CN102725378A - 发光物质 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及式I化合物：A2-0.5y-xEuxSi5N8-yOy(I)，其中A表示选自Ca、Sr、Ba的一种或多种元素，x表示0.005-1的值，和y表示0.01-3的值，其混合物，一种制备这些发光物质和混合物的方法以及其作为转换发光物质的用途。

Description

发光物质
本发明涉及新型化合物，包含该化合物的混合物，一种制备这些磷光体和混合物的方法及其作为转换磷光体的用途或在灯中的用途。
LED作为照明和在液晶显示器(LC显示器)中用作背光方面的重要性日益增加。这些新型光源具有优于常规冷阴极荧光灯(CCFL)的很多优点，例如更长的寿命，潜在的节能，无有害内容物(例如CCFL中的汞)。
过去，使用发蓝光、绿光和红光的LED排布作为LC TV应用的背光源。然而，这种多芯片方法具有一些缺点：非常难于组合三种不同的芯片材料并保证光参数例如色点的均匀性和稳定性。
因此，已引入pcLED(“磷光体转换的LED”)作为光源用作背光。这些通常包括绿光磷光体和深红光磷光体以及LED芯片的蓝光发射，其根据滤色器的透射光谱(光谱的蓝区、绿区和红区中的透射谱带)平衡。该类型的构造理论上对比通常的sRGB大得多的色空间是有利的。由于合适品质可得性中的瓶颈，仍需要进一步优化的磷光体和/或磷光体混合物。
尤其是需要红色磷光体。为了借助LED TV背光实现高的色空间，发射最大值为620-660nm的深红光磷光体是必要的。本领域熟练技术人员已知的合适材料系统是硅氮化物和铝硅氮化物(参见Xie，Sci.Technol.Adv.Mater.2007，8，588-600)：1-1-2氮化物，例如CaSiN2:Eu2+(Le Toquin，Cheetham，Chem.Phys.Lett.2006，423，352.)，2-5-8氮化物，例如(Ca,Sr,Ba)2Si5N8:Eu2+(Li等，Chem.Mater.2005，15，4492)和铝硅氮化物，例如(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+(K.Uheda等，Electrochem.Solid State Lett.2006，9，H22)。
如上所述，氮化物磷光体的制备通常复杂且因此不可以大量得到或仅以非常高成本得到。尤其是高纯度必要性是一种挑战，其在工业中仅可以在显著付出下满足。因此，极低浓度的碳或氧可导致磷光体的效率以敏感性方式降低。此外，希望尽可能不对水分敏感的可用材料。
因此，本发明目的是提供在光谱红区中发射并可以以经济上可接受的成本在生产条件下获得或与已知氮化物磷光体相比具有较低的水分敏感性的材料。
就该申请而言，红光发射或红光表示其强度最大值具有610-670nm的波长的光，绿光相应地表示其最大值具有508-550nm的波长的光，而黄光表示最大值具有551-585nm的波长的光。
令人惊奇地，现已发现某些氧氮化物具有相当于2-5-8氮化物的磷光体性能，但显著降低了制备方法在氧含量和相纯度方面的要求或对水分具有较低的敏感性。
因此，本发明的第一实施方案为式I化合物：
A2-0，5y-x Eux Si5 N8-y Oy  (I)，
其中A表示选自Ca、Sr、Ba的一种或多种元素，x表示0.005-1的值，且y表示0.01-3的值。
本文中式I化合物可以呈纯物质或混合物形式。因此，本发明还涉及包含至少一种如上所定义的式I化合物和至少一种其他含硅和氧的化合物的混合物。
根据本发明优选的是，所述至少一种其他含硅和氧的化合物为制备式I化合物的反应副产物且其不对式I化合物的施用相关光学性能具有不利影响。
本发明因此还涉及包含式I化合物的混合物，其可以通过如下方法得到，在该方法中，在步骤a)中，使选自二元氮化物、卤化物和氧化物或其相应反应性形式的合适原料混合，和在步骤b)中，将该混合物在还原性条件下热处理。
此外，本发明涉及制备式I化合物或所述混合物的相应方法以及式I化合物或上述混合物作为转换磷光体，尤其在发光二极管的蓝光发射或近UV发射的部分或完全转换中的本发明用途。
本发明式I化合物和混合物上述本发明混合物一起在下文中还简称为磷光体。
式I化合物通常以30-95重量%，优选50-90重量%，特别优选60-88重量%的重量比例存在于该类混合物中。
在本发明的优选实施方案中，所述至少一种含硅和氧的化合物呈X射线无定形或玻璃状相，其特征在于高硅和氧含量，但也可以含有金属，尤其是碱土金属，如锶。这些相又可以优选完全或部分围绕式I化合物颗粒。
在本发明式I化合物中，在优选实施方案中，A表示Sr，而在优选实施方案中，x表示0.01-0.8，优选0.02-0.7，特别优选0.05-0.6，特别优选0.1-0.4的值，且在优选实施方案中，y表示0.1-2.5，优选0.2-2，特别优选0.22-1.8的值。
少量使用本发明混合物或化合物已得到良好的LED品质。在本文中LED品质经由常规参数如显色指数、相关色温、流明当量或绝对流明或CIE x和CIE y坐标中的色点描述。
显色指数或CRI为本领域熟练技术人员熟悉的无量纲照明量，其比较了人造光源与太阳光或和灯丝光源(后两者具有100的CRI)的颜色再现准确度。
CCT或相关色温为本领域熟练技术人员熟悉的具有单位开尔文的照明量。数值越高，来自人造辐射源的白光对观测者来说显得越冷。CCT遵循黑体辐射体的概念，其色温在CIE图中遵循普朗克轨迹。
流明当量为本领域熟练技术人员熟悉的具有单位lm/W的照明量，其描述了在单位为瓦的特定辐射测定辐射功率下，光源的以流明为单位的光度测定的光通量的大小。流明当量越大，光源就越有效。
流明为本领域熟练技术人员熟悉的光度测定的照明量，其描述了光源的光通量，其为辐射源发射的总可见辐射的度量。光通量越大，光源对观测者来说显得更亮。
CIE x和CIE y表示本领域熟练技术人员熟悉的标准CIE色图(这里标准观测者1931)中的坐标，借助其描述光源的颜色。
以上所有所示的描述通过本领域熟练技术人员熟悉的方法由光源发射光谱计算出。
此外，本发明磷光体可以在从约410nm延伸至530nm，优选430nm延伸至约500nm的宽范围中激发。因此，这些磷光体不仅适合用于由发UV或蓝光的一次光源如LED或常规放电灯(例如基于Hg)激发，而且适合用于例如利用在451nm的蓝色In3+线的那些的光源。
本发明磷光体的其他优点为对水分和水蒸气的稳定性，所述水分或水蒸气可由环境经由扩散方法进入LED包装且由此到达磷光体表面，以及对酸性介质的稳定性，所述酸性介质可在LED包装中的粘结剂固化过程中作为副产物或作为LED包装中的添加剂而出现。根据本发明优选的磷光体具有高于迄今为止常见的氮化物磷光体的稳定性。
在制备本发明磷光体的本发明方法中，将选自二元氮化物、卤化物和氧化物或其相应反应性形式的合适原料在步骤a)中混合，且将该混合物在步骤b)中在还原性条件下热处理。
在上述热处理中，对此优选至少部分在还原条件下进行。
在步骤b)中，反应通常在800°C以上的温度，由1200°C以上的温度，特别优选1400-1800°C下进行。
本文中的还原性条件例如使用一氧化碳，形成气体或氢气或至少真空或贫氧氛围，优选在氮气料流，优选在N2/H2料流，特别优选在N2/H2/NH3料流中建立。
如果意欲制备纯净形式的式I化合物，则这可以经由精确控制原料化学计量进行或通过机械分离式I化合物的晶体与玻璃状级分进行。分离可以例如通过本领域熟练技术人员已知的分离方法经由不同密度、颗粒形状或粒度进行。
此外，本发明涉及一种具有至少一种一次光源的光源，其包含至少一种本发明磷光体。本文中一次光源的发射最大值通常在410-530nm范围内，优选430nm至约500nm。特别优选440-480nm，其中一次辐射通过本发明磷光体部分或完全转换为更长波长辐射。
在本发明光源的优选的实施方案中，一次光源为发光氮化铟铝镓，尤其具有下式：IniGajAlkN，其中0≤i，0≤j，0≤k和i+j+k=1。
该类型光源的可能形式对本领域熟练技术人员是已知的。这些可以为具有各种结构的发光LED芯片。
在本发明光源的另一优选的实施方案中，一次光源为基于ZnO、TCO(透明传导性氧化物)、ZnSe或SiC的发光排布或基于有机发光层(OLED)的排布。
在本发明光源的另一优选的实施方案中，一次光源为呈现电致发光和/或光致发光的源。此外，一次光源还可以为等离子体或放电源。
相应的本发明光源还已知为发光二极管或LED。
本发明磷光体可以单独或以与本领域熟练技术人员熟悉的如下磷光体的混合物使用。相应磷光体例如为：
Ba2SiO4:Eu2+，BaSi2O5:Pb2+，BaxSr1-xF2:Eu2+，BaSrMgSi2O7:Eu2+，BaTiP2O7，(Ba，Ti)2P2O7:Ti，Ba3WO6:U，BaY2F8:Er3+，Yb+，Be2SiO4:Mn2+，Bi4Ge3O12，CaAl2O4:Ce3+，CaLa4O7:Ce3+，CaAl2O4:Eu2+，CaAl2O4:Mn2+，CaAl4O7:Pb2+，Mn2+，CaAl2O4:Tb3+，Ca3Al2Si3O12:Ce3+，Ca3Al2Si3Oi2:Ce3+，Ca3Al2Si3O，2:Eu2+，Ca2B5O9Br:Eu2+，Ca2B5O9Cl:Eu2+，Ca2B5O9Cl:Pb2+，CaB2O4:Mn2+，Ca2B2O5:Mn2+，CaB2O4:Pb2+，CaB2P2O9:Eu2+，Ca5B2SiO10:Eu3+，Ca0.5Ba0.5Al12O19:Ce3+，Mn2+，Ca2Ba3(PO4)3Cl:Eu2+，CaBr2:Eu2+在SiO2中，CaCl2:Eu2+在SiO2中，CaCl2:Eu2+，Mn2+在SiO2中，CaF2:Ce3+，CaF2:Ce3+，Mn2+，CaF2:Ce3+，Tb3+，CaF2:Eu2+，CaF2:Mn2+，CaF2:U，CaGa2O4:Mn2+，CaGa4O7:Mn2+，CaGa2S4:Ce3+，CaGa2S4:Eu2+，CaGa2S4:Mn2+，CaGa2S4:Pb2+，CaGeO3:Mn2+，Cal2:Eu2+在SiO2中，Cal2:Eu2+，Mn2+在SiO2中，CaLaBO4:Eu3+，CaLaB3O7:Ce3+，Mn2+，Ca2La2BO6.5:Pb2+，Ca2MgSi2O7，Ca2MgSi2O7:Ce3+，CaMgSi2O6:Eu2+，Ca3MgSi2O8:Eu2+，Ca2MgSi2O7:Eu2+，CaMgSi2O6:Eu2+，Mn2+，Ca2MgSi2O7:Eu2+，Mn2+，CaMoO4，CaMoO4:Eu3+，CaO:Bi3+，CaO:Cd2+，CaO:Cu+，CaO:Eu3+，CaO:Eu3+，Na+，CaO:Mn2+，CaO:Pb2+，CaO:Sb3+，CaO:Sm3+，CaO:Tb3+，CaO:Tl，CaO:Zn2+，Ca2P2O7:Ce3+，α-Ca3(PO4)2:Ce3+，β-Ca3(PO4)2:Ce3+，Ca5(PO4)3Cl:Eu2+，Ca5(PO4)3Cl:Mn2+，Ca5(PO4)3Cl:Sb3+，Ca5(PO4)3Cl:Sn2+，β-Ca3(PO4)2:Eu2+，Mn2+，Ca5(PO4)3F:Mn2+，Cas(PO4)3F:Sb3+，Cas(PO4)3F:Sn2+，α-Ca3(PO4)2:Eu2+，β-Ca3(PO4)2:Eu2+，Ca2P2O7:Eu2+，Ca2P2O7:Eu2+，Mn2+，CaP2O6:Mn2+，α-Ca3(PO4)2:Pb2+，α-Ca3(PO4)2:Sn2+，β-Ca3(PO4)2:Sn2+，β-Ca2P2O7:Sn，Mn，α-Ca3(PO4)2:Tr、CaS:Bi3+，CaS:Bi3+，Na，CaS:Ce3+，CaS:Eu2+，CaS:Cu+，Na+，CaS:La3+，CaS:Mn2+，CaSO4:Bi，CaSO4:Ce3+，CaSO4:Ce3+，Mn2+，CaSO4:Eu2+，CaSO4:Eu2+，Mn2+，CaSO4:Pb2+，CaS:Pb2+，CaS:Pb2+，Cl，CaS:Pb2+，Mn2+，CaS:Pr3+，Pb2+，Cl，CaS:Sb3+，CaS:Sb3+，Na，CaS:Sm3+，CaS:Sn2+，CaS:Sn2+，F，CaS:Tb3+，CaS:Tb3+，Cl，CaS:Y3+，CaS:Yb2+，CaS:Yb2+，Cl，CaSiO3:Ce3+，Ca3SiO4Cl2:Eu2+，Ca3SiO4Cl2:Pb2+，CaSiO3:Eu2+，CaSiO3:Mn2+，Pb，CaSiO3:Pb2+，CaSiO3:Pb2+，Mn2+，CaSiO3:Ti4+，CaSr2(PO4)2:Bi3+，β-(Ca，Sr)3(PO4)2:Sn2+Mn2+，CaTi0.9Al0.1O3:Bi3+，CaTiO3:Eu3+，CaTiO3:Pr3+，Ca5(VO4)3Cl，CaWO4，CaWO4:Pb2+，CaWO4:W，Ca3WO6:U，CaYAlO4:Eu3+，CaYBO4:Bi3+，CaYBO4:Eu3+，CaYB0.8O3.7:Eu3+，CaY2ZrO6:Eu3+，(Ca，Zn，Mg)3(PO4)2:Sn，CeF3，(Ce，Mg)BaAl11O18:Ce，(Ce，Mg)SrAl11O18:Ce，CeMgAl11O19:Ce:Tb，Cd2B6O11:Mn2+，CdS:Ag+，Cr，CdS:In，CdS:In，CdS:In，Te，CdS:Te，CdWO4，CsF，Csl，Csl:Na+，Csl:Tl，(ErCl3)0.25(BaCl2)0.75，GaN:Zn，Gd3Ga5O12:Cr3+，Gd3Ga5O12:Cr，Ce，GdNbO4:Bi3+，Gd2O2S:Eu3+，Gd2O2Pr3+，Gd2O2S:Pr，Ce，F，Gd2O2S:Tb3+，Gd2SiO5:Ce3+，KAl11O17:Tl+，KGa11O17:Mn2+，K2La2Ti3O10:Eu，KMgF3:Eu2+，KMgF3:Mn2+，K2SiF6:Mn4+，LaAl3B4O12:Eu3+，LaAlB2O6:Eu3+，LaAlO3:Eu3+，LaAlO3:Sm3+，LaAsO4:Eu3+，LaBr3:Ce3+，LaBO3:Eu3+，(La，Ce，Tb)PO4:Ce:Tb，LaCl3:Ce3+，La2O3:Bi3+，LaOBr:Tb3+，LaOBr:Tm3+，LaOCl:Bi3+，LaOCl:Eu3+，LaOF:Eu3+，La2O3:Eu3+，La2O3:Pr3+，La2O2S:Tb3+，LaPO4:Ce3+，LaPO4:Eu3+，LaSiO3Cl:Ce3+，LaSiO3Cl:Ce3+，Tb3+，LaVO4:Eu3+，La2W3O12:Eu3+，LiAlF4:Mn2+，LiAl5O8:Fe3+，LiAlO2:Fe3+，LiAlO2:Mn2+，LiAl5O8:Mn2+，Li2CaP2O7:Ce3+，Mn2+，LiCeBa4Si4O14:Mn2+，LiCeSrBa3Si4O14:Mn2+，LiInO2:Eu3+，LiInO2:Sm3+，LiLaO2:Eu3+，LuAlO3:Ce3+，(Lu，Gd)2SiO5:Ce3+，Lu2SiO5:Ce3+，Lu2Si2O7:Ce3+，LuTaO4:Nb5+，Lu1- xYxAlO3:Ce3+，MgAl2O4:Mn2+，MgSrAl10O17:Ce，MgB2O4:Mn2+，MgBa2(PO4)2:Sn2+，MgBa2(PO4)2:U，MgBaP2O7:Eu2+，MgBaP2O7:Eu2+，Mn2+，MgBa3Si2O8:Eu2+，MgBa(SO4)2:Eu2+，Mg3Ca3(PO4)4:Eu2+，MgCaP2O7:Mn2+，Mg2Ca(SO4)3:Eu2+，Mg2Ca(SO4)3:Eu2+，Mn2，MgCeAlnO19:Tb3+，Mg4(F)GeO6:Mn2+，Mg4(F)(Ge，Sn)O6:Mn2+，MgF2:Mn2+，MgGa2O4:Mn2+，Mg8Ge2O11F2:Mn4+，MgS:Eu2+，MgSiO3:Mn2+，Mg2SiO4:Mn2+，Mg3SiO3F4:Ti4+，MgSO4:Eu2+，MgSO4:Pb2+，MgSrBa2Si2O7:Eu2+，MgSrP2O7:Eu2+，MgSr5(PO4)4:Sn2+，MgSr3Si2O8:Eu2+，Mn2+，Mg2Sr(SO4)3:Eu2+，Mg2TiO4:Mn4+，MgWO4，MgYBO4:Eu3+，Na3Ce(PO4)2:Tb3+，Nal:Tl，Na1-23KO-42Eu0-12TiSi4O11:Eu3+，Na1.23K0.42Eu0.12TiSi5O13·xH2O:Eu3+，Na1.29K0.46Er0.08TiSi4O11:Eu3+，Na2Mg3Al2Si2O10:Tb，Na(Mg2- xMnx)LiSi4O10F2:Mn，NaYF4:Er3+，Yb3+，NaYO2:Eu3+，P46(70％)+P47(30％)，SrAl12O19:Ce3+，Mn2+，SrAl2O4:Eu2+，SrAl4O7:Eu3+，SrAl12O19:Eu2+，SrAl2S4:Eu2+，Sr2B5O9Cl:Eu2+，SrB4O7:Eu2+(F，Cl，Br)，SrB4O7:Pb2+，SrB4O7:Pb2+，Mn2+，SrB8O13:Sm2+，SrxBayClzAl2O4-z/2:Mn2+，Ce3+，SrBaSiO4:Eu2+，Sr(Cl，Br，I)2:Eu2+在SiO2中，SrCl2:Eu2+在SiO2中，Sr5Cl(PO4)3:Eu，SrwFxB4O6.5:Eu2+，SrwFxByOz:Eu2+，Sm2+，SrF2:Eu2+，SrGa12O19:Mn2+，SrGa2S4:Ce3+，SrGa2S4:Eu2+，SrGa2S4:Pb2+，SrIn2O4:Pr3+，Al3+，(Sr，Mg)3(PO4)2:Sn，SrMgSi2O6:Eu2+，Sr2MgSi2O7:Eu2+，Sr3MgSi2O8:Eu2+，SrMoO4:U，SrO·3B2O3:Eu2+，Cl，β-SrO·3B2O3:Pb2+，β-SrO·3B2O3:Pb2+，Mn2+，α-SrO·3B2O3:Sm2+，Sr6P5BO20:Eu，Sr5(PO4)3Cl:Eu2+，Sr5(PO4)3Cl:Eu2+，Pr3+，Sr5(PO4)3Cl:Mn2+，Sr5(PO4)3Cl:Sb3+，Sr2P2O7:Eu2+，β-Sr3(PO4)2:Eu2+，Sr5(PO4)3F:Mn2+，Sr5(PO4)3F:Sb3+，Sr5(PO4)3F:Sb3+，Mn2+，Sr5(PO4)3F:Sn2+，Sr2P2O7:Sn2+，β-Sr3(PO4)2:Sn2+，β-Sr3(PO4)2:Sn2+，Mn2+(Al)，SrS:Ce3+，SrS:Eu2+，SrS:Mn2+，SrS:Cu+，Na，SrSO4:Bi，SrSO4:Ce3+，SrSO4:Eu2+，SrSO4:Eu2+，Mn2+，Sr5Si4O10Cl6:Eu2+，Sr2SiO4:Eu2+，SrTiO3:Pr3+，SrTiO3:Pr3+，Al3+，Sr3WO6:U，SrY2O3:Eu3+，ThO2:Eu3+，ThO2:Pr3+，ThO2:Tb3+，YAl3B4C12:Bi3+，YAl3B4O12:Ce3+，YAl3B4O12:Ce3+，Mn，YAl3B4O12:Ce3+，Tb3+，YAl3B4O12:Eu3+，YAl3B4O12:Eu3+，Cr3+，YAl3B4O12:Th4+，Ce3+，Mn2+，YAlO3:Ce3+，Y3Al5O12:Ce3+，Y3Al5O12:Cr3+，YAlO3:Eu3+，Y3Al5O12:Eu3r，Y4Al2O9:Eu3+，Y3Al5O12:Mn4+，YAlO3:Sm3+，YAlO3:Tb3+，Y3Al5O12:Tb3+，YAsO4:Eu3+，YBO3:Ce3+，YBO3:Eu3+，YF3:Er3+，Yb3+，YF3:Mn2+，YF3:Mn2+，Th4+，YF3:Tm3+，Yb3+，(Y，Gd)BO3:Eu，(Y，Gd)BO3:Tb，(Y，Gd)2O3:Eu3+，Y1.34Gd0.60O3(Eu，Pr)，Y2O3:Bi3+，YOBr:Eu3+，Y2O3:Ce，Y2O3:Er3+，Y2O3:Eu3+(YOE)，Y2O3:Ce3+，Tb3+，YOCl:Ce3+，YOCl:Eu3+，YOF:Eu3+，YOF:Tb3+，Y2O3:Ho3+，Y2O2S:Eu3+，Y2O2S:Pr3+，Y2O2S:Tb3+，Y2O3:Tb3+，YPO4:Ce3+，YPO4:Ce3+，Tb3+，YPO4:Eu3+，YPO4:Mn2+，Th4+，YPO4:V5+，Y(P，V)O4:Eu，Y2SiO5:Ce3+，YTaO4，YTaO4:Nb5+，YVO4:Dy3+，YVO4:Eu3+，ZnAl2O4:Mn2+，ZnB2O4:Mn2+，ZnBa2S3:Mn2+，(Zn，Be)2SiO4:Mn2+，Zn0.4Cd0.6S:Ag，Zn0.6Cd0.4S:Ag，(Zn，Cd)S:Ag，Cl，(Zn，Cd)S:Cu，ZnF2:Mn2+，ZnGa2O4，ZnGa2O4:Mn2+，ZnGa2S4:Mn2+，Zn2GeO4:Mn2+，(Zn，Mg)F2:Mn2+，ZnMg2(PO4)2:Mn2+，(Zn，Mg)3(PO4)2:Mn2+，ZnO:Al3+，Ga3+，ZnO:Bi3+，ZnO:Ga3+，ZnO:Ga，ZnO-CdO:Ga，ZnO:S，ZnO:Se，ZnO:Zn，ZnS:Ag+，Cl-，ZnS:Ag，Cu，Cl，ZnS:Ag，Ni，ZnS:Au，In，ZnS-CdS(25-75)，ZnS-CdS(50-50)，ZnS-CdS(75-25)，ZnS-CdS:Ag，Br，Ni，ZnS-CdS:Ag+，Cl，ZnS-CdS:Cu，Br，ZnS-CdS:Cu，l，ZnS:Cl-，ZnS:Eu2+，ZnS:Cu，ZnS:Cu+，Al3+，ZnS:Cu+，Cl-，ZnS:Cu，Sn，ZnS:Eu2+，ZnS:Mn2+，ZnS:Mn，Cu，ZnS:Mn2+，Te2+，ZnS:P，ZnS:P3-，Cl-，ZnS:Pb2+，ZnS:Pb2+，Cl-，ZnS:Pb，Cu，Zn3(PO4)2:Mn2+，Zn2SiO4:Mn2+，Zn2SiO4:Mn2+，As5+，Zn2SiO4:Mn，Sb2O2，Zn2SiO4:Mn2+，P，Zn2SiO4:Ti4+，ZnS:Sn2+，ZnS:Sn，Ag，ZnS:Sn2+，Li+，ZnS:Te，Mn，ZnS-ZnTe:Mn2+，ZnSe:Cu+，Cl，ZnWO4。
在本发明实施方案中，优选地，除了本发明磷光体外，光源还包含发绿光的磷光体。相应的磷光体对本领域熟练技术人员是已知的或可以通过本领域熟练技术人员从以上所给列举中选择。根据本发明优选的发绿光的磷光体首先为含钡的原硅酸盐磷光体且其次为含镥(Luthethium)的石榴石磷光体。
在特别优选的实施方案中，又优选地，磷光体以如下方式排布在一次光源上：使得本发明磷光体基本被来自一次光源的光辐照而发绿光的磷光体基本被已通过发红光的磷光体或由此已被散射的光辐照。这可以通过将本发明磷光体安装在一次光源和发绿光的磷光体之间而实现。
本发明磷光体或磷光体组合可以分散于树脂(例如环氧树脂或聚硅氧烷树脂)或在合适尺寸比例的情况下直接排布在一次光源上或远离一次光源排布，这取决于施用(后一排布还包括“远磷光体技术”)。远磷光体技术的优点对本领域熟练技术人员是已知的且例如由如下出版物说明：Japanese Journ.of Appl.Phys.第44卷，第21(2005)期，L649-L651。
在另一实施方案中，优选地，磷光体和一次光源之间的光学耦合通过光传导排布而实现。因此，可以将一次光源安装在中心位置且借助光传导器件如光纤与磷光体光学耦合。以这样的方式可以实现与照明意愿相匹配的灯，其仅仅由一个或不同磷光体构成且可以使其排布而形成光幕和光波导，其与一次光源耦合。以这样的方式可以在对电力安装有利的位置放置强一次光源并安装包含的磷光体的灯，磷光体在任意所需位置与光波导耦合，无需其他电缆，而是仅通过铺设光波导进行。
此外，本发明涉及一种照明单元，尤其是用于显示器件的背光的照明单元，其特征在于其包含至少一种本发明光源，还涉及一种具有背光的显示器件，尤其是液晶显示器件(LC显示器)，其特征在于其包含至少一种本发明照明单元。
本发明另一方面涉及一种包含一种或多种如上和如下所述的磷光体的电子或电光器件。另一方面涉及如上和如下所述的磷光体在电子或电光器件中的用途。电子或电光器件还可以例如为有机场效应晶体管(OFET)、薄膜晶体管(TFT)、有机太阳能电池(O-SC)、有机激光二极管(O-激光器)、有机集成电路(O-IC)、RFID(射频识别)标签、光电检测器、传感器、逻辑电路、存储元件、电容、电荷注入层、肖特基二极管、平坦层、抗静电膜、传导性基材或传导性结构体、光电导体、电子照相元件或有机发光晶体管(OLET)。
在用于LED时本发明磷光体的粒度为50nm至30μm，优选1μm至20μm。
为了用于LED，还可以将磷光体转换为任意所需外形如球形颗粒、片和结构化材料和陶瓷。这些形状根据本发明可以概括在术语“成形体”下。成形体优选为“磷光体”。因此，本发明还涉及一种包含本发明磷光体的成形体。
在另一优选的实施方案中，磷光体成形体在与LED芯片相反的那侧具有结构化(例如锥形)表面(参见DE102006054330)，其全部范围通过引用并入本申请上下文中。这能够使光尽可能多地由磷光体耦合出。磷光体上的结构化表面可以通过随后用已结构化的合适材料涂覆或在随后步骤中通过(照相)平版印刷法、蚀刻法或通过使用能量或物质束的写入法或通过机械力的作用产生。
在另一优选的实施方案中，本发明磷光体成形体在与LED芯片相反的那侧具有粗糙表面，其带有包括SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO2、ZrO2和/或Y2O3或这些材料的组合或包括具有磷光体组成的颗粒在内的纳米颗粒。本文中粗糙表面具有高达数百纳米的粗糙度。该经涂覆的表面的优点为可以降低或防止总反射且光可以更好地由本发明磷光体耦合出(参见DE102006054330)，其全部范围通过引用并入本申请上下文中。
此外优选地，本发明磷光体成形体在背离芯片的表面具有匹配的折射率的层，其简化了由一次辐射和/或磷光体发射的辐射耦合出。
在另一优选的实施方案中，磷光体具有由SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO、ZrO2和/或Y2O3或其混合氧化物构成的连续的表面涂层。该表面涂层具有的优点为通过涂覆材料折射率的合适分级，可以使折射率与环境匹配。此时，降低了在磷光体表面的光散射且较大比例的光可以穿透到磷光体中并在其中吸收和转换。此外，折射率匹配的表面涂层能够使更多光由磷光体耦合出，因为降低了总内部反射。
此外，在磷光体必须包封的情况下连续层是有利的。为了对抗磷光体或其部件对直接环境中的扩散水或其他材料的敏感性，这可能是必要的。用密闭壳包封的另一原因是实际磷光体由芯片中产生的热而热退偶。该热导致磷光体的荧光产率降低且还可以影响荧光的颜色。最后，该类型的涂层能够通过防止磷光体晶型中出现的晶格振动传播到环境中而使磷光体的效率增加。
此外，磷光体可优选地具有由SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO、ZrO2和/或Y2O3或其混合氧化物构成或由磷光体组成构成的多孔表面涂层。这些多孔涂层提供了进一步降低单层折射率的可能性。该类型的多孔涂层可以通过如WO 03/027015(其全部范围通过参考并入本申请上下文中)所述的三种常规方法产生：玻璃蚀刻(例如钠钙玻璃(参见US 4019884))，多孔层施用以及多孔层和蚀刻操作的组合。
在另一优选的实施方案中，磷光体具有带有有利于与环境化学键合的官能团，优选由环氧树脂或聚硅氧烷树脂构成的表面。这些官能团例如可以为酯或其他衍生物，它们经由氧基键合于基于环氧化物和/或聚硅氧烷的粘结剂的组分并与其形成连接。该类型的表面具有的优点为有利于使磷光体均匀掺入粘结剂中。因此，还可以一定程度地调节磷光体/粘结剂体系的流变性能以及适用期。由此简化了混合物的加工。
由于施用至LED芯片的本发明磷光体层优选由聚硅氧烷和磷光体颗粒的混合物构成且聚硅氧烷具有表面张力，该磷光体层在显微水平下是不均匀的或层厚不是到处都一致的。
作为另一优选的实施方案，片状磷光体的制备通过常规方法由相应金属盐和/或稀土盐进行。制备方法详细描述于EP 763573和DE102006054331，其全部范围通过引用并入本申请上下文中。这些片状磷光体可以通过用磷光体层通过在水分散体或悬浮体中的沉淀反应而涂覆天然或合成制备的高稳定性载体或基材而制得，所述载体或基材包括例如云母、SiO2、Al2O3、ZrO2、玻璃或TiO2片，其具有非常大的纵横比、原子光滑的表面和可调节厚度。除了云母、ZrO2、SiO2、Al2O3、玻璃或TiO2或其混合物外，所述片还可以由磷光体材料本身构成或由一种材料构建。如果片本身仅仅用作磷光体涂层的载体，则磷光体涂层的载体必须由对LED的一次辐射透明或吸收一次辐射并将该能量传递到磷光体层的材料构成。使片状磷光体分散于树脂(例如聚硅氧烷或环氧树脂)并将该分散体施用至LED芯片。
片状磷光体可以以大工业规模以50nm至约20μm，优选150nm至5μm的厚度制备。这里直径为50nm至20μm。
它通常具有1:1-400:1，尤其是3:1-100:1的纵横比(直径与颗粒厚度之比)。
片尺寸(长度×宽度)取决于排布。片还适合作为转换层中的散射中心，尤其是他们具有特别小的尺寸的情况下。
本发明片状磷光体的面对LED芯片的表面可以提供有对于由LED芯片发射的一次辐射具有抗反射作用的涂层。这导致一次辐射的背散射降低，能够使一次辐射好地耦合至本发明磷光体中。
为此合适的是例如匹配折射率的涂层，其必须具有如下厚度d:d=[LED芯片一次辐射的波长/(4*磷光体陶瓷的折射率)]，参见例如Gerthsen，Physik[Physics]，Springer Verlag，第18版，1995。该涂层还可以由光子晶体构成，其还包括片状磷光体表面的结构化以实现特定功能。
呈陶瓷体形式的本发明磷光体的制备可以类似于DE102006037730(Merck)所述方法进行，其全部范围通过引用并入本申请上下文中。在该方法中，磷光体通过湿化学法通过使相应原料和掺杂剂混合，随后进行均匀压制并以均匀和非多孔状薄片的形式直接施加至芯片表面而制备。因此，磷光体的激发和发射不存在位置依赖性变化，这是指由此提供的LED发射出恒定颜色的均匀光锥且具有高光输出。磷光体陶瓷体可以以大工业规模生产，例如以数百纳米至约500μm的厚度的片形式制备。片尺寸(长度×宽度)取决于排布。在直接施用至芯片的情况下，片尺寸应根据芯片尺寸(约100μm*100μm至几mm2)以具有合适芯片排布(例如倒装晶片(flip-chip)排布)的芯片表面的10-30%的一定过大尺寸选择或相对应地选择。如果将磷光体片安装在成品LED上，则所有发射的光锥通过该片。
磷光体陶瓷体的侧表面可以用轻金属或贵金属，优选铝或银涂覆。金属涂层具有如下效果：光不横向离开磷光体。横向离开的光可以降低要由LED耦合出的光通量。磷光体陶瓷体的金属涂覆在均匀压制而得到棒或片之后的工艺步骤中进行，其中可任选将棒或片在金属涂覆之前切割为必需尺寸。为此，润湿侧表面，例如用包含硝酸银和葡萄糖的溶液润湿并随后在升高的温度下暴露于氨氛围。例如在该工艺中在侧表面上形成银涂层。
或者，无电金属化法也是合适的，参见例如Hollemann-Wiberg，Lehrbuch der Anorganischen Chemie[Textbook of Inorganic Chemistry]，Walter de Gruyter Verlag或Ullmanns
Figure BDA00001940619700121
der chemischenTechnologie [Ullmann's Encyclopaedia of Chemical Technology]。
如果需要，可以使用水玻璃溶液使磷光体陶瓷体固定至LED芯片的基板上。
在另一实施方案中，磷光体陶瓷体在与LED芯片相反的那侧具有结构化(例如锥形)表面。这能够使尽可能多的光由磷光体耦合出。磷光体上的结构化表面通过使用具有结构化压板的压缩模具进行均匀压制且由此使结构压入表面而产生。如果目标是产生尽可能薄的磷光体或片，则结构化表面是需要的。压制条件对本领域熟练技术人员是已知的(参见J.Kriegs-mann，Technische keramische Werkstoffe[Industrial Ceramic Materials]，第4章，Deutscher Wirtschaftsdienst，1998)。重要的是所用压制温度为要压制物质的熔点的2/3至5/6。
下列实施例用于说明本发明。然而，不以任何方式认为它们是限制性的。可以在组合物中使用的所有化合物或组分是已知和可市购的或可以通过已知方法合成。在实施例中所示温度总是以°C计。此外，不言而喻的是在说明书以及实施例中，组合物中各组分的所加入量总是加起来为总共100%。所给百分数数据应总是结合上下文考虑。然而，它们通常总是涉及所示部分量或总量的重量。
实施例
实施例1：制备不同组成的混合物
(Ca,Sr,Ba)2-0.5y-xSi5N8-yOy:Eu(II)x*SiO2
实施例1A：Sr1.6Si5N7.6O0.4:Eu(II)0.2*2.1SiO2
使4.2203g(14.51mmol)Sr3N2、0.3074g(1.85mmol)EuN、0.1163g(0.92mmol)SrF2和1.3911g(23.15mmol)SiO2在手套箱中在玛瑙研钵中彻底混合。将该混合物转移至用钼箔覆盖的刚玉坩埚中，并转移至烘箱中。使混合物在其中在1600°C的温度下在N2/H2/NH3料流中锻烧8小时。然后取出该材料并用1M HCl溶液洗涤3小时，吸滤，用水漂洗并干燥。
元素分析显示该材料具有比Sr2Si5N8低的Sr/Si比且含有显著量的氧。该材料在粉末X射线衍射仪中测量(图1)，且晶体结构由Sr2Si5N8晶体结构类型开始借助Rietveld精修测定。X射线粉末图案使用来自Stoe & Cie.GmbH的StadiP 611 KL透射粉末X射线衍射仪记录。使用发射Cu-Kα1辐射的X射线管，锗[111]聚焦的一次射线单色器和线性PSD检测器。
Rietveld精修使用GSAS图(A.C.Larson和R.B.Von Dreele，GeneralStructure Analysis System(GSAS)，Los Alamos National LaboratoryReport LAUR，2004，86-748)与Thompson，Cox和Hastings pseudo-Voigt(P.Thompson，D.E.Cox和J.B.Hastings，J.Appl.Cryst.，20，1987，79-83)反射轮廓，包括通过Finger，Cox和Jephcoat方法(L.W.Finger，D.E.Cox和A.P.Jephcoat，J.Appl.Cryst.，27，1994，892-900)的不对称修正(“伞效应”)而进行。为此首先在无模型LeBail精修中调节晶格常数、零点、背景(包括无定形级分)和反射轮廓，并使背景和反射轮廓的参数在随后的Rietveld精修中保持不变。对于结构模型，相应地将由元素分析获得的铕含量成比例设置于锶原子位置并保持在那里。自由精修所有原子位置和相关各相同性偏差参数。使铕占据因子与锶位置的占据因子耦合和自由精修。锶和铕占据因子总和可再现精修至小于100%的值。Sr/Eu位置的完全占据的测得图案与计算图案的差别不能由其他效应如样品中优先取向(所谓织构效应(Textureffekt)而解释。优先取向仅在样品的显著形态的情况下存在，但扫描电子显微照片的结果不提供它的任何指示。样品材料由在数微米范围内具有不规则形态的颗粒构成。此外，在测量之前使该材料在研钵中研磨。使用四阶球谐函数模型的优先取向的精修的测试几乎没得到优先取向。为此，在测定Sr缺陷的过程中它未精修。原子位置的精修仅导致轻微的移动且因此结构模型仍然为化学和物理上可接受的。这点以及计算图案与测量图案的一致证明了结构模型的正确性，即用相应占据各原子位置测定的晶体结构的正确性。
材料的无定形级分从X射线图案背景减去并因此不影响测定。就此而言，Rietveld分析选择性提供了晶相的元素组成和晶体结构。由图案中的面积比估算的无定形含量与元素分析结果相关。
所得产物显示出图2所示的荧光光谱、图3a所示的激发光谱和图3b所示的反射光谱。
实施例1B：合成Sr1.5Si5N7.6O0.4:Eu(II)0.3*2.3SiO2
使4.0257g(13.84mmol)Sr3N2，0.5301g(3.19mmol)EuN，0.1146g(0.91mmol)SrF2和1.3707g(22.81mmol)SiO2在手套箱中在玛瑙研钵中彻底混合。将该混合物转移至用钼箔覆盖的刚玉坩埚中，并转移至烘箱中。使混合物在其中在1600°C的温度下在N2/H2/NH3料流中锻烧8小时。然后取出该材料并用1M HCl溶液洗涤3小时，吸滤，用水漂洗并干燥。
结构测定如实施例1A所述进行并得到所示组成。
实施例1C：合成Sr1.4Si5N7.6O0.4:Eu0.4*2.8SiO2
使3.8366g(13.19mmol)Sr3N2，0.7463g(4.50mmol)EuN，0.1130g(0.90mmol)SrF2和1.3509g(22.48mmol)SiO2在手套箱中在玛瑙研钵中彻底混合。将该混合物转移至用钼箔覆盖的刚玉坩埚中，并转移至烘箱中。使混合物在其中在1600°C的温度下在N2/H2/NH3料流中锻烧8小时。然后取出该材料并用1M HCl溶液洗涤3小时，吸滤，用水漂洗并干燥。
结构测定如实施例1A所述进行并得到所示组成。
实施例1D：合成Ba1.76Si5N7.6O0.4:Eu0.04
使6.453g(14.66mmol)Ba3N2，0.166g(1mmol)EuN，5.666g(39.583mmol)Si3N4和0.376g(6.25mmol)SiO2在手套箱中在玛瑙研钵中彻底混合。将该混合物转移至用钼箔覆盖的刚玉坩埚中，并转移至烘箱中。使混合物在其中在1600°C的温度下在N2/H2/NH3料流中锻烧8小时。然后取出该材料并用1M HCl溶液洗涤3小时，吸滤，用水漂洗并干燥。
结构测定如实施例1A所述进行并得到所示组成。
实施例1E：合成Ca0.35Sr1.41Si5N7.6O0.4:Eu0.04
使3.42g(11.76mmol)Sr3N2，0.43g(2.92mmol)Ca3N2，0.166g(1mmol)EuN，5.666g(39.583mmol)Si3N4和0.376g(6.25mmol)SiO2在手套箱中在玛瑙研钵中彻底混合。将该混合物转移至用钼箔覆盖的刚玉坩埚中，并转移至烘箱中。使混合物在其中在1600°C的温度下在N2/H2/NH3料流中锻烧8小时。然后取出该材料并用1M HCl溶液洗涤3小时，吸滤，用水漂洗并干燥。
结构测定如实施例1A所述进行并得到所示组成。
图4显示来自实施例1A(2)、实施例1B(3)、实施例1C(4)、实施例1D(5)和实施例1E(6)的磷光体在具有理想黑色辐射体用普朗克轨迹(1)的CIE1931色图中的色点。
实施例1F：分离Sr1.6Si5N7.6O0.4:Eu(II)0.2*2.1SiO2
使玻璃状级分的晶体在显微镜下由来自实施例1A的样品中分离出。晶态级分为化合物Sr1.6Si5N7.6O0.4:Eu(II)0.2*2.1SiO2。
实施例2：磷光体的LED应用
如下所述在Dow Corning OE 6550聚硅氧烷树脂中制备各种浓度的磷光体：使所述聚硅氧烷的5ml组分A和5ml组分B与等量磷光体混合，在通过使用Speedmixer均化而合并两种分散体A和B之后得到如下聚硅氧烷/磷光体混合比：
5重量%磷光体，
10重量%磷光体，
15重量%磷光体，和
30重量%磷光体。
将这些混合物各自转移至Essemtek分散器中并引入来自MimakiElectronics的LED-3528空包装中。在聚硅氧烷在150°C下固化1小时之后，借助由来自Instrument Systems的组件：CAS 140分光计和ISP 250积分球构成的装置在照明方面表征LED。为了测量，使用来自Keithley的可调节电源使LED在室温下与20mA的电流强度接触。图5显示了亮度(转换的LED的流明/mW蓝色LED芯片的光学功率)对转换的LED的CIE x色点的绘图，其为磷光体在聚硅氧烷中的使用浓度(5重量%，10重量%，15重量%和30重量%)的函数。
流明当量为本领域熟练技术人员熟悉的具有单位lm/W的照明量，其描述了在单位为瓦的特定辐射测定辐射功率下，光源的以流明为单位的光度测定的光通量的大小。流明当量越大，光源就越有效。
流明为本领域熟练技术人员熟悉的光度测定的照明量，其描述了光源的光通量，其为辐射源发射的总可见辐射的度量。光通量越大，光源对观测者来说显得更亮。
CIE x和CIE y表示本领域熟练技术人员熟悉的标准CIE色图(这里标准观测者1931)中的坐标，借助其描述光源的颜色。
以上所有所示的量通过本领域熟练技术人员熟悉的方法由光源发射光谱计算出。
实施例3：制备磷光体Lu2.97Al5O12:Ce0.03(“LuAG”)
将387g碳酸氢铵经1小时溶于4.3L去离子水中。将148g六水合氯化铝、135g六水合氯化镥和0.86g七水合氯化铈溶于2.7L去离子水中并经0.75小时滴加至所述碳酸氢盐溶液中。将碳酸氢盐溶液调节至pH 8。吸滤出形成的沉淀物并洗涤、然后干燥并转移至烘箱。
将沉淀物在空气中在1000°C下预锻烧2小时并随后在1700°C下进行还原性锻烧6小时。该化合物的发射光谱示于图1中。
实施例4：制备磷光体混合物
使10g Lu2.97Al5O12:Ce0.03(“LuAG”)与1g来自实施例1A的磷光体充分混合。
实施例5：制备发光二极管(“LuAG-实施例1A”)
将来自实施例4的磷光体混合物与双组分聚硅氧烷(OE 6550，来自Dow Corning)在转鼓混合器中以使得等量磷光体混合物分散于聚硅氧烷的两种组分中的方式混合；磷光体混合物在聚硅氧烷中的总浓度为8重量%。
将两种含有磷光体的聚硅氧烷组分各5ml彼此均匀混合并转移至分散器中。将含有100μm2GaN芯片的来自柏林OSA optoelectronics的LED空包装借助分散器填充。然后将LED置于加热室中以使聚硅氧烷在150°C下固化1小时。
实施例6：制备发光二极管，其中磷光体以使得发红光的磷光体基本被来自一次光源的光辐照而发绿光的磷光体基本被已通过发红光的磷光体或由此已被散射的光辐照的方式排布在一次光源上
实施例1A的磷光体或LuAG与双组分聚硅氧烷(OE 6550，来自DowCorning)在转鼓混合器中以使得等量磷光体混合物分散于聚硅氧烷的两种组分中的方式混合。绿色磷光体在聚硅氧烷中的浓度为8重量%LuAG(预混合物A)或1重量%实施例1A磷光体(预混合物B)。
将两种含有磷光体的聚硅氧烷组分各5ml彼此均匀混合并转移至分散器中。将含有100μm2GaN芯片的来自柏林OSA optoelectronics的LED空包装借助分散器填充。首先引入预混合物B。然后将LED置于加热室中以使聚硅氧烷在150°C下固化1小时。随后引入预混合物A，并将聚硅氧烷再次在加热室固化。
实施例2、4、5和6还可以类似地使用实施例1B至1E的磷光体或其他本发明磷光体进行。
附图说明
图1：实施例1A的X射线粉末图案，在来自Stoe & Cie.GmbH的StadiP 611 KL透射粉末X射线衍射仪中测量，使用Cu-Kα1辐射、锗[111]聚焦的一次射线单色器、线性PSD检测器。
图2a：来自实施例1A的产物的荧光光谱，使用Edinburgh InstrumentsFS920分光计在450nm的激发波长(峰波长：635nm)下记录。在荧光测量过程中，激发单色器设定为激发波长且在550nm和850nm之间以1nm的步进扫描设置在样品之后的检测器单色器，其中测量通过检测器单色器的光强度。
图2b：来自实施例1D的产物的荧光光谱；测量方法类似于2a。
图2c：来自实施例1E的产物的荧光光谱；测量方法类似于2a。
图3a：来自实施例1A的产物的激发光谱，使用Edinburgh InstrumentsFS920分光计记录。在激发测量过程中，在250nm和610nm之间以1nm的步进扫描激发单色器，而由610nm波长连续检测来自样品的荧光。
图3b：来自实施例1A的产物的反射光谱，使用Edinburgh InstrumentsFS920分光计记录。在反射测量过程中，将样品固定在积分球中且在250-800nm的波长范围内以1nm的步进同步扫描激发单色器和检测器单色器，其中测量通过检测器单色器的光强度。在BaSO4粉末(作为反射标样)上进行相同程序。然后使获得的两种光谱彼此相乘，得到样品的定量反射光谱。
图4：CIE 1931色图，具有普朗克轨迹(1)和来自实施例1A(2)、实施例1B(3)、实施例1C(4)、实施例1D(5)和实施例1E(6)的磷光体的色点。
图5：来自实施例2的LED的照明表征。借助由来自InstrumentSystems的组件：CAS 140分光计和ISP 250积分球构成的装置得到。为了测量，使用来自Keithley(型号2600)的可调节电源使LED在室温下与20mA的电流强度接触。使亮度(转换的LED的流明/mW蓝色LED芯片的光学功率)对转换的LED的CIE x色点绘图，其为磷光体在聚硅氧烷中的使用浓度(5重量%，10重量%，15重量%和30重量%)的函数。

Claims (19)

1.式I化合物：
A2-0，5y-x Eux Si5 N8-y Oy  (I)，
其中
A表示选自Ca、Sr、Ba的一种或多种元素，
x表示0.005-1范围内的值，和
y表示0.01-3范围内的值。
2.根据权利要求1的化合物，其特征在于A表示Sr。
3.根据权利要求1或2的化合物，其特征在于x表示0.01-0.8范围内的值，优选0.02-0.7范围内的值，特别优选0.05-0.6范围内的值。
4.根据权利要求1-3中任一项的化合物，其特征在于y表示0.1-2.5范围内的值，优选0.2-2范围内的值，特别优选0.22-1.8范围内的值。
5.根据权利要求1-4中任一项的化合物，其特征在于所述化合物呈与含硅和氧的化合物的混合物的形式。
6.包含至少一种式I化合物和至少一种其他含硅和氧的化合物的混合物：
A2-0.5y-x Eux Si5 N8-y Oy    (I)，
其中
A表示选自Ca、Sr、Ba的一种或多种元素，
x表示0.005-1范围内的值，和
y表示0.01-3范围内的值。
7.根据权利要求6的混合物，其特征在于式I化合物以30-95重量%，优选50-90重量%，特别优选60-88重量%范围内的重量比例存在于所述混合物中。
8.根据权利要求6或7的混合物，其特征在于所述混合物可以通过如下方法得到，在该方法中，在步骤a)中，使选自二元氮化物、卤化物和氧化物或它们的相应反应性形式的合适原料混合，和在步骤b)中，将混合物在还原性条件下热处理。
9.制备根据权利要求1-5中任一项的化合物或根据权利要求6-8中任一项的混合物的方法，其特征在于在步骤a)中，使选自二元氮化物、卤化物和氧化物或它们的相应反应性形式的合适原料混合，和在步骤b)中，将混合物在还原性条件下热处理。
10.根据权利要求9的方法，其特征在于在步骤b)中，反应在800°C以上的温度，优选1200°C以上的温度，特别优选1400-1800°C范围内的温度下进行。
11.根据权利要求9或10的方法，其特征在于步骤b)在氮气料流，优选N2/H2料流，特别优选N2/H2/NH3料流中进行。
12.具有至少一种一次光源的光源，其特征在于所述光源包含至少一种根据权利要求1-5中任一项的式I磷光体或根据权利要求6-8中任一项的混合物。
13.根据权利要求12的光源，其特征在于所述一次光源为发光氮化铟铝镓，尤其具有式IniGajAlkN，其中0≤i，0≤j，0≤k和i+j+k=1的发光氮化铟铝镓。
14.根据权利要求12或13的光源，其特征在于所述光源包含发绿光的磷光体。
15.根据权利要求12-14中任一项的光源，其特征在于所述磷光体以如下方式设置在一次光源上：使得式I磷光体基本被来自一次光源的光辐照而发绿光的磷光体基本被已通过发红光的磷光体的光或由此已被散射的光辐照。
16.根据权利要求15的光源，其特征在于式I磷光体安装在一次光源和发绿光的磷光体之间。
17.照明单元，尤其是用于显示器件的背光的照明单元，其特征在于其包含至少一种根据权利要求12-16中任一项的光源。
18.具有背光的显示器件，尤其是液晶显示器件(LC显示器)，其特征在于其包含至少一种根据权利要求17的照明单元。
19.至少一种根据权利要求1-5中任一项的式I化合物或根据权利要求6-8中任一项的混合物作为转换磷光体的用途，尤其是在发光二极管的蓝光发射或近UV发射的部分或完全转换中的用途。
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