CN102945816A - 基底处理装置和方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供基底处理装置和方法。所述装置包括：支承基底的基底支承构件；喷嘴臂，其具有把光致抗蚀剂液排放到上述基底上的多个光致抗蚀剂液喷嘴；和等待口，安装在上述喷嘴臂中的多个喷嘴在该等待口中等待执行各个处理过程，该等待口设置在上述基底支承构件的侧面部分；其特征在于，上述等待口包括：具有敞开顶部的壳体，其为容纳上述多个喷嘴提供空间；和有机溶剂供应构件，与容纳在上述壳体中的上述多个光致抗蚀剂液喷嘴一一对应，该有机溶剂供应构件把有机溶剂供应到从上述相应的光致抗蚀剂液喷嘴选出来的光致抗蚀剂液喷嘴的前端。在该基底处理装置中，光致抗蚀剂液喷嘴和有机溶剂喷嘴可装在一根喷嘴臂中成为一个整体，从而减少了处理时间。

Description

基底处理装置和方法

本申请是申请日为2008年10月31日、发明名称为“化学品液供应装置及使用该装置的基底处理装置和方法”的第200810172305.5号专利申请的分案申请。

相关申请的交叉参考

本专利申请要求于2007年12月12日提交的韩国申请No.10-2007-0138664的优先权，在此将该韩国申请的全部内容作为本申请的参考而引入。

背景技术

这里公开的本发明涉及基底处理装置和方法，更具体的说，涉及把光致抗蚀剂液供应到基底上的化学品液供应装置、具有这种供应装置的基底处理装置以及使用这种供应装置的基底处理方法。

半导体器件是通过重复执行把薄膜顺序堆叠在硅晶片上的工序以形成预定电路图形而制成的。为了形成和堆叠这些薄膜，必须重复执行多道单独的工序，例如：沉积工序、光刻工序和蚀刻工序。

光刻工序是一种用来在晶片上形成各种电路图形的工序。这种光刻工序包括涂敷工序、曝光工序和显影工序。

在涂敷工序中，把对光线敏感的材料即光致抗蚀剂液均匀地涂敷在晶片的表面上。在曝光工序中，使用分档器让光线通过掩模上的电路图形，以使具有光致抗蚀剂液的晶片曝光。上述显影工序通过使用显影剂而有选择地在晶片表面的光致抗蚀剂膜上接受到光线的那一部分上或者没有接受到光线的那一部分上进行。

涂敷工序、曝光工序和显影工序都是用来在晶片上形成电路图形的。可以用在晶片上形成的电路图形来蚀刻晶片的顶层，以便形成与电路图形相对应的半导体器件。

供应给晶片的光致抗蚀剂液的种类按照加工工序的不同而不同。因此，在涂敷装置中设有大量光致抗蚀剂液供应喷嘴。而且，在上述涂敷装置中还设有搬运臂，用来有选择地夹持和搬运各个工序中要使用的上述光致抗蚀剂液供应喷嘴。不过，由于这种常见装置必须具有能够拆卸光致抗蚀剂液供应喷嘴的结构，因而这种装置的结构就很复杂，而且部分光致抗蚀剂液供应喷嘴要在拆卸和移动时更换。

发明内容

鉴于上述背景技术存在的问题，本发明提供能高效地执行光致抗蚀剂液涂敷工序的化学品液供应装置以及使用这种供应装置的基底处理装置和方法。

本发明还提供简化了用于涂敷化学品液的单元和装置的结构的化学品液供应装置以及使用这种供应装置的基底处理装置和方法。

然而，不应该把本发明限制在以上的说明中，通过下文中的详细描述，本技术领域的技术人员能很容易地懂得本发明的其它优点和性能。

本发明的多个实施例提供了一种化学品液供应装置，其包括：排放化学品液的多个喷嘴；喷嘴臂，其中安装所述多个喷嘴，并设置多根向上述喷嘴供应所述化学品液的化学品液管；以及温度控制构件，其把温度控制流体供应到上述喷嘴臂中，用以控制流过上述化学品液管的化学品液的温度。

在一些实施例中，上述温度控制构件可以包括：温度控制流体排放管，其与喷嘴臂主体的内壁和化学品液管之间的空间连通；温度控制流体供应管道，其把温度控制流体供应到上述主体的内壁和化学品液管之间的空间中；以及温度控制流体排放管道，其连接在上述温度控制流体排放管上。

在其它一些实施例中，上述温度控制构件可以包括：温度控制流体供应管，其围绕着喷嘴臂内的化学品液管；温度控制流体排放管，其围绕着喷嘴臂内的温度控制流体供应管，且该温度控制流体排放管与温度控制流体供应管连通；温度控制流体供应管道，其连接在所述温度控制流体供应管上；以及温度控制流体排放管道，其连接在上述温度控制流体排放管上。

在又一些实施例中，上述多个喷嘴可以包括排放光致抗蚀剂液的光致抗蚀剂液喷嘴，并且上述化学品液管还包括把光致抗蚀剂液供应给光致抗蚀剂液喷嘴的光致抗蚀剂液管。上述多个喷嘴中还可以进一步包括排放用于执行预湿润工序的有机溶剂的有机溶剂喷嘴，而上述化学品液管还可以进一步包括把有机溶剂供应给有机溶剂喷嘴的有机溶剂管。上述化学品液供应装置还可以进一步包括：把有机溶剂源连接在有机溶剂管上的有机溶剂供应管道以及设置在上述有机溶剂供应管道中的抽吸构件，该抽吸构件向有机溶剂喷嘴提供负压。

在本发明的一些实施例中，基底处理装置包括：支承基底的基底支承构件；喷嘴臂，其设有把光致抗蚀剂液排放到上述基底上的多个光致抗蚀剂液喷嘴；以及等待口，安装在上述喷嘴臂上的上述多个喷嘴在该等待口等待执行排放过程，该等待口设置在基底支承构件的侧面部分，其中，上述等待口包括：具有敞开顶部的壳体，该壳体为容纳上述多个喷嘴提供空间；以及与容纳在上述壳体中的多个光致抗蚀剂液喷嘴一一对应的有机溶剂供应构件，上述有机溶剂供应构件把有机溶剂供应到从上述相应的光致抗蚀剂液喷嘴中选择出来的光致抗蚀剂液喷嘴的前端。

在有些实施例中，上述壳体可以提供下凹形状的喷嘴容纳空间，所有的上述多个光致抗蚀剂液喷嘴都可以容纳在其中，并且上述有机溶剂供应构件可以具有直接而且独立地把有机溶剂供应到各光致抗蚀剂液喷嘴前端去的有机溶剂供应通道。

在另一些实施例中，上述壳体可以设置多个下凹形状的喷嘴容纳空间，上述多个光致抗蚀剂液喷嘴分别容纳在这些空间中，而且上述有机溶剂供应构件可以具有独立地把有机溶剂供应到各个喷嘴容纳空间中的有机溶剂供应通道。上述壳体可以具有排出储存在上述喷嘴容纳空间中的有机溶剂的排放管道。上述基底处理装置还可以具有安装在上述喷嘴臂内的有机溶剂喷嘴，用于排放执行了预湿润工序的有机溶剂，而上述壳体具有多个下凹形状的喷嘴容纳空间，上述多个光致抗蚀剂液喷嘴和上述有机溶剂喷嘴分别容纳在这些空间里，而且上述有机溶剂供应构件可以具有独立地把有机溶剂供应到上述各个容纳了上述多个光致抗蚀剂液喷嘴的喷嘴容纳空间中的有机溶剂供应通道。

在又一些实施例中，上述基底处理装置可以具有设置在上述等待口一侧的储存口，该储存口为储存安装在喷嘴臂内的上述喷嘴提供空间。上述喷嘴臂可以有多根，并且上述等待口和储存口也可以设置多个，以使每一个口与一根喷嘴臂相对应。

在另一些实施例中，上述储存口可以具有：具有敞开顶部的壳体，该壳体为容纳上述喷嘴提供了下凹形状的喷嘴容纳空间；以及把有机溶剂供应给上述喷嘴容纳空间的有机溶剂供应构件。

在又一些实施例中，上述等待口和储存口可以做成一对，并且这一对口分开设置在上述基底支承构件的两侧，结果，上述等待口、基底支承构件和储存口就能互相平行地布置在一条线上，而上述喷嘴臂则分开设置在基底支承构件的两侧，所以这些喷嘴臂就与上述等待口和储存口的布置方向垂直。

在另一些实施例中，上述基底处理装置还可以包括：使上述喷嘴臂移动的驱动构件，以便把设置在喷嘴臂中的喷嘴定位在基底支承构件上的工艺处理位置上；设置在等待口中的等待位置；以及设置在储存口中的储存位置；其中，上述驱动构件具有：支承各喷嘴臂的喷嘴臂支承构件；驱动上述喷嘴臂支承构件沿着与等待口和储存口的布置方向平行的方向作往复运动的驱动器；以及为喷嘴臂支承构件的直线运动导向的导向构件。

在本发明的一些实施例中，基底处理方法包括下列步骤：使用具有多个光致抗蚀剂液喷嘴的喷嘴臂，当多个光致抗蚀剂液喷嘴在把光致抗蚀剂液供应给基底的位置与等待口之间反复地移动时，供应光致抗蚀剂液，其中，当处于等待口的多个光致抗蚀剂液喷嘴中有一个不在处理过程使用的光致抗蚀剂液喷嘴时，便向这个光致抗蚀剂液喷嘴供应有机溶剂，而不向在处理过程中使用的其它光致抗蚀剂液喷嘴供应有机溶剂。

在有些实施例中，光致抗蚀剂液喷嘴的等待是通过在上述等待口提供多个容纳空间来实现的，以让在处理过程中使用的光致抗蚀剂液喷嘴等待在不储存有机溶剂的容纳空间中，而让在处理过程中不使用的光致抗蚀剂液喷嘴等待在储存有机溶剂的容纳空间中。

在另一些实施例中，光致抗蚀剂液喷嘴在等待口中的等待是这样实现的：向处于等待口中的那些不在处理过程中使用的光致抗蚀剂液喷嘴喷洒有机溶剂，但不向那些在处理过程中使用的光致抗蚀剂液喷嘴喷洒有机溶剂。

在又一些实施例中，设置多根上述喷嘴臂，但把在处理过程中不使用的喷嘴臂储存在上述储存口中，保持为处于有机溶剂氛围中。

在又一些实施例中，上述喷嘴臂具有多根向光致抗蚀剂液喷嘴供应光致抗蚀剂液的光致抗蚀剂液管，并且可以把流入上述光致抗蚀剂液管中的光致抗蚀剂液保持在设定温度下的温度控制流体供应给该喷嘴臂，其中，处于上述光致抗蚀剂液管内的光致抗蚀剂液的温度可由流入同一通道的上述温度控制流体来控制。

在又一些实施例中，所述温度控制流体可以通过喷嘴臂主体内壁和所述光致抗蚀剂液管之间的空间来供应，并通过设在所述喷嘴臂中的温度控制流体排放管来排放。

在又一些实施例中，在喷嘴臂中还安装了排出预湿润工序所用的有机溶剂的有机溶剂喷嘴；在喷嘴臂中还设置了把有机溶剂供应到有机溶剂喷嘴中的有机溶剂管；并且流入上述有机溶剂管中的有机溶剂可借助于流入同一通道中的温度控制流体来保持在设定温度上。

附图说明

本说明书的附图作为本说明书的一部分，将使您对本发明有进一步的了解。附图中举例说明了本发明的一些实施例，并且可与说明书一起用来解释本发明的原理。附图中：

图1是一种半导体制造设备的平面图，其中包括了按照本发明一个实施例的一种基底处理装置。

图2是图1中的半导体制造设备的侧视图。

图3是说明图1中的半导体制造设备的处理器的图。

图4是按照本发明的基底处理装置的一个例子的平面图。

图5是说明图4中的基底处理装置的侧剖视图。

图6是说明图4中的第一喷嘴臂的“A”部分的放大视图。

图7是沿图4中的B—B”线的断面图。

图8是说明图4中的“C”部分的放大图。

图9是说明图8中所表示的结构经过改进后的例子的图。

图10是说明图8中的温度控制构件的另一个例子的断面图。

图11是说明图4中的等待口的一个例子的横断面图。

图12是说明图4中的等待口的另一个例子的横断面图。

图13是说明图4中的储存口的一个例子的横断面图。

图14是说明按照本发明的一种基底处理装置的工作状态的例子的图。

图15和16是说明按照本发明的一个实施例的位于等待口中的喷嘴的等待状态的图。

图17是说明按照本发明的一种基底处理装置的另一个例子的工作状态的图。

图18是说明按照本发明的一个实施例的在储存口处的喷嘴的储存状态的图。

具体实施方式

下面参照图1～图8详细说明本发明的优选实施例。但是，本发明也可以用不同的形式来实施，并不只局限于本文所提到的这些实施例。还有，提供这些实施例只是为了使所公开的内容全面而完整，以便完整地把本发明的范围充分地传递给本技术领域的技术人员。

图1是一种半导体制造设备的平面图，其中包括了按照本发明一个实施例的一种基底处理装置，图2是图1中的半导体制造设备的侧视图，而图3是说明图1中的半导体制造设备的处理器的图。

请参照图1～图3，半导体制造设备10包括分度器20、处理器30和交接单元50。分度器20、处理器30和交接单元50沿着第一方向12平行地设置。分度器20沿着第一方向12设置在靠近处理器30的前端。交接单元50沿着第一方向12设置在靠近处理器30的后端。分度器20和交接单元50都设置成其长度方向向着垂直于第一方向12的第二方向14。处理器30具有沿着上下方向（即图2中的方向16）堆叠起来的多层结构。在下层中设置了第一处理部件32a，而在上层中设置了第二处理部件32b。分度器20和交接单元50分别把基底送进处理器30和把基底从处理器30取出。

第一处理部件32a包括第一传输通道34a、第一主自动装置36a和若干处理装置40。第一传输通道34a沿着第一方向12，从靠近分度器20的位置到靠近交接单元50的位置沿纵向设置。各处理装置40沿着上述第一传输通道34a的长度方向设置在第一传输通道34a的两侧。第一主自动装置36a设置在第一传输通道34a中。上述第一主自动装置36a在分度器20、处理装置40和交接单元50之间传送上述基底。

第二处理部件32b包括第二传输通道34b、第二主自动装置36b和若干处理装置40。第二传输通道34b沿着第一方向12，从靠近分度器20的位置到靠近交接单元50的位置沿纵向设置。各处理装置40沿着上述第二传输通道34b的长度方向设置在第二传输通道34b的两侧。第二主自动装置36b设置在第二传输通道34b中。上述第二主自动装置36b在分度器20、处理装置40和交接单元50之间传送上述基底。

第一处理部件32a还可以包括执行涂敷工序的若干组件，而第二处理部件32b还可以包括执行显影工序的若干组件。另一方面，第一处理部件32a还可以包括执行显影工序的若干组件，而第二处理部件32b还可以包括执行涂敷工序的若干组件。此外，上述第一和第二处理部件32a和32b还可以包括执行涂敷工序和显影工序的所有组件。

执行涂敷工序的组件的例子可以包括执行粘接工序的组件、执行基底冷却工序的组件、执行光致抗蚀剂液涂敷工序的组件和执行软烤工序的组件。执行显影工序的组件的例子可以包括把曝光后的基底加热到预定温度的组件、冷却基底的组件、把显影剂供应到上述基底上以消除曝光区域或者未曝光区域的组件以及执行预烤（hard bake）工序的组件。

分度器20设置在处理器30的前端。分度器20包括加载口22a、22b、22c和22d，在这些加载口上设有容纳基底的盒C和分度器自动装置100a。加载口22a、22b、22c和22d沿着上述第二方向14平行地设置在一个方向上。分度器自动装置100a设置在加载口22a、22b、22c和22d与处理器30之间。容纳基底的盒C通过输送器（图中未表示），例如架空输送器、架空运输带或者自动导向车等设置在加载口22a、22b、22c和22d上。盒C可以包括气密容器，例如前方敞开的整体的箱子（FOUP）。上述分度器自动装置100a在加载口22a、22b、22c和22d与处理器30之间传递基底。

交接单元50设置在处理器30的后端，这样，交接单元50与分度器20相对于上述处理器30对称设置。交接单元50包括交接单元自动装置100b。该交接单元自动装置100b在曝光处理器60与处理器30之间传送上述基底。

分度器自动装置100a具有水平导轨110、垂直导轨120和自动装置臂130。自动装置臂130可以沿着第一方向12作直线运动，并能绕着Z轴线转动。水平导轨110引导自动装置臂130沿着上述第二方向14作直线运动。垂直导轨120引导上述自动装置臂130沿着第三方向16作直线运动。自动装置臂130具有能沿着水平导轨110在上述第二方向14上作直线运动，绕着Z轴线转动，以及在第三方向16上移动的结构。交接单元自动装置100b具有与分度器自动装置100a相同的结构。

下面说明具有以上所描述的构成的半导体制造设备10的工作过程。由操作者或者传送装置（图中未表示）把容纳上述基底的盒C设置在分度器20的加载口22a上。分度器自动装置100a把基底从设置在加载口22a上的盒C传送到上述第一处理部件32a的第一主自动装置36a上。当第一主自动装置36a沿着第一传送通道34a移动时，该第一主自动装置36a就把上述基底装载在各个处理装置40上。当基底在全部处理装置40上都经过了处理时，便把经过处理的基底从处理装置40上卸下来。卸下来的基底由第一主自动装置36a传送到交接单元自动装置100b上。交接单元自动装置100b则把该基底传送到曝光处理器60。当对上述基底上执行了全部曝光工序时，便由交接单元自动装置100b把它传送到第二处理部件32b。之后把基底传送到处理装置40，然后对基底执行显影处理。显影处理完全执行后，便把基底传送到分度器20。

图4是本发明的处理装置40的执行上述涂敷过程的处理组件40a的一个例子的平面图。图5是说明图4中的处理组件40a的侧剖视图。

参阅图4和图5，各处理装置40都具有处理室400、基底支承构件410、化学品液供应装置430、若干等待口480和480’以及储存口490和490’。处理室400提供在其内部执行基底处理过程的空间。在处理室400的侧壁上形成了用于把基底放入处理室400和从其中取出的开口402a。

基底支承构件410设置在处理室400的中央部分。在基底支承构件410的一侧设置了等待口480和储存口490，在其另一侧则设有等待口480’和储存口490’。上述等待口480和480’可以平行于上述储存口490和490’设置在一条线上。

基底支承构件410支承基底，并且能够转动。化学品液供应装置430把化学品液供应给设置在基底支承构件410上的基底，以便处理该基底。等待口480提供一个等待的处所，上述第一和第二喷嘴臂440和440’在其中等待执行处理。储存口490提供储存的处所，在这个处理过程中不使用的第一和第二喷嘴臂440和440’中的喷嘴442，便储存在其中。

在进行处理的过程中，基底支承构件410支承着基底W，并且在处理的过程中由旋转驱动构件，例如电动机，驱动旋转。基底支承构件410包括具有圆形上表面的支承板414。在支承板414的上表面上设有支承基底W的针形构件416。

容器420设置成围绕着上述基底支承构件410。容器420整体上呈圆筒形，并在其下壁422上设有排出孔424。排出管426与上述排出孔424连通。排出部件428，例如泵，连接在排出管426上。上述排出部件428提供负压，以把容器内部的空气，包括因基底W的旋转而散落的化学品液排出去。

化学品液供应装置430把化学品液供应到设置在基底支承构件410上的基底W的上表面上。该化学品液供应装置430具有设置在基底支承构件410两侧的第一和第二喷嘴臂440和440’。第一喷嘴臂440和第二喷嘴臂440’都设置在与将在下文中说明的等待口480和480’以及储存口490和490’的布置方向垂直的方向上。第一喷嘴臂440和第二喷嘴臂440’借助于驱动部件470，能在平行于等待口480和480’和储存口490和490’的布置方向的方向上作直线移动。

驱动部件470具有臂支承构件472a和472b、导向构件474和驱动器476a和476b。第一喷嘴臂440的一侧与第一喷嘴臂支承构件472a联结。第二喷嘴臂440’的一侧则与第二喷嘴臂支承构件472b联结。第一臂支承构件472a具有垂直于第一喷嘴臂440的移动杆形状。第二臂支承构件472b具有垂直于第二喷嘴臂440’的移动杆形状。导向构件474连接在上述第一和第二臂支承构件472a和472b的下端。导向构件474设置在上述基底支承构件410的一侧，所以这个导向构件474平行于等待口480和480’和储存口490和490’的布置方向。导向构件474具有导向轨道的形状。导向构件474为第一和第二喷嘴臂支承构件472a和472b的直线运动导向。第一驱动器476a连接在第一喷嘴臂支承构件472a上，以便驱动第一喷嘴臂支承构件472a作直线运动。第二驱动器476b连接在第二喷嘴臂支承构件472b上，以便驱动第二喷嘴臂支承构件472b作直线运动。可以用垂直往复运动机构，例如气缸，作为上述第一和第二驱动器476a、476b。同样，也可以使用电动机和齿轮箱的组合作为第一和第二驱动器476a、476b。

第一和第二驱动器476a、476b驱动上述第一和第二喷嘴臂支承构件472a和472b沿着上述导向构件474作直线运动。这样，第一和第二喷嘴臂440和440’便沿着直线方向运动。由于第一和第二驱动器476a和476b是分开设置的，所以，第一和第二喷嘴臂440和440’便能分别沿着直线方向运动。同样，上述第一和第二喷嘴臂支承构件472a和472b也能借助于驱动部件（图中未表示）沿着垂直方向作直线运动。

按照以上所描述的结构，第一和第二喷嘴臂440和440’就能在基底支承构件410的工艺处理位置，等待口480和480’的等待位置，或者储存口490和490’的储存位置之间移动。

图6是说明图4中的第一喷嘴臂440的“A”部分的放大视图，图7是沿图4中的B—B”线的断面图，图8是说明图4中的“C”部分的放大图。

第一喷嘴臂440具有与第二喷嘴臂440’同样的结构。下面详细描述第一喷嘴臂440，而省略对第二喷嘴臂440’的详细描述。

请参阅图6到图8，第一喷嘴臂440具有空心的主体441,它在侧向上具有长杆的形状。主体441的一端连接在第一喷嘴臂支承构件472a上，而其另一端上垂直地设置了把化学品液喷洒在基底上的多个喷嘴442。这些喷嘴包括把化学品液喷洒在基底上的光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b以及把有机溶剂喷洒在基底上的有机溶剂喷嘴442c。有机溶剂喷嘴442c可以设置在主体441的上述另一端的中央位置上，而光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b则分别设置在有机溶剂喷嘴442c的左右两侧。虽然图6中是显示了两个光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b，但本发明并不是仅限于此。例如，也可以设置比两个更多的光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b。同样，有机溶剂喷嘴442c也可以不设置在第一喷嘴臂440上，而是与光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b分开，设置成一种独立的构件。

有机溶剂喷嘴442c是在使用光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b执行光致抗蚀剂液涂敷工序之前，用来执行预湿润工序的。这种预湿润工序是在把光致抗蚀剂液喷洒到基底上之前，用来在基底上涂敷诸如稀释剂之类的有机溶剂以增加光致抗蚀剂液对于基底的湿润性的工序。当在执行涂敷工序之前执行了预湿润工序时，便能把光致抗蚀剂液均匀地分散在基底上，以在基底上形成均匀的光致抗蚀剂薄膜。

化学品液管444安装在主体441内部。化学品液管444包括光致抗蚀剂液管444a和444b以及有机溶剂管444c。光致抗蚀剂液管444a和444b和有机溶剂管444c都沿着上述主体441的长度方向设置在主体441内部。光致抗蚀剂液管444a的一端连接在光致抗蚀剂液喷嘴442a上，而其另一个端部则连接在光致抗蚀剂液流入口445a（将在下文中描述）上。光致抗蚀剂液管444b的一端连接在光致抗蚀剂液喷嘴442b上，而其另一个端部则连接在光致抗蚀剂液流入口445b（将在下文中描述）上。有机溶剂管444c的一端连接在有机溶剂喷嘴442a上，而其另一个端则连接在有机溶剂流入口445c（将在下文中描述）上。

请参阅图8，光致抗蚀剂液流入口445a和445b以及有机溶剂流入口445c都设置在联结在第一喷嘴臂支承构件472a上的主体441的一端。光致抗蚀剂液流入口445a和445b都设有通道，光致抗蚀剂液通过这些通道流入上述光致抗蚀剂液管444a和444b中。有机溶剂流入口445c也设有通道，有机溶剂通过该通道流入有机溶剂管444c中。

设在主体441中的光致抗蚀剂液管444a和444b的另一端分别连接在光致抗蚀剂液流入口445a和445b上。光致抗蚀剂液供应管道450a和450b的一端分别连接在光致抗蚀剂液流入口445a和445b上，而其另一端则分别连接在光致抗蚀剂液供应源451a和451b上。第一抽吸构件453a和453b、空气操作阀455a和455b、过滤器457a和457b以及泵459a和459b依次设置在光致抗蚀剂液供应管道450a和450b上。

第一抽吸构件453a和453b通过光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b把光致抗蚀剂液喷洒在基底上，并对光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b提供负压，以使光致抗蚀剂液沿着与喷洒方向相反的方向流动。也可以对第一抽吸构件453a和453b使用回抽阀。可以使用电动机驱动类型的回抽阀，这种阀能够依次执行多次抽吸操作。同样，也可以使用空气驱动类型的回抽阀。由于空气驱动类型的回抽阀一次只能执行一个抽吸操作，所以，如图9所示，最好在光致抗蚀剂液供应管道450a和450b的两个位置上设置空气驱动类型的回抽阀453a—1、453a—2、453b—1和453b—2，以便执行多次抽吸操作。

空气操作阀455a和455b是用来开关光致抗蚀剂液所流动的光致抗蚀剂液供应管道450a和450b的阀。过滤器457a和457b过滤流过光致抗蚀剂液供应管道450a和450b的光致抗蚀剂液。具有弹性折叠式风箱的风箱泵，或者严格地用液压液体来喷洒光致抗蚀剂液的具有管膜的管膜泵，也可以用作泵459a和459b。

安装在主体441中的有机溶剂管444c的另一端连接在有机溶剂流入口445c上。有机溶剂供应管道450c的一端连接在有机溶剂流入口445c上，其另一端则连接在有机溶剂供应源451c上。第二抽吸构件453c、空气操作阀455c、过滤器457c以及泵459c依次设置在有机溶剂供应管道450c上。第二抽吸构件453c通过有机溶剂喷嘴442c把稀释剂之类的有机溶剂喷洒在基底上，并为有机溶剂喷嘴442c提供负压，使得有机溶剂沿着与喷洒方向相反的方向流动。也可以在第二抽吸构件453c上使用回抽阀。

由于需要让通过光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b喷洒在基底上的光致抗蚀剂液和通过有机溶剂喷嘴442c喷洒在基底上的有机溶剂保持在适当的处理温度下，因此要在喷嘴臂440和440’中设置温度控制构件460。温度控制构件460向喷嘴臂440和440’的主体441内部提供温度控制流体，以控制流过光致抗蚀剂液管444a和444b的光致抗蚀剂液和流过有机溶剂管444c的有机溶剂的温度。流过光致抗蚀剂液管444a和444b的光致抗蚀剂液的温度和流过有机溶剂管444c的有机溶剂的温度，都借助于流过同一通道的温度控制流体来控制。也可以使用恒温水来作为温度控制流体。

温度控制构件460具有设置在喷嘴臂440和440’的主体441中的流入口461和流出口462。温度控制流体排出管468b插入主体441内。该温度控制流体排出管468b与主体441和化学品液管444a、444b和444c之间的空间445连通。温度控制流体排出管468b还连接在流出口462上。上述主体441和化学品液管444a、444b和444c之间的空间445与流入口461连通。

流入口461为温度控制流体流入喷嘴臂440和440’的主体441提供了一条通道。流出口462则为排出流入到喷嘴臂440和440’的主体441内的温度控制流体提供了一条通道。

温度控制流体供应管道463的一端连接在上述流入口461上，其另一端则连接在温度控制流体供应源464上。在温度控制流体供应管道463中可以设置加热器465和泵466。加热器465把由温度控制流体供应源464所供应的温度控制流体加热到预先设定的温度，而泵466则泵送加热后的温度控制流体，把它供应给流入口461。

请参阅图7和图8，通过流入口461供应到喷嘴臂440和440’的主体441内的温度控制流体，流过光致抗蚀剂液管444a和444b与有机溶剂管444c之间的空间，把热量传递给流过光致抗蚀剂液管444a和444b的光致抗蚀剂液和流过有机溶剂管444c的有机溶剂。于是，流过光致抗蚀剂液管444a和444b的光致抗蚀剂液和流过有机溶剂管444c的有机溶剂就能够保持在预先设定的温度下。

温度控制流体排出管467连接在上述流出口462上。供入喷嘴臂440和440’的主体441内的温度控制流体，通过流出口462和温度控制流体排出管467排到外部。

请参阅图10，也可以在喷嘴臂440和440’的主体441内部设置循环管468，以便为温度控制流体的流动提供通道。循环管468包括温度控制流体供应管468a和温度控制流体排出管468b。温度控制流体供应管468a的一端连接在流入口461上，其另一端则连接在上述温度控制流体排出管468b的一端上。温度控制流体排出管468b的另一端则连接在流出口462上。温度控制流体供应管468a可呈围绕着化学品液管444a、444b、444c的环形。温度控制流体排出管468b则可呈围绕着温度控制流体供应管468a的环形。当温度控制流体流过温度控制流体供应管468a和温度控制流体排出管468b时，通过流入口461流入的温度控制流体便把热量传递给流过上述化学品液管444a、444b、444c的光致抗蚀剂液和有机溶剂。

在具有本发明的化学品液供应装置的化学品液供应装置和基底处理装置中，上述光致抗蚀剂液喷嘴和有机溶剂喷嘴可以组合在一条喷嘴臂上。而且，可以把温度控制流体供应给喷嘴臂，以控制光致抗蚀剂液和有机溶剂的温度，从而简化各喷嘴中控制温度的设备。

此外，包含了本发明的化学品液供应装置的化学品液供应装置和基底处理装置，既能控制光致抗蚀剂液的温度，也能控制用于预湿润工序的有机溶剂的温度。

再参见图4，在让上述喷嘴臂440和440’在等待口480和480’的等待位置与基底支承构件410的处理位置之间移动的同时，把具有以上所述结构的喷嘴臂440和440’用于执行各个处理过程。当在处理过程中不使用喷嘴臂440和440’时，上述喷嘴臂440和440’就储存在储存口490和490’的储存位置上。当在处理过程中使用喷嘴臂440和440’中的第一喷嘴臂440时，第二喷嘴臂440’便位于上述储存位置，而安装在第二喷嘴臂440’中的喷嘴442则储存在储存口490’中。同样，当在处理过程中使用第二喷嘴臂440’时，第一喷嘴臂440便位于上述储存位置，而安装在第一喷嘴臂440中的喷嘴442则储存在储存口490中。

图11是说明图4中的等待口480和480’的一个例子的横断面图。

参见图11，等待口480和480’有壳体481以及有机溶剂供应构件484和486。上述壳体481有敞开的顶部，并且设有为容纳喷嘴442a、442b和442c用的空间。在壳体481的内部空间中，设有下凹形状的多个喷嘴容纳空间482a、482b和482c，因而能分别容纳多个喷嘴442a、442b和442c。在喷嘴容纳空间482a中容纳了光致抗蚀剂液喷嘴442a，在喷嘴容纳空间482b中容纳了光致抗蚀剂液喷嘴442b，并在喷嘴容纳空间482c中容纳了光致抗蚀剂液喷嘴442c。

有机溶剂供应构件484和486具有有机溶剂供应通道484a和486a。有机溶剂供应通道484a和486a设置在壳体481的侧壁中，与分别容纳光致抗蚀剂液喷嘴422a和422b的喷嘴容纳空间482a和482b接触。连接在有机溶剂供应源484b和486b上的有机溶剂供应管道484c和486c，分别与有机溶剂供应通道484a和486a连接。排出通道483和485设置在壳体481的底壁中，与上述喷嘴容纳空间482a和482b接触。排出管道483a和485a分别连接在排出通道483和485上。通过有机溶剂供应通道484a和486a供入喷嘴容纳空间482a和482b中的有机溶剂，分别通过上述排出通道483和485排出。从光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b排出来的光致抗蚀剂液，分别通过上述排出管道483a和485a排到外部去。

有机溶剂供应通道484a和486a把有机溶剂供应到喷嘴容纳空间482a和482b中，于是，便在喷嘴容纳空间482a和482b中充满到预定的液面高度。此时，有机溶剂充分地供应到喷嘴容纳空间482a和482b中，直到光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b的前端浸在上述有机溶剂中。上述光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b的前端之所以要与有机溶剂接触，是因为当光致抗蚀剂液暴露在空气中时，处于光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b中的光致抗蚀剂液会硬化。

如果在处理过程中使用光致抗蚀剂液喷嘴442a，有机溶剂供应通道484a就不向喷嘴容纳空间482a供应有机溶剂，而由有机溶剂供应通道486b把有机溶剂供应给喷嘴容纳空间482b。这样做是为了防止在处理过程中不使用的光致抗蚀剂液喷嘴442b中的光致抗蚀剂液硬化。由于在处理过程中所使用的光致抗蚀剂液喷嘴442a周期性地喷洒光致抗蚀剂液，同时光致抗蚀剂液喷嘴442a的处理位置和等待位置是交替移动的，所以不必担心光致抗蚀剂液会硬化。

图12是说明图4中的等待口480和480’的另一个例子的横断面图。

参见图12，与图11中的例子不同，设置在等待口480和480’的壳体481内部的喷嘴容纳空间482，可以做成具有下凹形状的一个空间，在这个空间中容纳所有的上述多个喷嘴442a、442b和442c。在这种情况下，有机溶剂供应通道484a和486a都设置在壳体481的侧壁中，结果，有机溶剂便直接而且单独地供应给光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b的前端。在壳体481的底壁中只设置了一条排出通道483。

图13是说明图4中的储存口490和490’的一个例子的横断面图。

参见图13，储存口490和490’具有壳体491和有机溶剂供应构件494。壳体491有敞开的顶部，并且具有用于容纳喷嘴442a、442b和442c的喷嘴容纳空间493。上述喷嘴容纳空间可以做成具有下凹形状的一个空间，其中能够容纳所有的所述多个喷嘴442a、442b和442c。壳体491的底壁做成锥形，其中，喷嘴容纳空间493的下部空间向下凸出。

有机溶剂供应构件494包括有机溶剂供应通道494a。该有机溶剂供应通道494a设置在壳体491的侧壁中，与用于容纳喷嘴442a、442b和442c的喷嘴容纳空间493接触。由于壳体491的底壁呈锥形，所以该有机溶剂供应通道494a可以设置在锥形底壁的倾斜壁中。优选地，通过有机溶剂供应通道494a排出的有机溶剂，被供应到位于容纳在储存口490和490’中的喷嘴442a、442b和442c下方的喷嘴容纳空间493的下部。这样做的理由是，上述有机溶剂不是直接供应给喷嘴442a、442b和442c，而是在把有机溶剂供应到喷嘴容纳空间493的下部的状态下，让喷嘴442a、442b和442c处于有机溶剂的氛围中。当喷嘴442a、442b和442c处于有机溶剂的氛围中时，就能防止处于光致抗蚀剂液喷嘴442和442b内的光致抗蚀剂液硬化，因为光致抗蚀剂液没有暴露在空气中。

连接在有机溶剂供应源494b上的有机溶剂供应管道494c，连接在上述有机溶剂供应通道494a上。排出通道496设置在壳体491的底壁中，并与喷嘴容纳空间493接触。排出管道496a连接在排出通道496上。通过有机溶剂供应通道494a供应到喷嘴容纳空间493内的有机溶剂，通过上述排出通道496排出去。

下面说明使用具有以上所述结构的基底处理装置的基底处理方法。

图14是说明按照本发明的一种基底处理装置的工作状态的例子的图。

参见图14，把基底W通过处理室400的开口402a放入处理室400中。放入的基底W放置在基底支承构件410上。然后，由导向构件对具有第一喷嘴臂440的喷嘴臂支承构件472a进行导向。于是，喷嘴臂支承构件472a就沿着直线移动，并且使得第一喷嘴臂440移动到基底W的上部空间中。然后，喷嘴臂支承构件472a借助于驱动构件（图中未表示）垂直地移动。结果，第一喷嘴臂440便垂直地移动，将安装在第一喷嘴臂440中的喷嘴442置于与放置在基底支承构件410上的基底W隔开预定距离的位置上，于是，喷嘴442便保持为离开基底W预定的距离。

有机溶剂喷嘴442c排放有机溶剂，用于在基底W上执行预湿润工序。旋转驱动构件（参见图5中的标号412）使基底支承构件410转动，从而使基底W转动。当有机溶剂供应到上述基底W上时，由于基底W的转动而飞溅开来的有机溶剂，便通过容器420的排出管426排出去。当执行完把有机溶剂供应到基底W上的预湿润工序时，便通过回抽阀（见图8中的标号453c）的抽吸动作，使得处于有机溶剂喷嘴442c内的有机溶剂，向着与排放方向相反的方向退出来。

然后，用安装在第一喷嘴臂440中的光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b中的一个光致抗蚀剂液喷嘴442a，把光致抗蚀剂液排放到上述基底W上。此时，基底W正在转动。当光致抗蚀剂液通过光致抗蚀剂液喷嘴442a完全排出时，就让第一喷嘴臂440移动到等待口480的等待位置。参见图15，上述光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b以及有机溶剂喷嘴442c便分别容纳在设置在等待口480中的喷嘴容纳空间482a、482b和482c中。光致抗蚀剂液并没有填充在喷嘴容纳空间482a和482c中，但填充在喷嘴容纳空间482b中。在排放光致抗蚀剂液的光致抗蚀剂液喷嘴442a内的光致抗蚀剂液，向着与排放方向相反的方向，由第一抽吸构件（见图8中的标号453a）的抽吸动作而退出来。而用于涂敷工序，在容纳在喷嘴容纳空间482a、482b和482c中的光致抗蚀剂液喷嘴442a、442b和442c中排放光致抗蚀剂液的光致抗蚀剂液喷嘴442a以及有机溶剂喷嘴442c，都保持暴露在空气中的状态。在上述光致抗蚀剂液涂敷工序中没有使用的光致抗蚀剂液喷嘴442b的前端，则浸在有机溶剂中。这样做的理由是，防止在预定时间内不使用的光致抗蚀剂液喷嘴442b内的光致抗蚀剂液由于直接与空气接触而硬化。

等待在等待口480中的第一喷嘴臂440再次移动进入基底支承构件410的处理位置。用于把光致抗蚀剂液涂敷在基底上的涂敷工序，是用第一喷嘴臂440的光致抗蚀剂液喷嘴442a执行的。当完成了光致抗蚀剂液涂敷工序时，便让第一喷嘴臂440再次移动到等待口480，在等待口480中等待。此时，在涂敷工序中使用的光致抗蚀剂液喷嘴442a保持在暴露在空气中的状态下，而处于光致抗蚀剂液喷嘴442a内的光致抗蚀剂液，由第一抽吸构件453a的抽吸动作而沿着与排放方向相反的方向退出来。同样，在涂敷工序没有使用的光致抗蚀剂液喷嘴442b的前端浸在有机溶剂中。

在反复地执行这些操作之后，第一喷嘴臂440的光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b中的光致抗蚀剂液喷嘴442a就不再使用。涂敷工序用另一个光致抗蚀剂液喷嘴442b来执行。参见图16，为了使用光致抗蚀剂液喷嘴442b来执行涂敷工序，就必须把在光致抗蚀剂液喷嘴442b内部的光致抗蚀剂液层P、空气层AIR和有机溶剂层O排掉。从光致抗蚀剂液喷嘴442b中排出的光致抗蚀剂液、空气和有机溶剂，都通过排出通道485排到外部去。上述有机溶剂填充在喷嘴容纳空间482a中，而且不再使用的光致抗蚀剂液喷嘴442a的前端浸在有机溶剂中。此时，处于光致抗蚀剂液喷嘴442a内部的光致抗蚀剂液层P和空气层AIR，由第一抽吸构件453a的抽吸操作，沿着与排出方向相反的方向退出去，并且，有机溶剂流入光致抗蚀剂液喷嘴442a的前端，在空气层AIR的下面形成有机溶剂层O。

上述光致抗蚀剂液喷嘴442a保持在这样一种状态下，即，在其中形成了光致抗蚀剂液层P、空气层AIR和有机溶剂层O的状态。光致抗蚀剂液喷嘴442b把光致抗蚀剂液排放到基底上，而处在光致抗蚀剂液喷嘴442b内的光致抗蚀剂液，则由第一抽吸构件453a的抽吸操作，向着与排放方向相反的方向退出去。反复地执行以上所述的各个操作。当光致抗蚀剂液喷嘴442b不再在处理过程中使用时，便让光致抗蚀剂液喷嘴442b保持在这样的状态下，即，与光致抗蚀剂液喷嘴442a一样，由先前描述过的工序在其中形成光致抗蚀剂液层P、空气层AIR和有机溶剂层O。

参见图17，当第一喷嘴臂440的光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b都不再在处理过程中使用时，就把第一喷嘴臂440移动到储存口490的储存位置。参见图18，安装在第一喷嘴臂440中的光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b以及有机溶剂喷嘴442c，都容纳在设置在储存口490中的喷嘴容纳空间493中。有机溶剂通过有机溶剂供应通道494a供应到喷嘴容纳空间493的下部，并在喷嘴容纳空间493内部形成有机溶剂氛围。此时，光致抗蚀剂液喷嘴442a和442b以及有机溶剂喷嘴442c，都与供应到喷嘴容纳空间493内的有机溶剂隔开预定的距离。

如上所述，在包括本发明的化学品液供应装置的化学品液供应装置和基底处理装置中，光致抗蚀剂液喷嘴和有机溶剂喷嘴可以装在一根喷嘴臂中成为一个整体，从而由于工艺处理过程中喷嘴的选择操作而减少了处理时间。

虽然在以上的实施例中是这样描述的：在喷嘴臂中设置了若干光致抗蚀剂液喷嘴和一个有机溶剂喷嘴，并且流入光致抗蚀剂液喷嘴和有机溶剂喷嘴的流体由流过同样通道的温度控制流体保持在预定的温度，但是，本发明并不仅限于此。例如，也可以在喷嘴臂中设置一个光致抗蚀剂液喷嘴和一个有机溶剂喷嘴，而流入光致抗蚀剂液喷嘴和有机溶剂喷嘴的流体，可以由流过同样通道的温度控制流体保持在预定的温度。

虽然在以上说明中，说明了仅能执行涂敷和显影工序的、没有连接曝光设备的局部涂敷设备作为具有本发明的基底处理装置的半导体制造设备10的一个例子，但半导体制造设备10却并不是仅限于此。例如，本发明的基底处理装置可以应用在那种能够与曝光设备连接，执行一系列涂敷、曝光和显影工序的生产线上。

按照本发明，能够高效地把光致抗蚀剂液供应到基底上。

而且，这些供应光致抗蚀剂液的化学品液排放喷嘴可以组合起来，从而因喷嘴的选择操作而减少处理时间。

还有，可以简化用于控制化学品液排放喷嘴的温度的设备。

此外，还可对用于预湿润工序的有机溶剂的温度进行控制。

以上所公开的主要内容应该认为是说明性的，本发明并不是仅限于这些内容，本申请的权利要求书用来覆盖本发明的所有变化和改进，以及其它落入本发明的意图和范围内的实施方式。因此，本发明的保护范围应该由法律所允许的权利要求书及其等同物所包含的最广泛的含义来确定，而不应该限制为以上的详细说明。

Claims (22)

1.一种基底处理装置，其包括：

支承基底的基底支承构件；

喷嘴臂，其具有把光致抗蚀剂液排放到上述基底上的多个光致抗蚀剂液喷嘴；以及

等待口，安装在上述喷嘴臂中的上述多个喷嘴在该等待口中等待执行各个处理过程，该等待口设置在上述基底支承构件的侧面部分；

其特征在于，上述等待口包括：

具有敞开顶部的壳体，该壳体为容纳上述多个喷嘴提供空间；以及

有机溶剂供应构件，与容纳在上述壳体中的上述多个光致抗蚀剂液喷嘴一一对应，该有机溶剂供应构件把有机溶剂供应到从上述相应的光致抗蚀剂液喷嘴选出来的光致抗蚀剂液喷嘴的前端。

2.如权利要求1所述的基底处理装置，其特征在于，上述温度控制构件包括：

温度控制流体排放管，其与上述喷嘴臂的主体的内壁和上述化学品液管之间的空间连通；

温度控制流体供应管，其把温度控制流体供应到上述主体的内壁和上述化学品液管之间的空间中；以及

温度控制流体排放管道，其连接在上述温度控制流体排放管上。

3.如权利要求1所述的基底处理装置，其特征在于，

上述多个喷嘴包括排放光致抗蚀剂液的光致抗蚀剂液喷嘴，

且上述化学品液管包括把光致抗蚀剂液供应给上述光致抗蚀剂液喷嘴的光致抗蚀剂液管。

4.如权利要求3所述的基底处理装置，其特征在于，

上述多个喷嘴还包括有机溶剂喷嘴，该有机溶剂喷嘴排放用于执行预湿润工序的有机溶剂；

且上述化学品液管还包括把有机溶剂供应给上述有机溶剂喷嘴的有机溶剂管。

5.如权利要求4所述的基底处理装置，其特征在于，该基底处理装置还包括：

把有机溶剂源连接在所述有机溶剂管上的有机溶剂供应管道；以及

设置在上述有机溶剂供应管道中的抽吸构件，该抽吸构件向所述有机溶剂喷嘴提供负压。

6.如权利要求1所述的基底处理装置，其特征在于，上述多个喷嘴包括：

排放光致抗蚀剂液的光致抗蚀剂液喷嘴；以及

排放用来执行预湿润工序的有机溶剂的有机溶剂喷嘴。

7.如权利要求3所述的基底处理装置，其特征在于，

上述壳体具有下凹形状的喷嘴容纳空间，所有的上述多个光致抗蚀剂液喷嘴都容纳在这个空间中；

且上述有机溶剂供应构件具有直接和独立地把有机溶剂供应到上述各光致抗蚀剂液喷嘴的前端的有机溶剂供应通道。

8.如权利要求7所述的基底处理装置，其特征在于，

上述壳体具有多个下凹形状的喷嘴容纳空间，上述多个光致抗蚀剂液喷嘴分别容纳在这些空间中；

且上述有机溶剂供应构件具有独立地把有机溶剂供应到上述各喷嘴容纳空间中的多个有机溶剂供应通道。

9.如权利要求8所述的基底处理装置，其特征在于，上述壳体有排放储存在上述喷嘴容纳空间中的有机溶剂的排放管道。

10.如权利要求6所述的基底处理装置，其特征在于，

上述基底处理装置还包括安装在上述喷嘴臂中、并用于排放用于执行预湿润工序的有机溶剂的有机溶剂喷嘴；

上述壳体具有多个下凹形状的喷嘴容纳空间，上述多个光致抗蚀剂液喷嘴和有机溶剂喷嘴分别容纳在这些空间中；

且上述有机溶剂供应构件具有独立地把有机溶剂供应到上述各个容纳了多个光致抗蚀剂液喷嘴的喷嘴容纳空间中的多个有机溶剂供应通道。

11.如权利要求6所述的基底处理装置，其特征在于，该基底处理装置还包括设置在上述等待口一侧的储存口，该储存口为储存安装在上述喷嘴臂中的喷嘴提供空间。

12.如权利要求11所述的基底处理装置，其特征在于，

上述喷嘴臂设有多根；

并且上述等待口和储存口也设置了多个，使一个口与一根喷嘴臂相对应。

13.如权利要求11所述的基底处理装置，其特征在于，上述储存口包括：

具有敞开的顶部的壳体，这个壳体为容纳上述喷嘴提供了下凹形状的喷嘴容纳空间；以及

把有机溶剂供应到上述喷嘴容纳空间中的有机溶剂供应构件。

14.如权利要求12所述的基底处理装置，其特征在于，

上述等待口和储存口配成一对，并且这一对口分开设置在上述基底支撑构件的两侧，从而上述等待口、基底支承构件和储存口互相平行地布置在一条线上；

且上述多根喷嘴臂分开设置在上述基底支承构件的两侧，使上述喷嘴臂与上述等待口和储存口的布置方向垂直。

15.如权利要求14所述的基底处理装置，其特征在于，该基底处理装置还包括：

使上述喷嘴臂移动的驱动构件，其把设置在喷嘴臂中的喷嘴定位在基底支承构件上的工艺处理位置、设置在上述等待口中的等待位置以及设置在上述储存口中的储存位置，

其特征在于，上述驱动构件包括：

支承上述各喷嘴臂的喷嘴臂支承构件；

使上述喷嘴臂支承构件沿着平行于上述等待口和储存口的布置方向的方向作直线往复运动的驱动器；以及

为上述喷嘴臂支承构件的直线运动导向的导向构件。

16.一种基底处理方法，其包括下列步骤：使用设有多个光致抗蚀剂液喷嘴的喷嘴臂，在让上述多个光致抗蚀剂液喷嘴在把光致抗蚀剂液供应给基底的位置与等待口之间反复地移动的同时，供应光致抗蚀剂液，其中，当处于等待口的所述多个光致抗蚀剂液喷嘴中有一个不在处理过程中使用的光致抗蚀剂液喷嘴时，便向这个光致抗蚀剂液喷嘴供应有机溶剂，而不向其它在处理过程中使用的光致抗蚀剂液喷嘴供应有机溶剂。

17.如权利要求16所述的基底处理方法，其特征在于，上述光致抗蚀剂液喷嘴的等待是通过向上述等待口提供多个容纳空间来实现的，以让在处理过程中使用的光致抗蚀剂液喷嘴等待在不储存有机溶剂的容纳空间中，而让在处理过程中不使用的光致抗蚀剂液喷嘴等待在储存有机溶剂的容纳空间中。

18.如权利要求16所述的基底处理方法，其特征在于，上述光致抗蚀剂液喷嘴在等待口中的等待是这样实现的：向处于等待口中的那些不在处理过程中使用的光致抗蚀剂液喷嘴喷洒有机溶剂，而不向那些在处理过程中使用的光致抗蚀剂液喷嘴喷洒有机溶剂。

19.如权利要求16所述的基底处理方法，其特征在于，设置多根上述喷嘴臂，且在处理过程中不使用的喷嘴臂储存在上述储存口中，保持为处于有机溶剂氛围中。

20.如权利要求16所述的基底处理方法，其特征在于，上述喷嘴臂包括：多根向光致抗蚀剂液喷嘴供应光致抗蚀剂液的光致抗蚀剂液管；以及把流入上述光致抗蚀剂液管中的光致抗蚀剂液保持在设定温度下的温度控制流体，其中，处于上述光致抗蚀剂液管内的光致抗蚀剂液的温度，由流入同一通道的上述温度控制流体来控制。

21.如权利要求20所述的基底处理方法，其特征在于，上述温度控制流体是通过处于上述喷嘴臂的主体的内壁与上述光致抗蚀剂液管之间的空间供应的，并且是通过设置在上述喷嘴臂内部的温度控制流体排出管排出的。

22.如权利要求20所述的基底处理方法，其特征在于，在上述喷嘴臂中还安装排出用于预湿润工序的有机溶剂的有机溶剂喷嘴；在上述喷嘴臂中还设置把有机溶剂供应到有机溶剂喷嘴中的有机溶剂管；并且流入上述有机溶剂管中的有机溶剂借助于流入同一通道中的温度控制流体而保持在设定温度下。

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