CN102741996B - 静电卡盘装置 - Google Patents

静电卡盘装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102741996B
CN102741996B CN201080056197.0A CN201080056197A CN102741996B CN 102741996 B CN102741996 B CN 102741996B CN 201080056197 A CN201080056197 A CN 201080056197A CN 102741996 B CN102741996 B CN 102741996B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrostatic chuck
mentioned
ring
heater
focusing ring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201080056197.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102741996A (zh
Inventor
佐佐木康晴
增泽健二
真壁晓之
小坂井守
佐藤隆
石村和典
早原龙二
河野仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Sumitomo Osaka Cement Co Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN102741996A publication Critical patent/CN102741996A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102741996B publication Critical patent/CN102741996B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/338—Changing chemical properties of treated surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种静电卡盘装置，其由以下部件构成：静电卡盘部；环状的聚焦环部，设置成包围该静电卡盘部；和冷却基部，冷却该静电卡盘部和聚焦环部。聚焦环部包括环状的聚焦环、环状的导热片、环状的陶瓷环、非磁性体的加热器以及向该加热器供电的电极部。

Description

静电卡盘装置
技术领域
本发明涉及静电卡盘装置，更详细地说，涉及适用于高频放电方式的等离子体处理装置的静电卡盘装置，该等离子体处理装置对电极施加高频而生成等离子体，并通过该等离子体对半导体晶圆等板状试料进行等离子体蚀刻等的等离子体处理。
本申请基于2009年12月10日在日本申请的特愿2009-280672号而主张优先权，在此援引其内容。
背景技术
以往，在IC、LSI、VLSI等半导体器件或液晶显示器等平板显示器（Flat Panel Display：FPD）等的制造工艺中的、蚀刻、堆积、氧化、溅射等处理中，为了使处理气体在较低的温度下进行良好的反应，多利用等离子体。
例如，在使用了硅晶圆的半导体器件的蚀刻工序中，使用高频放电方式的等离子体蚀刻装置。
然而，在该等离子体蚀刻装置中，产生硅晶圆的中央部的蚀刻特性和该硅晶圆的外周部的蚀刻特性不同的现象。
因此，为了使该硅晶圆的蚀刻特性在面内均化，以包围该硅晶圆的方式在该硅晶圆的外侧配置环状的聚焦环。
但是，即使在使用了聚焦环的情况下，在对硅晶圆进行等离子体蚀刻时，也会在硅晶圆的中央部和外周部之间产生温度差，硅晶圆的中央部的蚀刻率和外周部的蚀刻率因该温度差而产生差异。
这种情况下，成为硅晶圆的面内的蚀刻结果不均匀的状态，因此会因该蚀刻引起的面内加工形状的不均匀，而存在所获得的半导体器件的特性的合格率下降的问题。
为了解决这种问题，提出了如下构成的磁控管方式的等离子体蚀刻处理装置：在聚焦环的内部的表面附近，以不露出到该表面的方式配置有温度检测器（专利文献1）。
在该等离子体蚀刻处理装置中，平时由温度检测器检测聚焦环的温度，进行聚焦环的温度控制，从而控制成将聚焦环的温度保持在与硅晶圆相同的温度。从而，抑制了硅晶圆上和聚焦环上的自由基的表面反应差，抑制了硅晶圆的面内的蚀刻率的变动，改善了蚀刻的均匀性。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2002-164323号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在上述现有的在聚焦环设有温度检测器的等离子体蚀刻处理装置中，向硅晶圆照射等离子体时，为了使该等离子体照射所引起的聚焦环表面的升温速度慢于硅晶圆的面内的升温速度，在等离子体照射的初始阶段，将聚焦环的表面温度抑制得比硅晶圆的表面温度低。此外，在等离子体照射的最终阶段，聚焦环的表面温度反而变得比硅晶圆的表面温度高，因此在聚焦环和硅晶圆之间产生温度差，结果存在硅晶圆的面内温度也不稳定的问题。
此外，在该等离子体蚀刻处理装置中，在等离子体照射时也可以使用冷却器来冷却聚焦环。但是，在该情况下，难以利用冷却器来调整聚焦环的因等离子体照射引起的温度上升，难以高精度地调整聚焦环的表面温度。
这样一来，即使在聚焦环中设有温度检测器的情况下，也成为硅晶圆的面内的蚀刻结果不均匀的状态，因此会因该蚀刻引起的面内加工形状的不均匀，而存在所获得的半导体器件的特性的合格率下降的问题。
进而，由于难以调整聚焦环的表面温度，因此在该聚焦环的表面温度低于硅晶圆的表面温度时，存在堆积物容易堆积到该聚焦环上的问题。
本发明鉴于上述情况，其目的在于提供一种静电卡盘装置，在适用于等离子体蚀刻装置等处理装置的情况下，通过调整以包围硅晶圆等板状试料的方式设置的聚焦环部的温度，能够将处理中的聚焦环部的温度保持一定，能够使板状试料的外周部的温度稳定，从而能够使板状试料的面内的蚀刻特性均化，能够防止堆积物堆积到聚焦环上。
用于解决问题的手段
本申请发明人为了解决上述问题而进行了锐意研究，发现了以下情况而完成了本发明：若使得以包围静电卡盘部的方式设置的环状的聚焦环部构成为包括聚焦环、陶瓷板、由非磁性体构成的加热器部、以及向该加热器部供电的电极部，则通过调整该聚焦环部的温度，就能够将处理中的聚焦环部的温度保持一定，能够使硅晶圆等板状试料的外周部的温度稳定，从而能够使板状试料的面内的蚀刻特性均化，进而能够防止堆积物堆积到聚焦环上。
即，本发明的静电卡盘装置包括以下方式。
<1>一种静电卡盘装置，其特征在于，包括：静电卡盘部，将一个主面作为放置板状试料的放置面，并且内置有静电吸附用内部电极；环状的聚焦环部，设置成包围上述静电卡盘部；和冷却基部，设置在上述静电卡盘部的另一主面侧，用于冷却上述静电卡盘部和上述聚焦环部，上述聚焦环部包括：聚焦环；陶瓷板，设于该聚焦环和上述冷却基部之间；由非磁性体构成的加热器部，设于该陶瓷板和上述冷却基部之间；和电极部，向该加热器部供电。
<2>根据上述<1>所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述陶瓷板为环状陶瓷板、对环状陶瓷板在周向上进行分割而成的多个陶瓷片、以及对环状陶瓷板在半径方向上进行分割而成的多个环状陶瓷片中的任意一种。
<3>根据上述<1>或<2>所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部为片状的加热器部。
<4>根据上述<1>～<3>中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部通过第1绝缘性粘接剂层固定于上述陶瓷板，并通过第2绝缘性粘接剂层固定于上述冷却基部，而且，通过上述第1绝缘性粘接剂层和第2绝缘性粘接剂层绝缘。
<5>根据上述<1>～<4>中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，在上述冷却基部和上述加热器部之间设有绝缘性的陶瓷膜或绝缘性的有机薄膜。
<6>根据上述<1>～<5>中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，在上述聚焦环部设置温度测定机构。
<7>根据上述<1>～<6>中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部的电导率为0.5×106S/m以上且20×106S/m以下，热膨胀率为0.1×10-6/K以上且100×10-6/K以下。
<8>根据上述<1>～<7>中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部由钛或钛合金构成。
<9>根据上述<1>～<8>中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述陶瓷板具有绝缘性，且导热系数为1W/mK以上。
<10>根据上述<1>～<9>中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部和上述冷却基部之间的传热系数为400W/m2K以上且10000W/m2K以下。
发明效果
根据本发明的静电卡盘装置，以包围静电卡盘部的方式设置环状的聚焦环部，并通过聚焦环、设于该聚焦环和冷却基部之间的陶瓷板、设于该陶瓷板和冷却基部之间的由非磁性体构成的加热器和向该加热器供电的电极，构成上述聚焦环部。因此，通过加热器调整聚焦环部的温度，从而可以将处理中的聚焦环部的温度保持一定。因此，可以使硅晶圆等板状试料的外周部的温度稳定，从而可以使板状试料的面内的蚀刻特性均匀。
此外，可以高精度地调整聚焦环的表面温度，因此可以消除该聚焦环的表面温度和板状试料的表面温度之间的温度差，可以防止堆积物堆积到该聚焦环上。
附图说明
图1是表示本发明一实施方式的静电卡盘装置的剖视图。
图2是表示本发明一实施方式的静电卡盘装置的陶瓷环的形状的一例的俯视图。
图3是表示本发明一实施方式的静电卡盘装置的陶瓷环的形状的另一例的俯视图。
图4是表示本发明一实施方式的静电卡盘装置的陶瓷环的形状的又一例的俯视图。
图5是表示本发明一实施方式的静电卡盘装置的变形例的剖视图。
符号说明
1    静电卡盘装置
2    静电卡盘部
3    聚焦环部
4    冷却基部
11   电介质层
11a  上面
12   绝缘层
13   静电吸附用内部电极
14   绝缘材料层
15   供电用端子
16   绝缘子
21   聚焦环
22   导热片
23   陶瓷环（陶瓷板）
24   （第1）绝缘性粘接剂层
25   加热器
26   加热器电极
27   加热器绝缘子
28   （第2）绝缘性粘接剂层
31   流路
32～34  贯通孔
35   光温度计（温度测定机构）
36    温度控制器
37    加热器电源
41    静电卡盘装置
42、43  冷却基部
具体实施方式
对本发明的静电卡盘装置的实施方式进行说明。
另外，以下的各实施方式是为了更好地理解发明的宗旨而具体地进行说明的，若无特别指定，并不用于限定本发明。
图1是表示本发明一实施方式的静电卡盘装置的剖视图，该静电卡盘装置1由以下部件构成：静电卡盘部2；以包围该静电卡盘部2的方式设置的环状的聚焦环部3；和对这些静电卡盘部2和聚焦环部3进行冷却的冷却基部4。
静电卡盘部2由以下部件构成：圆形的电介质层11，将上面（一个主面）作为用于放置半导体晶圆等板状试料W的放置面；直径与电介质层11相同的圆形的绝缘层12，与该电介质层11的下面（另一主面）侧相对配置；直径比电介质层11及绝缘层12小的圆形的静电吸附用内部电极13，夹在该电介质层11和绝缘层12之间；环状的绝缘材料层14，在该静电吸附用内部电极13的外周侧设置成包围该静电吸附用内部电极13；供电用端子15，与该静电吸附用内部电极13的下面中央部连接，施加直流电压；和圆筒状的绝缘子16，通过覆盖该供电用端子15的周围而使其与外部绝缘。
电介质层11和绝缘层12均优选为具有耐热性的陶瓷，作为该陶瓷，优选由从氮化铝（AlN）、氧化铝（Al2O3）、氮化硅（Si3N4）、氧化锆（ZrO2）、硅铝氧氮陶瓷、氮化硼（BN）、碳化硅（SiC）选择的一种构成的陶瓷、或包含两种以上的复合陶瓷。
尤其是，电介质层11由于上面11a侧成为静电吸附面，因此优选选择特别是介电常数高的材质、且相对于静电吸附的板状试料W不会成为杂质的材质，例如优选包含4重量%以上且20重量%以下的碳化硅、余部为氧化铝的碳化硅-氧化铝复合烧结体。
静电吸附用内部电极13使用厚度为10μm～50μm左右、具有导电性的平板状的陶瓷。该静电吸附用内部电极13的、静电卡盘装置1的使用温度下的体积电阻率优选为1.0×106Ω·cm以下，更优选为1.0×104Ω·cm以下。
作为构成该静电吸附用内部电极13的导电性陶瓷，包括碳化硅（SiC）-氧化铝（Al2O3）复合烧结体、氮化钽（TaN）-氧化铝（Al2O3）复合烧结体、碳化钽（TaC）-氧化铝（Al2O3）复合烧结体、碳化钼（Mo2C）-氧化铝（Al2O3）复合烧结体等。
绝缘材料层14用于将电介质层11和绝缘层12接合一体化，此外用于保护静电吸附用内部电极13免于遭受等离子体。作为构成该绝缘材料层14的材料，优选为主成份与电介质层11和绝缘层12相同的绝缘性材料，例如在电介质层11和绝缘层12由碳化硅-氧化铝复合烧结体构成时，优选为氧化铝（Al2O3）。
聚焦环部3由以下部件构成：聚焦环21，由内径比静电卡盘部2的直径稍大且外径比冷却基部4的外径稍大的环状板材构成；环状的导热片22，贴附于该聚焦环21的下面，内径与聚焦环21的内径相同且外径比聚焦环21的外径小；环状的陶瓷环（陶瓷板）23，贴附于该导热片22的下面，内径和外径与导热片22基本相同；由非磁性体构成的加热器25，经由片状的（第1）绝缘性粘接剂层24粘接在该陶瓷环23的下面；加热器电极26，接合在该加热器25的下面，向加热器25供电；和圆筒状的加热器绝缘子27，通过覆盖该加热器电极26的周围而使其与外部绝缘。
该聚焦环部3经由（第2）绝缘性粘接剂层28粘接、固定到冷却基部4。
该聚焦环21在等离子体蚀刻等处理工序中被控制成与板状试料W相同的温度，其材质例如在用于氧化膜蚀刻时优选使用多晶硅、碳化硅等。
导热片22用于将来自被控制温度的陶瓷环23的热传递到聚焦环21，适用于导热系数高的片状物等。
该导热片22为了良好地持续保持聚焦环21和陶瓷环23之间的热传导，使该导热片22介于聚焦环21和陶瓷环23之间时的传热系数需要为500W/m2K以上。
在此，若传热系数不足500W/m2K，则高频施加时的聚焦环21的温度上升的影响变大，无法进行加热器25和冷却基部4对聚焦环21的温度控制，因此不优选。
陶瓷环23例如为由氧化铝（Al2O3）、石英等构成的具有绝缘性的环状陶瓷板，其导热系数为1W/mK以上。
若该导热系数不足1W/mK，则无法将来自加热器25的热经导热片22快速地传递到聚焦环21，在聚焦环21的表面温度和静电卡盘部2的表面温度之间产生温度差。因此，放置于静电卡盘部2的板状试料W的表面温度变得不稳定，结果无法使进行了各种处理的板状试料W的面内特性均化，因此不优选。
该陶瓷环23除了图2所示的环状之外，也可以将多个圆弧状的陶瓷片、例如图3所示的圆弧状的陶瓷片23a～23d组合成环状，其中该多个圆弧状的陶瓷片是通过对环状的陶瓷板在周向上进行分割而成。或者，也可以将多个环状的陶瓷片、例如图4所示的环状的陶瓷片23e、23f组合成同心圆状，其中该多个环状的陶瓷片是通过对环状的陶瓷板在半径方向上进行分割而成。
绝缘性粘接剂层24、28优选使用在-20℃～150℃的温度范围内具有耐热性的粘接剂，例如优选硅树脂、含有氧化铝或氮化铝等填料的硅树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂等。尤其是，在使用氧系等离子体时，优选对氧系等离子体的耐等离子体性优秀的硅树脂。
该绝缘性粘接剂层24、28可以是相同的材料，也可以是彼此不同的材料。此外，形状可以是片状的粘接材料，也可以是因热或紫外线照射而固化的液状的粘接剂等。总之，根据作为粘接对象的部件的材料组成、形状而适当选择使用即可。
具体地说，例如，绝缘性粘接剂层24优选片状的环氧树脂，绝缘性粘接剂层28优选硅树脂。
加热器25经由陶瓷环23将聚焦环21的温度以任意的升温速度加热到预定的温度，从而将聚焦环21的温度控制成与板状试料W相同的温度。为了充分发挥作为加热器25的功能，其电导率优选为0.5×106S/m以上且20×106S/m以下，更优选为0.9×106S/m以上且5×106S/m以下。
此外，加热器25即使在反复进行升温和降温时，也需要不从陶瓷环23、冷却基部4剥离，因此其热膨胀率优选为0.1×10-6/K以上且100×10-6/K以下，更优选为0.1×10-6/K以上且20×10-6/K以下，进一步优选为4×10-6/K以上且10×10-6/K以下。
该加热器25在应用于使用了高频（RF）的等离子体处理装置时，为了在施加高频（RF）时加热器自身不会因高频（RF）而自己发热，需要为非磁性材料，优选使用由片状的非磁性材料构成的导电体。作为这种导电体，例如包括钛箔、钛合金箔等。
该加热器25的厚度优选为200μm以下，更优选为120μm以下。
通过使该加热器25的厚度为200μm以下，在将该加热器25经由绝缘性粘接剂层28粘接、固定到冷却基部4时，可以使从陶瓷环23到冷却基部4为止的绝缘性粘接剂层28的厚度较薄。因此，可以减小该绝缘性粘接剂层28露出的端面中暴露于等离子体下的面积，结果可以减轻照射等离子体时等离子体对绝缘性粘接剂层28的损伤。
该加热器25经由绝缘性粘接剂层24粘接到陶瓷环23的下面，并且经由绝缘性粘接剂层28粘接、固定到冷却基部4，进而，该加热器25不与冷却基部4接触而在良好地确保它们之间的间隔的状态下进行保持，并且在该间隔中填充绝缘性粘接剂。因此，能够良好地确保分别与陶瓷环23和冷却基部4之间的绝缘性，通过这些绝缘性粘接剂层24、28能够降低加热器25的热应力。
冷却基部4设于静电卡盘部2和聚焦环部3的下侧，将该静电卡盘部2和聚焦环部3的温度控制为所希望的温度，并且兼具高频发生用电极。该冷却基部4由铝等导热性好的金属构成，在其内部形成用于使水或有机溶剂等冷却用介质循环的流路31，能够将放置于上述电介质层11的上面11a的板状试料W的温度维持在所希望的温度。
在该冷却基部4中形成于加热器25下侧的贯通孔32中固定加热器电极26和加热器绝缘子27，此外，在形成于该冷却基部4的中央部的贯通孔33中固定供电用端子15和绝缘子16，进而，在相对于冷却基部4的中心轴与贯通孔32相反侧的贯通孔34中固定有光温度计（温度测定机构）35，该光温度计35通过接受从陶瓷环23放射的光而直接测定陶瓷环23的温度。
该光温度计35也可以构成为直接测定加热器25的温度，还可以构成为直接测定聚焦环21的温度。
在该光温度计35上串联连接温度控制器36和加热器电源37，该加热器电源37与加热器电极26连接。
在此，在想要获知陶瓷环23的温度时，只要该光温度计35检测从该陶瓷环23放射的光，就可以根据该光的波长频带直接获知陶瓷环23的温度。
在此，光温度计35将与该光对应的温度的值转换成电信号，并向温度控制器36输出。在温度控制器36中，根据来自光温度计35的电信号将用于控制向加热器25施加的电力的控制信号向加热器电源37输出。在加热器电源37中，根据从温度控制器36输出的控制信号，向加热器25施加所控制的电力，而控制从该加热器25放射的热量。
从而，可以通过加热器25经陶瓷环23将聚焦环21以任意的升温速度加热到预定的温度，并可以保持该温度。此外，当聚焦环21的温度通过等离子体而上升时，通过调整加热器25的输出来抑制聚焦环部3的温度上升，从而可以将该聚焦环部3的温度保持一定。
该冷却基部4和陶瓷环23的间隔为绝缘性粘接剂层24、加热器25和绝缘性粘接剂层28之和、即100μm～500μm。
通过这样将绝缘性粘接剂层24、加热器25和绝缘性粘接剂层28层状地重叠，可以使冷却基部4和陶瓷环23的间隔极窄，因此可以经由陶瓷环23高精度地将聚焦环21的温度控制为预定的温度。
该冷却基部4和加热器25之间的传热系数优选为400W/m2K以上且10000W/m2K以下，更优选为1000W/m2K以上且4000W/m2K以下。
通过使冷却基部4和加热器25之间的传热系数为上述范围，可以使加热器25中流过预定电流时的陶瓷环23的升温速度及冷却速度、和静电卡盘部2的升温速度及冷却速度基本一致。因此，可以使聚焦环21的升温速度及冷却速度与静电卡盘部2的升温速度及冷却速度基本一致。
如上可知，可以利用加热器25调整聚焦环21的温度，可以将处理中的聚焦环21的温度保持一定。因此，可以使硅晶圆等板状试料W的外周部的温度稳定，从而可以使板状试料W的面内的蚀刻特性均匀。
此外，可以高精度地调整聚焦环21的表面温度，因此可以消除该聚焦环21的表面温度和放置于静电卡盘部2上的板状试料W的表面温度之间的温度差，从而可以防止堆积物堆积到该聚焦环21上。
如上所述，根据本实施方式的静电卡盘装置，将加热器25设在陶瓷环23和冷却基部4之间，因此可以减轻加热器25发热时对陶瓷环23的应力。此外，加热器25未被内置到陶瓷中，因此可以简化制造工序，还可以降低制造成本。
由于将加热器25设为非磁性体，因此在对该加热器25施加高频时也无因该高频而发热之虞。因此，在施加高频时也可以避免自身发热。
将加热器25经由绝缘性粘接剂层24、28固定到陶瓷环23和冷却基部4，因此在陶瓷环23和冷却基部4之间存在绝缘性粘接剂层24、28，可以缓和因加热器25的热膨胀而引起的热应力，并且可以缓和因陶瓷环23和冷却基部4的热膨胀而引起的热应力。
进而，在冷却基部4的贯通孔34中固定有直接测定陶瓷环23的温度的光温度计35，因此可以防止陶瓷环23的热经由光温度计35逃逸到冷却基部4。
此外，通过光温度计35直接测定陶瓷环23的温度，因此不用担心受到来自加热器25的发热的影响，可以正确地测定陶瓷环23自身的温度。
此外，为了提高冷却基部4和加热器25之间的绝缘性，还可以在冷却基部4和加热器25之间设置绝缘性的陶瓷膜或绝缘性的有机薄膜。
此外，在聚焦环21和陶瓷环23之间设有导热片22，但也可以替代导热片22而构成为使氦气等流动。
此外，作为通过光温度计35直接测定温度的对象，不限于陶瓷环23，也可以直接测定聚焦环21或导热片22的温度。
图5是表示本实施方式的静电卡盘装置的变形例的剖视图，该静电卡盘装置41与上述静电卡盘装置1的不同点在于，将冷却基部分割为用于冷却静电卡盘部2的具有厚度的圆板状冷却基部42、和为了冷却聚焦环部3而以包围冷却基部42的方式设置的具有厚度的环状冷却基部43。除此之外，与上述静电卡盘装置1完全相同。
根据该静电卡盘装置41，设有用于冷却静电卡盘部2的具有厚度的冷却基部42和用于冷却聚焦环部3的冷却基部43，因此可以通过冷却基部42单独冷却静电卡盘部2、通过冷却基部43单独冷却聚焦环部3，可以提高静电卡盘部2和聚焦环部3各自的温度控制性。

Claims (8)

1.一种静电卡盘装置，其特征在于，
包括：静电卡盘部，将一个主面作为放置板状试料的放置面，并且内置有静电吸附用内部电极；
环状的聚焦环部，设置成包围上述静电卡盘部；和
冷却基部，设置在上述静电卡盘部的另一主面侧，用于冷却上述静电卡盘部和上述聚焦环部，
上述聚焦环部包括：环状的聚焦环；环状的导热片，设于该聚焦环的下面；环状的陶瓷板，设于该导热片的下面；由非磁性体构成的加热器部，设于该陶瓷板和上述冷却基部之间；和电极部，向该加热器部供电，
上述加热器部通过第1绝缘性粘接剂层固定于上述陶瓷板，并通过第2绝缘性粘接剂层固定于上述冷却基部，而且，通过上述第1绝缘性粘接剂层和第2绝缘性粘接剂层绝缘。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述陶瓷板由对环状的陶瓷板在半径方向上进行分割而成的多个环状陶瓷片构成。
3.根据权利要求1或2所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部为片状的加热器部。
4.根据权利要求1或2所述的静电卡盘装置，其特征在于，在上述冷却基部和上述加热器部之间设有绝缘性的陶瓷膜或绝缘性的有机薄膜。
5.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，在上述聚焦环部设置温度测定机构。
6.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部的电导率为0.5×106S/m以上且20×106S/m以下，热膨胀率为0.1×10-6/K以上且100×10-6/K以下。
7.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部由钛或钛合金构成。
8.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部和上述冷却基部之间的传热系数为400W/m2K以上且10000W/m2K以下。
CN201080056197.0A 2009-12-10 2010-12-08 静电卡盘装置 Active CN102741996B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-280672 2009-12-10
JP2009280672A JP5496630B2 (ja) 2009-12-10 2009-12-10 静電チャック装置
PCT/JP2010/072008 WO2011071073A1 (ja) 2009-12-10 2010-12-08 静電チャック装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102741996A CN102741996A (zh) 2012-10-17
CN102741996B true CN102741996B (zh) 2015-06-10

Family

ID=44145617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080056197.0A Active CN102741996B (zh) 2009-12-10 2010-12-08 静电卡盘装置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8981263B2 (zh)
EP (1) EP2511950B1 (zh)
JP (1) JP5496630B2 (zh)
KR (1) KR101465849B1 (zh)
CN (1) CN102741996B (zh)
TW (1) TWI470691B (zh)
WO (1) WO2011071073A1 (zh)

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5496630B2 (ja) * 2009-12-10 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置
JP5619486B2 (ja) * 2010-06-23 2014-11-05 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング、その製造方法及びプラズマ処理装置
JP5915026B2 (ja) * 2011-08-26 2016-05-11 住友大阪セメント株式会社 温度測定用板状体及びそれを備えた温度測定装置
US9070536B2 (en) * 2012-04-24 2015-06-30 Applied Materials, Inc. Plasma reactor electrostatic chuck with cooled process ring and heated workpiece support surface
JP5975755B2 (ja) * 2012-06-28 2016-08-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP5886700B2 (ja) 2012-07-09 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 伝熱シート貼付装置及び伝熱シート貼付方法
JP5982206B2 (ja) * 2012-07-17 2016-08-31 東京エレクトロン株式会社 下部電極、及びプラズマ処理装置
JP5441021B1 (ja) * 2012-09-12 2014-03-12 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャック
CN103034265B (zh) * 2012-12-11 2015-03-25 北京兴华机械厂 强制均温和半导体制冷片调温的惯性仪表测试用温控仪
CN103915309B (zh) * 2013-01-05 2016-04-13 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理腔室及其静电夹盘以及基片温度控制方法
JP6400273B2 (ja) * 2013-03-11 2018-10-03 新光電気工業株式会社 静電チャック装置
KR101317942B1 (ko) * 2013-03-13 2013-10-16 (주)테키스트 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈
US20140300444A1 (en) * 2013-03-14 2014-10-09 Littelfuse, Inc. Laminated electrical fuse
CN104112638B (zh) * 2013-04-22 2017-07-18 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子体反应室及其静电夹盘
US9666466B2 (en) * 2013-05-07 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having thermally isolated zones with minimal crosstalk
JP6689020B2 (ja) * 2013-08-21 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN206022311U (zh) * 2013-11-06 2017-03-15 应用材料公司 用于等离子体处理腔室的处理配件
CN105097630A (zh) * 2014-05-14 2015-11-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 承载装置以及等离子刻蚀设备
JP6442296B2 (ja) * 2014-06-24 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
JP6345030B2 (ja) * 2014-08-11 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びフォーカスリング
CN105489527B (zh) * 2014-09-19 2018-11-06 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置以及半导体加工设备
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
JP6112236B2 (ja) * 2014-10-17 2017-04-12 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
CN107078048B (zh) 2014-10-17 2021-08-13 应用材料公司 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
JP6172301B2 (ja) * 2014-11-20 2017-08-02 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
KR102233925B1 (ko) * 2014-11-20 2021-03-30 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 정전 척 장치
US10109510B2 (en) * 2014-12-18 2018-10-23 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Apparatus for improving temperature uniformity of a workpiece
JP6452449B2 (ja) * 2015-01-06 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 載置台及び基板処理装置
WO2016158110A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP6124156B2 (ja) * 2015-04-21 2017-05-10 Toto株式会社 静電チャックおよびウェーハ処理装置
JP6530228B2 (ja) * 2015-04-28 2019-06-12 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
CN108028219B (zh) * 2015-09-25 2019-06-14 住友大阪水泥股份有限公司 静电卡盘装置
CN113103145B (zh) 2015-10-30 2023-04-11 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
KR20180093966A (ko) * 2015-12-10 2018-08-22 아이오니어 엘엘씨 프로세스 동작의 파라미터들을 결정하기 위한 장치 및 방법
CN106920725B (zh) * 2015-12-24 2018-10-12 中微半导体设备(上海)有限公司 一种聚焦环的温度调整装置及方法
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US10685862B2 (en) * 2016-01-22 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Controlling the RF amplitude of an edge ring of a capacitively coupled plasma process device
USD846513S1 (en) * 2016-04-27 2019-04-23 Ngk Insulators, Ltd. Sheet heater for electrostatic chuck
US20180061696A1 (en) * 2016-08-23 2018-03-01 Applied Materials, Inc. Edge ring or process kit for semiconductor process module
JP2018063974A (ja) * 2016-10-11 2018-04-19 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、温度制御方法、および載置台
JP6924618B2 (ja) * 2017-05-30 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 静電チャック及びプラズマ処理装置
US11289355B2 (en) 2017-06-02 2022-03-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
JP6865128B2 (ja) 2017-07-19 2021-04-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
WO2019065710A1 (ja) 2017-09-29 2019-04-04 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP6932070B2 (ja) * 2017-11-29 2021-09-08 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング及び半導体製造装置
CN108183088B (zh) * 2017-12-27 2020-06-12 武汉华星光电技术有限公司 一种膜层套孔及阵列基板制备方法
US11348819B2 (en) * 2017-12-28 2022-05-31 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck device
JP7145625B2 (ja) * 2018-03-07 2022-10-03 東京エレクトロン株式会社 基板載置構造体およびプラズマ処理装置
KR101995760B1 (ko) * 2018-04-02 2019-07-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
JP6681522B1 (ja) * 2018-09-13 2020-04-15 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置
JP7403215B2 (ja) * 2018-09-14 2023-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板支持体及び基板処理装置
US10957520B2 (en) 2018-09-20 2021-03-23 Lam Research Corporation Long-life high-power terminals for substrate support with embedded heating elements
JP6640975B2 (ja) * 2018-12-20 2020-02-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 静電チャック機構、及び荷電粒子線装置
JP7186646B2 (ja) * 2019-03-22 2022-12-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および載置台上のフォーカスリングの有無の検知方法
GB2583911A (en) * 2019-05-03 2020-11-18 Morgan Advanced Ceramics Inc High density corrosion resistant layer arrangement for electrostatic chucks
JP7412923B2 (ja) * 2019-08-23 2024-01-15 東京エレクトロン株式会社 エッジリング、プラズマ処理装置及びエッジリングの製造方法
CN112435912B (zh) * 2019-08-26 2023-09-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置
KR20210120291A (ko) 2020-03-26 2021-10-07 삼성전자주식회사 포커스 링 및 이를 구비하는 기판 고정용 척 어셈블리와 플라즈마 처리장치
JP2021180283A (ja) * 2020-05-15 2021-11-18 東京エレクトロン株式会社 載置台アセンブリ、基板処理装置および基板処理方法
CN111653469B (zh) * 2020-06-30 2024-01-09 上海华力集成电路制造有限公司 应用于刻蚀设备内的聚焦环、其形成方法及刻蚀设备
KR20220027509A (ko) * 2020-08-27 2022-03-08 삼성전자주식회사 플라즈마 공정 장치 및 플라즈마 공정 장치에서의 웨이퍼 디척킹 방법
JP7537842B2 (ja) 2020-10-06 2024-08-21 東京エレクトロン株式会社 基板支持体、基板処理装置および基板処理方法
CN116325114A (zh) * 2020-11-11 2023-06-23 艾克塞利斯科技公司 用于改善工件温度均匀性的混合式高温静电夹具
CN114883166A (zh) * 2021-02-05 2022-08-09 东京毅力科创株式会社 基片支承体和基片处理装置
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
CN113990727B (zh) * 2021-12-24 2022-03-15 北京凯世通半导体有限公司 一种超低温晶圆注入平台
CN117917188A (zh) * 2022-03-08 2024-04-19 东京毅力科创株式会社 传热气体的泄漏量减少方法及等离子体处理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006127900A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Kyocera Corp 環状ヒータ

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US990017A (en) * 1911-02-08 1911-04-18 William B Shull Self-adjusting metallic packing.
US6024826A (en) 1996-05-13 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material
US6238588B1 (en) * 1991-06-27 2001-05-29 Applied Materials, Inc. High pressure high non-reactive diluent gas content high plasma ion density plasma oxide etch process
JPH07310187A (ja) * 1994-05-16 1995-11-28 Kobe Steel Ltd プラズマ処理装置
US6133557A (en) * 1995-01-31 2000-10-17 Kyocera Corporation Wafer holding member
JP3236533B2 (ja) * 1997-07-02 2001-12-10 松下電器産業株式会社 静電吸着電極装置
JP4151749B2 (ja) * 1998-07-16 2008-09-17 東京エレクトロンＡｔ株式会社 プラズマ処理装置およびその方法
JP3810248B2 (ja) * 2000-03-27 2006-08-16 信越化学工業株式会社 プラズマ処理装置用シリコンリング
JP4592916B2 (ja) * 2000-04-25 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置
US6475336B1 (en) * 2000-10-06 2002-11-05 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring for plasma processing
JP2002164323A (ja) * 2000-11-28 2002-06-07 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc フォーカスリング、基板処理装置および基板処理方法
US6795292B2 (en) * 2001-05-15 2004-09-21 Dennis Grimard Apparatus for regulating temperature of a process kit in a semiconductor wafer-processing chamber
WO2003079404A2 (en) 2002-03-12 2003-09-25 Tokyo Electron Limited An improved substrate holder for plasma processing
US6767844B2 (en) * 2002-07-03 2004-07-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Plasma chamber equipped with temperature-controlled focus ring and method of operating
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
JP2005353812A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7713431B2 (en) * 2004-06-10 2010-05-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing method
JP2006128529A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5317424B2 (ja) * 2007-03-28 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4891139B2 (ja) * 2007-04-20 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理板の温度設定方法、熱処理板の温度設定装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP5018244B2 (ja) * 2007-05-30 2012-09-05 住友大阪セメント株式会社 静電チャック
JP2009280672A (ja) 2008-05-21 2009-12-03 Konica Minolta Ij Technologies Inc 活性光線硬化型インク組成物
JP3155802U (ja) * 2009-09-17 2009-12-03 日本碍子株式会社 ウエハー載置装置
JP5496630B2 (ja) * 2009-12-10 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006127900A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Kyocera Corp 環状ヒータ

Also Published As

Publication number Publication date
US20120281334A1 (en) 2012-11-08
TWI470691B (zh) 2015-01-21
US9721822B2 (en) 2017-08-01
CN102741996A (zh) 2012-10-17
JP2011124377A (ja) 2011-06-23
JP5496630B2 (ja) 2014-05-21
TW201135833A (en) 2011-10-16
EP2511950A1 (en) 2012-10-17
WO2011071073A1 (ja) 2011-06-16
EP2511950B1 (en) 2019-03-20
US8981263B2 (en) 2015-03-17
KR20120115257A (ko) 2012-10-17
KR101465849B1 (ko) 2014-11-26
US20150179492A1 (en) 2015-06-25
EP2511950A4 (en) 2014-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102741996B (zh) 静电卡盘装置
US11302556B2 (en) Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate
CN102741998B (zh) 静电卡盘装置
US11694881B2 (en) Stage and plasma processing apparatus
KR100728312B1 (ko) 정전 흡착장치와 웨이퍼 처리장치 및 플라즈마 처리방법
JP5107186B2 (ja) 加熱装置
US7247819B2 (en) Substrate heating apparatus
JP5459907B2 (ja) 基板載置装置の評価装置、及びその評価方法、並びにそれに用いる評価用基板
KR20180059761A (ko) 세라믹 히터
US10361089B2 (en) Plasma processing method
CN104582019A (zh) 用于半导体制造装置的陶瓷加热器
JP2008251681A (ja) ウエハステージ
JP4580235B2 (ja) 絶縁膜の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant