WO2013091275A1 - 一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液 - Google Patents

一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液 Download PDF

Info

Publication number
WO2013091275A1
WO2013091275A1 PCT/CN2012/001018 CN2012001018W WO2013091275A1 WO 2013091275 A1 WO2013091275 A1 WO 2013091275A1 CN 2012001018 W CN2012001018 W CN 2012001018W WO 2013091275 A1 WO2013091275 A1 WO 2013091275A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
polishing liquid
liquid according
polishing
contained
amount
Prior art date
Application number
PCT/CN2012/001018
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
孙伟红
姚颖
孙展龙
Original Assignee
安集微电子（上海）有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 安集微电子（上海）有限公司 filed Critical 安集微电子（上海）有限公司
Publication of WO2013091275A1 publication Critical patent/WO2013091275A1/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents

Definitions

  • the present invention discloses a chemical mechanical polishing liquid, and more particularly, a chemical mechanical polishing liquid for planarizing a through-silicon via barrier layer.
  • CMOS process development With the development of CMOS process development, the feature size of the device is gradually reduced, the circuit density becomes more complicated, and the design and manufacture become more and more difficult. The signal congestion in the interconnection process is further aggravated, miniaturization and ultra-high As integration becomes closer to its physical limits, 3D IC integration technology has evolved in order to extend Moore's Law, solve the copper interconnect delay problem, and meet performance, bandwidth and power requirements.
  • the through silicon via (TSV) technology shown in Figures 1A, 1B, and 1C is mainly divided into several steps: 1. Rapid etching to form via holes. 2: Through-hole filling process involves the deposition of an oxide layer, a metal adhesion/barrier/seed layer, and ECP metal copper. 3: CMP removes metal copper to achieve planarization and complete metal conduction.
  • TSV production needs to open different layers of materials, including silicon materials, various insulating or conductive thin film layers in ICs.
  • materials including silicon materials, various insulating or conductive thin film layers in ICs.
  • the thickness of various film layers is also relatively high, in order to improve the economics of the three-dimensional integration technology, it is necessary to have a higher CMP process.
  • the removal rate and the appropriate polishing selectivity ratio can achieve the maximum correction of the precursor defects, and stop at the silicon nitride layer, while at the same time can not produce metal corrosion and defects, surface particles control in the process The scope of the request. This puts higher demands on the CMP of the through-silicon via barrier layer.
  • the current research on dedicated CMP polishing fluids for TSV technology is very active, but there have been no commercial product reports, especially the TSV barrier polishing fluid.
  • the invention discloses a polishing liquid having a higher removal rate of silicon dioxide and barrier metal and a lower silicon nitride removal rate. Further, the metal copper can be adjusted according to the concentration of the oxidant and has appropriate sensitivity. Degree, has a better correction effect on the defect value of the future (Dishing), and the surface contamination level is also low.
  • the chemical mechanical polishing liquid for planarization of a through-silicon via barrier layer of the present invention comprises: an abrasive and a silicon nitride polishing rate inhibitor.
  • the abrasive is silica sol and/or fumed silica.
  • the abrasive has a particle diameter of 20 to 200 nm, more preferably 40 to 120 nm. In the present invention, the abrasive is contained in an amount of 10 to 50% by weight.
  • the silicon nitride polishing rate inhibitor is an alkyl phosphate salt.
  • the guanidinophosphate salt is selected from the group consisting of sodium sulfonate phosphate (potassium salt), alkyl phosphate diethanolamine salt, and alkyl phosphate triethanolamine salt. That is, the thiol phosphate salt of the following formula:
  • the number of carbon atoms of the above sulfhydryl group is selected from 8 to 12.
  • the mercaptophosphate salt is contained in an amount of from 50 to 2000 ppm.
  • the polishing liquid further contains an azole compound.
  • the azole compound is selected from the group consisting of benzotriazole and/or a derivative thereof.
  • the derivative of the benzotriazole is methylbenzotriazole, hydroxybenzotriazole and/or carboxybenzotriazole or the like.
  • the content of the azole compound is from 0.01 to 0.5% by weight, more preferably from 0.05 to 0.2% by weight.
  • the polishing liquid further contains a water-soluble polymer.
  • the water-soluble polymer is polyacrylic acid and/or polyacrylate and a copolymer thereof.
  • the water-soluble polymer is selected from one or more of polyacrylic acid, sodium polyacrylate, polyacrylic acid ammonium and acrylic acid maleic acid copolymer.
  • the water-soluble polymer is contained in an amount of from 0.01 to 0.5% by weight, more preferably from 0.05 to 0.2% by weight.
  • the polishing liquid further contains an oxidizing agent.
  • the oxidizing agent is a peroxide and/or a persulfide.
  • the hydrogen peroxide is sodium peroxide and/or potassium peroxide
  • the persulfide is sodium persulfate, ammonium persulfate and/or benzoyl peroxide.
  • the oxidizing agent is contained in an amount of from 0.1 to 0.5% by weight.
  • the polishing liquid further comprises a pH adjusting agent, wherein the pH adjusting agent is one or more selected from the group consisting of HCI, HNO 3 , H 2 SO 4 , oxalic acid, and malonic acid.
  • the polishing liquid has a pH of 2 to 5. More preferably, it is 3-4.
  • the polishing liquid further contains a bactericidal mold inhibitor.
  • the bactericidal mold inhibitor is a quaternary ammonium salt type bactericidal algicide.
  • the polishing liquid of the patent has a higher removal rate of the silicon dioxide dielectric material and a higher polishing selectivity ratio to the silicon nitride, and has higher correction ability for the defects of the future, no metal corrosion and defects, and stability. it is good.
  • 1A, 1B, and 1C are plan drawing views of the pattern sheet before and after polishing of the substrate
  • 2A is a topography of a line region before impregnation after polishing of the polishing liquid of the present invention
  • FIG. 2B is a surface picture of the metal pad before the polishing of the polishing liquid of the present invention
  • FIG. 3A is a topography of the line region after the immersion
  • Figure 3B is a surface picture of the metal pad after immersion.
  • SiO2 120 nm, 20 wt% sodium sulfate 3 9 BTA 0.05 wt% 2000 ppm
  • BTA benzotriazole
  • ⁇ methylbenzotriazole
  • ⁇ polyethylenic acid
  • the inhibitor of silicon nitride of the present invention is an alkyl phosphate salt: for example, a sodium thiophosphate salt (potassium salt), a mercapto phosphate diethanolamine salt, a mercapto phosphate triethanolamine salt.
  • alkyl phosphate salt for example, a sodium thiophosphate salt (potassium salt), a mercapto phosphate diethanolamine salt, a mercapto phosphate triethanolamine salt.
  • AEP03 Alkyl phosphate potassium salt Effect embodiment
  • polishing liquids prepared in the above examples and comparative examples were subjected to chemical mechanical polishing of the respective materials, and the polishing effects were compared. See Table 2 for specific comparisons. Polishing conditions - polishing pad: IC pad
  • Polishing fluid flow 100ml/min
  • Static Corrosion Rate The freshly polished copper sheet was immersed in the slurry for 15 min, and the thickness of the film before and after the measurement was measured.
  • the immersion test is mainly used to examine the control knives for metal corrosion.
  • the polished and cleaned pattern is placed in the polishing solution for 10-15 minutes to investigate the surface defects in specific areas of the surface.
  • Butterfly-shaped depression A butterfly-shaped depression of 100 um metal pad O C O was measured using a Semtech 854 graphic wafer.
  • Polishing uniformity within the slice a butterfly-shaped depression of different line widths within a die.
  • PETEOS silicon dioxide
  • Ta ⁇
  • Cu copper
  • Si 3 N 4 silicon nitride
  • SER Static corrosion rate (A/min)
  • Pre DSH Butterfly depression (angstrom) on the metal pad before the barrier layer is polished
  • Pos DSH Butterfly depression on the metal pad after polishing (Angstrom)
  • Def. Total number of surface contaminants (particles/piece).
  • the polishing solution has a higher removal rate of Ta and SiO 2 than the comparative polishing liquid, and the removal rate of silicon nitride is effective after adding a certain amount of thiol phosphate. Inhibition does not affect the removal of silicon oxide.
  • Example 2 added a guanidinophosphate ester active agent and significantly reduced the removal rate of silicon nitride.
  • the azole compound combined with the water-soluble polymer protects the copper metal well, no metal corrosion is observed, and the removal rate of the metal changes gently with the hydrogen peroxide.
  • the fine line area of the polished surface is clear and clear, free of particulate matter and organic matter residues. In addition, it has a large correction for the defects in the future and the polished defects, and has better planarization efficiency. After soaking, there is no significant change in the surface of the graphic sheet, indicating good corrosion resistance.
  • the interaction between the additives is very complicated, and in the polishing liquid of the present invention, the silicon nitride inhibitor does not affect the polishing and adjustment of the metallic copper.
  • FIG. 2A is a top view of a line region before immersion after polishing of the polishing liquid of the present invention
  • FIG. 2B is a surface picture of the metal pad before immersion after polishing of the polishing liquid of the present invention
  • FIG. 3A is a topography of the line region after immersion
  • Figure 3B is a surface picture of the impregnated metal pad. It is apparent from the drawings that the polishing liquid to which the present invention is applied can well protect the substrate from corrosion.
  • wt% of the present invention refers to the mass percentage.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液，至少含有一种磨料和氮化硅抛光速率抑制剂。该抛光液具有较高的二氧化硅去除速率，和较低的氮化硅去除速率，能够对硅通孔阻挡层进行高效的平坦化，同时不产生金属腐蚀，且对金属铜的去除可线性调节，具有较高的缺陷校正能力和较低的表面污染物指标。

Description

一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液
技术领域
本发明公开了一种化学机械抛光液， 更具体地说， 本发明公开了一种用 于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液。 技术背景
随着 CMOS 工艺开发的发展， 器件的特征尺寸逐渐缩小， 电路密度变 的更加复杂， 由此带来的设计和制造变得愈加困难， 互连过程中的信号拥堵 进一步加剧， 小型化和超高集成越加逼近其物理极限， 为了延续摩尔定律， 解决铜互连的延迟问题， 满足性能， 频宽和功耗的要求， 3D IC集成技术逐 渐发展起来。
即在垂直方向将芯片叠层， 穿过有源电路直接实现高效互连， 由于大大 缩短了互联线的长度，不仅提高了电路性能，还进一步降低了功耗。如图 1A、 1B、 1C所示硅通孔 （TSV) 技术主要分为几个步骤 1 : 快速刻蚀形成通孔。 2： 通孔填注的过程包括氧化层的淀积、 金属粘附层 /阻挡层 /种子层、 ECP金 属铜。 3: CMP去除金属铜， 实现平坦化， 完成金属导通。
TSV制程的集成方式非常多， 但都面临一个共同的难题， 即 TSV制作都 需要打通不同材料层， 包括硅材料、 IC中各种绝缘或导电的薄膜层。例如金 属铜， 阻挡层金属钽， 二氧化硅绝缘层以及氮化硅停止层等， 各种膜层的厚 度也比较高， 为了提高三维集成技术的经济性， 就需要在 CMP过程中具有 较高的去除速率和合适的抛光选择比， 才能实现对前程缺陷的最大矫正， 并 停止在氮化硅层， 同时不能产生金属的腐蚀和缺陷， 表面颗粒物控制在工艺 要求的范围。 这对硅通孔阻挡层的 CMP提出了更高的要求。 目前针对 TSV 技术的专用 CMP抛光液研究非常活跃， 但至今还没有商业化的产品报道， 尤其是 TSV阻挡层的抛光液。
发明概要
本发明揭示了一种抛光液具有较高的二氧化硅和阻挡层金属的去除速 率和较低的氮化硅去除速率， 进一步地， 金属铜可根据氧化剂的浓度进行调 整， 并具有合适的敏感度， 对前程的缺陷值具有较好的矫正作用 （碟型凹陷 Dishing), 表面污染物水平也较低。 本发明的用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液， 其包含： 磨料和 氮化硅抛光速率抑制剂。
在本发明中， 所述磨料为二氧化硅溶胶和 /或气相法二氧化硅。
在本发明中， 所述磨料粒径为 20-200nm， 更优选地为 40-120nm。 在本发明中， 所述磨料的含量为 10-50wt%。 在本发明中， 所述氮化硅抛光速率抑制剂为烷基磷酸酯盐。 在本发明中， 所述垸基磷酸酯盐选自垸基磷酸酯钠盐 （钾盐）， 烷基磷 酸酯二乙醇胺盐， 烷基磷酸酯三乙醇胺盐。 即为如下化学式通式的垸基磷酸 酯盐：
Figure imgf000003_0001
R: C8—C12垸基， n=2， 3
AEP01 : n=2, gp : 垸基磷酸酯二乙醇胺盐
AEP02: n=3， 即： 垸基磷酸酯三乙醇胺盐 AEP03: 垸基磷酸酯钾盐
其中， 上述垸基碳原子数选自 8~12。
在本发明中， 所述垸基磷酸酯盐的含量为 50-2000ppm。
在本发明中， 所述抛光液还包含唑类化合物。 其中， 所述唑类化合物选 自苯并三氮唑和 /或其衍生物。
在本发明中， 所述苯并三氮唑的衍生物为甲基苯并三氮唑， 羟基苯并三 氮唑和 /或羧基苯并三氮唑等。
在本发明中， 所述唑类化合物的含量为 0.01-0.5wt%， 更优选地为 0.05-0.2wt%。
在本发明中， 所述抛光液还包含水溶性聚合物。
在本发明中， 水溶性聚合物为聚丙烯酸和 /或聚丙烯酸盐及其共聚物。 在本发明中， 所述水溶性聚合物选自聚丙烯酸， 聚丙烯酸钠， 聚丙烯酸 铵和丙烯酸马来酸共聚物中的一种或几种。
在本发明中， 所述水溶性聚合物的含量为 0.01-0.5wt%， 更优选地为 0.05-0.2wt%。
在本发明中， 所述抛光液还包含氧化剂。
在本发明中， 所述氧化剂为过氧化物和 /或过硫化物。
在本发明中， 所述过氧化氢为过氧化钠和 /或过氧化钾， 所述过硫化物为 过硫酸钠， 过硫酸铵和 /或过氧化苯甲酰。
在本发明中， 所述氧化剂的含量为 0.1-0.5wt%。
在本发明中， 所述抛光液还包含 pH调节剂， 其中， 所述 pH调节剂选 自 HCI， HN03, H2SO4, 乙二酸， 丙二酸中的一种或几种。 在本发明中， 所述抛光液的 pH值为 2-5。 更优选地为为 3-4。 在本发明中， 所述抛光液还包含杀菌防霉变剂。
在本发明中， 所述杀菌防霉变剂为季铵盐型杀菌灭藻剂。
采用本发明硅通孔阻挡层化学机械平坦化浆料其优点在于：
本专利的抛光液具有较高的二氧化硅介质材料去除速率和较高的对氮 化硅的抛光选择比， 对前程的缺陷具有较高的校正能力， 不产生金属腐蚀和 缺陷， 稳定性较好。
附图说明
图 1A、 1 B、 1C为基材抛光前后的图形片抛面图；
图 2A为本发明抛光液抛光后， 浸渍前的线区域的形貌；
图 2B为本发明抛光液抛光后， 浸渍前的金属垫的表面图片； 图 3A为浸渍后的线区域的形貌；
图 3B为浸渍后金属垫的表面图片。
发明内容
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，并不因此将本发明限制在所 述的实施例范围之中。
表 1、 本发明的化学机械抛光液实施例 1 ~9和参比抛光液
唑类化 水溶性聚 Si3N4抑
雜 PH调节剂 氧化剂 PH
合物 1 合物 制剂
参比抛
光液
实施例 0.1 wt% PAA
SiO2:60nm, 20wt% HCI 3
1 BTA 0.01wt% 实施例 0.1 wt% PAA APE01
SiO2:60nm, 20wt% HCI 3
2 BTA 0.01 wt% 200ppm
实施例 3 3
实施例 H202 3 4 0.5wt%
PAA共 过硫酸 实施例 0.1 wt%
SiO2:60nm,20wt% 乙二酸 铰 3 5 TTA 聚物
0.01 wt% 0.1 wt%
PAA共
实施例 0.5wt% AEP02
SiO2:20nm,50wt% 丙二酸 H202 2 6 TTA 聚物 200ppm 0.1 wt%
0.2wt%
PAA共
实施例 S1O2 (Fumed 0.01 wt% AEP03
7 silica):200nm,10wt% BTA 聚物 50ppm HN03 5
0.5wt% 实施例 0.2wt% PAA AEP01
Si〇2:40nm, 30wt% 3 8 BTA 0.05 t% 500ppm HNO3 H2o2
0.3wt%
过氧化 实施例 0.2wt% PAA AEP01
SiO2:120nm， 20wt% 硫酸 钠 3 9 BTA 0.05wt% 2000ppm
0.3wt%
BTA: 苯并三氮唑， πΑ: 甲基苯并三氮唑， ΡΑΑ: 聚炳烯酸， ΑΕΡ01 ,
c di工工
2， 03为不同类型的烷基磷酸酯盐。 O O
0
本发明的氮化硅的抑制剂为一种烷基磷酸酯盐： 例如垸基磷酸酯钠盐 (钾盐）， 垸基磷酸酯二乙醇胺盐， 垸基磷酸酯三乙醇胺盐。
Figure imgf000006_0001
R: C8— C12烷基， n=2， 3
AEP01 : n=2， g卩 垸基磷酸酯二乙醇胺盐
AEP02: n-3, B 垸基磷酸酯三乙醇胺盐
AEP03: 烷基磷酸酯钾盐 效果实施例
将上述实施例和对比例中配制的抛光液分别进行对各材料的化学机械 抛光， 并将抛光效果进行对比。 具体对比见表 2。 抛光条件- 抛光垫： IC pad
抛光条件： 70/90rpm
抛光液流量： 100ml/min
静态腐蚀速率： 将新鲜抛光的铜片放入浆液中浸渍 15min， 测量前后的 膜层厚度。
3 m
浸渍实验主要是用来考察对金属腐蚀的控制刀·能力：将抛光和清洗后的图 形片在抛光液 10— 15min， 考察表面特定区域的表面缺陷情况。
蝶形凹陷：采用 Semtech 854图形晶圆测量 100um金属垫O C O的蝶形凹陷。
n工 i
切片内的抛光均一性： 为一个管芯内不同线宽的蝶形凹陷。
空白晶片： 二氧化硅（PETEOS), Ta (钽）、 Cu (铜）、 Si3N4 (氮化硅）
表 2、 用于各材料抛光的参比抛光液及实施例 1 ~9抛光效果对比
Si3N4
PETEOS Ta Cu Pre Def.
(氮化
(二氧化硅） (钽） (铜） DSH
硅）
参比抛光
1523 556 456 5
液
实施例 1 2025 825 652 387 3
实施例 2 1952 795 106 442 6
实施例 3 523
实施例 4 655
无腐蚀， 实施例 5 1885 803 85 405 5 825 350
无残留物 实施例 6 2255 1015 165 386 3 实施例 7 1776 723 201 506 4
实施例 8 2056 1102 95 453 5
实施例 9 1886 826 75 485 3
SER: 静态腐蚀速率（埃 /分） Pre DSH: 阻挡层抛光前的在金属垫上的蝶形凹陷 （埃） ，
Pos DSH: 抛光后金属垫上的蝶形凹陷 （埃） ， Def. : 表面污染物颗粒总数 （颗 /片） 。
从上表中可以看出，本抛光液和对比抛光液相比，具有较高的 Ta和 Si02 的去除速率， 添加一定量的垸基磷酸酯盐后， 氮化硅的去除速率得到有效的 抑制而不影响氧化硅的去除。且从实施例 1和实施例 2的对比可以看出， 其 配方的唯一差别就是实施例 2添加了垸基磷酸酯盐活性剂，且显著地降低了 氮化硅的去除速率。
唑类化合物结合水溶性聚合物很好的保护金属铜， 未发现金属腐蚀， 且 金属的去除速率随双氧水呈温和的线性变化。抛光后表面的细线区域清晰锐 利， 无颗粒物和有机物质残留等污染物。 此外， 对前程同抛光后的缺陷具有 较大幅度的校正，具有较好的平坦化效率。浸泡后， 图形片表面无明显变化， 显示了较好的抗腐蚀性能。 除此之外， 添加剂之间相互作用非常复杂， 在本 发明的抛光液中， 氮化硅抑制剂并未影响到金属铜的抛光和调节。
图 2A为本发明抛光液抛光后， 浸泡前的线区域的形貌； 图 2B为本发 明抛光液抛光后， 浸渍前的金属垫的表面图片； 图 3A为浸渍后的线区域的 形貌； 图 3B为浸渍后的金属垫的表面图片。 图中可以明显看出应用本发明 的抛光液可以很好的保护基材不受腐蚀。
应当理解的是， 本发明所述 wt%均指的是质量百分含量。
以上对本发明的具体实施例进行了详细描述， 但其只是作为范例， 本发 明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言， 任何对本 发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。 因此， 在不脱离本发 明的精神和范围下所作的均等变换和修改， 都应涵盖在本发明的范围内。

Claims

权利要求 、 一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液， 其包含： 磨料和氮化 硅抛光速率抑制剂。 、 如权利要求 1所述的抛光液， 其特征在于： 所述磨料为二氧化硅溶胶和 / 或气相法二氧化硅。 、 如权利要求 2所述的抛光液， 其特征在于： 所述磨料粒径为 20-200nm。 、 如权利要求 3所述的抛光液， 其特征在于： 所述磨料粒径为 40-120nm。 、如权利要求 1所述的抛光液，其特征在于：所述磨料的含量为 10-50wt%。 、 如权利要求 1所述的抛光液， 其特征在于： 所述氮化硅抛光速率抑制剂 为烷基磷酸酯盐。 、 如权利要求 1-6所述的抛光液， 其特征在于： 所述烷基磷酸酯盐选自垸 基磷酸酯钠盐， 垸基磷酸酯钾盐， 垸基磷酸酯二乙醇胺盐和垸基磷酸酯 三乙醇胺盐中的一种或几种。 、 如权利要求 7所述的抛光液， 其特征在于： 所述垸基磷酸酯盐的垸基碳 原子数选自 8~12。 、 如权利要求 1所述的抛光液， 其特征在于： 所述垸基磷酸酯盐的含量为 50-2000ppm。0、 如权利要求 1所述的抛光液， 其特征在于： 所述抛光液还包含唑类化合 物。
1、 如权利要求 10所述的抛光液， 其特征在于： 所述唑类化合物选自苯并 三氮唑和 /或其衍生物。 、 如权利要求 11所述的抛光液， 其特征在于： 所述苯并三氮唑的衍生物 为甲基苯并三氮唑， 羟基苯并三氮唑和 /或羧基苯并三氮唑等。
、 如权利要求 10所述的抛光液， 其特征在于： 所述唑类化合物的含量为 0.01-0.5wt%。
、 如权利要求 13所述的抛光液， 其特征在于： 所述唑类化合物的含量为 0.05-0.2wt%。
、如权利要求 1所述的抛光液， 其特征在于： 所述抛光液还包含水溶性聚 合物。
、 如权利要求 13所述的抛光液， 其特征在于： 水溶性聚合物为聚丙烯酸 和 /或聚丙烯酸盐及其共聚物。
、 如权利要求 14所述的抛光液， 其特征在于： 所述水溶性聚合物选自聚 丙烯酸， 聚丙烯酸钠， 聚丙烯酸铵和丙烯酸马来酸共聚物中的一种或几 种。
、 如权利要求 15所述的抛光液， 其特征在于： 所述水溶性聚合物的含量 为 0.01-0.5wt%。
、 如权利要求 18所述的抛光液， 其特征在于： 所述水溶性聚合物的含量 为 0.05-0.2wt%。
、 如权利要求 1所述的抛光液， 其特征在于： 所述抛光液还包含氧化剂。 、 如权利要求 16所述的抛光液， 其特征在于： 所述氧化剂为过氧化物和 / 或过硫化物。
、 如权利要求 21所述的抛光液， 其特征在于： 所述过氧化氢为过氧化钠 和 /或过氧化钾， 所述过硫化物为过硫酸钠， 过硫酸铰和 /或过氧化苯甲 酰。
、 如权利要求 20 所述的抛光液， 其特征在于： 所述氧化剂的含量为 0.1-0.5wt%。
、 如权利要求 1所述的抛光液， 其特征在于： 所述抛光液还包含 pH调节 剂， 其中， 所述 pH调节剂选自 HCI， HN03， H2S04, 乙二酸， 丙二酸 中的一种或几种。
、如权利要求 24所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液的 pH值为 2-5。 、如权利要求 25所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液的 pH值为 34。 、如权利要求 1所述的抛光液， 其特征在于： 所述抛光液还包含杀菌防霉 变剂。
、如权利要求 1所述的抛光液， 其特征在于： 所述杀菌防霉变剂为季铵盐 活性剂。
PCT/CN2012/001018 2011-12-23 2012-07-30 一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液 WO2013091275A1 (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011104373498 2011-12-23
CN201110437349.8A CN103173127B (zh) 2011-12-23 2011-12-23 一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013091275A1 true WO2013091275A1 (zh) 2013-06-27

Family

ID=48633341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2012/001018 WO2013091275A1 (zh) 2011-12-23 2012-07-30 一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN103173127B (zh)
WO (1) WO2013091275A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111378375B (zh) * 2018-12-28 2022-05-13 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种化学机械抛光液
CN115505932B (zh) * 2022-09-07 2024-02-27 万华化学集团电子材料有限公司 一种钨化学机械抛光液及其应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1902291A (zh) * 2003-11-14 2007-01-24 昭和电工株式会社 抛光组合物和抛光方法
CN101496143A (zh) * 2006-07-28 2009-07-29 昭和电工株式会社 研磨组合物
CN102093817A (zh) * 2009-12-11 2011-06-15 安集微电子（上海）有限公司 一种用于钽阻挡抛光的化学机械抛光液

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100577348B1 (ko) * 2003-05-06 2006-05-08 한화석유화학 주식회사 얕은 트렌치 소자 분리용 화학적 기계적 연마 슬러리
US20050090104A1 (en) * 2003-10-27 2005-04-28 Kai Yang Slurry compositions for chemical mechanical polishing of copper and barrier films
DE602006002900D1 (de) * 2005-03-09 2008-11-13 Jsr Corp Wässrige Dispersion zum chemisch-mechanischen Polieren, Kit zu deren Herstellung und chemisch-mechanisches Polierverfahren
WO2007116770A1 (ja) * 2006-04-03 2007-10-18 Jsr Corporation 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット
JP4614981B2 (ja) * 2007-03-22 2011-01-19 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体および半導体装置の化学機械研磨方法
JP5327427B2 (ja) * 2007-06-19 2013-10-30 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体調製用セット、化学機械研磨用水系分散体の調製方法、化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法
US20100130013A1 (en) * 2008-11-24 2010-05-27 Applied Materials, Inc. Slurry composition for gst phase change memory materials polishing
CN102051128B (zh) * 2009-11-06 2015-10-07 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN102453440A (zh) * 2010-10-22 2012-05-16 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN103146306B (zh) * 2011-12-07 2016-12-28 安集微电子（上海）有限公司 一种tsv阻挡层抛光液

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1902291A (zh) * 2003-11-14 2007-01-24 昭和电工株式会社 抛光组合物和抛光方法
CN101496143A (zh) * 2006-07-28 2009-07-29 昭和电工株式会社 研磨组合物
CN102093817A (zh) * 2009-12-11 2011-06-15 安集微电子（上海）有限公司 一种用于钽阻挡抛光的化学机械抛光液

Also Published As

Publication number Publication date
CN103173127A (zh) 2013-06-26
CN103173127B (zh) 2016-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4776269B2 (ja) 金属膜ｃｍｐ用スラリー、および半導体装置の製造方法
TWI580766B (zh) Metal Chemical Mechanical Polishing Slurry and Its Application
WO2014089905A1 (zh) 一种金属化学机械抛光浆料及其应用
JP6819280B2 (ja) 化学機械研磨用組成物および化学機械研磨方法
TWI787329B (zh) 用於鈷的化學機械拋光方法
KR102459546B1 (ko) 코발트용 화학 기계적 연마 방법
TWI664280B (zh) 高溫cmp組成物及用於使用其之方法
WO2018120809A1 (zh) 一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液
CN108250978A (zh) 一种化学机械抛光液及其应用
WO2014089906A1 (zh) 一种磷酸酯表面活性剂在自停止抛光中的应用
JP2006508545A (ja) 銅の化学的機械的平坦化のための組成物および方法
TWI577765B (zh) 一種用於矽通孔平坦化的化學機械拋光液
JP2022091814A (ja) 研磨液および化学的機械的研磨方法
TWI761423B (zh) 鎢的化學機械拋光方法
TWI812595B (zh) 用於阻擋層平坦化之化學機械研磨液
WO2013091275A1 (zh) 一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液
TWI534221B (zh) TSV barrier layer polishing solution
CN103084971A (zh) 使用可调抛光制剂的抛光方法
WO2006125371A1 (fr) Suspension de polissage
JP5344136B2 (ja) 化学機械研磨用水系分散体、および該分散体の調製方法、ならびに半導体装置の化学機械研磨方法
CN111378382B (zh) 一种化学机械抛光液及其应用
TWI829623B (zh) 用於阻擋層平坦化的化學機械拋光液
WO2021135805A1 (zh) 一种化学机械抛光液及其在铜抛光中的应用
TW201927954A (zh) 化學機械拋光液
CN111378367A (zh) 一种化学机械抛光液

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12861006

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

32PN Ep: public notification in the ep bulletin as address of the adressee cannot be established

Free format text: NOTING OF LOSS OF RIGHTS PURSUANT TO RULE 112(1) EPC

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12861006

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1