CN103262013A - 带粘合剂层的透明导电性薄膜、其制造方法及触摸面板 - Google Patents

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梨木智刚
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Abstract

本发明是用于电容型触摸面板的带粘合剂层的透明导电性薄膜，其目的在于即使在使用薄膜基材为厚度110μm以下的薄型薄膜基材的情况下，进而即使在通过加热处理而将透明导电体层结晶化的情况下，也可以将由于图案化而产生的高度差抑制到较小。本发明为具有薄膜基材、层叠于前述薄膜基材的一面且被图案化的透明导电体层、和层叠于前述薄膜另一面的粘合剂层的、用于电容型触摸面板的带粘合剂层的透明导电性薄膜，前述薄膜基材的厚度为10～110μm，前述薄膜基材与前述粘合剂层的总厚度为30～300μm，且前述粘合剂层在23℃下的储能模量为1.2×105～低于1.0×107Pa。

Description

带粘合剂层的透明导电性薄膜、其制造方法及触摸面板
技术领域
本发明涉及在薄膜基材的一面具有透明导电体层、另一面具有粘合剂层的带粘合剂层的透明导电性薄膜及其制造方法。本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜适宜用于电容型触摸面板的输入装置的电极基板。具备本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜的触摸面板可以用于例如液晶监视器、液晶电视、数码摄像机、数码相机、手机、便携式游戏机、车载导航系统、电子纸、有机EL显示器等。
背景技术
以往，作为透明导电性薄膜，已知有在透明的薄膜基材上层叠有透明导电体层（例如ITO膜）的薄膜。另外，透明导电性薄膜可以以为了与其他构件贴合而在薄膜基材未设置透明导电体层的一侧设置有粘合剂层的、带粘合剂层的透明导电性薄膜的形式使用。
在前述透明导电性薄膜或带粘合剂层的透明导电性薄膜用于电容型触摸面板的电极基板的情况下，可以使用前述透明导电体层被图案化而成的薄膜（专利文献1）。这种具有被图案化的透明导电体层的带粘合剂层的透明导电性薄膜可以与其他透明导电性薄膜等一起层叠后使用，适宜用于可以同时使用2根以上手指操作的多点触摸型输入装置。
然而，若将透明导电体层图案化，则由于图案化而在透明导电体层中产生高度差，导致图案化部与非图案化部之间的差别明确化而外观变差。即，来自视认面侧的外部光在透明导电体层发生反射时、来自显示元件侧的内部光透过透明导电体层时，图案化的有无变得明确而外观变差。
因此，提出了一种透明导电性薄膜，其夹着由高折射率层和低折射率层构成的锚固涂层而形成透明导电体层，并且调整各锚固涂层的膜厚，由此难以看到透明导电体层的图案（专利文献2）。另外，提出了一种透明导电性薄膜，其通过在透明导电性薄膜上层叠着色层等使透光率降低的层，从而难以看到透明导电体层的图案（专利文献3）。另外，正在研究使透明导电体层的图案化部与非图案化部的透光率差、反射率差减小从而难以看到透明导电体层的图案化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-076432号公报
专利文献2：日本特开2010-015861号公报
专利文献3：日本特开2010-027391号公报
发明内容
发明要解决的问题
前述由图案化导致的外观不良在为了使前述透明导电体层结晶化而对前述透明导电性薄膜实施加热处理时特别显著。可以认为原因是：因加热处理而导致透明导电性薄膜中有大的波浪状波纹产生，由前述图案化而形成的透明导电体层的高度差变大至设计值以上（例如，在薄膜基材为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜时，高度差变为设计值的5倍以上）。另外，可知薄膜基材越薄，由前述图案化而产生的透明导电体层的高度差导致的外观不良变得越显著。特别是在薄膜基材的厚度为110μm以下的情况下，前述高度差变得过大而不能供于实用。即，可知因透明导电体层的高度差导致的外观由于带粘合剂层的透明导电性薄膜的薄型化而明显化，所述透明导电体层的高度差是因在使用了厚度大的薄膜基材的带粘合剂层的透明导电性薄膜中并未特别成为问题的图案化而产生的。
本发明的目的在于提供一种带粘合剂层的透明导电性薄膜及其制造方法，所述带粘合剂层的透明导电性薄膜为在薄膜基材的一面具有透明导电体层、另一面具有粘合剂层的、用于电容型触摸面板的带粘合剂层的透明导电性薄膜，即使在使用薄膜基材的厚度为110μm以下的薄型薄膜基材的情况下，进而即使在通过加热处理而透明导电体层结晶化的情况下，也能够抑制因图案化而形成的高度差变得比设计值大而导致外观变差。
另外，本发明的目的在于提供一种使用前述带粘合剂层的透明导电性薄膜的电容型触摸面板。
用于解决问题的方案
本发明人等为了解决前述课题进行了深入研究，结果通过下述带粘合剂层的透明导电性薄膜完成了本发明。
即，本发明涉及一种带粘合剂层的透明导电性薄膜，其特征在于，其为具有薄膜基材、层叠于前述薄膜基材的一面且被图案化的透明导电体层、和层叠于前述薄膜另一面的粘合剂层的、用于电容型触摸面板的带粘合剂层的透明导电薄膜，
前述薄膜基材的厚度为10～110μm，
前述薄膜基材和前述粘合剂层的总厚度为30～300μm，且
前述粘合剂层在23℃下的储能模量为1.2×105～低于1.0×107Pa。
作为前述带粘合剂层的透明导电性薄膜，可以使用前述透明导电体层夹着至少1层的底涂层而层叠于前述薄膜基材的薄膜。
作为前述带粘合剂层的透明导电性薄膜，可以使用前述粘合剂层夹着低聚物防止层而层叠于前述薄膜基材的薄膜。
前述带粘合剂层的透明导电性薄膜在前述被图案化的透明导电体层发生结晶化的情况下是特别有用的。
另外，本发明涉及一种带粘合剂层的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，其为制造前述带粘合剂层的透明导电性薄膜的方法，其包括：
准备层叠体的工序A，所述层叠体在厚度为10～110μm的薄膜基材的一面层叠有透明导电体层，且在前述薄膜基材的另一面具有粘合剂层，所述粘合剂层在23℃下的储能模量为1.2×105～低于1.0×107Pa，且被控制为前述薄膜基材和前述粘合剂层厚度的总厚度为30～300μm，
对前述工序A中得到的层叠体中的前述透明导电体层进行图案化的工序B。
前述制造方法还可以具有在60～200℃下对前述工序A中得到的层叠体进行加热处理，使前述层叠体中的透明导电体层结晶化的工序C。在具有结晶化工序C的情况下，优选在实施对前述工序A中得到的层叠体进行图案化的工序B后实施结晶化工序C。
另外，本发明涉及一种电容型触摸面板，其特征在于，其具备至少1层前述带粘合剂层的透明导电性薄膜。
发明的效果
具有被图案化的透明导电体层的透明导电性薄膜在透明导电体层的图案化部和非图案化部的线膨胀系数不同。另外，可知为了使透明导电体层结晶化而对透明导电性薄膜实施加热处理然后进行冷却时，由于前述线膨胀系数的差别而导致在透明导电性薄膜的图案化部和非图案化部中膨胀及收缩行为不同。而且可以认为：因这种线膨胀系数的差别而产生的膨胀及收缩行为会在透明导电性薄膜自身中形成大波浪状波纹、因前述图案化而形成的透明导电体层的高度差变得显著、外观恶化。
本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜为薄膜基材的厚度为10～110μm的薄型的薄膜基材，虽然被图案化的透明导电体层中容易产生比设计值大的高度差，但是通过使用满足前述规定范围的储能模量的粘合剂层，从而即使在实施加热处理情况下，也能够抑制透明导电性薄膜中产生的波浪状波纹、防止由于图案化而形成的高度差变得比设计值大。
另外，对于本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜，由于薄膜基材薄，从而在薄膜基材上形成透明导电体层时，能够减少自该薄膜基材中产生的水分、增塑剂等的蒸汽量，因此能够形成高品质的透明导电体层。另外，本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜使用薄型的薄膜基材，另一方面，薄膜基材和粘合剂层的总厚被控制为30～300μm。在将本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜层叠而使用、应用于多点触摸型触摸面板的电极基板的情况下，通过如上所述地控制薄膜基材和粘合剂层的总厚，从而电极间间隙的设计自由度扩大，能够生产率良好地得到适宜电容型触摸面板的透明导电性薄膜。
另外，根据本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜的制造方法，由于使用薄型的薄膜基材而生产率良好，另外由于使用满足前述规定范围的储能模量的粘合剂层，因此不需要另外增加用于使前述外观变良好的工序，能够维持高制造效率。
附图说明
图1是表示本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜的一个实施方式的截面图。
图2是表示本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜的一个实施方式的截面图。
图3是表示本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜的一个实施方式的截面图。
图4是表示本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜的一个实施方式的截面图。
图5是表示本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜的一个实施方式的截面图。
图6是表示将本发明的一个实施方式的带粘合剂层的透明导电性薄膜用于电极基板的触摸面板的结构的一例的截面图。
图7是表示将本发明一个实施方式的带粘合剂层的透明导电性薄膜用于电极基板的触摸面板的结构的一例的截面图。
图8是表示将本发明一个实施方式的带粘合剂层的透明导电性薄膜用于电极基板的触摸面板的结构的一例的截面图。。
图9是本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜的俯视图的一例。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜的实施方式进行说明。
图1是表示本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜的一个实施方式的截面图。图1所示的带粘合剂层的透明导电性薄膜11在薄膜基材1的一个单面上具有被图案化的透明导电体层2，在另一个单面上具有粘合剂层3。透明导电体层2由形成有透明导电体层的图案化部a和未形成透明导电体层的非图案化部b构成。另外，粘合剂层3上可以贴合隔离膜S。
在本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜中，优选透明导电体层2的图案化部a的线膨胀系数比非图案化部b的线膨胀系数大。
图2～图4是表示本发明其他实施方式的带粘合剂层的透明导电性薄膜的截面图。带粘合剂层的透明导电性薄膜12～14是在图1所示带粘合剂层的透明导电性薄膜11中在薄膜基材1的单面夹着底涂层4而具有被图案化的透明导电体层2时的例子。图2是具有1层底涂层4的情况。本发明的底涂层也可以为2层以上的多层结构。底涂层为2层的情况示于图3、图4。
在图3、图4中，从薄膜基材1一侧起依次设置有底涂层41、42。在图3所示带粘合剂层的透明导电性薄膜13中，夹着非图案化部b而露出底涂层42。在图4所示带粘合剂层的透明导电性薄膜14中，离薄膜基材1最远的底涂层42与透明导电体层2同样被图案化。在带粘合剂层的透明导电性薄膜14中，夹着非图案化部b和底涂层42的非图案化部而露出底涂层41。
在图3、图4中，对底涂层为2层的情况进行了说明，但底涂层也可以为3层以上。底涂层为3层以上时，优选从薄膜基材1一侧露出第一层的底涂层。底涂层至少为2层时，对于控制图案化部和非图案化部的反射率差较小而言是优选的。在控制图案化部和非图案化部的反射率差较小的方面，特别优选在底涂层为至少2层时，离透明的薄膜基材1最远的底涂层（如图4所示底涂层4为2层时，为底涂层42）与透明导电体层同样被图案化。
图5是表示本发明其他实施方式的带粘合剂层的透明导电性薄膜的截面图。带粘合剂层的透明导电性薄膜15是在图1所示带粘合剂层的透明导电性薄膜11中，在薄膜基材1的单面上夹着低聚物防止层G而具有粘合剂层3的情况的例子。需要说明的是，图5中虽然记载了关于图1所示带粘合剂层的透明导电性薄膜11的实施方式，但对于图2～图4所示带粘合剂层的透明导电性薄膜12～14，也可以同样地设置低聚物防止层G。
作为薄膜基材1并没有特别限制，可以使用具有透明性的各种塑料薄膜。例如，作为该材料，可列举出聚酯类树脂、乙酸酯类树脂、聚醚砜类树脂、聚碳酸酯类树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚烯烃类树脂、（甲基）丙烯酸类树脂、聚氯乙烯类树脂、聚偏氯乙烯类树脂、聚苯乙烯类树脂、聚乙烯醇类树脂、聚芳酯类树脂、聚苯硫醚类树脂等。其中，特别优选的是聚酯类树脂、聚碳酸酯类树脂、聚烯烃类树脂。
另外，可列举出日本特开2001-343529号公报（WO01/37007）中记载的高分子薄膜，例如可列举出含有（A）在侧链具有取代和/或非取代酰亚胺基的热塑性树脂、和（B）在侧链具有取代和/或非取代苯基及腈基的热塑性树脂的树脂组合物。具体而言，可以使用含有由异丁烯与N-甲基马来酰亚胺形成的交替共聚物和丙烯腈-苯乙烯共聚物的树脂组合物的高分子薄膜。
薄膜基材1的厚度为10～110μm。在前述厚度为10～80μm、进而为10～60μm、进一步为10～30μm的薄型的情况下，本发明也是适宜的。如果将上述薄膜基材1薄化至上述范围，则在带粘合剂层的透明导电性薄膜的总厚度变薄的基础上，例如在通过溅射法形成透明导电体层2时，自薄膜基材的内部产生的挥发成分量变少，结果能够形成缺陷少的透明导电体层。
对于薄膜基材1，可以预先对表面实施溅射、电晕放电、火焰、紫外线照射、电子射线照射、化学转化、氧化等蚀刻处理、底涂处理。由此，可以提高设置在其上的透明导电体层2或底涂层4对薄膜基材1的密合性。另外，在设置透明导电体层2或底涂层4之前，根据需要，可以通过溶剂清洗、超声波清洗等进行除尘、清洁化。
作为透明导电体层2的构成材料并没有特别限定，可以使用选自由铟、锡、锌、镓、锑、钛、硅、锆、镁、铝、金、银、铜、钯、钨组成的组中的至少1种金属的金属氧化物。该金属氧化物中，根据需要还可以进一步含有上述组中所示的金属原子。优选使用例如含有氧化锡的氧化铟、含有锑的氧化锡等。
透明导电体层2的厚度并没有特别限制，优选设为10nm以上，更优选为15～40nm，进一步优选为20～30nm。若透明导电体层2的厚度为15nm以上，则容易形成表面电阻为1×103Ω/□以下的良好的层。并且容易形成连续覆膜。另外，如果透明导电体层2的厚度为40nm以下，则能够形成透明性更高的层。
作为透明导电体层2的形成方法并没有特别限定，可以采用现有公知的方法。具体而言，例如可例示出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法。另外，也可以根据所需要的膜厚而采用适宜的方法。
透明导电体层2被图案化。透明导电体层2的图案化可以通过蚀刻进行。关于图案化的形状，可以根据各种实施方式的带粘合剂层的透明导电性薄膜所应用的用途而形成各种形状。其中，通过透明导电体层2的图案化而形成图案化部和非图案化部，作为图案化部的形状，例如可列举出条纹状、方块状等。图9是图1所示的带粘合剂层的透明导电性薄膜的俯视图。如图9所示，透明导电体层2的图案化部a和非图案化部b形成条纹状。需要说明的是，在图9中，图案化部a的宽度比非图案化部b的宽度大，但本发明不限于此。
透明导电体层2与后述底涂层4的折射率之差优选为0.1以上。透明导电体层2的折射率通常为1.95～2.05左右。
底涂层4可以由无机物、有机物、或无机物与有机物的混合物形成。例如，作为无机物，可列举出NaF（1.3）、Na3AlF6（1.35）、LiF（1.36）、MgF2（1.38）、CaF2（1.4）、BaF2（1.3）、SiO2（1.46）、LaF3（1.55）、CeF3（1.63）、Al2O3（1.63）等无机物〔上述各材料的括号内的数值为折射率〕。在这些当中，优选使用SiO2、MgF2、A12O3等。尤其SiO2是适宜的。除了上述以外，可以使用相对于100重量份氧化铟含有10～40重量份左右的氧化铈、0～20重量份左右的氧化锡的复合氧化物。
另外，作为上述有机物，可列举出丙烯酸类树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、硅氧烷类聚合物、有机硅烷缩合物等。这些有机物可以使用至少1种。尤其，作为有机物，理想的是使用由三聚氰胺树脂与醇酸树脂与有机硅烷缩合物的混合物形成的热固型树脂。
底涂层4可以设置在薄膜基材1与透明导电体层2之间，其不具有作为导电体层的功能。即，底涂层4作为使被图案化的透明导电体层2之间绝缘的电介质层而设置。因此，底涂层4的表面电阻一般为1×106Ω/□以上，优选为1×107Ω/□，进一步优选为1×108Ω/□以上。其中，对于底涂层的表面电阻的上限没有特别限制。通常而言，底涂层4的表面电阻的上限为测定界限即1×1013Ω/□左右，也可以超过1×1013Ω/□。
对于底涂层4的折射率，优选设为具有透明导电体层2的折射率与底涂层的折射率之差为0.1以上的折射率。透明导电体层2的折射率与底涂层的折射率之差优选为0.1以上且0.9以下，进一步优选为0.1以上且0.6以下。另外，底涂层4的折射率一般为1.3～2.5，进一步优选为1.38～2.3，进一步优选为1.4～2.3。
对于通过蚀刻将透明导电体层2图案化而言，优选从薄膜基材1起的第一层底涂层（例如，底涂层41）由有机物形成。在底涂层4为1层时（例如，图2所示底涂层4的情况），优选底涂层4由有机物形成。
另外，在底涂层4为至少2层时，对于通过蚀刻将透明导电体层2图案化而言，优选至少离薄膜基材1最远的底涂层（如底涂层42）由无机物形成。在底涂层4为3层以上时，优选比从薄膜基材1起的第二层更靠上的底涂层也由无机物形成。
由无机物形成的底涂层可以利用真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等干式工艺、或湿法（涂覆法）等来形成。作为形成底涂层的无机物，如前所述，优选SiO2。湿法可以通过涂覆硅溶胶等来形成SiO2膜。
综上，在设置2层底涂层4时，优选由有机物形成第一底涂层41，由无机物形成第二底涂层42。
对于底涂层4的厚度并没有特别限制，从光学设计、防止自前述薄膜基材1产生低聚物的效果的观点出发，通常为1～300nm左右，优选为5～300nm。需要说明的是，设置2层以上底涂层4时，各层的厚度为5～250nm左右，优选为10～250nm。
为了将透明导电性薄膜组装到触摸面板等输入装置内并固定而使用粘合剂层3。粘合剂层3在23℃下的储能模量为1.2×105～低于1.0×107Pa。通过将具有该储能模量的粘合剂层3层叠于薄膜基材1而使用，从而在与刚性基材贴合时，保持薄膜基材1更加平坦的力发挥作用，因此可大幅抑制被图案化的透明导电体层的图案化高度差。前述粘合剂层3的储能模量优选为1.5×105Pa以上，进一步优选为2.0×105Pa以上。另一方面，前述粘合剂层3的储能模量优选为5.0×106Pa以下。前述粘合剂层3的储能模量低于1.2×105Pa时，会有不能充分减小图案化高度差的担心；另一方面，前述储能模量为1.0×107Pa以上时，会有损害粘合剂层的粘合特性的担心。
上述粘合剂层3的储能模量可以通过控制粘合剂相关的基础聚合物种类、Tg（例如，通过升高基础聚合物的Tg可以提高储能模量的值）、交联剂的种类、配混量（例如，通过增多交联剂的配混量可以提高储能模量的值）而适当增加或减少。例如，通过使交联剂的比例增加，从而储能模量增加，使交联剂减少从而储能模量减少。
作为粘合剂层3，只要满足上述储能模量就可以没有特别限制地使用。具体而言，例如可以适当选择并使用以丙烯酸类聚合物、有机硅类聚合物、聚酯、聚氨酯、聚酰胺、聚乙烯基醚、乙酸乙烯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烃、环氧类、氟类、天然橡胶、合成橡胶等橡胶类等聚合物为基础聚合物的材料。尤其，从光学透明性优异且显示出适当的润湿性、聚集性及粘接性等粘合特性、并且耐候性、耐热性等也优异的观点考虑，优选使用丙烯酸类粘合剂。
作为前述丙烯酸类粘合剂，可以使用例如含有具有玻璃化转变温度为0℃以下的（甲基）丙烯酸类聚合物（A）链段和玻璃化转变温度为40℃以上的（甲基）丙烯酸类聚合物（B）链段的嵌段共聚物或接枝共聚物作为基础聚合物的粘合剂。
（甲基）丙烯酸类聚合物（A）链段的玻璃化转变温度为0℃以下，在通常的使用温度下会赋予对被粘物的润湿性和作为粘合剂的柔软性，在本发明的粘合剂层中显现粘接力。（甲基）丙烯酸类聚合物（A）链段的玻璃化转变温度优选为-20℃以下，更优选为-30℃以下，通常玻璃化转变温度为-70℃以上。若（甲基）丙烯酸类聚合物（A）链段的玻璃化转变温度为-20℃以下，则从低温条件下的耐久性优异的方面来看是优选的。
前述（甲基）丙烯酸类聚合物（B）链段的玻璃化转变温度为40℃以上，在通常的使用温度下会赋予内聚力，在本发明的粘合剂层中显现优异的粘合特性和耐久性。（甲基）丙烯酸类聚合物（B）链段的玻璃化转变温度优选为80℃以上，更优选为100℃以上，通常玻璃化转变温度为150℃以下。若（甲基）丙烯酸类聚合物（B）链段的玻璃化转变温度为80℃以上，则从高温条件下的耐久性优异的方面来看是优选的。
前述嵌段共聚物或接枝共聚物可以使用具有前述（甲基）丙烯酸类聚合物（A）链段和（甲基）丙烯酸类聚合物（B）链段的物质。例如，若分别将（甲基）丙烯酸类聚合物（A）链段表示为A、将（甲基）丙烯酸类聚合物（B）链段表示为B，则作为嵌段共聚物，可以例示出例如以A-B表示的二嵌段共聚物；以A-B-A、B-A-B表示的三嵌段共聚物；进而四嵌段共聚物、将A、B组合为此以上的共聚物。另外，作为接枝共聚物，可列举出以A或B作为主链、以与主链不同的链段作为侧链的共聚物。需要说明的是，A、B为2个以上时，各A、B可以相同也可以不同。
作为本发明粘合剂的基础聚合物，可以使用前述嵌段共聚物或接枝共聚物，但从容易控制玻璃化转变温度和分子量的方面出发，优选嵌段共聚物，在嵌段共聚物中，从容易控制粘合特性和本体物性的方面出发，更优选使用以B-A-B表示的三嵌段共聚物。
前述嵌段共聚物或接枝共聚物的重均分子量为50000～300000，从耐久性和再加工性两者的观点出发，优选为60000～250000，更优选为70000～200000。
嵌段共聚物或接枝共聚物的分子量分布（Mw／Mn））为1.0～1.5，从在高温下的内聚力高、耐久性优异的观点出发，优选为1.0～1.4，更优选为1.0～1.3。
只要（甲基）丙烯酸类聚合物（A）链段是含有（甲基）丙烯酸烷基酯作为单体单元的主成分、并满足玻璃化转变温度为0℃以下的链段，对单体单元的种类、成分组成就没有特别限制，但对于控制玻璃化转变温度而言，总单体单元的50重量%以上、进而60重量%以上为（甲基）丙烯酸烷基酯是优选的。
作为（甲基）丙烯酸类聚合物（A）链段的主单体单元即（甲基）丙烯酸烷基酯，例如可列举出烷基的碳原子数为1～18的（甲基）丙烯酸烷基酯。具体而言，可列举出（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸正丁酯、（甲基）丙烯酸叔丁酯、（甲基）丙烯酸正己酯、（甲基）丙烯酸环己酯、（甲基）丙烯酸-2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸正辛酯、（甲基）丙烯酸月桂酯、（甲基）丙烯酸十三烷基酯、（甲基）丙烯酸硬脂酯等（甲基）丙烯酸烷基酯。它们可以单独使用或组合2种以上使用。（甲基）丙烯酸类聚合物（A）链段优选为以丙烯酸烷基酯作为主单体单元的丙烯酸类聚合物链段。作为前述主单体单元，在前述例示中，优选丙烯酸丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸正辛酯等烷基的碳原子数为1～9的丙烯酸烷基酯。
前述嵌段共聚物或接枝共聚物中，从得到稳定的粘接力和耐久性的观点出发，（甲基）丙烯酸类聚合物（A）链段的重量比优选为50%～95%，更优选为60%～85%。（甲基）丙烯酸类聚合物（A）链段的重量比少于50%时，粘接力容易变低。另外，（甲基）丙烯酸类聚合物（A）链段的重量比多于95%时，（甲基）丙烯酸类聚合物（B）链段的比率少，因此内聚力下降，在作为光学薄膜用粘合剂而使用时，从耐久性方面来看不为优选。
只要（甲基）丙烯酸类聚合物（B）链段是含有（甲基）丙烯酸烷基酯作为单体单元的主成分、并满足玻璃化转变温度为40℃以上的链段，对单体单元的种类、成分组成就没有特别限制，但对于控制玻璃化转变温度而言，总单体单元的15重量%以上、进而20重量%以上为（甲基）丙烯酸烷基酯是优选的。
作为（甲基）丙烯酸类聚合物（B）链段的主单体单元即（甲基）丙烯酸烷基酯，例如可列举出烷基的碳原子数为1～18的（甲基）丙烯酸烷基酯。具体而言，可列举出（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸正丁酯、（甲基）丙烯酸叔丁酯、（甲基）丙烯酸正己酯、（甲基）丙烯酸环己酯、（甲基）丙烯酸-2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸正辛酯、（甲基）丙烯酸月桂酯、（甲基）丙烯酸十三烷基酯、（甲基）丙烯酸硬脂酯、（甲基）丙烯酸异冰片酯等（甲基）丙烯酸烷基酯。它们可以单独使用或组合2种以上使用。（甲基）丙烯酸类聚合物（B）链段优选为以甲基丙烯酸烷基酯作为主单体单元的甲基丙烯酸类聚合物链段。作为前述主单体单元，在前述例示中，优选甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯等烷基的碳原子数为1～2的甲基丙烯酸烷基酯。
需要说明的是，在前述嵌段共聚物或接枝共聚物中，（甲基）丙烯酸类聚合物（B）链段的重量比为除了上述（甲基）丙烯酸类聚合物（A）链段之外的比率。
对于前述（甲基）丙烯酸类聚合物（A）链段、（甲基）丙烯酸类聚合物（B）链段，若各链段的总单体单元为10重量%以下的范围，则还可以包含其他单体单元。作为前述其他单体单元，例如可列举出（甲基）丙烯酸甲氧基乙酯、（甲基）丙烯酸乙氧基乙酯、（甲基）丙烯酸二乙基氨基乙酯、（甲基）丙烯酸-2-羟基乙酯、（甲基）丙烯酸-2-氨基乙酯、（甲基）丙烯酸缩水甘油酯、（甲基）丙烯酸四氢糠酯等具有官能团的（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸、巴豆酸、马来酸、马来酸酐、富马酸、（甲基）丙烯酰胺等具有羧基的乙烯基类单体；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、对甲基苯乙烯等芳香族乙烯基类单体；丁二烯、异戊二烯等共轭二烯类单体；乙烯、丙烯等烯烃类单体；ε-己内酯、戊内酯等内酯类单体等。还可以列举出将它们单独使用或组合2种以上使用。
关于前述嵌段共聚物或接枝共聚物的制造方法，只要可以得到具有前述（甲基）丙烯酸类聚合物（A）链段、（甲基）丙烯酸类聚合物（B）链段的嵌段共聚物或接枝共聚物就没有特别限定，可以采用基于公知的技术的方法。通常而言，作为得到分子量分布狭窄的嵌段共聚物的方法，可以采用将作为结构单元的单体活性聚合的方法。作为这种活性聚合技术，例如可列举出将有机稀土金属络合物作为聚合引发剂进行聚合的方法（日本特开平6-93060号公报）；将有机碱金属化合物作为聚合引发剂，在碱金属或碱土金属的盐等无机酸盐的存在下进行阴离子聚合的方法（参照日本特公平7-25859号公报）；将有机碱金属化合物作为聚合引发剂，在有机铝化合物的存在下进行阴离子聚合的方法（日本特开平11-335432号公报）；原子转移自由基聚合方法（ATRP）（Macromol.Chem.Phys.201，第1108～1114页（2000年））等。另外，作为得到接枝共聚物的方法，可列举出日本特许第4228026号说明书等中记载的方法。
在上述制造方法中，在利用将有机铝化合物作为催化助剂的阴离子聚合方法的情况下，聚合过程中的失活少，因此作为失活成分的均聚物的混入少，其结果，得到的粘合剂的透明性高。另外，由于单体的聚合转化率高，因此产品中残留的单体少，在作为光学薄膜用粘合剂使用时，可以抑制贴合后的气泡的产生。进而，（甲基）丙烯酸类聚合物（B）链段嵌段的分子结构变为高间同立构（syndiotactic），在用于光学薄膜用粘合剂时有提高耐久性的效果。而且，因为能够在比较缓和的温度条件下进行活性聚合，所以在工业生产时，有环境负荷（主要是用于控制聚合温度的冷冻机所消耗的电力）少的优点。
作为在上述有机铝化合物的存在下的阴离子聚合方法，可以采用例如在有机锂化合物和下述通式（1）所示的有机铝化合物的存在下，根据需要，进一步在反应体系内使用二甲基醚、二甲氧基乙烷、二乙氧基乙烷、12-冠醚-4等醚；三乙胺、N,N,N’,N’-四甲基亚乙基二胺、N,N,N’,N’’,N’’-五甲基二亚乙基三胺、1,1,4,7,10,10-六甲基三亚乙基四胺、吡啶、2,2’-联吡啶等含氮化合物使（甲基）丙烯酸酯聚合的方法等。
AlR1R2R3    （1）
（式中，R1、R2和R3各自独立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的环烷基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的芳烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳氧基或N,N-二取代氨基，或者R1表示前述任一基团，R2和R3同样地表示可以具有取代基的亚芳二氧基（arylenedioxy）。）
作为上述有机锂化合物，例如可列举出甲基锂、乙基锂、正丙基锂、异丙基锂、正丁基锂、仲丁基锂、异丁基锂、叔丁基锂、正戊基锂、正己基锂、四亚甲基二锂、五亚甲基二锂、六亚甲基二锂等烷基锂和烷基二锂；苯基锂、间甲苯基锂、对甲苯基锂、二甲苯基锂、锂萘等芳基锂和芳基二锂；苄基锂、二苯甲基锂、三苯甲基锂、1,1-二苯基-3-甲基戊基锂、α-甲基苯乙烯基锂、由二异丙苯与丁基锂的反应生成的二锂等芳烷基锂和芳烷基二锂；二甲氨基锂（lithium dimethylamide）、二乙氨基锂（lithium diethylamide）、二异丙基氨基锂（lithium diisopropylamide）等氨基锂（lithium amide）；甲氧基锂、乙氧基锂、正丙氧基锂、异丙氧基锂、正丁氧基锂、仲丁氧基锂、叔丁氧基锂、戊氧基锂、己氧基锂、庚氧基锂、辛氧基锂、苯氧基锂、4-甲基苯氧基锂、苄氧基锂、4-甲基苄氧基锂等锂醇盐。它们可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
另外，作为上述通式所示有机铝化合物，例如可列举出三甲基铝、三乙基铝、三正丁基铝、三仲丁基铝、三叔丁基铝、三异丁基铝、三正己基铝、三正辛基铝、三（2-乙基己基）铝、三苯基铝等三烷基铝、二甲基（2,6-二叔丁基-4-甲基苯氧基）铝、二甲基（2,6-二叔丁基苯氧基）铝、二乙基（2,6-二叔丁基-4-甲基苯氧基）铝、二乙基（2,6-二叔丁基苯氧基）铝、二异丁基（2,6-二叔丁基-4-甲基苯氧基）铝、二异丁基（2,6-二叔丁基苯氧基）铝、二正辛基（2,6-二叔丁基-4-甲基苯氧基）铝、二正辛基（2,6-二叔丁基苯氧基）铝等二烷基苯氧基铝、甲基双（2,6-二叔丁基-4-甲基苯氧基）铝、甲基双（2,6-二叔丁基苯氧基）铝、乙基〔2,2’-亚甲基双（4-甲基-6-叔丁基苯氧基）〕铝、乙基双（2,6-二叔丁基-4-甲基苯氧基）铝、乙基双（2,6-二叔丁基苯氧基）铝、乙基〔2,2’-亚甲基双（4-甲基-6-叔丁基苯氧基）〕铝、异丁基双（2,6-二叔丁基-4-甲基苯氧基）铝、异丁基双（2,6-二叔丁基苯氧基）铝、异丁基〔2,2’-亚甲基双（4-甲基-6-叔丁基苯氧基）〕铝、正辛基双（2,6-二叔丁基-4-甲基苯氧基）铝、正辛基双（2,6-二叔丁基苯氧基）铝、正辛基〔2,2’-亚甲基双（4-甲基-6-叔丁基苯氧基）〕铝等烷基二苯氧基铝、甲氧基双（2,6-二叔丁基-4-甲基苯氧基）铝、甲氧基双（2,6-二叔丁基苯氧基）铝、甲氧基〔2,2’-亚甲基双（4-甲基-6-叔丁基苯氧基）〕铝、乙氧基双（2,6-二叔丁基-4-甲基苯氧基）铝、乙氧基双（2,6-二叔丁基苯氧基）铝、乙氧基〔2,2’-亚甲基双（4-甲基-6-叔丁基苯氧基）〕铝、异丙氧基双（2,6-二叔丁基-4-甲基苯氧基）铝、异丙氧基双（2,6-二叔丁基苯氧基）铝、异丙氧基〔2,2’-亚甲基双（4-甲基-6-叔丁基苯氧基）〕铝、叔丁氧基双（2,6-二叔丁基-4-甲基苯氧基）铝、叔丁氧基双（2,6-二叔丁基苯氧基）铝、叔丁氧基〔2,2’-亚甲基双（4-甲基-6-叔丁基苯氧基）〕铝等烷氧基二苯氧基铝、三（2,6-二叔丁基-4-甲基苯氧基）铝、三（2,6-二苯基苯氧基）铝等三苯氧基铝等。在这些有机铝化合物中，异丁基双（2,6-二叔丁基-4-甲基苯氧基）铝、异丁基双（2,6-二叔丁基苯氧基）铝、异丁基〔2,2’-亚甲基双（4-甲基-6-叔丁基苯氧基）〕铝等在处理容易、并且可以在比较缓和的温度条件下不失活地使丙烯酸酯进行聚合的方面来看是特别优选的。它们可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
另外，作为前述丙烯酸类粘合剂，可以使用将以（甲基）丙烯酸烷基酯的单体单元为主骨架的丙烯酸类聚合物作为基础聚合物，并在其中配混有交联剂的粘合剂。需要说明的是，（甲基）丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本发明的“（甲基）”为同样的意义。
构成丙烯酸类聚合物的主骨架的（甲基）丙烯酸烷基酯的烷基的碳原子数为1～14左右，作为（甲基）丙烯酸烷基酯的具体例，可例示出（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸异丙酯、（甲基）丙烯酸正丁酯、（甲基）丙烯酸异丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸-2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸异辛酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸异壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸十二烷基酯、（甲基）丙烯酸硬脂酯等，它们可以单独或组合使用。其中，优选烷基的碳原子数为1～9的（甲基）丙烯酸烷基酯。
在前述丙烯酸类聚合物中，出于改善粘接性、耐热性的目的，可以通过共聚导入1种以上的各种单体。作为这种共聚单体的具体例，可列举出含羧基单体、含羟基单体、含氮单体（包括含杂环单体）、含芳香族单体等。
作为含羧基单体，例如可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、（甲基）丙烯酸羧基乙酯、（甲基）丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等。这些当中，优选丙烯酸、甲基丙烯酸。
作为含羟基单体，可列举出（甲基）丙烯酸-2-羟乙酯、（甲基）丙烯酸-2-羟丙酯、（甲基）丙烯酸-4-羟丁酯、（甲基）丙烯酸-6-羟己酯、（甲基）丙烯酸-8-羟辛酯、（甲基）丙烯酸-10-羟癸酯、（甲基）丙烯酸-12-羟基月桂酯、丙烯酸（4-羟甲基环己基）甲酯等。
另外，作为含氮单体，例如可列举出马来酰亚胺、N-环己基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺；N-丙烯酰吗啉；（甲基）丙烯酰胺、N,N-二甲基（甲基）丙烯酰胺、N,N-二乙基（甲基）丙烯酰胺、N-己基（甲基）丙烯酰胺、N-甲基（甲基）丙烯酰胺、N-丁基（甲基）丙烯酰胺、N-丁基（甲基）丙烯酰胺、N-羟甲基（甲基）丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷（甲基）丙烯酰胺等（N-取代）酰胺类单体；（甲基）丙烯酸氨基乙酯、（甲基）丙烯酸氨基丙酯、（甲基）丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、（甲基）丙烯酸叔丁基氨基乙酯、（甲基）丙烯酸3-(3-吡啶基）丙酯等（甲基）丙烯酸烷基氨基烷基酯类单体；（甲基）丙烯酸甲氧基乙酯、（甲基）丙烯酸乙氧基乙酯等（甲基）丙烯酸烷氧基烷基酯类单体；N-（甲基）丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、N-（甲基）丙烯酰基-6-氧杂六亚甲基琥珀酰亚胺、N-（甲基）丙烯酰基-8-氧杂八亚甲基琥珀酰亚胺、N-丙烯酰基吗啉等琥珀酰亚胺类单体等也可以作为改性目的的单体列举出。
作为含芳香族单体，例如可列举出（甲基）丙烯酸苄酯、（甲基）丙烯酸苯酯、（甲基）丙烯酸苯氧基乙酯等。
除了上述单体之外，可列举出马来酸酐、衣康酸酐等含酸酐基单体；丙烯酸的己内酯加成物；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸，2-（甲基）丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、（甲基）丙烯酰胺丙烷磺酸、（甲基）丙烯酸磺酸丙酯、（甲基）丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体等。
进而，还可以使用乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺类、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己内酰胺等乙烯基类单体；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯类单体；（甲基）丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基丙烯酸类单体；（甲基）丙烯酸聚乙二醇酯、（甲基）丙烯酸聚丙二醇酯、（甲基）丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯、（甲基）丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇类丙烯酸酯单体；（甲基）丙烯酸四氢糠酯、氟代（甲基）丙烯酸酯、有机硅（甲基）丙烯酸酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯等丙烯酸酯类单体等。
其中，从与交联剂的反应性良好的观点出发，适合使用含羟基单体。另外，从粘接性、粘接耐久性的观点出发，优选使用丙烯酸等含羧基单体。
对于丙烯酸类聚合物中的前述共聚单体的比例并没有特别限制，重量比率为50重量%。优选为0.1～10重量%，更优选为0.5～8重量%，进一步优选为1～6重量%。
对于丙烯酸类聚合物的平均分子量并没有特别限制，重均分子量优选30万～250万左右。前述丙烯酸类聚合物的制造可以通过各种公知的方法来制造，例如可以适当地选择本体聚合法、溶液聚合法、悬浮聚合法等自由基聚合法。作为自由基聚合引发剂，可以使用偶氮类、过氧化物类的各种公知的物质。反应温度通常设为50～80℃左右，反应时间设为1～8小时。另外，前述制造法中优选溶液聚合法，作为丙烯酸类聚合物的溶剂通常使用乙酸乙酯、甲苯等。
前述丙烯酸类聚合物中所配混的交联剂可以提高与透明导电性薄膜的密合性、耐久性，而且可以实现高温下的可靠性、粘合剂自身形状的保持。作为交联剂，能够适宜地使用异氰酸酯类、环氧类、过氧化物类、金属螯合物类、噁唑啉类等。这些交联剂可以使用1种，或组合使用2种以上。
异氰酸酯类交联剂可以使用异氰酸酯化合物。作为异氰酸酯化合物，可列举出甲苯二异氰酸酯、氯苯基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、四亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二甲苯二异氰酸酯、二苯甲烷二异氰酸酯、氢化二苯甲烷二异氰酸酯等异氰酸酯单体以及将这些异氰酸酯单体与三羟甲基丙烷等加成而成的加合类异氰酸酯化合物；异氰脲酸酯化合物、缩二脲型化合物、以及使公知的聚醚多元醇、聚酯多元醇、丙烯酸类多元醇、聚丁二烯多元醇、聚异戊二烯多元醇等发生加成反应而成的氨基甲酸酯预聚物型的异氰酸酯等。
上述异氰酸酯类交联剂可以单独使用1种，或者也可以混合使用2种以上，相对于100重量份前述（甲基）丙烯酸类聚合物（A），作为总体的含量优选含有0.01～2重量份的上述多异氰酸酯化合物交联剂而成，更优选含有0.02～2重量份，进一步优选含有0.05～1.5重量份而成。可以考虑到内聚力、对耐久性试验中的剥离的阻止等而适当含有。
作为过氧化物类交联剂，可以使用各种过氧化物。作为过氧化物，可列举出过氧化二碳酸二(2-乙基己基)酯、过氧化二碳酸二(4-叔丁基环己基)酯、过氧化二碳酸二仲丁酯、过氧化新癸酸叔丁酯、过氧化新戊酸叔己酯、过氧化新戊酸叔丁酯、过氧化二月桂酰、过氧化二正辛酰、过氧化异丁酸1,1,3,3‐四甲基丁酯、过氧化2-乙基己酸-1,1,3,3-四甲基丁酯、二(4-甲基苯甲酰)过氧化物、过氧化二苯甲酰、过氧化异丁酸叔丁酯等。其中，特别优选使用交联反应效率优异的过氧化二碳酸二(4-叔丁基环己基)酯、过氧化二月桂酰、过氧化二苯甲酰。
前述过氧化物可以单独使用1种，或者也可以混合使用2种以上，相对于100重量份前述（甲基）丙烯酸类聚合物（A），作为总体的含量为0.01～2重量份，优选为0.04～1.5重量份，更优选为0.05～1重量份。为了调整加工性、再加工性、交联稳定性、剥离性等，可以在该范围内适当选择。
进而，本发明的粘合剂中还可以含有硅烷偶联剂。通过使用硅烷偶联剂可以提高耐久性。作为硅烷偶联剂，可以使用具有任意合适的官能团的物质。具体而言，作为官能团，例如可列举出乙烯基、环氧基、氨基、巯基、（甲基）丙烯酰氧基、乙酰乙酰基、异氰酸酯基、苯乙烯基、多巯基等。具体而言，例如可列举出乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三丙氧基硅烷、乙烯基三异丙氧基硅烷、乙烯基三丁氧基硅烷等含乙烯基的硅烷偶联剂；γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、2-（3,4-环氧基环己基）乙基三甲氧基硅烷等含环氧基的硅烷偶联剂；γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-（氨基乙基）-γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-（2-氨基乙基）3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-三乙氧基甲硅烷基-N-（1,3-二甲基丁叉基）丙基胺、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷等含氨基的硅烷偶联剂；γ-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷等含巯基的硅烷偶联剂；对苯乙烯基三甲氧基硅烷等含苯乙烯基的硅烷偶联剂；γ-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷等含（甲基）丙烯酰基的硅烷偶联剂；3-异氰酸根合丙基三乙氧基硅烷等含异氰酸酯基的硅烷偶联剂；双（三乙氧基甲硅烷基丙基）四硫醚等含多巯基（polysulfide）的硅烷偶联剂等。
前述硅烷偶联剂可以单独使用，也可以混合使用2种以上，相对于100重量份前述丙烯酸类聚合物，作为总体的含量优选前述硅烷偶联剂为0.001～5重量份，进一步优选为0.01～1重量份，进一步更优选为0.02～1重量份，进一步优选为0.05～0.6重量份。
另外，在粘合剂层3中，根据需要，还可以配混例如由天然物、合成物的树脂类、玻璃纤维、玻璃微珠、金属粉、其它的无机粉末等形成的填充剂、颜料、着色剂、抗氧化剂等适当的添加剂。此外，也可以含有透明微粒而形成赋予了光扩散性的粘合剂层3。
需要说明的是，上述透明微粒可以使用1种或2种以上例如平均粒径为0.5～20μm的二氧化硅、氧化钙、氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化锡、氧化铟、氧化镉、氧化锑等导电性的无机类微粒，由聚甲基丙烯酸甲酯、聚氨酯这样的适当的聚合物形成的交联或未交联的有机类微粒等适当的物质。
粘合剂层3通常以使基础聚合物或其组合物溶解或分散在溶剂中而成的固体成分浓度为10～50重量%左右的粘合剂溶液的形式使用。作为前述溶剂，可以适当选择使用甲苯、乙酸乙酯等有机溶剂、水等根据粘合剂的种类而定的溶剂。
控制粘合剂层3的厚度而使得该粘合剂层3的厚度与前述薄膜基材1的厚度合计的总厚度为30～300μm。前述总厚度优选为20～280μm，更优选为20～170μm，进一步优选为20～110μm。通过将前述总厚度控制在前述范围，在应用于多点触摸型触摸面板的电极基板时，电极间间隙的设计自由度扩大、可以生产率良好地得到适合电容型触摸面板的透明导电性薄膜。粘合剂层3的厚度具体而言，优选为10～170μm的范围，更优选从10～110μm，进一步优选从10～80μm的范围选择。
前述粘合剂层3可以通过将粘合剂溶液直接涂布在薄膜基材1上并干燥来形成。另外，将粘合剂溶液涂布在隔离膜S上并干燥而形成粘合剂层3，隔离膜S上所形成的粘合剂层3通过向薄膜基材1转印，可以作为带有隔离膜S的粘合剂层3而层叠在薄膜基材1上。
使用隔离膜S转印粘合剂层3时，作为这样的隔离膜S，优选使用例如在聚酯薄膜的至少与粘合剂层3粘接的面上层叠有迁移防止层和/或脱模层的聚酯薄膜等。
隔离膜S的总厚优选为30μm以上，更优选为60～100μm的范围内。这是为了在形成粘合剂层13后，以卷状态保管的情况下，抑止料想由于卷间混入的异物等而产生的粘合剂层13的变形（凹痕）。
作为前述迁移防止层，可以由用于防止聚酯薄膜中的迁移成分、特别是聚酯的低分子量低聚物成分的迁移的适当的材料形成。作为迁移防止层的形成材料，可以使用无机物或者有机物、或它们的复合材料。迁移防止层的厚度可以在0.01～20μm的范围适当设定。作为迁移防止层的形成方法并没有特别限定，例如使用涂覆法、喷雾法、旋涂法、在线涂布（inline coating）法等。另外，还可以使用真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、喷雾热分解法、化学镀法、电镀法等。
作为前述脱模层，可以形成由有机硅类、长链烷基类、氟类、硫化钼等适当的剥离剂形成的层。脱模层的厚度可以从脱模效果的方面出发而适当设定。通常而言，从柔软性等处理性的方面出发，该厚度优选为20μm以下，更优选为0.01～10μm的范围内，特别优选为0.1～5μm的范围内。作为脱模层的形成方法并没有特别限定，可以采用与前述迁移防止层的形成方法相同的方法。
前述涂覆法、喷雾法、旋涂法、在线涂布法中，可以使用丙烯酸类树脂、聚氨酯类树脂、三聚氰胺类树脂、环氧类树脂等电离辐射线固化型树脂、在前述树脂中混合氧化铝、二氧化硅、云母等而成的物质。另外，使用真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、喷雾热分解法、化学镀敷法或电镀法的情况下，可以使用由金、银、铂、钯、铜、铝、镍、铬、钛、铁、钴或锡、它们的合金等形成的金属氧化物、其它金属化合物。
另外，在将薄膜基材1与粘合剂层3层叠时，可以在层叠粘合剂层3的薄膜基材1一面设置低聚物防止层G。作为低聚物防止层G的形成材料，使用能够形成透明膜的适宜的材料，可以为无机物、有机物或它们的复合材料。其膜厚优选为0.01～20μm。另外，在形成该低聚物防止层G时多使用利用涂布机的涂布法、喷雾法、旋涂法、在线涂布法等，但也可以使用真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、喷雾热分解法、化学镀法或电镀法之类的方法。在涂覆法中，也可以使用聚乙烯醇类树脂、丙烯酸类树脂、聚氨酯类树脂、三聚氰胺类树脂、UV固化型树脂、环氧类树脂等树脂成分、它们的氧化铝、二氧化硅、云母等无机颗粒的混合物。或者还可以通过将2层以上的高分子基板共挤出而使基材成分具有防止层G的功能。另外，在真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、喷雾热分解法、化学镀敷法或电镀法之类的方法中，可以使用金、银、铂、钯、铜、铝、镍、铬、钛、铁、钴或锡、它们的合金等形成的金属氧化物，或者由氧化铟、氧化锡、氧化钛、氧化镉或它们的混合物形成的金属氧化物，其他金属化合物。
在前述例示的低聚物防止层G的形成材料中，聚乙烯醇类树脂的低聚物防止功能优异，特别在本发明的用途中是合适的。聚乙烯醇类树脂以聚乙烯醇为主成分，通常聚乙烯醇的含量优选30～100重量%的范围。聚乙烯醇的含量为30重量%以上时，低聚物析出防止效果良好。作为可以与聚乙烯醇一起混合的树脂，可列举出聚酯、聚氨酯等水系树脂。对于聚乙烯醇的聚合度并没有特别限定，通常为300～4000的聚乙烯醇在用途上是合适的。对于聚乙烯醇的皂化度并没有特别限定，通常70摩尔%以上、99.9摩尔%以上的聚乙烯醇是合适的。聚乙烯醇类树脂中也可以组合使用交联剂。作为该交联剂的具体例，可列举出羟甲基化或羟烷基化的尿素类、三聚氰胺类、胍胺类、丙烯酰胺类、聚酰胺类的各种化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、封端异氰酸酯、硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、锆铝酸酯偶联剂等。这些交联成分也可以预先与粘结剂聚合物结合。另外，以改良粘着性、润滑性为目的，还可以含有无机颗粒，作为具体例可列举出二氧化硅、氧化铝、高岭土、碳酸钙、氧化钛、钡盐等。进而根据需要，也可以含有消泡剂、涂布性改良剂、增稠剂、有机润滑剂、有机高分子颗粒、抗氧化剂、紫外线吸收剂、发泡剂、染料等。
需要说明的是，如前所述地将前述薄膜基材1和粘合剂层3的总厚度控制为30～300μm，但在前述薄膜基材1和粘合剂层3之间设置低聚物防止层G时，优选将包括由低聚物防止层G形成的层的前述薄膜基材1和粘合剂层3的总厚度控制在前述范围内。
对于本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜的制造方法，只要是能够得到前述结构的方法就没有特别限制。例如可以通过如下方法得到本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜：通过准备层叠体（透明导电体层未被图案化的带粘合剂层的透明导电性薄膜）的工序A准备前述层叠体后，实施将前述层叠体中的透明导电体层图案化的工序B，所述层叠体在厚度为10～110μm的薄膜基材1的一面层叠有透明导电体层，且在前述薄膜基材的另一面具有满足前述规定的储能模量的粘合剂层，所述粘合剂层的厚度被控制为使前述薄膜基材和前述粘合剂层的总厚度为30～300μm。
在前述层叠体的准备工序A中，一般在薄膜基材1的一面形成透明导电体层2（有时包含底涂层4）来制造透明导电性薄膜，然后在该透明导电性薄膜的另一面层叠前述粘合剂层3。粘合剂层3可以如前所述地在薄膜基材1上直接形成，也可以在隔离膜S上设置粘合剂层3后，将其与前述薄膜基材1贴合。在后一种方法中，可以将薄膜基材1形成卷状并连续进行粘合剂层3的形成，因此在生产率方面更加有利。
在图案化工序B中，通过蚀刻前述透明导电体层2来进行图案化。蚀刻时，利用用于形成图案的掩膜覆盖透明导电体层，并利用蚀刻液蚀刻透明导电体层2。
透明导电体层2可以适当使用含有氧化锡的氧化铟、含有锑的氧化锡，因此作为蚀刻液可以适当使用酸。作为酸，例如可列举出氯化氢、溴化氢、硫酸、硝酸、磷酸等无机酸、乙酸等有机酸和它们的混合物以及它们的水溶液。
底涂层4为至少2层时，除了可以仅蚀刻透明导电体层2而图案化之外，还可以在利用酸蚀刻透明导电体层2而图案化后，至少对离薄膜基材1最远的底涂层与透明导电体层2同样进行蚀刻而图案化。优选的是，可以对除了从薄膜基材1起的第一层底涂层之外的底涂层与透明导电体层2同样进行蚀刻而图案化。
蚀刻底涂层4时，利用用于形成与蚀刻透明导电体层2时相同的图案的掩膜覆盖底涂层4，并利用蚀刻液蚀刻底涂层4。第二层以上的底涂层如前所述，适宜使用SiO2等无机物，因此适宜使用碱作为蚀刻液。作为碱，例如可列举出氢氧化钠、氢氧化钾、氨、四甲基氢氧化铵等的水溶液、以及它们的混合物。其中，第一底涂层优选由不会被酸或碱蚀刻这样的有机物形成的层。
夹着2层底涂层4设置被图案化的透明导电体层2时，该图案化部的各层的折射率（n）、厚度（d）和前述各层的光学厚度（n×d）的总和可以如下设定。由此，可以将图案化部和非图案化部的反射率之差设计得较小。
从薄膜基材1起的第一层底涂层41的折射率（n）可以设为1.5～1.7，优选为1.5～1.65，更优选为1.5～1.6。厚度（d）优选为100～220nm，更优选为120～215nm，进一步优选为130～210nm。
从薄膜基材1起的第二层底涂层42的折射率（n）可以设为1.4～1.5，优选为1.41～1.49，更优选为1.42～1.48。厚度（d）优选为20～80nm，更优选为20～70nm，进一步优选为20～60nm。
透明导电体层2的折射率（n）可以设为1.9～2.1，优选为1.9～2.05，更优选为1.9～2.0。厚度（d）优选为15～30nm，更优选为15～28nm，进一步优选为15～25nm。
前述各层（第一层底涂层41、第二层底涂层42、透明导电体层2）的光学厚度（n×d）的总和可以设为208～554nm，优选为230～500nm，更优选为250～450nm。
另外，前述图案化部的光学厚度的总和与非图案化部的底涂层的光学厚度之差（Δnd）可以设为40～130nm。前述光学厚度之差（Δnd）优选为40～120nm，更优选为40～110nm。
进而，对于本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜，可以在60～200℃下对在前述工序A中准备好的层叠体进行加热处理，实施使前述层叠体中的透明导电体层2结晶化的工序C。通过基于结晶化工序C的加热处理，透明导电体层2被结晶化。本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜层叠有具有上述规定储能模量的粘合剂层3，因此即使在实施加热处理的情况下，也可以将薄膜的波纹抑制得较小。
结晶化时的加热温度通常为60～200℃左右，优选为100～150℃。另外，加热处理时间为5～250分钟。根据该观点，由于要实施上述加热处理，因此薄膜基材1优选具有100℃以上、进而150℃以上的耐热性。
另外，通过图案化工序B图案化透明导电体层2时，会有薄膜的波纹变大、因透明导电体层的高度差而导致外观显著变差的倾向。因此，前述结晶化工序C优选在对前述工序A中所准备的层叠体实施图案化工序B后实施。另外，若使透明导电体层2结晶化则会有蚀刻变难的情况，因此结晶化工序C优选在通过图案化工序B将透明导电体层2图案化之后进行。进而，在蚀刻底涂层4时，优选在底涂层4的蚀刻后进行结晶化工序C。
本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜可以用于电容型触摸面板的输入装置的电极基板。电容型触摸面板可以采用多点触摸方式，本发明的带粘合剂层的透明导电性薄膜可以作为前述电极基板的一部分使用。图6～图8是将图1所示带粘合剂层的透明导电性薄膜11应用于前述电极基板时的触摸面板的输入装置的截面图。
图6是涉及face-down型的、以透明导电体层2相对于窗口W向下的方式层叠2张图1所示带粘合剂层的透明导电性薄膜11而使用的情况。上侧的带粘合剂层的透明导电性薄膜11的粘合剂层3贴合于窗口W。另一方面，下侧的带粘合剂层的透明导电性薄膜11夹着粘合剂层3′贴合于薄膜基材1′。在薄膜基材1′的下表面设置有功能层F。
图7是涉及face-up型的、以透明导电体层2相对于窗口W向上的方式层叠1张图1所示带粘合剂层的透明导电性薄膜11而使用的情况。带粘合剂层的透明导电性薄膜11的透明导电体层2夹着粘合剂层3′贴合于窗口W。另一方面，带粘合剂层的透明导电性薄膜11的粘合剂层3贴合有其他透明导电性薄膜（薄膜基材1′上设置有被图案化的透明导电体层2′的薄膜）的透明导电体层2′侧。在薄膜基材1′的下表面设置有功能层F。
图8涉及双面型。图8中，以透明导电体层2相对于窗口W向上的方式使用1张图1所示带粘合剂层的透明导电性薄膜11，带粘合剂层的透明导电性薄膜11的透明导电体层2夹着粘合剂层3′贴合于窗口W。另一方面，带粘合剂层的透明导电性薄膜11的粘合剂层3贴合有其他透明导电性薄膜（薄膜基材1′上设置有被图案化的透明导电体层2′的薄膜）的薄膜基材1′侧。进而，夹着粘合剂层3′′贴合薄膜基材1′′。在薄膜基材1′′的下表面设置有功能层F。
在上述图6～图8中，虽然例示出使用图1所示带粘合剂层的透明导电性薄膜11的情况，但也可以同样使用图2～图5所示的带粘合剂层的透明导电性薄膜12～15、其他方式的薄膜。另外，图6～图8示出多点触摸方式的一例，带粘合剂层的透明导电性薄膜的层叠数量、层叠的组合、顺序等可以适当组合。
需要说明的是，作为图6～图8所示的、用于薄膜基材1′、1′′的材料，可以使用薄膜基材1中例示的物质。对于薄膜基材1′、1′′的厚度并没有特别限制，通常优选为10～110μm。
另外，作为粘合剂层3′、3′′，没有特别限制，除了可以使用粘合剂层3中例示的物质之外，也可以使用以往在触摸面板中用于透明导电性薄膜的贴合的物质。对于粘合剂层3′、3′′的厚度并没有特别限制，通常优选为10～170μm。
窗口W通常使用玻璃板、亚克力板、聚碳酸酯板等。
此外，作为功能层F，可以设置防眩处理层、防反射层。
作为防眩处理层的构成材料，没有特别限定，例如可以使用电离辐射线固化型树脂、热固型树脂、热塑性树脂等。防眩处理层的厚度优选为0.1～30μm。
作为防反射层，可使用氧化钛、氧化锆、氧化硅、氟化镁等。为了进一步显现防反射功能，优选使用氧化钛层和氧化硅层的层叠体。
实施例
以下用实施例来详细说明本发明，只要本发明不超出其要旨，则并不限定于以下实施例。另外，各例中，份、%若无特别规定均为重量基准。
＜利用凝胶渗透色谱法（GPC）的重均分子量（Mw）的测定＞
装置：TOSOH CORPORATION制造的凝胶渗透色谱（HLC-8020）
柱：将TOSOH CORPORATION制造的TSKgel GMHXL、G4000HXL和G5000HXL串联连接
洗脱剂：四氢呋喃
洗脱剂流量：1.0ml/分钟
柱温度：40℃
检测方法：差示折射率（RI）
标准曲线：使用标准聚苯乙烯制作
＜利用质子核磁共振（1H-NMR）分光法的共聚物中的各共聚成分的含量测定＞
装置：日本电子株式会社制造的核磁共振设备（JNM-LA400）
溶剂：氘代氯仿
在1H-NMR光谱中，在3.6ppm及4.0ppm附近的信号分别归属于甲基丙烯酸甲酯单元的酯基(-O-CH3)及丙烯酸正丁酯单元的酯基(-O-CH2-CH2-CH2-CH3)，根据其积分值之比求出共聚成分的含量。
＜折射率＞
对于各层的折射率，使用ATAGO CO.,LTD,制造的阿贝折射率仪，相对于各种测定面使测定光入射，根据该折射计所示的规定的测定方法进行测定。
＜各层的厚度＞
对于薄膜基材、透明基体、硬涂层、粘合剂层等具有1μm以上厚度的层，使用Mitutoyo Corporation制造的Micro-gauge式厚度仪进行测定。在为硬涂层、粘合剂层等难以直接测量厚度的层的情况下，通过测定设置各层的基材的总厚度并减去基材的厚度来算出各层的膜厚。
对于第一层底涂层、第二层底涂层、ITO膜等的厚度，使用大塚电子株式会社制造的瞬时多通道测光系统的MCPD2000（商品名），以基于干涉光谱的波形为基础来算出。
＜底涂层的表面电阻＞
按照以JIS K6911（1995）为基准的双环法（double ring method）、使用三菱化学株式会社制造的表面高电阻计测定底涂层的表面电阻（Ω/□）。
实施例1
（形成粘合剂层的聚合物的制备）
在2L的三口烧瓶上安装三通活塞并将内部用氮气进行置换后，在室温下加入868g甲苯、43.4g1,2-二甲氧基乙烷、60.0g含有40.2mmol异丁基双（2,6-二叔丁基-4-甲基苯氧基）铝的甲苯溶液，进而加入含有6.37mmol仲丁基锂的环己烷和正己烷的混合溶液3.68g。接着，向其中加入51.5g甲基丙烯酸甲酯（MMA），在室温下搅拌60分钟。继而，将聚合液的内部温度冷却至-30℃，用2小时滴加240g丙烯酸正丁酯（nBA）。接着，加入51.5g甲基丙烯酸甲酯，在室温下搅拌一晚后，添加3.50g甲醇，停止聚合反应。将得到的反应液注入到甲醇中，利用过滤回收沉淀物。通过使其干燥而得到340g嵌段共聚物1。
1H-NMR测定和GPC测定的结果，上述三嵌段共聚物1为PMMA-PnBA-PMMA的三嵌段共聚物，重均分子量（Mw）为7.9×104，数均分子量（Mn）为6.2×104，分子量分布（Mw/Mn）为1.27。需要说明的是，PMMA-PnBA-PMMA表示聚甲基丙烯酸甲酯-聚丙烯酸正丁酯-聚甲基丙烯酸甲酯。三嵌段共聚物1的单体单元的重量比为nBA/MMA＝70/30。
（粘合剂层的形成）
将上述嵌段共聚物1溶解于甲苯并制备固体成分浓度为30%的粘合剂溶液，利用逆向涂布法涂布在由实施过脱模处理的聚酯薄膜（厚度38μm）形成的隔离膜上以使干燥后的粘合剂层的厚度为25μm，在90℃下进行3分钟加热处理使溶剂挥发，得到粘合剂层。
（底涂层的形成）
通过三聚氰胺树脂：醇酸树脂：有机硅烷缩合物的重量比为2：2：1的热固型树脂（光的折射率n＝1.54），在由厚度为25μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜（以下，也称为PET薄膜）形成的薄膜基材的一面形成厚度为185nm的第一层底涂层。接着，用乙醇稀释硅溶胶（COLCOAT CO.,LTD.制造，商品名“COLCOAT P”）以使其固体成分浓度变为2%，并利用二氧化硅涂布法涂布于第一层底涂层上，其后，在150℃下干燥2分钟使其固化，形成厚度为33nm的第二层底涂层（SiO2膜，光的折射率为1.46）。形成第一层、第二层底涂层后的表面电阻均为1×1012Ω/□以上。
（透明导电体层的形成）
接着，在由98%氩气和2%氧气形成的0.4Pa的气氛中，通过使用97重量%氧化铟、3重量%氧化锡的烧结体材料的反应性溅射法，在第二层底涂层上形成作为透明导电体层的厚度为22nm的ITO膜（光的折射率为2.00）。
（带粘合剂层的透明导电性薄膜的制作）
接着，在与ITO膜形成面相反一侧的面上贴合上述形成于隔离膜上的粘合剂层，制作带粘合剂层的透明导电性薄膜。
（ITO膜的基于I蚀刻的图案化）
在带粘合剂层的透明导电性薄膜的透明导电体层上涂布被图案化成条纹状的光致抗蚀剂，干燥固化后在25℃、5%的盐酸（氯化氢水溶液）中浸渍1分钟，进行ITO膜的蚀刻。
（第二层底涂层的基于蚀刻的的图案化）
在进行上述ITO膜的蚀刻后，继而在层叠光致抗蚀层后直接在45℃下、2%的氢氧化钠水溶液中浸渍3分钟，进行第二层底涂层的蚀刻，其后，去除光致抗蚀层。
（透明导电体层的结晶化）
在进行上述第二层底涂层的蚀刻后，在140℃下进行90分钟的加热处理，将ITO膜结晶化。
实施例2～4
在实施例1中，使用表1所示厚度的PET薄膜代替作为薄膜基材的厚度为25μm的PET薄膜，除此之外，与实施例1同样操作，制作带粘合剂层的透明导电性薄膜，并进行其后的图案化、结晶化。
实施例5
在实施例1中，使用厚度为75μm的PET薄膜代替作为薄膜基材的厚度为25μm的PET薄膜，并且将粘合剂层的厚度由25μm变为150μm，除此之外，与实施例1同样操作，制作带粘合剂层的透明导电性薄膜，并进行其后的图案化、结晶化。
实施例6
（丙烯酸类聚合物溶液的制备）
将100份丙烯酸丁酯、5份丙烯酸、0.075份丙烯酸-2-羟乙酯以及0.2份2,2’-偶氮二异丁腈与乙酸乙酯一起加入具备冷却管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器，在氮气气流中、55℃下反应10小时后，向该反应液中加入乙酸乙酯，得到含有重均分子量为220万的丙烯酸类聚合物的溶液（固体成分浓度30%）（以下，也称为“丙烯酸类聚合物溶液（I）”）。
（粘合剂的制备）
相对于100份上述丙烯酸类聚合物溶液（I）的固体成分，将0.2份过氧化二苯甲酰（日本油脂株式会社制造，商品名“NYPER BMT”）、0.2份作为环氧类交联剂的二缩水甘油基氨基甲基环己烷（三菱瓦斯化学株式会社制造，商品名“TETRAD C”）、0.1份作为异氰酸酯类交联剂的三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯的加合物（Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.制造，商品名“Coronate L”）和0.075份硅烷偶联剂（信越化学工业株式会社制造，KBM403）均匀混合搅拌，制备丙烯酸类粘合剂溶液（固体成分10.9重量%）。
（粘合剂层的形成）
利用逆向涂布法在由实施过脱模处理的聚酯薄膜（厚度38μm）形成的隔离膜上涂布上述丙烯酸类粘合剂，以使干燥后的粘合剂层的厚度为25μm，在155℃下进行3分钟加热处理使溶剂挥发，得到粘合剂层。
（带粘合剂层的透明导电性薄膜的制作等）
在实施例1中，除了使用上述所形成的粘合剂层作为粘合剂层之外，与实施例1同样操作，制作带粘合剂层的透明导电性薄膜，并进行其后的图案化、结晶化。
实施例7
（形成粘合剂层的聚合物的制备）
除了将单体单元的重量比变为nBA/MMA=60/40之外，与实施例1同样操作，得到PMMA-PnBA-PMMA的三嵌段共聚物2。其中，两侧PMMA的比例相同。另外，三嵌段共聚物2的重均分子量（Mw）、数均分子量（Mn）、分子量分布（Mw／Mn）与实施例1中得到的三嵌段共聚物1相同。
在实施例1中，使用上述所制备的三嵌段共聚物2代替三嵌段共聚物1，除此之外，与实施例1同样操作，制作带粘合剂层的透明导电性薄膜，并进行其后的图案化、结晶化。
比较例1
（丙烯酸类聚合物的制备）
将100份丙烯酸丁酯、2份丙烯酸、5份乙酸乙烯酯以及0.2份2,2’-偶氮二异丁腈与乙酸乙酯一起加入具备冷却管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器，在氮气气流中、55℃下反应10小时后，向该反应液中加入乙酸乙酯，得到含有重均分子量为220万的丙烯酸类聚合物的溶液（固体成分浓度30%）（以下，也称为“丙烯酸类聚合物溶液（II）”）。
（粘合剂的制备）
相对于100份上述丙烯酸类聚合物溶液（II）的固体成分，将1份作为异氰酸酯类交联剂的三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯的加合物（NipponPolyurethane Industry Co.,Ltd.制造，商品名“Coronate L”）均匀混合搅拌，制备丙烯酸类粘合剂溶液（固体成分10.9重量%）。
（粘合剂层的形成）
利用逆向涂布法在由实施过脱模处理的聚酯薄膜（厚度38μm）形成的隔离膜上涂布上述丙烯酸类粘合剂，以使干燥后粘合剂层的厚度为25μm，在150℃下进行3分钟加热处理使溶剂挥发，得到粘合剂层。
（带粘合剂层的透明导电性薄膜的制作等）
在实施例1中，除了使用上述所形成的粘合剂层作为粘合剂层之外，与实施例1同样操作，制作带粘合剂层的透明导电性薄膜，并进行其后的图案化、结晶化。
比较例2
（形成粘合剂层的聚合物的制备）
除了将单体单元的重量比变为nBA/MMA=50/50之外，与实施例1同样操作，得到PMMA-PnBA-PMMA的三嵌段共聚物3。其中，两侧的PMMA的比例相同。另外，三嵌段共聚物3的重均分子量（Mw）、数均分子量（Mn）、分子量分布（Mw／Mn）与实施例1中得到的三嵌段共聚物1相同。
在实施例1中，使用上述所制备的三嵌段共聚物3代替三嵌段共聚物1，除此之外，与实施例1同样操作，制作带粘合剂层的透明导电性薄膜，并进行其后的图案化、结晶化。
比较例3
在实施例1中，除了将粘合剂层的厚度由25μm变为300μm之外，与实施例1同样操作，制作带粘合剂层的透明导电性薄膜，并进行其后的图案化、结晶化。
比较例4
在比较例1中，使用厚度为100μm的PET薄膜代替作为薄膜基材的厚度为25μm的PET薄膜，除此之外，与比较例1同样操作，制作带粘合剂层的透明导电性薄膜，并进行其后的图案化、结晶化。
<评价>
对实施例和比较例中得到的带粘合剂层的透明导电性薄膜进行下述评价。结果示于表1。在表1中，一并示出薄膜基材、粘合剂层的厚度和它们的总厚度。
《储能模量》
对于形成于隔离膜上的粘合剂层，通过以下方法求出储能模量。
［储能模量的测定方法］
储能模量的测定使用Rheometric Scientific Inc.制造的粘弹性分光计（商品名：RSA-II）来进行。设为在测定条件为频率1Hz、样品厚2mm、压接加重100g、升温速度5℃/分钟下的-50℃～200℃范围内的、23℃下的测定值。
《高度差目视评价》
从带粘合剂层的透明导电性薄膜去除隔离膜后，以将粘合剂层侧贴合于玻璃板而成的薄膜作为样品。配置样品使得带粘合剂层的透明导电性薄膜的被图案化的透明导电体层侧为上侧，利用目视进行高度差评价。评价按照下述基准评价是否能够辨别图案化部和非图案化部。目视距离设定为20cm，目视角度设定为与样品面成40度。
◎：难以辨别图案化部和非图案化部。
○：可以稍微辨别图案化部和非图案化部。
△：可以辨别图案化部和非图案化部。
×：可以清楚辨别图案化部和非图案化部。
《密合力》
在从带粘合剂层的透明导电性薄膜去除隔离膜后，按照下述基准、通过指触评价粘合剂层的密合性。
○：有作为粘合剂的粘着感
×：无粘着感
[表1]
Figure BDA00003347831200351
附图标记说明
1   薄膜基材
2   透明导电体层
a   图案化部
b   非图案化部
3   粘合剂层
4   底涂层
S   隔离膜
G   低聚物防止层
11、12、13、14、15   带粘合剂层的透明导电性薄膜
F   功能层
W   窗口

Claims (8)

1.一种带粘合剂层的透明导电性薄膜，其特征在于，其为具有薄膜基材、层叠于所述薄膜基材的一面且被图案化的透明导电体层、和层叠于所述薄膜另一面的粘合剂层的、用于电容型触摸面板的带粘合剂层的透明导电薄膜，
所述薄膜基材的厚度为10～110μm，
所述薄膜基材和所述粘合剂层的总厚度为30～300μm，且
所述粘合剂层在23℃下的储能模量为1.2×105～低于1.0×107Pa。
2.根据权利要求1所述的带粘合剂层的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明导电体层夹着至少1层的底涂层而层叠于所述薄膜基材。
3.根据权利要求1或2所述的带粘合剂层的透明导电性薄膜，其特征在于，所述粘合剂层夹着低聚物防止层而层叠于所述薄膜基材。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的带粘合剂层的透明导电性薄膜，其特征在于，被图案化的透明导电体层发生结晶化。
5.一种带粘合剂层的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，其为制造权利要求1～3中的任一项所述的带粘合剂层的透明导电性薄膜的方法，其包括：
准备层叠体的工序A，所述层叠体在厚度为10～110μm的薄膜基材的一面层叠有透明导电体层，且在所述薄膜基材的另一面具有粘合剂层，所述粘合剂层在23℃下的储能模量为1.2×105～低于1.0×107Pa，且被控制为所述薄膜基材和所述粘合剂层厚度的总厚度为30～300μm，
对所述工序A中得到的层叠体中的所述透明导电体层进行图案化的工序B。
6.根据权利要求5所述的带粘合剂层的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，还具有在60～200℃下对所述工序A中得到的层叠体进行加热处理，使所述层叠体中的透明导电体层结晶化的工序C。
7.根据权利要求6所述的带粘合剂层的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，对所述工序A中得到的层叠体实施图案化的工序B后，实施结晶化工序C。
8.一种电容型触摸面板，其特征在于，其具备至少1层的权利要求1～4中的任一项所述的带粘合剂层的透明导电性薄膜。
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