CN102453440A - 一种化学机械抛光液 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 5
- -1 tetramethyl-ammonium halide Chemical class 0.000 claims description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 claims description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 13
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 10
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims description 7
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 5
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims description 4
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims description 4
- FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium fluoride Chemical compound [F-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- VPTUPAVOBUEXMZ-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxy-2-phosphonoethyl)phosphonic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)CP(O)(O)=O VPTUPAVOBUEXMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QZRMKGRPCTVXBS-UHFFFAOYSA-N 2,6,8-trimethylnonan-4-yl dihydrogen phosphate Chemical compound CC(C)CC(C)CC(CC(C)C)OP(O)(O)=O QZRMKGRPCTVXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JKTORXLUQLQJCM-UHFFFAOYSA-N 4-phosphonobutylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CCCCP(O)(O)=O JKTORXLUQLQJCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M Superoxide Chemical group [O-][O] OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 2
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 2
- HCPOCMMGKBZWSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-hydrazinyl-3-oxopropanoate Chemical compound CCOC(=O)CC(=O)NN HCPOCMMGKBZWSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZUVCYFMOHFTGDM-UHFFFAOYSA-N hexadecyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCOP(O)(O)=O ZUVCYFMOHFTGDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 claims description 2
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims description 2
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CCVYRRGZDBSHFU-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC=C1O CCVYRRGZDBSHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 4
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- HADKRTWCOYPCPH-UHFFFAOYSA-M trimethylphenylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C1=CC=CC=C1 HADKRTWCOYPCPH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical group 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
本发明揭示了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液，它至少包含一种磨料粒子，一种金属螯合剂，一种二氧化硅抛光促进剂，组合金属防腐蚀剂，一种辅助清洗组分以及一种氧化剂。该抛光液在阻挡层的抛光中能有效去除晶片表面的。颗粒物残留和抛光垫上的金属化合物残留，且具有较好的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及一种化学机械抛光液。
背景技术
在铜制程的大马氏工艺中，阻挡层的平坦化目的是清除晶圆表面的阻挡层金属和介质材料并将金属铜和层间介质的厚度控制在工艺要求的范围，形成互连，这一阶段的抛光直接决定着器件的电性能和可靠性，尤其是进入45纳米制程后，对平坦化的效率，各种材料的去除速率，表面污染物数量，残留颗粒物的尺寸，表面缺陷的程度以及表面的吸附特征都有了更高的要求，尤其是对金属的腐蚀和表面污染物控制已经达到新的高度和精度。一般来讲在45纳米制程中现已采用机械强度较弱的低介电材料，并与其上覆盖二氧化硅层以保护介质层在抛光中受损，阻挡层的厚度也进一步降低，在100多埃左右，表面颗粒物的残留也降低至100以下甚至更低，此外对晶圆级和切片级的抛光均一性都尽可能的低(＜3％)，绝对禁止金属上产生各种形式的腐蚀现象。铜金属的表面粗糙度和形貌均要达到要求。另外随着全球半导体行业降低成本的要求越来越高，对CMP浆料的综合使用成本也要降低到一定的水平，保证抛光性能达标后，浆料的浓缩又可以进一步降低成本。
发明内容
本发明的目的是在上述的背景下，提供一种抛光速率高，选择比可调，表面污染物指标满足要求，成本低的阻挡层抛光液。
本发明的提供一种用于金属铜互连阻挡层平坦化的化学机械抛光液，它包括：
a：一种磨料颗粒，
b：一种金属螯合剂，
c：，一种二氧化硅抛光促进剂。
d：组合金属防腐蚀剂，
e：一种辅助清洗剂
f：一种氧化剂
其中，磨料颗粒是二氧化硅溶胶，或者发烟二氧化硅水分散体，颗粒的粒径为20-250nm，最优的为30-150nm。磨料颗粒的含量为2-30wt％，最好的是5-20wt％。
其中，金属螯合剂是一元或多元有机酸或者有机膦例如HEDP(羟基亚乙基二膦酸)、PBTCA(2-膦酸基丁烷-1，2，4-三羧酸)、HPAA(2-羟基膦酰基乙酸)、草酸、丙二酸、丁二酸、柠檬酸，酒石酸等。金属螯合剂的浓度是在0.01-1wt％，最好的是在0.1-0.5wt％。
其中，氧化剂为过氧化物或者过硫化物。氧化剂的浓度为0.01-1wt％。
其中，组合金属防腐蚀剂为：唑类化合物例如BTA(苯骈三氮唑)或者BTA的衍生物；以及，水溶性聚合物例如聚炳烯酸或者丙烯酸共聚物。其中BTA及其衍生物的浓度为0.01-0.5wt％，最优的为0.1-0.2％；水溶性聚合物的浓度为0.01％-0.5wt％，最优的为0.05-0.2％。
其中，二氧化硅抛光促进剂为季铵盐或季铵碱，具体为四甲基卤化铵，四乙基卤化铵，四丙基卤化铵，四丁基卤化铵，四甲基氢氧化铵，四乙基氢氧化铵，四丙基氢氧化铵，四丁基氢氧化铵等。优选的为四丁基氟化氨，四丙基溴化铵，四甲基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵。二氧化硅抛光促进剂的浓度为质量百分比10ppm到0.5％，优选的为质量百分比100ppm到0.2％。
本发明还包括辅助清洗剂，具体为一种或多种为烷基磷酸酯盐类阴离子表面活性剂，例如：烷基磷酸酯二乙醇胺盐，烷基磷酸酯三乙醇胺盐，磷酸烷基十二烷基磷酸酯铵盐，十二烷基磷酸酯钾盐，十四烷基磷酸酯钾盐，十六烷基磷酸酯钾盐等。该辅助清洗剂的含量为0.005-0.2wt％，优选的为0.01-0.1wt％。
本发明抛光液的pH值在2-5，最好的为2.5-3.5。
磨料颗粒是浆料机械力的来源，它主要是用于去除金属氧化物和介质材料。
本发明的有益效果如下：
本发明包括金属螯合剂，能够是螯合被氧化的金属铜离子，形成水溶性物质，随抛光液排放，避免金属化合物残留在抛光垫和晶圆表面；氧化剂能够氧化金属铜至离子状态，易于被磨料机械力移除；金属腐蚀抑制剂体系能够保护金属铜表面，避免产生腐蚀，保护凹处的金属铜不被氧化，保证整个晶圆表面不产生缺陷和材料侵蚀，另外还能够调节铜的去除对双氧水的敏感程度；二氧化硅抛光促进剂能够提高二氧化硅的去除速率，调整氧化物与金属的抛光选择比；辅助清洗组分能够保证抛光后的晶圆容易清洗，降低颗粒物残留数量。
附图说明
图1为未添加辅助清洗剂烷基磷酸酯的晶圆表面；
图2为添加表面活性剂烷基磷酸酯后的晶圆表面；
图3为水溶性聚合物的添加量对铜去除速率的影响；
图4为水溶性聚合物存在下Cu对双氧水浓度变化的敏感程度。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步阐述本发明。
化学机械抛光条件：Logteck PM50抛光机台
下压力：1.5psi
抛光头转速：90转/分
抛光盘转速：70转/分
抛光液流量：100毫升/分
抛光时间：2分钟
抛光片：PETEOS，金属钽，金属铜，BD1，等
表1实施例1～12
表2实施例1～12与现有技术的效果对比
从表2中可以看出，现有技术的抛光液会造成抛光后有大范围的颗粒残留物以及金属残留物，而本发明实施例1～12已将现有技术中存在的问题很好的解决。
下面结合附图进一步阐述本发明的有益效果：
参见图1，为添加辅助清洗剂烷基磷酸酯活性剂，抛光清洗后，晶圆表面有雾状附着物，SEM分析后发现未大片颗粒物残留。
参见图2，在添加烷基磷酸酯后，晶圆表面的雾状物质消失，未发现颗粒物质残留，表明阴离子活性剂烷基磷酸酯盐，能够改变颗粒物表面电性，使得在清洗过程中更加容易被清洗剂移除，提高晶圆洁净度。
参见图3，添加PAA(聚丙烯酸)后，铜的去除速率得到不同程度的抑制，可以调整在图形晶圆上，对蝶形凹陷的矫正能力。
参见图4，在PAA(聚丙烯酸)存在下，金属铜的去除速率对氧化剂浓度的敏感程度有了较大程度的降低，这样可以采用工艺参数的调整来在线调节铜的厚度。
综上，本发明采用复合防腐蚀抑制剂，有效保护金属在抛光过程中免受腐蚀，并能校正前程的表面缺陷，达到平坦化的效果，采用有机溶剂来改变浆料与抛光垫和晶片之间的吸附行为，来降低抛光垫上金属残留物的水平，进一步提高抛光垫寿命，提高产能。
Claims (26)
1.一种用于铜互连阻挡层化学机械抛光的抛光液，包括：一种磨料颗粒、一种金属螯合剂、一种二氧化硅抛光促进剂、组合金属防腐蚀剂、一种辅助清洗剂以及一种氧化剂。
2.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述磨料颗粒是二氧化硅溶胶和/或发烟二氧化硅水分散体。
3.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述磨料颗粒的粒径为20-250nm。
4.如权利要求3所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述磨料颗粒的粒径为30-150nm。
5.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述磨料颗粒的含量为2-30wt％。
6.如权利要求5所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述磨料颗粒的含量为5-20wt％。
7.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述金属螯合剂为有机羧酸和/或有机膦。
8.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述金属螯合剂为选自：羟基亚乙基二膦酸、2-膦酸基丁烷-1，2，4-三羧酸、2-羟基膦酰基乙酸、草酸、丙二酸、丁二酸、柠檬酸和酒石酸中的一种或多种。
9.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述金属螯合剂的浓度为0.01-1wt％。
10.如权利要求9所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述金属螯合剂的浓度为0.1-0.5wt％。
11.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述氧化剂为过氧化物和/或过硫化物。
12.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述氧化剂的浓度为0.01-1wt％。
13.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述组合金属防腐蚀剂包括：唑类化合物和水溶性聚合物。
14.如权利要求13所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述唑类化合物为苯骈三氮唑或其衍生物；所述水溶性聚合物为聚丙烯酸及其盐或者丙烯酸共聚物。
15.如权利要求13所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述唑类化合物的浓度为0.01-0.5wt％。
16.如权利要求13所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述水溶性聚合物的浓度为0.05-0.5wt％。
17.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述二氧化硅抛光促进剂为选自四甲基卤化铵，四乙基卤化铵，四丙基卤化铵，四丁基卤化铵，四甲基氢氧化铵，四乙基氢氧化铵，四丙基氢氧化铵和四丁基氢氧化铵中的一种或多种。
18.如权利要求17所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述二氧化硅抛光促进剂为选自四丁基氟化氨，四丙基溴化铵和四丁基氢氧化铵中的一种或多种。
19.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述二氧化硅抛光促进剂的浓度为质量百分比10ppm到0.5％。
20.如权利要求19所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述二氧化硅抛光促进剂的浓度为质量百分比100ppm到0.2％。
21.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述辅助清洗剂为：阴离子表面活性剂。
22.如权利要求21所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述阴离子表面活性剂为选自烷基磷酸酯二乙醇胺盐，烷基磷酸酯三乙醇胺盐，磷酸烷基十二烷基磷酸酯铵盐，十二烷基磷酸酯钾盐，十四烷基磷酸酯钾盐和十六烷基磷酸酯钾盐中的一种或多种。
23.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述的辅助清洗剂的含量为0.005-0.2wt％。
24.如权利要求23所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述的辅助清洗剂的含量为0.01-0.1wt％。
25.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液pH值为2-5。
26.如权利要求25所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液pH值为2.5-3.5。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010105175146A CN102453440A (zh) | 2010-10-22 | 2010-10-22 | 一种化学机械抛光液 |
| PCT/CN2011/001454 WO2012051787A1 (zh) | 2010-10-22 | 2011-08-29 | 一种化学机械抛光液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010105175146A CN102453440A (zh) | 2010-10-22 | 2010-10-22 | 一种化学机械抛光液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102453440A true CN102453440A (zh) | 2012-05-16 |
Family
ID=45974634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010105175146A Pending CN102453440A (zh) | 2010-10-22 | 2010-10-22 | 一种化学机械抛光液 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102453440A (zh) |
| WO (1) | WO2012051787A1 (zh) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103160207A (zh) * | 2011-12-16 | 2013-06-19 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种金属化学机械抛光浆料及其应用 |
| CN103173127A (zh) * | 2011-12-23 | 2013-06-26 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液 |
| WO2013189168A1 (zh) * | 2012-06-21 | 2013-12-27 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种用于硅通孔平坦化的化学机械抛光液 |
| CN103865402A (zh) * | 2012-12-17 | 2014-06-18 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| WO2014089905A1 (zh) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种金属化学机械抛光浆料及其应用 |
| CN103898512A (zh) * | 2012-12-28 | 2014-07-02 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种用于铜互连的化学机械抛光液及工艺 |
| CN103965788A (zh) * | 2013-01-24 | 2014-08-06 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种碱性抛光液及抛光方法 |
| CN104592896A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-05-06 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| WO2016107414A1 (zh) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | 王晨 | 一种组合物在阻挡层抛光中的应用 |
| CN111486744A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-08-04 | 重庆兴勇实业有限公司 | 一种枪械除铜剂及其制备方法 |
| CN115785820A (zh) * | 2022-11-17 | 2023-03-14 | 万华化学集团电子材料有限公司 | 一种硅抛光组合物及其应用 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG144688A1 (en) * | 2001-07-23 | 2008-08-28 | Fujimi Inc | Polishing composition and polishing method employing it |
| CN101410956B (zh) * | 2006-04-03 | 2010-09-08 | Jsr株式会社 | 化学机械研磨用水系分散体和化学机械研磨方法 |
| KR100823457B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2008-04-21 | 테크노세미켐 주식회사 | 제올라이트를 함유하는 구리 화학 기계적 연마 조성물 |
| WO2010098278A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | ニッタ・ハース株式会社 | 金属膜研磨用組成物 |
-
2010
- 2010-10-22 CN CN2010105175146A patent/CN102453440A/zh active Pending
-
2011
- 2011-08-29 WO PCT/CN2011/001454 patent/WO2012051787A1/zh active Application Filing
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103160207A (zh) * | 2011-12-16 | 2013-06-19 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种金属化学机械抛光浆料及其应用 |
| CN103173127B (zh) * | 2011-12-23 | 2016-11-23 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液 |
| CN103173127A (zh) * | 2011-12-23 | 2013-06-26 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液 |
| WO2013189168A1 (zh) * | 2012-06-21 | 2013-12-27 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种用于硅通孔平坦化的化学机械抛光液 |
| WO2014089905A1 (zh) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种金属化学机械抛光浆料及其应用 |
| CN103865402A (zh) * | 2012-12-17 | 2014-06-18 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN103898512A (zh) * | 2012-12-28 | 2014-07-02 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种用于铜互连的化学机械抛光液及工艺 |
| CN103965788A (zh) * | 2013-01-24 | 2014-08-06 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种碱性抛光液及抛光方法 |
| CN103965788B (zh) * | 2013-01-24 | 2017-10-13 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种碱性抛光液及抛光方法 |
| WO2016107414A1 (zh) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | 王晨 | 一种组合物在阻挡层抛光中的应用 |
| CN105802509A (zh) * | 2014-12-29 | 2016-07-27 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种组合物在阻挡层抛光中的应用 |
| CN104592896A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-05-06 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN111486744A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-08-04 | 重庆兴勇实业有限公司 | 一种枪械除铜剂及其制备方法 |
| CN111486744B (zh) * | 2020-04-14 | 2022-07-22 | 重庆兴勇实业有限公司 | 一种枪械除铜剂及其制备方法 |
| CN115785820A (zh) * | 2022-11-17 | 2023-03-14 | 万华化学集团电子材料有限公司 | 一种硅抛光组合物及其应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012051787A1 (zh) | 2012-04-26 |
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| PB01 | Publication | ||
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