CN103003364B - 可固化的有机聚硅氧烷组合物及光学半导体器件 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 198
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title claims abstract description 74
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 25
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 27
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 claims abstract description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 43
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 22
- 125000002769 thiazolinyl group Chemical group 0.000 claims description 22
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 4
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 1
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 abstract 1
- -1 methyl Chemical group 0.000 description 36
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 10
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 5
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 3
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 2
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYTGWYJWMAKBPN-UHFFFAOYSA-N [dimethyl(prop-2-enyl)silyl]oxy-dimethyl-prop-2-enylsilane Chemical compound C=CC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CC=C KYTGWYJWMAKBPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005133 alkynyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- FSIJKGMIQTVTNP-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-methyl-trimethylsilyloxysilane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C=C)C=C FSIJKGMIQTVTNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Natural products OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012764 mineral filler Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- UMFJXASDGBJDEB-UHFFFAOYSA-N triethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC=C)(OCC)OCC UMFJXASDGBJDEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
一种可固化的有机聚硅氧烷组合物,其可被用作用于光学半导体元件的密封剂或粘合剂,并包含至少以下组分:(A)含烯基的有机聚硅氧烷,其包含平均组成式的成分(A-1)和平均组成式的成分(A-2);(B)含有硅键合的氢原子并包含成分(B-1)、成分(B-2)以及,必要时,平均分子式的成分(B-3)的有机聚硅氧烷,成分(B-1)含有至少0.5wt.%的硅键合的氢原子并由平均分子式代表,成分(B-2)含有至少0.5wt.%的硅键合的氢原子并由平均组成式代表;及(C)氢化硅烷化反应催化剂。组合物可形成具有透光率和粘合能力的持久性能以及相对高的硬度的固化体。
Description
技术领域
本发明涉及可固化的有机聚硅氧烷组合物及光学半导体器件,所述光学半导体器件具有由前述组合物的固化体密封的和/或由前述组合物的固化体粘合的光学半导体元件。
要求了于2010年6月29日提交的日本专利申请第2010-147690号的优先权,该申请的内容在此通过引用方式并入。
背景技术
可固化的有机聚硅氧烷组合物被用于在具有光学半导体元件诸如光电耦合器、发光二极管、固态摄图元件或类似元件的光学半导体器件中密封和/或粘合光学半导体元件。要求这种组合物的固化体既不吸收,也不散射由半导体元件发射或接收的光。此外,为了改善光学半导体器件的可靠性,希望固化体不会变色或降低粘合强度。
日本未经审查的专利申请公开(在下文中被称为“Kokai”)2006-342200公开了可形成具有高硬度和高透光率的固化体的可固化的有机聚硅氧烷组合物。然而,由这种组合物产生的固化体在光学半导体器件的制造或使用过程中可容易被损坏,或者可从光学半导体元件或这种元件的包装上容易地脱层。
此外,Kokai 2007-63538和Kokai 2008-120843公开可形成具有极好的抗冲击性能的固化体的可固化的有机聚硅氧烷组合物。然而,由于随着时间的推移,这种固化体经受黄化,因此它们不适合于密封或粘合意图在高温下长时间使用的光学半导体器件的光学半导体元件。
本发明的目的是提供可形成固化体的可固化的有机聚硅氧烷组合物, 所述固化体具有透光性和粘合能力(bondablity)的持久性能并具有相对高的硬度。另一个目的是提供具有极好的可靠性的光学半导体器件。
发明公开内容
本发明的可固化的有机聚硅氧烷组合物包含至少以下组分:
(A)包含15至35wt.%的成分(A-1)和65至85wt.%的成分(A-2)的含烯基的有机聚硅氧烷,其中
成分(A-1)包含具有以下平均组成式的有机聚硅氧烷:
(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d
其中R1指定苯基、甲基或具有2至10个碳原子的烯基;全部R1基团中的0.4至50摩尔%是具有2至10个碳原子的烯基;甲基构成包含在R1中的甲基和苯基的总和的90摩尔%或更多;“a”、“b”、“c”和“d”是满足以下条件的数:0≤a≤0.05;0.9≤b≤1;0≤c≤0.03;0≤d≤0.03;且a+b+c+d=1;
成分(A-2)包含具有以下平均组成式的有机聚硅氧烷:
(R2 3SiO1/2)e(R2 2SiO2/2)f(R2SiO3/2)g(SiO4/2)h(HO1/2)i
其中R2指定苯基、甲基或具有2至10个碳原子的烯基;全部R2基团中的5至10摩尔%是具有2至10个碳原子的烯基;甲基构成包含在R2中的甲基和苯基的总和的90摩尔%或更多;“e”、“f”、“g”、“h”和“i”是满足以下条件的数:0.4≤e≤0.6;0≤f≤0.05;0≤g≤0.05;0.4≤h≤0.6;0.01≤i≤0.05;且e+f+g+h=1;
(B)以使得组分(B)中的硅键合的氢原子在每1摩尔组分(A)中的烯基总含量的0.5至2.0摩尔的范围内的量的含有硅键合的氢原子并包含10至50wt.%的成分(B-1)、50至90wt.%的成分(B-2)和0至30wt.%的成分(B-3)的有机聚硅氧烷,其中
成分(B-1)包含含有至少0.5wt.%的硅键合的氢原子并由以下平均分子式代表的有机聚硅氧烷:
R3 3SiO(R3 2SiO)j(R3HSiO)kSiR3 3
其中R3指定苯基或甲基;甲基构成包含在R3中的全部基团的90摩尔%或更多;“j”是在0至35的范围内的数;且“k”是在5至100的范围内的数;
成分(B-2)包含含有至少0.5wt.%的硅键合的氢原子并由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷:
(HR4 2SiO1/2)l(R4 3SiO1/2)m(R4 2SiO2/2)n(R4SiO3/2)o(SiO4/2)p(R5O1/2)q
其中R4指定苯基或甲基;甲基构成包含在R4中的全部基团的90摩尔%或更多;R5指定氢原子或具有1至10碳原子的烷基;且“l”、“m”、“n”、“o”、“p”和“q”是满足以下条件的数:0.4≤l≤0.7;0≤m≤0.2;0≤n≤0.05;0≤o≤0.5;0.3≤p≤0.6;0≤q≤0.05;且l+m+n+o+p=1;
成分(B-3)是由以下平均分子式代表的有机聚硅氧烷:
HR6 2SiO(R6 2SiO)rSiR6 2H
其中R6代表苯基或甲基;甲基构成包含在R6中的全部基团的至少90%;且“r”是10至100范围内的数;及
(C)足以使组合物固化的量的氢化硅烷化反应催化剂。
还可提供具有(D)热解法二氧化硅的本发明的组合物,所述(D)热解法二氧化硅具有20至200m2/g的BET比表面积并且以每100重量份的组分(A)至组分(C)的总和的1至10重量份的量被加入。
当本发明的组合物固化时,其形成如下的固化体:所述固化体具有根据JIS K 6253的30至70的范围内的D型硬度计硬度,并适合用作用于密封或粘合光学半导体元件尤其是发光二极管的剂。
本发明的光学半导体器件的特征在于:具有利用前述组合物的固化体密封和/或粘合的光学半导体元件。
发明效果
本发明的可固化的有机聚硅氧烷组合物的特征在于:形成具有透光性和粘合能力的持久性能并具有相对高的硬度的固化体。本发明的光学半导 体器件具有极好的可靠性的特征。
附图简述
图1是被说明为本发明的光学半导体器件的实例的表面贴装的发光二极管(LED)的截面图。
说明书中使用的参考数字
1由聚邻苯二酰胺树脂制成的壳体
2内部引线
3冲模垫
4粘合材料
5LED芯片
6结合线
7密封材料
发明详述
组分(A)其为本发明的组合物的主要组分,包含由以下描述的成分(A-1)和成分(A-2)组成的含烯基的有机聚硅氧烷。
成分(A-1)被用于改善组合物的可操作性以及固化体的机械强度。这种成分包含具有以下平均组成式的有机聚硅氧烷:
(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d
其中R1指定苯基、甲基或具有2至10个碳原子的烯基。R1的烯基可由乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基或己烯基代表。鉴于其反应性以及易于合成,乙烯基是优选的。然而,全部R1基团中的0.4至50摩尔%是烯基。这是因为,如果烯基的含量低于所推荐的下限,则组合物的固化体将具有低的机械强度,并且另一方面,如果烯基的含量超过所推荐的上限,则固化体将变得易碎。此外,当R1的甲基和苯基的总和被假定为100%时,甲 基应构成90摩尔%或更多。这是因为,如果甲基的含量低于所推荐的下限,则组合物的固化体在高温下可能容易获得颜色。此外,在上式中,“a”、“b”、“c”和“d”是代表硅氧烷结构单元的比并且满足以下条件的数:0≤a≤0.05;0.9≤b≤1;0≤c≤0.03;0≤d≤0.03;且a+b+c+d=1。如果“a”的值超过所推荐的上限,则这将导致这种成分的粘度显著下降。这又将削弱组合物的可操作性并使该成分易挥发,或者将减少固化过程中组合物的重量并减小固化体的硬度。另一方面,如果“c”和“d”的值超过所推荐的上限,则这将增加该成分的粘度,并且将削弱组合物的可操作性,或者将使固化体过于易碎。“b”的值由“a”、“c”和“d”的值确定。然而,如果“b”的值低于所推荐的下限,则将不能赋予组合物期望的粘度或者赋予固化体需要的硬度或机械强度。成分(A-1)可具有直链、环状、部分环状或者部分支链的分子结构。这种成分在25℃下是液体。这种成分在25℃下的粘度应该在3至1,000,000mPa·s,优选地在5至50,000mPa·s的范围内。如果粘度低于所推荐的下限,则该粘度将降低固化体的机械强度,并且另一方面,如果粘度超过所推荐的上限,则该粘度将削弱组合物的可操作性。
成分(A-1)可由以下给出的平均组成式表示的有机聚硅氧烷代表,其中Vi代表乙烯基,Me代表甲基,且Ph代表苯基。
(ViMe2SiO1/2)0.012(Me2SiO2/2)0.988
(ViMe2SiO1/2)0.007(Me2SiO2/2)0.993
(Me3SiO1/2)0.007(Me2SiO2/2)0.983(MeViSiO2/2)0.010
(Me3SiO1/2)0.01(MeViSiO1/2)0.01(Me2SiO2/2)0.96(MeSiO3/2)0.02
(ViMe2SiO1/2)0.005(Me2SiO2/2)0.895(MePhSiO2/2)0.100
此外,成分(A-1)可由以下给出的平均分子式表示的有机聚硅氧烷代表,Vi和Me与以上定义是相同的。
(MeViSiO2/2)3
(MeViSiO2/2)4
(MeViSiO2/2)5
成分(A-2)是意图赋予组合物的固化体硬度和机械强度的有机聚硅氧烷。这种成分由以下平均组成式代表:
(R2 3SiO1/2)e(R2 2SiO2/2)f(R2SiO3/2)g(SiO4/2)h(HO1/2)i
在这个式中,R2指定苯基、甲基或具有2至10个碳原子的烯基。R2的烯基可由乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基或己烯基代表。鉴于其反应性以及易于合成,乙烯基是优选的。然而,全部R2基团的5至10摩尔%是烯基。这是因为,如果烯基的含量低于所推荐的下限,则组合物的固化体将具有低的硬度和机械强度,并且另一方面,如果烯基的含量超过所推荐的上限,则固化体将变得易碎。此外,当R2的甲基和苯基的总和被假定为100%时,甲基应构成90摩尔%或更多。这是因为,如果甲基的含量低于所推荐的限度,则组合物的固化体在高温下可能容易获得颜色。此外,在上式中,“e”、“f”、“g”、“h”和“i”是代表硅氧烷结构单元和羟基的比并且满足以下条件的数:0.4≤e≤0.6;0≤f≤0.05;0≤g≤0.05;0.4≤h≤0.6;0.01≤i≤0.05;且e+f+g+h=1。如果“e”的值低于所推荐的下限,则将降低固化体的机械强度,并且另一方面,如果“e”的值超过所推荐的上限,则将不能赋予固化体足够的硬度。如果“f”的值超过所推荐的上限,则将不能赋予固化体足够的硬度。如果“g”的值超过所推荐的上限,则这将降低固化体的机械强度。如果“h”的值低于所推荐的下限,则将不能赋予固化体足够的硬度,并且另一方面,如果“h”的值超过所推荐的上限,则将削弱组合物中组分的可分散性并且将降低组合物的固化体的机械强度。最后,为了给予组合物良好的粘合能力,将“i”的值维持在所推荐的范围内是重要的。如果“i”的值低于所推荐的下限,则将不能给予组合物期望的粘合性能,并且另一方面,如果“i”的值超过所推荐的上限,则将削弱组合物中该成分的可分散性并且将不允许赋予组合物的固化体期望的机械强度和粘合能力。成分(A-2)可具有支链或网状分子结构。对这种成分在25℃下的粘度没有特别限制,并且其可以是液体或固体,条件是其与成分(A-1)可混溶。
成分(A-2)可由以下给出的平均组成式表示的有机聚硅氧烷代表,其中Vi、Me和Ph与以上定义是相同的。
(ViMe2SiO1/2)0.10(Me3SiO1/2)0.33(SiO4/2)0.57(HO1/2)0.03
(ViMe2SiO1/2)0.13(Me3SiO1/2)0.35(SiO4/2)0.52(HO1/2)0.02
(ViMePhSiO1/2)0.10(Me3SiO1/2)0.45(SiO4/2)0.45(HO1/2)0.03
(ViMe2SiO1/2)0.09(Me3SiO1/2)0.31(SiO4/2)0.60(HO1/2)0.04
(ViMe2SiO1/2)0.10(Me3SiO1/2)0.40(SiO4/2)0.50(HO1/2)0.03
建议组分(A)含有15至35wt.%的成分(A-1)和65至85wt.%的成分(A-2),且优选地含有20至30wt.%的成分(A-1)和70至80wt.%的成分(A-2)。如果成分(A-1)的含量超过所推荐的上限,则该含量将不能赋予组合物的固化体期望的硬度和机械强度,并且另一方面,如果成分(A-1)的含量低于所推荐的下限,则该含量将削弱组合物的可操作性并赋予固化体脆性。
如果组合物最终可以以高均匀性的状态来制备,则不需要预先混合组分(A)的成分(A-1)和成分(A-2)。从良好的可操作性的角度来看,组分(A)在25℃下应该是液体,并具有100至5,000,000mPa·s的范围内的粘度,优选地500至100,000mPa·s的范围内的粘度。
在组合物中组分(B)被用作交联剂。其包含如下的有机聚硅氧烷:其具有硅键合的氢原子并由成分(B-1)成分、(B-2)以及(如果需要的话)成分(B-3)组成。
成分(B-1)不仅作为交联剂,而且作为有效的界面粘合改进剂(interfacial bonding improver)。这种成分包含由以下平均分子式代表的有机聚硅氧烷:
R3 3SiO(R3 2SiO)j(R3HSiO)kSiR3 3
在该式中,R3指定苯基或甲基;甲基构成包含在R3中的所有基团的90摩尔%或更多。如果甲基的含量低于所推荐的限度,则固化体将在高温下获得颜色。在该式中,“j”是0至35的范围内的数;且“k”是5至100的范围内的数。如果“j”的值超过所推荐的上限,则将不能给予组合物良好的粘合能力。如果“k”的值低于所推荐的下限,则将不能给予组合物良好的粘合能力,并且另一方面,如果“k”的值超过所推荐的上限,则将获得低机械强度的固化体。此外,硅键合的氢原子的含量应该等于或大于0.5wt.%。 如果硅键合的氢原子的含量低于0.5wt.%,则将难以给予组合物良好的粘合能力。建议成分(B-1)在25℃下是液体,并具有25℃下3至10,000mPa·s的范围内的粘度,优选地5至5,000mPa·s的范围内的粘度。如果粘度低于所推荐的下限,则该粘度将削弱固化体的机械强度和粘合强度,并且另一方面,如果粘度超过所推荐的上限,则该粘度将削弱组合物的可操作性。
成分(B-1)可由以下给出的平均分子式表示的有机聚硅氧烷代表,其中Me和Ph与以上定义是相同的。
Me3SiO(MeHSiO)10SiMe3
Me3SiO(MeHSiO)80SiMe3
Me3SiO(Me2SiO)30(MeHSiO)30SiMe3
Me2PhSiO(MeHSiO)35SiMe2Ph
成分(B-2)不仅作为交联剂,而且作为用于改善固化体的机械强度以及聚集和粘合性能的有效的剂。成分(B-2)包含由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷:
(MR4 2SiO1/2)l(R4 3SiO1/2)m(R4 2SiO2/2)n(R4SiO3/2)o(SiO4/2)p(R5O1/2)q
在该式中,R4指定苯基或甲基。甲基构成包含在R4中的所有基团的90摩尔%或更多。如果甲基的含量低于所推荐的限值,则在高温下可使固化体着色。在上式中,R5指定氢原子或具有1至10个碳原子的烷基。具有1至10个碳原子的R5的烷基由甲基、乙基和异丙基代表。此外,在式中,“l”、“m”、“n”、“o”、“p”和“q”是代表硅氧烷结构单元与羟基或烷氧基的比并且满足以下条件的数:0.4≤l≤0.7;0≤m≤0.2;0≤n≤0.05;0≤o≤0.5;0.3≤p≤0.6;0≤q≤0.05;且l+m+n+o+p=1。如果“l”的值低于所推荐的下限,则将不能达到期望的硬度,并且另一方面,如果“l”的值超过所推荐的上限,则将降低该成分的分子量并且将不允许赋予固化体足够的机械强度。此外,如果“m”的值超过所推荐的上限,则将不能达到期望的硬度。如果“n”的值超过所推荐的上限,则将不能达到期望的硬度。如果“o”的值超过所推荐的上限,则将削弱该成分的可分散性,并且将不允许赋予固化体足够的机械强度。如果“p”的值低于所推荐的下限,则将不能达到期 望的硬度,并且另一方面,如果“p”的值超过所推荐的上限,则将削弱组合物中该成分的可分散性,并且将不允许获得期望的机械强度。最后,如果“q”的值超过所推荐的上限,则将降低该成分的分子量,并且将不允许赋予固化体足够的机械强度。该成分应该含有至少0.5wt.%的硅键合的氢原子。如果硅键合的氢原子的含量低于0.5wt.%,则将不能赋予固化体足够的机械强度。为了改善该成分与组合物的溶混性,该成分在25℃下应该是液体或固体。
成分(B-2)可由以下给出的平均组成式表示的有机聚硅氧烷代表,其中Me和Ph与以上定义是相同的。
(HMe2SiO1/2)0.67(SiO4/2)0.33
(HMe2SiO1/2)0.50(Me3SiO1/2)0.17(SiO4/2)0.33
(HMe2SiO1/2)0.65(PhSiO3/2)0.05(SiO4/2)0.30
成分(B-3)是用于控制固化体的硬度的任意的组分。该成分是由以下平均分子式代表的有机聚硅氧烷:
HR6 2SiO(R6 2SiO)rSiR6 2H
其中,R6指定苯基或甲基,且其中甲基构成包含在R6中的所有基团的至少90%。如果甲基的含量低于所推荐的下限,则在高温下将使固化体着色。在以上式中,“r”指定10至100的范围内的数。如果“r”低于所推荐的下限,则将难以给予固化体期望的硬度,并且另一方面,如果“r”的值超过所推荐的上限,则固化体将失去其机械强度。
成分(B-3)可被示例为由以下平均分子式表示的有机聚硅氧烷,其中Me和Ph与以上定义是相同的:
HMe2SiO(Me2SiO)20SiMe2H
HMe2SiO(Me2SiO)80SiMe2H
HMe2SiO(Me2SiO)50(MePhSiO)5SiMe2H
组分(B)含有10至50wt.%的成分(B-1)、50至90wt.%的成分(B-2)和0至30wt.%的成分(B-3),优选地含有25至45wt.%的成分(B-1)、 55至75wt.%的成分(B-2)和0至25wt.%的成分(B-3)。如果成分(B-1)的含量超过所推荐的上限,则该含量将降低固化体的机械强度,并且另一方面,如果成分(B-1)的含量低于所推荐的下限,则该含量将降低固化体的粘合性能。如果成分(B-2)的含量超过所推荐的上限,则该含量将降低固化体的粘合性能,并且另一方面,如果成分(B-2)的含量低于所推荐的下限,则该含量将降低固化体的机械强度。如果成分(B-3)的含量超过所推荐的上限,则这将降低固化体的硬度。如果最终可以获得高均匀性状态的最终组合物,则不需要预先混合组分(B)的前述成分。成分(B)在25℃下是液体。从良好的可操作性的角度来看,组分(B)在25℃下应该是液体,并具有5至100,000mPa·s的范围内的粘度,优选地10至50,000mPa·s的范围内的粘度。
以使得硅键合的氢原子在每1摩尔组分(A)中烯基的总含量的0.5至2.0摩尔的范围内,优选地0.8至1.8摩尔的范围内的量加入组分(B)。如果组分(B)的含量低于所推荐的下限,或者超过所推荐的上限,则该含量将不能赋予组合物的固化体期望的硬度、机械特性和粘合性能。
组分(C)是用于加速组合物的氢化硅烷化反应的氢化硅烷化反应催化剂。这样的催化剂可被示例为基于铂的催化剂,基于铂的化合物催化剂、金属铂催化剂、基于铑的催化剂或者基于钯的催化剂。从有效地加速组分(A)和组分(B)的氢化硅烷化反应且因此用于加速组合物的固化的角度来看,建议使用基于铂的催化剂。这样的催化剂可由以下代表:细的铂粉、铂黑、氯铂酸、醇改性的氯铂酸、氯铂酸的二烯烃络合物、铂的烯烃络合物;双乙酰乙酸铂、双乙酰丙酮酸铂,或类似的铂-羰基络合物;氯铂酸和二乙烯基-四甲基二硅氧烷的络合物、氯铂酸和四乙烯基-四甲基-环四硅烷的络合物,或者类似的氯铂酸和烯基硅氧烷的络合物;铂和二乙烯基四甲基-二硅氧烷的络合物、铂和四乙烯基四甲基-环四硅氧烷的络合物,或者类似的铂和烯基硅氧烷的络合物;氯铂酸和乙炔醇的络合物等。从氢化硅烷化效率的角度来看,建议使用铂和烯基硅氧烷的络合物。
烯基硅氧烷可由以下化合物示例:1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷;1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷;其中其甲基的一部分由 乙基、苯基等取代的烯基硅氧烷;或者类似的取代的烯基硅氧烷低聚物;或者其中其烯基硅氧烷的乙烯基由烯丙基、己烯基或类似基团取代的烯基硅氧烷低聚物。由于铂-烯基硅氧烷络合物的高稳定性,建议使用1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷。
此外,为了进一步改善铂-烯基硅氧烷络合物的稳定性,它们可与如下化合物结合:1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3-二烯丙基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二苯基二硅氧烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四苯基二硅氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷,或类似的烯基硅氧烷低聚物或有机硅氧烷低聚物诸如二甲基硅氧烷低聚物,尤其是烯基硅氧烷低聚物。
对其中可使用的组分(C)的量没有特别限制,条件是其加速组合物的固化。更具体地,建议以使得就重量单位计,铂类型的金属原子(尤其是该组分中的铂原子)的含量在0.01至500ppm,优选地0.01至100ppm,且更优选地0.1至50ppm的范围内的量加入组分(C)。如果组分(C)的含量低于所推荐的下限,则该含量将难以给予足够的固化,并且另一方面,如果组分(C)的含量超过所推荐的上限,则该含量将导致固化体着色。
为了改善组合物的可操作性和粘合性能,还可提供(D)具有20至200m2/g的BET比表面积的热解法二氧化硅。该组分应该以每100重量份的组分(A)、组分(B)和组分(C)的总和的1至10重量份的量使用。如果使用使得其BET比表面积低于或高于推荐范围的量的组分(D),则将削弱可操作性并且将不允许获得组合物的期望的粘度。此外,如果组分(D)的含量超过所推荐的上限,则将削弱透光性能。
为了延长贮存期以及在室温下的存储稳定性,还可提供具有组分(E)的组合物,所述组分(E)诸如1-乙炔基环己-1-醇、2-甲基-3-丁炔-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇,或者类似的炔醇;3-甲基-3-戊烯-1-炔;3,5-二甲基-3-己烯-1-炔,或类似的烯-炔化合物;1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四己烯基环四硅氧烷,或者类似的甲基烯基硅氧烷低聚物;二甲基双(3-甲基-1-丁炔-3-氧基)硅烷、甲基乙烯基双(3-甲基-1-丁炔-3-氧基)硅烷,或类似的炔氧基硅烷; 苯并三唑,或类似的氢化硅烷化反应抑制剂。
以足以在组分(A)、组分(B)和组分(C)的混合过程中抑制组合物的胶凝或固化的量且还以提供组合物的长期存储所需的量使用组分(E)。更具体地,建议以每100重量份的组分(A)、组分(B)和组分(C)的总和0.0001至5重量份,优选地0.01至3重量份的量加入该组分。
而且,为了进一步改善对固化过程中与组合物接触的基材的粘合,组合物可以与(F)增粘剂结合。这样的增粘剂可以是本领域中已知的一种并被用于加到氢化硅烷化反应可固化的有机聚硅氧烷组合物中。
组分(F)可被示例为以下化合物:具有4至20个硅原子以及直链、支链或环状分子结构并含有如下基团的有机硅烷或有机硅氧烷低聚物:三烷氧基甲硅烷氧基(诸如三甲氧基甲硅烷氧基或三乙氧基甲硅烷氧基)或三烷氧基甲硅烷基烷基(诸如三甲氧基甲硅烷基乙基或三乙氧基甲硅烷基乙基)和氢甲硅烷基或烯基(诸如乙烯基或烯丙基);具有4至20个硅原子以及直链、支链或环状分子结构并含有如下基团的有机硅烷或有机硅氧烷:三烷氧基甲硅烷氧基或三烷氧基甲硅烷基烷基和甲基丙烯酰氧基烷基(诸如3-甲基丙烯酰氧基丙基);具有4至20个硅原子以及直链、支链或环状分子结构并含有如下基团的有机硅烷或有机硅氧烷:三烷氧基甲硅烷氧基或三烷氧基甲硅烷基烷基和含环氧基的烷基(诸如3-环氧丙氧丙基、4-环氧丙氧基丁基、2-(3,4-环氧基环己基)乙基,或3-(3,4-环氧基环己基)丙基);氨基烷基三烷氧基硅烷和环氧基键合的烷基三烷氧基硅烷的反应产物;或者含环氧基的聚硅酸乙酯。具体实例是以下化合物:乙烯基三甲氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、氢三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧丙基三乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧丙基三乙氧基硅烷和3-氨丙基三乙氧基硅烷的反应产物;3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和由硅烷醇基团封端的甲基乙烯基硅氧烷低聚物的缩合反应产物;3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷和由硅烷醇基团封端的甲基乙烯基硅氧烷低聚物的缩合反应产物;及三(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)异氰脲酸酯。
从防止抵抗黄化以及透光性的下降的角度来看,当固化体在高温下使用很长一段时间时,优选的是,组分(F)不含有活性氮原子,例如,氨基。这种增粘剂优选地是具有25℃下1至500mPa·s的范围内的粘度的低粘度液体。
应该以不削弱固化性能,尤其是不引起固化体的颜色发生变化的量加入组分(F)。更具体地,应该以每100重量份的组分(A)、组分(B)和组分(C)的总和0.01至5重量份,优选地0.1至3重量份的量加入该组分。
在不与本发明的目的发生矛盾的限度内,除组分(D)以外,组合物可含有其它任意的组分诸如二氧化硅、玻璃、氧化锌或类似的无机填料;硅橡胶粉末;硅酮树脂、聚甲基丙烯酸酯树脂、或类似的树脂粉末;耐热剂、染料、颜料、阻燃剂、溶剂等。
从操作的角度来看,建议组合物是液体并具有25℃下10至1,000,000mPa·s的范围内的粘度。如果组合物意图被用作用于光学半导体元件的密封剂,则其应具有25℃下100至10,000mPa·s的范围内的粘度,并且如果组合物意图被用作用于光学半导体元件的粘合剂,则其应具有25℃下1,000至500,000mPa·s的范围内的粘度。
通过保持在室温下或者通过加热来使组合物固化。为了加速固化,建议通过加热来使组合物固化。加热温度应该在50至200℃的范围内。
组合物对以下物体提供了极好的粘合耐久性:钢、不锈钢、铝、铜、银、钛、钛合金或其它金属或合金;硅半导体、基于镓-磷的半导体、基于镓-砷化物的半导体、基于镓-氮化物的半导体,或类似的半导体元件;陶瓷、玻璃、热固性树脂,及含有极性基团的热塑性树脂,并且尤其是在使以上物体经受加热-冷却循环的情况下。
建议使组合物固化产生具有30至70范围内的硬度的固化体,所述硬度根据JIS K 6253通过D型硬度计测得。如果固化体的硬度低于所推荐的下限,则固化体将具有弱的内聚力和不足的强度和粘合能力,并且另一方面,如果硬度超过所推荐的上限,则固化体将产生脆性,并且固化体将不 能给与足够的粘合性能。
以下为本发明的光学半导体器件的详细描述。
本发明的光学半导体器件包括光学半导体元件,其通过由本发明的组合物形成的密封材料的固化体密封在壳体中,或者用由本发明的组合物形成的粘合材料的固化体粘合到壳体。光学半导体元件可包括发光二极管(LED)、半导体激光器、光电二极管、光电晶体管、固态摄图元件或者光电耦合器光发射器和接收器。最合适的应用为LED。
因为在LED中光从垂直方向上和水平方向上从半导体中发射,所以要求器件的部件由不吸收光并具有高透光率或高光反射系数的材料制成。支撑光学半导体元件的基材也不例外。这样的基材可由以下材料制成:银、金、铜或另外的导电金属;铝、镍或另外的不导电金属;PPA(聚邻苯二酰胺)、LCP(液晶聚合物),或另外的与白色颜料混合的热塑性树脂;环氧树脂、BT树脂、聚酰亚胺树脂、硅酮树脂,或类似的与白色颜料混合的热固性树脂;氧化铝、氮化铝(alumina nitride),或类似的陶瓷。因为本发明的组合物对半导体元件和基材提供了良好的粘合,所以组合物改善了所获得的光学半导体器件的可靠性。
参照图1更加详细地描述了本发明的光学半导体器件。图1是被显示为光学半导体器件的典型实例的单表面贴装类型的LED的截面图。图1的LED包括LED芯片5,其通过壳体1内部的粘合材料4模粘合到冲模垫3,所述壳体1由聚邻苯二酰胺树脂(PPA)制成。LED芯片5又通过结合线6线结合到内部引线2,并与壳体的内壁一起由密封材料7密封。在本发明的LED中,用于形成粘合材料4和/或密封材料7的组合物是本发明的可固化的有机聚硅氧烷组合物。
实施例
参照应用实施例和对比实施例将更加详细地进一步说明本发明的可固化的有机聚硅氧烷组合物和本发明的光学半导体器件。在这些应用实施例和对比实施例中,粘度值对应于25℃。
以下列出的是用于制备在应用实施例和对比实施例中显示的可固化 的有机聚硅氧烷组合物的成分的式,其中Vi代表乙烯基,Me代表甲基,且Ph代表苯基;Vi%表示在所有有机基团中乙烯基的百分比(摩尔%),且Me%表示在甲基和苯基的总和中甲基的百分比(摩尔%)。此外,在表中,SiH/Vi比是在成分(b-1)至成分(b-6)中的硅键合的氢原子的总数与1摩尔的包含在组合物中的成分(a-1)至成分(a-9)中的乙烯基的总和的比。
成分(a-1):具有60mPa·s的粘度并由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷(Vi%=2.06摩尔%;Me%=100摩尔%):
(Me2ViSiO1/2)0.042(Me2SiO2/2)0.958
成分(a-2):具有550mPa·s的粘度并由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷(Vi%=0.60摩尔%;Me%=100摩尔%):
(Me2ViSiO1/2)0.012(Me2SiO2/2)0.988
成分(a-3):具有4mPa·s的粘度并由以下平均分子式代表的有机聚硅氧烷(Vi%=50摩尔%;Me%=100摩尔%):
(MeViSiO2/2)4
成分(a-4):在25℃是固体并由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷(Vi%=5.8摩尔%;Me%=100摩尔%):
(Me2ViSiO1/2)0.09(Me3SiO1/2)0.43(SiO4/2)0.48(HO1/2)0.03
成分(a-5):在25℃是固体并由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷(Vi%=6.1摩尔%;Me%=100摩尔%):
(Me2ViSiO1/2)0.10(Me3SiO1/2)0.45(SiO4/2)0.45(HO1/2)0.02
成分(a-6):在25℃是固体并由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷(Vi%=5.8摩尔%;Me%=100摩尔%):
(Me2ViSiO1/2)0.09(Me3SiO1/2)0.43(SiO4/2)0.48(HO1/2)0.005
成分(a-7):在25℃是固体并由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷(Vi%=6.4摩尔%;Me%=100摩尔%):
(Me2ViSiO1/2)0.10(Me3SiO1/2)0.42(SiO4/2)0.48(HO1/2)0.07
成分(a-8):在25℃是固体并由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷(Vi%=8.5摩尔%;Me%=100摩尔%):
(Me2ViSiO1/2)0.17(Me3SiO1/2)0.50(SiO4/2)0.33(HO1/2)0.04
成分(a-9):具有25℃下500mPa·s的粘度并由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷(Vi%=4.8摩尔%;Me%=100摩尔%):
(Me2ViSiO1/2)0.05(Me3SiO1/2)0.30(SiO4/2)0.65(HO1/2)0.03
成分(b-1):具有10mPa·s的粘度,含有1.3wt.%的硅键合的氢原子,并由以下平均分子式代表的有机聚硅氧烷(Me%=100摩尔%):
Me3SiO(MeHSiO)10SiMe3
成分(b-2):具有200mPa·s的粘度,含有0.72wt.%的硅键合的氢原子,并由以下平均分子式代表的有机聚硅氧烷(Me%=100摩尔%):
Me3SiO(Me2SiO)30(MeHSiO)30SiMe3
成分(b-3):具有200mPa·s的粘度,含有0.34wt.%的硅键合的氢原子,并由以下平均分子式代表的有机聚硅氧烷(Me%=100摩尔%):
Me3SiO(Me2SiO)45(MeHSiO)15SiMe3
成分(b-4):具有120mPa·s的粘度,含有1.03wt.%的硅键合的氢原子,并由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷(Me%=100摩尔%):
(HMe2SiO1/2)0.67(SiO4/2)0.33
成分(b-5):具有130mPa·s的粘度,含有0.74wt.%的硅键合的氢原子,并由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷(Me%=100摩尔%):
(HMe2SiO1/2)0.50(Me3SiO1/2)0.17(SiO4/2)0.33
成分(b-6):具有200mPa·s的粘度,含有0.65wt.%的硅键合的氢原子,并由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷(Me%=75摩尔%):
(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40
成分(c):铂和1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的络合物的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷溶液(含有约4wt.%的金属铂)
成分(d-1):具有115至165m2/g的范围内的BET表面积并且通过用六甲基二硅氮烷(RX200,Nippon Aerosil Co.,Ltd.的产品)表面处理而疏水化的热解法二氧化硅
成分(d-2):具有30至50m2/g的范围内的BET表面积并且通过用六甲基二硅氮烷(NAX50,Nippon Aerosil Co.,Ltd.的产品)表面处理而疏水化的热解法二氧化硅
成分(e):1-乙炔基环己-1-醇
成分(f):3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和在分子的两个末端处由硅烷醇基团封端并具有30mPa·s的粘度的甲基乙烯基硅氧烷低聚物的缩合反应产物。
应用实施例和对比实施例中提到的可固化的有机聚硅氧烷组合物的粘度以及固化体的硬度、透光率和粘合强度通过以下描述的方法来测量。
[可固化的有机聚硅氧烷组合物的粘度]
在制备可固化的有机聚硅氧烷组合物之后的30分钟内通过粘度计(AR-550,TA Instrument Co.,Ltd.的产品)并通过在10(l/s)的剪切速度下,利用直径20mm的2°锥板来测量这一特性。
[固化体的硬度]
通过在150℃下挤压成形1小时而使可固化的有机聚硅氧烷形成为固化的片状体,并根据JIS K 6253利用D型硬度计来测量该片状体的硬度。
此外,将片状固化体在150℃的烘箱中保持1,000小时,然后通过与上述相同的方法测量耐热试验之后的硬度。
[固化体的透光性能]
可固化的有机聚硅氧烷组合物被夹在两个玻璃板之间并通过将其在150℃下保持1小时而固化。在25℃下通过能够测量任意波长的可见光(400nm至700nm的波长范围)的自动记录分光光度计(光程:0.1cm)来测量所获得的固化体的透光性能。通过从穿过玻璃和组合物的光透射中减去仅穿过玻璃的光透射来确定穿过固化体的光透射。表1中显示了波长450 nm所获得的透光率。
此外,将前述固化体在150℃的烘箱中保持1,000小时,且然后通过与上述相同的方法测量耐热试验之后的透光率。
[固化体的粘合强度]
由聚四氟乙烯制成的间隔物(宽度:10mm;长度:20mm;厚度:1mm)被夹在两个镀银的钢板(宽度:25mm;长度:50mm;厚度:1mm)之间。板和板之间的空隙填充有可固化的有机聚硅氧烷组合物,各板被夹在一起,并通过在150℃的热空气循环式烘箱中保持该组合物1小时而使组合物固化。冷却至室温之后,除去夹子和间隔物,在拉伸试验机中通过在互相相对的水平方向上拉伸所获得的试样来测量固化体的粘合强度。
此外,将前述试样在150℃的烘箱中保持1000小时,且然后通过与上述相同的方法测量耐热试验之后的粘合强度。
[应用实施例1至应用实施例4,对比实施例1至对比实施例6]
由表1中显示的组分比来制备可固化的有机聚硅氧烷组合物。表1中还显示了如以上所描述来测量的固化体的性能。
[应用实施例5至应用实施例8,对比实施例7至对比实施例12]
由表2中显示的组分比来制备可固化的有机聚硅氧烷组合物。表2中 还显示了如以上所描述来测量的固化体的性能。
工业适用性
本发明的可固化的有机聚硅氧烷组合物可被用作用于LED、半导体激光器、光电二极管、光电晶体管、固态摄图元件、光电耦合器光发射器和接收器等的光学半导体元件的密封剂和粘合剂。本发明的光学半导体器件 可被用作光学器件、光学仪器、照明装置、光照装置或类似的光学半导体器件。
Claims (6)
1.一种可固化的有机聚硅氧烷组合物,其包含至少以下组分:
(A)包含15至35wt.%的成分(A-1)和65至85wt.%的成分(A-2)的含烯基的有机聚硅氧烷,其中
成分(A-1)包含具有以下平均组成式的有机聚硅氧烷:
(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d
其中R1指定苯基、甲基或具有2至10个碳原子的烯基;全部R1基团中的0.4至50摩尔%是具有2至10个碳原子的烯基;甲基构成包含在R1中的甲基和苯基的总和的90摩尔%或更多;“a”、“b”、“c”和“d”是满足以下条件的数:0e a e0.05;0.9e b e1;0e c e0.03;0e d e0.03;且a+b+c+d=1;
其中所述成分(A-1)在25℃时是液体,且应具有在25℃时3至1,000,000mPa·s的粘度;
成分(A-2)包含具有以下平均组成式的有机聚硅氧烷:
(R2 3SiO1/2)e(R2 2SiO2/2)f(R2SiO3/2)g(SiO4/2)h(HO1/2)i
其中R2指定苯基、甲基或具有2至10个碳原子的烯基;全部R2基团中的5至10摩尔%是具有2至10个碳原子的烯基;甲基构成包含在R2中的甲基和苯基的总和的90摩尔%或更多;“e”、“f”、“g”、“h”和“i”是满足以下条件的数:0.4e e e0.6;0e f e0.05;0e g e0.05;0.4e h e0.6;0.01eie0.05;且e+f+g+h=1;
(B)以使得组分(B)中的硅键合的氢原子在每1摩尔组分(A)中的烯基总含量的0.5至2.0摩尔的范围内的量的含有硅键合的氢原子并包含10至50wt.%的成分(B-1)、50至90wt.%的成分(B-2)和0至30wt.%的成分(B-3)的有机聚硅氧烷,其中
成分(B-1)包含含有至少0.5wt.%的硅键合的氢原子并由以下平均分子式代表的有机聚硅氧烷:
R3 3SiO(R3 2SiO)j(R3H SiO)k SiR3 3
其中R3指定苯基或甲基;甲基构成包含在R3中的全部基团的90摩尔%或更多;“j”是在0至35的范围内的数;且“k”是在5至100的范围内的数;
其中成分(B-1)在25℃时是液体,并且应具有在25℃时3至10,000mPa·s的粘度;
成分(B-2)包含含有至少0.5wt.%的硅键合的氢原子并由以下平均组成式代表的有机聚硅氧烷:
(HR4 2SiO1/2)l(R4 3SiO1/2)m(R4 2SiO2/2)n(R4SiO3/2)o(SiO4/2)p(R5O1/2)q
其中R4指定苯基或甲基;甲基构成包含在R4中的全部基团的90摩尔%或更多;R5指定氢原子或具有1至10碳原子的烷基;且“l”、“m”、“n”、“o”、“p”和“q”是满足以下条件的数:0.4e l e0.7;0e m e0.2;0e n e0.05;0eo e0.5;0.3e p e0.6;0e q e0.05;且l+m+n+o+p=1;
成分(B-3)是由以下平均分子式代表的有机聚硅氧烷:
HR6 2SiO(R6 2SiO)r SiR6 2H
其中R6代表苯基或甲基;甲基构成包含在R6中的全部基团的至少90%;且“r”是10至100范围内的数;及
(C)足以使组合物固化的量的氢化硅烷化反应催化剂。
2.如权利要求1所述的可固化的有机聚硅氧烷组合物,还包含(D)热解法二氧化硅,所述热解法二氧化硅具有20至200m2/g的BET比表面积并且以每100重量份的组分(A)至组分(C)的总和的1至10重量份的量被加入。
3.如权利要求1所述的可固化的有机聚硅氧烷组合物,所述可固化的有机聚硅氧烷组合物的固化形成具有根据JIS K6253的30至70范围内的D型硬度计硬度的固化体。
4.如权利要求1所述的可固化的有机聚硅氧烷组合物,其包含用于光学半导体元件的密封剂或粘合剂。
5.如权利要求4所述的可固化的有机聚硅氧烷组合物,其中所述光学半导体元件是发光二极管。
6.一种光学半导体器件,其中利用如权利要求1所述的可固化的有机聚硅氧烷组合物的固化体来密封和/或粘合光学半导体元件。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010147690A JP5534977B2 (ja) | 2010-06-29 | 2010-06-29 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体装置 |
JP2010-147690 | 2010-06-29 | ||
PCT/JP2011/065247 WO2012002560A1 (en) | 2010-06-29 | 2011-06-28 | Curable organopolysiloxane composition and optical semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103003364A CN103003364A (zh) | 2013-03-27 |
CN103003364B true CN103003364B (zh) | 2014-10-08 |
Family
ID=44477657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201180028769.9A Active CN103003364B (zh) | 2010-06-29 | 2011-06-28 | 可固化的有机聚硅氧烷组合物及光学半导体器件 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8772812B2 (zh) |
EP (1) | EP2588538B1 (zh) |
JP (1) | JP5534977B2 (zh) |
KR (1) | KR101722089B1 (zh) |
CN (1) | CN103003364B (zh) |
TW (1) | TWI512044B (zh) |
WO (1) | WO2012002560A1 (zh) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5680889B2 (ja) | 2010-06-29 | 2015-03-04 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体装置 |
JP5693063B2 (ja) * | 2010-07-01 | 2015-04-01 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 |
JP5817377B2 (ja) * | 2011-09-20 | 2015-11-18 | 住友ベークライト株式会社 | シリコーンゴム系硬化性組成物、シリコーンゴムの製造方法、シリコーンゴム、成形体および医療用チューブ |
JP6057503B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2017-01-11 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 光半導体素子封止用硬化性シリコーン組成物、樹脂封止光半導体素子の製造方法、および樹脂封止光半導体素子 |
JP5706357B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2015-04-22 | 富士フイルム株式会社 | 基板モジュールおよびその製造方法 |
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JP6081774B2 (ja) * | 2012-10-30 | 2017-02-15 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 |
EP2918638B1 (en) | 2012-11-09 | 2017-09-06 | Sumitomo Seika Chemicals Co. Ltd. | Silicone resin composition, cured silicone resin, and sealed optical semiconductor element |
US9470395B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-10-18 | Abl Ip Holding Llc | Optic for a light source |
CA3015068C (en) | 2013-05-10 | 2019-07-16 | Abl Ip Holding Llc | Silicone optics |
JP6467125B2 (ja) * | 2013-06-27 | 2019-02-06 | 株式会社カネカ | 硬化性樹脂組成物、該組成物を硬化させてなる硬化物 |
KR102189563B1 (ko) * | 2013-08-19 | 2020-12-11 | 스미또모 세이까 가부시키가이샤 | 부가 경화형 실리콘 수지 조성물, 부가 경화형 실리콘 수지 경화물 및 광 반도체 소자 봉지체 |
KR102151835B1 (ko) * | 2013-08-20 | 2020-09-03 | 스미또모 세이까 가부시키가이샤 | 축합 경화형 실리콘 수지 조성물, 축합 경화형 실리콘 수지 경화물, 및 광 반도체 소자 봉지체 |
WO2015083446A1 (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 住友精化株式会社 | 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、付加硬化型シリコーン樹脂硬化物、及び、光半導体素子封止体 |
JP6258048B2 (ja) * | 2014-01-28 | 2018-01-10 | 信越化学工業株式会社 | 有機変性シリコーン樹脂組成物 |
WO2015129140A1 (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | 住友精化株式会社 | 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、付加硬化型シリコーン樹脂硬化物、及び、光半導体素子封止体 |
TWI506058B (zh) * | 2014-03-18 | 2015-11-01 | Benq Materials Corp | 可固化矽樹脂組成物 |
KR20170016382A (ko) * | 2014-06-03 | 2017-02-13 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 경화성 실리콘 조성물 및 광반도체 장치 |
JP6592438B2 (ja) * | 2014-07-30 | 2019-10-16 | 住友精化株式会社 | シリコーン樹脂組成物、シリコーン樹脂硬化物、及び、光半導体素子封止体 |
EP3133105B1 (en) | 2015-07-31 | 2020-12-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Hydrosilyl-containing organopolysiloxane, making method, addition curable silicone composition, and semiconductor package |
TWI705582B (zh) | 2016-01-15 | 2020-09-21 | 日商西鐵城時計股份有限公司 | 縮合反應型晶粒接合劑、led發光裝置及其製造方法 |
JP6776954B2 (ja) * | 2016-04-15 | 2020-10-28 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化性シリコーン樹脂組成物 |
JP6702224B2 (ja) | 2017-02-17 | 2020-05-27 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置用ダイアタッチ材 |
KR102226981B1 (ko) | 2017-02-27 | 2021-03-15 | 듀폰 도레이 스페셜티 머티리얼즈 가부시키가이샤 | 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 반도체 장치 |
TWI762649B (zh) | 2017-06-26 | 2022-05-01 | 日商杜邦東麗特殊材料股份有限公司 | 黏晶用固化性矽組合物 |
TWI791554B (zh) * | 2017-07-31 | 2023-02-11 | 美商陶氏有機矽公司 | 可固化有機聚矽氧烷組成物及光學半導體裝置 |
CN109749461A (zh) * | 2018-12-30 | 2019-05-14 | 苏州桐力光电股份有限公司 | 一种光学透明硅树脂 |
JP7094926B2 (ja) | 2019-09-02 | 2022-07-04 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置用ダイアタッチ材 |
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JP4648099B2 (ja) | 2005-06-07 | 2011-03-09 | 信越化学工業株式会社 | ダイボンディング用シリコーン樹脂組成物 |
JP2007063538A (ja) | 2005-08-03 | 2007-03-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 発光ダイオード用付加硬化型シリコーン樹脂組成物 |
US7592399B2 (en) * | 2005-12-19 | 2009-09-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy/silicone hybrid resin composition and optical semiconductor device |
JP2008120843A (ja) | 2006-11-08 | 2008-05-29 | Momentive Performance Materials Japan Kk | 光透過性シリコーンレジンと光透過性シリコーンレジン組成物および光半導体装置 |
JP5273856B2 (ja) | 2008-12-17 | 2013-08-28 | 西日本電信電話株式会社 | Ip電話通信装置、ip電話通信中継装置およびip電話通信方法 |
JP5526823B2 (ja) * | 2009-02-24 | 2014-06-18 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン樹脂で封止された光半導体装置 |
JP5680889B2 (ja) | 2010-06-29 | 2015-03-04 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体装置 |
-
2010
- 2010-06-29 JP JP2010147690A patent/JP5534977B2/ja active Active
-
2011
- 2011-06-21 TW TW100121710A patent/TWI512044B/zh active
- 2011-06-28 US US13/806,879 patent/US8772812B2/en active Active
- 2011-06-28 CN CN201180028769.9A patent/CN103003364B/zh active Active
- 2011-06-28 KR KR1020127032664A patent/KR101722089B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-28 EP EP11738058.4A patent/EP2588538B1/en active Active
- 2011-06-28 WO PCT/JP2011/065247 patent/WO2012002560A1/en active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN101796139A (zh) * | 2007-07-31 | 2010-08-04 | 道康宁东丽株式会社 | 可固化的硅氧烷组合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012012434A (ja) | 2012-01-19 |
KR20130112712A (ko) | 2013-10-14 |
US8772812B2 (en) | 2014-07-08 |
EP2588538B1 (en) | 2014-04-30 |
TWI512044B (zh) | 2015-12-11 |
CN103003364A (zh) | 2013-03-27 |
EP2588538A1 (en) | 2013-05-08 |
KR101722089B1 (ko) | 2017-03-31 |
US20130134609A1 (en) | 2013-05-30 |
WO2012002560A1 (en) | 2012-01-05 |
TW201213443A (en) | 2012-04-01 |
JP5534977B2 (ja) | 2014-07-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |