CN102960063B - 有机el元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是可以使用湿式法良好地形成倒置结构的有机EL元件。为此，有机EL元件110构成为：在基板101的表面上，依次形成阴极102、电子注入层104、发光层105、空穴输送层106、空穴注入层107、阳极108。电子注入层104如下形成：将使具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物溶解在醇溶剂中而得的墨涂布在堤103彼此之间，进行干燥。发光层105如下形成：将使聚苯撑乙烯(PPV)衍生物、或聚芴衍生物等发光层用材料溶解在非极性溶剂中而得的墨涂布在堤103彼此之间，进行干燥。

Description

有机EL元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光(EL)元件及其制造方法。
背景技术
有机EL元件是利用了有机化合物的电致发光现象的发光元件，由于可容易地得到高亮度的明亮发光，因此在显示装置、照明装置等中被实用化。
在该有机EL元件中，为了进一步普及，需要与液晶显示器、荧光灯、LED照明相比以低成本制造，因此，期望使有机EL元件的结构、制造方法简易。
现在，最广泛使用的有机EL元件，如专利文献1的记载，具有在基板侧形成阳极，通过真空制膜法形成有机层，在有机层上形成阴极的结构，但是近年来，如专利文献2，公开了通过涂布包含有机层形成材料的墨并干燥的湿式法来形成有机层的方式，也开发出很多通过将各种高分子系材料用非极性溶剂溶解并进行涂布来形成了发光层的结构的有机EL元件。
根据该湿式法，可以不使用真空装置而形成有机层，在大型面板中也可以比较容易地形成发光层等，因此从制造时间的观点考虑也是优选的。
此外，非专利文献1中，作为有机EL元件的结构，公开了按照与通常相反的顺序叠层的倒置（inverted）结构，即，在基板侧形成阴极，在有机层上形成阳极的结构。
通过开发这样的倒置结构的有机EL元件，不仅可以设计有机EL元件的器件结构，而且具有选择范围宽，设计上的自由度提高等优点。
特别是，如果要在大型基板上形成晶体管阵列，在其上形成有机EL元件阵列而实现有源矩阵型的有机EL装置，则期望作为晶体管，将无定形硅、微晶硅、氧化物半导体(铟－锌－镓氧化物等)作为沟道材料，形成高速响应性优异的n型的TFT，但是在使用n型TFT的情况下，需要不仅由包含2个TFT和1个电容器的简易像素电路来实现驱动，而且使有机EL元件为倒置结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平2－15595号公报
专利文献2:日本特表平4－500582号公报
专利文献3:WO2005－104628号公报
专利文献4:日本特开2007－053286号公报
非专利文献
非专利文献1:AppliedPhysicsLetters890535032006年
发明内容
发明所要解决的课题
在倒置结构的有机EL元件中，如果也能够通过湿式法来形成发光层等有机层，则在实现大型有机EL装置方面是有利的，但是在使用非极性溶剂通过湿式法来形成发光层等有机层的情况下，在其下形成的电子注入层或电子输送层的材料除了要求具有成膜性、电子输送性能以外，还要求兼具在有机层形成用的墨所含的非极性溶剂中不溶解的性质。
然而，兼具这些要求性能的材料很难找到。
例如，专利文献3中，虽然公开了能够通过湿式法涂布的电子输送性材料，但是如果由这些电子输送性材料形成电子注入层、电子输送层，则在通过湿式法在其上涂布发光层等有机层的阶段，电子输送性材料溶解在有机层形成用墨的非极性溶剂中，因此就不能维持膜结构。因此，难以作为形成倒置结构的有机EL元件的电子注入层、电子输送层的材料。
此外，专利文献4中，虽然公开了倒置结构的有机EL元件，也公开了涂布氧化锌等无机物来形成电子注入性金属氧化物层的方法，但是通过该方法形成金属氧化物层时一般需要高温处理，可以说不是简易的制造方法。所形成的金属氧化物层的电子注入能力也低，因此有机EL元件的驱动需要高电压，效率也变低。此外，所形成的金属氧化物层一般缺乏均质性，膜表面粗糙，由针孔导致的短路等也容易发生，因此很难得到稳定的特性。
基于这样的背景，还未达到可以通过湿式法来形成发光层等有机层而实现高性能并且长寿命的倒置结构的有机EL元件。
本发明是鉴于这样的课题而提出的，其目的是提供可以使用湿式法良好地形成倒置结构的有机EL元件的技术。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题，本发明的一形态所涉及的有机EL元件的制造方法是具备基板、阴极、多个有机层和阳极，且从上述基板侧按照阴极、多个有机层、阳极的顺序叠层的有机EL元件的制造方法，其包括下述工序：第1工序，形成包含具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物的第一有机层；和第2工序，在第一有机层上，通过使用了包含有机材料和非极性溶剂的液体的湿式法来叠层第二有机层。
这里“聚合物化合物”的重均分子量优选为2000以上。该聚合物化合物中包含作为分子量为10000左右以上的化合物的“高分子化合物”、具有10000左右以下的分子量的“低聚物”的两者。
发明的效果
根据上述形态的有机EL元件的制造方法，通过第1工序形成的第一有机层包含具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物。
具有有机氧化膦骨架的化合物基本上作为电子输送性的材料是已知的，通过使该具有有机氧化膦骨架的化合物为高分子系，从而对非极性溶剂的溶解性降低而成为不溶性。因此，第2工序中，在通过涂布包含有机材料和非极性溶剂的液体的湿式法来叠层第二有机层时，第一有机层不溶解。因此，可以稳定地形成有机层彼此的叠层结构。
此外，通过聚合物化合物所含的有机氧化膦骨架，也具有良好的电子输送性。
上述形态的有机EL元件中，由于第一有机层包含具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物，因此发挥同样的效果。
这样，根据上述形态的有机EL元件的制造方法，由于可以稳定地形成第一有机层和第二有机层的叠层结构，因此可以实现发光亮度的均匀化、元件的长寿命化。
此外，如上所述，第一有机层对非极性溶剂为不溶性，因此可以从溶解于非极性溶剂的有机材料之中广泛地选择第二有机层所用的材料。即，在第二有机层为发光层的情况下，发光层所用的发光材料的选择范围变宽。
此外，根据上述形态，由于使有机EL元件的结构为在基板侧设置了阴极的倒置结构，因此在TFT基板上形成了转换特性优异的n沟道型的TFT的情况下，也可以使TFT与阴极容易地连接。因此，在基板上形成n沟道TFT的情况下，特别适合。
这样，本形态所涉及的有机EL元件为倒置结构，因此不仅可以设计有机EL元件，而且会促进扩大选择范围，实用价值也高。
附图说明
图1是示意性示出实施方式所涉及的倒置结构的有机EL元件的截面图。
图2是显示在基板101上排列有机EL元件110而成的显示面板100的一部分的平面图。
图3是显示使用了显示面板100的显示装置200的构成的图。
图4是显示使用了显示装置200的电视系统的一例的外观形状。
图5是显示实施例1所涉及的有机EL元件的构成的截面示意图。
图6是显示对于实施例所涉及的有机氧化膦化合物，研究了甲苯耐久性的试验结果的图。
图7是显示对于实施例所涉及的有机氧化膦化合物，研究了甲苯耐久性的试验结果的图。
图8是显示对于比较例所涉及的有机氧化膦化合物，研究了甲苯耐久性的试验结果的图。
图9是显示实施例所涉及的有机氧化膦化合物的合成方法的图。
图10是显示实施例所涉及的有机氧化膦化合物的合成方法的图。
具体实施方式
＜发明的形态＞
本发明的一形态所涉及的有机EL元件的制造方法是具备基板、阴极、多个有机层和阳极，且从基板侧按照阴极、多个有机层、阳极的顺序叠层的有机EL元件的制造方法，其包括：第1工序，形成包含具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物的第一有机层；和第2工序，在第一有机层上，通过涂布包含有机材料和非极性溶剂的液体的湿式法来叠层第二有机层。
该具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物对非极性溶剂为不溶性，因此第2工序中，在通过使用了非极性溶剂的湿式法来叠层第二有机层时，第一有机层不溶解。因此，可以稳定地形成有机层彼此的叠层结构。此外，通过聚合物化合物所含的有机氧化膦骨架，也具有电子输送性。
此外，本发明的一形态所涉及的有机EL元件是具备基板、阴极、多个有机层和阳极，从基板侧按照阴极、多个有机层、阳极的顺序叠层的有机EL元件，多个有机层具备包含具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物的第一有机层、和在第一有机层的阳极侧叠层有机材料而成的第二有机层，发挥与上述有机EL元件的制造方法同样的效果。
上述的具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物中，聚合物化合物的重均分子量Mw为2000以上时，在对非极性溶剂具有充分的不溶性方面是优选的。此外，如果考虑通过湿式法来涂布该聚合物化合物而形成第一有机层，则聚合物化合物的重均分子量Mw优选为100万以下。如果为100万以上的分子量，则聚合物化合物的溶解性过低，难以溶解在溶剂中。
作为具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物，优选以下的结构通式所示那样的结构的化合物。
其中，在式(1)中，Ar1和Ar2为可以彼此相同或不同的1价的芳香族残基，Ar3和Ar4为可以彼此相同也可以彼此不同的2价的芳香族残基。n为2～2000的自然数。
另外，对于芳香族残基，以单纯芳香环结构的苯基为代表，可以为萘基等多环芳香环结构或杂环结构。
其中，在式(2)中，Ar1、Ar2为可以彼此相同也可以彼此不同的芳香族残基，R1、R2为可以彼此相同也可以彼此不同的脂肪族取代基。n为2～2000的自然数。
其中，在式(3)中，n为2～2000的自然数。
对于上述结构式(1)、(2)所含的Ar1～Ar4进一步详述。
Ar1和Ar2为1价的“芳香族残基”，可以彼此相同，也可以不同。可举出苯环、噻吩环、三嗪环、呋喃环、吡嗪环、吡啶环等单环式的芳香族残基和杂环、萘环、蒽环、噻吩并［3,2－b］噻吩环、菲环、芴环、呋喃并［3,2－b］呋喃环等稠合多环式的芳香族残基和杂环、联苯环、三联苯环、联噻吩环、联呋喃环等环集合式的芳香族残基和杂环、吖啶环、异喹啉环、吲哚环、咔唑环、咔啉环、喹啉环、氧芴环、噌啉环、硫茚环、1,10－菲咯啉环、吩噻嗪环、嘌呤环、苯并呋喃环、硅杂环戊二烯环等由芳香族残基与杂环的组合构成的芳香族残基。此外，这些芳香族残基的氢原子的1个或多个可以被烷基、二芳基膦酰基、上述的芳香族残基取代。
Ar3和Ar4为2价的“芳香族残基”，表示亚芳基、亚烯基、亚炔基或2价的杂环基。
对于亚芳基，碳原子数通常为6～60，优选为6～20，可例示亚苯基(下述化10中带有编号1～3的基团)、亚萘基(下述化10中带有编号4～13的基团)、亚蒽基(下述化10中带有编号14～19的基团)、亚联苯基(下述化10中带有编号20～23的基团)、亚三联苯基(下述化10中带有编号24～26的基团)、稠环化合物基(下述化10中带有编号27～33的基团)等。此外，这些亚芳基的氢原子的1个或多个可以被烷基、二芳基膦酰基、上述的1价的芳香族残基取代。然而，亚芳基的碳原子数中不包含取代基的碳原子数。
[化10]
2价的杂环基是指从杂环化合物中除去2个氢原子后剩下的原子团，碳原子数通常为2～60，优选为4～20。这里杂环化合物是指具有环式结构的有机化合物中，构成环的元素不仅为碳原子，而且环内包含氧、硫、氮、磷、硼等杂原子的化合物。以下例示2价的杂环基。此外，这些亚芳基的氢原子的1个或多个可以被烷基、二芳基膦酰基、上述的1价的芳香族残基取代。然而，2价的杂环基的碳原子数中不包含取代基的碳原子数。
包含氮作为杂原子的2价的杂环基：吡啶二基(下述化11中带有编号34～39的基团)、二氮杂亚苯基(下述化11中带有编号40～43的基团)、喹啉二基(下述化11中带有编号44～58的基团)、喹喔啉二基(下述化11中带有编号59～63的基团)、吖啶二基(下述化11中带有编号64～67的基团)、联吡啶二基(下述化11中带有编号68～70的基团)、菲咯啉二基(下述化11中带有编号71～73的基团)，等等。
包含硅、氮、硫、硒、磷原子等作为杂原子且具有芴结构的基团(下述化11中带有编号74～91的基团)。此外，具有包含氮原子的咔唑基(下述化11中带有编号77～79的基团)、三苯胺二基等芳香族胺单体的情况，从发光效率方面考虑是优选的。
可举出包含硅、氮、硫、硒、磷原子等作为杂原子的5元环杂环基：(下述化12中带有编号92～96的基团)。
可举出包含硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5元环稠合杂环基：(下述化12中带有编号97～108的基团)、苯并噻二唑-4,7-二基、苯并二唑-4,7-二基等。
可举出由包含硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5元环杂环基在该杂原子的α位结合而形成了2聚体、低聚物的基团：(下述化12中带有编号109～117的基团)。
可举出由包含硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5元环杂环基在该杂原子的α位与苯基结合了的基团：(下述化12中带有编号111～117的基团)。
[化11]
[化12]
上述化11、12中，式中的R’、R”、R”’分别独立地表示烷基、芳基或1价的杂环基。其中芳基和杂环基可以被烷基、二芳基膦酰基、上述的1价的芳香族残基取代。
上述形态的有机EL元件的制造方法中，作为形成第一有机层的方法，优选使用湿式法。
作为通过湿式法来形成第二有机层时所用的非极性溶剂，优选具有苯环的芳香族系的溶剂、或包含烷基或烯烃的脂肪族系的溶剂。
通过湿式法来形成第二有机层时，优选使用喷墨法。
作为形成第二有机层的有机材料，优选使用高分子系材料。
上述形态的有机EL元件的制造方法和有机EL元件中，第二有机层可以为发光层，也可以为电子输送层或空穴阻挡层。
第二有机层为发光层、具有在其上叠层第三有机层的第三工序、该第三有机层包含芳香族胺系化合物，也是优选的。在该情况下，第三有机层所含的芳香族胺系化合物作为空穴输送材料起作用。
上述形态的有机EL元件为倒置结构，因此在基板为TFT基板的情况下，可以通过2个n型TFT和1个电容器的简易像素电路来实现有机EL元件的驱动电路。
上述形态的有机EL元件的制造方法和有机EL元件中，第一有机层中除了有机氧化膦化合物以外，还可以包含碱金属、碱土金属、或稀土金属。
在该情况下，优选碱金属、碱土金属、或稀土金属以有机金属络合物的形态混合在第一有机层之中。
上述形态的有机EL元件的制造方法和有机EL元件中，第一层可以为电子注入层或电子输送层。
第二层可以为发光层，也可以为电子输送层或空穴阻挡层。
＜实施方式＞
(显示面板100的构成)
图1是示意性示出实施方式所涉及的倒置结构的有机EL元件的截面图，表示将1个有机EL元件垂直于基板地切断而得的截面(沿着图2中的X方向切断而得的截面)。
如图1所示，在基板101的表面上，依次形成阴极102、电子注入层104、发光层105、空穴输送层106、空穴注入层107、阳极108而构成有机EL元件110。该有机EL元件110为底部发光型，从下方取出由发光层105发出的光。
基板101可以仅仅为玻璃基板、硅基板或蓝宝石基板，也可以为形成了金属布线的基板，但是这里，基板101为不仅形成了晶体管阵列而且形成了平坦化膜的TFT基板，在该基板101上矩阵状地排列有机EL元件而形成显示面板100，可以通过有源矩阵方式而驱动。
图2是显示在基板101上排列有机EL元件110而成的显示面板100的一部分的平面图。该图中，有机EL元件110a～110c相当于RGB3色的子像素。如该图3所示，显示面板100中，由有机EL元件110构成的子像素在纵横方向(X－Y方向)排列成矩阵状，通过相邻的RGB3色的子像素而形成一像素，相邻的有机EL元件110a、110b、110c彼此通过堤103被划分。
图3是显示使用了显示面板100的显示装置200的构成的图。
显示装置200由显示面板100、与其连接的驱动控制部120构成。驱动控制部120由4个驱动电路121～124和控制电路125构成。
图4是显示使用了显示装置200的电视系统的一例的外观形状。
(有机EL元件110的构成)
以下，基于图1详细地说明有机EL元件110的构成。
基板101构成为，在玻璃基板的主面上依次形成TFT和线布线、平坦化膜。
大型面板中，作为TFT，优选形成由微晶硅构成的μc-SiTFT。
对于μc-SiTFT，与由低温多晶硅构成的TFT相比，基板面内的阈值电压的不均匀少，与由无定形硅构成的TFT相比，DC施加时的阈值电压稳定。此外，通过使形成于基板101的TFT为n沟道TFT，与P沟道TFT相比可得到优异的转换特性。
平坦化膜由绝缘性优异的有机材料例如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸系树脂材料形成，整体上被覆所排列的TFT。然后，在该平坦化膜上形成用于布线的通孔。
在基板101的表面上叠层有阴极102。对于该阴极102，在基板101的平坦化膜上，在与各子像素相当的区域形成矩形，任一子像素的阴极102的尺寸都同等。
此外，该阴极102通过形成于上述平坦化膜的通孔而与TFT连接。
形成阴极102的材料，没有特别限定，但是优选使用金属、导电性氧化物、导电性高分子。
作为金属的例子，可以举出铝、银、钼、钨、钛、铬、镍、锌和包含它们的任一种的合金。
作为导电性氧化物的例子，可以举出铟锡氧化物、铟锌氧化物、锌氧化物等。
作为导电性高分子，可以举出聚苯胺、聚噻吩和使它们与酸性或碱性的物质混合而成的高分子。
而且，沿着相邻的阴极102彼此的间隙而形成堤103。
堤103在图2中由沿Y方向延设的堤要素103a和沿X方向延设的堤要素103b构成，如上所述划分相邻的子像素彼此。各堤103的截面形状为大致梯形状，其堤宽度均匀。
该堤103由绝缘性的有机材料(例如丙烯酸系树脂、聚酰亚胺系树脂、酚醛清漆型酚树脂等)形成，表面具有防水性。
而且，由堤103隔开的凹部中，在阴极102上依次形成电子注入层104、发光层105，被堤103包围的子像素的尺寸也均等。
电子注入层104的材料为具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物，其详细内容如后所述。
发光层105以发出蓝色的光的发光层105a、发出绿色的光的发光层105b、发出红色的光的发光层105c沿横向(图2中X方向)排列的方式形成。
作为发光层105的材料，优选使用高分子系材料，例如，π共轭高分子系材料或含有低分子色素的高分子系材料。然而，发光层105的材料只要是溶解在非极性溶剂中的材料，则可以为低分子系材料。
作为高分子系材料的代表性材料，可举出聚苯撑乙烯(PPV(poly(phenylenevinylene))衍生物、或聚芴衍生物。
这样，通过使用高分子系的发光材料，可以通过印刷技术来形成发光层105，因此适合大量且廉价地生产大型显示面板。
另外，阴极102、电子注入层104使用在3色的有机EL元件中共同的材料，但是发光层105由在3色的有机EL元件110中分别发出蓝色、绿色、红色的发光材料形成。
而且，以覆盖发光层105和堤103的方式形成空穴输送层106、空穴注入层107、阳极108，构成有机EL元件。空穴输送层106、空穴注入层107、阳极108是基板101上排列的全部有机EL元件110中共同的层。
空穴输送层106可以通过将以三苯胺衍生物为代表的芳香族胺等空穴输送材料进行成膜来形成。
对于空穴注入层107，可以通过真空蒸镀法等将氧化钼、氧化钨等金属氧化物材料进行薄膜形成。
阳极108是全部有机EL元件110中共同的共同电极。阳极108的材料，没有特别限制，但优选使用金属、导电性氧化物。
作为金属的例子，可以使用例如铝、银合金、钼、钨、钛、铬、镍、锌和它们的合金。
作为导电性氧化物的例子，可以使用铟锡氧化物、铟锌氧化物、锌氧化物等。
在阳极108上可以设置密封层。该密封层由例如SiN(氮化硅)、SiON(氮氧化硅)等材料形成。
(对于电子注入层104的详细说明)
电子注入层104以具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物作为主体而形成。如后面详述地那样，该具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物具有在氧化膦上结合了3个芳基的结构，由于其受电子性而电子输送性也优异，因此具有适合作为电子注入层104的材料的特性。此外，除此以外，由于为聚合物化合物，因此与低分子系化合物相比，对非极性溶剂不易溶解。这里，该具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物中，重均分子量设定为2000以上，在得到对非极性溶剂的非溶解性方面是优选的。
此外，在通过湿式法来涂布该具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物的情况下，溶解在极性溶剂中进行涂布，但是如果重均分子量变大，则在极性溶剂中也不易溶解，因此其重均分子量优选为100万以下。
以下，作为构成电子注入层104的有机氧化膦化合物，可举出优选的化学结构。
其中，在式(1)中，Ar1和Ar2为可以彼此相同或不同的1价的芳香族残基，Ar3和Ar4为可以彼此相同也可以彼此不同的2价的芳香族残基。n为2～2000的自然数。
其中，在式(2)中，Ar1、Ar2为可以彼此相同也可以彼此不同的芳香族残基，R1、R2为可以彼此相同也可以彼此不同的脂肪族取代基。n为2～2000的自然数。
其中，在式(3)中，n为2～2000的自然数。
虽然电子注入层104是以这样的具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物作为主体而形成的，但是其中可以包含碱金属、碱土金属或稀土金属，由此，可以提高电子注入性。
作为改善电子注入性的机制，由于碱金属、碱土金属、稀土金属为供电子性，因此向受电子性的有机氧化膦化合物供给电子，使化合物形成自由基阴离子状态。而且，该自由基阴离子种作为可动的电子而动作，改善电子注入层104的电导率。
电子注入层104中，作为包含碱金属、碱土金属、或稀土金属的形态，优选以有机金属络合物的形态混合这些金属。这是因为，如果以金属的形态直接混入，则不易分散在溶剂中，金属容易氧化，但是通过以有机金属络合物的形态混入，可以容易分散在溶剂中，防止金属的氧化。
混合碱金属、碱土金属、稀土金属、或它们的金属络合物的比率，优选相对于具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物以重量比计为1%～90%，更优选为5%～30%的范围。
作为碱金属，优选为锂、钠、钾、铷、铯。作为碱土金属，优选为镁、钙、锶、钡。作为稀土金属，优选为镧、铈、铒、铕、钪、钇、镱。
金属络合物的配体的种类，没有特别限制，作为优选的例子，可举出乙酰丙酮、2,2,6,6－四甲基庚烷－3,5－二酮(TMHD)、二新戊酰甲烷、二苯甲酰甲烷等β－二酮类、喔星、2－甲基喔星等喔星类。
(显示面板100的制造方法)
关于显示面板100的制造方法，说明其一例。
制作基板101的工序：
通过反应性溅射法或使用了等离子体的薄膜形成方法，来形成由TFT和布线、SD电极、μc－Si构成的TFT层。
而且，通过以覆盖TFT的方式形成平坦化膜来制作基板101。
在这样制作的基板101上，如以下那样，形成各色的有机EL元件110。
阴极102的形成工序：
在平坦化膜上，将阴极102用的金属材料通过溅射法进行薄膜成形，通过湿蚀刻进行图案形成，从而形成阴极102。
堤103形成工序：
接下来，将例如感光性的抗蚀剂材料、或含有氟系、丙烯酸系材料的抗蚀剂材料作为堤材料涂布在平坦化膜上，通过光致抗蚀剂法进行图案形成，从而形成堤103。
另外，该堤形成工序中，接下来，为了调节堤103对所涂布的墨的接触角、或向表面赋予防水性，可以通过碱性溶液、水、有机溶剂等对堤103的表面进行表面处理或者实施等离子体处理。
电子注入层104的形成工序：
在阴极102上，通过湿式法来形成电子注入层104。
该工序中，将使上述的电子注入层的材料(具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物，或在其中加入了碱金属、碱土金属、稀土金属、它们的金属络合物的材料)溶解在极性溶剂中而得的墨，涂布在堤103彼此之间，进行干燥，从而形成电子注入层104。
作为使电子注入层104的材料溶解的极性溶剂，可以使用例如醇系、甘油系等具有OH基的溶剂。
具体而言，可举出甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、乙二醇、乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、甘油等。可以为它们与水的混合溶液。
溶剂可以为单一系的溶剂，也可以混合多种溶剂。可以为混合了多种极性溶剂的混合溶剂，可以为极性溶剂与非极性溶剂的混合溶剂。
对于电子注入层的材料的浓度，在混合了电子注入层的材料和极性溶剂的液体中，优选为0.05重量%～5重量%。
作为涂布方法，以喷墨法为代表，可以使用分配器法、喷嘴涂布法、凹版印刷、凸版印刷等。
发光层105的形成工序：
在电子注入层104上，通过湿式法来形成发光层105。
该工序中，将使上述的发光层用的材料溶解在溶剂中而得的墨，涂布在堤103彼此之间，进行干燥来形成。所用的材料在各个发光色中不同。该墨中，溶解发光层105的材料的溶剂为非极性溶剂。
作为非极性溶剂，优选使用芳香族系的溶剂。具体而言，可以适当使用甲苯、二甲苯等具有苯环作为中心的溶剂、或吡啶等杂环芳香族的溶剂。
作为芳香族系以外的非极性溶剂的例子，可以使用己烷、2－甲基己烷那样的直链或支链的脂肪族系的溶剂、或环己烷那样的环状脂肪族的溶剂、或氯仿等包含卤素的脂肪族溶剂、或四氢呋喃等杂环脂肪族系的溶剂。
这里所用的溶剂可以为单一系的溶剂，也可以为混合了多种溶剂的混合溶剂。
作为涂布墨的方法，以喷墨法为代表，可以使用分配器法、喷嘴涂布法、凹版印刷、凸版印刷等。
空穴输送层106的形成工序：
将空穴输送层106的材料和溶剂以规定比率混合而制作空穴输送层用的墨，在发光层105上涂布该墨。
所涂布的墨整体上被覆在发光层105和堤103上。
涂布用于形成空穴输送层106的墨的方法使用喷墨法、分配器法、喷嘴涂布法、旋转涂布法、凹版印刷、凸版印刷等。
通过使这样涂布的墨干燥来形成空穴输送层106。
空穴注入层107的形成工序:
对于空穴注入层107，可以将氧化钼、氧化钨等金属氧化物材料通过真空蒸镀法等进行薄膜形成。
阳极108的形成工序：
在空穴注入层107的表面上，通过真空蒸镀法、溅射法将ITO、IZO等材料成膜来形成阳极108。
在阳极108的表面上形成密封层的情况下，可以通过将SiN(氮化硅)、SiON(氮氧化硅)等材料通过真空蒸镀法进行成膜来形成。
通过以上工序，在基板上形成有机EL元件，完成显示面板100。
(聚合物化合物的制造方法)
对上述结构通式(1)所示的聚合物化合物的制造方法进行说明。
将下述化16所示的结构通式(4)所示的化合物与结构通式(5)的化合物在溶剂中在缩合催化剂和碱的存在下进行缩合、聚合，可以得到结构通式(1)所示的聚合物化合物。
[化16]
式(5)中，X为选自碘、溴、氯中的卤原子。
反应的温度可以在60℃～180℃进行，但从反应时间和收率的观点考虑优选为80℃～150℃。
这里聚合所用的溶剂，没有特别限定，但优选单独和混合使用直链和支链的(C1～C8)醇类、乙二醇、乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、甘油、二甲基醚、二甲亚砜、二甲基乙酰胺、N－甲基吡咯烷酮、四氢呋喃、二烷、甲苯、二甲苯、苄腈等。特别是，从收率和反应时间方面考虑优选为乙二醇、乙二醇单甲基醚、二甲基醚、二甲亚砜、二甲基乙酰胺、N－甲基吡咯烷酮、四氢呋喃、二烷。
溶剂的量相对于单体1摩尔优选为0.2L～100L。更优选地，从收率和反应速度方面考虑优选为1L～10L。
对于缩合催化剂，没有特别限制，但优选钯和镍的化合物。例如，可以单独或混合使用乙酸钯、钯－活性炭、四(三苯基膦)钯(0)、[1,1’-双(二苯基膦基)二茂铁]钯(II)二氯化物、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)、〔1,3－双(二苯基膦基)丙烷〕二氯镍(II)。
对于催化剂的量，没有特别限制，但相对于单体1摩尔优选使用0.0001摩尔～0.5摩尔，从收率、反应速度方面考虑，更优选使用0.001摩尔～0.1摩尔。
此外也可以使用可以在反应溶剂中与催化剂加成的配体。作为配体，可以使用1,2-双(二苯基膦基)乙烷、1,3-双(二苯基膦基)丙烷、1,4-双(二苯基膦基)丁烷、三叔丁基膦、2-(二叔丁基膦基)联苯等。配体的量相对于催化剂1摩尔优选为0.1～10摩尔的范围，更优选为0.5～5摩尔。
反应所用的双(芳基膦酰基)亚芳基单体的合成方法，没有特别限制，可以通过以下的方法合成。
反应(1)
反应(2)
反应(3)
反应(1)中，使二锂亚芳基化合物与芳基氯氨基膦反应，然后，在酸性水溶液中水解，从而得到双(芳基膦酰基)亚芳基单体。
反应(2)中，使二锂亚芳基化合物与芳基膦酸酯反应而得到双(芳基膦酰基)亚芳基单体。式中R只要是对有机锂化合物稳定的烷基或芳香族残基，则没有特别限制。
反应(3)中，使二锂亚芳基化合物与二氯芳基膦反应，然后进行水解，从而得到双(芳基膦酰基)亚芳基单体。
这里，反应(1)与反应(3)比较，作为反应位点的氯基为1个，因此不易发生副反应，从收率方面考虑是优选的。此外，反应(2)所用的膦酸酯与氯化膦相比，活性低，收率不好。因此反应(1)最优选。
作为反应(1)～(3)的原料的二锂化合物可以使用公知的方法来合成。例如，可以使用二卤化合物和丁基锂等锂化剂来得到。
二锂化化合物也可以与对应的格氏试剂置换。
(有机EL元件110及其制造方法产生的效果)
上述的有机EL元件110中，电子注入层104包含上述的具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物。这些聚合物化合物的成膜性优异，具有在氧化膦上结合了3个芳基的结构，具有受电子性，电子注入性优异，并且，对非极性溶剂为不溶性。
即，虽然三苯基氧化膦那样的低分子系的有机氧化膦化合物作为电子输送性材料是已知的，但是高分子系的有机氧化膦化合物中，有机氧化膦骨架所具有的电子输送性能在高分子系中也会被维持。
此外，有机氧化膦化合物具有作为极性基的氧化膦基，也具有对甲苯那样的非极性溶剂的亲和性，因此如果与包含非极性溶剂的墨接触，则容易溶解，但是即使是相同有机氧化膦化合物，如果形成聚合物化合物，则对非极性溶剂的溶解性变低，因此由该聚合物化合物形成的层即使接触包含非极性溶剂的墨也不会溶解。
另一方面，这些聚合物化合物对醇等极性溶剂具有溶解性，因此可以通过湿式法涂布来成膜。此外，通过形成聚合物化合物，其制膜性也提高。这是因为，对于低分子化合物而言，容易发生结晶化，因此膜的均匀性有时会降低，与此相对，对于聚合物化合物，不易发生结晶化，容易得到均质的膜质。
这里，高分子化合物与低分子化合物相比，扩散性低，如果一旦干燥，则不易溶解在溶剂中。因此，如果由以有机氧化膦为骨架的聚合物化合物形成电子注入层104，则在电子注入层104上形成发光层105的工序中，即使通过湿式法来涂布在非极性溶剂中溶解了发光层材料而得的墨，来叠层形成发光层105，电子注入层104也不易溶解。
因此，由于可以稳定地形成电子注入层104以及发光层105的叠层结构，因此可以实现发光亮度的均匀化、有机EL元件110的长寿命化。
此外，由于电子注入层104对非极性溶剂为不溶性，因此作为发光层105的材料，能够使用在非极性溶剂中能够溶解的各种高分子系材料，作为发光层105的材料能够选择的发光材料的范围扩大。
此外，上述有机EL元件110为在基板101侧设置了阴极102的倒置结构，倒置结构中，可以在基板101上形成n沟道TFT，将其与阴极102连接，得到以阳极108为通用电极的像素结构。
而且，通过在TFT中应用n沟道TFT，可以提高有机EL元件的驱动速度。
特别是，在驱动TFT的半导体层使用μc－Si的情况下，实质上仅能形成n沟道TFT，但在该情况下，只要应用上述有机EL元件110的倒置结构即可。
这样，通过本形态的有机EL元件110，设计有机EL元件时的选择范围扩大，有实用价值。
[实施例]
〔电子输送材料的耐溶剂性试验〕
关于图6(a)～(c)、图7中结构式(3)、(6)所示的实施例所涉及的聚合物化合物、以及图8中结构式(11)所示的比较例所涉及的低分子化合物，如下研究对甲苯的耐久性。
这些化合物均具有在氧化膦上结合了3个芳基的骨架，但是实施例所涉及的结构式(3)、(6)所示的化合物为聚合物化合物，与此相对，结构式(11)所示的化合物为低分子系化合物。
另外，关于实施例所涉及的结构式(3)所示的聚合物化合物，对于通过下述的合成方法而制造的重均分子量Mw为3300的化合物、重均分子量Mw为10000的化合物、重均分子量Mw为1821的化合物，分别研究了甲苯耐久性。
此外，关于结构式(6)所示的聚合物化合物，对于重均分子量Mw为4703的化合物，分别研究了甲苯耐久性。
试验方法：
在石英基板的表面上，形成各样品的聚合物化合物的涂膜。涂膜形成方法是，在大气中，通过旋转涂布将各化合物的溶液涂布在基板上，在100℃进行30分钟真空干燥而形成，膜厚为约100nm。
关于形成了各涂膜的基板，用吸光光度计测定各个波长的吸光度。其测定结果是，在图6～8中以表示为“甲苯涂布前”的光谱曲线表示。
接下来，对于形成了各涂膜的基板，在涂膜上滴加甲苯0.15ml，以500rpm进行45秒旋转涂布，在130℃进行30分钟干燥。
而且，对于各基板，用吸光光度计测定各个波长的吸光度。其测定结果是，在图6～8中以表示为“甲苯涂布后”的光谱曲线表示。
关于结构式(3)所示的实施例所涉及的聚合物化合物，对于重均分子量MW为10000、3300、1821的化合物，分别进行测定。如图6(a)、(b)所示，对于MW3300以上的化合物，在甲苯涂布前和涂布后吸光光谱曲线基本上相同，如图6(c)所示对于MW1821的化合物，甲苯涂布后吸光度减少，但是可见与甲苯涂布前同样的波形。此外，如图7所示，对于结构式(6)所示的聚合物化合物，甲苯涂布前和涂布后吸光光谱曲线也基本上相同。
此外，数值上，对于结构式(6)的聚合物化合物，在波长340nm下，甲苯涂布前的吸光度和甲苯涂布后的吸光度都为0.155。这表示，结构式(3)、(6)所示的聚合物化合物的涂膜不易通过甲苯涂布而溶解，即对甲苯的耐久性高。
另一方面，如图8所示，对于结构式(11)所示的比较例所涉及的低分子化合物，甲苯涂布前和涂布后吸光光谱曲线变化，在甲苯涂布后，基本上不可见吸光。数值上，在波长323nm下，甲苯涂布前的吸光度为0.160，与此相对，甲苯涂布后的吸光度为0.001。这表示，通过甲苯涂布而涂膜基本上溶解，未残留。
由以上的试验结果可知，结构式(3)、(6)所示的实施例所涉及的聚合物化合物，相对于结构式(11)所示的比较例所涉及的低分子化合物，对甲苯的耐久性优异。
特别是，结构式(3)的聚合物化合物与结构式(11)的低分子化合物相比，有机氧化膦化合物的基本结构相同，但结构式(3)的聚合物化合物为链状的聚合物，对甲苯的耐久性提高。
这样，通过形成链状的聚合物而使对甲苯的耐久性提高的原因认为是，对于链状的聚合物，聚合物分子间的引力变大而分子链缠结，溶剂分子不易解开该分子链的缠结。而且，该链状聚合物的分子量(聚合度)越大，则该倾向越大，因此不易溶解在溶剂中。
基于这些试验结果进行考察，可预测一般在具有芳基的有机氧化膦化合物中，通过延长其分子链，会使对甲苯的耐久性大幅提高。
即，不限于结构式(3)、(6)所示的聚合物化合物，结构通式(1)、(2)所示的聚合物化合物在具有在氧化膦上结合了芳基的结构方面相同，并且在为链状的高分子的方面也是相同的，因此对甲苯的耐久性良好。
此外，不限于芳基为苯基的情况，在如萘基那样为多环结构或杂环结构的化合物的情况下也同样地，通过形成聚合物化合物而使对甲苯的耐久性提高。
另外，关于下述化18中式(23)～(28)所示的比较例所涉及的化合物，也同样地进行试验，结果甲苯涂布前和涂布后吸光光谱曲线变化，在甲苯涂布后基本上不可见吸光，因此可知涂膜溶解了。
[化18]
由以上的考察可知，一般在具有有机氧化膦骨架的化合物中，通过形成聚合物化合物而使对甲苯的耐久性提高。
另外，这里，虽然显示以甲苯作为非极性溶剂进行试验的结果，但即使使用甲苯以外的芳香族系溶剂(苯、二甲苯等)、或使用芳香族系溶剂与饱和烃溶剂的混合溶剂进行试验，也同样地可得到耐久性提高的结果。
此外，仅采用芳香族系溶剂以外的非极性溶剂进行试验，也确认到同样的结果(耐久性的提高效果)。
另外，一般而言，作为非离子性且可溶于醇的高分子，已知聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇等，但是上述那样的具有结合了芳基的氧化膦骨架的聚合物基本上未知，是本发明者通过新分子设计而得到的化合物。
〔关于具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物的平均分子量〕
具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物中，聚合物化合物的重均分子量Mw优选为2000以上。这是因为，如果重均分子量Mw为2000以上，则对非极性溶剂具有充分的不溶性。
此外，聚合物化合物的重均分子量Mw优选为100万以下。这是因为，在通过湿式法来涂布该聚合物化合物而形成电子输送层104时，使聚合物化合物溶解在极性溶剂中进行涂布，但是如果重均分子量Mw过大，则不易溶解在极性溶剂中，难以通过湿式法进行涂布。
〔具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物的合成方法〕
对结构式(3)、(6)所示的聚合物化合物的合成方法进行说明。
首先，参照图9说明结构式(3)所示的聚合物化合物的一例。
1.氯(二乙基氨基)苯基膦的合成
基于Sciffers等的方法，合成氯(二乙基氨基)苯基膦。
I.Schiffers,T.Rantanen,F.Schmidt,W.Bergmans,L.Zani,andC.Bolm,J.Org.Chem.1971,71,2472
另外，氯(二乙基氨基)膦由于水分、氧气而分解，因此氯(二乙基氨基)膦的合成中的后处理在氩气气氛下进行操作。
2.2,7-双(苯基膦酰基)-9,9-二甲基芴(单体)的合成
在氮气气氛下，在－80℃，在2,7-二溴-9,9-二甲基芴7.04g(20毫摩尔)的THF溶液150mL中经30分钟滴加1.6M的正丁基锂己烷溶液27.5mL(44毫摩尔)，在－80℃搅拌2小时。由此，2,7-二溴-9,9-二甲基芴被锂化。
在该悬浮液中加入氯(二乙基氨基)苯基膦10.4g(48毫摩尔)，在－80℃搅拌20分钟后，在室温搅拌14小时。
一边将反应液用冰浴冷却，一边加入12当量盐酸25mL，在室温反应7小时。反应结束后，反应液用水100mL稀释并用碳酸氢钠中和。将该溶液用二氯甲烷萃取，将有机层用硫酸镁干燥后，在减压下除去溶剂。
在合成该2,7-双(苯基膦酰基)-9,9-二甲基芴的工序中，由于将二卤化芳基进行二锂化，因此除了目标物质以外，作为副产物也会产生单氧化膦，因此将所得的残渣通过柱色谱(硅胶，展开溶剂：二氯甲烷：甲醇=20：1)进行纯化，作为无色油状物得到2,7-双(苯基膦酰基)-9,9-二甲基芴3.47g(收率39%)。
将所得的生成物(单体)用MS和NMR进行测定来鉴定。
MS(FAB+,3-硝基苄醇)m/z443(M+H)
1HNMR(CDCl3,60Hz)d1.51(s,6H,CH3)，d7.56-8.04(m,16H)，d8.17(d,2H,1J=481Hz,PH)
3.2,7-双(苯基膦酰基)芴与1,4-二碘苯的聚合
3－1
(1)将2,7-双(苯基膦酰基)芴(单体)、二碘苯、催化剂、配体、碱溶解在溶剂中，在规定温度加热搅拌20小时。
关于溶剂、碱、反应温度的条件，如表1所示，改变组合来进行。即，溶剂使用DMA(二甲基乙酰胺)或NMP(N甲基吡咯烷酮)，碱使用DIEA(二异丙基乙基胺)或DMAP(二甲基氨基吡啶)，反应温度在100℃或150℃进行。
另外，进行聚合时，进行脱气、溶剂的脱水可得到良好的再现性。
以下显示加入量的一例。
2,7-双(苯基膦酰基)-9,9-二甲基芴：0.221g(0.5毫摩尔)
对二碘苯：0.165g(0.5毫摩尔)
二乙酸钯：2.3mg(0.01毫摩尔)
1,3-双(二苯基膦基)丙烷：8.3mg(0.02毫摩尔)
N,N-二甲基氨基吡啶：0.916mL(5.35毫摩尔)
二甲亚砜：2.5mL(35.2毫摩尔)
(2)反应结束后，注入到1N盐酸40mL中，用二氯甲烷30mL进行3次萃取。
(3)将有机层用6N的盐酸20mL、水30mL进行3次洗涤。
(4)用硫酸镁干燥后，在减压下进行浓缩。浓缩后的残渣的重量显示在表1中的重量A栏中。
(5)使所得的残渣溶解在二氯甲烷2mL中，将环己烷50mL一边搅拌一边滴加其溶解液，进行再沉淀。通过再沉淀而得到的重量显示在表1中的重量B栏中，收率显示在表1中的X栏中。
关于所得的沉淀，通过GPC测定分子量。
将通过再沉淀而得到的聚合物，如下纯化而制成元件评价用试样。
(1)使用索格利特提取器用甲苯洗涤2－4天。
(2)使用柱色谱(硅胶(关东化学制K-60N))，首先在聚合物的二氯甲烷溶液中提供至柱色谱，用5%甲醇－二氯甲烷溶液洗涤杂质，用甲醇使聚合物溶出。所得的聚合物溶液，在减压下除去溶剂，或再次进行再沉淀进行洗涤而纯化。
关于所得的元件评价用试样，用NMR和IR测定。
1HNMR(60MHz,CDCl3)d1.43(sbr,6H,CH3)，7.27-8.02(m,20H,Ar-H)
IR(KBr)u3402,2919,1598,1438,1182,1113,1002,692,554cm-1
[表1]
*重均分子量Mw，数均分子量Mn是使用昭和电工制ShodexGPCK-804L以聚苯乙烯为基准而算出的。GPC中，使用0.5%三乙胺－氯仿溶液，流量1.0mL/min，在波长254nm检测。
*收率X是以每重复结构的分子量(516)为基础而算出的。
3－2
在与上述3－1不同的条件下，如下进行聚合反应。
使2,7-双(苯基膦酰基)-9,9-二甲基芴265mg(0.6毫摩尔)、1,4-二碘苯165mg(0.5毫摩尔)、乙酸钯2.3mg(0.01毫摩尔)、1,3-(二苯基膦酰基)丙烷8.2mg(0.02毫摩尔)、二异丙基乙基胺0.93mL溶解在1-甲基-2-吡咯烷酮2.5mL中，在－80℃进行脱气。然后，安装充满氩气的气球，在100℃搅拌24小时。反应结束后，使反应液溶解在1N盐酸100mL中，用二氯甲烷100mL进行3次萃取。将有机层用水100mL进行3次洗涤，用硫酸镁干燥后，在减压下浓缩。使所得的浓缩物溶解在THF4mL、二氯甲烷5mL中，注入到环己烷中。将所得的沉淀通过减压过滤而回收，得到白色固体314mg。
将该白色固体通过GPC测定(pSt基准)分子量的结果是，得到Mw6307，Mn2681。
另外，尝试使用再沉淀中被认为对环己烷容易分散的THF使聚合物溶解，但是化合物不易溶解，因此再加入二氯甲烷使其溶解。
将所得的固体中的291mg加入到圆筒滤纸中，使用索格利特提取器用甲苯80mL进行15小时回流，进行提取。将所得的滤液浓缩，得到黄色油状物22mg。
将该油状物通过GPC测定(pSt基准)分子量的结果，得到Mw1821，Mn858。
接下来，参照图10说明合成结构式(6)所示的聚合物化合物的方法的一例。
1.5,5’-双(苯基膦酰基)-2,2’-联噻吩的合成
在氮气气氛下，在－80℃，在2,2’-联噻吩3.00g(18毫摩尔)的THF溶液中经10分钟加入1.6M的正丁基锂己烷溶液25mL(40毫摩尔)。
在－80℃搅拌30分钟后，在室温搅拌2小时。
再次冷却至－80℃，加入氯(二乙基氨基)苯基膦9.32g(43.2毫摩尔)，在－80℃搅拌1小时，在室温搅拌5.5小时。
在该溶液中加入12当量盐酸22.5mL(270毫摩尔)，在室温搅拌12小时。
加入水100mL，使用碳酸氢钠进行中和后，用二氯甲烷萃取。
将有机层用硫酸镁干燥，在减压下除去溶剂。将所得的残渣用柱色谱(硅胶，展开溶剂：二氯甲烷：甲醇=100：2)纯化，作为黄色油状物得到5,5’-双(苯基膦酰基)-2,2’-联噻吩3.26g(收率44%)。
将所得的生成物(单体)用MS和NMR测定而鉴定。
MS(FAB+,3-硝基苄醇)m/z415(M+H)
1HNMR(CDCl3,60Hz)d4.68(d,2H,1J=73.4Hz,PH)，d7.27-8.01(m,14H)
2.5,5’-双(苯基膦酰基)-2,2’-联噻吩与1,4-二碘苯的聚合
使5,5’-双(苯基膦酰基)-2,2’-联噻吩414mg(1毫摩尔)、1,4-二碘苯330mg(1毫摩尔)、乙酸钯4.5mg(0.02毫摩尔)、1,3-双二苯基膦基丙烷16.5mg(0.04毫摩尔)和二甲基氨基吡啶1.31g(10.7毫摩尔)溶解在二甲基乙酰胺5mL中，在100℃反应4天。
反应结束后，注入到1N盐酸中，用二氯甲烷萃取。
使有机层用硫酸镁干燥，将溶剂在减压下除去。
使所得的残渣溶解在二氯甲烷5mL中，注入到环己烷50mL中进行再沉淀。滤取沉淀后，在减压下使其干燥，得到聚合物446mg(回收率91%)。
将所得的聚合物，使用索格利特提取器用甲苯洗涤2天。使所得的残渣溶解在二氯甲烷中，提供至柱色谱(硅胶)，用5%甲醇-二氯甲烷溶液洗涤，用50%甲醇-二氯甲烷溶液溶出。将所得的溶液的溶剂在减压下除去，得到聚合物236mg。
关于所得的聚合物，进行重均分子量Mw、数均分子量Mn的测定、NMR测定。
Mw4703,Mn1279(pSt基准)
1HNMR(60MHz,CDCl3)d7.28-7.83(m,16H)
〔上述合成方法的特征和效果〕
上述图9、10所示的合成方法中，在合成单体的工序中，使用氯(二乙基氨基)苯基膦，使其与M－Ar－M(Ar为芳基，M为金属)反应，由此，可以抑制副反应，并且进行目的单体的合成，因此可以提高反应效率。
即，如果使用如二氯苯基膦那样存在多个与Ar－M反应的部位的膦化合物，则与P－Ar－P－Ar－P交联，容易如下述化19所示那样聚合。
[化19]
与此相对，氯(二乙基氨基)苯基膦与Ar－M反应的部位为1个，因此如果与M－Ar－M反应，则如下述化20所示，可以抑制聚合并且合成单体。
[化20]
如上所述，虽然显示了关于结构式(3)、(6)的聚合物化合物的合成方法，但结构通式(1)、(2)所示的聚合物化合物也可以通过与其同样的方法来合成。
〔有机EL元件的性能比较〕
制作实施例1和比较例1～2所涉及的有机EL元件，比较其性能，从而考察本发明的有用性。
(实施例1)
图5是表示实施例1所涉及的有机EL元件的构成的截面示意图。
使用松浪ガラス制无碱玻璃作为基板101，在该基板101的表面上，如下所述，依次形成阴极102、电子输送层104、发光层105、空穴输送层106、空穴注入层107、阳极108。
阴极102如下形成：在基板101的表面上，通过溅射法将ITO以膜厚50nm成膜，通过使用感光性抗蚀剂的光刻法对ITO膜进行蚀刻来进行图案形成，剥离感光性抗蚀剂。接着，使用中性洗剂和纯水进行基板洗涤后，进行UV臭氧洗涤。
电子注入层104如下形成：在上述结构式(3)的聚合物化合物中以10重量%混合乙酰乙酸锂，通过旋转涂布来涂布溶解在正丁醇、乙醇混合液中的溶液，在130℃的温度在氮气中进行烘烤。旋转涂布的转速为4000rpm。烘烤后的电子注入层104的膜厚为20nm。
发光层105如下形成：作为发光材料，使用メルク社的SuperYellow，将使其溶解在4－甲氧基甲苯中而得的溶液进行旋转涂布，在130℃进行烘烤。烘烤后的发光层105的膜厚为50nm。
空穴输送层106是通过真空蒸镀法将二苯基萘基二胺(NPD，新日铁化学制)以膜厚60nm形成的。
空穴注入层107是通过真空蒸镀法将氧化钼(MoOx高纯度化学制)以膜厚20nm来形成的。最后，作为阳极108，通过真空蒸镀法将铝(高纯度化学制纯度99.9%)以膜厚80nm进行薄膜形成，制作实施例1所涉及的有机EL元件。
另外，虽然图5中并未示出，但可以将所制作的有机EL元件在水和氧气浓度为5ppm以下的氮气干箱中进行玻璃罐密封，将有机EL元件在空气中进行评价。
(比较例1)
除了不形成电子输送层104方面以外，与上述实施例1同样地，制作比较例1所涉及的有机EL元件。
(比较例2)
在与上述实施例1同样的基板101的表面上，通过ITO形成阳极，作为空穴注入层，将PEDOT：PSS以膜厚70nm形成，在其上与实施例1同样地叠层发光层，作为电子注入层，通过真空蒸镀法形成膜厚5nm的钡(BaAldrich制)，作为阴极，以膜厚80nm叠层与实施例1同样的铝，从而制作比较例2所涉及的有机EL元件。
关于这样制成的有机EL元件的实施例1和比较例1～2的有机EL元件，如下进行试验来评价性能。
在阳极与阴极之间使电压从－3.5V以每0.25V变化至11V，同时测定此时在阳极与阴极之间流过的电流、亮度和色度。此外，由其测定结果计算出发光效率。
评价装置使用Keythley2400作为电压源、电流计。
作为亮度计，使用大塚电子MC－940。
将施加电压9V时的测定结果示于表2中。
[表2]
亮度(cd/m2) 发光效率(Cd/A)
实施例1 155cd/m2 5.4cd/A
比较例1 不发光 不发光
比较例2 1200cd/m2 0.6cd/A
由表2的结果可知，对于实施例1的有机EL元件，亮度、发光效率良好，但是如果如比较例1那样不形成电子输送层104，则不会顺利地发光。
此外，如比较例2那样，在以正极、由PEDOT：PSS形成的空穴注入层、发光层这样的顺序形成的情况下，亮度、发光效率良好，但是不是倒置结构。
＜变形例等＞
上述实施方式中，虽然通过涂布将具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物溶解在溶剂中而得的墨的湿式法而形成了电子注入层104，但是形成电子注入层104的方法可以不一定为湿式法，可以通过将具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物进行薄膜形成来形成电子注入层104，在该情况下，在电子注入层104上通过使用了非极性溶剂的湿式来形成发光层105时，构成电子注入层104的聚合物化合物不溶解于非极性溶剂，因此也发挥同样的效果。
上述实施方式中，虽然由具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物形成电子注入层104作为第一层，在其上，在非极性溶剂中溶解材料而通过湿式法形成发光层105作为第二层，但是也可以由具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物形成电子注入层104作为第一层后，作为第二层，代替发光层而使用非极性溶剂通过湿式法形成电子输送层或空穴阻挡层，在其上叠层发光层。
在该情况下，在第一层上涂布将形成电子输送层或空穴阻挡层的有机材料溶解在非极性溶剂中而得的墨，来形成第二层，但是构成第一层的有机氧化膦化合物不溶解于非极性溶剂，因此发挥同样的效果。
空穴阻挡层具有输送电子的功能，并且由输送空穴的能力显著小的空穴阻挡材料制成，通过阻挡空穴来提高电子与空穴的再结合概率。
在该情况下，作为电子输送层的材料和空穴阻挡层的材料，可举出例如，硝基取代芴衍生物、二苯基醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳二亚胺、亚芴基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷和蒽酮衍生物、二唑衍生物等。此外，将二唑衍生物中的二唑环的氧原子替换成硫原子的噻二唑衍生物、具有作为吸电子基已知的喹喔啉环的喹喔啉衍生物也可以作为电子输送材料来使用。此外，也可以使用将这些材料导入到高分子链的高分子材料、或以这些材料作为主链的高分子材料。
此外，上述实施方式中，可以形成电子注入层作为第一层，第一层为电子输送层，第二层为发光层或空穴阻挡层。
在该情况下，在电子注入层上，由具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物形成电子输送层作为第一层，在第一层上涂布将形成发光层或空穴阻挡层的有机材料溶解在非极性溶剂中而得的墨来形成第二层，但是构成第一层的具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物不溶解于非极性溶剂，因此发挥同样的效果。
上述实施方式中说明的有机EL元件是底部发光型，从有机EL元件取出光的方向为基板侧，但也可以为从与基板侧相反的一侧取出光的顶部发光型。或也能够从基板侧和基板的相反侧的两方取出光。
上述实施方式中，虽然显示了将本发明的有机EL元件适用于有机EL显示装置的例子，但是本发明所涉及的有机EL元件也可以适用于有机EL照明装置。
产业可利用性
本发明所涉及的有机EL元件可以适用于例如便携电话用、电视等的显示装置，在制作发光特性良好的显示装置、照明装置中是有用的。
符号的说明
100显示面板
101基板
102阴极
103堤
104电子注入层
105发光层
106空穴输送层
107空穴注入层
108阳极
110有机EL元件。

Claims (13)

1.一种有机EL元件的制造方法，所述有机EL元件具备基板、阴极、多个有机层和阳极，且从所述基板侧按照阴极、多个有机层、阳极的顺序叠层，所述制造方法包括下述工序：
第1工序，通过湿式法来形成包含具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物的第一有机层，和
第2工序，在所述第一有机层上，通过使用了包含有机材料和溶剂的液体的湿式法来叠层第二有机层，所述溶剂含有选自具有苯环的芳香族系的溶剂、和包含烷基或烯烃的脂肪族系的溶剂中的至少1种，
所述聚合物化合物在醇系溶剂中为可溶，在所述第2工序的溶剂中为不溶，并以下述结构式(2)表示，
其中，在式(2)中，Ar1、Ar2为可以彼此相同也可以彼此不同的芳香族残基，R1、R2为可以彼此相同也可以彼此不同的脂肪族取代基，n为2以上的自然数。
2.根据权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，在所述第1工序中，通过湿式法来形成第一有机层时所用的溶液含有醇系溶剂。
3.根据权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，所述第1工序中使用的溶液中包含碱金属、碱土金属、和稀土金属中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，所述聚合物化合物的重均分子量为2000以上。
5.根据权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，所述第2工序中的所述湿式法为喷墨法。
6.一种有机EL元件，其具备基板、阴极、多个有机层和阳极，且从所述基板侧按照阴极、多个有机层、阳极的顺序叠层，
所述多个有机层具备：
包含具有有机氧化膦骨架的聚合物化合物的第一有机层，
在所述第一有机层的阳极侧叠层有机材料而成的第二有机层，
所述聚合物化合物在醇系溶剂中为可溶，在具有苯环的芳香族系的溶剂、或者包含烷基或烯烃的脂肪族系的溶剂中为不溶，
并且所述聚合物化合物以下述结构式(2)表示，
其中，在式(2)中，Ar1、Ar2为可以彼此相同也可以彼此不同的芳香族残基，R1、R2为可以彼此相同也可以彼此不同的脂肪族取代基；n为2以上的自然数。
7.根据权利要求6所述的有机EL元件，所述聚合物化合物的重均分子量为2000以上。
8.根据权利要求6所述的有机EL元件，所述第一有机层还包含碱金属、碱土金属、和稀土金属中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的有机EL元件，所述碱金属、碱土金属、或稀土金属以有机金属络合物的形态混合在所述第一有机层之中。
10.根据权利要求6所述的有机EL元件，所述第二有机层为发光层、电子输送层和空穴阻挡层中的任一者。
11.一种聚合物化合物，其是形成有机EL元件的有机层的聚合物化合物，并以结构通式(2)表示，
其中，在式(2)中，Ar1、Ar2为可以彼此相同也可以彼此不同的芳香族残基，R1、R2为可以彼此相同也可以彼此不同的脂肪族取代基；n为2以上的自然数。
12.根据权利要求11所述的聚合物化合物，其以结构式(3)表示，
其中，在式(3)中，n为2以上的自然数。
13.根据权利要求11或12所述的聚合物化合物，其重均分子量为2000以上。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9082732B2 (en) 2011-12-28 2015-07-14 Joled Inc. Organic EL display panel and method for manufacturing same
JP6073890B2 (ja) 2012-07-26 2017-02-01 パナソニック株式会社 有機ｅｌ装置
JP6037894B2 (ja) * 2013-02-28 2016-12-07 日本放送協会 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、表示装置
CN103545457B (zh) * 2013-10-28 2016-06-29 京东方科技集团股份有限公司 发光器件、阵列基板、显示装置及发光器件的制造方法
US10910350B2 (en) * 2014-05-24 2021-02-02 Hiphoton Co., Ltd. Structure of a semiconductor array
KR102350027B1 (ko) 2014-07-10 2022-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
WO2016006243A1 (ja) * 2014-07-10 2016-01-14 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子
JP6498026B2 (ja) * 2015-05-11 2019-04-10 国立大学法人 筑波大学 発光材料、発光素子
EP3182478B1 (en) * 2015-12-18 2018-11-28 Novaled GmbH Electron injection layer for an organic light-emitting diode (oled)
CN105428546A (zh) * 2016-01-20 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 一种qled及其制备方法、显示装置及其制备方法
CN106981588A (zh) * 2017-05-02 2017-07-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种有机发光器件及其制造方法
JP7325731B2 (ja) 2018-08-23 2023-08-15 国立大学法人九州大学 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6789275B2 (ja) * 2018-10-31 2020-11-25 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子の製造方法、並びに有機ｅｌパネル、有機ｅｌ表示装置、電子機器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1894357A (zh) * 2003-10-22 2007-01-10 默克专利有限公司 用于电致发光的新型材料,和其用途
CN101330132A (zh) * 2001-08-20 2008-12-24 Tdk株式会社 有机el元件及其制造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4072653A (en) * 1976-05-20 1978-02-07 Monsanto Company Polymeric phosphine oxide flame retardants
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US6723828B2 (en) * 2001-05-23 2004-04-20 Sri International Conjugated electroluminescent polymers and associated methods of preparation and use
KR100495407B1 (ko) 2001-08-20 2005-06-14 티디케이가부시기가이샤 유기ｅｌ소자 및 그 제조방법
JP2003347061A (ja) * 2001-08-20 2003-12-05 Tdk Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP4279509B2 (ja) * 2002-05-16 2009-06-17 住友化学株式会社 高分子材料を用いた光電子素子
US20040096570A1 (en) * 2002-11-15 2004-05-20 Michael Weaver Structure and method of fabricating organic devices
WO2005040302A1 (de) 2003-10-22 2005-05-06 Merck Patent Gmbh Neue materialien für die elektrolumineszenz und deren verwendung
JP5010915B2 (ja) 2004-04-20 2012-08-29 九州電力株式会社 有機電界発光素子およびその製造方法
JP2006073583A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Toray Ind Inc 光電変換素子用材料およびこれを用いた光電変換素子
JP2007053286A (ja) 2005-08-19 2007-03-01 Seiko Epson Corp 発光素子、表示装置および電子機器
JP2007224282A (ja) * 2006-01-16 2007-09-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
DE112007000169T5 (de) 2006-01-16 2008-11-27 Sumitomo Chemical Co. Ltd. Polymerverbindung und lichtemittierende Vorrichtung auf Polymerbasis unter deren Verwendung
JP4273132B2 (ja) 2006-04-03 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 有機発光素子の製造方法
JP2009158756A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Canon Inc 有機電界発光素子
US8685541B2 (en) * 2008-06-02 2014-04-01 Basf Se Dibenzofurane polymers for electroluminiscent devices
JP5156612B2 (ja) * 2008-12-18 2013-03-06 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP5387030B2 (ja) * 2009-02-13 2014-01-15 三菱化学株式会社 共役ポリマー、ポリマー組成物、電荷輸送材料、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌ照明

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101330132A (zh) * 2001-08-20 2008-12-24 Tdk株式会社 有机el元件及其制造方法
CN1894357A (zh) * 2003-10-22 2007-01-10 默克专利有限公司 用于电致发光的新型材料,和其用途

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
New Charge Transporting Host Material for Short Wavelength Organic Electrophosphorescence: 2,7-Bis(diphenylphosphine oxide)-9,9-dimethylfluorene;Asanga B. Padmaperuma等;《Chem. Mater.》;20060331;第18卷(第9期);第2389-2396页 *

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2012085982A1 (ja) 2014-05-22
CN102960063A (zh) 2013-03-06
US20130092918A1 (en) 2013-04-18
JP5744061B2 (ja) 2015-07-01
KR20140000617A (ko) 2014-01-03
US9136475B2 (en) 2015-09-15
WO2012085982A1 (ja) 2012-06-28
KR101790372B1 (ko) 2017-10-25

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