CN103119708B - 相变存储器结构及方法 - Google Patents
相变存储器结构及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103119708B CN103119708B CN201180045055.9A CN201180045055A CN103119708B CN 103119708 B CN103119708 B CN 103119708B CN 201180045055 A CN201180045055 A CN 201180045055A CN 103119708 B CN103119708 B CN 103119708B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- phase
- heater
- insulating material
- electrode
- dielectric substance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 230000008859 change Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 57
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 39
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 21
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 2
- UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ti] Chemical compound [Si].[Ti] UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 9
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 229910018110 Se—Te Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005936 Ge—Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005939 Ge—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020938 Sn-Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002855 Sn-Pd Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018731 Sn—Au Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008937 Sn—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008772 Sn—Se Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010671 solid-state reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
- H10N70/8413—Electrodes adapted for resistive heating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
本文中描述与相变存储器结构相关联的方法、装置及系统。一种形成相变存储器结构的方法包含：在相变存储器单元的第一导电元件上及电介质材料上形成绝缘体材料；形成与所述第一导电元件自对准的加热器；在所述加热器及形成于所述电介质材料上的所述绝缘体材料的至少一部分上形成相变材料；及在所述相变材料上形成所述相变存储器单元的第二导电元件。
Description
技术领域
本发明一般来说涉及半导体存储器装置及方法，且更特定来说涉及相变存储器结构及方法。
背景技术
通常提供存储器装置作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)及快闪存储器，以及其它类型的存储器。
例如PCRAM装置的电阻可变存储器装置可包含例如硫属化物合金的结构相变材料，举例来说，其可被编程为不同电阻率状态以存储数据。相变存储器单元为非易失性的且可通过感测相变存储器单元的电阻(例如，通过基于相变材料的电阻感测电流及/或电压变化)来读取存储于所述单元中的特定数据。
在其中电阻可变存储器装置包含硫属化物合金的情况中，所述硫属化物合金可展现可逆结构相变(例如，从非晶到结晶)。可将小体积的硫属化物合金集成到可允许单元充当快速切换可编程电阻器的电路中。此可编程电阻器可展现大于结晶状态(低电阻率)与非晶状态(高电阻率)之间的电阻率动态范围40倍的电阻率，且还能够展现允许每一单元中的多位存储的多个中间状态。也就是说，电阻可变存储器可经由将存储器单元编程到若干个不同电阻电平中的一者来实现多电平单元(MLC)功能性。
相变存储器单元随时间的可靠性可受各种因素影响，例如相变材料与下伏衬底之间的粘附性及/或用于提供充足电力以使相变材料熔化的电流密度，以及其它因素。作为一实例，在一些实例中，大电流密度可导致相变存储器单元的导电材料中的不合意的电迁移且可导致相变材料中的相分离。
发明内容
附图说明
图1是根据本发明的一个或一个以上实施例的具有一个或一个以上相变存储器结构的相变存储器阵列的一部分的示意图。
图2A到2D是图解说明根据本发明的一个或一个以上实施例的形成相变存储器结构的横截面图。
图3图解说明根据本发明的一个或一个以上实施例的相变存储器结构的一部分的横截面图。
图4是根据本发明的一个或一个以上实施例的存储器装置的一部分的横截面图。
具体实施方式
本发明已描述与相变存储器结构相关联的方法、装置及系统。一种形成相变存储器结构的方法包含：在相变存储器单元的第一导电元件上及电介质材料上形成绝缘体材料；形成与所述第一导电元件自对准的加热器；在所述加热器及形成于所述电介质材料上的所述绝缘体材料的至少一部分上形成相变材料；及在所述相变材料上形成所述相变存储器单元的第二导电元件。
与先前相变存储器单元相比，本发明的实施例可提供各种益处，例如提供相变材料与下伏衬底之间的经改善的粘附性及减少与相变存储器单元相关联的编程电流密度。减少编程电流密度可增加相变存储器单元的可靠性，以及其它益处。
在本发明的以下详细描述中，参考形成本发明的一部分的附图，且其中以图解说明的方式展示可如何实践本发明的一个或一个以上实施例。充分详细地描述这些实施例以使所属领域的技术人员能够实践本发明的实施例，且应理解，可利用其它实施例且可做出过程、电及/或结构改变，此并不背离本发明的范围。如本文中所使用，标号“N”及“M”(特定来说，关于图式中的参考编号)指示若干个如此标示的特定特征可与本发明的一个或一个以上实施例包含在一起。
本文中的图遵循其中第一数字或前几个数字对应于图式图编号且其余几个数字识别所述图式中的元件或组件的编号惯例。不同图之间的类似元件或组件可通过使用类似数字来识别。举例来说，在图1中101可指代元件“01”，且在图4中类似元件可指代为401。如将了解，可添加、交换及/或消除本文中各种实施例中所展示的元件以便提供本发明的若干个额外实施例。另外，图中所提供的元件的比例及相对标度打算图解说明本发明的各种实施例且并非用于限制意义。
如本发明中所使用，术语“晶片”及“衬底”可互换地使用，且应理解为包含绝缘体上硅(SOI)或蓝宝石上硅(SOS)技术、经掺杂及未经掺杂的半导体、由基底半导体基础支撑的外延硅层及其它半导体结构。此外，当在以下描述中提及“晶片”或“衬底”时，可能已利用先前工艺步骤在基底半导体结构或基础中形成若干区域或结。
图1是根据本发明的一个或一个以上实施例的具有一个或一个以上相变存储器结构的相变存储器阵列100的一部分的示意图。在图1中所图解说明的实施例中，存储器阵列100包含若干个相变存储器单元，每一相变存储器单元具有相关联的存取装置101及电阻可变元件103(例如，相变材料103)。存取装置101可经操作(例如，接通/关断)以存取存储器单元以便对电阻可变元件103执行例如数据编程(例如，写入)及/或数据感测(例如，读取)操作的操作。
在图1中所图解说明的实施例中，存取装置101为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。如图1中所展示，与每一存储器单元相关联的每一MOSFET101的栅极耦合到若干个存取线105-0(WL0)、105-1(WL1)、...、105-N(WLN)中的一者(即，每一存取线105-0、105-1、...、105-N耦合到一行相变存储器单元)。存取线105-0、105-1、...、105-N在本文中可称为“字线”。标号“N”用于指示存储器阵列可包含若干个字线。
电阻可变元件103可为例如锗-锑-碲(GST)材料(例如，例如Ge2Sb2Te5、Ge2Sb2Te7、Ge1Sb2Te4、Ge1Sb4Te7等的Ge-Sb-Te材料)的相变硫属化物合金。如本文所使用，带连字符的化学组合物符号指示包含于特定混合物或化合物中的元素，且既定表示涉及所指示元素的所有化学计量。其它相变材料还可包含Ge-Te、In-Se、Sb-Te、Ge-Sb、Ga-Sb、In-Sb、As-Te、Al-Te、Ge-Sb-Te、Te-Ge-As、In-Sb-Te、Te-Sn-Se、Ge-Se-Ga、Bi-Se-Sb、Ga-Se-Te、Sn-Sb-Te、In-Sb-Ge、Te-Ge-Sb-S、Te-Ge-Sn-O、Te-Ge-Sn-Au、Pd-Te-Ge-Sn、In-Se-Ti-Co、Ge-Sb-Te-Pd、Ge-Sb-Te-Co、Sb-Te-Bi-Se、Ag-In-Sb-Te、Ge-Sb-Se-Te、Ge-Sn-Sb-Te、Ge-Te-Sn-Ni、Ge-Te-Sn-Pd及Ge-Te-Sn-Pt，以及各种其它相变材料。
在图1中所图解说明的实施例中，每一电阻可变元件103耦合到若干个数据线107-0(BL0)、107-1(BL1)、...、107-M(BLM)中的一者(即，每一数据线107-0、107-1、...、107-M耦合到一列相变存储器单元)。数据线107-0、107-1、...、107-M在本文中可称为“位线”或“感测线”。标号“M”用于指示存储器阵列可包含若干个位线。为便于在数字环境中寻址，字线105-1、...、105-N的数目及位线107-1、...、107-M的数目可各自为2的某一次幂(例如，256个字线×4,096个位线)。然而，实施例不限于特定数目的字线及/或位线。
在操作中，可将适当电压及/或电流信号(例如，脉冲)施加到位线107-0、107-1、...、107-M及字线105-0、105-1、...、105-N以便将数据编程到阵列100的相变存储器单元及/或从所述相变存储器单元读取数据。作为一实例，可通过接通存取装置101并感测穿过相变元件103的电流来确定由阵列100的相变存储器单元存储的数据。在位线上感测的与正读取的存储器单元相关联的电流对应于相变元件103的电阻电平，所述电阻电平又对应于特定数据值(举例来说，例如1、0、001、111、1011等的二进制值)。
本发明的实施例不限于图1中所图解说明的实例性阵列100。举例来说，与特定存储器单元相关联的存取装置101可为除MOSFET之外的装置。在一些实施例中，存取装置101可为双极结晶体管(BJT)或二极管(例如，p-n二极管、肖特基二极管或齐纳二极管)，以及其它类型的存取装置。尽管图1中未图解说明，但所属领域的技术人员将了解，相变存储器阵列100可耦合到包含控制器及各种写入/读取电路及/或其它控制电路的其它存储器组件。
图2A到2D是图解说明根据本发明的一个或一个以上实施例的形成相变存储器结构的横截面图。图2A到2D中所展示的存储器单元结构包含基底半导体结构，所述基底半导体结构包含衬底202，衬底202包含形成于电介质材料204中的导电触点206。衬底202可为硅衬底、绝缘体上硅(SOI)衬底或蓝宝石上硅(SOS)衬底，以及其它衬底。电介质材料204可为例如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)的氮化物或氧化物，以及其它电介质材料。导电触点206可由例如钨(W)的金属(如图2A到2D中所展示)或其它适合导电材料制成且可经由(举例来说)掩蔽及蚀刻工艺形成于电介质材料204中。尽管图2A到2D中未展示，但触点206可耦合到对应于特定存储器单元(例如，例如图1中所展示的PCRAM单元)的存取装置(例如，存取晶体管)。
图2A到2D中所展示的结构包含形成于导电触点206上的第一导电元件208(例如，第一电极)。第一导电元件208可为底部电极(BE)208。举例来说，底部电极208可为例如钛(Ti)、氮化钛(TiN)(例如，富含钛的TiN)、钽(Ta)及/或氮化钽(TaN)的导电材料。底部电极208可通过掩蔽及蚀刻以及其它适合工艺形成。底部电极208的一个或一个以上侧表面与电介质材料204接触。
如图2A中所图解说明，根据本发明的一个或一个以上实施例形成相变存储器结构包含在底部电极208及电介质材料204上形成绝缘体材料212。在一个或一个以上实施例中，电介质材料204及/或底部电极208的上部表面可在于其上形成绝缘体材料212之前经由化学机械平面化(CMP)或其它适合工艺来平面化。
举例来说，绝缘体材料212可为例如氮化铝(AlN)或氮化硅(SiN)的材料，且可在电介质材料204与相变材料(例如结合图2C到2D描述的相变材料216)之间提供粘附性界面。也就是说，在各种实施例中，绝缘体材料212与形成于其上的相变材料之间的粘附性大于电介质材料204与形成于其上的相变材料之间的粘附性。如此，可将绝缘体212称为绝缘性粘附材料。相变材料与下伏衬底之间的经改善的粘附性可提供益处，例如增加相变存储器装置的长期可靠性，以及其它益处。
绝缘体材料212可具有在约2nm到3nm之间的厚度，然而，实施例不限于特定厚度。举例来说，在一些实施例中，绝缘体材料212的厚度不大于约10nm。然而，在各种实施例中，绝缘体212的厚度可小于约2nm或大于约10nm。
图2B图解说明界面加热器214。在各种实施例中，加热器214与底部电极208自对准。举例来说，可通过对绝缘体材料212的一部分(例如，材料212的形成于底部电极208上的一部分)进行改质来形成加热器214。在一个或一个以上实施例中，对绝缘体材料212进行改质以形成自对准加热器214包含在绝缘体材料212与底部电极材料208之间产生反应使得加热器214为不同于绝缘体212的材料。作为一实例，可通过加热底部电极208及/或形成于其上的绝缘体材料212产生所述反应。
举例来说，可经由例如快速热退火(RTA)、激光退火或微波加热工艺以及其它加热工艺的热退火工艺加热图2A中所图解说明的存储器结构。此工艺可促进绝缘体材料212与底部电极208之间的固态反应。
作为一个实例，底部电极208可为氮化钛(TiN)材料且绝缘体材料212可为氮化铝(AlN)材料。在此实施例中，热退火工艺(例如，在N2中在约500℃下达约5分钟)可形成外延氮化钛铝(例如，Ti2AlN)作为加热器214。举例来说，在一些实施例中，TiN底部电极208与AlN绝缘体212的热反应可形成具有其它TiAlN合金相(例如Ti3Al2N2及Ti3AlN)的加热器214。
作为另一实例，底部电极208可为钛(Ti)电极且绝缘体材料212可为AlN。由于Ti底部电极208可氧化(例如，在对底部电极208的表面执行CMP工艺之后)，因此可在用于对绝缘体材料212进行改质的加热工艺之前使用进一步处理来将氧化钛(TiOx)还原为Ti。举例来说，可使用原位等离子处理来将TiOx的至少一部分还原为钛金属。作为一实例，可将TiOx暴露于非热等离子，例如放电等离子、微波驱动非热等离子、电介质势垒等离子、脉冲电晕放电等离子、辉光放电等离子及/或常压等离子喷射以及其它非热等离子。所还原的钛可接着与绝缘体材料212的AlN反应以形成Ti2AlN或其它氮化钛铝合金相。
作为另一实例，底部电极208可为氮化钽(TaN)电极且绝缘体材料212可为SiN。在此实施例中，对结构执行的热退火工艺可形成氮化钽硅(TaSiN)加热器214。
如图2C中所图解说明，相变材料216可形成于绝缘体材料212及底部电极208上，且第二导电元件218(例如，顶部电极)可形成于相变材料216上。顶部电极218可为相变存储器单元的位线或可耦合到所述单元的位线(例如，经由接触插塞)。
图2D图解说明相变材料216的作用区域220。作用区域220表示相变材料216的响应于由于底部电极208与顶部电极218之间的电流所致的加热而改变相(例如，从结晶到非晶，且反之亦然)的部分。
底部电极208与相变材料216之间的界面处的自对准加热器214提供各种益处。举例来说，加热器214将局部化热提供到相变材料216，其可辅助作用区域220的切换及/或可减少诱发切换所需的电流密度以及与操作存储器单元相关联的电力。与底部电极208相比，加热器214具有低导热率，此减少到底部电极208的热损耗(例如，由于散热片效应)。与底部电极208相比，加热器214还具有高电阻率，使得加热器214可以高温度容限传导电流，此可(举例来说)增加相变存储器单元完整性及/或可靠性。
在一些实施例中，可经由掩蔽及蚀刻工艺形成加热器214。举例来说，可移除(例如，经由蚀刻工艺)绝缘体材料212的一部分(例如，形成于底部电极214上的部分)，且可将材料214(例如，Ti2AlN)沉积于其位置中。然而，与上文所描述的先前方法相比，用以在底部电极上形成材料214的掩蔽及蚀刻可包含额外处理步骤且不提供加热器214与底部电极208的自对准。
如下文结合图4所描述，图2D中所图解说明的存储器结构可耦合到存取装置(例如，存取晶体管)及对应于特定存储器单元(例如，例如图1中所展示的PCRAM单元)的其它组件及/或电路。
图3图解说明根据本发明的一个或一个以上实施例的相变存储器结构的一部分的横截面图。图3中所展示的实例为包含基底半导体结构的约束相变存储器单元结构，所述基底半导体结构包含衬底302，衬底302包含形成于电介质材料304中的导电触点306。电介质材料313形成于触点306及电介质材料304上。通孔可形成于电介质材料313中且底部电极308可沉积于所述通孔中。加热器材料314可形成于底部电极308上且相变材料316可形成于加热器314上。如上文结合图2A到2D所描述，可通过对形成于底部电极上的绝缘体材料进行改质来形成加热器314。举例来说，可经由(举例来说)例如热退火工艺、激光退火工艺或微波加热工艺的加热工艺而形成加热器314。图3中所展示的相变存储器结构包含形成于相变材料316及电介质材料313上的顶部电极318。
图4是根据本发明的一个或一个以上实施例的存储器装置450的一部分的横截面图。存储器装置450包含根据本文中所描述的实施例而形成的若干个相变存储器单元结构。图4中所图解说明的实例包含第一堆叠430-1及第二堆叠430-2。第一堆叠430-1对应于第一相变存储器单元，且第二堆叠430-2对应于第二相变存储器单元(例如，例如图1中所描述的那些相变存储器单元的相变存储器单元)。举例来说，可通过穿过适当材料的掩蔽及蚀刻工艺形成单独堆叠430-1及430-2。
堆叠430-1及430-2中的每一者包含形成于相应相变材料(例如，GST)416-1及416-2上的相应顶部电极(TE)418-1及418-2。相变材料416-1及416-2形成于绝缘体412-1及412-2以及与相应底部电极408-1及408-2自对准的界面加热器414-1及414-2上。
如上文结合图2A到2D所描述，可通过对绝缘体材料412-1及412-2的一部分进行改质来形成加热器414-1及414-2。举例来说，可使用加热工艺来在底部电极(BE)材料408-1/408-2(例如，如所展示的Ti)与绝缘体材料412-1/412-2(例如，如所展示的AlN)之间产生反应以形成界面加热器414-1/414-2(例如，如所展示的Ti2AlN)。绝缘体材料412-1及412-2可提供相变材料416-1及416-2与下伏电介质材料404(例如，SiO2)之间的粘附性界面。
底部电极408-1及408-2形成于电介质材料404中，电介质材料404形成于相应导电触点446上。在此实例中，触点446为漏极触点。也就是说，触点446将堆叠430-1及430-2耦合到相应存取装置401(例如，存取晶体管)的漏极区域444。在此实例中，存取装置401为具有相关联的源极区域443、漏极区域444及栅极区域445的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)装置且形成于基底衬底402上。然而，实施例不限于特定类型的存取装置。举例来说，如上文所描述，存取装置401可为二极管或BJT，以及用于操作相变存储器单元的其它类型的存取装置。作为一实例，衬底402可为具有n型源极区域443及漏极区域444的p型半导体衬底。
相变存储器装置450还包含耦合到存取装置401中的一者或一者以上的源极区域443的源极触点447。源极触点447及漏极触点446形成于电介质材料448(例如，SiO2)中且电介质材料449(例如，SiN)形成于晶体管401的栅极堆叠周围以使晶体管401与触点446及447电绝缘。实施例不限于特定电介质材料448及449。
如上文所描述，根据本文中所描述的实施例的相变存储器单元结构可提供各种益处。举例来说，自对准加热器414-1及414-2可将局部化热提供到存储器单元的作用区域420-1及420-2，此可减少诱发作用区域内的结构相转变所需的电流。减少所述电流可减少与存储器装置相关联的电力消耗且可改善所述存储器装置的长期可靠性及/或完整性。与先前方法相比，粘附性绝缘体材料412-1及412-2可改善相变材料416-1及416-2与下伏衬底之间的粘附性。此外，经由加热工艺对绝缘体材料412-2/412-2的部分进行改质以形成自对准加热器414-1/414-2可提供各种益处而不增加制作工艺的复杂度。
结论
本发明已描述与相变存储器结构相关联的方法、装置及系统。一种形成相变存储器结构的方法包含：在相变存储器单元的第一导电元件上及电介质材料上形成绝缘体材料；形成与所述第一导电元件自对准的加热器；在所述加热器及形成于所述电介质材料上的所述绝缘体材料的至少一部分上形成相变材料；及在所述相变材料上形成所述相变存储器单元的第二导电元件。
尽管本文中已图解说明并描述了特定实施例，但所属领域的技术人员将了解可用旨在实现相同结果的布置来替代所展示的特定实施例。本发明打算涵盖本发明各种实施例的改动或变化形式。
应理解，已以说明方式而非限定方式做出以上描述。在审阅以上描述之后，所属领域的技术人员将即刻明了以上实施例的组合及本文中未具体描述的其它实施例。本发明各种实施例的范围包含其中使用以上结构及方法的其它应用。因此，应参考所附权利要求书连同授权此权利要求书的等效物的全部范围来确定本发明各种实施例的范围。
在前述实施方式中，出于简化本发明的目的而将各种特征一起集合在单个实施例中。本发明的此方法不应被解释为反映本发明所揭示实施例必须使用比明确陈述于每一权利要求中多的特征的意图。
而是，如所附权利要求书反映，发明性标的物在于少于单个所揭示实施例的所有特征。因此，特此将所附权利要求书并入到具体实施方式中，其中每一权利要求独立地作为单独实施例。
Claims (23)
1.一种形成相变存储器结构的方法，所述方法包括：
在相变存储器单元的第一导电元件(208；308；408-1、408-2)上及电介质材料(204；404)上形成绝缘体材料(212；412-1、412-2)；
通过对所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的一部分进行改质形成与所述第一导电元件(208；408-1、408-2)自对准的加热器(214；314；414-1、414-2)；
在所述加热器(214；314；414-1、414-2)及形成于所述电介质材料(204；404)上的所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的至少一未经改质部分上形成相变材料(103；216；316；416-1、416-2)；及
在所述相变材料(103；216；416-1、416-2)上形成所述相变存储器单元的第二导电元件(218；418-1、418-2)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中对所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的所述部分进行改质包含加热所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的所述部分。
3.根据权利要求1所述的方法，其中对所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的所述部分进行改质包含在所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)与所述第一导电元件(208；308；408-1、408-2)的材料之间产生反应以形成所述加热器(214；314；414-1、414-2)。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)为氮化铝(AlN)，所述第一导电元件(208；308；408-1、408-2)的所述材料为钛(Ti)及氮化钛(TiN)中的至少一者，且其中所述反应形成氮化钛铝(TiAlN)加热器(214；314；414-1、414-2)。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)为氮化硅(SiN)，所述第一导电元件(208；308；408-1、408-2)的所述材料为氮化钛(TiN)及氮化钽(TaN)中的至少一者，且其中所述反应形成氮化钛硅(TiSiN)加热器(214；314；414-1、414-2)及氮化钽硅(TaSiN)加热器(214；314；414-1、414-2)中的至少一者。
6.一种形成相变存储器结构的方法，所述方法包括：
在相变存储器单元的第一电极(208；308；408-1、408-2)和电介质材料(204；404)上形成绝缘性粘附材料(212；412-1、412-2)；
通过加热所述绝缘性粘附材料(212；412-1、412-2)的至少一部分形成与所述第一电极(208；308；408-1、408-2)自对准的界面加热器(214；314；414-1、414-2)，所述界面加热器(214；314；414-1、414-2)为不同于所述绝缘性粘附材料(212；412-1、412-2)的材料；
在所述界面加热器(214；314；414-1、414-2)和所述绝缘性粘附材料的至少一部分上形成相变材料(103；216；316；416-1、416-2)；及
在所述相变材料(103；216；316；416-1、416-2)上形成第二电极(218；318；418-1、418-2)。
7.根据权利要求6所述的方法，其中加热所述绝缘性粘附材料(212；412-1、412-2)的所述至少一部分包含对所述绝缘性粘附材料(212；412-1、412-2)的所述至少一部分执行微波加热工艺。
8.根据权利要求6所述的方法，其中加热所述绝缘性粘附材料(212；412-1、412-2)的所述至少一部分包含对所述绝缘性粘附材料(212；412-1、412-2)的所述至少一部分执行激光退火工艺。
9.根据权利要求7或8中任一权利要求所述的方法，其包含通过在于所述第一电极(208；308；408-1、408-2)上形成所述绝缘性粘附材料(212；412-1、412-2)之前且在加热所述绝缘性粘附材料(212；412-1、412-2)的所述至少一部分之前执行原位等离子处理工艺来还原所述第一电极(208；308；408-1、408-2)的氧化。
10.一种相变存储器结构，其包括：
底部电极(208；308；408-1、408-2)，其具有与电介质材料(204；313；404)接触的侧表面；
相变材料(103；216；316；416-1、416-2)，其在所述底部电极(208；308；408-1、408-2)与顶部电极(218；318；418-1、418-2)之间；
绝缘体材料(212；412-1、412-2)，其具有提供针对所述相变材料(103；216；316；416-1、416-2)的至少一部分的粘附性界面的第一部分；及
界面加热器(214；314；414-1、414-2)，其与所述底部电极(208；308；408-1、408-2)自对准且定位于所述底部电极(208；308；408-1、408-2)与所述相变材料(103；216；316；416-1、416-2)之间；其中所述界面加热器(214；314；414-1、414-2)为所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的经改质部分且为不同于所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的材料；且
其中所述相变材料(103；216；416-1、416-2)形成于所述界面加热器(214；314；414-1、414-2)和所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的至少一部分上。
11.根据权利要求10所述的存储器结构，其中所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的所述第一部分形成于所述电介质材料(204；313；404)及所述底部电极(208；308；408-1、408-2)的经平面化表面上。
12.根据权利要求10所述的存储器结构，其中所述底部电极(208；308；408-1、408-2)形成于在所述电介质材料(204；313；404)中形成的通孔中，且其中由所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的所述第一部分提供的所述粘附性界面包含和所述相变材料(103；216；316；416-1、416-2)与所述电介质材料(204；313；404)之间的粘附性相比增加的粘附性。
13.根据权利要求10或12中任一权利要求所述的存储器结构，其中所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)为氮化铝(AlN)及氮化硅(SiN)中的至少一者。
14.根据权利要求13所述的存储器结构，其中所述界面加热器(214；314；414-1、414-2)包含来自包含以下各项的群组的材料：
氮化钛铝(TiAlN)
氮化钛硅(TiSiN)；及
氮化钽硅(TaSiN)。
15.一种形成相变存储器结构的方法，其包括：
在相变存储器单元的第一导电元件(208；308；408-1、408-2)上及电介质材料(204；313；404)上形成绝缘体材料(212；412-1、412-2)；
形成与所述第一导电元件(208；308；408-1、408-2)自对准的加热器(214；314；414-1、414-2)，其中形成所述加热器(214；314；414-1、414-2)包含通过执行选自包含以下各项的群组的工艺来对所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的一部分进行改质：
加热所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的所述部分；及
在所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)与所述第一导电元件(208；308；408-1、408-2)的材料之间产生反应；及
在所述加热器(214；314；414-1、414-2)及形成于所述电介质材料(204；313；404)上的所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的至少一部分上形成相变材料(103；216；316；416-1、416-2)。
16.根据权利要求15所述的方法，其包含在所述加热器(214；314；414-1、414-2)上及所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的未经改质部分上形成所述相变材料(103；216；316；416-1、416-2)。
17.根据权利要求15或16中任一权利要求所述的方法，其中所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)为氮化铝(AlN)，所述第一导电元件(208；308；408-1、408-2)的所述材料为钛(Ti)及氮化钛(TiN)中的至少一者，且其中所述反应形成氮化钛铝(TiAlN)加热器(214；314；414-1、414-2)。
18.根据权利要求15或16中任一权利要求所述的方法，其中所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)为氮化硅(SiN)，所述第一导电元件(208；308；408-1、408-2)的所述材料为氮化钛(TiN)及氮化钽(TaN)中的至少一者，且其中所述反应形成氮化钛硅(TiSiN)加热器(214；314；414-1、414-2)及氮化钽硅(TaSiN)加热器(214；314；414-1、414-2)中的至少一者。
19.一种形成相变存储器结构的方法，所述方法包括：
在相变存储器单元的第一电极(208；308；408-1、408-2)和电介质材料(204；313；404)上形成绝缘性粘附材料(212；412-1、412-2)；
通过加热所述绝缘性粘附材料(212；412-1、412-2)的至少一部分形成与所述第一电极(208；308；408-1、408-2)自对准的界面加热器(214；314；414-1、414-2)，所述界面加热器(214；314；414-1、414-2)为不同于所述绝缘性粘附材料(212；412-1、412-2)的材料；
在所述界面加热器(214；314；414-1、414-2)和未形成于所述第一电极(212；412-1、412-2)上的所述绝缘性粘附材料(212；412-1、412-2)的至少一部分上形成相变材料(103；216；316；416-1、416-2)；及
在所述相变材料(103；216；316；416-1、416-2)上形成第二电极(218；318；418-1、418-2)。
20.根据权利要求19所述的方法，其包含：
通过在形成于电介质材料(204；313；404)中的通孔中沉积电极材料形成所述第一电极(208；308；408-1、408-2)；及
在于所述第一电极(208；308；408-1、408-2)上形成所述绝缘性粘附材料(212；412-1、412-2)之前对所述第一电极(208；308；408-1、408-2)执行平面化工艺。
21.一种相变存储器结构，其包括：
底部电极(208；308；408-1、408-2)，其具有与电介质材料(204；313；404)接触的侧表面；
相变材料(103；216；316；416-1、416-2)，其在所述底部电极(208；308；408-1、408-2)与顶部电极(218；318；418-1、418-2)之间；
绝缘体材料(212；412-1、412-2)，其具有提供针对所述相变材料(103；216；316；416-1、416-2)的至少一部分的粘附性界面的第一部分；及
界面加热器(214；314；414-1、414-2)，其与所述底部电极(208；308；408-1、408-2)自对准且定位于所述底部电极(208；308；408-1、408-2)与所述相变材料(103；216；316；416-1、416-2)之间；其中所述界面加热器(214；314；414-1、414-2)为所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的经改质部分且为不同于所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的材料。
22.根据权利要求21所述的存储器结构，其中所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的所述第一部分形成于所述电介质材料(204；313；404)及所述底部电极(208；308；408-1、408-2)的经平面化表面上。
23.根据权利要求21所述的存储器结构，其中所述底部电极(208；308；408-1、408-2)形成于在所述电介质材料(204；313；404)中形成的通孔中，且其中由所述绝缘体材料(212；412-1、412-2)的所述第一部分提供的所述粘附性界面包含和所述相变材料(103；216；316；416-1、416-2)与所述电介质材料(204；313；404)之间的粘附性相比增加的粘附性。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/869,338 | 2010-08-26 | ||
| US12/869,338 US8243506B2 (en) | 2010-08-26 | 2010-08-26 | Phase change memory structures and methods |
| PCT/US2011/001437 WO2012026962A2 (en) | 2010-08-26 | 2011-08-17 | Phase change memory structures and methods |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103119708A CN103119708A (zh) | 2013-05-22 |
| CN103119708B true CN103119708B (zh) | 2015-06-17 |
Family
ID=45697095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201180045055.9A Active CN103119708B (zh) | 2010-08-26 | 2011-08-17 | 相变存储器结构及方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8243506B2 (zh) |
| JP (1) | JP5668141B2 (zh) |
| KR (1) | KR101503188B1 (zh) |
| CN (1) | CN103119708B (zh) |
| SG (1) | SG187957A1 (zh) |
| TW (1) | TWI456813B (zh) |
| WO (1) | WO2012026962A2 (zh) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8243506B2 (en) * | 2010-08-26 | 2012-08-14 | Micron Technology, Inc. | Phase change memory structures and methods |
| JP5674548B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-02-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置 |
| JP5824330B2 (ja) * | 2011-11-07 | 2015-11-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US8614911B2 (en) * | 2011-12-22 | 2013-12-24 | International Business Machines Corporation | Energy-efficient row driver for programming phase change memory |
| US8605497B2 (en) * | 2011-12-22 | 2013-12-10 | International Business Machines Corporation | Parallel programming scheme in multi-bit phase change memory |
| KR101911361B1 (ko) * | 2012-06-18 | 2019-01-04 | 삼성전자주식회사 | 멀티 레벨 셀을 갖는 비-휘발성 메모리소자 및 그 형성 방법 |
| US9082972B2 (en) | 2012-07-24 | 2015-07-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Bipolar resistive switch heat mitigation |
| US9153777B2 (en) * | 2013-06-03 | 2015-10-06 | Micron Technology, Inc. | Thermally optimized phase change memory cells and methods of fabricating the same |
| US8828866B1 (en) * | 2013-06-26 | 2014-09-09 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing a tantalum silicon nitride film |
| US20150028280A1 (en) * | 2013-07-26 | 2015-01-29 | Micron Technology, Inc. | Memory cell with independently-sized elements |
| US9563371B2 (en) | 2013-07-26 | 2017-02-07 | Globalfoundreis Inc. | Self-adjusting phase change memory storage module |
| WO2016028362A2 (en) * | 2014-06-06 | 2016-02-25 | The Regents Of The University Of Michigan | Directly heated rf phase change switch |
| KR102212377B1 (ko) | 2014-06-16 | 2021-02-04 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| US9425390B2 (en) | 2014-10-16 | 2016-08-23 | Micron Technology, Inc. | Select device for memory cell applications |
| US9793207B1 (en) | 2016-07-20 | 2017-10-17 | International Business Machines Corporation | Electrical antifuse including phase change material |
| FR3073075B1 (fr) | 2017-10-27 | 2020-09-04 | St Microelectronics Crolles 2 Sas | Point memoire a materiau a changement de phase |
| FR3073076A1 (fr) * | 2017-10-27 | 2019-05-03 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Point memoire a materiau a changement de phase |
| US11038101B2 (en) | 2017-11-21 | 2021-06-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure having a phase change memory device |
| US10693060B2 (en) * | 2018-04-27 | 2020-06-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Phase change memory structure and the same |
| US10622555B2 (en) | 2018-07-31 | 2020-04-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Film scheme to improve peeling in chalcogenide based PCRAM |
| US11659780B2 (en) * | 2019-03-05 | 2023-05-23 | International Business Machines Corporation | Phase change memory structure with efficient heating system |
| US10903422B2 (en) | 2019-04-11 | 2021-01-26 | International Business Machines Corporation | Vertically oriented memory structure |
| US11424406B2 (en) * | 2020-02-11 | 2022-08-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Generating self-aligned heater for PCRAM using filaments |
| US11271155B2 (en) | 2020-03-10 | 2022-03-08 | International Business Machines Corporation | Suppressing oxidation of silicon germanium selenium arsenide material |
| US20230247843A1 (en) * | 2022-02-02 | 2023-08-03 | Western Digital Technologies, Inc., | Method of making ovonic threshold switch selectors using microwave annealing |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1996570A (zh) * | 2005-12-28 | 2007-07-11 | 三星电子株式会社 | 非易失性存储器件及其制造方法 |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4077888B2 (ja) | 1995-07-21 | 2008-04-23 | 株式会社東芝 | セラミックス回路基板 |
| KR100190060B1 (ko) | 1996-07-16 | 1999-06-01 | 윤종용 | 실리사이드 형성 방법 |
| JP2001257327A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6545287B2 (en) * | 2001-09-07 | 2003-04-08 | Intel Corporation | Using selective deposition to form phase-change memory cells |
| US6869883B2 (en) * | 2002-12-13 | 2005-03-22 | Ovonyx, Inc. | Forming phase change memories |
| JP2005032855A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
| US20050029504A1 (en) * | 2003-08-04 | 2005-02-10 | Karpov Ilya V. | Reducing parasitic conductive paths in phase change memories |
| US6815704B1 (en) * | 2003-09-04 | 2004-11-09 | Silicon Storage Technology, Inc. | Phase change memory device employing thermally insulating voids |
| KR100629265B1 (ko) * | 2004-08-04 | 2006-09-29 | 삼성전자주식회사 | 국부적인 고저항영역을 구비하는 도전층 형성방법 및 이를사용하여 제조된 반도체 소자 |
| KR100612913B1 (ko) | 2004-12-16 | 2006-08-16 | 한국과학기술연구원 | ＡＩＮ 열방출층 및 ＴｉＮ 전극이 적용된 상변화 메모리 |
| EP1677372B1 (en) * | 2004-12-30 | 2008-05-14 | STMicroelectronics S.r.l. | Phase change memory and manufacturing method thereof |
| US7348590B2 (en) * | 2005-02-10 | 2008-03-25 | Infineon Technologies Ag | Phase change memory cell with high read margin at low power operation |
| EP1764837B1 (en) * | 2005-09-14 | 2009-08-05 | STMicroelectronics S.r.l. | Method of manufacturing a phase change memory device having a uniform heater height |
| US7324365B2 (en) * | 2006-03-02 | 2008-01-29 | Infineon Technologies Ag | Phase change memory fabricated using self-aligned processing |
| KR100791477B1 (ko) | 2006-08-08 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 유닛, 이의 제조 방법, 이를 포함하는상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101131137B1 (ko) | 2006-11-30 | 2012-04-03 | 삼성전자주식회사 | 확산 방지막을 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그제조방법 |
| US7767994B2 (en) | 2006-12-05 | 2010-08-03 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same |
| US7593254B2 (en) * | 2007-05-25 | 2009-09-22 | Micron Technology, Inc. | Variable resistance memory device with an interfacial adhesion heating layer, systems using the same and methods of forming the same |
| US9203024B2 (en) * | 2007-07-25 | 2015-12-01 | Intel Corporation | Copper compatible chalcogenide phase change memory with adjustable threshold voltage |
| US20090039331A1 (en) * | 2007-08-07 | 2009-02-12 | International Business Machines Corporation | Phase change material structures |
| US20090107290A1 (en) | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Los Alamos National Security, Llc | Plasma-based reduction of titanium oxides |
| US8080439B2 (en) * | 2008-02-28 | 2011-12-20 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of making a vertical phase change memory (PCM) and a PCM device |
| JP2009212202A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Elpida Memory Inc | 相変化メモリ装置およびその製造方法 |
| US7671355B2 (en) * | 2008-03-24 | 2010-03-02 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating a phase change memory and phase change memory |
| KR100973278B1 (ko) * | 2008-09-05 | 2010-08-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 기억 소자 및 그의 제조방법 |
| KR101019989B1 (ko) | 2008-10-21 | 2011-03-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법 |
| TWI441367B (zh) * | 2008-10-24 | 2014-06-11 | Ind Tech Res Inst | 多階記憶胞及其製造方法 |
| KR20100052300A (ko) | 2008-11-10 | 2010-05-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 기억 소자 및 그의 제조방법 |
| TWI418027B (zh) * | 2008-11-28 | 2013-12-01 | Powerchip Technology Corp | 相變化記憶裝置及其製造方法 |
| KR20100095141A (ko) * | 2009-02-20 | 2010-08-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 메모리 소자의 제조방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자의 제조방법 |
| US8097871B2 (en) * | 2009-04-30 | 2012-01-17 | Macronix International Co., Ltd. | Low operational current phase change memory structures |
| US9246093B2 (en) * | 2009-07-01 | 2016-01-26 | Micron Technology, Inc. | Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface |
| TWI449170B (zh) * | 2009-12-29 | 2014-08-11 | Ind Tech Res Inst | 相變化記憶體裝置及其製造方法 |
| US8243506B2 (en) * | 2010-08-26 | 2012-08-14 | Micron Technology, Inc. | Phase change memory structures and methods |
-
2010
- 2010-08-26 US US12/869,338 patent/US8243506B2/en active Active
-
2011
- 2011-08-17 CN CN201180045055.9A patent/CN103119708B/zh active Active
- 2011-08-17 WO PCT/US2011/001437 patent/WO2012026962A2/en active Application Filing
- 2011-08-17 JP JP2013525888A patent/JP5668141B2/ja active Active
- 2011-08-17 KR KR1020137006625A patent/KR101503188B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-17 SG SG2013014055A patent/SG187957A1/en unknown
- 2011-08-26 TW TW100130818A patent/TWI456813B/zh active
-
2012
- 2012-08-14 US US13/585,092 patent/US8493772B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1996570A (zh) * | 2005-12-28 | 2007-07-11 | 三星电子株式会社 | 非易失性存储器件及其制造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Interfacial structure and reaction mechanism of AlN/Ti joints;M. H. EL-SAYED et al.;《Journal of Materials Science》;19971231;第32卷(第10期);第2715-2721页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012026962A2 (en) | 2012-03-01 |
| KR20130042022A (ko) | 2013-04-25 |
| TW201214816A (en) | 2012-04-01 |
| JP5668141B2 (ja) | 2015-02-12 |
| US8243506B2 (en) | 2012-08-14 |
| SG187957A1 (en) | 2013-04-30 |
| CN103119708A (zh) | 2013-05-22 |
| JP2013536588A (ja) | 2013-09-19 |
| TWI456813B (zh) | 2014-10-11 |
| US20120307555A1 (en) | 2012-12-06 |
| WO2012026962A3 (en) | 2012-05-18 |
| US20120051123A1 (en) | 2012-03-01 |
| US8493772B2 (en) | 2013-07-23 |
| KR101503188B1 (ko) | 2015-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103119708B (zh) | 相变存储器结构及方法 | |
| US7381611B2 (en) | Multilayered phase change memory | |
| US7324365B2 (en) | Phase change memory fabricated using self-aligned processing | |
| CN102934229B (zh) | 电阻可变存储器单元结构及方法 | |
| EP2805351B1 (en) | Resistive memory cell structures and methods | |
| CN102870215B (zh) | 垂直晶体管相变存储器 | |
| US8288752B2 (en) | Phase change memory device capable of reducing disturbance and method of manufacturing the same | |
| CN102460684B (zh) | 经囊封相变单元结构及方法 | |
| US20050110983A1 (en) | Phase change memory devices with contact surface area to a phase changeable material defined by a sidewall of an electrode hole and methods of forming the same | |
| US8030734B2 (en) | Forming phase change memories with a breakdown layer sandwiched by phase change memory material | |
| US8686393B2 (en) | Integrated circuit semiconductor devices including channel trenches and related methods of manufacturing | |
| US8853044B2 (en) | Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same | |
| US20140097399A1 (en) | Phase change memory structures and methods | |
| US7545019B2 (en) | Integrated circuit including logic portion and memory portion | |
| US6770531B2 (en) | Adhesive material for programmable device | |
| US9362495B2 (en) | Confined resistance variable memory cells and methods | |
| US8546778B2 (en) | Resistance variable memory cells and methods | |
| KR100650718B1 (ko) | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 | |
| KR101052859B1 (ko) | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 | |
| WO2004017438A1 (en) | Adhesive material for programmable device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |