CN102825356A - 半导体器件的回流装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种回流装置，在该回流装置中使用蚁酸清洗处理物上的焊料电极的表面。该回流装置包括：炉，包括晶片接收区域、回流处理区域及取出区域，并具有由防护构件完全覆盖的内壁；蚁酸导入机构，安装在该回流处理区域中；惰性气体导入机构，在该炉内产生惰性气体氛围；加热器，用于蚁酸分解，充分散布在该炉的内壁与该防护构件之间；装载机，承载多个晶片至该晶片接收区域；卸载机，从该取出区域中卸出所述多个晶片；第一闸门，位于该装载机与该晶片接收区域之间；以及第二闸门，位于该取出区域与该卸载机之间。该回流装置能够实现两个或更多半导体晶片的批处理，也能够防止蚁酸对炉的腐蚀，并防止金属杂质（反应产物）飞散到晶片上。

Description

半导体器件的回流装置
本申请是申请号为200610071804.6、申请日为2006年3月16日、发明名称为“半导体器件的回流装置、回流方法以及制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明一般地涉及一种回流装置，用于使半导体晶片等上形成的焊料电极熔融和成形，更具体地涉及一种用于无助焊剂回流装置中的室材料的防腐蚀技术，在该无助焊剂回流装置中不使用助焊剂而使焊料电极熔融和成形。
背景技术
（例如，专利文献1）提出一种无助焊剂回流装置，在该装置中制造倒装芯片LSI时，使用蚁酸的还原力而不使用助焊剂来除去焊料电极的表面氧化膜，由此形成焊料凸点。
根据这种无助焊剂回流装置，由于不使用助焊剂，因此无需在回流之后进行使用有机溶剂清洗焊料凸点表面的助焊剂清洗工艺，并且可以缩短制造工艺。此外，由于省去目前使用大量有机溶剂的助焊剂清洗工艺，所以能够消除对环境的不利影响，特别是抑制产生二氧化碳。
根据专利文献1的无助焊剂回流装置，在减小压力的情况下进行热回流。因此，几乎没有气体进入焊料凸点，从而防止气孔产生。因而提高了焊料凸点的可靠性。
图1示出传统回流装置的略图。
这种回流装置具有用于进行热熔融回流处理的处理室1以及蚁酸喷射机构4。
对于蚁酸喷射机构4，通过蚁酸导入管2提供液态的蚁酸，并且通过惰性气体导入管3提供诸如氮气（N2）和氩气（Ar）的惰性气体。
导入的蚁酸溶液和惰性气体在喷嘴5中混合，并且从喷嘴5喷射蚁酸氛围气雾6a。通过辅助加热器7保持雾状以促进蒸发，并且将喷射出的蚁酸氛围气雾6a导入处理室1。
在处理室1中设置半导体晶片9（晶片），在半导体晶片9的表面上形成焊料电极。晶片9放置在用于加热晶片9的主加热器10的上方，并且由晶片固定机构8固定。由于处理室1由主加热器10加热，并且通过排气装置（未示出）排气，因此导入的蚁酸氛围气雾6a作为蚁酸氛围气体6b扩散在晶片9上。
[专利文献1]JAP 2001-244618
发明内容
处理室1一般由不锈钢SUS304制成，这种不锈钢SUS304主要由铁（Fe）、镍（Ni）以及铬（Cr）制成，其中SUS304缺乏对蚁酸的长期耐蚀性。尤其在回流的热熔融处理等中，部分蚁酸滴落附着在由SUS304制成的处理室1的内壁上并且不挥发，从而引起室材料的腐蚀；腐蚀物变为固体，并且残留物变得很明显。
如果残留物堆积，它作为金属杂质成为室内的污染源。该金属杂质可飞散并附着在诸如在电路板上安装的电子零件和在半导体晶片上形成的集成电路（LSI）元件的处理物上。这就降低了处理物的质量和回流装置的长期稳定性。
作为解决该问题的措施，可以想到的办法是定期清洗处理室并且在没有喷射液滴的情况下在容器内蒸发蚁酸。然而它们不是长久之计。
本发明可以提供一种回流装置和使用该回流装置的半导体器件的制造方法，本发明充分消除由公知技术的限制和缺点造成的一个或多个问题。这种回流装置对于长期使用蚁酸的热熔融处理具有耐久性，并且该装置能够制造高质量的产品。
本发明实施例的特性在以下的说明中阐述，并且从说明书和附图中部分特征将变得显而易见，或者可以根据说明书中提供的教导从本发明的实践获得。通过说明书中详细特别指出的回流装置和使用该回流装置的半导体器件的制造方法将实现并获得本发明实施例提供的解决方案，在说明中使用完整、清楚、简明并且准确的术语进行描述，从而使本领域的普通技术人员能够实施本发明。
为了实现这些解决方案并与本发明的方案一致，如这里具体实施和广泛描述地，本发明的实施例提供如下的回流装置和使用该回流装置的半导体器件的制造方法。
为了解决上述问题，本发明的实施例在用于熔融焊料的回流装置的处理室中设置防护构件，同时向处理室提供包含蚁酸的氛围气体，该防护构件对蚁酸具有极好的耐蚀性；并且本发明在处理室内壁附近设置热分解处理单元，用于分解处理室中残留的蚁酸。通过采用上述两项的至少其中一项，防止处理室的腐蚀。因而，防止金属杂质飞散并附着在处理物上。
本发明的一个方案（第一方案）提供一种回流装置，其用于对处理物上形成的焊料构件进行回流处理，该回流装置包括：
处理室，
蚁酸导入机构，用于将包含蚁酸的氛围气体提供给该处理室，以及
对蚁酸具有耐（抗）蚀性的防护构件，该防护构件设置在处理室的回流处理部分与处理室壁之间。
本发明的另一方案（第二方案）提供一种回流装置，其用于对处理物上形成的焊料构件进行回流处理，该回流装置包括：
处理室，
蚁酸导入机构，其用于将包含蚁酸的氛围气体提供给该处理室，以及
用于分解蚁酸的热分解处理单元，该热分解处理单元设置在处理室的回流部分与处理室壁之间。
通过使用根据本发明的第一方案或第二方案的回流装置，能够防止蚁酸对室材料的腐蚀，并且能够避免反应产物（金属杂质）飞散到处理物上。
此外，作为高度推荐的构造，回流装置既可以装配用于分解蚁酸的热分解处理单元又可以装配对蚁酸具有耐蚀性的防护构件。在这种情况，热分解处理单元设置在例如防护构件与处理室壁之间。
该防护构件由例如包含哈司特镍合金和SUS316L的金属材料、包含环氧树脂和聚茚树脂的树脂材料、和涂覆耐热特氟纶和聚烯烃的材料的其中一种材料制成。
本发明的另一方案（第三方案）提供一种焊料构件的回流方法。该回流方法包括以下步骤：
（a）加热处理物（例如衬底），该处理物上形成有焊料构件；
（b）当处理物达到第一温度时，将包含蚁酸的氛围气体提供给处理物；
（c）当处理物达到第二温度时，对焊料构件进行熔融处理，保持第二温度，以及
（d）当完成焊剂构件的熔融时，开始分解蚁酸的热分解处理。
本发明的另一方案（第四方案）提供一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括回流处理。该半导体器件的制造方法包括以下步骤：
（a）将形成有焊料电极的处理物放置在处理室中的预定位置并加热该处理物；
（b）当处理物达到第一温度时，将包含蚁酸的氛围气体提供给处理室；
（c）当处理物达到第二温度时，通过熔融使焊料电极形成焊料凸点，以及
（d）在形成焊料凸点之后，开始分解蚁酸的热分解处理，并且将处理物的温度降低到第一温度。
本发明能够防止由于蚁酸引起腐蚀所导致的金属杂质的产生以及飞散，并且能够制造高质量和高稳定性的产品。
本发明的再一方案提供一种回流装置，包括：炉，包括晶片接收区域、回流处理区域及取出区域，并具有由防护构件完全覆盖的内壁；蚁酸导入机构，安装在该回流处理区域中；惰性气体导入机构，在该炉内产生惰性气体氛围；加热器，用于蚁酸分解，充分散布在该炉的内壁与该防护构件之间；装载机，承载多个晶片至该晶片接收区域；卸载机，从该取出区域中卸出所述多个晶片；第一闸门，位于该装载机与该晶片接收区域之间；以及第二闸门，位于该取出区域与该卸载机之间。
该回流装置能够实现两个或更多半导体晶片的批处理。由于炉的内壁被防护构件覆盖，并且用于蚁酸分解的加热器插入在防护构件与内壁之间，因此即使进行批处理，也能分解附着防护构件的残留蚁酸。从而，能够防止蚁酸对炉的腐蚀，并且能够防止金属杂质（反应产物）飞散到晶片上。
附图说明
图1是传统回流装置的剖视图；
图2是根据本发明第一实施例的回流装置的剖视图；
图3是示出图2的回流装置的防护构件所使用的金属材料耐蚀性的试验结果表；
图4是根据本发明第二实施例的回流装置的剖视图；
图5是根据本发明第三实施例的回流装置的剖视图；
图6A、图6B和图6C分别是根据本发明第一、第二和第三实施例的回流装置的分解图；
图7是根据本发明第四实施例的回流装置的剖视图；
图8是图7的批处理型回流装置使用的处理盒的透视图；
图9是示出第二实施例和第三实施例的回流装置的处理定时示意图；以及
图10是根据图9的处理定时的热熔融回流工艺的流程图。
具体实施方式
以下参照附图描述本发明的实施例。
图2示出根据本发明第一实施例的回流装置。
根据第一实施例的回流装置包括：处理室1，在其中执行回流处理；蚁酸喷射机构（蚁酸导入机构）4，其用于向处理室1提供包含蚁酸的氛围气体；以及防护构件11，其设置在处理室1的内壁的表面（内壁表面）附近。
防护构件11由对蚁酸的强腐蚀性具有耐蚀性的材料制成。
防护构件11例如由诸如哈司特镍合金和SUS316L的金属材料以及诸如环氧树脂和聚茚树脂的耐热树脂制成。或者，防护构件11可以由诸如涂覆聚烯烃或耐热特氟纶的SUS304的金属板制成。
将液态蚁酸从蚁酸导入管2导入蚁酸喷射机构4。另一方面，将诸如氮气（N）和氩气（Ar）的惰性气体从惰性气体导入管3导入蚁酸喷射机构4。
蚁酸溶液和惰性气体在喷嘴5中混合，并且从喷嘴5中喷射雾状的蚁酸氛围气体6a。通过辅助加热器7保持雾状并促进蒸发，并且将喷射的蚁酸氛围气雾6a提供给在处理室1中设置的处理物。
在本实施例中处理物是半导体晶片9（晶片），且其设置在处理室1中。晶片9具有在其表面上形成的焊料电极。晶片9放置在用于加热晶片的主加热器10的上方，并且由晶片固定机构8固定。由于处理室1被主加热器10加热，并且通过未示出的排气单元排气，所以导入的蚁酸雾6a作为蚁酸氛围气体6b扩散在晶片9上。
晶片固定机构8包括：
由处理室1的上部支撑的两个或更多的支撑杆8a；
由支撑杆8a支撑的支架8b，以及
从支架8b延伸的两个或更多的控制杆8c。通过气缸机构（未示出）能够垂直地移动控制杆8c。此外，支撑杆8a包括用于弹性按压晶片9的弹簧机构（未示出）。支架8b做成矩形或者环形。通过支架8b的中央部开口将蚁酸雾6a提供给晶片9。
此外，虽然省略描述，但是作为一般构造的回流装置还包括：预热室，用于预先将晶片9加热到预定温度；以及冷却室，用于在回流工艺之后冷却晶片9。此外，该回流装置包括：装备机器臂的运送室，用于向处理室1运送半导体晶片以及从处理室1取出半导体晶片；装载锁定（L/L）（load lock）室，用于容纳放置晶片9（处理物）的盒子等。由于这些零件（预热室、冷却室、运送室以及装载锁定室）不直接涉及本发明，因此省略对它们的解释。
根据如上所述本发明第一实施例的回流装置，由于在处理室1的内壁表面附近设置防护构件11，所以扩散的蚁酸氛围气体6b不直接附着在处理室1的内壁表面。此外，由于防护构件11的耐蚀性很高，即使液态的蚁酸残留在防护构件11上也不会产生由于腐蚀导致的金属杂质。
图3示出为了确定适合防护构件11的金属材料而在各种金属材料上进行耐蚀性试验（试验1和试验2）的结果。
在试验1中，将样品金属片浸入85％的蚁酸；然后在浸入之前和浸入之后进行质量变化的速率测量和外观观察。浸入条件是：蚁酸温度为室温；浸入时间为48小时；并且在浸入之后的干燥时间为24小时。试验1的结果如下：
（1）镀镍铜：由于腐蚀质量减小速率为0.085%；镀镍脱落；并且铜发生反应（铜锈）。因此，确定不行。
（2）SUS304：没有质量变化并且没有外观变化。因此，确定可以。
（3）SUS316L：没有质量变化并且没有外观变化。因此，确定可以。
（4）哈司特镍合金C-22：没有质量变化并且没有外观变化。因此，确定可以。
然后，对除了镀镍铜以外的样品进行试验2。在不同条件下将样品浸入85％的蚁酸，并且在浸入之前和浸入之后进行质量变化的速率测量和外观观察。条件为：蚁酸温度为80℃，浸入时间为45小时，并且浸入之后的干燥时间为24小时。试验2的结果如下：
（1）SUS303：质量减少1.97%，在样品表面产生白色固体杂质。因此，确定不行。
（2）SUS316L：没有质量变化并且没有外观变化。因此，确定可以。
（3）哈司特镍合金C-22：没有质量变化并且没有外观变化。因此，确定可以。
从上述结果并且如图3所示，确定哈司特镍合金C-22和SUS316L具有高耐蚀性，也就是适合防护构件11。虽然SUS304可以用作防护构件11，但是在采用热熔融的回流装置中长期使用可以降低其耐蚀性。
如上所述，当金属材料用作防护构件11时，哈司特镍合金C-22和SUS316L最理想。由于哈司特镍合金C-22是昂贵的材料，如果整个处理室1都用这种材料建造，则回流装置的成本增加。因此，通过在内壁周围使用哈司特镍合金C-22制造防护构件11，无需使传统处理室的结构和/或制造工艺改变很大就能够经济地提高蚁酸的耐蚀性。
防护构件11可以由诸如环氧树脂和聚茚树脂的树脂材料制成，树脂材料比金属材料更便宜并且更易于处理。此外，防护构件11可以由涂覆聚烯烃或耐热特氟纶的诸如SUS304的理想金属板制成。
此外，期望处理室1中还设置其它部件：例如导入管2a，用于向处理室1提供氛围气体（或气雾）6；以及晶片固定机构8，由诸如哈司特镍合金和SUS316L的具有高蚁酸耐蚀性的材料制成。
此外，防护构件11是可拆卸的。以这种方式，可以替换防护构件11，并且可以进一步提高回流装置的耐用性。同时，可以防止金属杂质飞散并附着在半导体晶片的IC部分以及电路板上的电子零件上，从而能够制造高质量和高可靠性的产品。
图4示出根据本发明第二实施例的回流装置。在第二实施例中，代替第一实施例中的防护板11，安装用于蚁酸分解的加热器12，该加热器覆盖处理室1的内壁表面。对于用于蚁酸分解的加热器12，期望采用诸如种子加热器（seeds heater）和微型加热器的这种又薄又灵活的加热器。
通过将用于蚁酸分解的加热器12覆盖处理室1的内壁表面，附着内壁并包含蚁酸的氛围气体6b发生热分解。通过加热到200℃以上使包含蚁酸的氛围气体6b分解，从而防止分离蚁酸与室材料的反应产物。
期望当回流工艺完成时打开用于蚁酸分解的加热器12。回流工艺包括喷射蚁酸氛围气体、除去晶片9上的焊料电极表面上的氧化膜并且通过热熔融形成凸点电极。由于在进行回流工艺的同时使用蚁酸的还原作用清洗焊料表面，所以在完成回流工艺之后通过200℃以上的热分解除去附着在防护构件或室材料上的残留蚁酸，从而防止腐蚀。
第二实施例也提供一种回流装置，该回流装置可以有效地防止蚁酸引起的腐蚀，并且无需使传统处理室的结构改变很大，就可以防止杂质附着在诸如晶片上的集成电路器件或电路板上的电子零件的处理物上。由于其它构件与图2所示的第一实施例中的构件相同，因此省略对它们的描述。
图5示出根据本发明的第三实施例的回流装置。根据第三实施例，既使用防护构件11又使用用于蚁酸分解的加热器12。
期望将用于蚁酸分解的加热器12设置在处理室1的内壁与防护构件11之间。以这种方式，用于蚁酸分解的加热器12将防护构件11加热到200℃或更高，并且能够分解附着在防护构件11上的蚁酸氛围气体6b。从而，能够进一步防止本身具有极好耐蚀性的防护构件11的腐蚀。
虽然如第一实施例和第二实施例所述使用防护构件11和用于蚁酸分解的加热器12的其中之一就可以防止处理室1的内壁腐蚀，但是通过将它们组合使用能够进一步提高回流装置的耐用性，进而提高产品的质量。
图6A、图6B和图6C分别是根据如上述第一、第二和第三实施例的回流装置的分解图。图6A示出第一实施例的回流装置，其中防护构件11设置在处理室1内壁附近的整个表面上。用于加热晶片9的主加热器10设置在由防护构件11围绕的空间中，并且晶片9放置在用于加热晶片的主加热器10的上方。由蚁酸喷射机构4向晶片9提供蚁酸氛围气体。
图6B示出第二实施例的回流装置，其中处理室1的内壁表面由用于蚁酸分解的加热器12覆盖。
图6C示出第三实施例的回流装置，其中用于蚁酸分解的加热器12夹在制成处理室1的室材料与防护构件11之间。
由于通过上述实施例的任一构造均可以热分解附着的蚁酸，因此所述应用可以抑制蚁酸与室材料或防护构件11的反应。
图7示出根据本发明第四实施例的回流装置。该实施例的回流装置能够实现两个或更多半导体晶片的批处理。晶片放置在处理盒15中，并且运送到具有处理盒15的炉内。炉内被划分为区域A、区域B和区域C，其中区域A是半导体晶片接收区域，区域B是回流处理区域，区域C是半导体晶片取出区域。回流处理区域B对应于处理室，而晶片接收区域A和取出区域C对应于主室。
炉内充满氮气（N2）。炉的内壁表面由防护构件11完全覆盖，并且用于蚁酸分解的加热器12充分散布在内壁与防护构件11之间。承载晶片的处理盒15穿过装载机21的闸门24a进入晶片接收区域A。
在回流处理区域B中安装蚁酸喷嘴25。当处理盒15进入区域B时，加热器20从上方下降，并且同时加热处理盒15运送的晶片。当达到预定的晶片温度时，蚁酸雾被加热并且从蚁酸喷嘴25中喷射出来。借此，对晶片上形成的焊料电极进行表面清洗（还原处理）并且形成凸点（热熔融处理）。
当回流工艺完成之后，由卸载机22将处理盒15通过闸门24b从晶片卸出区域C中卸出。分别在装载机21的闸门24a和卸载机22的闸门24b附近设置氮气的气幕，从而在炉中保持氮气氛围。将剩余的蚁酸回收到蚁酸回收箱31。
持续运行的多叶片式风扇29b设置在炉的上部。位于处理盒15下部的多叶片式风扇29b或干式真空泵30在特定时间运行。
当处理完成之后，通过净化嘴32净化来自炉内的氮气。
图8是图7所示回流装置使用的处理盒15的透视图。晶片（未示出）彼此平行地放置在处理盒15中。将处理盒15插入处理室中以使晶片水平放置（与炉底平行）。
蚁酸气体从蚁酸喷嘴25侧通过狭缝27进入多个晶片之间，并且还原作用除去在每个半导体晶片上形成的焊料电极表面上的氧化膜。
由于炉的内壁被防护构件11覆盖，并且用于蚁酸分解的加热器12插入在防护构件与内壁之间，因此即使如第四实施例中进行批处理，也能分解附着防护构件11的残留蚁酸。从而，能够防止蚁酸对炉的腐蚀，并且能够防止金属杂质（反应产物）飞散到晶片上。这里，虽然图7所示的实例既包括防护构件11又包括用于蚁酸分解的加热器12，但是通过使用上述其中一种构件就能够获得足够的防腐蚀效果。
图9示出抽气（排气）型回流装置的处理定时示意图，该装置包括用于蚁酸分解的加热器12，例如第二实施例和第三实施例。该图的上部是晶片9的温度曲线，并且该图的下部是处理室1中的压力曲线。水平轴代表时间（分钟）。
在定时A，抽取处理室1的气体至到预定压力，并且将晶片9设置在抽气后的处理室1中。晶片9放置在主加热器10上。
当在定时B晶片达到预定温度1时，喷射蚁酸和氮气（N2）的混合气体（蚁酸氛围气体），并且开始除去在晶片9上形成的焊料电极表面上的氧化膜。同时，主加热器10继续加热晶片。通过喷射蚁酸氛围气体并加热，处理室1中的压力迅速上升。
如果在定时C晶片达到预定温度2，则焊料电极开始熔融。晶片在预定温度2保持几分钟，并且进行包括喷射蚁酸氛围气体的热熔融工艺（回流）。
当在定时D完成焊料凸点成形（回流）时，打开用于蚁酸分解的加热器12。此外，当打开用于抽气的抽气阀时晶片降低到预定温度1。因而，处理室1中的压力迅速下降。
继续抽取处理室1的气体直到在定时E压力达到预定等级。然后，将晶片移入冷却室，并且晶片温度降到室温RT。
图10示出根据图9的处理定时由图4（第二实施例）和图5（第三实施例）的回流装置进行的回流工艺的流程图。
首先，在步骤S101将预热室和冷却室加热到相应的预定温度。此外，将用于晶片运送和晶片卸载的主室的压力降低到大约20Pa，并且抽取处理室1的气体至10Pa或更小的压力。
接着，在步骤S102，引入晶片载体（未示出），并且抽取装载锁定（L/L）室的气体至10Pa或更小的压力。
接着，在步骤S103，由机器人将晶片从盒子运送到处理室1。该步骤对应于图9的定时A。
接着，在步骤S104，当晶片达到预定温度1时，喷射蚁酸和氮气（N2）的混合气体，并且开始除去晶片9上的焊料电极表面的氧化膜。该步骤对应于图9的定时B。
接着，在步骤S105，当晶片达到预定温度2时，保持该温度几分钟，并且通过热熔融使焊料电极形成焊料凸点。这个步骤对应于图9的定时C。
接着，在步骤S106，当在喷射蚁酸氛围气体的条件下焊料电极形成焊料凸点时，打开用于蚁酸分解的加热器12，并且残留并附着处理室1的蚁酸开始分解（热分解）。同时，晶片温度下降到预定温度1，打开抽气阀（未示出）以进行抽气。这个步骤对应于图9的定时D。
接着，在步骤S107，继续抽气直到处理室1内部的压力变为10Pa或更小。这个步骤对应于图9的定时E。
接着，在步骤S108，取出晶片9并将其运送到冷却室。这时，将下一个待处理的半导体晶片从主室运送到处理室1。
在步骤S109，将冷却到室温的晶片运送到盒子。
在步骤S110，确定是否处理完由盒子放置的所有晶片。如果确定为肯定（在S110是），则在步骤S111打开装载锁定室，并且完成处理。否则，即，如果在盒子中剩余仍待处理的半导体晶片（在S110否），则处理返回到步骤S103以重复步骤S103至S110。
如上所述，打开用于蚁酸分解的加热器，从而在蚁酸氛围中焊料电极熔融成形之后进行分解附着室的蚁酸的热分解处理。从而，能够有效地防止蚁酸飞散以及产生蚁酸的反应产物。
虽然基于上述特定的实施例描述本发明，但是本发明并不限于所述实施例。根据所述实施例，回流装置用于在晶片上形成焊料凸点电极；然而，回流装置也可以用于例如将在期望衬底上形成的焊料凸点连接到线路板的端子或焊盘。
此外，本发明可以应用于例如在电路板或转接板的电极部分形成的焊料部分的回流处理，该电路板或转接板由绝缘树脂（例如玻璃环氧树脂）或陶瓷制成，至少在其表面上设置布线和电极。
此外，本发明可以应用于将半导体集成电路元件或其它电子零件焊接固定到电路板或转接板上的电极。
此外本发明并不限于这些实施例，在不脱离本发明范围的情况下可以作出变化和修改。
本申请基于在2005年11月2日提交日本专利局的日本在先申请No.2005-319819，在此通过参考援引该申请的全部内容。

Claims (11)

1.一种回流装置，包括：
炉，包括晶片接收区域、回流处理区域及取出区域，并具有由防护构件完全覆盖的内壁；
蚁酸导入机构，安装在该回流处理区域中；
惰性气体导入机构，在该炉内产生惰性气体氛围；
加热器，用于蚁酸分解，充分散布在该炉的内壁与该防护构件之间；
装载机，承载多个晶片至该晶片接收区域；
卸载机，从该取出区域中卸出所述多个晶片；
第一闸门，位于该装载机与该晶片接收区域之间；以及
第二闸门，位于该取出区域与该卸载机之间。
2.如权利要求1所述的回流装置，还包括：
氮气的气幕机构，设置在该第一闸门附近；以及
另一氮气的气幕机构，设置在该第二闸门附近。
3.如权利要求1所述的回流装置，其中该惰性气体是氮气或氩气。
4.如权利要求1所述的回流装置，其中所述多个晶片放置在处理盒中，并由该处理盒运送到该炉内。
5.如权利要求4所述的回流装置，其中该处理盒中设置有狭缝。
6.如权利要求1所述的回流装置，其中该防护构件由包含耐蚀金属合金和SUS316L其中一种的金属材料制成。
7.如权利要求1所述的回流装置，其中该防护构件由环氧树脂和聚茚树脂的其中一种制成。
8.如权利要求1所述的回流装置，其中该防护构件由聚烯烃和耐热PTFE（聚四氟乙烯）的其中一种涂覆。
9.如权利要求1所述的回流装置，其中该回流处理区域是经加热的处理室，设定于第一温度，该经加热的处理室上安装有焊料构件，并被提供有该第一温度的氛围气体。
10.如权利要求9所述的回流装置，其中该经加热的处理室被设定于第二温度，并且所安装的焊料构件在该第二温度下成为熔融处理的焊料构件。
11.如权利要求10所述的回流装置，其中该熔融处理的焊料构件为热熔融焊料凸点。
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