CN103066183A - 发光装置 - Google Patents
发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103066183A CN103066183A CN2012103347293A CN201210334729A CN103066183A CN 103066183 A CN103066183 A CN 103066183A CN 2012103347293 A CN2012103347293 A CN 2012103347293A CN 201210334729 A CN201210334729 A CN 201210334729A CN 103066183 A CN103066183 A CN 103066183A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mentioned
- recess
- light
- lead terminal
- fluorophor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Abstract
本发明提供一种发光装置,该发光装置具备:LED芯片;树脂封装件,其收纳第1引线端子的第1内侧部和第2引线端子(110)的第2内侧部,并且具有按照第1引线端子的第1内侧部的包含第1凹部的部分以及第2引线端子的第2内侧部的部分在底部露出的方式所形成的第2凹部;和树脂部,其包含在第1引线端子的第1凹部内及树脂封装件的第2凹部内填充的荧光体,在包含上述荧光体在内的树脂部之中的与LED芯片对置的区域中含有光反射性填充物。由此,获得以简单结构具有宽的配光特性的发光装置。
Description
技术领域
本发明涉及具备半导体发光元件的发光装置,特别涉及适合于使用了导光板的液晶显示装置、面状照明装置的发光装置。
背景技术
作为现有的第1发光装置,如图10所示,有时由透光性树脂820来密封发光元件810(例如参照JP特开2007-227791号公报(专利文献1))。在该发光装置的制造方法中,在树脂密封时,预先使透光性树脂中含有吸收来自发光元件的光从而发出具有不同波长的光的荧光物质830及扩散剂840,在将液状的透光性树脂通过灌封法(potting)供给至发光元件的周边之后,在透光性树脂内按照在靠近发光元件的部分集中存在的方式使荧光物质下沉,在与该荧光物质的下沉部分相比与发光元件分离开的部分中使扩散剂分散的状态下使透光性树脂硬化。
此外,作为现有的第2发光装置,如图11所示,有时折射率比硅酮树脂、氟系树脂等的透光性部件910小的部件920被填充在内部(例如参照JP特开2006-269487号公报(专利文献2))。在该发光装置中,通过使用部件920来填充洞穴部,即便透光性部件910因发光元件930工作时所产生的热量而要出现变形,部件920也可有效地抑制变形。再有,在上述发光装置中,使用折射率比透光性部件910还小的部件920,在从透光性部件910向洞穴部射出光时,使洞穴部的内面的光的折射变大,从而光在上侧的宽范围扩散,可抑制位于发光元件930正上方的透光性部件910的上面的发光强度比周围强,可防止在发光强度中产生不均匀。
在上述现有的第1发光装置中,由于使扩散剂均匀地分散在整个封装(内部),因此难以进行配光控制而获得较宽的指向角。再有,在上述现有的第1发光装置中,在LED芯片上必定会很亮的这一问题没有得到改善。
此外,在上述现有的第2发光装置中,需要设置洞穴部,但难以控制洞穴部的尺寸。此外,在上述现有的第2发光装置中,在微小的封装内的树脂表面上开凿洞穴等在制造方法中较为困难的,并且还会产生在设置洞穴部时树脂层容易出现裂纹等的问题。上述现有的第2发光装置的制造方法较难。
【现有技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】JP特开2007-227791号公报
【专利文献2】JP特开2006-269487号公报
发明内容
【发明要解决的课题】
为此,本发明的课题在于提供一种通过简单的结构而具有较宽的配光特性的发光装置。
【用于解决课题的技术方案】
为了解决上述课题,本发明的发光装置具备:
半导体发光元件;
引线端子,其形成了用于载置上述半导体发光元件的第1凹部;
树脂封装件,其收纳上述半导体发光元件和上述引线端子的包含上述第1凹部在内的部分,并且具有按照上述引线端子的包含上述第1凹部在内的部分在底部露出方式所形成的第2凹部;
树脂部,其包含在上述引线端子的上述第1凹部内及上述树脂封装件的上述第2凹部内填充的荧光体,
在包含上述荧光体在内的树脂部之中的至少与上述半导体发光元件对置的区域中含有光反射性填充物。
根据上述结构,当按照来自半导体发光元件的出射光的光轴在引线端子的第1凹部的开口面处成为大致垂直向外的方式,将半导体发光元件载置于第1凹部时,从半导体发光元件向外部(光轴方向)射出的光的一部分,透过包含在树脂封装件的第2凹部内填充的荧光体在内的树脂部,并且从半导体发光元件射出的光的另一部分被包含荧光体在内的树脂部之中至少与半导体发光元件对置的区域中包含的光反射性填充物进行反射之后,向树脂封装件的第2凹部的底侧行进,入射至树脂部的包含荧光体的区域。入射至该树脂部的包含荧光体在内的区域的光的一部分被荧光体进行波长变换,向外部放射。此外,从半导体发光元件的侧面向引线端子的第1凹部的底侧倾斜地射出的光的一部分也入射至树脂部的包含荧光体在内的区域而进行波长变换,并向外部射出。因此,能够得到较宽指向角的配光特性以及作为整体均匀颜色的发光特性。
例如,针对利用从侧面入射的光的反射而从上面(光射出面)取出光的导光板,利用具有宽的配光特性的上述发光装置而从导光板的侧面入射光,从而能够防止从导光板的光射出面射出的光的亮度不均匀,在使用导光板的液晶显示装置的显示画面上不会产生显示不均匀、亮度不均匀。此外,本发明的发光装置也能够适当地用于使用了导光板的面状照明装置等。
此外,在一实施方式的发光装置中,
上述引线端子是第1引线端子和第2引线端子,该第1引线端子具有连接了上述半导体发光元件的第1电极的第1内侧部以及与上述第1内侧部相连的第1外侧部、并在上述第1内侧部形成了上述第1凹部,该第2引线端子具有连接了上述半导体发光元件的第2电极的第2内侧部以及与上述第2内侧部相连的第2外侧部,
上述树脂封装件收纳上述半导体发光元件、上述第1引线端子的上述第1内侧部、上述第2引线端子的上述第2内侧部,并且按照上述第1引线端子的上述第1内侧部的包含上述第1凹部在内的部分以及上述第2引线端子的上述第2内侧部的一部分在底部露出的方式形成了上述第2凹部。
根据上述实施方式,从半导体发光元件射出的光的一部分被包含荧光体在内的树脂部之中至少与半导体发光元件对置的区域中包含的光反射性填充物进行反射之后,向树脂封装件的第2凹部的底侧行进的光不仅被荧光体进行波长变换,还由在树脂部的第2凹部的底部露出的第1引线端子的第1内侧部的包含第1凹部在内的部分以及第2引线端子的第2内侧部的一部分向外部反射。因此,获得更宽的配光特性。
此外,在一实施方式的发光装置中,
在包含上述荧光体在内的树脂部之中、上述半导体发光元件向与上述树脂封装件的上述第2凹部的底面大致垂直的方向投影的区域中含有上述光反射性填充物。
根据上述实施方式,从半导体发光元件向上方(光轴方向)与树脂封装件的第2凹部的底面大致垂直地射出的光的大部分,由包含荧光体在内的树脂部之中、半导体发光元件向与树脂封装件的第2凹部的底面大致垂直的方向投影的区域中含有的光反射性填充物进行反射,能够有效地降低该发光装置的配光特性中的半导体发光元件的出射光的光轴附近区域的光度。
此外,在一实施方式的发光装置中,
包含上述荧光体在内的树脂部具有向与上述树脂封装件的上述第2凹部的底面大致垂直的方向突出的凸透镜部。
根据上述实施方式,从半导体发光元件向与第2凹部的底面大致垂直的方向射出的光的一部分,即便透过树脂封装件的第2凹部内的树脂部,通过树脂部的凸透镜部也使得光展宽,能够更为有效地降低半导体发光元件的出射光的光轴附近区域的光度。
此外,在一实施方式的发光装置中,
上述半导体发光元件被搭载于上述引线端子的上述第1凹部的底面。
根据上述实施方式,由于半导体发光元件被搭载于引线端子的第1凹部的底面,因此能够由包围半导体发光元件的第1凹部的侧壁面有效地反射来自半导体发光元件的出射光。
此外,在一实施方式的发光装置中,
上述引线端子的上述第1凹部位于上述树脂封装件的上述第2凹部的底侧。
根据上述实施方式,由于引线端子的第1凹部位于树脂封装件的第2凹部的底侧,因此能够按照从半导体发光元件向出射方向展宽的方式形成树脂部,能够获得宽的配光特性。
此外,在一实施方式的发光装置中,
上述引线端子的上述第1凹部位于上述树脂封装件的上述第2凹部的底侧的大致中心。
根据上述实施方式,通过引线端子的第1凹部位于树脂封装件的第2凹部的底侧的大致中心处,能够按照从半导体发光元件向出射方向展宽的方式形成树脂部,能够获得没有偏颇的宽的配光特性。
此外,在一实施方式的发光装置中,
上述树脂封装件的上述第2凹部的开口形状为长方形,
上述引线端子的上述第1凹部的壁面是按照从上述引线端子的上述第1凹部的底面侧向开口逐渐变宽的方式平缓地倾斜的平缓斜面,
上述树脂封装件的上述第2凹部的壁面是按照从上述树脂封装件的第2凹部的底面侧向开口逐渐变宽的方式倾斜的倾斜面,
沿着上述树脂封装件的上述第2凹部的长边方向,顺序排列上述引线端子的上述第1凹部的底面、平缓斜面、上述引线端子的平面、上述树脂封装件的上述第2凹部的倾斜面,反射来自包含上述荧光体在内的树脂部的上述光反射性填充物的光和来自上述荧光体的光。
根据上述实施方式,沿着树脂封装件的第2凹部的长边方向,利用引线端子的第1凹部的底面、平缓斜面、引线端子的平面、树脂封装件的第2凹部的倾斜面,能够有效地反射来自树脂部的光反射性填充物和荧光体的光。
此外,在一实施方式的发光装置中,
上述树脂封装件的上述第2凹部的开口形状为长方形,
上述引线端子的上述第1凹部的壁面是按照从上述引线端子的上述第1凹部的底面侧向开口逐渐变宽的方式平缓地倾斜的平缓斜面,
上述树脂封装件的上述第2凹部的壁面是按照从上述树脂封装件的上述第2凹部的底面侧向开口逐渐变宽的方式倾斜的倾斜面,
沿着上述树脂封装件的上述第2凹部的短边方向,顺序排列上述引线端子的上述第1凹部的底面、平缓斜面、上述引线端子的平面、上述树脂封装件的上述第2凹部的倾斜面,反射来自包含上述荧光体在内的树脂部的上述光反射性填充物的光和来自上述荧光体的光。
根据上述实施方式,沿着树脂封装件的第2凹部的短边方向,利用引线端子的第1凹部的底面、平缓斜面、引线端子的平面、树脂封装件的第2凹部的倾斜面,能够有效地反射来自树脂部的光反射性填充物和荧光体的光。
此外,在一实施方式的发光装置中,
具有上述引线端子的上述第1凹部的底面、平缓斜面及上述引线端子的平面的部分由金属或者含有金属的层构成。
根据上述实施方式,由于具有引线端子的第1凹部的底面、平缓斜面及上述引线端子的平面的部分由金属(或者含有金属的层)构成,因此能够形成具有光泽的反射面,能够有效地反射来自树脂部的光反射性填充物和荧光体的光。
此外,在一实施方式的发光装置中,
上述引线端子的上述第1凹部的底面、平缓斜面及上述引线端子的平面由相同材质连续地形成。
根据上述实施方式,引线端子的第1凹部的底面、平缓斜面及引线端子的平面由相同材质连续地形成,从而能够无浪费地反射来自树脂部的光反射性填充物和荧光体的光。
此外,在一实施方式的发光装置中,
在包含上述荧光体在内的树脂部的表面附近且在与上述引线端子的上述第1凹部对置的区域中含有上述光反射性填充物。
根据上述实施方式,在包含荧光体在内的树脂部的表面附近且在与引线端子的第1凹部对置的区域中含有光反射性填充物,由此从半导体发光元件向上方(光轴方向)与树脂封装件的第2凹部的底面大致垂直地射出的光的大部分被光反射性填充物反射,能够有效地降低该发光装置的配光特性中的半导体发光元件的出射光的光轴附近区域的光度。
此外,在一实施方式的发光装置中,
包含上述荧光体在内的树脂部的上述荧光体在上述树脂封装件的上述第2凹部的底侧分布,并且在包含上述荧光体在内的树脂部的表面附近含有上述光反射性填充物。
根据上述实施方式,能够有效地将被树脂部的表面附近含有的光反射性填充物所反射的光,导向至包含在树脂封装件的第2凹部的底侧分布的荧光体在内的树脂部的区域。
此外,在一实施方式的发光装置中,
包含上述荧光体在内的树脂部的上述荧光体整体分散地进行分布,
在包含上述荧光体在内的树脂部的表面附近且在与上述引线端子的上述第1凹部对置的区域中含有上述光反射性填充物。
根据上述实施方式,能够通过在树脂部的整体分散进行分布的荧光体,针对由在树脂部的表面附近且与引线端子的第1凹部对置的区域中含有的光反射性填充物反射之后的光进行有效的波长变换。
【发明的效果】
如以上所述显而易见,根据本发明的发光装置,能够以简单的结构实现具有宽的配光特性的发光装置。
附图说明
本发明通过以下的详细说明以及附图能够充分地理解。添加的附图仅仅是为了说明,并不是为了限定本发明。
图1是该发明的第1实施方式的发光装置的立体图。
图2是上述发光装置的俯视图。
图3是图2的从A-A线观察的剖视图。
图4是图2的从B-B线观察的剖视图。
图5是上述发光装置的背面图。
图6是图2的从A-A线观察的剖视图。
图7是上述发光装置的变形例的剖视图。
图8是表示上述发光装置的配光特性的图。
图9是本发明的第2实施方式的发光装置的剖视图。
图10是现有的第1发光装置的剖视图。
图11是现有的第2发光装置的剖视图。
符号说明:
10...发光装置
100...第1引线端子
100a、110a...平面部
100b...底部
100c...侧壁部
100e...背面
102、112...端部
110...第2引线端子
120...LED芯片
130...树脂封装件
130a...上端
130b...侧壁部
140...第1凹部
150...第2凹部
160...接合线
170...荧光体
170a...绿荧光体
170b...红荧光体
172...树脂部
175...光反射性填充物
185...凸缘部
具体实施方式
以下,通过图示的实施方式详细说明本发明的发光装置。
〔第1实施方式〕
图1是表示本发明的第1实施方式的发光装置10的立体图。此外,图2是上述发光装置10的俯视图。此外,图3表示上述发光装置10的从图2的A-A线观察的剖视图,图4表示上述发光装置10的从图2的B-B线观察的剖视图。再有,图5表示上述发光装置10的背面图。再者,在图1~图5中,为了容易理解发光装置10的树脂封装件130内部及第1、第2引线端子100、110的结构,而没有图示引线、树脂等。
如图1、图2所示,该第1实施方式的发光装置10具有由PPA(聚邻苯二酰胺)构成的长方形状的树脂封装件130、1对第1、第2引线端子100、110。
上述第1引线端子100具有在树脂封装件130中收纳的第1内侧部、与该第1内侧部连结且位于树脂封装件130的外部的第1外侧部。在第1引线端子100的第1内侧部,通过压榨加工(しぼり加工)形成了用于载置作为半导体发光元件一例的长方形状的LED芯片120(图2所示)的第1凹部140。
上述第1引线端子100的第1凹部140具有长方形状的底部100b、包围其底部100b的周围的侧壁部100c。该第1凹部140的侧壁部100c的壁面是按照从第1引线端子100的第1凹部140的底面侧向开口逐渐展宽的方式平缓地倾斜的平缓斜面。
在上述第1引线端子100的第1凹部140的底部100b,按照长边方向朝向与树脂封装件130的长边方向相同方向的方式,安装在俯视时为长方形状的LED芯片120。在此,如图2所示,树脂封装件130的长边方向成为沿着LED芯片120的长边的方向,树脂封装件130的短边方向成为沿着LED芯片120的短边的方向。
另一方面,上述第2引线端子110具有被收纳在树脂封装件130中的第2内侧部、与该第2内侧部连结且位于树脂封装件130的外部的第2外侧部。该第2引线端子110与第1引线端子100隔离配置。
上述第1、第2引线端子100、110的第1、第2外侧部具有端部102、112,该端部102、112具有鸥翼(gull-wing)状的阶梯。
此外,如图3~图5所示,第1引线端子100的底部100b的背面(100e)从树脂封装件130露出。
在此,与LED芯片120的短边对应的反射面即与LED芯片120的长边方向对应的反射面由从LED芯片120侧顺序排列的第1引线端子100的第1凹部140的底部100b的平面、第1凹部140的侧壁部100c的平缓斜面、第1引线端子100的平面部100a的平面、(平面部110a的平面)、树脂封装件130的侧壁部130b的陡斜面构成。再者,在第2引线端子110侧的情况下,与LED芯片120的短边对应的反射面即与LED芯片120的长边方向对应的反射面由从LED芯片120侧顺序排列的第1引线端子100的第1凹部140的底部100b的平面、第1凹部140的侧壁部100c的平缓斜面、第1引线端子100的平面部100a的平面、第2引线端子110的平面部110a的平面、树脂封装件130的侧壁部130b的陡斜面构成。
此外,与LED芯片120的长边对应的反射面即与LED芯片120的短边方向对应的反射面由从LED芯片120侧顺序排列的第1引线端子100的第1凹部140的底部100b的平面、第1凹部140的侧壁部100c的平缓斜面、第1引线端子100的平面部100a的平面、树脂封装件130的侧壁部130b的陡斜面构成。
在上述发光装置中,第1引线端子100的第1凹部140的底部100b、侧壁部100c、平面部100a由金属(或者包含金属的层)构成,由相同的材质(铜合金)连续地形成。此外,树脂封装件130的侧壁部130b由树脂构成。
第1、第2引线端子100、110是由对材质为铜合金且厚度0.2mm的金属板进行加工而制作出的引线框形成。特别地,第1引线端子100的第1凹部140的底部100b及侧壁部100c是通过对引线框的一部分进行压榨加工而形成的。在此,在第1引线端子100的第1凹部140的侧壁部100c,形成有向短边方向外侧延伸的凸缘部185。
为了提高反射率,上述第1、第2引线端子100、110选择银作为材质,厚度为5μm。再者,第1、第2引线端子100、110也可以镀覆Cu、Ni、Au、Al合金、Mg合金、或者Al和Mg的合金等。
第1、第2引线端子100、110被树脂封装件130支撑。树脂封装件130是对第1、第2引线端子100、110进行嵌入成形而形成的。
将由第1引线端子100形成的细长形状的空穴作为第1凹部140,将由树脂封装件130的树脂制作出的细长形状的空穴作为第2凹部150。该第2凹部150的周围被侧壁部130b包围。上述树脂封装件130的第2凹部150的侧壁部130b的壁面是按照从第2凹部150的底面侧向开口逐渐展宽的方式倾斜的倾斜面。
此外,在该实施方式中,设定第1凹部140中短边0.4mm、长边1mm、深度0.2mm,设定第2凹部150中短边0.6mm、长边2.4mm、深度0.3mm。
第1、第2引线端子100、110在第2凹部150内彼此隔离配置。此外,为了第1、第2引线端子100、110的第1、第2外侧部分别与外部电源电连接,使树脂封装件130的短边侧的侧壁贯通并向外部弯折成鸥翼状而形成。在向外部延伸的第1、第2引线端子100、110的第1、第2外侧部的端部102、112,形成用于表面安装的端子底面102a、110a。
上述第1、第2引线端子100、110的端部102、112的端子底面102a、110a与焊盘(未图示)电连接。第1、第2引线端子100、110的端子底面102a、110a在表面安装时与电极焊盘(未图示)焊接。
此外,LED芯片120(宽度0.3mm、长度0.6mm)使用硅酮树脂安装在第1引线端子100的第1凹部140内的底部100b的搭载区域。将该LED芯片120的第1电极(未图示)经由接合线160(图6所示)与第1引线端子100(第1内侧部)的平面部100a电连接,将LED芯片120的第2电极(未图示)经由接合线160(图6所示)与第2引线端子110(第2内侧部)的平面部110a电连接。因此,从LED芯片120向侧方放射的光在树脂封装件130的第1凹部140的内壁面即侧壁部100c的平缓斜面被反射。
由于上述第1引线端子100使用反射率高的金属(材质:银、厚度5μm)进行了镀覆,因此与由PPA这种的塑料形成的树脂封装件130相比反射率较高。因此,从LED芯片120放射出的一部分光在具有高反射率的侧壁部100c被反射。由此,能够减少直接入射至树脂封装件130的侧壁部130b的光量,能够缓和树脂封装件130的第2凹部150的侧壁部130b变色,其结果能够降低亮度劣化。
图6是图示了接合线160、树脂部172的图2的从A-A线观察的剖视图。
以下简单说明上述发光装置的制造方法。
首先,在第1引线端子100的第1凹部140内和树脂封装件130的第2凹部150内填充含有荧光体170的硅酮树脂。
接着,在LED芯片120上填充含有光反射性填充物175的硅酮树脂。
接下来,在将硬化时间设定为5小时、将温度设定为150℃的条件下使硅酮树脂硬化,从而形成树脂部172。使得该树脂部172的光出射面180与树脂封装件130的侧壁部130b的上端130a大致一致。
在此,对于荧光体170(波长变换材料),作为将来自LED芯片120的出射光波长变换为绿色的绿荧光体170a使用(Si·Al)6(O·N)8:Eu,作为将来自LED芯片120的出射光波长变换为红色的红荧光体170b使用GaAlSiN3:Eu。此外,作为光反射性填充物175使用SiO2。再者,荧光体并不限于此,也可以是波长变换至蓝色的荧光体等,还可以根据LED芯片的发光波长等进行适当组合。
再者,也可以如图7所示的变形例那样,在LED芯片120上,在含有光反射性填充物175的树脂部172具有向上方突出的凸透镜部172a。
在该图7所示的发光装置中,从LED芯片120向上方放射的光被光反射性填充物175反射,再次入射至LED芯片120的方向及第1凹部140内的荧光体170侧或者第2凹部150的底侧的荧光体170,由荧光体170变换之后的光射出至树脂封装件130外。几乎没有从LED芯片120直接放射至外部的光。
在此,H为从光出射面180至凸部172a的顶点的距离、即凸部172a的高度。优选该距离H为1mm以下。之所以这样,是因为在将该实施方式的图7所示的发光装置用作液晶背光用光源时,从导光板的侧面入射光,故距离H为1mm以下最为合适。在该距离H大于1mm时,导光板的侧面与发光装置有可能接触。
接下来,参照图8说明该第1实施方式的发光装置的配光特性。在图8中,从LED芯片120向正上方的光被光反射性填充物175反射之后,在与LED芯片120的出射光的光轴偏离的方向上向外部射出。
此外,从LED芯片120朝向正上方的光到达光反射性填充物175,被光反射性填充物175反射而朝向搭载了LED芯片120的第2凹部150的底侧。由于第2凹部150的底侧的表面由具有高反射率的金属素材构成,因此被光反射性填充物175反射从而到达第2凹部150的底侧的光,被第1引线端子100的第1凹部140的底部100b的平面、第1凹部140的侧壁部100c的平缓斜面、第1引线端子100的平面部100a的平面、第2引线端子110的平面部110a的平面进行反射而朝向光出射面180,在与LED芯片120的出射光的光轴偏离的方向上向外部射出。
图8所示的配光特性在与LED芯片120的出射光的光轴相差35°~45°的方向上光度最高,在光轴(0°)附近光度较低。
之所以LED芯片120的出射光的光轴附近区域的光度低,是因为从LED芯片120沿着光轴(0°)出射的光被树脂部172中包含的光反射性填充物175进行反射,由此形成出射光的光度被降低的部分。
另一方面,被光反射性填充物175反射之后的光,被第1引线端子100的第1凹部140的底部100b的平面、第1凹部140的侧壁部100c的平缓斜面、第1引线端子100的平面部100a的平面、第2引线端子110的平面部110a的平面再次进行反射,从光反射性填充物175的周边的树脂部172的光出射面180向外部射出,与光轴相差一定角度的位置的光度较高。
再者,为了使被光反射性填充物175反射之后的光高效地入射至荧光体170(170a、170b),最好是荧光体170(170a、170b)下沉至树脂部172的底侧。即,根据光反射性填充物与荧光体的比重差,使得光反射性填充物在树脂部172的表面局部地存在。
在此,优选光反射性填充物175分散在第1凹部140上和平面部100a的一部分上。被光反射性填充物175反射之后的光能够激励第1引线端子100的第1凹部140的底部100b、第1凹部140的侧壁部100c、第1引线端子100的平面部100a、第2引线端子110的平面部110a上的荧光体170。
在上述第1实施方式中,作为光反射性填充物175的材料使用了SiO2,但是例如只要将TiO2、Al2O3等的透明的无机材料用于光反射性填充物即可。
在此,作为光反射性填充物175的SiO2的浓度优选0.1~8.0wt%,粒径D特别优选0.2~0.4μm。此外,SiO2的形状可使用球状、针状、片状等。
此外,通过设定光反射性填充物175的比重为2~3[g/cm3],荧光体170(170a、170b)的比重为4~5[g/cm3],能够在第1引线端子100的第1凹部140附近上(LED芯片120上)的硅酮树脂中分散光反射性填充物175。
此外,光反射性填充物175的材料为TiO2时的形状可使用球状、针状、片状等。此外,光反射性填充物175的材料为Al2O3时的形状可使用球状、针状、片状等。
在上述第1实施方式的发光装置中,在存在多对第1、第2引线端子100、110的引线框中,在树脂封装件130的成形、LED芯片120的安装、引线接合以及树脂部的填充之后,按每个发光装置切割引线框,从而获得各发光装置的单片。
在上述第1实施方式的发光装置中,按照来自LED芯片120的出射光的光轴在第1引线端子100的第1凹部140的开口面成为大致垂直向外的方式,将LED芯片120载置于第1凹部140。因此,从LED芯片120向外部(光轴方向)射出的光的一部分,透过包含在树脂封装件130的第2凹部150内填充的荧光体170在内的树脂部172,并且从LED芯片120射出的光的另一部分由包含荧光体170的树脂部172之中的与LED芯片120相对的区域中包含的光反射性填充物175反射之后,向树脂封装件130的第2凹部150的底侧行进,入射至树脂部172包含荧光体170的区域。入射至该树脂部172的包含荧光体170的区域的光的一部分被荧光体170进行波长变换,向外部放射。此外,从LED芯片120的侧面向第1引线端子100的第1凹部140的底侧倾斜地射出的光的一部分也入射至树脂部172的包含荧光体170的区域而进行波长变换,并向外部射出。因此,作为较宽指向角的配光特性整体而获得均匀颜色的发光特性。
根据上述发光装置,能够将具有良好配光特性的白色光入射至导光板。例如,针对利用从侧面入射的光的反射而从上面(光射出面)取出光的导光板,利用具有宽配光特性的上述发光装置从导光板的侧面入射光,能够防止从导光板的光射出面射出的光的亮度不均匀,在利用了导光板的液晶显示装置的显示画面不会产生显示不均匀、亮度不均匀。此外,本发明的发光装置还能够适当地用于使用了导光板的面状照明装置等。
此外,从上述LED芯片120射出的光的一部分在由包含荧光体170的树脂部172之中的与LED芯片120相对的区域中包含的光反射性填充物175进行反射之后,朝向树脂封装件130的第2凹部150的底侧行进的光不仅被荧光体170进行波长变换,而且还被在树脂部172的第2凹部150的底部露出的第1引线端子100的包含第1凹部140的部分以及第2引线端子110的一部分向外部反射。因此,可获得更宽的配光特性。
此外,从LED芯片120向上方(光轴方向)与树脂封装件130的第2凹部150的底面大致垂直地射出的光的大部分,被包含上述荧光体170的树脂部172之中、LED芯片120向与树脂封装件130的第2凹部150的底面大致垂直的方向进行投影的区域中含有的光反射性填充物175进行反射,能够有效地降低该发光装置的配光特性中的LED芯片120的出射光的光轴附近区域的光度。
此外,如图7所示,上述树脂部172在包含光反射性填充物175的区域,设置了向与树脂封装件130的第2凹部150的底面大致垂直的方向突出的透镜面为球面的凸透镜部172a。由此,从LED芯片120向外部(光轴方向)射出的光的一部分即便透过树脂封装件130的第2凹部150内的树脂部172,通过树脂部172的凸透镜部172a也使得光展宽,能够更为有效地降低LED芯片120的出射光的光轴附近区域的光度。再者,树脂部的凸透镜部并不限于包含光反射性填充物的区域,也可以形成更大的凸透镜部,并不限于球面透镜,也可以是非球面透镜等的其他形状的凸透镜。
此外,由于上述LED芯片120搭载于第1引线端子100的第1凹部140的底部100b,因此能够由包围LED芯片120的第1凹部140的侧壁部100c有效地反射来自LED芯片120的出射光。
此外,由于上述第1引线端子100的第1凹部140位于树脂封装件130的第2凹部150的底侧,因此能够按照从LED芯片120向出射方向展宽的方式形成树脂部172,能够获得较宽的配光特性。
此外,上述第1引线端子100的第1凹部140位于树脂封装件130的第2凹部150的底侧的大致中心处,从而能够按照从LED芯片120向出射方向展宽的方式形成树脂部172,能够获得没有偏颇的较宽的配光特性。
此外,利用沿着上述树脂封装件130的第2凹部150的长边方向顺序排列的、第1引线端子100的第1凹部140的底部100b的底面、侧壁部100c的平缓斜面、第1引线端子100的平面部100a的平面、(在第2引线端子110侧的情况下为平面部110a的平面)、树脂封装件130的第2凹部150的侧壁部130b的倾斜面,能够有效地反射来自树脂部172的光反射性填充物175和荧光体170的光。
此外,利用沿着上述树脂封装件130的第2凹部150的短边方向顺序排列的、第1引线端子100的第1凹部140的底部100b的底面、侧壁部100c的平缓斜面、第1引线端子100的平面部100a的平面、树脂封装件130的第2凹部150的侧壁部130b的倾斜面,能够有效地反射来自树脂部172的光反射性填充物175和荧光体170的光。
此外,上述第1引线端子100的第1凹部140的底部100b、侧壁部100c及第1引线端子100的平面部100a由金属(或者含有金属的层)构成,能够形成有光泽的反射面,能够有效地反射来自树脂部172的光反射性填充物175和荧光体170的光。
此外,上述第1引线端子100的第1凹部140的底部100b、侧壁部100c及第1引线端子100的平面部100a由相同材质连续地形成,能够无浪费地反射来自树脂部172的光反射性填充物175和荧光体170的光。
此外,在含有上述荧光体170的树脂部172的表面附近且与第1引线端子100的第1凹部140对置的区域中含有光反射性填充物175,由此从LED芯片120向上方(光轴方向)与树脂封装件130的第2凹部150的底面大致垂直地射出的光的大部分被光反射性填充物175反射,能够有效地降低该发光装置的配光特性中的LED芯片120的出射光的光轴附近区域的光度。
此外,能够将被上述树脂部172的表面附近含有的光反射性填充物175所反射的光,有效地导向至包含在树脂封装件130的第2凹部150的底侧分布的荧光体170在内的树脂部172的区域。
此外,通过在树脂部172的整体分散地分布的荧光体170,能够针对被在上述树脂部172的表面附近且与第1引线端子100的第1凹部140对置的区域中含有的光反射性填充物175进行反射的光进行均匀且有效的波长变换。
〔第2实施方式〕
图9表示本发明的第2实施方式的发光装置的剖视图。该第2实施方式的发光装置除了树脂部的荧光体和光反射性填充物的分布状态以外,采用与第1实施方式的发光装置相同的结构,对于同一结构部赋予同一参照序号。
首先,在第1凹部140和第2凹部150内填充含有荧光体170(170a、170b)的硅酮树脂172b。在硬化时间为1小时、温度为80℃的条件下进行硬化。
然后,在第2凹部150内填充含有光反射性填充物175的硅酮树脂172c(硬化时间5小时、温度150℃的条件)。由该硅酮树脂172b、172c构成树脂部172。再者,如图7所示,也可以在LED芯片120上在含有光反射性填充物175的硅酮树脂172c上设置凸透镜部。
(荧光体)
在此,对于荧光体170(波长变换材料),作为绿荧光体170a使用(Si·Al)6(O·N)8:Eu,作为红荧光体170b使用GaAlSiN3:Eu。
从LED芯片120向上方放射的光被光反射性填充物175反射,再入射至LED芯片120的方向及第1凹部140内的荧光体170侧或者第2凹部150底侧的荧光体170(170a、170b),由荧光体170(170a、170b)进行变换之后的光向树脂封装件130外部射出。几乎没有从LED芯片120上放射的光。
在上述第2实施方式的发光装置中,在具有多对第1、第2引线端子100、110的引线框中,在树脂封装件130的成形、LED芯片120的安装、引线接合及树脂部的填充之后,按每个发光装置切割引线框,从而获得各发光装置的单片。
上述第2实施方式的发光装置具有与第1实施方式的发光装置同样的效果。
在上述第1、第2实施方式中,说明了在树脂部172之中的与导体发光元件对置的区域含有光反射性填充物175的发光装置,但是也可以在含有荧光体的树脂部之中的与半导体发光元件对置的区域以外的区域中含有光反射性填充物。
以上说明了本发明的具体的实施方式,但是本发明并不限于第1、第2实施方式,能够在本发明的范围内进行各种变更来实施。
该发明的发光装置针对利用从侧面入射的光的反射而从上面取出光的导光板,以宽的配光特性入射光,由此能够防止从导光板的光射出面射出的光的亮度不均匀,能够适用于使用导光板的大型的面状照明装置、液晶显示装置。
Claims (15)
1.一种发光装置,其具备:
半导体发光元件;
引线端子,其形成了用于载置上述半导体发光元件的第1凹部;
树脂封装件,其收纳上述半导体发光元件和上述引线端子的包含上述第1凹部在内的部分,并且具有按照上述引线端子的包含上述第1凹部在内的部分在底部露出方式所形成的第2凹部;
树脂部,其包含在上述引线端子的上述第1凹部内及上述树脂封装件的上述第2凹部内填充的荧光体,
在包含上述荧光体在内的树脂部之中的至少与上述半导体发光元件对置的区域中含有光反射性填充物。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
上述引线端子是第1引线端子和第2引线端子,该第1引线端子具有连接了上述半导体发光元件的第1电极的第1内侧部以及与上述第1内侧部相连的第1外侧部、并在上述第1内侧部形成了上述第1凹部,该第2引线端子具有连接了上述半导体发光元件的第2电极的第2内侧部以及与上述第2内侧部相连的第2外侧部,
上述树脂封装件收纳上述半导体发光元件、上述第1引线端子的上述第1内侧部、以及上述第2引线端子的上述第2内侧部,并且按照上述第1引线端子的上述第1内侧部的包含上述第1凹部在内的部分以及上述第2引线端子的上述第2内侧部的一部分在底部露出的方式形成了上述第2凹部。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
在包含上述荧光体在内的树脂部之中、上述半导体发光元件向与上述树脂封装件的上述第2凹部的底面大致垂直的方向投影的区域中含有上述光反射性填充物。
4.根据权利要求1至3任一项所述的发光装置,其特征在于,
包含上述荧光体在内的树脂部具有向与上述树脂封装件的上述第2凹部的底面大致垂直的方向突出的凸透镜部。
5.根据权利要求1至4任一项所述的发光装置,其特征在于,
上述半导体发光元件被搭载于上述引线端子的上述第1凹部的底面。
6.根据权利要求1至5任一项所述的发光装置,其特征在于,
上述引线端子的上述第1凹部位于上述树脂封装件的上述第2凹部的底侧。
7.根据权利要求6所述的发光装置,其特征在于,
上述引线端子的上述第1凹部位于上述树脂封装件的上述第2凹部的底侧的大致中心。
8.根据权利要求1至7任一项所述的发光装置,其特征在于,
上述树脂封装件的上述第2凹部的开口形状为长方形,
上述引线端子的上述第1凹部的壁面是按照从上述引线端子的上述第1凹部的底面侧向开口逐渐变宽的方式平缓地倾斜的平缓斜面,
上述树脂封装件的上述第2凹部的壁面是按照从上述树脂封装件的第2凹部的底面侧向开口逐渐变宽的方式倾斜的倾斜面,
沿着上述树脂封装件的上述第2凹部的长边方向,顺序排列上述引线端子的上述第1凹部的底面、平缓斜面、上述引线端子的平面、上述树脂封装件的上述第2凹部的倾斜面,反射来自包含上述荧光体在内的树脂部的上述光反射性填充物的光和来自上述荧光体的光。
9.根据权利要求1至7任一项所述的发光装置,其特征在于,
上述树脂封装件的上述第2凹部的开口形状为长方形,
上述引线端子的上述第1凹部的壁面是按照从上述引线端子的上述第1凹部的底面侧向开口逐渐变宽的方式平缓地倾斜的平缓斜面,
上述树脂封装件的上述第2凹部的壁面是按照从上述树脂封装件的上述第2凹部的底面侧向开口逐渐变宽的方式倾斜的倾斜面,
沿着上述树脂封装件的上述第2凹部的短边方向,顺序排列上述引线端子的上述第1凹部的底面、平缓斜面、上述引线端子的平面、上述树脂封装件的上述第2凹部的倾斜面,反射来自包含上述荧光体在内的树脂部的上述光反射性填充物的光和来自上述荧光体的光。
10.根据权利要求8所述的发光装置,其特征在于,
具有上述引线端子的上述第1凹部的底面、平缓斜面及上述引线端子的平面的部分由金属或者含有金属的层构成。
11.根据权利要求9所述的发光装置,其特征在于,
具有上述引线端子的上述第1凹部的底面、平缓斜面及上述引线端子的平面的部分由金属或者含有金属的层构成。
12.根据权利要求8至11任一项所述的发光装置,其特征在于,
上述引线端子的上述第1凹部的底面、平缓斜面以及上述引线端子的平面由相同材质连续地形成。
13.根据权利要求1至12任一项所述的发光装置,其特征在于,
在包含上述荧光体在内的树脂部的表面附近且与上述引线端子的上述第1凹部对置的区域中含有上述光反射性填充物。
14.根据权利要求1至12任一项所述的发光装置,其特征在于,
包含上述荧光体在内的树脂部的上述荧光体在上述树脂封装件的上述第2凹部的底侧分布,并且在包含上述荧光体在内的树脂部的表面附近含有上述光反射性填充物。
15.根据权利要求1至12任一项所述的发光装置,其特征在于,
包含上述荧光体在内的树脂部的上述荧光体分散在整体地进行分布,
在包含上述荧光体在内的树脂部的表面附近且与上述引线端子的上述第1凹部对置的区域中含有上述光反射性填充物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011-200250 | 2011-09-14 | ||
JP2011200250A JP2013062393A (ja) | 2011-09-14 | 2011-09-14 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103066183A true CN103066183A (zh) | 2013-04-24 |
Family
ID=47829047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2012103347293A Pending CN103066183A (zh) | 2011-09-14 | 2012-09-11 | 发光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8785957B2 (zh) |
JP (1) | JP2013062393A (zh) |
CN (1) | CN103066183A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104251417A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 光源模组 |
WO2015139190A1 (zh) * | 2014-03-18 | 2015-09-24 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 一种led支架及led发光件 |
CN105428511A (zh) * | 2014-09-12 | 2016-03-23 | 株式会社东芝 | 半导体发光装置及导线架 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102143952A (zh) * | 2008-12-25 | 2011-08-03 | 松下电器产业株式会社 | 引线、配线构件、封装元件、附有树脂的金属元件、树脂密封的半导体器件、及它们的制造方法 |
US9728685B2 (en) * | 2013-02-28 | 2017-08-08 | Nichia Corporation | Light emitting device and lighting device including same |
JP6499387B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2019-04-10 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム及び発光装置 |
JP6107475B2 (ja) | 2013-06-28 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2015092529A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-05-14 | ソニー株式会社 | 発光装置、発光ユニット、表示装置、電子機器、および発光素子 |
JP6102670B2 (ja) * | 2013-10-07 | 2017-03-29 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP6365159B2 (ja) * | 2014-09-16 | 2018-08-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6557968B2 (ja) | 2014-12-25 | 2019-08-14 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 |
JP6648467B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2020-02-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6354626B2 (ja) * | 2015-03-09 | 2018-07-11 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
KR20170026801A (ko) | 2015-08-28 | 2017-03-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 광원모듈 |
JP6940775B2 (ja) * | 2018-10-30 | 2021-09-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US11227985B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-01-18 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040066140A1 (en) * | 2002-10-07 | 2004-04-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | LED device |
CN101794856A (zh) * | 2009-01-30 | 2010-08-04 | 索尼公司 | 光学元件封装件及其制造方法 |
US20110031525A1 (en) * | 2009-08-05 | 2011-02-10 | Takahiro Nemoto | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0720362B2 (ja) | 1989-10-31 | 1995-03-06 | 日本精工株式会社 | ハードディスク駆動用電動モータ |
EP2267801B1 (de) * | 1996-06-26 | 2015-05-27 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
JP3145956B2 (ja) | 1997-06-24 | 2001-03-12 | 三信工業株式会社 | 4サイクル船外機の支持装置 |
JP4066620B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2008-03-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法 |
JP2003101078A (ja) | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2004047748A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
US6841888B2 (en) * | 2003-06-04 | 2005-01-11 | Yazaki Corporation | Encapsulant for opto-electronic devices and method for making it |
JP4359195B2 (ja) | 2004-06-11 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット |
JP5085851B2 (ja) | 2005-03-22 | 2012-11-28 | 京セラ株式会社 | 発光装置および照明装置 |
US20070126020A1 (en) * | 2005-12-03 | 2007-06-07 | Cheng Lin | High-power LED chip packaging structure and fabrication method thereof |
JP2007227791A (ja) | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法および発光装置 |
KR100735325B1 (ko) * | 2006-04-17 | 2007-07-04 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
KR100771772B1 (ko) * | 2006-08-25 | 2007-10-30 | 삼성전기주식회사 | 백색 led 모듈 |
JP5122172B2 (ja) | 2007-03-30 | 2013-01-16 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
US7999283B2 (en) * | 2007-06-14 | 2011-08-16 | Cree, Inc. | Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes |
JP5180564B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2013-04-10 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
JP5025625B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2012-09-12 | 株式会社東芝 | 発光装置の製造方法 |
JP2009302339A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
KR20100030470A (ko) * | 2008-09-10 | 2010-03-18 | 삼성전자주식회사 | 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템 |
KR101021030B1 (ko) * | 2010-03-25 | 2011-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 형광체 코팅방법, 발광장치 제조방법 및 코팅된 형광체 |
JP5701523B2 (ja) * | 2010-06-22 | 2015-04-15 | 日東電工株式会社 | 半導体発光装置 |
EP2472578B1 (en) * | 2010-12-28 | 2020-06-03 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP5892160B2 (ja) * | 2011-04-26 | 2016-03-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
-
2011
- 2011-09-14 JP JP2011200250A patent/JP2013062393A/ja active Pending
-
2012
- 2012-09-11 CN CN2012103347293A patent/CN103066183A/zh active Pending
- 2012-09-13 US US13/612,988 patent/US8785957B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040066140A1 (en) * | 2002-10-07 | 2004-04-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | LED device |
CN101794856A (zh) * | 2009-01-30 | 2010-08-04 | 索尼公司 | 光学元件封装件及其制造方法 |
US20110031525A1 (en) * | 2009-08-05 | 2011-02-10 | Takahiro Nemoto | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104251417A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 光源模组 |
WO2015139190A1 (zh) * | 2014-03-18 | 2015-09-24 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 一种led支架及led发光件 |
CN105428511A (zh) * | 2014-09-12 | 2016-03-23 | 株式会社东芝 | 半导体发光装置及导线架 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8785957B2 (en) | 2014-07-22 |
US20130062649A1 (en) | 2013-03-14 |
JP2013062393A (ja) | 2013-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103066183A (zh) | 发光装置 | |
KR100772433B1 (ko) | 반사면을 구비하는 리드단자를 채택한 발광 다이오드패키지 | |
JP5810758B2 (ja) | 発光装置 | |
US10128423B2 (en) | Light emitting device and lighting apparatus having the same | |
KR101064036B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 | |
TWI261937B (en) | Light-emitting apparatus and illuminating apparatus | |
EP1246265A2 (en) | Light emitting device | |
EP2980867B1 (en) | Light emitting device package and display device including the same | |
EP1686630A2 (en) | Led device having diffuse reflective surface | |
KR102277127B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
CN102290500A (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
EP2518785A2 (en) | Light emitting device and illumination device using the same | |
KR102632553B1 (ko) | 백라이트 유닛 | |
JP5721668B2 (ja) | 発光装置、照明装置および表示装置用バックライト | |
CN106299076A (zh) | 一种量子点发光元件、背光模组和显示装置 | |
CN101846251B (zh) | 半导体发光装置及其制作方法、液晶显示装置用背光灯 | |
EP2346103A2 (en) | Light emitting device and backlight unit | |
CN211375266U (zh) | 光源结构、背光源、背光模组及显示装置 | |
EP2445020B1 (en) | Light emitting diode package structure | |
JP2003243724A (ja) | 発光装置 | |
JP3994094B2 (ja) | 発光ダイオードランプ | |
US10964859B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
KR101134409B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
KR100877775B1 (ko) | 반사면을 구비하는 리드단자를 채택한 발광 다이오드패키지 | |
KR20080062504A (ko) | 측면 발광 다이오드 패키지 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130424 |