CN102849738B - 一种纳米碳化硅晶须的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种纳米碳化硅晶须的制备方法,主要以硅粉、炭黑、铁粉和聚四氟乙烯为原料,按一定比例混合形成反应剂,将反应剂研磨,得到混合浆体,烘干后研磨成粉体,然后经过整体预热的燃烧合成反应得到反应产物,最后将反应产物经过除碳、除硅,得到纳米碳化硅晶须。本发明的制备方法制备纳米碳化硅晶须的转化率高,并且工艺简单,生产成本低;本发明的制备方法制备出的碳化硅晶须具有低密度、高熔点、高强度、高模量、热膨胀系数小及耐腐蚀、耐磨等特点,可广泛应用于机械、电子、航空航天及能源等领域。
Description
技术领域
本发明属于无机非金属材料制备领域,具体涉及一种碳化硅晶须的制备方法。
背景技术
碳化硅晶须具有低密度、高熔点、高强度、高模量、热膨胀系数小及耐腐蚀、耐磨等优良性能,可作为金属基、陶瓷基、树脂基等复合材料的增韧填充物,被广泛应用于机械、电子、航空航天及能源等领域。
在现有的制备方法中,发明专利《一种纳米碳化硅晶须的制备方法》(申请号:99110846.9,公开号:1281910,公开日:2001-01-31)将净碳质溶胶和净硅溶胶按碳和硅摩尔比3~8:1于室温下搅拌混合24小时,制得二元净炭质-硅溶胶,在100~150℃干燥4~6小时得元干凝胶,或进行超临界干燥20~180分钟,得到二元凝胶,然后进行碳热还原反应,最后脱碳,脱去SiO2,制得纯纳米碳化硅晶须。此方法存在如下缺陷:1、原料纯度和成本高;2、生产中使用的高温炉结构复杂,造价高;3、生产工艺复杂、合成难度大等缺点,导致不能大规模生产碳化硅晶须。因此,迫切需要寻找一种低成本、无污染、工艺简单、快速制备纳米碳化硅晶须的方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种纳米碳化硅晶须的制备方法,解决了现有制备方法生产工艺复杂以及合成难度大的问题。
本发明所采取的技术方案是:一种纳米碳化硅晶须的制备方法,将反应剂研磨,得到混合浆体,烘干后研磨成粉体,然后经过整体预热的燃烧合成反应得到反应产物,最后将反应产物经过除碳、除硅,得到纳米碳化硅晶须。
具体包括以下步骤:
步骤1,将铁粉、硅粉和炭黑混合形成混合原料;
步骤2,将聚四氟乙烯与步骤1的混合原料充分混合形成反应剂;
步骤3,将步骤2形成的反应剂置于球磨罐中,并在球磨机上研磨24~36小时,得到混合浆体;
步骤4,将步骤3得到的混合浆体装于玻璃皿中并放入烘箱中,以90~150℃的烘干温度将混合浆体烘干,得到干燥的混合物料;
步骤5,将步骤(4)得到的混合物料在研钵中研磨成粉体,将该粉体放入坩埚中,并将坩埚放入自蔓延燃烧合成反应釜的冷区,将反应釜抽真空后充入氮气至适当压力,将自蔓延燃烧合成反应釜的热区加热升温至一定温度,将位于冷区的坩埚推至热区引发自蔓延燃烧合成反应,将反应釜热区保温一定时间后,停止通入氮气,冷却至室温后得到反应产物,将该反应产物除碳,除硅,得到纳米碳化硅晶须。
其中,步骤1中铁粉、硅粉和炭黑的摩尔比为0.01~0.1:0.99~0.9:1。
其中,步骤1中所述铁粉的纯度高于99%,平均粒径小于30μm;所述硅粉的纯度高于99%,平均粒径小于40μm;所述炭黑的纯度高于99%,平均粒径小于10μm。
其中,步骤2中聚四氟乙烯与步骤1的混合原料的质量比为0.15~0.3:1。
其中,步骤2中所述四氟乙烯的纯度高于99.9%,平均粒径小于10μm。
其中,步骤3中所述球磨罐为聚四氟乙烯球磨罐,所述球磨机为行星球磨机,以二氧化锆为球磨球,无水乙醇为研磨溶剂。
其中,步骤5中所述研钵为玛瑙研钵,所述坩埚为石墨坩埚。
其中,步骤5中氮气压力控制在0.1~1Mpa,自蔓延燃烧合成反应釜的热区温度升至1100~1250℃,反应釜热区的保温时间为15~60min。
本发明的有益效果是:本发明以硅粉和炭黑为原料,以聚四氟乙烯和铁粉为催化剂,通过整体预热的燃烧合成反应制备碳化硅晶须,主要通过控制硅粉、炭黑、聚四氟乙烯和铁粉的比例和各工艺参数,可以制备高纯度的纳米碳化硅晶须,简化了生产工艺,降低了成本。
附图说明
图1是本发明的制备方法制备出的纳米碳化硅晶须的XRD图;
图2是本发明的制备方法制备出的纳米碳化硅晶须的SEM图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行具体说明。
一种纳米碳化硅晶须的制备方法,将反应剂研磨,得到混合浆体,烘干后研磨成粉体,然后经过整体预热的燃烧合成反应得到反应产物,最后将反应产物经过除碳、除硅,得到纳米碳化硅晶须。
按照以下步骤具体实施:
步骤1,按照铁粉:硅粉:炭黑为0.01~0.1:0.99~0.9:1的摩尔比混合形成混合原料,其中铁粉的纯度高于99%,平均粒径小于30μm;硅粉的纯度高于99%,平均粒径小于40μm;炭黑的纯度高于99%,平均粒径小于10μm;
步骤2,按照聚四氟乙烯与步骤1的混合原料的质量比为0.15~0.3:1充分混合形成反应剂,其中四氟乙烯的纯度高于99.9%,平均粒径小于10μm;
步骤3,将步骤(2)配置的反应剂置于聚四氟乙烯的球磨罐中,以二氧化锆为球磨球,无水乙醇为研磨溶剂,在行星球磨机上研磨24~36小时,得到混合浆体;
步骤4,将步骤3得到的混合浆体装于玻璃皿中并放入烘箱中,以90~150℃的烘干温度将混合浆体烘干,得到干燥的混合物料;
步骤5,将步骤(4)得到的混合物料在玛瑙研钵中研磨成粉体,将该粉体放入石墨坩埚中,并将石墨坩埚放入自蔓延燃烧合成反应釜的冷区,将反应釜抽真空后充入氮气,氮气压力控制在0.1~1MPa,将自蔓延燃烧合成反应釜的热区加热升温至1100~1250℃,然后将自蔓延燃烧合成反应釜冷区中的石墨坩埚迅速推入热区,反应15~60min后,停止通入氮气,冷却至室温后得到反应产物,将该反应产物除碳,除硅,得到纳米碳化硅晶须。
实施例1
将铁粉、硅粉和炭黑以0.01:0.99:1的摩尔比混合形成混合原料,按照聚四氟乙烯与混合原料的质量比为0.15:1充分混合形成反应剂,其中铁粉的纯度高于99%,平均粒径小于30μm;硅粉的纯度高于99%,平均粒径小于40μm;炭黑原料的纯度高于99%,平均粒径小于10μm,四氟乙烯原料的纯度高于99.9%,平均粒径小于10μm。
将反应剂置于聚四氟乙烯的球磨罐中,以二氧化锆为球磨球,无水乙醇为研磨溶剂,在行星球磨机上球磨24小时,得到混合浆体;将混合浆体装于玻璃器皿中放置于烘箱中,在90℃将物料烘干,得到干燥的混合物料。
将干燥的混合物料在玛瑙研钵中研磨成粉体,将其置于石墨坩埚中,将石墨坩埚置于自蔓延燃烧合成反应釜的冷区位置,将反应釜抽真空后充入氮气,氮气压力控制在0.1MPa,将自蔓延燃烧合成反应釜的热区位置整体升温至1200℃,将石墨坩埚快速由冷区推至热区,反应15min后,停止通入氮气,冷却至室温,将产物取出,经过除碳和除硅后,便得到纳米碳化硅晶须。
实施例2
将铁粉、硅粉和炭黑以0.05:0.95:1的摩尔比混合形成混合原料,按照聚四氟乙烯与混合原料的质量比为0.15:1充分混合形成反应剂,其中铁粉的纯度高于99%,平均粒径小于30μm;硅粉的纯度高于99%,平均粒径小于40μm;炭黑原料的纯度高于99%,平均粒径小于10μm,四氟乙烯原料的纯度高于99.9%,平均粒径小于10μm。
将反应剂置于聚四氟乙烯的球磨罐中,以二氧化锆为球磨球,无水乙醇为研磨溶剂,在行星球磨机上球磨36小时,得到混合浆体;将混合浆体装于玻璃器皿中放置于烘箱中,在90℃将物料烘干,得到干燥的混合物料。
将干燥的混合物料在玛瑙研钵中研磨成粉体,将其置于石墨坩埚中,将石墨坩埚置于自蔓延燃烧合成反应釜的冷区位置,将反应釜抽真空后充入氮气,氮气压力控制在0.1MPa,将自蔓延燃烧合成反应釜的热区位置整体升温至1100℃,将石墨坩埚快速由冷区推至热区,反应60min后,停止通入氮气,冷却至室温,将产物取出,经过除碳和除硅后,便得到纳米碳化硅晶须。
实施例3
将铁粉、硅粉和炭黑以0.1:0.9:1的摩尔比混合形成混合原料,按照聚四氟乙烯与混合原料的质量比为0.15:1充分混合形成反应剂,其中铁粉的纯度高于99%,平均粒径小于30μm;硅粉的纯度高于99%,平均粒径小于40μm;炭黑原料的纯度高于99%,平均粒径小于10μm,四氟乙烯原料的纯度高于99.9%,平均粒径小于10μm。
将反应剂置于聚四氟乙烯的球磨罐中,以二氧化锆为球磨球,无水乙醇为研磨溶剂,在行星球磨机上球磨36小时,得到混合浆体;将混合浆体装于玻璃器皿中放置于烘箱中,在150℃将物料烘干,得到干燥的混合物料。
将干燥的混合物料在玛瑙研钵中研磨成粉体,将其置于石墨坩埚中,将石墨坩埚置于自蔓延燃烧合成反应釜的冷区位置,将反应釜抽真空后充入氮气,氮气压力控制在1MPa,将自蔓延燃烧合成反应釜的热区位置整体升温至1200℃,将石墨坩埚快速由冷区推至热区,反应60min后,停止通入氮气,冷却至室温,将产物取出,经过除碳和除硅后,便得到纳米碳化硅晶须。
实施例4
将铁粉、硅粉和炭黑以0.01:0.99:1的摩尔比混合形成混合原料,按照聚四氟乙烯与混合原料的质量比为0.15:1充分混合形成反应剂,其中铁粉的纯度高于99%,平均粒径小于30μm;硅粉的纯度高于99%,平均粒径小于40μm;炭黑原料的纯度高于99%,平均粒径小于10μm,四氟乙烯原料的纯度高于99.9%,平均粒径小于10μm。
将反应剂置于聚四氟乙烯的球磨罐中,以二氧化锆为球磨球,无水乙醇为研磨溶剂,在行星球磨机上球磨24小时,得到混合浆体;将混合浆体装于玻璃器皿中放置于烘箱中,在90℃将物料烘干,得到干燥的混合物料。
将干燥的混合物料在玛瑙研钵中研磨成粉体,将其置于石墨坩埚中,将石墨坩埚置于自蔓延燃烧合成反应釜的冷区位置,将反应釜抽真空后充入氮气,氮气压力控制在0.1MPa,将自蔓延燃烧合成反应釜的热区位置整体升温至1100℃,将石墨坩埚快速由冷区推至热区,反应30min后,停止通入氮气,冷却至室温,将产物取出,经过除碳和除硅后,便得到纳米碳化硅晶须。
图1是本发明的制备方法制备出的纳米碳化硅晶须的XRD图,从图中可以看出,本制备方法制备出的碳化硅晶须物相中均为β-SiC相,未发现其他物相,纯度较高,可达99%以上。图2是本发明的制备方法制备出的纳米碳化硅晶须的SEM图,从图中可以看出,晶须形状呈弯曲状,直径约在3~30nm范围,长度在1~30μm范围内,长径比大,晶须表面光滑;本发明的制备方法制备纳米碳化硅晶须的转化率可达95%以上。
本发明以硅粉和炭黑为原料,以聚四氟乙烯和铁粉为催化剂,通过整体预热的燃烧合成反应制备碳化硅晶须,主要通过控制硅粉、炭黑、聚四氟乙烯和铁粉的比例和各工艺参数,可以制备高纯度的纳米碳化硅晶须,简化了生产工艺,降低了成本。
Claims (8)
1.一种纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于,将反应剂研磨,得到混合浆体,烘干后研磨成粉体,然后经过整体预热的燃烧合成反应得到反应产物,最后将反应产物经过除碳、除硅,得到纳米碳化硅晶须;
具体包括以下步骤:
步骤1,将铁粉、硅粉和炭黑混合形成混合原料;
步骤2,将聚四氟乙烯与步骤1的混合原料充分混合形成反应剂;
步骤3,将步骤2形成的反应剂置于球磨罐中,并在球磨机上研磨24~36小时,得到混合浆体;
步骤4,将步骤3得到的混合浆体装于玻璃皿中并放入烘箱中,以90~150℃的烘干温度将混合浆体烘干,得到干燥的混合物料;
步骤5,将步骤(4)得到的混合物料在研钵中研磨成粉体,将该粉体放入坩埚中,并将坩埚放入自蔓延燃烧合成反应釜的冷区,将反应釜抽真空后充入氮气至适当压力,将自蔓延燃烧合成反应釜的热区加热升温至一定温度,将位于冷区的坩埚推至热区引发自蔓延燃烧合成反应,将反应釜热区保温一定时间后,停止通入氮气,冷却至室温后得到反应产物,将该反应产物除碳,除硅,得到纳米碳化硅晶须。
2.根据权利要求1所述的纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于,步骤1中所述铁粉、硅粉和炭黑的摩尔比为0.01~0.1:0.99~0.9:1。
3.根据权利要求1或2所述的纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于,步骤1中所述铁粉的纯度高于99%,平均粒径小于30μm;所述硅粉的纯度高于99%,平均粒径小于40μm;所述炭黑的纯度高于99%,平均粒径小于10μm。
4.根据权利要求1所述的纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于,步骤2中所述聚四氟乙烯与步骤1的混合原料的质量比为0.15~0.3:1。
5.根据权利要求1或4所述的纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于,步骤2中所述四氟乙烯的纯度高于99.9%,平均粒径小于10μm。
6.根据权利要求1所述的纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于,步骤3中所述球磨罐为聚四氟乙烯球磨罐,所述球磨机为行星球磨机,以二氧化锆为球磨球,无水乙醇为研磨溶剂。
7.根据权利要求1所述的纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于,步骤5中所述研钵为玛瑙研钵,所述坩埚为石墨坩埚。
8.根据权利要求1所述的纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于,步骤5中氮气压力控制在0.1~1Mpa,自蔓延燃烧合成反应釜的热区温度升至1100~1250℃,反应釜热区的保温时间为15~60min。
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