CN103137806B - 紫外半导体发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种紫外半导体发光器件，其包括：第一导电半导体层；在第一导电半导体层下方的有源层；在有源层下方的第一反射层；以及在第一反射层下方的第二导电半导体层。第一反射层包括多个化合物半导体层。化合物半导体层包括至少两种半导体材料。所述至少两种半导体材料的含量彼此不同。
Description
技术领域
根据35U.S.C.§119(a)，本申请要求2011年11月25日提交的第10-2011-0124452号韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并到本文中。
背景技术
本公开内容涉及紫外半导体发光器件。发光二极管(LED)是将电流转化成光的半导体发光器件。
由于半导体发光器件可以获得具有高亮度的光，所以半导体发光器件已经被广泛用于显示器的光源、车辆的光源以及用于照明的光源。
最近，已经提出了能够输出紫外光的紫外半导体发光器件。
但是，紫外光被吸收到紫外半导体发光器件的内部，使得量子效率降低。
发明内容
实施方案提供一种能够通过防止紫外光被吸收来提高量子效率的紫外半导体发光器件。
实施方案提供一种能够通过向前反射紫外光来提高量子效率的紫外半导体发光器件。
根据实施方案，提供一种紫外发光器件，所述紫外发光器件包括：第一导电半导体层；在第一导电半导体层下方的有源层；在有源层下方的第一反射层；以及在第一反射层下方的第二导电半导体层，其中，第一反射层包括多个化合物半导体层，其中化合物半导体层包括至少两种半导体材料，并且其中至少两种半导体材料的含量彼此不同。
根据实施方案，提供一种照明系统，所述照明系统包括：衬底；在衬底上的紫外发光器件；以及环绕上述紫外发光器件并且包括荧光材料的模制构件。
附图说明
图1是示出根据第一实施方案的紫外半导体发光器件的截面图；
图2是示出通过图1的紫外半导体发光器件来反射紫外光的机理的图；
图3是示出图1的第二导电半导体层的详细构造的截面图；
图4是示出作为图1的紫外半导体发光器件的一个应用实例的倒装芯片型紫外半导体发光器件的截面图；
图5是示出根据第二实施方案的紫外半导体发光器件的截面图；
图6是示出根据第三实施方案的紫外半导体发光器件的截面图；
图7是示出图6的第二导电半导体层的详细构造的截面图；
图8是示出图6的第二导电半导体层的形状的俯视图；以及
图9是示出反射率随根据实施方案的紫外半导体发光器件的第二导电层的波长变化的图；
具体实施方式
在实施方案的描述中，应理解：当层(或膜)、区域、图案或结构被称作在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一焊垫或另一图案“上”或“下方”时，其可以“直接”或“间接”位于另一衬底、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或更多个中间层。这样的层位置是参考附图来描述的。
下文中，将参考附图描述实施方案。为了方便或清楚起见，可以对附图中示出的每个层的厚度和尺寸进行放大、省略或示意性描绘。此外，元件的尺寸不完全反映实际尺寸。
图1是示出根据第一实施方案的紫外半导体发光器件的截面图。
参考图1，根据第一实施方案的紫外半导体发光器件10包括衬底11、缓冲层13、第一导电半导体层15、有源层19、第二导电半导体层21、第三导电半导体层23以及第四导电半导体层25。
第一导电半导体层15可以用作电极层和阻挡层两者，第二导电半导体层21可以用作反射层，第三导电半导体层23可以用作阻挡层，以及第四导电半导体层25可以用作电极层，但是实施方案不限于此。
缓冲层13以及第一导电半导体层15至第四导电半导体层25可以包括第III-V族化合物半导体材料或第II-VI族化合物半导体材料。例如，化合物半导体材料可以包括Al、In、Ga和N。
衬底11可以包括具有优异的热导率和优异的透光率的材料，但是实施方案不限于此。例如，衬底11可以包括蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP和Ge中的至少一种，但是实施方案不限于此。
缓冲层13可以减轻衬底11与第一导电半导体层15之间的晶格失配。
例如，缓冲层13可以包括AlN或GaN，但是实施方案不限于此。缓冲层13可以具有其中AlN和GaN交替层叠的多层结构。例如，缓冲层13可以具有其中AlxGaN(0≤x≤1)层交替层叠有不同含量的Al的多层结构。
由于缓冲层13，所以第一导电半导体层15可以在衬底11上稳定地生长。
虽然未示出，但是，可以在缓冲层13与第一导电半导体层15之间形成未掺杂的半导体层。未掺杂的半导体层没有掺杂剂。由于未掺杂的半导体层没有掺杂剂，所以未掺杂的半导体层的电导率可以比第一半导体层15的电导率低。例如，未掺杂的半导体层可以包括GaN或AlN，但是实施方案不限于此。
可以在缓冲层13上形成第一导电半导体层15。例如，第一导电半导体层15可以是包括n型掺杂剂的n型半导体层。第一导电半导体层15可以包括组成式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料，例如，选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN和AlInN中的至少一种，但是实施方案不限于此。n型掺杂剂可以包括Si、Ge或Sn。
第一导电半导体层15可以用作用于向有源层19供给第一载流子即电子的电极层。第一导电半导体层15可以用作用于防止从有源层19供给的第二载流子即空穴被传输到缓冲层13的阻挡层。
第一导电半导体层15用作阻挡层并且可以在缓冲层13与第一导电半导体层15之间形成用作电极层的另一导电半导体层。
可以在第一导电半导体层15上形成有源层19。
例如，从第一半导体层15和第四导电半导体层25供给的电子和空穴可以在有源层19中彼此复合，从而生成紫外光。
有源层19可以具有包括具有用于生成紫外光的带隙的第III-V族或第II-VI族半导体化合物的势垒层和阱层的堆叠结构，但是实施方案不限于此。
例如，有源层19可以具有InGaN/GaN或InGaN/AlGaN的堆叠结构。势垒层的带隙可以比阱层的带隙高。即，有源层19可以包括单量子阱结构、多量子阱结构(MQW)、量子点结构以及量子线结构之一。
有源层19可以包括选自GaN、InGaN、AlGaN和AlInGaN中的一种或者可以具有GaN、InGaN、AlGaN和AlInGaN的周期性结构。
可以在有源层19上形成第二导电半导体层21。
第二导电半导体层21可以阻挡有源层19中的紫外光被供给到第四导电半导体层25并且反射紫外光。例如，第四导电半导体层25可以包括GaN以用作电极层。
GaN具有吸收紫外光的特性。因此，当有源层19的紫外光被供给到第四导电半导体层25时，紫外光被第四导电半导体层25吸收而不被输出到外部，使得可显著地降低外部量子效率。
在第一实施方案中，由于在有源层19与第四导电半导体层25之间形成用作反射层的第二导电半导体层21，因此，来自有源层19的紫外光被从第二导电半导体层21反射，使得外部量子效率可以最大化。
如图2所示，可以从有源层19生成紫外光。
可以沿各个方向传输紫外光。因此，可以将紫外光部分地传输到第四导电半导体层25。
但是，紫外光可以被在有源层19与第四导电半导体层25之间形成的第二导电半导体层21反射，使得紫外光可以被传输到第一导电半导体层15或者沿水平方向传输。
因此，有源层19的紫外光不被传输到第四导电半导体层25而是被反射至第一导电半导体层15的方向或水平方向，使得可以提高外部量子效率。
如图3所示，第二导电半导体层21可以包括多个化合物半导体层。第二导电半导体层21可以具有第一层31a、33a和35a以及第二层31b和33b的堆叠结构。
第一层31a、33a和35a以及第二层31b和33b的编号是奇数，但是实施方案不限于此。
分别地，第一层31a、33a和35a可以定义为奇数编号的层并且第二层31b和33b可以定义为偶数编号的层，但是实施方案不限于此。
例如，第一层31a可以形成为与有源层19相接触的最下层，第二层31b可以形成在第一层31a上，第一层33a可以形成在第二层31b上，第二层33b可以形成在第一层33a上，以及第一层35a可以形成在第二层33b上。
例如，与有源层19接触的第一层31a以及在第一层31a上的第二层31b可以定义为第一对层31。在第一对层31上形成的第一层33a和第二层33b可以定义为第二对层33。
第二导电半导体层21可以包括三对至五对层，但是第一实施方案不限于此。
第二导电半导体层21的最下层和最上层可以具有共有的第一层31a和35a。即，与有源层19接触的最下层可以被构造成第一层31a，与第三层23接触的最上层可以被构造成第一层35a。
第一层31a、33a和35a以及第二层31b和33b可以包括相同的III-V族或第II-VI族化合物半导体材料。例如，第一层31a、33a和35a以及第二层31b和33b可以包括AlGaN，但是实施方案不限于此。
但是，第一层31a、33a和35a以及第二层31b和33b可以包括彼此不同的Al含量。此外，第一层31a、33a和35a以及第二层31b和33b可以包括彼此不同的Ga含量。
例如，在第一层31a、33a和35a中的Al含量可以比Ga含量高，并且在第二层31b和33b中的Al含量可以比Ga含量高，但是实施方案不限于此。
例如，在第一层31a、33a和35a中的Al含量可以比第二层31b和33b中的Al含量高，并且在第一层31a、33a和35a中的Ga含量可以比第二层31b和33b中的Ga含量低。通过含量的改变，第二层31b和33b的折射率可以控制为比第一层31a、33a和35a的折射率高。
例如，第一层31a、33a和35a可以包括95％的Al含量和5％的Ga含量，而第二层31b和33b可以包括60％的Al含量和40％的Ga含量，但是实施方案不限于此。在这样的情况下，第一层31a、33a和35a的折射率可以是2.1，第二层31b和33b的折射率可以为2.45。
第二导电半导体层21的最下层以及有源层19的最上层可以用作阻挡层。在这样的情况下，第一层31a通常可以用作有源层19的最上层和第二导电半导体层21的最下层，并且可以在第一层31a上形成第二导电半导体层21的第二层31b。
同时，与用作第二导电半导体层21的最下层的第一层31a、33a和35a接触的有源层19的折射率可以比用作最下层的第一层31a的折射率高。与用作第二导电半导体层21的最上层的第一层35a接触的第三导电半导体层23的折射率可以比用作最上层的第一层35a的折射率高。
如上所述，通过对具有低折射率的第一层31a、33a和35a以及具有高折射率的第二层31b和33b进行层叠，可以将第二导电半导体层21用作反射层。
在第二导电半导体层21中，第一层31a、33a和35a中的每一个的厚度可以比第二层31b和33b中的每个层的厚度大，但是实施方案不限于此。第一层31a、33a和35a的厚度可以在30nm至40nm的范围内，第二层31b和33b的厚度可以在20nm至30nm的范围内，但是实施方案不限于此。
如图9所示，第二导电半导体层21的反射率可以根据波长改变。
第一实施方案的第二导电半导体层21可以在270nm至290nm的范围内的波长处具有最大反射率。因此，第一实施方案的有源层19可以生成具有在270nm至290nm范围内的波长的紫外光。
第一实施方案的第二导电半导体层21可以主要反射波长在270nm至290nm的范围内的紫外光，但是实施方案不限于此。
即，通过改变第一层31a、33a和35a以及第二层31b和33b的含量和厚度，第二导电半导体层21可以被设计成对波长在270nm至290nm的紫外光具有最大的反射率。
同时，第一导电半导体层21的第一层31a、33a和35a和第二层31b和33b可以包括n型掺杂剂或p型掺杂剂。
第一导电半导体层21的第一层31a、33a和35a和第二层31b和33b可以不包括掺杂剂。
第一导电半导体层21的第一层31a、33a和35a和第二层31b和33b中的一个包括n型掺杂剂或p型掺杂剂，另一个可以不包括n型掺杂剂和p型掺杂剂两者。例如，第一层31a、33a和35a可以包括n型掺杂剂，第二层31b和33b可以包括p型掺杂剂，但是实施方案不限于此。
可以在第二导电半导体层21上形成用作阻挡层的第三导电半导体层23。
第三导电半导体层23可以包括组成式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料，例如，选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN和AlInN中的至少一种，但是实施方案不限于此。
例如，第三导电半导体层23可以包括AlGaN，但是实施方案不限于此。例如，第三导电半导体层23可以是具有p型掺杂剂的p型半导体层。p型掺杂剂可以包括Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。
可以在第三导电半导体层23上形成用作电极层的第四导电半导体层25。
第四导电半导体层25可以包括组成式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料，例如，选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN和AlInN中的至少一种，但是实施方案不限于此。
例如，第四导电半导体层25可以为具有p型掺杂剂的p型半导体层。例如，第四导电半导体层25可以包括AlGaN，但是实施方案不限于此。p型掺杂剂可以包括Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。
因此，第一导电半导体层15和第四导电半导体层25可以用作电极层。
例如，第一导电半导体层15可以用作n型电极层，第四导电半导体层25可以用作p型电极层。因此，可以将来自第一导电半导体层15的电子提供给有源层19，可以将来自第四导电半导体层25的空穴提供给有源层19。从第一导电半导体层15和第四导电半导体层25供给的电子和空穴在有源层19中彼此复合，从而生成其波长对应于由有源层19的材料所确定的带隙的紫外光，例如，所述波长为270nm至290nm范围内的波长。
同时，当第四导电半导体层25执行电极层和阻挡层两者的功能时，可以不形成第三导电半导体层23。
当不形成第三导电半导体层23时，第四导电半导体层25可与第二导电半导体层21的顶表面接触。
在第一实施方案中，为了防止来自有源层19的紫外光被第四导电半导体层25吸收，可以在有源层19与第四导电半导体层25之间形成能够反射紫外光的第二导电半导体层21。
图4是示出作为图1的紫外半导体发光器件的一个应用实例的倒装芯片型紫外半导体发光器件。
如图4所示，例如，可以将第一实施方案的紫外半导体发光器件100应用为倒装型紫外半导体发光器件，但是实施方案不限于此。
倒装型紫外半导体发光器件可以具有典型的紫外半导体发光器件10的倒置结构。
即，可以在衬底11下方形成缓冲层13，可以在缓冲层13下方形成第一导电半导体层15，可以在第一导电半导体层15下方形成有源层19。可以在有源层19下方形成第二导电半导体层21，可以在第二导电半导体层21下方形成第三导电半导体层23，可以在第三导电半导体层23下方形成第四导电半导体层25。
由于倒装型紫外半导体发光器件水平地或向上发出紫外光，所以可以在第四导电半导体层25下方形成反射层43以防止从有源层19发出的紫外光向下传输。
反射层43可以包括金属材料。例如，该金属材料可以包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf以及它们的合金中的一种。
在形成反射层43之前或之后，可以对第四导电半导体层25、第三导电半导体层23、第二导电半导体层21以及有源层19进行台面蚀刻，使得第一导电半导体层15被部分露出。可以通过台面蚀刻工艺对第一导电半导体层15的表面进行部分蚀刻。
可以在通过台面蚀刻露出的第一导电半导体15下方设置第一电极41，并且可以在反射层43或第四导电半导体层25下方设置第二电极45。
第二导电半导体层19的顶表面可以设置在比第一电极41的顶表面低的位置处，但是实施方案不限于此。
第二导电半导体层19可以与第一电极41的至少一部分水平地交叠，但是实施方案不限于此。
同时，如上所述，第二导电半导体层21可以用作能够反射紫外光的反射层。如果第二导电半导体层21可以向上反射有源层19的紫外光，则在第四导电半导体层25下方不可以形成反射层43。在这样的情况下，可以在第四导电半导体层25下方形成透明导电层来代替反射层43，并且可以在透明导电层下方设置第二电极45，但是实施方案不限于此。由于透明导电层可以用作电流扩散层，所以透明导电层的尺寸至少对应于有源层的尺寸，但是实施方案不限于此。例如，透明导电层可以包括选自ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种，但是实施方案不限于此。
从有源层19生成并且向下传输的光从第二导电半导体层21反射并且被反射的光向上传输或水平传输，使得可以提高外部量子效率。
图5是示出根据第二实施方案的紫外半导体发光器件的截面图。
除了在第三导电半导体层23与第四导电半导体层25之间形成第二导电半导体层47之外，第二实施方案与第一实施方案基本相同。
第二实施方案中的相似或相同的元件用在第一实施方案中使用的相似或相同的标记来表示，并且省略其详细描述。
参考图5，根据第二实施方案的紫外半导体发光器件10A可以包括衬底11、缓冲层13、第一导电半导体层15、有源层19、第二导电半导体层47、第三导电半导体层23以及第四导电半导体层25。
在有源层19上可以形成或不形成第二导电半导体层47，但是实施方案不限于此。
可以在第三导电半导体层23上形成第二导电半导体层47以及可以在第二导电半导体层47上形成第四导电半导体层25。
即，可以在第三导电半导体层23与第四导电半导体层25之间形成第二导电半导体层47。
从有源层19生成的紫外光可以沿各个方向传输。紫外光的一部分可以经由第三导电半导体层23传输到第二导电半导体层47。
传输到第二导电半导体层47的紫外光被第二导电半导体层47阻挡，使得紫外光不被传输到包括能够吸收紫外光的GaN的第四导电半导体层25。因此，可以防止由第四导电半导体25对紫外光的吸收所引起的外部量子效率的降低。
第二导电半导体层47可以反射穿过第三导电半导体层23的紫外光，使得紫外光可以被再次传输到有源层19或第一导电半导体层15。
因此，穿过第三导电半导体层23的紫外光被第二导电半导体层47阻挡并且被第二导电半导体层47反射，使得可以提高外部量子效率。
同时，作为第一实施方案和第二实施方案的组合，可以在有源层19与第三导电半导体层23之间以及在第三导电半导体层23与第四导电半导体层25之间形成第二导电半导体层47。如上所述，由于在至少两个区域处形成具有反射功能的第二导电半导体层47，所以防止了从有源层19生成的光被传输到第四导电半导体层25，以使光学损失最小化，从而可以使外部量子效率最大化。
图6是示出根据第三实施方案的紫外半导体发光器件的截面图。
参考图6，在根据第三实施方案的紫外半导体发光器件10B中，在有源层19上的第二导电半导体层21可以包括多个图案51。图案51中的每一个可以包括多个对层53和55，其中第一层53a、55a和57a以及第二层53b和55b是成对的。
第一层53a、55a和57a以及第二层53b和55b可以根据第一实施方案来理解，并且因此可以省略其详细描述。
图案51可以具有包括三角形、正方形、五边形和六边形的多边形(图8A)，但是实施方案不限于此。
图51可以具有圆形(图8B)或圆柱形，但是实施方案不限于此。
图案51可以均匀地或随机地布置。
图案51的一侧可以相对于水平线倾斜，例如，相对于有源层19的顶表面倾斜，但是实施方案不限于此。
在这样的情况下，图案51的宽度可以变为向上逐渐减小。即，在第一层53a、55a和57a以及第二层53b和55b中，位于较高位置处的层的宽度可以比位于较低位置处的层的宽度小。
相反地，图案51的宽度可以变为向上逐渐增大。即，在第一层53a、55a和57a以及第二层53b和55b中，位于较高位置处的层的宽度可以比位于较低位置处的层的宽度大。
图案51的一侧可以垂直于有源层19的顶表面，但是实施方案不限于此。在这样的情况下，层53a、53b、55a、55b、57a的宽度可以彼此相同。
图7是示出图6的第二导电半导体层的详细构造的截面图。
如图7所示，图案51之间的间隔B可以小于图案51的宽度A，但是实施方案不限于此。
图案51的宽度A可以在0.5μm至1μm的范围内，图案51的间隔B可以在1μm至2μm的范围内。
可以在有源层19的在第二导电半导体层21的图案51之间的顶表面上以及图案的顶表面上形成第三导电半导体层59。
第三导电半导体层59可以与有源层19的在图案51之间的顶表面接触并且可以在图案51的侧面上和顶表面上形成。
在生长工艺期间，可以从有源层19的在图案51之间的顶表面生长第三导电半导体层59。可以从图案51的顶表面以及在图案51之间的间隔中生长第三导电半导体层59。
第三导电半导体层59和有源层19，例如，多量子阱结构中的势垒层，可以包括相同的第III-V族或第II-VI族化合物半导体材料。例如，第三导电半导体层59和有源层19的势垒层可以包括共有的AlGaN，但是实施方案不限于此。
由于第三导电半导体层59和有源层19的势垒层可以包括相同的第III-V族或第II-VI族化合物半导体材料，所以在第二导电半导体层21的图案51之间可以从有源层19没有裂纹地稳定生长第三导电半导体层59。
在第三实施方案中，由于第四导电半导体层25的空穴可以在不穿过第二导电半导体层21的图案51的情况下通过在第二导电半导体层21的图案51之间的第三导电半导体层59提供给有源层19，所以可以通过提高电流注入效率来提高光效率。
根据第三实施方案，第二导电半导体层21包括多个图案51，以进一步提高紫外光的反射效率。
当第四导电半导体层25用作电极层和阻挡层两者时，可以不形成第三导电半导体层59。
当不形成第三导电半导体层59时，第四导电半导体层25可以与第二导电半导体层21的图案51的顶表面以及有源层19的在图案51与第二导电半导体层21之间的顶表面接触。
第三实施方案可以与第一实施方案相关联。即，可以通过形成第一实施方案的包括多个图案51的第二导电半导体层21来配置第三实施方案。
虽然未示出，但是，具有多个图案的第二导电半导体层可应用于第二实施方案。即，第二实施方案的第二导电半导体层47具有多个图案，并且第四导电半导体层25可以与在图案之间的第三导电半导体层23的顶表面以及图案的顶表面接触，但是实施方案不限于此。
根据实施方案，在有源层与第四导电半导体层之间形成用作反射层的第二导电半导体层，使得有源层的紫外光被从第二导电半导体层反射，从而使外部量子效率最大化。
根据实施方案，由于第四导电半导体层的空穴可以在不穿过与第二导电半导体层相应的第二导电半导体层的图案的情况下经由在第二导电半导体层的图案之间的第三导电半导体层来提供给有源层，所以可以改善电流扩散效果。
根据实施方案，第二导电半导体层具有多个图案，使得可以由于该图案而进一步提高紫外光的反射效率。
同时，根据实施方案的紫外半导体发光器件10、10A和10B可以被制造成使用包括荧光材料的模制构件的封装件或具有该封装件的照明系统。
为了将发光器件10、10A和10B用作照明系统，必须将其紫外光转化成可见光。
在该说明书中，任意参考“一个实施方案”、“实施方案”“示例实施方案”等表示结合实施方案描述的具体特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施方案中。在本说明书的不同位置处出现的这样的措辞不是必须指代相同的实施方案。此外，当结合任意实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为结合实施方案的其他特征、结构或特性来实现这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的范围之内。
虽然已经参考大量的示例实施方案对实施方案进行了描述，但是应该理解：本领域技术人员可以设计大量其他修改和实施方案，其将落入该公开内容的原理的精神和范围之内。更具体地，在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内的主题组合布置的部件部分和/或布置的各种变化和修改是可能的。除部件部分和/或布置的变化和修改之外，本领域技术人员也明白替换用途。
Claims (28)
1.一种紫外发光器件，包括：
第一导电半导体层；
在所述第一导电半导体层下方的有源层；
在所述有源层下方的第一反射层；以及
在所述第一反射层下方的第二导电半导体层，
其中所述第一反射层包括多个第一层和多个第二层，
其中所述第一层和第二层包括具有不同的Al组成的至少两种化合物半导体，
其中所述至少两种化合物半导体的含量彼此不同，
其中所述第一反射层的最下层和最上层具有两个具有相同物质含量的第一层，
其中所述第一反射层的所述最下层接触所述第二导电半导体层，并且所述第一反射层的所述最上层接触所述有源层，以及
其中所述第一反射层的最下层与所述有源层的最上层是同一层。
2.根据权利要求1所述的紫外发光器件，还包括：
在所述第二导电半导体层下方的第三导电半导体层。
3.根据权利要求2所述的紫外发光器件，还包括：
在所述第二导电半导体层与所述第三导电半导体层之间的第二反射层。
4.根据权利要求3所述的紫外发光器件，其中所述第二反射层包括多个化合物半导体层，
其中所述化合物半导体层包括至少两种化合物半导体。
5.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述多个化合物半导体层包括多个奇数编号的化合物半导体层和多个偶数编号的化合物半导体层。
6.根据权利要求5所述的紫外发光器件，其中所述奇数编号的化合物半导体层的厚度与所述偶数编号的化合物半导体层的厚度不同。
7.根据权利要求5所述的紫外发光器件，其中所述奇数编号的化合物半导体层的厚度比所述偶数编号的化合物半导体层的厚度大。
8.根据权利要求5所述的紫外发光器件，其中所述奇数编号的化合物半导体层具有30nm至40nm的厚度，以及
其中所述偶数编号的化合物半导体层具有20nm至30nm的厚度。
9.根据权利要求3所述的紫外发光器件，其中所述第二反射层的最下层和最上层包括具有相同含量的至少两个半导体层。
10.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述多个化合物半导体层中的相邻化合物半导体层构成一个周期对。
11.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述化合物半导体层包括Ga，以及
其中所述多个化合物半导体层中的相邻化合物半导体层的Ga含量彼此不同。
12.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述化合物半导体层包括Al，以及
其中所述多个化合物半导体层中的相邻化合物半导体层的Al含量彼此不同。
13.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述化合物半导体层具有不同的折射率。
14.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述化合物半导体层具有奇数编号的层。
15.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第一反射层的最下层和最上层包括具有相同含量的至少两个半导体层。
16.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述有源层的折射率比所述第一反射层的最下层的折射率大。
17.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第二导电半导体层的折射率比所述第一反射层的最上层的折射率大。
18.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第一反射层包括用于反射具有270nm至290nm的波长的紫外光的材料。
19.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第一反射层包括与所述第一导电半导体层的掺杂剂相同的掺杂剂。
20.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第一反射层包括与所述第二导电半导体层的掺杂剂相同的掺杂剂。
21.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第一反射层包括与所述第二导电半导体层的半导体材料相同的半导体材料。
22.根据权利要求2所述的紫外发光器件，其中所述第一反射层包括与所述第三导电半导体层的半导体材料不同的半导体材料。
23.根据权利要求2所述的紫外发光器件，其中所述第一反射层、所述第二导电半导体层和所述第三导电半导体层中的一个层具有与所述第一反射层、所述第二导电半导体层和所述第三导电半导体层中的其余层的半导体材料不同的半导体材料。
24.根据权利要求2所述的紫外发光器件，还包括：
在所述第一导电半导体层下方的第一电极；以及
在所述第二导电半导体层和所述第三导电半导体层中的一个层下方的第二电极。
25.根据权利要求24所述的紫外发光器件，其中所述第一反射层的顶表面设置在比所述第一电极的顶表面低的位置处。
26.根据权利要求24所述的紫外发光器件，其中所述第一反射层与所述第一电极的至少一部分在水平方向上交叠。
27.根据权利要求3所述的紫外发光器件，其中所述第一反射层和所述第二反射层中的至少一个层包括彼此间隔开的多个图案。
28.一种紫外发光器件，包括：
第一导电半导体层；
在所述第一导电半导体层下方的有源层；
在所述有源层下方的第一反射层；以及
在所述第一反射层下方的第二导电半导体层，
其中所述第一反射层包括多个第一层和多个第二层，
其中所述第一层和第二层包括具有不同的Al组成的至少两种化合物半导体，
其中所述至少两种化合物半导体的含量彼此不同，
其中所述第一反射层的最下层和最上层具有两个具有相同物质含量的第一层，
其中所述第一反射层的所述最下层接触所述第二导电半导体层，并且所述第一反射层的所述最上层接触所述有源层，以及
其中所述第一反射层的最下层是所述有源层的势垒层。
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1722479A (zh) * | 2004-07-12 | 2006-01-18 | 安捷伦科技有限公司 | 使用深紫外线产生白光 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4786951A (en) * | 1985-02-12 | 1988-11-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor optical element and a process for producing the same |
| JPH09232631A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体発光素子 |
| EP0856202A2 (en) * | 1996-06-11 | 1998-08-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Visible light emitting devices including uv-light emitting diode and uv-excitable, visible light emitting phosphor, and method of producing such devices |
| JPH1065209A (ja) * | 1996-08-20 | 1998-03-06 | Fujitsu Ltd | 半導体電磁波発生装置 |
| GB9807692D0 (en) * | 1998-04-14 | 1998-06-10 | Univ Strathclyde | Optival devices |
| GB2344456B (en) * | 1998-12-02 | 2000-12-27 | Arima Optoelectronics Corp | Semiconductor devices |
| US6376864B1 (en) * | 1999-07-06 | 2002-04-23 | Tien Yang Wang | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same |
| JP3842976B2 (ja) * | 2000-03-17 | 2006-11-08 | 富士通株式会社 | 分布帰還型半導体レーザとその製造方法 |
| US6711203B1 (en) * | 2000-09-22 | 2004-03-23 | Blueleaf, Inc. | Optical transmitter comprising a stepwise tunable laser |
| JP2003017745A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Shiro Sakai | 窒化ガリウム系発光素子 |
| JP2003115635A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-04-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光型半導体レーザ素子 |
| US6943377B2 (en) * | 2002-11-21 | 2005-09-13 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Light emitting heterostructure |
| JP2005311072A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子および照明装置 |
| KR100576870B1 (ko) * | 2004-08-11 | 2006-05-10 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 |
| JP2006100420A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| DE102004057802B4 (de) * | 2004-11-30 | 2011-03-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement mit Zwischenschicht |
| JP2006332205A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| DE102006004591A1 (de) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip |
| JP2007150074A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| CN101304058B (zh) * | 2007-05-09 | 2010-05-26 | 清华大学 | 发光二极管 |
| US20090001389A1 (en) * | 2007-06-28 | 2009-01-01 | Motorola, Inc. | Hybrid vertical cavity of multiple wavelength leds |
| TWI370558B (en) * | 2007-11-07 | 2012-08-11 | Ind Tech Res Inst | Light emitting diode and process for fabricating the same |
| CN101740677A (zh) * | 2008-11-20 | 2010-06-16 | 深圳世纪晶源华芯有限公司 | 图形化衬底的GaN基LED外延片及该外延片的制备方法 |
| CN101986667A (zh) * | 2009-07-28 | 2011-03-16 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 便携式电子装置 |
| KR101650840B1 (ko) * | 2009-08-26 | 2016-08-24 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 및 이의 제조방법 |
| KR101654340B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2016-09-06 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
| KR101122020B1 (ko) * | 2010-03-17 | 2012-03-09 | 한국광기술원 | 다중발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
| KR101666442B1 (ko) * | 2010-03-25 | 2016-10-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 |
| KR20110124452A (ko) | 2010-05-11 | 2011-11-17 | 한국전기안전공사 | 광파 측정기술을 이용한 비주얼 피뢰진단 시스템 및 그 방법 |
-
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1722479A (zh) * | 2004-07-12 | 2006-01-18 | 安捷伦科技有限公司 | 使用深紫外线产生白光 |
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