CN103290253B - 铜合金 - Google Patents
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Abstract
提供一种强度与导电性的平衡优越,进而强度与弯曲加工性的平衡也优越的铜合金板。本发明的铜合金含有规定量的Cr、Ti、Si,所述Cr与所述Ti的质量比:1.0≤(Cr/Ti)≤30,所述Cr与所述Si的质量比:3.0≤(Cr/Si)≤30,余量由铜及不可避杂质构成,其要旨在于,所述铜合金中所含的Cr、Ti及Si的合计量中的70%以上析出,并且所述铜合金的宽度方向横截面中从所述铜合金表面计算,在厚度方向25μm×横截面方向40μm的区域内由SEM观察的当量圆直径为300nm以上的析出物在50个以下,且在所述铜合金板的表面中由TEM观察的当量圆直径不到300nm的析出物的平均当量圆直径在15nm以下。
Description
技术领域
本发明涉及一种高强度、高导电性,进而弯曲加工性也优越的铜合金,详细地说涉及一种适于用作在构成电气/电子零件的连接器、引线架、继电器、开关、配线、端子等中使用的各种电气/电子零件用材料的铜合金。
背景技术
近年来,伴随着电子机器的小型化及轻量化的要求,推进电气/电子零件的电气系统的复杂化、高集成化,对各种电气/电子零件用材料要求薄壁化或可耐复杂形状的加工的特性。
例如,构成电气/电子零件的连接器、引线架、继电器、开关等通电零件所使用的电气/电子零件用材料,因小型/薄壁化而使得承受同一载荷的材料的截面面积变小,相对于通电量而言的材料的截面面积也变小,因此为了抑制通电引起的焦耳热的产生,要求良好的导电性,并且要求可耐住在电气/电子机器的组装时或动作时被施加的应力的高强度,或者即使对电气/电子零件进行弯曲加工,也不产生断裂等的弯曲加工性。
作为电气/电子零件用材料,通用Cu-Fe-P合金,但如果为了实现高强度化而添加Sn等合金成分的话,则导电性下降,难以实现强度与导电性的平衡(强度-导电性平衡)。
另外,作为高强度材料,提出有析出硬化型的合金(Cu-Ni-Si合金),但是如果为了提高导电性而使Ni或Si的含量降低,则拉伸强度下降,因此难以实现强度-导电性平衡。
作为比现有的Cu-Fe-P合金或Cu-Ni-Si合金在强度-导电性平衡方面更优选的材料,提出有Cu-Cr系合金(专利文献1)。但是,在热轧时生成粗大的析出物,在高强度化和高导电性化方面都存在限界。
另外,作为强度-导电性平衡和加工性优越的铜合金,提出Cu-Cr-Sn系合金(专利文献2)。但是在Cu-Cr-Sn系合金中,需要在高温下的熔体化处理,存在制造工序变繁杂等制造方面的问题。
进而作为强度和导电性及高温强度优越的铜合金,提出Cu-Cr-Ti-Zr合金(专利文献3)。但是,在该铜合金中,虽然可以提高强度和导电性,但对于弯曲加工性是不够的。
另外,作为强度-导电性平衡优越的铜合金,提出Cu-Cr-Ti-Si合金(专利文献4)。在该专利文献4中,虽然对弯曲加工性有考虑,但如后述那样对严酷的弯曲加工仍不充分。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005-29857号公报
专利文献2:日本特开平6-081090号公报
专利文献3:日本特许第3731600号公报
专利文献4:日本特许第2515127号公报
伴随于近年来的电气、电子机器的轻量小型化等,对薄壁化的材料实施弯曲加工,或将配线开槽成细微宽度(缺口加工)后实施弯曲加工等,对电气/电子零件用材料进行超越目前的复杂的加工,因此,不仅是强度提高,对弯曲加工性的要求也格外高,寻求不仅强度-导电性平衡优越、强度-弯曲加工性平衡也优越的材料。
发明内容
本发明是着眼于上述情况而提出的,其目的在于,提供强度和导电性的平衡优越的铜合金。进而本发明提供一种强度和导电性的平衡优越且弯曲加工性也优越的铜合金。
可解决上述课题的本发明的铜合金,以质量%计,其含有
Cr:0.10~0.50%、
Ti:0.010~0.30%、
Si:0.01~0.10%、
所述Cr与所述Ti的质量比:1.0≤(Cr/Ti)≤30、
所述Cr与所述Si的质量比:3.0≤(Cr/Si)≤30,
余量由铜及不可避杂质构成,
其特征在于,
所述铜合金中含有的Cr、Ti及Si的合计量中的70%以上析出,并且所述铜合金的宽度方向横截面中从所述铜合金表面起算,在厚度方向25μm×横截面方向40μm的区域内由SEM观察到的当量圆直径为300nm以上的析出物在50个以下,且
在所述铜合金的表面中由TEM观察到的当量圆直径不到300nm的析出物的平均当量圆直径在15nm以下。
在本发明中,进而,作为其他的元素,还含有:从由Fe、Ni以及Co构成的组中选择的至少一种以上,合计含有0.3质量%以下,这也是优选实施方式。
进而,作为其他的元素,含有Zn:0.5%以下,这也是优选实施方式。
进而,作为其他的元素,还含有:从由Sn、Mg以及Al构成的组中选择的至少一种以上,合计含有0.3质量%以下,这也是优选实施方式。
发明效果
本发明的铜合金具有拉伸强度470MPa以上、0.2%屈服强度430MPa以上、导电率70%IACS以上的高强度高导电性,并且具有在W弯曲加工时,R(最小弯曲半径)/t(板厚)在1以下的优越弯曲加工性。因此,本发明的铜合金的强度与导电性的平衡好,且具有高强度,同时即使在严酷弯曲加工条件下也不产生开裂。本发明的铜合金尤其适合用作电气/电子零件用材料。
具体实施方式
本发明人研究的结果是,查明了在Cr-Ti-Si系铜合金中,如果粗大的析出物变多,则由于该粗大的析出物导致在弯曲加工时产生空隙或龟裂。另一方面,知道了如果使细微的析出物较多地生成,则可以在维持强度和导电性的平衡的同时,还提高弯曲加工性。本发明人发现,通过适当控制析出物和成分组成,可以提供具有上述希望的特性的铜合金,从而完成本发明。
例如在专利文献4中,在顺次进行均质化、热轧、冷却的制造工序中,在热轧后进行空冷。但是如后述的No.31、34所示,在热轧后的冷却为空冷的情况下,比较粗大的析出物多。因此,与本发明例相比,有弯曲加工性差的倾向。
在本发明中,所谓粗大的析出物是指按照以下的测定方法算出的当量圆直径在300nm以上的化合物。即,在铜合金的宽度方向横截面(与宽度方向平行的截面)中,通过扫描型电子显微镜(SEM)观察(倍率3000倍)距铜合金表面有厚度方向25μm×横截面方向40μm的区域,使用图像解析软件求出观察的析出物的面积A,以A=πr2算出当量圆直径2r(r=半径)。而且当量圆直径为300nm以上的为粗大的析出物。
另外,在本发明中所谓有效作用的细微的析出物,是指按照以下的测定方法算出的平均当量圆直径在15nm以下的化合物。即,首先,在铜合金表面的任意的部位,使用透过型电子显微镜(TEM)观察(倍率30万倍)(视场数:3),对观察的析出物使用图像解析软件算出当量圆直径。而且,以当量圆直径不到300μm的析出物作为对象,算出多个析出物的当量圆直径的平均值。在本发明中,若平均当量圆直径为15nm以下,则具有细微的析出物。本发明中,所谓析出物,例示在制造过程中生成的例如Cr、Cr3Si、Ti5Si4等。
以下,对本发明的铜合金进行详细说明。
首先,在本发明中,铜合金所含的特定的合金元素(Cr、Ti、及Si)的合计量之中,使70%以上析出。如果析出量少,则这些合金元素的铜合金中的固溶量增大,对导电性带来不良影响。另外,如果析出量少,则强度变低。为了使导电性、强度提高,需要使铜合金所含的Cr、Ti及Si的合计量之中70%以上析出,优选为75%以上。需要说明的是,对析出的上限没有特别限定,但从平衡固溶量的观点出发,例如95%左右是上限。
析出的Cr、Ti及Si可以包含于细微的析出物、粗大的析出物,但从得到上述希望的效果的观点出发,最好粗大的析出物少、细微的析出物多地生成,析出的Cr、Ti及Si优选包含于细微的析出物中。因此,铜合金所含的Cr、Ti及Si的合计量之中,优选70%以上包含于细微的析出物而析出,更优选为75%以上。
另外,细微的析出物只要含有Cr、Ti及Si的至少一种即可,也可以含有这以外的元素(Cu等)。例如可通过EDX分析来分析析出物的组成。
进而在本发明中,从充分地发现上述希望的特性的观点出发,适当控制析出物是重要的。具体地说,由上述测定方法算出的300nm以上的粗大的析出物为50个以下,且需要存在平均当量圆直径在15nm以下的细微的析出物。
平均当量圆直径在15nm以下的细微的析出物,与析出物的平均当量圆直径超过15nm的情况相比,抑制转位的移动或消灭的销连接(pinning)力格外大,有助于强度、弯曲加工性提高。另一方面,在析出物的平均当量圆直径超过15nm时,对提高强度的帮助变小,难以确保高强度。析出物的平均当量圆直径为15nm以下,更优选为10nm以下。析出物的平均粒径的下限没有特别限定,但如果过小,则上述销连接力减小,因此优选为3nm以上。
另外,弯曲加工时的开裂由于是从表层产生的,所以从确保强度和弯曲加工性的平衡的观点出发,需要控制由上述SEM观察而测定的当量圆直径超过300nm的上述粗大的析出物的数量。若粗大的析出物大量存在,则在超过90°的弯曲加工(尤其W弯曲加工或180°弯曲加工等)中,产生开裂等不良情况,无法确保充分的弯曲加工性。另外,若粗大的析出物过多,则无法充分确保细微的析出物,无法充分得到上述细微的析出物带来的强度提高效果等。因此,粗大的析出物为50个以下,优选为30个以下。
本发明的铜合金为了得到上述希望的效果,不仅控制上述细微的析出物、粗大的析出物是重要的,对铜合金的成分组成进行适当控制也是重要的。以下,对本发明的铜合金的成分组成进行说明。
Cr:0.10~0.50%
Cr通过作为单体的金属Cr或与Si的化合物而析出,具有有助于铜合金的强度提高的作用。若Cr含量低于0.10%,则难以确保希望的强度。另外,若Cr含量少,则析出的Ti量减少,导电性恶化。另一方面,若Cr含量超过0.50%,则粗大的析出物大量地生成,有时对弯曲加工性带来不良影响。因此,Cr含量为0.10%以上、优选为0.2%以上,0.50%以下、优选0.4%以下。
Ti:0.010~0.30%
Ti通过作为与Si的化合物而析出,由此,具有有助于铜合金的强度提高的作用。另外,Ti具有使Cr或Si的固溶限度下降,促进它们析出的效果。若Ti的含量低于0.010%,则无法生成足够量的析出物,因此难以确保希望的强度。另一方面,若Ti含量超过0.30%,则粗大的析出物大量地生成,对弯曲加工性带来不良影响。因此,Ti含量为0.010%以上、优选为0.02%以上,且0.30%以下、优选为0.15%以下。
Si:0.01~0.10%
Si具有使与Cr或Ti的所述化合物析出而有助于铜合金的强度提高的作用。若Si含量低于0.01%,则形成的析出物量少,因此难以确保希望的强度。另一方面,若Si含量超过0.10%,则导电性变差,粗大的析出物大量地生成,对弯曲加工性带来不良影响。因此,Si含量为0.01%以上、优选0.02%以上,且0.10%以下、优选0.08%以下。
在本发明中,为了平衡性良好地进一步提高强度、导电性及弯曲加工性,将添加元素(Cr、Ti、Si)的含有比率调整在以下范围内。
Cr/Ti(质量比,下同):1.0~30
铜合金所含的Cr与Ti的质量比(Cr/Ti)的平衡对强度和导电性有影响。即,Cr/Ti小,可得到高强度。因此,希望调整成Cr/Ti在30以下,优选在15以下。另外,在Cr/Ti小于1.0时,时效处理后的铜合金中的Ti固溶量变得过多,导电性下降。因此,希望调整成Cr/Ti在1.0以上,优选在3.0以上。
Cr/Si(质量比,下同):3.0~30
铜合金所含的Cr与Si的质量比(Cr/Si)的平衡对弯曲加工性和导电性有影响。即,若Cr/Si变得过大,则导电性下降。因此,希望调整成Cr/Si在30以下,优选在20以下。另外,若Cr/Si小于3.0,则Cr和Si的化合物作为粗大的析出物生成,对弯曲加工性带来不良影响。另外,有时其他的元素的固溶量增加,导致导电性恶化。因此,希望调整成Cr/Si在3.0以上,优选在10以上。
本发明是满足上述成分组成及满足Cr/Ti、Cr/Si,余量为铜及不可避杂质。作为不可避杂质,例如例示有V、Nb、Mo、W等元素。若不可避杂质的含量变多,则使强度、导电性、弯曲加工性等下降,因此,希望总量上优选在0.1%以下,更优选在0.05%以下。
在本发明中,也可以还在上述铜合金中添加以下的元素。
从由Fe、Ni以及Co构成的组中选择的至少一种以上:合计为0.3%以下(在单独含有Fe、Ni、Co时是单独的含量,在含有多个的情况下是合计量。)
Fe、Ni、Co具有使与Si的化合物析出而提高铜合金的强度及导电性的作用。当含量变得过多时,固溶量变多,导电性恶化,因此优选在0.3%以下,更优选在0.2%以下。另一方面,如果含量过少,则无法充分得到上述强度及导电性提高效果,所以优选为0.01%以上,更优选为0.03%以上。
Zn:0.5%以下
Zn具有改善在电气零件的接合中使用的Sn镀层或焊药的耐热剥离性,抑制热剥离的效果。为了有效地发挥这样的效果,优选含有0.005%以上,更优选含有0.01%以上。但是,如果过剩地含有,则反而熔融Sn或焊药的润湿扩展性劣化,导电性恶化,因此优选在0.5%以下。
从由Sn、Mg、Al构成的组中选择的至少一种以上:合计为0.3%以下(单独含有Sn、Mg、Al时是单独的含量,含有多个的情况下是合计量。)
Sn、Mg、Al具有通过固溶而使铜合金的强度提高的效果。为了充分发挥这样的效果,优选含有0.01%以上,更优选含有0.03%以上。另一方面,如果过剩地含有,则导电性恶化,得不到希望的特性,因此优选在0.3%以下。
下面,对上述本发明的铜合金的优选制造条件进行说明。首先,将调整了成分组成的铜合金熔化、铸造制成铸块,对得到的铸块进行加热(包括均质化热处理),之后进行热轧,以超过空冷的冷却速度对热轧后的板进行急冷。接着进行冷轧,之后,进行时效处理,由此制造本发明的铜合金。
铜合金的熔化、铸造、之后的加热处理可通过通常的方法进行。在用电炉熔化了例如调整成规定的化学成分组成的铜合金之后,通过连续铸造等铸造铜合金铸块。之后,将铸块加热到大概800~1000℃左右,根据需要保持一定时间(例如10~120分)。
在下面的热轧工序中,越加热到高温,越可得到足够的固溶状态,通过后述的时效处理可以生成细微的析出物,因此希望为大概800~1000℃左右。希望热轧结束温度优选为600℃以上,更优选为650℃以上。如果在低于600℃的温度域进行热轧,则容易生成粗大的析出物,制造的铜合金的弯曲加工性劣化。虽然只要适当设定压下率以得到希望的产品板即可,但从生产率的观点出发,热轧的压下率优选为50%以上80%以下左右。
如果热轧后的冷却速度慢(例如空冷),则析出物的成长、粗大化发展。若析出物粗大化,则弯曲加工时应力集中于析出物等而容易产生开裂。在本发明中,从抑制粗大的析出物的观点出发,热轧后急冷到室温。冷却时的平均冷却速度设为超过空冷的速度,最好优选为10℃/秒以上,更优选为20℃/秒以上。冷却速度的上限并不特别限定。作为急冷手段,例如例举水冷。
对冷却后的热轧板,以规定的压下率进行冷轧。通过进行冷轧,从而在后述的时效处理时导入作为析出物的产生的核起作用的格子缺陷,可以更均匀地产生析出物。虽然只要适当调整压下率以得到希望的板厚即可,但从充分导入格子缺陷的观点出发,例如优选为80%以上,优选小于95%。
冷轧后,进行时效处理。通过适当进行时效处理,从而可以确保上述规定的细微的析出物,并使铜合金的强度、导电性及弯曲加工性提高。
时效处理是在大于300℃~650℃的温度下进行30分~10小时左右,时效后通过水冷或放冷进行冷却。若时效处理温度变得过高,则析出物的尺寸变大,无法确保细微的析出物,因此铜合金的强度、导电性恶化,所以优选为650℃以下,更优选为600℃以下。另一方面,如果时效处理温度过低,则时效的进展不够,无法使Cr等充分析出,所以优选大于300℃,更优选为350℃以上。
时效处理后可以根据需要进行冷轧来调整强度等,此时,还希望进行退火以除去应变。
【实施例】
以下,例举实施例对本发明进行更具体的说明,但本发明原本不受下述实施例限制,在适当符合前述·后述的主旨的范围内当然可适当施加变更实施,这些都包含于本发明的技术范围。
将铜合金在炭粒炉中,在大气中,在木炭被覆下熔化,铸造成铸铁制叠箱铸型,得到具有表1中记载的化学组成的厚度45mm的铸块。在对该铸块的表面进行面削后,进行加热到达950℃后,保持30分~2小时后,热轧直到厚度为10mm,从750℃以上的温度进行水冷(平均冷却速度:20℃/s)。需要说明的是,对于No.31、34,将冷却方法变为空冷(平均冷却速度:0.5℃/s)来进行。对该轧制板表面进行面削,除去氧化皮而成为8.0mmt后,进行冷轧,得到厚度为0.5mm的铜合金板。之后,在间歇退火炉中,在表2所示的温度下进行时效处理(2小时)。
从得到的铜合金板切出试料,按照下述要领进行析出物的测定及组织分析(Cr、Ti、Si)的比率、拉伸强度、0.2%屈服强度、导电性、弯曲加工性。结果如表2、3所示。
(析出物的平均当量圆直径的测定)
用TEM(透过型电子显微镜,倍率:30万倍)观察(3视场)试料表面(任意的部位)的铜合金组织,选择任意的50个析出物,使用图像解析软件(Macromedia公司制Image-ProPlus),求出各析出物的面积A,算出当量圆的直径2r。然后,求出当量圆直径不到300nm的析出物的平均当量圆直径。
(粗大的析出物的个数)
在试料的宽度方向横截面上,用SEM(扫描型电子显微镜,倍率3000倍)观察从试料表面算,厚度方向25μm×所述截面方向40μm的范围,对析出物的当量圆直径,使用图像解析软件(Macromedia公司制Image-ProPlus)算出各析出物的当量圆直径,求出其个数(测定范围([25μm×40μm])中的个数)。
在本发明中,当量圆直径为300nm以上的粗大的析出物在50个以下评价为良好。
(析出物中所含的组成分析)
通过EDX分析测定上述不到300nm的析出物、及上述300nm以上的析出物中所含的成分,并且由以下的方法算出析出物中的Cr、Ti及Si的合计量在添加量(设表1中记载的Cr、Ti、Si量为100%)中所占的比率,在表2中记载(“Cr、Ti、Si的析出比率”)。
根据时效处理前后的导电率的变化,估算通过时效处理生成的细微的析出物中所含的添加元素。即,导电率由于如Linde法则所示那样因固溶元素浓度而较大地变化,因此,若假定通过时效而生成的析出相,则从时效引起的导电率的变化算出时效引起的固溶元素量的变化,即算出由时效而生成的析出物中所含的元素的浓度。析出相由计算状态图软件“pandat”计算,使用在平衡状态下的析出相以及析出相的比率。
例如,在试料No.1的情况下,在计算状态图中生成Cr3Si、Cr、Ti5Si,各相分别以质量%计,以Cr3Si∶Cr∶Ti5Si=9.9∶1∶3.4的比率生成。因此,析出相中所含的各元素分别以质量%计,为Cr∶Ti∶Si=10∶2.3∶1。根据Linde法则,固溶元素引起的电阻率值的变化量Δρ可由下述式(1)算出。
Δρ=(固溶Cr)×Δρcr+(固溶Ti)×Δρti+(固溶Si)×Δρsi=(添加Cr-析出Cr)×Δρcr+(添加Ti-析出Ti)×Δρti+(添加Si-析出Si)×Δρsi=(添加Cr-10×析出Si)×Δρcr+(添加Ti-2.3×析出Si)×Δρti+(添加Si-析出Si)×ΔρSi…(1)
在此,Δρcr、Δρti、Δρsi是固溶元素对电阻值带来的影响,分别是4.1×108、16×108、3.1×108(Ω·m)。另外,固溶元素引起的电阻率值的变化量Δρ可由与导电率Ec、标准铜的电阻率ρcu之间的下述关系式(2)算出。
Ec=ρcu/(ρcu+Δρ)····(2)
通过使用式(1)和式(2),可以算出时效处理前·后的析出物中的Cr、Ti、Si量。
(拉伸强度·屈服强度)
平行于轧制方向切出制作试验片(尺寸:JIS5号),通过5882型英斯创公司制万能试验机,在室温、试验速度10.0mm/min、GL=50mm的条件下,测定拉伸强度、0.2%屈服强度。在本发明中,将拉伸强度为470MPa以上的评价为良好。另外,将0.2%屈服强度为430MPa以上的评价为良好。
(导电性)
通过铣床加工宽度10mm×长度300mm的窄长状的试验片,通过双桥式电阻测定装置测定电阻,通过平均截面面积法算出导电性。在本发明中,将导电性为70%(IACS)以上的评价为良好。
(弯曲加工性)
弯曲试验是按照日本伸铜协会技术标准进行的。使用将板材切出宽度10mm×长度30mm的试料,进行W弯曲试验。一边进行W弯曲加工,一边由10倍的光学显微镜观察在弯曲部是否有开裂。而且,求出未产生开裂的最小弯曲半径R与铜合金板的板厚t(0.50mm)之比R/t。该R/t小的表示弯曲加工性优越,在本发明中,将1.0以下的评价为良好(○),将超过1.0的评价为不良(×)。
【表1】
【表2】
【表3】
No.1~21是满足本发明的上述规定的例子,都得到足够的强度(拉伸强度及0.2%屈服强度)、导电性、弯曲加工性。
No.22是Cr含量多于本发明的规定的例子。在No.22中,由于Cr含量多,所以粗大的析出物大量地生成,无法确保得到足够的弯曲加工性。
No.23是Cr含量少于本发明的规定的例子。在No.23中,由于Cr含量少,所以未析出而固溶的Ti量变多,导电性恶化,并且也无法确保足够的强度。
No.24是Ti含量多于本发明的规定、Cr/Ti比低于本发明的规定的例子。在No.24中,粗大的析出物大量地生成,并且Ti固溶量也变多,强度、弯曲加工性及导电性差。
No.25是Ti含量少于本发明的规定、Cr/Ti比超过本发明的规定,并且Cr、Ti、Si的析出比率少的例子。在No.25中,无法确保足够的强度。
No.26是Si含量多于本发明的规定、Cr/Si比低于本发明的规定的例子。在No.26中,粗大的析出物大量地生成,导电性差,另外无法确保足够的弯曲加工性。
No.27是Cr/Ti比低于本发明的规定,且Cr、Ti、Si的析出量少的例子。在No.27中,无法确保足够的强度,且导电性也差。
No.28是Cr/Si比低于本发明的规定的例子。在No.28中,无法确保足够的强度,且导电性也差。
No.29是Fe含量多于本发明的规定、粗大的析出物大量地生成的例子。在No.29中,无法确保足够的强度,且导电性也差。
No.30是Sn含量多于本发明的规定的例子。在No.30中,导电性差,且弯曲加工性也差。
No.31是将热轧后的冷却设成空冷的例子。在No.31中,由于冷却速度慢,所以粗大的析出物较多地生成,无法确保足够的弯曲加工性。
No.32是时效处理温度低的例子。在No.32中,时效处理温度低,所以无法充分地使Cr、Ti、Si析出,导电性差,且弯曲加工性也差
No.33是时效处理温度高的例子。在No.33中,由于时效处理温度高,所以析出物的平均当量圆直径超过15nm。因此,无法确保足够的强度,且导电性也差。
No.34是将热轧后的冷却设成空冷的例子。在No.34中,由于冷却速度慢,所以粗大的析出物较多地生成,无法确保足够的弯曲加工性。
Claims (5)
1.一种铜合金,以质量%计,其含有
Cr:0.10~0.50%、
Ti:0.010~0.30%、
Si:0.01~0.10%、
所述Cr与所述Ti的质量比:1.0≤(Cr/Ti)≤30、
所述Cr与所述Si的质量比:3.0≤(Cr/Si)≤30,
余量由铜及不可避杂质构成,
其特征在于,
所述铜合金中含有的Cr、Ti及Si的合计量中的70%以上析出,并且当量圆直径为300nm以上的析出物在50个以下,且
在所述铜合金的表面中由TEM观察到的当量圆直径不到300nm的析出物的平均当量圆直径在15nm以下,
对于所述当量圆直径,在铜合金的宽度方向横截面中,通过扫描型电子显微镜,以倍率3000倍观察距铜合金表面有厚度方向25μm×横截面方向40μm的区域,使用图像解析软件求出观察的析出物的面积A,以A=πr2算出当量圆直径2r。
2.如权利要求1所述的铜合金,作为其他的元素,其还含有:
从由Fe、Ni以及Co构成的组中选择的至少一种以上:合计含有0.3质量%以下。
3.如权利要求1或2所述的铜合金,作为其他的元素,其还含有:
Zn:0.5质量%以下。
4.如权利要求1或2所述的铜合金,作为其他的元素,其还含有:
从由Sn、Mg以及Al构成的组中选择的至少一种以上:合计含有0.3质量%以下。
5.如权利要求3所述的铜合金,作为其他的元素,其还含有:
从由Sn、Mg以及Al构成的组中选择的至少一种以上:合计含有0.3质量%以下。
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Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013125623A1 (ja) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | 株式会社神戸製鋼所 | 銅合金 |
JP5981866B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2016-08-31 | 株式会社神戸製鋼所 | 銅合金 |
JP6133178B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2017-05-24 | 古河電気工業株式会社 | 銅合金板材およびその製造方法 |
JP6266354B2 (ja) * | 2014-01-15 | 2018-01-24 | 株式会社神戸製鋼所 | 電気電子部品用銅合金 |
CN103966475B (zh) * | 2014-05-15 | 2015-12-02 | 江西理工大学 | 一种铜铬钛合金接触线及其制备方法 |
JP6611222B2 (ja) * | 2015-02-24 | 2019-11-27 | 株式会社神戸製鋼所 | 高強度、高導電率で耐応力緩和特性に優れた電気電子部品用銅合金板及びその製造方法 |
JP2016211054A (ja) | 2015-05-12 | 2016-12-15 | 株式会社神戸製鋼所 | 銅合金 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4678637A (en) * | 1985-07-31 | 1987-07-07 | Weiland-Werke Ag | Copper-chromium-titanium-silicon alloy and application thereof |
JPS63125629A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-28 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
US4810468A (en) * | 1986-10-17 | 1989-03-07 | Wieland-Werke Ag | Copper-chromium-titanium-silicon-alloy |
DE3812563A1 (de) * | 1988-04-15 | 1989-10-26 | Wieland Werke Ag | Kupfer-chrom-titan-silizium-legierung, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
CN1793394A (zh) * | 2004-12-24 | 2006-06-28 | 株式会社神户制钢所 | 具有弯曲性和应力弛豫性能的铜合金 |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4260435A (en) * | 1979-07-02 | 1981-04-07 | Ampco-Pittsburgh Corporation | Copper-nickel-silicon-chromium alloy having improved electrical conductivity |
US4749548A (en) * | 1985-09-13 | 1988-06-07 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Copper alloy lead material for use in semiconductor device |
JPH0681090A (ja) | 1992-08-31 | 1994-03-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 析出型銅合金の製造方法 |
US5486244A (en) * | 1992-11-04 | 1996-01-23 | Olin Corporation | Process for improving the bend formability of copper alloys |
JP3859344B2 (ja) * | 1998-01-28 | 2006-12-20 | 株式会社小松製作所 | 摺動材料,摺動部材およびその摺動部材の製造方法 |
DE10117447B4 (de) * | 2000-04-10 | 2016-10-27 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Ein stanzbares Kupferlegierungsblech und ein Verfahren zur Herstellung desselben |
JP3903297B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2007-04-11 | Dowaホールディングス株式会社 | 耐脱亜鉛性銅基合金 |
US6749699B2 (en) * | 2000-08-09 | 2004-06-15 | Olin Corporation | Silver containing copper alloy |
KR100535737B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2005-12-09 | 닛꼬 긴조꾸 가꼬 가부시키가이샤 | 굽힘가공성이 우수한 고강도 동합금과 그 제조방법 및그것을 사용한 단자ㆍ커넥터 |
KR100515804B1 (ko) * | 2001-02-20 | 2005-09-21 | 닛꼬 긴조꾸 가꼬 가부시키가이샤 | 고강도 티탄 구리 합금 및 그 제조법 및 그것을 사용한단자ㆍ커넥터 |
US7182823B2 (en) * | 2002-07-05 | 2007-02-27 | Olin Corporation | Copper alloy containing cobalt, nickel and silicon |
US20040136861A1 (en) * | 2002-11-29 | 2004-07-15 | Nikko Metal Manufacturing Co., Ltd. | Copper alloy and producing method therefor |
JP4087307B2 (ja) | 2003-07-09 | 2008-05-21 | 日鉱金属株式会社 | 延性に優れた高力高導電性銅合金 |
JP3731600B2 (ja) | 2003-09-19 | 2006-01-05 | 住友金属工業株式会社 | 銅合金およびその製造方法 |
EP1688198A4 (en) * | 2003-09-24 | 2007-03-21 | Sumitomo Metal Ind | CASTING MOLD AND CONTINUOUS CASTING METHOD FOR COPPER ALLOY |
KR100861152B1 (ko) * | 2004-02-27 | 2008-09-30 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 구리합금 |
JP4660735B2 (ja) * | 2004-07-01 | 2011-03-30 | Dowaメタルテック株式会社 | 銅基合金板材の製造方法 |
CN101166840B (zh) * | 2005-02-28 | 2012-07-18 | 古河电气工业株式会社 | 铜合金 |
WO2006093233A1 (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-08 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | 銅合金とその製造方法 |
US8317948B2 (en) * | 2005-03-24 | 2012-11-27 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper alloy for electronic materials |
JP4068626B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2008-03-26 | 日鉱金属株式会社 | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co−Cr系銅合金及びその製造方法 |
JPWO2007015549A1 (ja) * | 2005-08-03 | 2009-02-19 | 日鉱金属株式会社 | 電子部品用高強度銅合金及び電子部品 |
JP5075447B2 (ja) | 2006-03-30 | 2012-11-21 | Dowaメタルテック株式会社 | Cu−Fe−P−Mg系銅合金および製造法並びに通電部品 |
EP2048251B1 (en) * | 2006-05-26 | 2012-01-25 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Copper alloy having high strength, high electric conductivity and excellent bending workability |
US20080175746A1 (en) * | 2007-01-18 | 2008-07-24 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Cu-Ni-Si system copper alloy for electronic materials |
US20080190523A1 (en) * | 2007-02-13 | 2008-08-14 | Weilin Gao | Cu-Ni-Si-based copper alloy sheet material and method of manufacturing same |
US9034123B2 (en) * | 2007-02-13 | 2015-05-19 | Dowa Metaltech Co., Ltd. | Cu—Ni—Si-based copper alloy sheet material and method of manufacturing same |
JP2008266787A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-11-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 銅合金材およびその製造方法 |
US8287669B2 (en) * | 2007-05-31 | 2012-10-16 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Copper alloy for electric and electronic equipments |
EP2194151B1 (en) | 2007-09-28 | 2014-08-13 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Cu-ni-si-co-base copper alloy for electronic material and process for producing the copper alloy |
WO2009116649A1 (ja) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | 古河電気工業株式会社 | 電気電子部品用銅合金材 |
JP4596493B2 (ja) | 2008-03-31 | 2010-12-08 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 導電性ばね材に用いられるCu−Ni−Si系合金 |
JP4440313B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2010-03-24 | 日鉱金属株式会社 | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co−Cr系合金 |
KR20110039372A (ko) * | 2008-08-05 | 2011-04-15 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 전기·전자부품용 동합금재 |
CN102197151B (zh) * | 2008-10-22 | 2013-09-11 | 古河电气工业株式会社 | 铜合金材料、电气电子部件以及铜合金材料的制造方法 |
JP5466879B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2014-04-09 | Dowaメタルテック株式会社 | 銅合金板材およびその製造方法 |
KR101419147B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2014-07-11 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 구리합금 판재 및 그 제조방법 |
KR101185548B1 (ko) * | 2010-02-24 | 2012-09-24 | 주식회사 풍산 | 고강도, 고전도성 동합금 및 그 제조방법 |
JP4677505B1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-04-27 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金及びその製造方法 |
JP5961335B2 (ja) * | 2010-04-05 | 2016-08-02 | Dowaメタルテック株式会社 | 銅合金板材および電気・電子部品 |
CN102859016B (zh) * | 2010-04-07 | 2015-04-08 | 古河电气工业株式会社 | 铜合金伸展材、铜合金部件和铜合金伸展材的制造方法 |
JP4672804B1 (ja) * | 2010-05-31 | 2011-04-20 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子材料用Cu−Co−Si系銅合金及びその製造方法 |
TWI515313B (zh) * | 2010-12-13 | 2016-01-01 | 日本精線股份有限公司 | 高強度高導電性之銅合金細線、銅合金彈簧及銅合金彈簧之製造方法 |
JP5451674B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2014-03-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子材料用Cu−Si−Co系銅合金及びその製造方法 |
JP4799701B1 (ja) * | 2011-03-29 | 2011-10-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子材料用Cu−Co−Si系銅合金条及びその製造方法 |
US9514856B2 (en) * | 2011-08-04 | 2016-12-06 | Kobe Steel, Ltd. | Copper alloy |
KR101914322B1 (ko) | 2011-08-29 | 2018-11-01 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 구리합금 재료 및 그 제조방법 |
-
2012
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-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4678637A (en) * | 1985-07-31 | 1987-07-07 | Weiland-Werke Ag | Copper-chromium-titanium-silicon alloy and application thereof |
US4810468A (en) * | 1986-10-17 | 1989-03-07 | Wieland-Werke Ag | Copper-chromium-titanium-silicon-alloy |
JPS63125629A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-28 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
DE3812563A1 (de) * | 1988-04-15 | 1989-10-26 | Wieland Werke Ag | Kupfer-chrom-titan-silizium-legierung, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
CN1793394A (zh) * | 2004-12-24 | 2006-06-28 | 株式会社神户制钢所 | 具有弯曲性和应力弛豫性能的铜合金 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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