CN102161892A - 一种用于x射线记忆成像的荧光材料 - Google Patents
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Abstract
一种用于X射线记忆成像的荧光材料,它包括基质材料硫化锌,在基质材料中加入激活剂,激活剂是铜、银、金、锰、铅中的一种或一种以上酸性化合物;激活剂的加入量为基质材料每克重量的1×10-3-1×10-5,高温加热制备,制备出的发光材料其被X射线激发后,产生记忆性长余辉发光;其涂敷在胶片、玻璃表面,放置在CCD或CMOS感光摄像器件前,并遮光密封感光摄像器件,与计算机相连后,构成X射线及时快速成像系统。
Description
技术领域
本发明属于X射线成像应用技术领域。
背景技术
X射线成像是现代医学、工业检测等领域中重要组成部分之一。现有X射线成像荧光材料主要是利用背景增感、光存储、闪烁体等材料技术,经胶片或CCD数字处理,实现物体显示成像。
X射线增感屏技术是用荧光材料制作成增感屏,其使X光胶片在极短时间内获得更加清晰图像,如钨酸钙、硫氧钆铽、硫化锌银等荧光材料体系;但使用胶片成像时的缺点是不能及时提供图片、照射时间长。光激励存储技术是用荧光材料制作成存储板,其在X射线照射下数字存储图像,并可在红色激光扫描下释放图像,如氟氯化钡等荧光材料体系,现已广泛应用,其缺点是数据读取设备体积庞大,价格昂贵。X射线断层扫描技术(CT)使用闪烁体成像,常用的有碘化铯等材料,其缺点是材料毒性大、对CDD技术要求高、价格高。这些技术在专利01144501.7、200810163492.0、200610027523.0、200510084364.3、200610155887.7中均有揭示。
本发明一种用于X射线记忆成像的荧光材料,可以对X射线产生荧光记忆,其涂敷在胶片、玻璃表面,放置在CCD或CMOS感光摄像器件前,并遮光密封,与计算机相连后,形成X射线及时快速数字成像系统。
发明内容
一种用于X射线记忆成像的荧光材料,它包括基质材料硫化锌,在基质材料中加入激活剂,激活剂是含有铜、银、金、锰、铅中的一种或一种以上酸性化合物,锰与铅的加入可以产生橙色发光,其它则产生绿色或蓝色发光;激活剂的加入量为基质材料每克重量的1×10-3-1×10-5,高温加热制备,可以形成发光粉末微晶颗粒;制备出的发光材料被X射线激发后,产生记忆性长余辉发光,余辉时间保持10-120秒以内,可以迅速重新激发反复使用。
激活剂酸性化合物阴离子含有的是卤化物、磷酸、硝酸、硫酸、醋酸、草酸,其有助于荧光材料发光效率的提高,同时使结晶颗粒完整。
X射线记忆成像的荧光材料制备时,同时加入共激活剂,共激活剂对荧光材料控制产生余辉有促进作用。共激活剂是铕、铒、镝、钐、铈稀土元素中的一种或一种以上酸性化合物,酸性化合物的阴离子以硝酸根为主。共激活剂的加入量为基质材料每克重量的5×10-2-1×10-7。本发明中共激活剂可以使材料被激发光后,高亮度发光余辉产生时间在10-120秒以内,当发光余辉产生时间太长,间隔短时间内使用图像对比度会发生不清晰,不利于下次重复使用。当发光余辉产生时间太短,不利于CCD或CMOS感光摄像的数据取值,尤其是使用廉价普通的CCD摄像装置;本发明以上特点与现有长余辉材料性能有本质区别。
X射线记忆成像的荧光材料制备时,加入助熔剂,助熔剂是含有锂、钠、钾、钡的卤化物,其加入量为基质材料重量的1-8%。助熔剂加入可以降低烧结温度,提高晶体晶格发生缺陷的几率。
X射线记忆成像的荧光材料制备时,基质材料、激活剂、共激活剂、助熔剂湿法混合后110度烘干,干法混合不利于材料之间的互溶性,延长制备时间。在含硫的保护气氛中烧结,可以提高发光强度,在其它保护气氛下烧结会降低余辉控制的准确性。烧结温度1000-1300度,时间0.5-5小时,其形成颗粒度3-15微米的粉体材料;当烧结温度在低于1000度时,粉体微晶材料,为立方相结构,发光效率相对较低,当温度高于1300度,颗粒度太大不利于图像的分辩率的提高。
X射线记忆成像的荧光材料制备时,也可以采用水热法制备,基质材料、激活剂、共激活剂、助熔剂使用水法混合,通过高压反应釜制备,反映制备温度180-300度,时间10-48小时,其形成颗粒度0.07-5微米的粉体材料。常规水热法制备,应将基质材料形成含有硫化锌的液体,其颗粒度可以达到纳米尺度。采用水热法制备的材料发光效率低于高温烧结法。
X射线记忆成像的荧光材料,其涂敷在胶片、玻璃表面,制作成荧光薄片,放置在CCD或CMOS感光摄像器件前,并遮光密封,与计算机相连后,形成X射线及时快速成像系统。X射线记忆成像的荧光材料涂在透明的塑料胶片或薄玻璃片上,涂层致密并薄,通常厚度小于1毫米。当X射线照射目标物体,其目标物体投影在荧光薄片上,荧光薄片根据X射线穿透物体的强弱,产生带有灰度的长余辉发光图案,形成图案可以在另一侧观测。涂有X射线记忆成像的荧光材料的薄片设置于在CCD或CMOS感光摄像器件前,再完全遮光密封感光摄像器件,密封是为避免环境光线对其干扰性激发发光;CCD或CMOS感光摄像器件可以直接使用芯片,也可以经光学镜头处理,前者可以使X射线记忆成像头制造成薄于3毫米的微型器件,便于微小物体的X光检测。CCD或CMOS感光摄像器件连接计算机,经数据处理形成视频图像。
涂有荧光材料的胶片或玻璃片面积,可以与CCD矩阵芯片面积相同,制造成微小型记忆成像器件;也可以大于CCD矩阵芯片面积数干倍,通过CCD镜头光学聚焦,制造成大型记忆成箱器件。
当X射线照射目标物体在0.01-1秒时,置于目标物体背面的记忆成像CCD系统可以在5-20秒以内完成图像取值及处理,目标物体内部结构及隐藏物可以清晰显示,并且可以立刻进行下次图像取值。
本发明同样可以应用在针对β射线、γ射线的探测及成像。
具体实施方式
一种用于X射线记忆成像的荧光材料,它包括基质材料硫化锌,其纯度要求是99.99%,在基质材料中加入激活剂,激活剂是含有铜、银、金、锰、铅中的一种或一种以上酸性化合物,激活剂酸性化合物阴离子含有的是卤化物、磷酸、硝酸、硫酸、醋酸、草酸。如使用:硫酸铜、醋酸锰、氯化金、铅磷酸、硝酸银等。单独锰的加入可以产生强烈的橙色发光,当锰与其它金属激活剂共同加入时,产生橙-绿色的过渡色,如黄色。铜、银、金、铅加入产生绿色或蓝色发光,当铅的浓度为基质材料每克重量的1×10-4-1×10-5时,可以产生橙黄色发光。激活剂的总加入量为基质材料每克重量的1×10-3-1×10-5,高温加热制备后,被X射线激发照射产生记忆性长余辉发光,余辉时间保持5-120秒。
X射线记忆成像的荧光材料制备时,需加入共激活剂,共激活剂是铕、铒、镝、钐、铈稀土元素中的一种或一种以上酸性化合物,其中使用硝酸盐类效果较好,如:硝酸铕、硝酸铒等;也可以使用其它类酸性化合物。共激活剂的加入量为基质材料每克重量的5×10-2-1×10-7。掺杂共激活剂的荧光材料被激发发光后,高亮度发光余辉产生时间在10-120秒以内,其可以被CCD准确记录。
X射线记忆成像的荧光材料制备时,加入助熔剂,助熔剂是含有锂、钠、钾、钡的卤化物,如:氯化钠、氟化锂等;其加入量为基质材料重量的1-8%。助熔剂加入可以降低烧结温度,提高发光强度。
X射线记忆成像的荧光材料制备时,基质材料、激活剂、共激活剂、助熔剂湿法混合后110度烘干,湿法主要使用去离子水调节;干法混合会加大延长制备时间。在含硫的保护气氛中烧结,如:硫气氛、硫化氢气氛,也可以在氮气氛中烧结。烧结温度1000-1300度,时间0.5-5小时。
X射线记忆成像的荧光材料制备时,也可以采用水热法制备,基质材料、激活剂、共激活剂、助熔剂使用水法混合,通过高压反应釜制备,反映制备温度180-300度,时间10-48小时,其形成颗粒度0.07-5微米的粉体材料。常规水热法制备,应将基质材料形成含有硫化锌的液体,其颗粒度可以达到纳米尺度。
X射线记忆成像的荧光材料涂在透明的塑料胶片或薄玻璃片上,使用市售胶水、油墨通过丝网印刷或喷涂均可,通常厚度小于1毫米,其切割成与CCD或CMOS感光芯片相同面积,并设置在芯片前端,完全遮光密封;CCD或CMOS感光摄像器件连接计算机,形成系统器件,经数据处理形成视频图像。
当X射线照射目标物体在0.01-0.1秒时,置于目标物体背面的记忆成像CCD系统可以在5-20秒以内完成图像取值及处理,目标物体内部结构及隐藏物可以清晰显示,并且可以立刻进行下次图像取值。
本发明优点在于
本发明优点在于荧光材料对X射线灵敏度高,X射线照射时间短、能量低,减少对人体的辐射量。整体形成的器件体积小,使用轻便,X光系统成像速度快,不需要复杂的专用读取设备,其可以广泛应用于精密加工中微小物体结构探测,也可以用于人体诊断,如口腔牙齿快速诊断成像,其只要配备简单的CCD摄像头、便携式计算机就可及时数字观察、存储图像。适合于野外医疗、野外工业、便携式电子器件、集成电路等X光结构检测,并保留图像数据。
使用本发明制造的X射线记忆成像系统,荧光材料及整体器件成本低廉,易于更换,使用廉价普通笔记本电脑就可以完成图像处理;本发明的荧光材料中不含有害物质,如:镉、铯等。
实施例1
取基质材料硫化锌,其纯度是99.99%,加入激活剂硫酸铜,激活剂的加入量为基质材料每克重量的5×10-4;加入共激活剂硝酸铒,加入量为基质材料每克重量的5×10-3;加入助熔剂氯化钠,其加入量为基质材料重量的3%。用去离子水调节均匀后,110度干燥,硫气氛、硫化氢气氛中烧结。烧结温度1100度,时间2小时。
制备的发光材料为绿色发光粉末。
使用市售无色透明油墨,加入荧光材料,通过丝网印刷厚度小于0.5毫米胶片,并切割成与CCD芯片相同面积,设置在芯片前端,完全遮光密封。
实施例2
取基质材料硫化锌,其纯度是99.99%,加入激活剂硫酸铜,加入量为基质材料每克重量的1×10-5;加入激活剂醋酸锰,加入量为基质材料每克重量的1×10-4;加入共激活剂硝酸铈,加入量为基质材料每克重量的7×10-4;加入助熔剂氯化钾,其加入量为基质材料重量的2%。用去离子水调节均匀后,110度干燥,硫气氛、硫化氢气氛中烧结。烧结温度1200度,时间3小时。
制备的发光材料为橙黄色发光粉末。
使用市售无色透明油墨,加入荧光材料,通过丝网印刷厚度小于0.5毫米胶片,并切割成与CCD芯片相同面积,设置在芯片前端,完全遮光密封。
在上面针对本发明较好的实施方式作了举例说明后,对本领域的技术人员来说应明白的是,在不偏离本发明的精神和范围的情况下,对本发明所作的任何改变和改进都在本发明的范围内。
Claims (6)
1.一种用于X射线记忆成像的荧光材料,它包括基质材料硫化锌,在基质材料中加入激活剂,激活剂是铜、银、金、锰、铅中的一种或一种以上酸性化合物;激活剂的加入量为基质材料每克重量的1×10-3-1×10-5,高温加热烧结,制备出的发光材料其被X射线激发后,产生记忆性长余辉发光。
2.如权利要求1所述一种用于X射线记忆成像的荧光材料,激活剂酸性化合物阴离子含有的是卤化物、磷酸、硝酸、硫酸、醋酸、草酸。
3.如权利要求1所述一种用于X射线记忆成像的荧光材料,同时加入共激活剂,共激活剂是铕、铒、镝、钐、铈稀土元素中的一种或一种以上酸性化合物,共激活剂的加入量为基质材料每克重量的5×10-2-1×10-7,
4.如权利要求1所述一种用于X射线记忆成像的荧光材料,加入助熔剂,助熔剂是含有锂、钠、钾、钡的卤化物,其加入量为基质材料重量的1-8%。
5.如权利要求1所述一种用于X射线记忆成像的荧光材料,基质材料、激活剂、共激活剂、助熔剂湿法混合后110度烘干,在含硫的保护气氛中烧结,烧结温度1000-1300度,时间0.5-5小时。
6.如权利要求1所述一种用于X射线记忆成像的荧光材料,其具有X射线激发长余辉发光特性,将其涂敷在胶片、玻璃表面,放置在CCD或CMOS感光摄像器件前,并遮光密封感光摄像器件,与计算机相连后,构成X射线及时快速数字成像系统。
Priority Applications (1)
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CN102161892A true CN102161892A (zh) | 2011-08-24 |
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