CN102981291B - 断线修补方法和断线修补结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种断线修补方法和断线修补结构，其中，断线修补方法包括步骤：形成连接扫描线的断线两端的第一修补线；形成覆盖所述第一修补线的绝缘层；形成连接数据线的断线两端的第二修补线，所述第二修补线与第一修补线的交叉处具有所述绝缘层。本发明通过在修补的第一修补线和第二修补线之间隔离绝缘层，有效避免了扫描线和数据线断线交叉处发生短路，实现了同时修补两个金属层交叉处断线，提高了断线修补良率。

Description

断线修补方法和断线修补结构
技术领域
本发明涉及到液晶显示领域，特别涉及到一种液晶面板的断线修补方法和断线修补结构。
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)因其体积薄、重量轻、画面质量优异、功耗低、寿命长、数字化和无辐射等优点在各种大、中、小的产品上得到广泛应用，几乎涵盖了当今信息社会的主要电子产品，例如，电视、电脑、手机、GPS（全球定位系统）、车载显示、公共显示等。
TFT-LCD是半导体技术和液晶显示技术相结合的产物，TFT阵列的制作是整个TFT-LCD制造中技术难度最大的部分。TFT阵列制程包括形成扫描线、绝缘层、半导体层、数据线、透明电极层等，在TFT阵列制程中，如图1a至图1c所示，在形成数据线12后，如果有杂质13残留在扫描线11与数据线12的交叉处时（如图1a所示），需要对杂质13进行移除，通常采用的方法是对杂质13进行激光照射以去除杂质13。但是在激光照射去除杂质13的同时，激光会打断其照射到的其他地方，如扫描线11、数据线12等，杂质13位于扫描线11与数据线12的交叉处，因此在去除杂质13的时候，激光不可避免地会打断扫描线11和数据线12（如图1b所示）；同时，其他原因也可能造成扫描线11与数据线12的交叉处出现断线。
为提高TFT-LCD的显示效果，一般都会对扫描线11与数据线12交叉处的断线进行修补。如果直接对扫描线11和数据线12的交叉处进行镀线修补，则会造成扫描线11的修补线14与数据线的修补线15直接接触，而使扫描线11与数据线12短路（如图1c所示），从而影响该扫描线11与数据线12对应的像素区域的显示。因此，现有技术中，对扫描线11与数据线12的交叉处的断线一般只能在TFT阵列制程完成后再进行修补，但TFT阵列制程完成后的修补工序比较复杂，而形成数据线12后的制程也可能造成扫描线11与数据线12交叉处的断线无法修补。
因此，如何修补扫描线11与数据线12交叉处的断线成为TFT阵列制程中亟待解决的问题之一。
发明内容
本发明的主要目的为提供一种提高断线不良修补率的断线修补方法和断线修补结构。
本发明提出一种断线修补方法，包括步骤：
形成连接扫描线的断线两端的第一修补线；
形成覆盖所述第一修补线的绝缘层；
形成连接数据线的断线两端的第二修补线，所述第二修补线与第一修补线的交叉处具有所述绝缘层。
优选地，所述形成覆盖所述第一修补线的绝缘层的步骤具体包括：
形成部分覆盖第一修补线的绝缘层。
优选地，所述形成覆盖所述第一修补线的绝缘层的步骤具体包括：
预先设置第二修补线的形成位置；
根据设置的第二修补线的形成位置确定第一修补线与第二修补线的交叉位置；
在第一修补线与第二修补线的交叉位置形成覆盖该交叉位置的绝缘层。
优选地，所述形成覆盖所述第一修补线的绝缘层的步骤具体包括：
涂布绝缘膜层；
对该绝缘膜层进行涂光阻、曝光、显影、蚀刻、去光阻制程，形成所述绝缘层。
优选地，所述形成覆盖所述第一修补线的绝缘层的步骤之后还包括：
固化所述绝缘层。
优选地，所述固化所述绝缘层的步骤具体为：
对所述绝缘层进行烘烤或对所述绝缘层进行紫外光照射。
优选地，所述形成覆盖所述第一修补线的绝缘层的步骤具体包括：
形成覆盖整条第一修补线的绝缘层。
本发明还提出一种断线修补结构，用于修补TFT阵列基板中扫描线与数据线的交叉处的断线，包括连接扫描线的断线两端的第一修补线、连接数据线断线两端的第二修补线及设置在第一修补线与第二修补线交叉处的绝缘层。
优选地，所述绝缘层覆盖整条第一修补线。
优选地，所述绝缘层覆盖部分第一修补线。
本发明通过在修补的第一修补线和第二修补线之间隔离绝缘层，有效避免了扫描线和数据线断线交叉处发生短路，实现了同时修补两个金属层交叉处断线，且提高了断线修补良率。
附图说明
图1a为现有技术中在扫描线和数据线交叉处存在杂质的示意图；
图1b为现有技术中激光去除杂质后扫描线和数据线的结构示意图；
图1c为现有技术中在扫描线与数据线的交叉处镀线修补造成短路的结构示意图；
图2为本发明断线修补方法一实施例的流程图；
图3为本发明断线修补方法二实施例的流程图；
图4为本发明实施例中涂布第一修补线结构示意图；
图5为本发明实施例中涂布绝缘层结构示意图；
图6为本发明实施例中断线修补结构示意图；
图7为本发明实施例中断线修补系统的结构示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如图2所示，图2为本发明断线修补方法一实施例的流程图。本实施例断线修补方法用于修补TFT阵列基板中扫描线与数据线的交叉处的断线，该断线修补方法包括：
步骤S11，形成第一修补线，该第一修补线的两端分别连接扫描线的断线处的两端；
请一并参阅图4，扫描线21和数据线22交叉处出现杂质，通过激光照射移除杂质后造成扫描线21和数据线22出现断线，或者由于其他原因造成扫描线21与数据线22的交叉处出现断线，需对扫描线21和数据线22进行镀膜修补。本实施例优先涂布第一修补线23，使第一修补线23的两端连接在扫描线21断线处的两个断点上，使扫描线21导通，实现对扫描线21的修补。
步骤S12，在第一修补线上形成绝缘层。
在第一修补线23上涂布绝缘层25，该绝缘层25可覆盖整条第一修补线23，或者该绝缘层25只覆盖部分第一修补线23，如图5所示。
在本步骤中，先在涂布绝缘膜，然后进行涂光阻、曝光、蚀刻、去光阻等制程，使绝缘层25覆盖第一修补线23。当然，在其他实施例中，也可仅在第一修补线23上涂布绝缘层25。
步骤S13，形成第二修补线，该第二修补线的两端分别连接数据线的断线处的两端。
请一并参阅图6，形成第二修补24，该第二修补线24的两端分别连接数据线22的断线处的两端，从而使数据线22导通，实现数据线22的修补。第二修补线24与第一修补线23的交叉处具有绝缘层25。第二修补线24在涂布时，由于具有绝缘层25，使第二修补线24与第一修补线23不接触，可有效防止修补的第一修补线23和第二修补线24接触产生短路。
在步骤S12中，若形成的绝缘层25仅覆盖部分第一修补线23，则在本步骤中，第二修补线24与第一修补线23的交叉处为绝缘层25覆盖第一修补线23的位置。当然，在步骤S12中，也可预先设置第二修补线24的形成位置，然后根据设置的第二修补线24的位置确定第二修补线24与第一修补线23的交叉处，而在该交叉处形成绝缘层25。
本实施例通过在修补的第一修补线23和第二修补线24之间隔离绝缘层25，有效避免了扫描线21和数据线22交叉处的短路，实现了同时修补两个金属层交叉处断线，提高了断线修补良率。
如图3所示，图3为本发明TFT镀膜断线修补方法二实施例的流程图。本实施例在图2所示实施例的基础上，增加了固化绝缘层的步骤。
步骤S21，形成连接扫描线的断线两端的第一修补线；
步骤S22，形成覆盖所述第一修补线的绝缘层；
步骤S23，固化绝缘层；
请一并参阅图5，在涂布完绝缘层25之后，对于需要固化处理才能成型的材料的绝缘层25，可对绝缘层25进行固化处理。根据绝缘层25的材料，可采取烘烤或者紫外光照射的方式。将绝缘层25固化之后，可有效防止绝缘层25在后制程过程中脱落，进一步避免因其脱落造成扫描线21和数据线22短路。
步骤S24，形成连接数据线的断线两端的第二修补线，第二修补线与第一修补线的交叉处具有绝缘层。
本实施例通过在修补的第一修补线23和第二修补线24之间隔离绝缘层25，并采用烘烤或紫外光照射的方式对涂布绝缘层25进行固化，避免绝缘层25在后续制程中脱落，进一步防止了修补的第一修补线23和第二修补线24在交叉处发生短路，提高了断线修补良率。
本发明还提供一种断线修补结构，如图6所示，图6为本发明实施例中修补结构示意图。
本实施例采用上述实施例的方法进行断线修补，获得的断线修补结构用于修补TFT阵列基板中扫描线与数据线的交叉处的断线，包括第一修补线23、第二修补线24和绝缘层25，第一修补线23连接在扫描线21的断线两端，第二修补线24在连接数据线22的断线两端，绝缘层25设置在第一修补线23与第二修补线24之间，该绝缘层25可覆盖整条第一修补线23，或者该绝缘层25只覆盖部分第一修补线23，可只在第一修补线23与第二修补线24的交叉处设置绝缘层25。
本实施例通过在修补的第一修补线23和第二修补线24之间隔离绝缘层25，使得扫描线21和数据线22修补后不造成短路，可同时修补两个金属层交叉处断线，提高了断线修补良率，降低了制作成本。
本发明还提出一种断线修补系统，如图7所示，图7为本发明实施例中断线修补系统的结构示意图，该断线修补系统包括：
镀线装置100，用于形成连接扫描线的断线两端的第一修补线和连接数据线的断线两端的第二修补线；
绝缘层形成装置200，用于形成覆盖所述第一修补线的绝缘层。绝缘层可以覆盖整条第一修补线，也可以覆盖部分第一修补线，使绝缘层覆盖于所述第二修补线与第一修补线的交叉处。
绝缘层形成装置200具体包括：
涂布定位模块210，用于预先设置第二修补线的形成位置；根据设置的第二修补线的形成位置确定第一修补线与第二修补线的交叉位置；
涂布模块220，用于在第一修补线与第二修补线的交叉位置形成覆盖该交叉位置的绝缘层。
涂布模块220具体包括：
涂布单元221，用于涂布绝缘膜层；
成型单元222，用于对该绝缘膜层进行涂光阻、曝光、显影、蚀刻、去光阻制程，形成所述绝缘层。
涂布模块220具体还可包括：
固化单元223，用于固化所述绝缘层。固化单元223可以为烘烤机或紫外光照射器。
本实施例的具体工作原理可参照前述图2至图6所示实施例中的所有技术方案，在此不作赘述，由于采用了本实施例的断线修补系统，有效避免了扫描线和数据线断线交叉处发生短路，实现了同时修补两个金属层交叉处断线，且提高了断线修补良率。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种断线修补方法，其特征在于，包括步骤：
形成连接扫描线的断线两端的第一修补线；
形成覆盖所述第一修补线的绝缘层；
形成连接数据线的断线两端的第二修补线，所述第二修补线与第一修补线的交叉处具有所述绝缘层。
2.根据权利要求1所述的断线修补方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第一修补线的绝缘层的步骤具体包括：
形成部分覆盖第一修补线的绝缘层。
3.根据权利要求1所述的断线修补方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第一修补线的绝缘层的步骤具体包括：
预先设置第二修补线的形成位置；
根据设置的第二修补线的形成位置确定第一修补线与第二修补线的交叉位置；
在第一修补线与第二修补线的交叉位置形成覆盖该交叉位置的绝缘层。
4.根据权利要求1所述的断线修补方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第一修补线的绝缘层的步骤具体包括：
涂布绝缘膜层；
对该绝缘膜层进行涂光阻、曝光、显影、蚀刻、去光阻制程，形成所述绝缘层。
5.根据权利要求1至4任一项所述的断线修补方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第一修补线的绝缘层的步骤之后还包括：
固化所述绝缘层。
6.根据权利要求5所述的断线修补方法，其特征在于，所述固化所述绝缘层的步骤具体为：
对所述绝缘层进行烘烤或对所述绝缘层进行紫外光照射。
7.根据权利要求1所述的断线修补方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第一修补线的绝缘层的步骤具体包括：
形成覆盖整条第一修补线的绝缘层。
8.一种断线修补结构，用于修补TFT阵列基板中扫描线与数据线的交叉处的断线，其特征在于，包括连接扫描线的断线两端的第一修补线、连接数据线断线两端的第二修补线及设置在第一修补线与第二修补线交叉处的绝缘层。
9.根据权利要求8所述的断线修补结构，其特征在于，所述绝缘层覆盖整条第一修补线。
10.根据权利要求8所述的断线修补结构，其特征在于，所述绝缘层覆盖部分第一修补线。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103984132B (zh) * 2014-05-31 2016-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板线路故障的修复方法
CN105807517B (zh) * 2016-05-12 2019-09-10 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其断线修复方法
CN105845625A (zh) * 2016-05-18 2016-08-10 上海华虹宏力半导体制造有限公司 芯片的扰码验证电路修补方法
CN106773177B (zh) * 2017-01-03 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 一种信号线的修复系统及修复方法
CN109491163A (zh) * 2018-12-12 2019-03-19 惠科股份有限公司 阵列基板修复工艺、阵列基板以及显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101144946A (zh) * 2007-10-18 2008-03-19 上海广电光电子有限公司 易修复交叉点短路的液晶显示tft基板
CN101431019A (zh) * 2007-11-08 2009-05-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 金属硅化物的制备方法
CN101809503A (zh) * 2007-09-28 2010-08-18 富士胶片株式会社 正型感光性树脂组合物、以及使用该组合物形成固化膜的方法
CN102368478A (zh) * 2011-04-22 2012-03-07 友达光电股份有限公司 导线的修补方法以及显示面板的修补方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0945683A (ja) * 1995-07-27 1997-02-14 Hitachi Ltd 配線修正方法
JP2000241833A (ja) * 1999-02-24 2000-09-08 Sanyo Electric Co Ltd マトリックス型配線基板
KR100382456B1 (ko) * 2000-05-01 2003-05-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 리페어 패턴 형성방법
CN1435874A (zh) * 2002-01-31 2003-08-13 旺宏电子股份有限公司 非挥发性内存的结构及其制造方法
TWI236838B (en) * 2004-04-22 2005-07-21 Avision Inc Image acquisition device and method capable of rotating document images
US7265386B2 (en) * 2005-08-29 2007-09-04 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Thin film transistor array substrate and method for repairing the same
TWI333587B (en) * 2006-09-15 2010-11-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel structure and repair method thereof
TWI349915B (en) * 2006-11-17 2011-10-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel structure and repair method thereof
TW200837430A (en) * 2007-03-09 2008-09-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Active device array substrate and repair method thereof
CN102087426A (zh) * 2009-12-08 2011-06-08 华映视讯（吴江）有限公司 修补结构以及主动元件阵列基板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101809503A (zh) * 2007-09-28 2010-08-18 富士胶片株式会社 正型感光性树脂组合物、以及使用该组合物形成固化膜的方法
CN101144946A (zh) * 2007-10-18 2008-03-19 上海广电光电子有限公司 易修复交叉点短路的液晶显示tft基板
CN101431019A (zh) * 2007-11-08 2009-05-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 金属硅化物的制备方法
CN102368478A (zh) * 2011-04-22 2012-03-07 友达光电股份有限公司 导线的修补方法以及显示面板的修补方法

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Publication number Publication date
US20140151903A1 (en) 2014-06-05
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US9111940B2 (en) 2015-08-18

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