CN203324619U - 一种阵列基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种阵列基板及显示装置。该阵列基板包括基板，所述基板包括显示区与非显示区，所述非显示区内设置有外围驱动模块以及栅极驱动IC，所述外围驱动模块的输出端与所述栅极驱动IC的输入端通过信号输入线连接，所述非显示区内还设置有信号修复线，所述信号输入线与所述信号修复线不同层设置，所述信号修复线的主体沿所述信号输入线的延伸方向设置，所述信号修复线的两端部在正投影方向上分别与所述信号输入线相交。本实用新型的有益效果是：通过在非显示区的信号输入线外围增设信号修复线，大大提高了阵列基板的良品率，进一步提高了显示装置的良品率，降低了生产成本。

Description

一种阵列基板及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，具体地，涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

随着科学技术的发展，平板显示装置已取代笨重的CRT(Cathode Ray Tube,阴极射线管)显示装置日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示装置包括LCD（Liquid CrystalDisplay：液晶显示装置）、PDP（Plasma Display Panel：等离子显示装置）和OLED（Organic Light-Emitting Diode:有机发光二极管）显示装置。

其中，LCD和OLED显示装置均包括阵列基板，阵列基板上包括多个由栅线（Gate line）和数据线(Data line)交叉分割设置的像素区域，像素区域内设置有控制器件TFT（Thin FilmTransistor，薄膜晶体管），TFT包括栅极、源极和漏极。为实现图像显示，阵列基板上还设置有外围驱动模块、栅极驱动IC以及数据驱动IC，外围驱动模块的输出端分别与栅极驱动IC和源极驱动IC连接，栅极驱动IC的输出端与栅线连接，数据驱动IC的输出端与数据线连接。由栅极驱动IC向栅极提供驱动信号，通过栅极控制TFT的导通和关闭；由源极驱动IC向源极提供驱动信号，在TFT打开时将信号转换成灰阶电压向像素电极（LCD）或有机发光二极管的阳极（OLED显示装置）充电，从而达到图像显示的目的。

其中，阵列基板中栅极驱动IC的信号通过信号输入线（Peripheral Layout Gate，简称：PLG，即栅极外围走线）传输，即采用信号输入线将外围驱动模块的输出的信号传递至栅极驱动IC，或者用于在至少两个栅极驱动IC之间传递信号。通常，外围驱动模块设置于柔性线路板上，柔性线路板、信号输入线均设置在阵列基板的非显示区。

目前，阵列基板中信号输入线一般采用单层金属走线，其上方仅设置有一层绝缘保护层，虽然圈围在UV封框胶内部，但因绝缘保护层很薄，信号输入线基本处于暴露于空气中的状态，很容易因受到划伤或腐蚀而引起损伤，甚至造成断路。一旦出现信号输入线断线不良，便无法修复，相应的阵列基板、甚至对盒完成的显示面板就只能报废处理，使得阵列基板、甚至显示面板的良品率大大降低，生产成本增加。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术中存在的上述技术问题，提供了一种阵列基板及显示装置，通过在非显示区的信号输入线外围增设信号修复线，提高了阵列基板的良品率，进一步提高了显示装置的良品率。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括基板，所述基板包括显示区与非显示区，所述非显示区内设置有外围驱动模块以及栅极驱动IC，所述外围驱动模块的输出端与所述栅极驱动IC的输入端通过信号输入线连接，其中，所述非显示区内还设置有信号修复线，所述信号输入线与所述信号修复线不同层设置，所述信号修复线的主体沿所述信号输入线的延伸方向设置，所述信号修复线的两端部在正投影方向上分别与所述信号输入线相交。

优选的是，所述信号输入线为多条、且间隔平行设置在所述非显示区内，所述信号修复线的其中一端部靠近所述外围驱动模块的输出端，另一端部靠近所述栅极驱动IC的输入端，所述信号修复线的两端部在正投影方向上方分别与所述信号输入线垂直相交，所述信号修复线的端部的长度不小于所述信号输入线的排列宽度。

优选的是，所述阵列基板还包括多条栅线与多条数据线，所述栅线与所述数据线之间设置有绝缘层，所述信号输入线与所述栅线同层设置、且与所述栅线采用同一构图工艺形成，所述信号修复线与所述数据线同层设置、且与所述数据线采用同一构图工艺形成。

优选的是，所述信号修复线采用钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛和铜中的至少一种材料形成，所述信号修复线为单层或多层复合叠层结构。

优选的是，所述信号修复线为大于1的奇数条，所述信号修复线的形状相似，所述信号修复线设置在所述信号输入线的同侧，按尺寸增大的顺序依次远离所述信号输入线设置；或者，所述信号修复线不完全对称地分设在所述信号输入线的两侧，且对称设置的所述信号修复线相对的两端部互相连接，不对称设置的所述信号修复线的两端部与对称设置的所述信号修复线的两端部相离；或者，所述信号修复线相错地分设在所述信号输入线的两侧，且所述信号修复线相对的两端部相离。

优选的是，所述信号修复线为偶数条，所述信号修复线的形状相似，所述信号修复线对称地分设在所述信号输入线的两侧，且所述信号修复线相对的两端部互相连接；或者，所述信号修复线相错地分设在所述信号输入线的两侧，且所述信号修复线相对的两端部相离。

优选的是，所述阵列基板中设置有一个栅极驱动IC，所述栅极驱动IC设置在所述非显示区的一侧，所述外围驱动模块的输出端与所述栅极驱动IC的输入端之间通过所述信号输入线连接，所述信号修复线的主体沿所述信号输入线的延伸方向设置，所述信号修复线的两端部在正投影方向上与所述信号输入线垂直相交。

优选的是，所述阵列基板中设置有两个栅极驱动IC，两个所述栅极驱动IC分设在所述非显示区相对的两侧，所述外围驱动模块的输出端与所述栅极驱动IC的输入端之间各通过一组所述信号输入线连接，所述信号修复线的主体沿所述信号输入线的延伸方向设置，所述信号修复线的两端部在正投影方向上与所述信号输入线垂直相交。

优选的是，所述阵列基板中设置有两个栅极驱动IC，两个所述栅极驱动IC设置在所述非显示区的同一侧且排列在同一直线上，所述外围驱动模块的输出端与所述栅极驱动IC的输入端之间各通过一组所述信号输入线连接，所述信号修复线的主体沿所述信号输入线的延伸方向设置，所述信号修复线的两端部在正投影方向上与所述信号输入线垂直相交。

一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本实用新型提供的阵列基板及显示装置的技术方案中，所述阵列基板通过在非显示区的信号输入线外围增设信号修复线，从而可以利用激光镭射，对断开的信号输入线进行修复，即将发生断路不良的信号输入线通过信号修复线连接，保证外围驱动模块与栅极驱动IC之间的信号能正常传输，以保证阵列基板中薄膜晶体管信号的正常供给，大大提高了阵列基板的良品率，进一步提高了显示装置的良品率，降低了生产成本。

附图说明

图1-图4为本实用新型实施例1阵列基板的结构示意图；

图5为本实用新型实施例1阵列基板的局部结构平面图；

图6为对应着图5的阵列基板的A-A剖视图；

图7为本实用新型实施例1阵列基板中信号输入线发生断路不良时的修复示意图；

图8-图10为本实用新型实施例2阵列基板的结构示意图；

图11为本实用新型实施例3阵列基板的结构示意图；

图12为本实用新型实施例4阵列基板的结构示意图；

其中的附图标记说明：

1-显示区；2-非显示区；3-外围驱动模块；4-栅极驱动IC；5-信号输入线；6-栅线；7-源极驱动IC；8-数据线；9-信号修复线；10-基板；11-栅绝缘层；12-保护层；13-修复点。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型的一种阵列基板及显示装置作进一步详细描述。

一种阵列基板，包括基板，所述基板包括显示区与非显示区，所述非显示区内设置有外围驱动模块以及栅极驱动IC，所述外围驱动模块的输出端与所述栅极驱动IC的输入端通过信号输入线连接，其中，所述非显示区内还设置有信号修复线，所述信号输入线与所述信号修复线不同层设置，所述信号修复线的主体沿所述信号输入线的延伸方向设置，所述信号修复线的两端部在正投影方向上分别与所述信号输入线相交。

一种显示装置，包括上述的阵列基板。

实施例1：

本实施例提供一种阵列基板，如图1-图4所示，该阵列基板包括基板（图1-图4中未标识），基板包括显示区1与非显示区2，非显示区2内设置有外围驱动模块3以及栅极驱动IC4，外围驱动模块3的输出端与栅极驱动IC4的输入端通过信号输入线5连接，其中，非显示区2内还设置有信号修复线9，信号输入线5与信号修复线9不同层设置（即二者之间绝缘），信号修复线9的主体（即与信号输入线5走线平行的部分）沿信号输入线5的延伸方向设置，信号修复线9的两端部在正投影方向上分别与信号输入线3相交。

在本实施例中，阵列基板中设置有一个栅极驱动IC4，栅极驱动IC4设置在非显示区2的一侧，外围驱动模块3的输出端与栅极驱动IC4的输入端之间通过信号输入线5连接，栅极驱动IC4的输入端与栅极（图1-图4中未示出）之间通过栅线6连接，信号修复线9的主体沿信号输入线5的延伸方向设置，信号修复线9的两端部在正投影方向上与信号输入线5垂直相交。其中，信号输入线5为多条、且间隔平行设置在非显示区2内，优选的是，信号修复线9的两端部的长度不小于信号输入线5的排列宽度，以使得信号输入线5中的任何一条在出现断路不良而需要采用信号修复线9进行修复时，均能使二者在正投影方向上建立连接。

具体的，信号修复线9的一端部靠近外围驱动模块3的输出端，另一端部靠近栅极驱动IC4的输入端，信号修复线9的两端部在正投影方向上方分别与信号输入线5垂直相交，信号修复线9除两端部以外的主体部分与信号输入线4的延伸方向相同。在本实施例中，由于信号修复线9的两端部在正投影方向上与信号输入线5垂直相交，便于构图工艺中掩模板图形的设计，也便于阵列基板的制备。同时，这里应该理解的是，信号修复线9的两端部与信号输入线5也可以在正投影方向上倾斜相交，本实施例中信号修复线9的两端部在正投影方向上与信号输入线5垂直相交是从制备工艺方便考量的。

在本实施例中，信号修复线9为奇数条，信号修复线9与信号输入线5的位置关系包括如下几种情况：

如图1所示，信号修复线9为一条，信号修复线9设置在信号输入线5的一侧；

或者，如图2所示，信号修复线9为大于1的奇数条，例如：信号修复线为3条时，3条信号修复线9的形状相似，信号修复线9设置在信号输入线5的同侧，按尺寸增大的顺序依次远离信号输入线5设置；

或者，如图3所示，信号修复线9不完全对称地分设在信号输入线5的两侧，且对称设置的信号修复线9相对的两端部互相连接，不对称设置的信号修复线9的两端部与对称设置的信号修复线9相对的两端部互相连接。当然，也可以部分信号修复线9的两端部互相连接，部分信号修复线9的两端部相离。而且，容易推断，正如图3所示，由于信号修复线9为奇数条，至少有一条信号修复线9与其他对称设置的信号修复线9相对的两端部相离；

或者，如图4所示，信号修复线9相错地分设在信号输入线5的两侧，且信号修复线9相对的两端部相离。

当信号修复线9为大于3的奇数条时，信号修复线9与信号输入线5的位置关系可根据上述3条信号修复线9与信号输入线5的位置关系依次类推，这里不再详述。采用多条信号修复线，在任意一条信号输入线发生断路不良时均能进行有效地修复，提高修复效率，能更有效地保证栅极驱动IC正常工作。

通常，阵列基板还包括多条栅线6与多条数据线8、栅线6与数据线8交叉设置且将显示区1划分为多个像素区域，像素区内域设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、源极与漏极（图1-图4中未示出），栅极与源极和漏极之间设置有绝缘层，栅线与栅极同层设置、且与栅极采用同一构图工艺形成，数据线与源极和漏极同层设置、且与源极和漏极采用同一构图工艺形成。

在本实施例中，信号输入线5与栅线同层设置、且与栅线采用同一构图工艺形成；信号修复线9与数据线同层设置、且与数据线采用同一构图工艺形成。优选的，信号修复线9采用钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛和铜中的至少一种材料形成；而且，信号修复线9为单层或多层复合叠层结构。同时，这里应该理解的是，信号修复线9也可以不与数据线采用同一构图工艺形成，而是单独沉积一层金属膜，采用一次单独的构图工艺形成。

在本实施例中，如图5、6所示，阵列基板的制备方法为：

步骤S1：在基板（或者说衬底）10上形成第一金属层膜，通过构图工艺同时形成包括栅极、栅线和信号输入线5的图形。

其中，构图工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本实用新型中所形成的结构选择相应的构图工艺。

在该步骤中，第一金属层膜可通过溅射工艺沉积形成，并通过曝光、显影、湿法刻蚀工艺形成包括栅极、栅线（图5、6中未示出）和信号输入线5的图形。

步骤S2：在信号输入线5的上方形成包括栅绝缘层11的图形。

在该步骤中，栅绝缘层（GI）11可通过等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition：简称PECVD）沉积形成，栅绝缘层11也即栅极与源极和漏极之间的绝缘层，使得信号输入线5与信号修复线9绝缘，还可用来保护栅极、栅线以及信号输入线5。

步骤S3：在栅绝缘层11的上方形成有源层膜，通过构图工艺形成包括有源层的图形。

在该步骤中，有源层膜（active）可以通过溅射工艺沉积一层形成，并通过曝光、显影、湿法刻蚀工艺形成包括有源层的图形（图5、6中未示出）。

步骤S4：在有源层的上方形成第二金属层膜，通过构图工艺同时形成包括源极、漏极和信号修复线9的图形。

在该步骤中，第二金属层膜可通过溅射工艺沉积形成，并通过曝光、显影、湿法刻蚀工艺形成包括源极、漏极（图5、6中未示出）和信号修复线9的图形。

步骤S5：在源极、漏极和信号修复线9的上方依次形成钝化层膜和透明电极层膜，通过构图工艺形成包括钝化层和像素电极的图形。

在该步骤中，通过PECVD沉积钝化层膜（PVX），接着通过溅射工艺在钝化层膜上方沉积透明电极层膜（Pixel ITO），并通过曝光、显影和湿法刻蚀工艺形成包括钝化层（也即图5、6中的保护层11）和像素电极的图形（图5、6中未示出）。

通过上述的制备方法，即在形成阵列基板中薄膜晶体管的同时形成了信号修复线。

这里应该理解的是，本实施例中上述制备方法仅以（TwistedNematic，扭曲向列）模式显示装置中的阵列基板为示例，侧重说明信号修复线的形成，因此，在文字表述部分以及附图的标识部分仅涉及与之相关的结构部分（例如：栅极、栅绝缘层、源极、漏极和钝化层等），并结合这些相关结构说明与信号输入线、信号修复线的制备工艺，而对于其他结构（例如：公共电极）由于与现有技术的结构、制备工艺均相同，则不做进一步的说明。

如图7所示，本实施例中某条信号输入线5出现断路不良时，利用激光镭射修复机，将信号修复线9在投影方向上对应着该条信号输入线5的两个修复点13，如图7中位于信号输入线5上游的相交点×和位于信号输入线5下游的相交点×分别打点，将信号修复线9与出现断路不良的信号输入线5熔接在一起，以使得本来出现断路不良的信号输入线5的信号能通过信号修复线9的连接而得以继续传输，从而保证信号的正常传输，也即达到了对信号输入线5修复的目的。

这里应该理解的是，阵列基板中的薄膜晶体管可以为顶栅型结构也可以为底栅型结构，二者的相同点在于：信号输入线与栅线同层设置、且与栅线采用同一构图工艺形成，信号修复线与数据线同层设置、且与数据线采用同一构图工艺形成；二者的区别在于：顶栅型结构的薄膜晶体管中，栅极、信号输入线位于有源层的上方，而底栅型结构的薄膜晶体管中，栅极、信号输入线位于有源层的下方，对于底栅型结构的薄膜晶体管的阵列基板，在采用信号修复线对信号输入线进行修复时，激光镭射的过程中还需同时穿透绝缘层，以便将信号输入线和信号修复线熔接在一起。

实施例2：

本实施例提供一种阵列基板，与实施例1不同的是，其中的信号修复线的条数不同。如图8-图10所示，在本实施例中，信号修复线9为偶数条。

如图8所示，信号修复线9为2条；如图9所示，信号修复线9为4条。在图8、9中，信号修复线9的形状相似，信号修复线9对称地分设在信号输入线5的两侧，且信号修复线9相对的两端部互相连接；如图10所示，信号修复线9为2条，信号修复线9相错地分设在信号输入线5的两侧，且信号修复线9相对的两端部相离。

本实施例中阵列基板的其他结构与实施例1相同，当信号输入线出现断路不良时的修复方法也与实施例1相同，此处不再赘述。

实施例3：

本实施例与实施例1、2任一的区别在于，阵列基板中对栅线的驱动为双边驱动。

在本实施例中，如图11所示，阵列基板中设置有两个栅极驱动IC4，两个栅极驱动IC4分设在非显示区2相对的两侧（例如图11中所示的左右两侧），外围驱动模块3的输出端与栅极驱动IC4的输入端之间各通过一组信号输入线5连接，栅极驱动IC4的输入端与栅极之间通过栅线连接，信号修复线9的主体沿信号输入线5的延伸方向设置，且信号修复线9的两端部在正投影方向上与信号输入线5垂直相交。

本实施例中阵列基板的其他结构与实施例1、2任一相同，当信号输入线出现断路不良时的修复方法与实施例1、2任一相同，此处不再赘述。

实施例4：

本实施例与实施例1、2任一的区别在于，阵列基板中对栅线的驱动为双栅驱动。

在本实施例中，如图12所示，阵列基板中设置有两个栅极驱动IC4，两个栅极驱动IC4设置在非显示区2的同一侧且排列在同一直线上，外围驱动模块3的输出端与栅极驱动IC4的输入端之间各通过一组信号输入线5连接，栅极驱动IC4的输入端与栅极之间通过栅线连接，信号修复线9环的主体沿信号输入线5的延伸方向设置，且信号修复线9的两端部在正投影方向上与信号输入线5垂直相交。

本实施例中阵列基板的其他结构与实施例1、2任一相同，当信号输入线出现断路不良时的修复方法与实施例1、2任一相同，此处不再赘述。

实施例5：

本实施例提供一种显示装置，包括上述任意一个实施例提供的阵列基板。

在该显示装置中，由于相应的阵列基板在信号输入线发生断路不良时，修复更加方便和可靠，大大提高了阵列基板的良品率，进一步提高了显示装置的良品率，降低了生产成本。

所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

其中，对于液晶面板，本实用新型中的阵列基板适用于各种模式，例如TN（Twisted Nematic，扭曲向列）模式、VA（VerticalAlignment，垂直取向）模式、ADS（ADvanced Super DimensionSwitch，高级超维场转换技术）模式等其他模式。

本实用新型的阵列基板中，通过在非显示区的信号输入线外围增设信号修复线，从而可以利用激光镭射，对断开的信号输入线进行修复，即将发生断路不良的信号输入线通过信号修复线连接，保证外围驱动模块与栅极驱动IC之间的信号能正常传输，以保证阵列基板中薄膜晶体管信号的正常供给，大大提高了阵列基板的良品率，进一步提高了显示装置的良品率，降低了生产成本。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括基板，所述基板包括显示区与非显示区，所述非显示区内设置有外围驱动模块以及栅极驱动IC，所述外围驱动模块的输出端与所述栅极驱动IC的输入端通过信号输入线连接，其特征在于，所述非显示区内还设置有信号修复线，所述信号输入线与所述信号修复线不同层设置，所述信号修复线的主体沿所述信号输入线的延伸方向设置，所述信号修复线的两端部在正投影方向上分别与所述信号输入线相交。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述信号输入线为多条、且间隔平行设置在所述非显示区内，所述信号修复线的其中一端部靠近所述外围驱动模块的输出端，另一端部靠近所述栅极驱动IC的输入端，所述信号修复线的两端部在正投影方向上方分别与所述信号输入线垂直相交，所述信号修复线的端部的长度不小于所述信号输入线的排列宽度。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括多条栅线与多条数据线，所述栅线与所述数据线之间设置有绝缘层，所述信号输入线与所述栅线同层设置、且与所述栅线采用同一构图工艺形成，所述信号修复线与所述数据线同层设置、且与所述数据线采用同一构图工艺形成。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述信号修复线采用钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛和铜中的至少一种材料形成，所述信号修复线为单层或多层复合叠层结构。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述信号修复线为大于1的奇数条，所述信号修复线的形状相似，所述信号修复线设置在所述信号输入线的同侧，按尺寸增大的顺序依次远离所述信号输入线设置；或者，所述信号修复线不完全对称地分设在所述信号输入线的两侧，且对称设置的所述信号修复线相对的两端部互相连接，不对称设置的所述信号修复线的两端部与对称设置的所述信号修复线的两端部相离；或者，所述信号修复线相错地分设在所述信号输入线的两侧，且所述信号修复线相对的两端部相离。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述信号修复线为偶数条，所述信号修复线的形状相似，所述信号修复线对称地分设在所述信号输入线的两侧，且所述信号修复线相对的两端部互相连接；或者，所述信号修复线相错地分设在所述信号输入线的两侧，且所述信号修复线相对的两端部相离。

7.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板中设置有一个栅极驱动IC，所述栅极驱动IC设置在所述非显示区的一侧，所述外围驱动模块的输出端与所述栅极驱动IC的输入端之间通过所述信号输入线连接，所述信号修复线的主体沿所述信号输入线的延伸方向设置，所述信号修复线的两端部在正投影方向上与所述信号输入线垂直相交。

8.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板中设置有两个栅极驱动IC，两个所述栅极驱动IC分设在所述非显示区相对的两侧，所述外围驱动模块的输出端与所述栅极驱动IC的输入端之间各通过一组所述信号输入线连接，所述信号修复线的主体沿所述信号输入线的延伸方向设置，所述信号修复线的两端部在正投影方向上与所述信号输入线垂直相交。

9.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板中设置有两个栅极驱动IC，两个所述栅极驱动IC设置在所述非显示区的同一侧且排列在同一直线上，所述外围驱动模块的输出端与所述栅极驱动IC的输入端之间各通过一组所述信号输入线连接，所述信号修复线的主体沿所述信号输入线的延伸方向设置，所述信号修复线的两端部在正投影方向上与所述信号输入线垂直相交。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板。

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