KR20090070602A - 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (29)
- 처리액을 토출하는 복수 개의 노즐들과;상기 복수 개의 노즐들이 장착되고, 상기 노즐들에 처리액을 공급하는 처리액 배관들이 내장된 노즐 암과;상기 노즐 암 내로 온도 조절 유체를 공급하여 상기 처리액 배관들을 통해 흐르는 처리액의 온도를 조절하는 온도 조절 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 유닛.
- 제 1 항에 있어서,상기 온도 조절 부재는,상기 노즐 암의 몸체의 내벽과 상기 처리액 배관들 사이의 공간과 통하도록 제공되는 온도 조절 유체 배출관과;상기 몸체의 내벽과 상기 처리액 배관들 사이의 공간으로 상기 온도 조절 유체를 공급하는 온도 조절 유체 공급 라인과;상기 온도 조절 유체 배출관과 연결되는 온도 조절 유체 배출 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 유닛.
- 제 1 항에 있어서,상기 온도 조절 부재는,상기 노즐 암 내에 상기 처리액 배관들을 감싸도록 제공되는 온도 조절 유체 공급관과;상기 노즐 암 내에 상기 온도 조절 유체 공급관을 감싸고 이와 통하도록 제공되는 온도 조절 유체 배출관과;상기 온도 조절 유체 공급관과 연결되는 온도 조절 유체 공급 라인과;상기 온도 조절 유체 배출관과 연결되는 온도 조절 유체 배출 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 유닛.
- 제 2 항에 있어서,상기 복수 개의 노즐들은 감광액을 토출하는 감광액 노즐들을 포함하고,상기 처리액 배관들은 상기 감광액 노즐들로 감광액을 공급하는 감광액 배관들을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 유닛.
- 제 4 항에 있어서,상기 복수 개의 노즐들은 프리웨트(Pre-wet) 공정을 위한 유기 용제를 토출하는 유기 용제 노즐을 더 포함하고,상기 처리액 배관들은 상기 유기 용제 노즐로 유기 용제를 공급하는 유기 용제 배관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 유닛.
- 제 5 항에 있어서,상기 처리액 공급 유닛은,유기 용제 공급원과 상기 유기 용제 배관을 연결하는 유기 용제 공급 라인과;상기 유기 용제 공급 라인 상에 설치되며, 상기 유기 용제 노즐에 음압을 작용시키는 흡입 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 유닛.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 복수 개의 노즐들은,감광액을 토출하는 감광액 노즐들과;프리웨트(Pre-wet) 공정을 위한 유기 용제를 토출하는 유기 용제 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 유닛.
- 기판을 지지하는 기판 지지 부재와;상기 기판에 감광액을 토출하는 복수 개의 감광액 노즐들이 장착된 노즐 암과; 그리고상기 기판 지지 부재의 측부에 배치되며, 상기 노즐 암에 장착된 상기 복수 개의 노즐들이 공정 진행을 위해 대기하는 대기 포트를 포함하되,상기 대기 포트는,상부가 개방되고, 상기 복수 개의 노즐들이 수용되는 공간을 제공하는 하우징과; 그리고상기 하우징에 수용된 상기 복수 개의 감광액 노즐들에 일 대 일로 대응하도록 제공되며, 대응하는 상기 감광액 노즐들 중 선택된 감광액 노즐의 선단으로 유기 용제를 제공하는 유기 용제 공급 부재들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 온도 조절 부재는,상기 노즐 암의 몸체의 내벽과 상기 처리액 배관들 사이의 공간과 통하도록 제공되는 온도 조절 유체 배출관과;상기 몸체의 내벽과 상기 처리액 배관들 사이의 공간으로 상기 온도 조절 유체를 공급하는 온도 조절 유체 공급 라인과;상기 온도 조절 유체 배출관과 연결되는 온도 조절 유체 배출 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 복수 개의 노즐들은 감광액을 토출하는 감광액 노즐들을 포함하고,상기 처리액 배관들은 상기 감광액 노즐들로 감광액을 공급하는 감광액 배관들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 복수 개의 노즐들은 프리웨트(Pre-wet) 공정을 위한 유기 용제를 토출하는 유기 용제 노즐을 더 포함하고,상기 처리액 배관들은 상기 유기 용제 노즐로 유기 용제를 공급하는 유기 용제 배관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 기판 처리 장치는,유기 용제 공급원과 상기 유기 용제 배관을 연결하는 유기 용제 공급 라인과;상기 유기 용제 공급 라인 상에 설치되며, 상기 유기 용제 노즐에 음압을 작용시키는 흡입 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 복수 개의 노즐들은,감광액을 토출하는 감광액 노즐들과;프리웨트(Pre-wet) 공정을 위한 유기 용제를 토출하는 유기 용제 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 하우징에는 상기 복수 개의 감광액 노즐들이 전부 수용되는 오목한 형 상의 노즐 수용 공간이 형성되고,상기 유기 용제 공급 부재들은 상기 감광액 노즐들의 선단으로 직접, 그리고 독립적으로 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 유로들을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 하우징에는 상기 복수 개의 감광액 노즐들이 개별적으로 수용되는 오목한 형상의 다수의 노즐 수용 공간들이 형성되고,상기 유기 용제 공급 부재들은 상기 노즐 수용 공간들 각각으로 독립적으로 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 유로들을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 15 항에 있어서,상기 하우징에는 상기 노즐 수용 공간들 내에 저장된 유기 용제를 배출하는 배출 라인이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 기판 처리 장치는 상기 노즐 암에 착하며, 프리웨트(Pre-wet) 공정을 위한 유기 용제를 토출하는 유기 용제 노즐을 더 포함하고,상기 하우징에는 상기 복수 개의 감광액 노즐들 및 상기 유기 용제 노즐이 개별적으로 수용되는 오목한 형상의 다수의 노즐 수용 공간들이 형성되고,상기 유기 용제 공급 부재들은 상기 복수 개의 감광액 노즐들이 수용되는 상기 노즐 수용 공간들 각각으로 독립적으로 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 유로들을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 대기 포트의 일 측에 각각 배치되며, 그리고 상기 노즐 암들에 장착된 상기 노즐들이 보관되는 공간을 제공하는 보관 포트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 18 항에 있어서,상기 노즐 암은 복수 개가 제공되고,상기 대기 포트, 그리고 상기 보관 포트는 각각의 상기 노즐 암에 대응되도록 복수 개가 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 18 항에 있어서,상기 보관 포트는,상부가 개방되고, 상기 노즐들이 수용되는 오목한 형상의 노즐 수용 공간이 형성된 하우징과;상기 노즐 수용 공간으로 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 부재;를 포 함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 대기 포트와 상기 보관 포트는 쌍을 이루며, 상기 기판 지지 부재의 양측에 각각 한 쌍의 상기 대기 포트와 상기 보관 포트가 일렬로 나란하게 배열되고,상기 노즐 암들은 상기 대기 포트들 및 상기 보관 포트들의 배열 방향에 수직하게 상기 기판 지지 부재의 양측에 각각 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 21 항에 있어서,상기 노즐 암들에 제공된 노즐들이 상기 기판 지지 부재 상의 공정 위치, 상기 대기 포트에 제공된 공정 대기 위치, 또는 상기 보관 포트에 제공된 보관 위치에 위치하도록 상기 노즐 암들을 이동시키는 구동 부재를 더 포함하되,상기 구동 부재는,상기 노즐 암들을 각각 지지하는 노즐 암 지지 부재들과;상기 노즐 암 지지 부재들을 상기 대기 포트들과 상기 보관 포트들의 배열 방향에 평행한 방향으로 직선 왕복 운동시키는 구동기들과;상기 노즐 암 지지 부재들의 직선 운동을 안내하는 가이드 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 기판을 처리하는 방법에 있어서,복수 개의 감광액 노즐들이 장착된 노즐 암을 이용하여 기판에 감광액을 공급하기 위한 위치와 대기 포트 사이를 반복 이동하면서 감광액을 공급하되, 상기 대기 포트에서 상기 복수 개의 감광액 노즐들 중 공정에 사용되지 않는 감광액 노즐에는 유기용제가 공급되고, 공정에 사용되고 있는 감광액 노즐에는 유기용제가 공급되지 않는 상태에서 상기 복수 개의 감광액 노즐들이 대기하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 대기 포트에서 상기 감광액 노즐들의 대기는,상기 대기 포트에 복수의 수용 공간을 제공하고, 상기 공정에 사용되고 있는 감광액 노즐은 유기용제가 저장되지 않은 수용 공간에서 대기하고, 상기 공정에 사용되고 있지 않은 감광액 노즐은 유기용제가 저장된 수용 공간 내에서 대기함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 대기 포트에서 상기 감광액 노즐들의 대기는,상기 대기 포트에서 상기 감광액 노즐들 중 상기 공정에 사용되고 있지 않은 감광액 노즐로 유기용제를 분사하고, 상기 공정에 사용되고 있는 감광액 노즐로는 유기용제의 분사가 이루어지지 않은 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 노즐 암을 복수 개 제공하고, 공정에 사용되고 있지 않는 노즐 암은 유기용제 분위기로 유지되고 있는 보관 포트에서 보관되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 노즐 암에는 상기 감광액 노즐로 감광액을 공급하는 복수의 감광액 배관들을 제공하고, 상기 감광액 배관을 흐르는 감광액의 온도를 설정 온도로 유지하는 온도 조절 유체를 상기 노즐 암으로 공급하되, 동일한 유로를 흐르는 상기 온도 조절 유체에 의해 상기 감광액 배관들 내 감광액의 온도 조절이 가능하도록 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 27 항에 있어서,상기 온도 조절 유체는,상기 노즐 암의 몸체의 내벽과 상기 감광액 배관들 사이의 공간을 통해 공급된 후 상기 노즐 암 내부에 제공된 온도 조절 유체 배출관을 통해 배출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 27 항에 있어서,상기 노즐 암에는 프리웨트(Pre-wet) 공정을 위한 유기 용제를 토출하는 유기 용제 노즐이 더 장착되고, 상기 노즐 암 내에는 상기 유기 용제 노즐로 유기 용제를 공급하는 유기 용제 배관이 더 제공되며, 상기 유기 용제 배관을 흐르는 유기 용제는 상기 동일한 유로를 통해 흐르는 온도 조절 유체에 의해 설정 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070138664A KR100941075B1 (ko) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법 |
| CNA2008101723055A CN101470353A (zh) | 2007-12-27 | 2008-10-31 | 化学品液供应装置及使用该装置的基底处理装置和方法 |
| CN201210421238.2A CN102945816B (zh) | 2007-12-27 | 2008-10-31 | 基底处理装置和方法 |
| JP2008281897A JP4784944B2 (ja) | 2007-12-27 | 2008-10-31 | 処理液供給ユニットと、これを用いた基板処理装置及び方法 |
| US12/289,752 US8739729B2 (en) | 2007-12-27 | 2008-11-03 | Chemical liquid supply unit, and substrate treating apparatus and method using the same |
| TW097142564A TWI377095B (en) | 2007-12-27 | 2008-11-04 | Chemical liquid supply unit, and substrate treating apparatus and method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070138664A KR100941075B1 (ko) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090070602A true KR20090070602A (ko) | 2009-07-01 |
| KR100941075B1 KR100941075B1 (ko) | 2010-02-09 |
Family
ID=40798791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070138664A Expired - Fee Related KR100941075B1 (ko) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8739729B2 (ko) |
| JP (1) | JP4784944B2 (ko) |
| KR (1) | KR100941075B1 (ko) |
| CN (2) | CN102945816B (ko) |
| TW (1) | TWI377095B (ko) |
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| KR20160149351A (ko) | 2015-06-17 | 2016-12-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
| KR20160149352A (ko) | 2015-06-17 | 2016-12-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
| KR20160149353A (ko) | 2015-06-17 | 2016-12-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
| KR20170024212A (ko) | 2015-08-24 | 2017-03-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
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| KR20200017026A (ko) | 2018-08-08 | 2020-02-18 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 |
| KR20200017027A (ko) | 2018-08-08 | 2020-02-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
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| KR101874901B1 (ko) * | 2011-12-07 | 2018-07-06 | 삼성전자주식회사 | 기판 건조 장치 및 방법 |
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-
2007
- 2007-12-27 KR KR1020070138664A patent/KR100941075B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-10-31 CN CN201210421238.2A patent/CN102945816B/zh active Active
- 2008-10-31 CN CNA2008101723055A patent/CN101470353A/zh active Pending
- 2008-10-31 JP JP2008281897A patent/JP4784944B2/ja active Active
- 2008-11-03 US US12/289,752 patent/US8739729B2/en active Active
- 2008-11-04 TW TW097142564A patent/TWI377095B/zh not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20160149351A (ko) | 2015-06-17 | 2016-12-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
| KR20160149352A (ko) | 2015-06-17 | 2016-12-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
| KR20160149353A (ko) | 2015-06-17 | 2016-12-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
| KR20170024212A (ko) | 2015-08-24 | 2017-03-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| KR20170026821A (ko) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR20170033563A (ko) * | 2015-09-17 | 2017-03-27 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| KR20190070541A (ko) * | 2017-12-13 | 2019-06-21 | 세메스 주식회사 | 액적 도포 장치 및 액적 도포 방법 |
| KR20190120516A (ko) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| KR20200017026A (ko) | 2018-08-08 | 2020-02-18 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 |
| KR20200017027A (ko) | 2018-08-08 | 2020-02-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI377095B (en) | 2012-11-21 |
| US20090169758A1 (en) | 2009-07-02 |
| JP2009158924A (ja) | 2009-07-16 |
| US8739729B2 (en) | 2014-06-03 |
| KR100941075B1 (ko) | 2010-02-09 |
| JP4784944B2 (ja) | 2011-10-05 |
| CN102945816B (zh) | 2015-10-14 |
| TW200930466A (en) | 2009-07-16 |
| CN102945816A (zh) | 2013-02-27 |
| CN101470353A (zh) | 2009-07-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| D13-X000 | Search requested |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000 |
|
| D14-X000 | Search report completed |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130204 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140203 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150203 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 Not in force date: 20160202 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903 Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE Not in force date: 20160202 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
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