CN103173127A - 一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示了一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液，至少含有一种磨料和氮化硅抛光速率抑制剂。该抛光液具有较高的二氧化硅去除速率，和较低的氮化硅去除速率，能够对硅通孔阻挡层进行高效的平坦化，同时不产生金属腐蚀，且对金属铜的去除可线性调节，具有较高的缺陷校正能力和较低的表面污染物指标。

Description

一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液
技术领域
本发明公开了一种化学机械抛光液，更具体地说，本发明公开了一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液。
背景技术
随着CMOS工艺开发的发展，器件的特征尺寸逐渐缩小，电路密度变的更加复杂，由此带来的设计和制造变得愈加困难，互连过程中的信号拥堵进一步加剧，小型化和超高集成越加逼近其物理极限，为了延续摩尔定律，解决铜互连的延迟问题，满足性能，频宽和功耗的要求，3D IC集成技术逐渐发展起来。
即在垂直方向将芯片叠层，穿过有源电路直接实现高效互连，由于大大缩短了互联线的长度，不仅提高了电路性能，还进一步降低了功耗。如图1A、1B、1C所示硅通孔(TSV)技术主要分为几个步骤1：快速刻蚀形成通孔。2：通孔填注的过程包括氧化层的淀积、金属粘附层/阻挡层/种子层、ECP金属铜。3：CMP去除金属铜，实现平坦化，完成金属导通。
TSV制程的集成方式非常多，但都面临一个共同的难题，即TSV制作都需要打通不同材料层，包括硅材料、IC中各种绝缘或导电的薄膜层。例如金属铜，阻挡层金属钽，二氧化硅绝缘层以及氮化硅停止层等，各种膜层的厚度也比较高，为了提高三维集成技术的经济性，就需要在CMP过程中具有较高的去除速率和合适的抛光选择比，才能实现对前程缺陷的最大矫正，并停止在氮化硅层，同时不能产生金属的腐蚀和缺陷，表面颗粒物控制在工艺要求的范围。这对硅通孔阻挡层的CMP提出了更高的要求。目前针对TSV技术的专用CMP抛光液研究非常活跃，但至今还没有商业化的产品报道，尤其是TSV阻挡层的抛光液。
发明内容
本发明揭示了一种抛光液具有较高的二氧化硅和阻挡层金属的去除速率和较低的氮化硅去除速率，进一步地，金属铜可根据氧化剂的浓度进行调整，并具有合适的敏感度，对前程的缺陷值具有较好的矫正作用(碟型凹陷Dishing)，表面污染物水平也较低。
本发明的用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液，其包含：磨料和氮化硅抛光速率抑制剂。
在本发明中，所述磨料为二氧化硅溶胶和/或气相法二氧化硅。
在本发明中，所述磨料粒径为20-200nm，更优选地为40-120nm。
在本发明中，所述磨料的含量为10-50wt％。
在本发明中，所述氮化硅抛光速率抑制剂为烷基磷酸酯盐。
在本发明中，所述烷基磷酸酯盐选自烷基磷酸酯钠盐(钾盐)，烷基磷酸酯二乙醇胺盐，烷基磷酸酯三乙醇胺盐。即为如下化学式通式的烷基磷酸酯盐：
Figure BDA0000124065260000021
R：C8-C12烷基，n＝2，3
AEP01：n＝2，即：烷基磷酸酯二乙醇胺盐
AEP02：n＝3，即：烷基磷酸酯三乙醇胺盐
AEP03：烷基磷酸酯钾盐
其中，上述烷基碳原子数选自8～12。
在本发明中，所述烷基磷酸酯盐的含量为50-2000ppm。
在本发明中，所述抛光液还包含唑类化合物。其中，所述唑类化合物选自苯并三氮唑和/或其衍生物。
在本发明中，所述苯并三氮唑的衍生物为甲基苯并三氮唑，羟基苯并三氮唑和/或羧基苯并三氮唑等。
在本发明中，所述唑类化合物的含量为0.01-0.5wt％，更优选地为0.05-0.2wt％。
在本发明中，所述抛光液还包含水溶性聚合物。
在本发明中，水溶性聚合物为聚丙烯酸和/或聚丙烯酸盐及其共聚物。
在本发明中，所述水溶性聚合物选自聚丙烯酸，聚丙烯酸钠，聚丙烯酸铵和丙烯酸马来酸共聚物中的一种或几种。
在本发明中，所述水溶性聚合物的含量为0.01-0.5wt％，更优选地为0.05-0.2wt％。
在本发明中，所述抛光液还包含氧化剂。
在本发明中，所述氧化剂为过氧化物和/或过硫化物。
在本发明中，所述过氧化氢为过氧化钠和/或过氧化钾，所述过硫化物为过硫酸钠，过硫酸铵和/或过氧化苯甲酰。
在本发明中，所述氧化剂的含量为0.1-0.5wt％。
在本发明中，所述抛光液还包含pH调节剂，其中，所述pH调节剂选自HCl，HNO3，H2SO4，乙二酸，丙二酸中的一种或几种。
在本发明中，所述抛光液的pH值为2-5。更优选地为为3-4。
在本发明中，所述抛光液还包含杀菌防霉变剂。
在本发明中，所述杀菌防霉变剂为季铵盐型杀菌灭藻剂。
采用本发明硅通孔阻挡层化学机械平坦化浆料其优点在于：
本专利的抛光液具有较高的二氧化硅介质材料去除速率和较高的对氮化硅的抛光选择比，对前程的缺陷具有较高的校正能力，不产生金属腐蚀和缺陷，稳定性较好。
附图说明
图1A、1B、1C为基材抛光前后的图形片抛面图；
图2A为本发明抛光液抛光后，浸渍前的线区域的形貌；
图2B为本发明抛光液抛光后，浸渍前的金属垫的表面图片；
图3A为浸渍后的线区域的形貌；
图3B为浸渍后金属垫的表面图片。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
表1、本发明的化学机械抛光液实施例1～9和参比抛光液
Figure BDA0000124065260000041
Figure BDA0000124065260000051
BTA：苯并三氮唑，TTA：甲基苯并三氮唑，PAA：聚炳烯酸，AEP01，02，03为不同类型的烷基磷酸酯盐。
本发明的氮化硅的抑制剂为一种烷基磷酸酯盐：例如烷基磷酸酯钠盐(钾盐)，烷基磷酸酯二乙醇胺盐，烷基磷酸酯三乙醇胺盐。
Figure BDA0000124065260000052
R：C8-C12烷基，n＝2，3
AEP01：n＝2，即烷基磷酸酯二乙醇胺盐
AEP02：n＝3，即烷基磷酸酯三乙醇胺盐
AEP03：烷基磷酸酯钾盐
效果实施例
将上述实施例和对比例中配制的抛光液分别进行对各材料的化学机械抛光，并将抛光效果进行对比。具体对比见表2。
抛光条件：
抛光垫：IC pad
抛光条件：70/90rpm
抛光液流量：100ml/min
静态腐蚀速率：将新鲜抛光的铜片放入浆液中浸渍15min，测量前后的膜层厚度。
浸渍实验主要是用来考察对金属腐蚀的控制能力：将抛光和清洗后的图形片在抛光液10-15min，考察表面特定区域的表面缺陷情况。
蝶形凹陷：采用Semtech 854图形晶圆测量100um金属垫的蝶形凹陷。
切片内的抛光均一性：为一个管芯内不同线宽的蝶形凹陷。
空白晶片：二氧化硅(PETEOS)，Ta(钽)、Cu(铜)、Si3N4(氮化硅)
表2、用于各材料抛光的参比抛光液及实施例1～9抛光效果对比
Figure BDA0000124065260000061
SER：静态腐蚀速率(埃/分)Pre DSH：阻挡层抛光前的在金属垫上的蝶形凹陷(埃)，
Pos DSH：抛光后金属垫上的蝶形凹陷(埃)，Def.：表面污染物颗粒总数(颗/片)。
从上表中可以看出，本抛光液和对比抛光液相比，具有较高的Ta和SiO2的去除速率，添加一定量的烷基磷酸酯盐后，氮化硅的去除速率得到有效的抑制而不影响氧化硅的去除。且从实施例1和实施例2的对比可以看出，其配方的唯一差别就是实施例2添加了烷基磷酸酯盐活性剂，且显著地降低了氮化硅的去除速率。
唑类化合物结合水溶性聚合物很好的保护金属铜，未发现金属腐蚀，且金属的去除速率随双氧水呈温和的线性变化。抛光后表面的细线区域清晰锐利，无颗粒物和有机物质残留等污染物。此外，对前程同抛光后的缺陷具有较大幅度的校正，具有较好的平坦化效率。浸泡后，图形片表面无明显变化，显示了较好的抗腐蚀性能。除此之外，添加剂之间相互作用非常复杂，在本发明的抛光液中，氮化硅抑制剂并未影响到金属铜的抛光和调节。
图2A为本发明抛光液抛光后，浸泡前的线区域的形貌；图2B为本发明抛光液抛光后，浸渍前的金属垫的表面图片；图3A为浸渍后的线区域的形貌；图3B为浸渍后的金属垫的表面图片。图中可以明显看出应用本发明的抛光液可以很好的保护基材不受腐蚀。
应当理解的是，本发明所述wt％均指的是质量百分含量。
以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本发明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。

Claims (28)

1.一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液，其包含：磨料和氮化硅抛光速率抑制剂。
2.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述磨料为二氧化硅溶胶和/或气相法二氧化硅。
3.如权利要求2所述的抛光液，其特征在于：所述磨料粒径为20-200nm。
4.如权利要求3所述的抛光液，其特征在于：所述磨料粒径为40-120nm。
5.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述磨料的含量为10-50wt％。
6.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述氮化硅抛光速率抑制剂为烷基磷酸酯盐。
7.如权利要求1-6所述的抛光液，其特征在于：所述烷基磷酸酯盐选自烷基磷酸酯钠盐，烷基磷酸酯钾盐，烷基磷酸酯二乙醇胺盐和烷基磷酸酯三乙醇胺盐中的一种或几种。
8.如权利要求7所述的抛光液，其特征在于：所述烷基磷酸酯盐的烷基碳原子数选自8～12。
9.如权利要求7所述的抛光液，其特征在于：所述烷基磷酸酯盐的含量为50-2000ppm。
10.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液还包含唑类化合物。
11.如权利要求10所述的抛光液，其特征在于：所述唑类化合物选自苯并三氮唑和/或其衍生物。
12.如权利要求11所述的抛光液，其特征在于：所述苯并三氮唑的衍生物为甲基苯并三氮唑，羟基苯并三氮唑和/或羧基苯并三氮唑等。
13.如权利要求10所述的抛光液，其特征在于：所述唑类化合物的含量为0.01-0.5wt％。
14.如权利要求13所述的抛光液，其特征在于：所述唑类化合物的含量为0.05-0.2wt％。
15.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液还包含水溶性聚合物。
16.如权利要求13所述的抛光液，其特征在于：水溶性聚合物为聚丙烯酸和/或聚丙烯酸盐及其共聚物。
17.如权利要求14所述的抛光液，其特征在于：所述水溶性聚合物选自聚丙烯酸，聚丙烯酸钠，聚丙烯酸铵和丙烯酸马来酸共聚物中的一种或几种。
18.如权利要求15所述的抛光液，其特征在于：所述水溶性聚合物的含量为0.01-0.5wt％。
19.如权利要求18所述的抛光液，其特征在于：所述水溶性聚合物的含量为0.05-0.2wt％。
20.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液还包含氧化剂。
21.如权利要求16所述的抛光液，其特征在于：所述氧化剂为过氧化物和/或过硫化物。
22.如权利要求21所述的抛光液，其特征在于：所述过氧化氢为过氧化钠和/或过氧化钾，所述过硫化物为过硫酸钠，过硫酸铵和/或过氧化苯甲酰。
23.如权利要求20所述的抛光液，其特征在于：所述氧化剂的含量为0.1-0.5wt％。
24.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液还包含pH调节剂，其中，所述pH调节剂选自HCl，HNO3，H2SO4，乙二酸，丙二酸中的一种或几种。
25.如权利要求24所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液的pH值为2-5。
26.如权利要求25所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液的pH值为3-4。
27.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液还包含杀菌防霉变剂。
28.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述杀菌防霉变剂为季铵盐活性剂。
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