CN104582019A

CN104582019A - 用于半导体制造装置的陶瓷加热器

Info

Publication number: CN104582019A
Application number: CN201410039685.0A
Authority: CN
Inventors: 木村功一; 三云晃; 夏原益宏
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2013-10-15
Filing date: 2014-01-27
Publication date: 2015-04-29
Anticipated expiration: 2034-01-27
Also published as: CN104582019B

Abstract

本发明提供一种陶瓷加热器，其能够在晶片载放面整个表面上使温度分布均匀。陶瓷加热器（10）具有：内部埋设有电阻发热体的圆板形陶瓷基体（1）；和接合于该陶瓷基体（1）的晶片载放面（1a）相反侧背面（1b）的圆筒形支持体（3），在该背面（1b）接合支持体（3）的环形接合区域（S1），分别以同心圆形状连接于接合区域（S1）的内周和外周，面积与接合区域（S1）均相同的环形内侧区域（S2）和外侧区域（S3）构成整个环形区域，位于其正上方的电阻发热体（2）的一部分的发热量除以该整个环形区域的面积的值，大于该电阻发热体（2）的一部分以外的电阻发热体（2）的其余部分的发热量除以背面（1b）减去该整个环形区域的面积的值。

Description

用于半导体制造装置的陶瓷加热器

技术领域

本发明涉及一种陶瓷加热器，其用在半导体制造装置中，载放半导体晶片并对其进行加热。

背景技术

在集成电路等半导体装置制造工序中，要对半导体晶片进行成膜处理及蚀刻处理等各种处理。在对半导体晶片进行上述处理的半导体制造装置中，要用到在保持有半导体晶片的状态下对其进行加热的陶瓷加热器。通常，陶瓷加热器包括上面具有晶片载放面的陶瓷制陶瓷基体和在背面对其提供支承的圆筒形的支持体，在该陶瓷基体的内部或表面，除了设置有用于加热的电阻发热体电路，还设置有RF电极及静电卡盘用电极等导电体。

对载放于上述陶瓷基体的半导体晶片成膜的方法有热CVD及等离子体CVD等，均是为了在整个晶片表面以均匀的膜厚成膜，而谋求在晶片载放面的整个表面使陶瓷加热器的温度分布均匀。为此，如专利文献1所示，可以将陶瓷加热器分割为多个区域，对各区域单独配置电阻发热体，或可以使电阻发热体为并联电路，由此增大整体电路长度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2006-210467号公报

发明内容

近年来，对半导体晶片成膜的膜的材质多样化，有Si膜、SiN膜、SiO₂膜、SiON膜、W膜等，因此，需要能够在400℃左右～800℃左右的高温区域内进行的处理的半导体制造装置。如上所述，处理温度越高，从陶瓷基体与支持体的接合部分经支持体产生的热损失（heatescaping）的量越多，其结果是，陶瓷加热器的晶片载放面的温度均匀性劣化，造成膜厚不均匀的问题。

在陶瓷加热器中，与保持在高温时相比，在升温时陶瓷基体的中心部温度低于周缘部的倾向明显，因此在该升温时在陶瓷基体中产生很大的应力，会导致陶瓷基体破裂。本发明有鉴于上述现有陶瓷加热器问题，目的在于提供一种能够使晶片载放面整个表面上温度分布均匀的陶瓷加热器。

为解决上述课题，本发明的陶瓷加热器，其特征在于，具有：圆板形的陶瓷基体，在其上表面具有用于载放晶片的晶片载放面，内部埋设有电阻发热体；和圆筒形的支持体，其与所述陶瓷基体的与晶片载放面相反一侧的背面接合，在所述背面接合所述支持体的环形的接合区域，以同心圆形状连接于所述接合区域的内周、与所述接合区域面积相同的环形的内侧区域，和以同心圆形状连接于所述接合区域的外周、与所述接合区域面积相同的环形的外侧区域组合形成整个环形区域，位于所述整个环形区域正上方的电阻发热体的一部分的发热量除以所述整个环形区域的面积的值，大于所述电阻发热体的一部分以外的电阻发热体的其余部分的发热量除以所述背面减去所述整个环形区域后的面积的值。

在上述本发明的陶瓷加热器中，优选位于所述内侧区域正上方的电阻发热体的一部分的发热量除以所述内侧区域的面积的值，大于位于所述接合区域和所述外侧区域正上方的电阻发热体的一部分的发热量除以所述接合区域和所述外侧区域的合计面积的值。

根据本发明，能够补偿由陶瓷基体和支持体的接合部造成的热损失，因此，可提高晶片载放面的热分布均匀性，抑制膜厚不均匀的问题。

附图说明

图1是表示本发明的陶瓷加热器的一个具体例子的示意纵剖面图。

图2是从背面观察图1的陶瓷加热器的陶瓷基体时的平面图。

图3是表示构成实施例的样品1的陶瓷基体的两个圆板形的AlN烧结体之一和形成于其一侧面（一侧表面）上的电阻发热体的平面图。

图4是表示构成实施例的样品2的陶瓷基体的两个圆板形的AlN烧结体之一和形成于其一侧面上的电阻发热体的平面图。

图5是表示构成实施例的样品3的陶瓷基体的两个圆板形的AlN烧结体之一和形成于其一侧面上的电阻发热体的平面图。

图6是表示构成比较例的陶瓷基体的两个圆板形的AlN烧结体之一和形成于其一侧面上的电阻发热体的平面图。

符号说明

1 陶瓷基体

1a 晶片载放面

1b 背面

2 电阻发热体

2a 外部端子

3 支持体

4 供电配线

10 陶瓷加热器

S1 接合区域

S2 内侧区域

S3 外侧区域

S4 中心区域

S5 外周部区域

具体实施方式

首先说明本发明的实施方式。本发明实施方式的陶瓷加热器，其特征在于，具有：圆板形的陶瓷基体，在其上表面具有用于载放晶片的晶片载放面，内部埋设有电阻发热体；和圆筒形的支持体，其与所述陶瓷基体的与晶片载放面相反一侧的背面接合，在所述背面接合所述支持体的环形的接合区域；以同心圆形状连接于所述接合区域的内周，与所述接合区域面积相同的环形的内侧区域；和以同心圆形状连接于所述接合区域的外周，与所述接合区域面积相同的环形的外侧区域组合形成整个环形区域，位于所述整个环形区域正上方的电阻发热体的一部分的发热量除以所述整个环形区域的面积的值，大于所述电阻发热体的一部分以外的电阻发热体的其余部分的发热量除以所述背面减去所述整个环形区域后的面积的值。由此，可提高在与支持体接合的部位及其附近，陶瓷基体背面基准单位面积的发热量，因此可补偿由陶瓷制基体与支持体之间的接合部造成的热损失。其结果是，可提高晶片载放面上的热分布均匀性，并抑制膜厚不均匀的问题。在此，圆板形的陶瓷基体不必为完全的圆板形。

另外，在上述本发明的陶瓷加热器中，优选位于所述内侧区域正上方的电阻发热体的一部分的发热量除以所述内侧区域的面积的值，大于位于所述接合区域和所述外侧区域正上方的电阻发热体的一部分的发热量除以所述接合区域和所述外侧区域的合计面积的值。由此，除了可以补偿支持体的接合面造成的热损失以外，还可补偿支持体内部空间的大气环境造成的热损失，能够进一步提高晶片载放面上热分布均匀性。

下面，结合图1说明本发明的陶瓷加热器的一个具体例子。本发明一个具体例子的陶瓷加热器10包括：在上表面有晶片载放面1a、内部埋设有电阻发热体2的圆板形陶瓷制的陶瓷基体1；和从该晶片载放面1a相反侧的背面1b支持该陶瓷基体1的支持体3。

支持体3为具有规定壁厚的圆筒形部件，支持体3的环形上端面与陶瓷基体1的平坦的背面1b由环形的接触面接合。支持体3的形状可以是单纯的圆筒形，也可以是如图1所示使上端部的直径增大。由此，可确保后述电阻发热体2的外部端子的安装空间，并减小圆筒形的尺寸。还可以使支持体3上端部和下端部为突缘结构。图1表示仅使支持体3的下端部为突缘结构的例子。

陶瓷基体1的材质可使用氮化铝（AlN）、氮化硅（Si₃N₄）、氧化铝（Al₂O₃）等陶瓷。其中，从热传导性良好的观点考虑，优选氮化铝，从刚性高的观点考虑，优选氮化硅或氧化铝。为了高速进行升温降温，优选使陶瓷基体1的厚度更薄，但过薄则会使刚性下降，因此优选为5～25mm左右，更优选为10～20mm左右。另一方面，对于支持体3的材质，只要是与陶瓷基体1材质的热膨胀系数差异不大的材质，则没有特别的限制。例如，在由AlN形成陶瓷基体1时，优选支持体3的材质也是AlN。

优选上述陶瓷基体1和支持体3利用接合层进行化学接合。优选接合层的成分为在AlN或Al₂O₃中添加稀土类氧化物。由于上述成分与适用于陶瓷基体1及支持体3的材质的AlN等陶瓷之间的浸润性良好，因此能够获得高接合强度，并能够使接合面处气密性好。

在陶瓷基体1内，在平行于晶片载放面1a的面的大致整个表面，埋设有电阻发热体2。电阻发热体2可通过使用导体浆料（paste）的丝网印刷法来形成，也可使用金属线、金属网、金属箔等。在使用丝网印刷法时，准备相同形状的两个陶瓷板，在其中一方的一侧表面用丝网印刷法涂布导体浆料。然后，对其进行烧结形成电阻发热体，将另一方陶瓷板夹着该电阻发热体进行重合，由此制作埋设在陶瓷基体1内的电阻发热体。通过在溶剂中添加金属粉末和粘合剂，再根据需要添加氧化物粉末并混合，得到所使用的导电浆料。从与所埋设的陶瓷的热膨胀系数匹配的观点考虑，优选添加到导电浆料中的金属粉末为钨（W）、钼（Mo）或钽（Ta）。

在埋设金属线、金属网、金属箔等时，同样地准备相同形状的两个陶瓷板，预先通过蚀刻加工等在其中一方的一侧表面设置电阻发热体，该电阻发热体可以是形成图案的金属箔或形成为规定形状的金属线，将金属细线编织成规定形状的金属网等。然后，将另一方陶瓷板夹着该电阻发热体进行重合，由此制作埋设在陶瓷基体1内的电阻发热体。从与陶瓷基体1的热膨胀系数匹配的观点考虑，上述金属线、金属网、金属箔等材质也优选为钨（W）、钼（Mo）或钽（Ta）。

使外部端子2a与通过上述方法形成的电阻发热体2连接的方法，没有特别的限定，可利用通常的方法进行安装。例如，可以从陶瓷基体1的晶片搭载面1a相反侧的背面1b实施埋头加工，直到露出电阻发热体2的端部，并将外部端子2a与该露出的电阻发热体2端部连接。必要时，可对该外部端子2a进行电镀，从而可提高耐氧化性。通过将未图示的来自电源供给电路的供电配线4连接于该外部端子2a，可利用电阻发热体2的固有电阻值产生的焦耳热使陶瓷基体1升温。

如图2所示，在本发明一个具体例子的陶瓷加热器10中，在陶瓷基体1的背面1b，令接合支持体3的环形上端面的环形接合区域为S1，令以同心圆形状连接于该接合区域S1内周，与该接合区域S1面积相同的环形的内侧区域为S2，令以同心圆形状连接于该接合区域S1的外周，与该接合区域S1面积相同的环形的外侧区域为S3，则由上述接合区域S1、内侧区域S2和外侧区域S3构成整个环形区域（S1＋S2＋S3），使位于整个环形区域（S1＋S2＋S3）正上方的电阻发热体2的一部分的发热量除以该整个环形区域（S1＋S2＋S3）的面积的值，大于上述电阻发热体2的一部分以外的电阻发热体2的其余部分的发热量除以上述背面减去上述整个环形区域（S1＋S2＋S3）后的中心区域S4和外周部区域S5的合计面积的值。

由此，在与支持体3的接合部及其附近处，可使陶瓷基体1的背面1b单位面积的发热量更高，因此，能够补偿以支持体3为传热介质的接合区域S1的热损失。其结果是，能够提高晶片载放面1a上的温度均匀性，并能够在成膜工序中使膜厚分布均匀。另外，也能够抑制因在陶瓷加热器10的温度上升的升温工序中产生的大的热应力造成陶瓷基体1破裂的问题。

如上所述，对于埋设于整个环形区域（S1＋S2＋S3）正上方的电阻发热体2的一部分，和埋设于中心区域S4和外周部区域S5正上方的电阻发热体2的其余部分，为使它们背面的单位面积发热量不同，可采用如下方法，即，可以使埋设于整个环形区域（S1＋S2＋S3）正上方的电阻发热体2的该一部分的导电线的间隔，小于埋设于中心区域S4和外周部区域S5正上方的电阻发热体2的该其余部分的导电线的间隔。

例如，在利用丝网印刷形成漩涡形或同心圆形状电路图案的电阻发热体2的情形下，可使构成该电阻发热体2的导电线，从一端到另一端形成相同的线宽和厚度，并可以以致密的图案进行丝网印刷，使该电阻发热体2的全部导电线中位于整个环形区域（S1＋S2＋S3）正上方的一部分的导电线中相邻的两导电线间的间隔，小于位于中心区域S4和外周部区域S5正上方的其余的导电线中相邻的两导电线间的间隔。

在利用螺旋形的金属线形成漩涡形或同心圆形状电路模式的电阻发热体2的情形下，对于构成该电阻发热体2的螺旋线圈，可以使用从一端到另一端为相同线径、相同外径以及单位长度相同匝数的螺旋线圈，并且可以对该电阻发热体2的全体螺旋中位于整个环形区域（S1＋S2＋S3）正上方的一部分螺旋进行致密配置，使相邻的两螺旋间的间隔，小于位于中心区域S4和外周部区域S5正上方的其余的螺旋中相邻的螺旋间隔。

在利用金属箔或金属网形成漩涡形或同心圆形状电路模式的电阻发热体2的情形下，对于构成该电阻发热体2的金属箔或金属网制的导电线，从一端到另一端相同线宽形成相同线宽，并使该电阻发热体3的全体导电线中位于整个环形区域（S1＋S2＋S3）正上方的一部分的导电线中相邻的两导电线间的间隔，小于位于中心区域S4和外周部区域S5正上方的其余的导电线中相邻的两导电线间的间隔。此时，可以在蚀刻加工或激光加工中，由金属箔形成致密图形，也可以由金属网形成致密图形。

或在此基础上，也可以使电阻发热体2中位于整个环形区域（S1＋S2＋S3）正上方的电阻发热体2的一部分导电线的截面积，小于位于中心区域S4和外周部区域S5正上方的电阻发热体2的其余的导电线的截面积，提高其电阻值，来代替如上所述缩小相邻的两导电线间的间隔的方法。

例如，在利用丝网印刷形成电阻发热体2时，可以使该电阻发热体2的全部导电线中位于整个环形区域（S1＋S2＋S3）正上方的一部分导电线，与位于中心区域S4和外周部区域S5正上方的其余的导电线相比，导电线的线宽或厚度减小，由此可提高其电阻值。在利用螺旋形的金属线形成电阻发热体2时，使该电阻发热体2的全体螺旋中，位于整个环形区域（S1＋S2＋S3）正上方的一部分螺旋，与位于中心区域S4和外周部区域S5正上方的其余的螺旋相比，线径变小，由此可提高其电阻值。在利用金属箔或金属网形成电阻发热体3的导电线时，使该电阻发热体3中位于整个环形区域（S1＋S2＋S3）正上方的一部分导电线，与位于中心区域S4和外周部区域S5正上方的其余的导电线相比，导电线的线宽变小，由此可提高其电阻值。

进而，在使用螺旋形金属线的情形下，从一端到另一端使用相同粗细的金属线，并使该电阻发热体3中，位于整个环形区域（S1＋S2＋S3）正上方的一部分，与位于中心区域S4和外周部区域S5正上方的其余部分相比，增加螺旋单位长度上的匝数、使用小螺距的螺旋，或者使用螺旋的外径小且单位长度上的匝数多的螺旋，由此改变局部的电阻值。

在上述本发明的陶瓷加热器的具体例子中，进一步还可以使位于内侧区域S2正上方的电阻发热体2的一部分的发热量除以该内侧区域S2的面积的值，大于位于接合区域S1和外侧区域S3正上方的电阻发热体2的一部分的发热量除以上述接合区域S1和外侧区域S3的合计面积的值。由此，除对支持体3的接合面处产生的热损失以外，还可以对向支持体3的内部空间的大气环境流失的热损失进行补偿，因此，能够得到更好的热分布均匀性。

以上，以具体例子对本发明的陶瓷加热器进行了说明，但本发明不限于上述具体例子。在权利要求所记载的范围以及与权利要求等同的范围内进行各种变更，均包含于本发明的范围内。

实施例

在氮化铝粉末99.5质量份中加入氧化钇0.5质量份作为烧结助剂，再添加粘合剂、有机溶剂，用球磨机进行混合，由此制作浆体（slurry）。将所得浆体导入喷雾干燥机制作颗粒，对该颗粒压模成型，得到两个成形体。对上述两个成形体，在氮气环境中以700℃进行脱脂后，在氮气环境中以1850℃烧结，由此得到两个氮化铝烧结体。将上述烧结体加工成直径330mm，厚度8mm的相同形状的圆板形。此时的表面粗糙度Ra为0.8μm，平面度为50μm。

在如上所述得到的两个氮化铝烧结体之一的一侧表面上，利用丝网印刷涂布W浆料。此时，如图3所示，电阻发热体2的电路图案包括多个直径相互不同的同心圆形状的圆形部分；和在半径方向延伸连接相邻的圆形部分彼此的直线部分。构成该电路图案的导电线的线宽全部为4mm。

进一步，分别在接合后述支持体的基板背面的与支持体接合的接合区域S1，以同心圆形状连接于该接合区域S1的内周、与该接合区域S1面积相同的内侧区域S2，和以同心圆形状连接于该接合区域S1的外周、与该接合区域S1面积相同的外侧区域S3的正上方，各配置1个电阻发热体的圆形部分。然后，在S3外侧的外周部区域S5正上方，以大于配置在上述S1～S3正上方的电阻发热体的相邻两圆形部分的间隔，配置3个电阻发热体的圆形部分。在比S1靠内侧的中心区域S4的正上方，不配置电阻发热体的圆形部分，仅配置接到外部端子的引出线。由此，使位于整个环形区域（S1＋S2＋S3）正上方的电阻发热体2的一部分的发热量除以该整个环形区域（S1＋S2＋S3）的面积的值，大于上述电阻发热体2的一部分以外的电阻发热体2的其余部分的发热量除以上述背面减去上述整个环形区域（S1＋S2＋S3）后的中心区域S4和外周部区域S5的合计面积的值。如上所述，在将丝网印刷处理后的W浆料在氮气环境中以700℃进行脱脂后，再在氮气环境中以1830℃烧结，从而形成电阻发热体电路。

接着，在另一方氮化铝烧结体的一侧表面，涂布以粘合用氮化铝为主成分的材料，并进行脱脂烧结处理。然后，使形成有以该粘合用氮化铝为主成分的材料的面，和形成有上述电阻发热体的面相互对置重合，进行接合。由此，制作出埋设有电阻发热体的陶瓷基体。

在如上所述作制的陶瓷基体中，在晶片搭载面相反侧的背面接合长150mm，壁厚2mm的AlN制的圆筒形支持体。此时，接合该圆筒形支持体的外径70mm、内径60mm的接合部分的环形上端面，使其中心轴通过该背面的中心。在该接合时，使用以氮化铝为主成分的接合材料进行化学接合。对该陶瓷基体加工埋头孔，使电阻发热体从背面在支持体的内径区域露出，对电阻发热体连接用于供电的W制外部端子，对外部端子连接供电线。如上所述，制作出样品1的陶瓷加热器。

接着，制作样品2的陶瓷加热器，除了将W浆料进行丝网印刷来形成如图4所示电路图案以外，与上述样品1的陶瓷加热器相同。在该样品2的电阻发热体的电路图案中，在接合区域S1和外侧区域S3的分界部分正上方配置1个电阻发热体的圆形部分，在内侧区域S2正上方配置1个电阻发热体的圆形部分。由此，与样品1同样地，使位于整个环形区域（S1＋S2＋S3）正上方的电阻发热体2的一部分的发热量除以该整个环形区域（S1＋S2＋S3）的面积的值，大于上述电阻发热体2的一部分以外的电阻发热体2的其余部分的发热量除以上述背面减去上述整个环形区域（S1＋S2＋S3）后的中心区域S4和外周部区域S5的合计面积的值。进而，在样品2中，使位于内侧区域S2正上方的电阻发热体2的一部分的发热量除以该内侧区域S2的面积的值，大于位于接合区域S1和外侧区域S3正上方的电阻发热体2的一部分的发热量除以上述接合区域S1和外侧区域S3的合计面积的值。

制作样品3的陶瓷加热器，对W浆料进行丝网印刷来形成如图5所示电路图案，并使电阻发热体的线宽，在S1～S3的整个环形区域正上方为3mm，在比S3靠外侧的外周部区域S5正上方为4mm，除此以外与样品1的陶瓷加热器相同。由此，与样品1同样地，使位于整个环形区域（S1＋S2＋S3）正上方的电阻发热体2的一部分的发热量除以该整个环形区域（S1＋S2＋S3）的面积的值，大于上述电阻发热体2的一部分以外的电阻发热体2的其余部分的发热量除以上述背面减去上述整个环形区域（S1＋S2＋S3）后的中心区域S4和外周部区域S5的合计面积的值。

进一步，为了进行比较，如图6所示，制作样品4（比较例）的陶瓷加热器，除了使丝网印刷的电阻发热体的线宽全部为4mm，在比S3靠外侧的外周部区域S5正上方配置比S1～S3的整个环形区域正上方更多的电阻发热体的圆形部分以外，与样品1的陶瓷加热器相同。由此，对于样品4，与样品1～3不同，使位于整个环形区域（S1＋S2＋S3）正上方的电阻发热体2的一部分的发热量除以该整个环形区域（S1＋S2＋S3）的面积的值，小于上述电阻发热体2的一部分的电阻发热体2的其余部分的发热量除以上述背面减去上述整个环形区域（S1＋S2＋S3）后的中心区域S4和外周部区域S5的合计面积的值。

对如上所述制作的样品1～4的陶瓷加热器的热分布均匀性进行评价。具体为，使设置有各样品陶瓷加热器的反应容器内形成真空，对埋设于陶瓷基体的电阻发热体通电将陶瓷基体加热至600℃。为了评价在陶瓷基体的晶片载放面上的热分布均匀性，使用七少妒L／一(公司名)公司制的300mm、17点晶片测温仪测量温度分布。其结果如下表1所示。在此，令晶片载放面整个表面上温度最大值和最小值的差为△T。测量晶片载放面的中心部分的温度，并对于以该中心部分为中心，直径70mm、直径140mm和直径280mm的各圆，分别测量同心圆上4个测量点的温度。在表1中，直径70mm的同心圆上的4个测量点的温度平均值与中心的温度之差记为△T直径140mm的同心圆上的4个测量点的温度平均值与直径70mm的同心圆上的4个测量点的温度平均值之差记为△T直径280mm的同心圆上的4个测量点的温度平均值与直径140mm的同心圆上的4个测量点的温度平均值之差记为△T

表1：

样品	△T	△T(φ70-0)	△r(φ140-70)	△T(φ280-140)
					l	5.7'℃	0.6℃	0.9℃	-0.8℃
2	5.0℃	0.1℃	0.6℃	-1.5℃
					3	6.6℃	0.5℃	1.6℃	-1.9℃
4	13.6℃	-0.7℃	9.4℃	-5.2℃

根据上述表1可知，晶片载放面的整个表面上温度最大值和最小值之差△T，对于本发明实施例的样品1～3为5.5℃～6.6℃，小于比较例的样品4的13.6℃，是其1／2以下。如上所述，在样品1～3中实现良好的热分布均匀性。其原因是，S1、S2和S3整个环形区域上单位面积的发热量，大于除此以外区域上的单位面积的发热量，由此可补偿经支持体造成的热损失。另一方面可知，在样品4中，由于经支持体造成的热损失大，因此，尤其△T为9.4℃，与样品1～3相比温度分布差异大。

对于样品2，△T为5.0℃，△T和△T小于其他样品，温度分布最好。这是由于，内侧区域S2配置在处于大气环境的支持体内部空间侧，因此除了支持体作为传热介质发生热损失外，在内侧区域S2中还向大气产生热损失。对此，在样品2中，使内侧区域S2的单位面积发热量大于接合区域S1和外侧区域S3的单位面积发热量，因此能够补偿向支持体内部空间的大气产生的热损失。

Claims

1.一种陶瓷加热器，其特征在于，具有：

圆板形的陶瓷基体，在其上表面具有用于载放晶片的晶片载放面，内部埋设有电阻发热体；和

圆筒形的支持体，其与所述陶瓷基体的与晶片载放面相反一侧的背面接合，

在所述背面接合所述支持体的环形的接合区域，以同心圆形状连接于所述接合区域的内周、与所述接合区域面积相同的环形的内侧区域，和以同心圆形状连接于所述接合区域的外周、与所述接合区域面积相同的环形的外侧区域组合形成整个环形区域，位于所述整个环形区域正上方的电阻发热体的一部分的发热量除以所述整个环形区域的面积的值，大于所述电阻发热体的一部分以外的电阻发热体的其余部分的发热量除以所述背面减去所述整个环形区域后的面积的值。

2.如权利要求1所述陶瓷加热器，其特征在于：

位于所述内侧区域正上方的电阻发热体的一部分的发热量除以所述内侧区域的面积的值，大于位于所述接合区域和所述外侧区域正上方的电阻发热体的一部分的发热量除以所述接合区域和所述外侧区域的合计面积的值。