CN108410460A - 一种ZnS发光薄膜的制备方法 - Google Patents

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沈洪雪
姚婷婷
杨勇
李刚
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Abstract

本发明公开一种ZnS发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，以ZnS靶、Pb靶为靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔体内，ZnS靶采用直流与射频电源，Pb靶采用直流电源，通入氩气，在衬底表面溅镀Zn过量且Pb掺杂的ZnS发光薄膜；采用磁控溅射进行ZnS、Pb共掺杂薄膜的制备，工艺简单，可控性、操作性强；ZnS靶采用直流和射频相结合的电源，进行薄膜的镀制，Pb靶采用直流电源，制备的薄膜致命性高，结晶质量好；通过工艺参数的改变能很好调节薄膜中的Zn和S的比例。

Description

一种ZnS发光薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及功能薄膜技术领域，具体是一种ZnS发光薄膜的制备方法。
背景技术
发光薄膜一直是光电子元器件等设备中非常重要的一个组成部分，诸如在电致发光、场发射显示器等仪器中都具有举足轻重的作用。传统方法所制备的薄膜一方面存在着电导率不高，薄膜结晶质量不好等缺陷，另一方面薄膜的表面粗糙，致密、均匀性等方面都不行。目前材料制备的发光薄膜由于材料本身的物理缺陷很难满足高精密电子元器件的使用要求，因此制备性能优异的发光薄膜成为目前一个比较重要的方向。
发明内容
本发明的目的在于提供一种ZnS发光薄膜的制备方法，该方法能够制备Zn过量且Pb掺杂的发光薄膜，结晶质量好，工艺简单、易于控制。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种ZnS发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：
S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；
S2、采用磁控溅射设备，以ZnS靶、Pb靶为靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔体内，ZnS靶采用直流与射频电源，Pb靶采用直流电源，通入氩气，在衬底表面溅镀Zn过量且Pb掺杂的ZnS发光薄膜。
进一步的，步骤S2溅镀时 ZnS靶直流功率为70W、射频功率80W，Pb靶直流功率为50W，工作气压0.8Pa，Ar流量25sccm，，溅射时间25min。
本发明的有益效果是，采用磁控共溅射进行ZnS、Pb共掺杂薄膜的制备，工艺简单，可控性、操作性强；ZnS靶采用直流和射频相结合的电源，进行薄膜的镀制，Pb靶采用直流电源，制备的薄膜致命性高，结晶质量好；通过工艺参数的改变能很好调节薄膜中的Zn和S的比例。
具体实施方式
本发明提供一种ZnS发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：
S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；衬底选用普通的超白玻璃；
S2、采用磁控溅射设备，以ZnS靶、Pb靶为靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔体内，ZnS靶采用直流与射频电源，Pb靶采用直流电源，真空度达到7.5*10－4Pa时通入氩气，ZnS靶直流功率为70W、射频功率80W，Pb靶直流功率为50W，工作气压0.8Pa，Ar流量25sccm，，溅射时间25min，在衬底表面溅镀Zn过量且Pb掺杂的ZnS发光薄膜。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (2)

1.一种ZnS发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；
S2、采用磁控溅射设备，以ZnS靶、Pb靶为靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔体内，ZnS靶采用直流与射频电源，Pb靶采用直流电源，通入氩气，在衬底表面溅镀Zn过量且Pb掺杂的ZnS发光薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种ZnS发光薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2溅镀时ZnS靶直流功率为70W、射频功率80W，Pb靶直流功率为50W，工作气压0.8Pa，Ar流量25sccm，，溅射时间25min。
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