敷触媒前驱物的金属离子较佳为使用金属盐而供给至被镀层。所使用的金属盐若为溶解于适当的溶剂中而解离为金属离子与碱(阴离子)者，则并无特别限制，可列举：M(NO₃)_n、MCl_n、M_2/n(SO₄)、M_3/n(PO₄)(M表示n价金属原子)等。金属离子可较佳地使用上述金属盐解离而成者。具体例例如可列举：Ag离子、Cu离子、Al离子、Ni离子、Co离子、Fe离子、Pd离子，其中较佳为可多牙配位者，特别是就可配位的官能基的种类数及触媒功能的方面而言，较佳为Ag离子、Pd离子。

本发明中所用的无电解镀敷触媒或其前驱物的较佳例之一可列举钯化合物。此钯化合物发挥出作为镀敷触媒(钯)或其前驱物(钯离子)的作用，即发挥出在镀敷处理时成为活性核而使金属析出的作用。钯化合物若包含钯并在镀敷处理时发挥出作为核的作用，则并无特别限定，例如可列举：钯(II)盐、钯(O)错合物、钯胶体等。

并且，无电解镀敷触媒或其前驱物可列举银、或银离子作为较佳的其他例子。

在使用银离子时，可较佳地使用如以下所示的银化合物解离而成者。银化合物的具体例可列举：硝酸银、乙酸银、硫酸银、碳酸银、氰化银、硫氰酸银、氯化银、溴化银、铬酸银、氯冉酸银、水杨酸银、二乙基二硫代胺基甲酸银、对甲苯磺酸银。其中就水溶性的观点而言，较佳为硝酸银。

将作为无电解镀敷触媒的金属、或作为无电解镀敷触媒前驱物的金属盐供给至被镀层的方法，只要制备将金属分散于适当的分散介质而得的分散液、或藉由适当的溶剂溶解金属盐而制备包含解离的金属离子的溶液，并将此分散液或溶液涂布于被镀层上；或将形成有被镀层的基板浸渍于此分散液或溶液中即可。

以如上所述的方式使无电解镀敷触媒或其前驱物接触，而可 利用如凡得瓦力般的分子间力的相互作用、或藉由孤立电子对的配位键的相互作用，而使无电解镀敷触媒或其前驱物吸附于被镀层中的磺酸基或相互作用性基上。

就充分地进行此种吸附的观点而言，分散液或溶液中的金属浓度或金属离子浓度较佳为0.001质量％～50质量％的范围，更佳为0.005质量％～30质量％的范围。

并且，接触时间较佳为30秒～24小时左右，更佳为1分钟～1小时左右。 

(有机溶剂及水)

如上所述的无电解镀敷触媒或其前驱物如上所述般，较佳为以分散液或溶液(镀敷触媒液)的形态供给至被镀层。

分散液或溶液中使用有机溶剂或水。藉由含有有机溶剂，可提高无电解镀敷触媒或其前驱物对被镀层的渗透性，并且可使无电解镀敷触媒或其前驱物高效地吸附于磺酸基或相互作用性基上。

分散液或溶液中可使用水，此水较佳为不含杂质，就此种观点而言，较佳为使用反渗透(RO，Reverses Osmosis)水或去离子水、蒸馏水、纯化水等，特佳为使用去离子水或蒸馏水。

分散液或溶液的制备所用的有机溶剂若为可渗透至被镀层的溶剂，则并无特别限制，具体可使用：丙酮、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙二醇二乙酸酯、环己酮、乙酰基丙酮、苯乙酮、2-(1-环己烯基)环己酮、丙二醇二乙酸酯、甘油三乙酸酯、二乙二醇二乙酸酯、二恶烷、N-甲基吡咯烷酮、碳酸二甲酯、二甲基溶纤剂等。

特别是就与无电解镀敷触媒或其前驱物的相溶性、及对被镀层的渗透性的观点而言，较佳为水溶性有机溶剂，较佳为丙酮、碳酸二甲酯、二甲基溶纤剂、三乙二醇单甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚。

另外，分散液或溶液中根据目的可含有其他添加剂。其他添加剂例如可列举：膨润剂、或界面活性剂等。

关于被镀层的无电解镀敷触媒或其前驱物的吸附量，根据所使用的镀敷浴种、触媒金属种、被镀层的相互作用性基种、使用方法等而不同，就镀敷的析出性的观点而言，较佳为5mg/m²～1000mg/m²，更佳为10mg/m²～800mg/m²，特佳为20mg/m²～600mg/m²。

<镀敷步骤>

镀敷步骤是对触媒供给步骤中所得的无电解镀敷触媒或其前驱物吸附的被镀层进行无电解镀敷处理，而于被镀层上形成金属膜的步骤。

更具体而言，如图1(C)所示，在本步骤中，金属膜14形成于被镀层12上而获得积层体16。另外更佳的形态是，为了获得所需的膜厚的金属膜14，而在无电解镀敷后进一步进行电解镀敷。

以下，对本步骤中所进行的镀敷处理进行说明。

(无电解镀敷)

无电解镀敷是指使用溶解有想要析出的金属离子的溶液作为镀敷，藉由化学反应而使金属析出的操作。

本步骤中的无电解镀敷例如将供给了无电解镀敷触媒的基板进行水洗而将多余的无电解镀敷触媒(金属)除去后，浸渍于无电解镀敷浴中来进行。所使用的无电解镀敷浴可使用公知的无电解镀敷浴。

并且，将供给了无电解镀敷触媒前驱物的基板在无电解镀敷触媒前驱物吸附或含浸于被镀层的状态下浸渍于无电解镀敷浴中时，将基板进行水洗而将多余的前驱物(金属盐等)除去后，浸渍于无电解镀敷浴中。此时，于无电解镀敷浴中，进行镀敷触媒前驱物的还原以及接着进行无电解镀敷。此处所使用的无电解镀敷浴亦与上述同样可使用公知的无电解镀敷浴。

另外，无电解镀敷触媒前驱物的还原与使用如上所述的无电解镀敷液的形态不同，亦可准备触媒活性化液(还原液)，作为无电解镀敷前的其他步骤来进行。触媒活性化液是溶解有可将无电解镀敷触媒前驱物(主要为金属离子)还原成0价金属的还原剂的溶液，相对于溶液总体，此还原剂的浓度较佳为0.1质量％～50质量％，更佳为1质量％～30质量％。还原剂可使用：硼氢化钠、二甲基胺硼烷之类的硼系还原剂，甲醛、次磷酸等还原剂。

浸渍时，较佳为将无电解镀敷触媒或其前驱物接触的被镀层表面附近的无电解镀敷触媒或其前驱物的浓度保持为固定，且一边施加搅拌或摇动一边浸渍。

通常的无电解镀敷浴的组成除了溶剂(例如水)外，主要包含：1.镀敷用金属离子、2.还原剂、3.使金属离子的稳定性提高的添加剂(稳定剂)。此镀敷浴中，除了该些成分外，还可包含镀敷浴的稳定剂等公知的添加物。

镀敷浴所用的有机溶剂必须为可溶解于水的溶剂，就此方面而言，较佳为使用丙酮等酮类，甲醇、乙醇、异丙醇等醇类。

无电解镀敷浴所用的金属的种类已知有铜、锡、铅、镍、金、银、钯、铑，其中，就导电性的观点而言，特佳为铜、金。并且，根据上述金属选择最佳的还原剂、添加物。

藉由如此形成的无电解镀敷而成的金属膜的膜厚可藉由镀敷浴的金属离子浓度、在镀敷浴中的浸渍时间、或镀敷浴的温度等来控制，就导电性的观点而言，较佳为0.1μm以上，更佳为0.2μm～2μm。

其中，将藉由无电解镀敷所形成的金属膜作为导通层，进行后述的电解镀敷时，较佳为均匀地供给至少0.1μm以上的膜。

并且，在镀敷浴中的浸渍时间较佳为1分钟～6小时左右，更佳为1分钟～3小时左右。 

藉由以如上方式获得的无电解镀敷而成的金属膜藉由利用扫 描型电子显微镜(SEM，scanning electron microscope)的剖面观察而确认：于被镀层中包含镀敷触媒或镀敷金属的微粒子以高密度分散，并且进一步于被镀层上析出镀敷金属。被镀层与金属膜的界面是树脂复合物与微粒子的混成状态，因此即便被镀层与金属膜的界面平滑，密接性亦良好。

(电解镀敷(电镀))

本步骤中，在上述无电解镀敷处理后，根据需要可进行电解镀敷。藉此可将与基板的密接性优异的无电解镀敷膜作为基础层，并于其上容易形成具有新的任意厚度的金属膜。如此，在无电解镀敷后进行电解镀敷，藉此可将金属膜形成为与目标相对应的厚度，因此适合将金属膜用于各种用途。

电解镀敷的方法可使用先前公知的方法。另外，电解镀敷所用的金属可列举：铜、铬、铅、镍、金、银、锡、锌等，就导电性的观点而言，较佳为铜、金、银，更佳为铜。

并且，藉由电解镀敷所得的金属膜的膜厚可藉由调整镀敷浴中所含的金属浓度、或电流密度等来控制。

另外，应用于通常的电气配线等中时，金属膜的膜厚就导电性的观点而言，较佳为0.5μm以上，更佳为1μm～30μm。

另外，电气配线的厚度是由于电气配线的线宽变得越窄(即微细化)，即为了维持能够微细化的程度的纵横比而变得越薄。因此，藉由电解镀敷而形成的金属膜的层厚并不限定于上述层厚，可任意设定。

<积层体>

藉由经过上述步骤，而可获得如图1(C)所示的依序具有基板10、被镀层12、及金属膜14的积层体16(附金属膜的积层体)。

所得的积层体16可用于各种领域，例如可用于：电气/电子/通信、农林水产、矿业、建筑、食品、纤维、衣类、医疗、煤、石油、橡胶、皮革、汽车、精密设备、木材、建材、土木、家具、 印刷、乐器等广泛的产业领域。

更具体而言，可用于：印表机、个人电脑、文字处理机、键盘、个人数码助理(PDA，Personal Digital Assistant)、电话机、影印机、传真机、电子收银机(ECR，electronic cash registers)、计算器、电子记事簿、卡片、固持器、文具等商务设备、办公自动化(OA，Office Automation)设备，洗衣机、冰箱、吸尘器、电炉、照明器具、游戏机、熨斗、被炉等家电设备，电视机(TV)、磁带录象机(VTR，videotape recorder)、摄像机、收录机、磁带录音机、迷你磁碟、光碟(CD，compact disk)播放机、扬声器、液晶显示器等视听(AV，Audio Video)设备，连接器、继电器、电容器、开关、印刷基板、绕线管、半导体密封材料、发光二极体(LED，light-emitting diode)密封材料、电线、电缆、变压器、偏向磁轭、分电盒、半导体晶片、各种电气配线板、柔性印刷电路(FPC，Flexible Printed Circuit)、覆晶薄膜(COF，Chip On Film)、卷带式自动接合(TAB，Tape Automated Bonding)、2层铜箔板(CCL，Copper Clad Laminate)材料、电气配线用材料、多层配线基板、母板、天线、抗电磁波膜、钟表等电气/电子零件、及通信设备等用途。

特别是就改良金属膜与被镀层的界面的平滑性的方面而言，例如可应用于装饰品(眼镜框、汽车装饰品、宝饰品、游戏壳体、西方餐具、自来水管道配件、照明器具等)、或必须确保高频率传送的用途(例如配线基板用、印刷配线基板用)等各种用途。

<任意步骤：图案形成步骤>

根据需要，可对上述所得的积层体实施：将金属膜蚀刻成图案状，而形成图案状金属膜的步骤。

更具体而言，如图1(D)所示，于本步骤中，藉由将金属膜14的不需要部分除去，而使图案状金属膜18形成于被镀层12上。本步骤中，可藉由蚀刻将形成于整个基板表面的金属膜的不需要 部分去除，而生成所需要的图案状金属膜。

此图案的形成中亦可使用任意方法，具体可使用：通常所知的减成法(在金属膜上设置图案状遮罩，将遮罩的非形成区域进行蚀刻处理后，将遮罩除去，而形成图案状金属膜的方法)、半加成法(在金属膜上设置图案状遮罩，以在遮罩的非形成区域形成金属膜的方式进行镀敷处理，将遮罩除去，进行蚀刻处理而形成图案状金属膜的方法)。

减成法具体而言，是在所形成的金属膜上设置抗蚀剂层并藉由图案曝光、显影而形成与金属膜图案部相同的图案，将抗蚀剂图案作为遮罩藉由蚀刻液将金属膜除去，而形成图案状金属膜的方法。

抗蚀剂亦可使用任意的材料，可使用负型、正型、液状、膜状者。并且，蚀刻方法是印刷配线基板的制造时所使用的方法均可使用，可使用湿式蚀刻、干式蚀刻等，任意选择即可。就作业的操作而言，湿式蚀刻于装置等的简便性的方面较佳。蚀刻液例如可使用：氯化铜、氯化铁等的水溶液。

更具体而言，图2(A)～图2(D)表示使用减成法的蚀刻步骤的形态。

首先，藉由进行上述步骤(4)的镀敷步骤，而准备图2(A)所示的具有基板10、绝缘性树脂层22、密接辅助层24、被镀层12、以及金属膜14的积层体。另外，图2(A)中，在基板10表面上及其内部具有金属配线20。绝缘性树脂层22、密接辅助层24、金属配线20是根据需要而追加的构成构件。并且，图2(A)中，在基板10的单面设置有金属膜14，亦可设置于两面。

接着，如图2(B)所示般，将图案状遮罩26设置于金属膜14上。

然后，如图2(C)所示般，将未设置遮罩的区域的金属膜14藉由蚀刻处理(例如干式蚀刻、湿式蚀刻)而除去，而获得图案 状金属膜18。最后，将遮罩26去除，而获得本发明的积层体(参照图2(D))。

半加成法具体而言是如下的方法：在所形成的金属膜上设置抗蚀剂层，藉由图案曝光、显影而形成与非金属膜图案部相同的图案，将抗蚀剂图案作为遮罩进行电解镀敷，将抗蚀剂图案除去后实施快速蚀刻，将金属膜成图案状除去，藉此形成图案状金属膜。

抗蚀剂、蚀刻液等可使用与减成法同样的材料。并且，电解镀敷方法可使用上述记载的方法。

更具体而言，图3(A)～图3(E)表示使用半加成法的蚀刻步骤的形态。

首先，准备如图3(A)所示的具有基板10、绝缘性树脂层22、密接辅助层24、被镀层12、以及金属膜14的积层体。 

接着，如图3(B)所示般，将图案状遮罩26设置于金属膜14上。

接着，如图3(C)所示般，进行电解镀敷，在未设置遮罩26的区域形成金属膜，而获得金属膜14b。

然后，如图3(D)所示般，将遮罩26去除，进行蚀刻处理(例如干式蚀刻、湿式蚀刻)，而获得如图3(E)所示般具有图案状金属膜18的积层体。 

另外，在除去金属膜的同时，可藉由公知的方法(例如干式蚀刻)等将被镀层一起除去。

接着，在藉由半加成法实施蚀刻步骤时，如图4(A)～图4(H)所示，为了获得多层配线基板而可实施此步骤。

如图4(A)所示，首先，准备具有基板10、绝缘性树脂层22、密接辅助层24、被镀层12、以及金属膜14的积层体。 

接着，如图4(B)所示，藉由雷射加工或钻孔加工，以贯通金属膜14、被镀层12、密接辅助层24、绝缘性树脂层22，而到 达金属配线20的方式形成通孔。根据需要然后进行除胶渣处理。

接着，如图4(C)所示，对所形成的通孔壁面供给镀敷触媒，进行无电解镀敷及/或电解镀敷，而获得与金属配线20接触的金属膜28。

接着，如图4(D)所示，将特定图案状遮罩26设置在金属膜28上，进行电解镀敷而获得金属膜30(参照图4(E))。

然后，将遮罩26除去后(参照图4(F))，进行蚀刻处理(例如干式蚀刻、湿式蚀刻)，而获得图案状金属膜32(参照图4(G))。然后，根据需要藉由电浆处理等，可将被镀层12及密接辅助层24除去(参照图4(H))。

[实例]

以下，藉由实例对本发明进行更详细的说明，但本发明并不限定于该些实例。

(合成例1：聚合物1)

在2L的三口烧瓶中投入乙酸乙酯1L、2-胺基乙醇159g，藉由冰浴进行冷却。于其中滴加2-溴异丁酰溴150g而将内温调节为20℃以下。然后，使内温上升至室温(25℃)而反应2小时。反应结束后，追加蒸馏水300mL使反应停止。然后，将乙酸乙酯层藉由蒸馏水300mL清洗4次后，藉由硫酸镁进行干燥，接着将乙酸乙酯蒸馏除去而获得80g原料A。

接着，在500mL的三口烧瓶中，投入47.4g原料A、吡啶22g、乙酸乙酯150mL，藉由冰浴进行冷却。于其中滴加丙烯酰氯25g而将内温调节为20℃以下。然后，升温至室温而反应3小时。反应结束后，追加蒸馏水300mL，使反应停止。然后，将乙酸乙酯层藉由蒸馏水300mL清洗4次后，藉由硫酸镁进行干燥，接着将乙酸乙酯蒸馏除去。然后，藉由管柱层析法将以下的单体M1进行纯化而获得20g。

[化11]

单体M1

在500mL的三口烧瓶中投入N，N-二甲基乙酰胺8g，在氮气流下加热至65℃。于其中历时4小时滴加单体M1：14.3g、丙烯腈(东京化成工业(股)制造)3.0g、丙烯酸(东京化成制造)6.5g、V-65(和光纯药制造)0.4g的N，N-二甲基乙酰胺8g溶液。

滴加结束后，接着将反应溶液搅拌3小时。然后，追加N，N-二甲基乙酰胺41g，将反应溶液冷却至室温。在上述反应溶液中添加4-羟基TEMPO(东京化成制造)0.09g、二氮杂二环(DBU)54.8g，在室温下进行12小时反应。然后，在反应液中添加70质量％甲磺酸水溶液54g。反应结束后，藉由水进行再沉淀，取出固体成分，而获得12g聚合物1。

使用红外线(IR，infrared ray)测定机(堀场制作所(股)制造)对所得的聚合物1进行鉴定。测定是使聚合物溶解于丙酮并使用KBr结晶来进行。IR测定的结果可知，在2240cm^-1附近观测到峰值并且作为腈单元的丙烯腈被导入至聚合物。并且，藉由酸值测定可知，作为羧酸单元的丙烯酸被导入。并且，使聚合物1溶解于氘化DMSO(二甲基亚砜)，藉由布鲁克(Bruker)制造的300MHz的NMR(AV-300)进行测定。可知，相当于含有腈基的单元的峰值在2.5ppm-0.7ppm(5H分)被观察到较宽，相当于含有聚合性基的单元的峰值在7.8ppm-8.1ppm(1H分)、5.8ppm-5.6ppm(1H分)、5.4ppm-5.2ppm(1H分)、4.2ppm-3.9ppm(2H分)、3.3ppm-3.5ppm(2H分)、2.5ppm-0.7ppm(6H分)被观察到较宽，相当于含有羧酸的单元的峰值在2.5ppm-0.7ppm(3H分)被观察到较宽，含有聚合性基的单元∶含有腈基的单元∶ 羧酸基单元＝30∶30∶40(mol％)。

[化12]

聚合物1

(合成例2：聚合物2)

在500ml的三口烧瓶中投入N，N-二甲基乙酰胺20g，在氮气流下加热至65℃。于其中历时4小时滴加以下的单体M2：20.7g、丙烯酸2-氰基乙酯(东京化成工业(股)制造)20.5g、丙烯酸(东京化成工业(股)制造)14.4g、V-65(和光纯药工业(股)制造)1.0g的N，N-二甲基乙酰胺20g溶液。滴加结束后，接着搅拌3小时。然后，加足N，N-二甲基乙酰胺91g，将反应溶液冷却至室温。

在上述的反应溶液中添加4-羟基TEMPO(东京化成工业(股)制造)0.17g、三乙基胺75.9g，于室温下进行4小时反应。然后，在反应液中添加70质量％甲磺酸水溶液112g。反应结束后，藉由水进行再沉淀，取出固体成分而获得25g聚合物2。

[化13]

单体2

[化14]

聚合物2

(合成例3：聚合物3)

在500ml三口烧瓶中投入N，N-二甲基乙酰胺200g、聚丙烯酸(和光纯药制造、分子量：25000)30g、四乙基铵苄氯2.4g、二第三戊基对苯二酚25mg、Cyclomer A(大赛璐化学(Daicel Chemical)制造)27g，在氮气流下于100℃反应5小时。然后，将反应液再沉淀，滤取固体成分，而获得28g聚合物3。

[化15]

聚合物3

(合成例4：聚合物4)

在500mL的三口烧瓶中投入N，N-二甲基乙酰胺24g，在氮气流下加热至60℃。于其中历时6小时滴加单体M1：25.4g、丙烯酸2-羟基乙酯(东京化成工业(股)制造)26g、V-601(和光纯药制造)0.57g的N，N-二甲基乙酰胺43.6g溶液。

滴加结束后，接着将反应溶液搅拌3小时。然后，追加N，N- 二甲基乙酰胺40g，将反应溶液冷却至室温。在所述反应溶液中添加4-羟基TEMPO(东京化成制造)0.15g、DBU33.2g，于室温下进行12小时反应。然后，在反应液中添加70质量％甲磺酸水溶液24g。反应结束后，藉由水进行再沉淀，取出固体成分，而获得20g聚合物4。

[化16]

聚合物4

<被镀层形成用组成物的制备>

在投入了磁力搅拌器的100ml烧杯中，根据表1添加水、丙二醇单甲醚、2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、聚合物1、六亚甲基双丙烯酰胺、IRGACURE2959(CIBA)，并调液而获得组成物1～组成物5。

另外，表1中，各成分(溶剂、砜化合物、聚合物、多官能单体、聚合起始剂等)的含量以相对于组成物总量的质量％表示。

[表1]

[化17]

2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸

<实例1～实例4、比较例1>

[被镀层的制作]

在FR-4基板(日立化成、玻璃环氧树脂基板)上真空层压GX-13(味之素精细化学(Ajinomoto Fine-Techno))，将所得的基板表面藉由5％的氢氧化钠溶液于60℃处理5分钟。所得的基板表面的水接触角为52°。

然后，将表1所示的被镀层形成用组成物(组成物1～组成物5)分别滴加至基板表面上，藉由3000rpm旋涂20秒。然后，在真空下对基板进行UV照射(能量：2J、10mW、波长：256nm)，而进行被镀层的硬化。将使用组成物1～组成物5所得的附有被镀 层的基板(被镀层厚度：250nm)分别设为Sub1-1～Sub1-5。

[触媒的供给、及无电解镀敷]

将Sub1-1～Sub1-5于清洁洗涤液ACL-009(上村工业)中于50℃下浸渍5分钟，藉由纯水清洗2次。然后，于Pd触媒供给液MAT-2(上村工业)中于室温下浸渍5分钟，藉由纯水清洗2次。

接着，将实施了上述处理的Sub1-1～Sub1-5于还原剂MAB(上村工业)中于36℃浸渍5分钟，藉由纯水清洗2次。然后，于活性化处理液MEL-3(上村工业)中于室温下浸渍5分钟，不清洗而于无电解镀敷液Through-Copper PEA(上村工业)中于室温下分别浸渍30分钟。将使用Sub1-1～Sub1-5而得的基板分别设为ELP1-1～ELP1-5。

[电解镀敷]

使用水1283g、硫酸铜五水合物135g、98％浓硫酸342g、36％浓盐酸0.25g、ET-901M(罗门哈斯(Rohm and Hass))39.6g的混合溶液，作为电解镀敷液，将安装了固持器的ELP1-1～ELP1-5及铜板与电源连接，藉由3A/dm²进行45分钟电解镀铜处理，而获得约18μm的镀铜膜(金属膜)。将使用ELP1-1～ELP1-5而得的基板分别设为EP1-1～EP1-5。

<评价>

(剥离强度测定)

将EP1-1～EP1-5于100℃加热30分钟后，接着于180℃加热1小时。对所得的样品隔开10mm的间隔，平行地切入130mm的切口，将其端部藉由裁刀切入切口而突起10mm。将剥离的端部固定住而使用TENSILON(SHIMADZU)测得剥离强度(拉伸速度50mm/min)。将结果示于表2。

(镀敷析出性)

将1cm²的ELP1-1～ELP1-5固定于压克力片(acryl block)，投入至专用模具，将丙烯酸系树脂Acrylic One(马鲁托 (MARUTOH)股份有限公司)注入至模具后，藉由曝光装置ONE·LIGHT(马鲁托(MARUTOH)股份有限公司)进行2小时曝光而将丙烯酸系树脂硬化。硬化后，藉由丙酮进行清洗，藉由研磨装置ML-160A(马鲁托(MARUTOH)股份有限公司)使用#400的研磨纸研磨至基板表面出现为止后，藉由Baikaloy1.0CR(BAIKOWSK INTERNATIONAL CORPORATION)研磨至成为镜面为止。在表面蒸镀防止充电用金后，藉由Miniscope TM-1000(日立(HITACHI))观察铜的膜厚。将变换成每60分钟的成膜速度的值示于表2。

[表2]

如上述表2所示可确认，在使用与本发明的被镀层形成用组成物相当的组成物2～组成物5的实例1～实例4中，表现出优异的无电解镀敷速度、及剥离强度。其中，{砜化合物的质量/(砜化合物的质量+聚合物的质量)}为0.20以下的实例1～实例3中，表现出特别优异的剥离强度。

另一方面，在使用不含式(1)所示的化合物的组成物1的比较例1中，无电解镀敷速度亦较差，无法获得充分的膜厚，无法进行剥离强度的测定。

<实例5～实例9、比较例2>

藉由与上述表1中的组成物3同样的成分组成，调液变更了式(1)所示的化合物、聚合物及多官能单体的种类的组成物6～ 组成物9。表3表示所使用的单体及聚合物。在组成物10中不使用多官能单体，添加等量的溶剂1与溶剂2，以成为100质量％的方式进行调液。

另外，表3中，组成物7中所使用的单体并不相当于式(1)所示的化合物。

[化18]

N-羟基甲基丙烯酰胺

[化19]

苯乙烯磺酸

使用上述组成物6～组成物10，实施上述[被镀层的制作]、[触媒的供给、及无电解镀敷]、[电解镀敷]。

并且，在FR-4基板上真空层压GX-13而得的基板表面上，藉由1500rpm将使用表4所示的化合物的组成物11旋涂20秒制成密接辅助层，于170℃下加热1小时后，于5％的氢氧化钠溶液中于60℃下处理5分钟。所得的基板表面的水接触角为48°。另外，表4中的数值表示g(克)。

然后，将组成物3滴加至基板表面上，藉由3000rpm旋涂20秒。然后，在真空下对基板进行UV照射(能量：2J、10mW、波长：256nm)，进行被镀层的硬化。接着，实施上述的[触媒的供给、及无电解镀敷]、[电解镀敷]。将该些的结果示于表5。

[表4]

[表5]

根据上述表5可确认，在使用包含苯乙烯磺酸的组成物6的实例5中，亦表现出优异的无电解镀敷速度、及剥离强度。

另一方面，在使用包含不与式(1)所示的化合物相当的N-羟基甲基丙烯酰胺的组成物7的比较例2中，无电解镀敷速度较差，无法获得充分的膜厚，无法进行剥离强度的测定。

在分别使用变更了聚合物的种类的组成物8～组成物10的实例6～实例8中，在添加了密接辅助层的实例9中均可确认到，表现出优异的无电解镀敷速度、及剥离强度。

并且，若于实例1～实例3、实例6～实例8中进行比较，则包含多官能单体的实例1～实例3、实例6、实例7表现出特别优异的剥离强度。

<实例10>

对实例1中所得的实施了电解镀铜的基板进行180℃/1小时的热处理后，在此基板的表面，藉由真空贴合机(名机制作所(股)制造：MVLP-600)将干式抗蚀剂膜(日立化成(股)制造；RY3315、膜厚15μm)于70℃以0.2MPa进行层压。接着，使层压了干式抗蚀剂膜的基板 与可形成JPCA-ET01所规定的梳状配线(依据JPCA-BU01-2007)的玻璃遮罩密接，藉由中心波长405nm的曝光机对抗蚀剂照射70mJ的光能量。对曝光后的基板以0.2MPa的喷雾压喷附1％Na₂CO₃水溶液，并进行显影。然后，进行基板的水洗、干燥，而于镀铜膜上形成减成法用抗蚀剂图案。

将形成有抗蚀剂图案的基板于FeCl₃/HCl水溶液(蚀刻液)中于温度40℃下浸渍，藉此进行蚀刻，并将存在于抗蚀剂图案的非形成区域的镀铜膜除去。然后，将3％NaOH水溶液以0.2MPa的喷雾压喷附于基板上，藉此将抗蚀剂图案膨润剥离，藉由10％硫酸水溶液进行中和处理，并进行水洗，藉此获得梳状配线(图案状镀铜膜)。所得的配线为L/S＝20μm/75μm。

<实例11>

代替实例1中的被镀层形成时的整面曝光，而进行藉由雷射照射的图案曝光，然后，藉由1％碳酸氢钠水将未曝光部分显影、除去，而获得图案状被镀层。对所得的图案状被镀层进行实例1中所进行的“触媒的供给”、及“镀敷”，而在被镀层上获得图案状镀铜膜。

Claims (8)

1.一种被镀层形成用组成物，其包含式(1)所示的化合物、及具有聚合性基的聚合物：

式(1)中，R¹⁰表示氢原子、金属阳离子、或四级铵阳离子；L¹⁰表示单键、或二价有机基；R¹¹～R¹³分别独立表示氢原子、或经取代或未经取代的烷基；n表示1或2。

2.根据权利要求1所述的被镀层形成用组成物，其中所述化合物的质量(质量A)、与所述化合物的质量(质量A)及所述聚合物的质量(质量B)的合计值(质量A+质量B)的质量比{质量A/(质量A+质量B)}为0.01～0.25。

3.根据权利要求1或2所述的被镀层形成用组成物，其中所述化合物的质量(质量A)、与所述化合物的质量(质量A)及所述聚合物的质量(质量B)的合计值(质量A+质量B)的质量比{质量A/(质量A+质量B)}为0.05～0.20。

4.根据权利要求1或2所述的被镀层形成用组成物，其中还包含多官能单体。

5.根据权利要求1或2所述的被镀层形成用组成物，其中还包含聚合起始剂。

6.一种具有金属膜的积层体的制造方法，其包括：层形成步骤，使如权利要求1-5中任一项所述的被镀层形成用组成物接触于基板后，对所述被镀层形成用组成物供给能量而于所述基板上形成被镀层；

触媒供给步骤，对所述被镀层供给无电解镀敷触媒或所述镀敷触媒的前驱物；

镀敷步骤，对所述镀敷触媒或所述镀敷触媒的前驱物进行无电解镀敷，而于所述被镀层上形成金属膜。

7.根据权利要求6所述的具有金属膜的积层体的制造方法，其中所述基板表面的水接触角为80°以下。

8.一种被镀层，其是使用如权利要求1-5中任一项所述的被镀层形成用组成物而得。