CN103014828A - 一种纳米碳化硅晶须的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种纳米碳化硅晶须的制备方法,主要以稻壳灰、炭黑和聚四氟乙烯为原料,按一定比例混合形成反应剂,将反应剂研磨,得到混合浆体,烘干后研磨成粉体,然后经过整体预热的燃烧合成反应得到反应产物,最后将反应产物经过除碳、除硅,得到纳米碳化硅晶须,本发明的制备方法制备纳米碳化硅晶须的转化率高,并且工艺简单,生产成本低;本发明的制备方法制备出的碳化硅晶须具有低密度、高熔点、高强度、高模量、热膨胀系数小及耐腐蚀、耐磨等特点,可广泛应用于机械、电子、航空航天及能源等领域。
Description
技术领域
本发明属于无机非金属材料制备领域,具体涉及一种碳化硅晶须的制备方法。
背景技术
碳化硅晶须具有低密度、高熔点、高强度、高模量、热膨胀系数小及耐腐蚀、耐磨等优良性能,可作为金属基、陶瓷基、树脂基等复合材料的增韧填充物,被广泛应用于机械、电子、航空航天及能源等领域。
在现有的制备方法中,发明专利《一种纳米碳化硅晶须的制备方法》(申请号:99110846.9,公开号:1281910,公开日:2001-01-31)将净碳质溶胶和净硅溶胶按碳和硅摩尔比3~8:1于室温下搅拌混合24小时,制得二元净炭质-硅溶胶,在100~150℃干燥4~6小时得元干凝胶,或进行超临界干燥20~180分钟,得到二元凝胶,然后进行碳热还原反应,最后脱碳,脱去SiO2,制得纯纳米碳化硅晶须。此方法存在如下缺陷:1、原料纯度和成本高;2、生产中使用的高温炉结构复杂,造价高;3、生产工艺复杂、合成难度大等缺点,导致不能大规模生产碳化硅晶须。因此,迫切需要寻找一种低成本、无污染、工艺简单、快速制备纳米碳化硅晶须的方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种纳米碳化硅晶须的制备方法,解决了现有制备方法生产工艺复杂以及合成难度大的问题。
本发明所采取的技术方案是:一种纳米碳化硅晶须的制备方法,具体包括以下步骤:
步骤1,将稻壳灰和炭黑混合形成混合原料;
步骤2,将聚四氟乙烯与步骤1的混合原料充分混合形成反应剂;
步骤3,将步骤2形成的反应剂置于球磨罐中,并在球磨机上研磨12~18小时,得到混合浆体;
步骤4,将步骤3得到的混合浆体装于玻璃皿中并放入烘箱中,以100~180℃的烘干温度将混合浆体烘干,得到干燥的混合物料;
步骤5,将步骤4得到的混合物料在研钵中研磨成粉体,将该粉体放入坩埚中,并将坩埚放入自蔓延燃烧合成反应釜的冷区,将反应釜抽真空后充入氮气至适当压力,将自蔓延燃烧合成反应釜的热区加热升温至一定温度,将位于冷区的坩埚推至热区引发自蔓延燃烧合成反应,将反应釜热区保温一定时间后,停止通入氮气,冷却至室温后得到反应产物,将该反应产物除碳,除硅,得到纳米碳化硅晶须。
其中,步骤1中稻壳灰和炭黑的质量比为0.1~0.5:1。
其中,步骤2中聚四氟乙烯与步骤1的混合原料的质量比为0.2~0.35:1。
其中,步骤3中球磨罐为聚四氟乙烯球磨罐,所述球磨机为行星球磨机,以二氧化锆为球磨球,无水乙醇为研磨溶剂。
其中,步骤5中所述研钵为玛瑙研钵,所述坩埚为石墨坩埚。
其中,步骤5中氮气压力控制在0.1~1Mpa,自蔓延燃烧合成反应釜的热区温度升至1000~1150℃,反应釜热区的保温时间为60~90min。
本发明的有益效果是:本发明以稻壳灰和炭黑为原料,以聚四氟乙烯为催化剂,通过整体预热的燃烧合成反应制备碳化硅晶须,主要通过控制稻壳灰、炭黑和聚四氟乙烯的比例和各工艺参数,可以制备高纯度的纳米碳化硅晶须,简化了生产工艺,降低了成本。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明进行详细说明。
一种纳米碳化硅晶须的制备方法,按照以下步骤具体实施:
步骤1,将稻壳灰和炭黑混合形成混合原料,稻壳灰和炭黑的质量比为0.1~0.5:1;
步骤2,将聚四氟乙烯与步骤1的混合原料充分混合形成反应剂,聚四氟乙烯与步骤1的混合原料的质量比为0.2~0.35:1;
步骤3,将步骤2形成的反应剂置于球磨罐中,并在球磨机上研磨12~18小时,得到混合浆体,球磨罐为聚四氟乙烯球磨罐,所述球磨机为行星球磨机,以二氧化锆为球磨球,无水乙醇为研磨溶剂;
步骤4,将步骤3得到的混合浆体装于玻璃皿中并放入烘箱中,以100~180℃的烘干温度将混合浆体烘干,得到干燥的混合物料;
步骤5,将步骤4得到的混合物料在玛瑙研钵中研磨成粉体,将该粉体放入石墨坩埚中,并将石墨坩埚放入自蔓延燃烧合成反应釜的冷区,将反应釜抽真空后充入氮气,压力控制在0.1~1Mpa,将自蔓延燃烧合成反应釜的热区加热升温至一定温度,将位于冷区的石墨坩埚推至热区引发自蔓延燃烧合成反应,将反应釜热区保温60~90min后,停止通入氮气,冷却至室温后得到反应产物,将该反应产物除碳,除硅,得到纳米碳化硅晶须。
实施例
将稻壳灰和炭黑以0.1:0.6的质量比混合形成混合原料,按照聚四氟乙烯与混合原料的质量比为0.2:1充分混合形成反应剂,将反应剂置于聚四氟乙烯的球磨罐中,以二氧化锆为球磨球,无水乙醇为研磨溶剂,在行星球磨机上球磨15小时,得到混合浆体;将混合浆体装于玻璃器皿中放置于烘箱中,在120℃将物料烘干,得到干燥的混合物料。
将干燥的混合物料在玛瑙研钵中研磨成粉体,将其置于石墨坩埚中,将石墨坩埚置于自蔓延燃烧合成反应釜的冷区位置,将反应釜抽真空后充入氮气,氮气压力控制在0.2MPa,将自蔓延燃烧合成反应釜的热区位置整体升温至1050℃,将石墨坩埚快速由冷区推至热区,反应75min后,停止通入氮气,冷却至室温,将产物取出,经过除碳和除硅后,便得到纳米碳化硅晶须。
本发明以稻壳灰和炭黑为原料,以聚四氟乙烯为催化剂,通过整体预热的燃烧合成反应制备碳化硅晶须,主要通过控制稻壳灰、炭黑和聚四氟乙烯的比例和各工艺参数,可以制备高纯度的纳米碳化硅晶须,简化了生产工艺,降低了成本。
Claims (6)
1.一种纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于:具体包括以下步骤:
步骤1,将稻壳灰和炭黑混合形成混合原料;
步骤2,将聚四氟乙烯与步骤1的混合原料充分混合形成反应剂;
步骤3,将步骤2形成的反应剂置于球磨罐中,并在球磨机上研磨12~18小时,得到混合浆体;
步骤4,将步骤3得到的混合浆体装于玻璃皿中并放入烘箱中,以100~180℃的烘干温度将混合浆体烘干,得到干燥的混合物料;
步骤5,将步骤4得到的混合物料在研钵中研磨成粉体,将该粉体放入坩埚中,并将坩埚放入自蔓延燃烧合成反应釜的冷区,将反应釜抽真空后充入氮气至适当压力,将自蔓延燃烧合成反应釜的热区加热升温至一定温度,将位于冷区的坩埚推至热区引发自蔓延燃烧合成反应,将反应釜热区保温一定时间后,停止通入氮气,冷却至室温后得到反应产物,将该反应产物除碳,除硅,得到纳米碳化硅晶须。
2.根据权利要求1所述的纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于:所述步骤1中稻壳灰和炭黑的质量比为0.1~0.5:1。
3.根据权利要求1所述的纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于:素数步骤2中聚四氟乙烯与步骤1的混合原料的质量比为0.2~0.35:1。
4.根据权利要求1所述的纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于:所述步骤3中球磨罐为聚四氟乙烯球磨罐,所述球磨机为行星球磨机,以二氧化锆为球磨球,无水乙醇为研磨溶剂。
5.根据权利要求1所述的纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于:所述步骤5中所述研钵为玛瑙研钵,所述坩埚为石墨坩埚。
6.根据权利要求1所述的纳米碳化硅晶须的制备方法,其特征在于:所述步骤5中氮气压力控制在0.1~1Mpa,自蔓延燃烧合成反应釜的热区温度升至1000~1150℃,反应釜热区的保温时间为60~90min。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106044773A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-10-26 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 一种制备碳化硅晶须的方法 |
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106044773A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-10-26 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 一种制备碳化硅晶须的方法 |
CN106087061B (zh) * | 2016-07-28 | 2018-05-22 | 李志文 | 粉石英矿加工立方碳化硅晶须的方法 |
CN106629652A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-10 | 华南农业大学 | 高比表面积生物质基炭材料及其免活化制备方法和应用 |
CN106976876A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-07-25 | 江汉大学 | 一种原位脱硅技术制备稻壳基活性炭的方法 |
CN106976876B (zh) * | 2017-06-01 | 2018-11-02 | 江汉大学 | 一种原位脱硅技术制备稻壳基活性炭的方法 |
CN110106553A (zh) * | 2018-02-01 | 2019-08-09 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种β-碳化硅晶须的制备方法 |
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